專利名稱：具有高耐熱性的光致抗蝕劑組合物的制作方法
背景技術(shù)：
(a)發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及光致抗蝕劑組合物，且更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及可以在LCD-TFT板生產(chǎn)過(guò)程中光處理漸進(jìn)圖案形成中的高耐熱的光致抗蝕劑組合物。
(b)相關(guān)領(lǐng)域的描述按照暴露部分和非暴露部分的溶解特性將用于LCDs的光致抗蝕劑中的聚合物分成陰型和陽(yáng)型。光致抗蝕劑的具體特征在于作為因?qū)Ψ肿恿糠植?、間/對(duì)甲酚的比例、亞甲基的共軛位置、光活性化合物的酯鍵、成分比例等的各種研究而導(dǎo)致的溶解特性改善的結(jié)果的0.3μm或0.3μm以上的分辨率。
LCD-TFT板生產(chǎn)過(guò)程中光處理漸進(jìn)圖案形成中所用的光致抗蝕劑(PR)的特性研究是確定生產(chǎn)流水線產(chǎn)量中的極為重要的因素。
目前，N+離子摻入法和大規(guī)模生產(chǎn)流水線上低溫下的多步驟金屬和氮化物干蝕刻法將金屬薄膜和光致抗蝕劑用作掩模(mask)。
就N+離子摻入法而言，如果在加工前用掩模中將所用的金屬薄膜代替所用的PR，那么金屬薄膜的沉積過(guò)程就會(huì)消除且由此可以獲得工藝簡(jiǎn)化和生產(chǎn)能力的改善。
然而，由于光致抗蝕劑具有約130℃的耐熱性，所以如果將光致抗蝕劑應(yīng)用于干蝕刻法，那么PR就會(huì)因熱度極高和因干蝕刻設(shè)備的高功率進(jìn)行的等離子體加工而導(dǎo)致燃燒，且甚至在完全拋光過(guò)程后，適當(dāng)?shù)膭冸x仍然不會(huì)發(fā)生，而就金屬干蝕刻的情況而言，會(huì)發(fā)生損壞。為了解決這一難題，相關(guān)領(lǐng)域中在光處理后再次應(yīng)用了硬烘烤工藝且然后進(jìn)行拋光和干蝕刻。
也就是說(shuō)，目前所用的陽(yáng)性光致抗蝕劑不會(huì)在高溫下進(jìn)行離子摻入過(guò)程且由此存在對(duì)有關(guān)流動(dòng)的關(guān)注。此外，如上所述，當(dāng)諸如使用金屬、氮化硅和第三層薄膜(SiNx/a-Si/n+a-Si)的氮化物干蝕刻法進(jìn)行時(shí)，它因光致抗蝕劑的燃燒現(xiàn)象而不會(huì)作為掩模起有效作用。因此，為了解決燃燒現(xiàn)象，對(duì)光處理法進(jìn)行了改進(jìn)且然后再次實(shí)施硬烘烤法，不過(guò)，該方法因在玻璃邊緣上出現(xiàn)PR圖象的斷續(xù)殘留物而難以實(shí)施，且因PR甚至在多層金屬干蝕刻法(Mo/Al-Nd或Mo/Al-Nd/Mo)中也存在燃燒現(xiàn)象而不可能使工藝進(jìn)行。
因此，需要研制具有能夠耐高溫?zé)崃?約160℃)的優(yōu)良耐熱性的新光致抗蝕劑。
發(fā)明概述考慮到現(xiàn)有技術(shù)的難題而完成本發(fā)明且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供具有耐高溫和用于LCD-TFT板生產(chǎn)過(guò)程中圖案形成的光處理中的優(yōu)良性能的光致抗蝕劑組合物。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供光致抗蝕劑組合物，用該組合物可以省略硬烘烤工藝，且其中在拋光工藝后，甚至可以在干蝕刻后進(jìn)行剝離而沒(méi)有光致抗蝕劑的燃燒現(xiàn)象。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的，本發(fā)明提供了光致抗蝕劑組合物，包括(a)10-50重量％的酚醛清漆樹(shù)脂；(b)1-20重量％的環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂；(c)3-15重量％的光活性化合物；和(d)50-80重量％的溶劑。
本發(fā)明還提供了光致抗蝕劑組合物，包括(a)10-50重量％的酚醛清漆樹(shù)脂；(b)0.05-20重量％的對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶；(c)3-15重量％的光活性化合物；和(d)50-80重量％的溶劑。
此外，本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件，包括作為低溫多晶硅方法(low polyprocess)中N+離子摻入工藝的掩模的光致抗蝕劑組合物。
此外，本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件，包括作為金屬和氮化物干蝕刻工藝中的掩模的光致抗蝕劑組合物。
附圖簡(jiǎn)述

圖1表示添加本發(fā)明光致抗蝕劑組合物的PPTS(對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶)的高靈敏度現(xiàn)象機(jī)理。
圖2表示對(duì)在相關(guān)領(lǐng)域的對(duì)比例1的光致抗蝕劑組合物(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的結(jié)果。
圖3表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1的光致抗蝕劑組合物(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的結(jié)果。
圖4表示在60kev能量條件下對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的對(duì)比例1的光致抗蝕劑組合物進(jìn)行(a)離子摻入前和(b)離子摻入后的照片。
圖5表示在60kev能量條件下對(duì)本發(fā)明實(shí)施例1的光致抗蝕劑組合物在(a)離子摻入前和(b)離子摻入后的照片。
圖6表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施例2的光致抗蝕劑組合物(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的結(jié)果。
圖7表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施例3的光致抗蝕劑組合物(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的結(jié)果。
圖8表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施例9的光致抗蝕劑組合物在(a)干蝕刻前和(b)干蝕刻120秒后的結(jié)果。
圖9表示對(duì)相關(guān)技術(shù)對(duì)比例1的光致抗蝕劑組合物剝離后的(a)圖案類型和(b)溶于剝離溶液的生成物。
圖10表示對(duì)本發(fā)明實(shí)施例9的光致抗蝕劑組合物剝離后的(a)圖案類型和(b)溶于剝離溶液的生成物。
詳細(xì)說(shuō)明和優(yōu)選實(shí)施方案現(xiàn)在更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。
為了解決相關(guān)領(lǐng)域中的難題，本發(fā)明者爭(zhēng)取通過(guò)將環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂導(dǎo)入包括基于酚醛清漆的堿性可溶性樹(shù)脂的相關(guān)技術(shù)光致抗蝕劑組合物中而獲得耐熱性的改善。他們特別通過(guò)添加PPTS(對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶)制備了具有經(jīng)設(shè)定的敏感性而改善的耐熱性和一般光致抗蝕劑組合物的保留水平的光致抗蝕劑組合物，從而防止了低敏感性和保留水平下降。
因此，與一般技術(shù)相比，本發(fā)明提供了既可維持光速又可維持涂敷均勻性的光致抗蝕劑組合物，且其中耐熱性得到改善。
本發(fā)明中所用的第一種樹(shù)脂是堿性可溶性樹(shù)脂且優(yōu)選(a)基于酚醛清漆的樹(shù)脂。通過(guò)對(duì)基于酚和基于醛的化合物進(jìn)行縮聚來(lái)制備基于酚醛清漆的樹(shù)脂?？梢允褂弥辽僖环N選自苯酚、間甲酚和對(duì)甲酚等組成的組的基于酚的化合物。可以使用諸如甲醛、苯甲醛、乙醛等這樣基于醛的化合物。在基于酚與基于醛的化合物的縮合反應(yīng)中可以使用一般為酸性的催化劑。
在本發(fā)明中，可以通過(guò)按照間甲酚與對(duì)甲酚的混合比例制備的另一種類型的混合酚醛清漆樹(shù)脂可以使酚醛清漆樹(shù)脂增加保留性和敏感性。優(yōu)選使用具有3,000-15,000的平均分子量的酚醛清漆樹(shù)脂(酚醛清漆樹(shù)脂A)和具有5,000-15,000的平均分子量的酚醛清漆樹(shù)脂(酚醛清漆樹(shù)脂B)或其混合物。更優(yōu)選所述的酚醛清漆樹(shù)脂是酚醛清漆樹(shù)脂A和酚醛清漆樹(shù)脂B的混合物。酚醛清漆樹(shù)脂A是按照50-100∶20-80的重量比聚合的間甲酚與對(duì)甲酚。酚醛清漆樹(shù)脂B是按照30-100∶40-100的重量比聚合的間甲酚與對(duì)甲酚。酚醛清漆樹(shù)脂A與酚醛清漆樹(shù)脂B的混合重量比優(yōu)選為1∶1-9。
酚醛清漆樹(shù)脂的含量?jī)?yōu)選為10-50重量％，且如果含量超過(guò)這一范圍，則不可能獲得保留性和敏感性。
此外，本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物通過(guò)包括(b)環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂作為第二種樹(shù)脂而改善了耐熱性。環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂具有快速溶解性和優(yōu)良的耐熱性，且由此它可以改善光致抗蝕劑的性能。環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂的含量為1-20重量％，且如果含量低于1重量％，則耐熱效力不足，而如果含量超過(guò)20重量％，則保留性和敏感性可能會(huì)降低。
此外，本發(fā)明可以通過(guò)使用(b)PPTS(對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶)代替基于環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂作為第二種樹(shù)脂來(lái)維持一般酚醛清漆樹(shù)脂A和B的耐熱性改善，且還可以通過(guò)解決敏感性顯著下降的難題來(lái)維持添加PPTS前的耐熱性。即PPTS在防止低敏感性和保留性下降以及維持耐熱性(160℃)方面起作用。
此外，PPTS通過(guò)在暴露過(guò)程中產(chǎn)生酸(H+)而在提高酚醛清漆樹(shù)脂溶解性方面起作用，且它具有低分子量和由于因極限(stone wall)作用使溶解性增加而增加的高敏感性作用。此外，PPTS的最強(qiáng)點(diǎn)在于盡管具有高敏感性、但仍然可以維持保留性。這一結(jié)果因其高分子量低分子量比而解決了保留性改變的難題(如果保留性增加，則敏感性下降)，而這一難題是研制具有高耐熱的光致抗蝕劑過(guò)程中的常見(jiàn)問(wèn)題。
對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶(TTPS)的含量?jī)?yōu)選0.05-20重量％，其中如果PPTS含量低于0.05重量％，則獲得高敏感性且維持保留性是不可能的；而如果PPTS的含量高于20重量％，則不可能預(yù)計(jì)到敏感性和保留性有進(jìn)一步的改善。
在本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物中，圖1a和1b表示添加PPTS的高敏感性現(xiàn)象機(jī)理。圖1a和1b表示按照實(shí)施例9添加PPTS的非暴露部分和暴露部分的高敏感性現(xiàn)象的機(jī)理。圖1a中的基質(zhì)P(未顯示)表示因光活性化合物的偶聯(lián)作用而導(dǎo)致溶解性下降。圖1b中的A代表由于活化的酸(H+)而導(dǎo)致的溶解性增加和因低分子量導(dǎo)致的極限作用的敏感性增加的結(jié)果，且P表示因光活性化合物的化學(xué)溶解性改變而導(dǎo)致的溶解性增加。
此外，在本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物中，(c)光活性化合物(PAC)優(yōu)選是3或4-偶氮基-萘醌(DNQ)與包含苯環(huán)的固定基(Ballast Group)結(jié)合的化合物。光活性化合物的含量?jī)?yōu)選為3-15重量％。
本發(fā)明中所用的(d)溶劑在溶解所述樹(shù)脂和光活性化合物方面起作用。該溶劑優(yōu)選是丙烯酸3-甲氧基丁基酯(MBA)、乙酸正丁酯(n-BA)、γ-丁內(nèi)酯(GBL)或其混合物或其與乳酸乙酯的混合物。使用乳酸乙酯是為了防止所述的光活性化合物重結(jié)晶以便改善n-BA和丙烯酸酯的溶解性并改善保留性。使用n-BA是為了防止因具有低于一般溶劑的低沸點(diǎn)而產(chǎn)生的斑點(diǎn)。
更具體地說(shuō)，所述的溶劑是丙烯酸3-甲氧基丁基酯、乙酸正丁酯和乳酸乙酯的混合物。丙烯酸3-甲氧基丁基酯、乙酸正丁酯和γ-丁內(nèi)酯的混合物比例優(yōu)選為30-70∶20-60∶1-10的重量比。此外，丙烯酸3-甲氧基丁基酯、乙酸正丁酯和乳酸乙酯的混合物比例優(yōu)選為30-70∶15-40∶15-50的重量比。溶劑的含量?jī)?yōu)選為50-80重量％。
此外，本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物包括添加劑，且作為實(shí)例，它可以包括光致抗蝕劑組合物中常用的表面活性劑。
本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物通過(guò)用作大規(guī)模生產(chǎn)流水線上低溫多晶硅方法中N+離子摻入工藝和金屬干蝕刻中的掩模可以制備半導(dǎo)體器件。
在用作N+離子摻入工藝中的掩模的光致抗蝕劑組合物的情況中，耐熱性是優(yōu)良的，而Ion/Ioff特性可以因摻入面積上離子摻入量的不同而改變，這是由于在離子摻入后的光致抗蝕劑邊緣上的收縮現(xiàn)象所造成的?？梢酝ㄟ^(guò)經(jīng)制成與一般金屬薄膜相比能夠摻入N+離子較長(zhǎng)的LDD區(qū)域長(zhǎng)度補(bǔ)償減少的LDD長(zhǎng)度來(lái)解決這一難題。然后通過(guò)證實(shí)所述器件的特性判定是否存在改變且可以得到適當(dāng)?shù)腖DD長(zhǎng)度，而由此可以減少因收縮而使離子摻入量不同所導(dǎo)致的on/Ioff特性改變。此外，根據(jù)涂敷和CD均勻性，LDD長(zhǎng)度可以在蝕刻后改變，但可以通過(guò)使溶劑和表面活性劑最優(yōu)化以確保光致抗蝕劑的均勻性來(lái)解決這一問(wèn)題。
此外，在應(yīng)用于N+離子摻入工藝的情況中，當(dāng)在剝離后進(jìn)行離子摻入時(shí)，泵入光致抗蝕劑表面部分的離子變質(zhì)，且由此變質(zhì)成實(shí)際剝離物的光致抗蝕劑表面因仍然保留有不溶解物質(zhì)而出現(xiàn)殘余物，但可以通過(guò)進(jìn)行拋光工藝除去它。也就是說(shuō)，為了防止因殘余物的剝離污染物，本發(fā)明可以在剝離時(shí)通過(guò)經(jīng)拋光處理除去退化的光致抗蝕劑表面而防止殘余物形成。因此，從玻璃上除去光致抗蝕劑成為最佳。
此外，就在金屬干蝕刻工藝中應(yīng)用光致抗蝕劑組合物的情況而言，優(yōu)選通過(guò)適當(dāng)控制氧化物或金屬薄膜與光致抗蝕劑的選擇比例而以光致抗蝕劑蝕刻工藝的外形角為45°為結(jié)果。也就是說(shuō)，為了維持固定的外形角，適當(dāng)控制光致抗蝕劑的成分比例是重要的，所以應(yīng)用本發(fā)明光致抗蝕劑組合物是優(yōu)選的。
如上所述，本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物與一般光致抗蝕劑組合物相比可以對(duì)耐熱性的改善達(dá)23％，所以可以將它有效地用作制備諸如LCD-TFT板這樣的半導(dǎo)體器件中的掩模，這是由于它優(yōu)良的光致抗蝕劑性能所導(dǎo)致的，因?yàn)樗梢酝ㄟ^(guò)使用耐熱的主要成分而耐160℃的高溫。
下文通過(guò)實(shí)施例和對(duì)比例更具體地描述本發(fā)明。然而，下列實(shí)施例僅用于理解本發(fā)明，而本發(fā)明并不限于下面的實(shí)施例。
實(shí)施例[實(shí)施例1-3和對(duì)比例1]通過(guò)表1致所示的組成和含量制備光致抗蝕劑組合物，且所用的溶劑組成如表2中所示。此外，使用乳酸乙酯而不是γ-丁內(nèi)酯制備實(shí)施例2的光致抗蝕劑組合物并將環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂的含量減至1.5％，實(shí)施例3使用PPTS而不是環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂。
離子摻入工藝的應(yīng)用1.離子摻入前的剝離試驗(yàn)在70℃和浸入PRS-2000剝離器2-10分鐘的條件下通過(guò)應(yīng)用具有耐高熱的實(shí)施例1的光至抗蝕劑組合物進(jìn)行離子摻入前的剝離試驗(yàn)，且然后基于如下不進(jìn)行硬烘烤和在150℃下硬烘烤120秒的條件評(píng)價(jià)剝離且結(jié)果如表3中所示。
○無(wú)痕量，良好；△干燥后有些痕量；×干燥后許多痕量。
正如在表3中所觀察到的，在離子摻入前的流水線剝離條件下進(jìn)行剝離是可能的。
圖2和3表示對(duì)對(duì)比例1和實(shí)施例1的光致抗蝕劑組合物(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的評(píng)價(jià)結(jié)果。
圖2的對(duì)比例1表示因不具有耐熱性而結(jié)果差，而圖3的實(shí)施例1與對(duì)比例1b相比因即使在高溫下也仍然具有優(yōu)良的耐熱性而產(chǎn)生比對(duì)比例1120℃高30-40℃的改善。通過(guò)應(yīng)用一般低溫多晶硅方法中N+離子摻入工藝測(cè)試對(duì)比例1和實(shí)施例2的光致抗蝕劑組合物。圖4和5表示在60kev的能量條件下對(duì)對(duì)比例1和實(shí)施例2進(jìn)行(a)離子摻入前和(b)離子摻入后的照片。結(jié)果，就圖4的對(duì)比例1的情況而言，當(dāng)觀察到固定LCD長(zhǎng)度狀態(tài)中離子摻入前后光致抗蝕劑邊緣部分收縮度時(shí)，表明因收縮遠(yuǎn)大于實(shí)施例2而導(dǎo)致發(fā)生較大傾斜。這可能是由于N+離子摻入后N+離子量改變所引起的且它導(dǎo)致耐熱性下降。
相反，正如在圖5的(a)離子摻入前和(b)進(jìn)行離子摻入后的結(jié)果中所觀察到的，實(shí)施例2因優(yōu)良的耐熱性而表現(xiàn)出良好的狀態(tài)。此外，實(shí)施例2的保留性改善了15％(58％→73％)。
圖6和7表示對(duì)實(shí)施例2和3(a)無(wú)硬烘烤和(b)硬烘烤120秒的結(jié)果。
正如在圖6和7中所觀察到的，實(shí)施例2和3均獲得了優(yōu)良的結(jié)果，且特別是實(shí)施例3具有更優(yōu)良的耐熱性。為了檢驗(yàn)PPTs和酚醛清漆樹(shù)脂的添加量的作用，通過(guò)改變具有下面表4中所示組成的PPTs和酚醛清漆樹(shù)脂的添加量制備光致抗蝕劑組合物。其中剩余百分比是實(shí)施例3的溶劑并將35ppm添加劑用作表面活性劑。
正如表4中所示，在實(shí)施例4-9中，結(jié)果一般比對(duì)比例2僅使用酚醛清漆樹(shù)脂的情況極佳且表現(xiàn)出與一般對(duì)比例1等水平的敏感性(1500毫秒＝60mJ)。實(shí)施例9通過(guò)使用酚醛清漆樹(shù)脂A維持了160℃的耐熱性，而與保留性平衡相反，獲得的敏感性顯著降低，通過(guò)使用PPTS所有敏感性和保留性的記錄結(jié)果均獲得了改善。特別在耐熱性方面，這些實(shí)施例甚至在沒(méi)有使用丙烯酸酯樹(shù)脂的情況下也可以維持160℃左右的性能。作為金屬干蝕刻工藝中的掩模的應(yīng)用試驗(yàn)使用實(shí)施例9的光致抗蝕劑組合物在多晶硅方法中氧化物和金屬側(cè)面的干蝕刻的情況中測(cè)試作為掩模的作用。
首先，在光致抗蝕劑涂敷后，僅進(jìn)行軟烘烤并進(jìn)行干蝕刻試驗(yàn)。圖8表示對(duì)實(shí)施例9進(jìn)行(a)干蝕刻前和(b)干蝕刻后的照片。正如在圖8中所觀察到的，就干蝕刻后實(shí)施例9的情況而言，幾乎不會(huì)出現(xiàn)一般在現(xiàn)有技術(shù)的光致抗蝕劑組合物(對(duì)比例1)中發(fā)生的燃燒現(xiàn)象。
此外，甚至當(dāng)光處理省略再硬烘烤工藝且然后對(duì)實(shí)施例9形成圖案和干蝕刻時(shí)，光致抗蝕劑全表面上也不會(huì)發(fā)生燃燒現(xiàn)象。此外，就實(shí)施例9的情況而言，甚至在拋光工藝后進(jìn)行剝離也是可能的。這表示在金屬干蝕刻過(guò)程中應(yīng)用本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物是可能的。
圖9和10表示對(duì)比例1和實(shí)施例9剝離后的照片。正如圖9的(a)和(b)中所示，就對(duì)比例1的情況而言，盡管玻璃板上沒(méi)有保留光致抗蝕劑，但是因只有少量固化光致抗蝕劑進(jìn)入剝離溶液而不能進(jìn)行剝離工藝。另一方面，正如在圖10的(a)和(b)中所觀察到的，就剝離后的實(shí)施例9的情況而言，光致抗蝕劑被徹底清除而沒(méi)有遺留任何保留在玻璃板金屬圖案上的殘余物且剝離溶液中的固化光致抗蝕劑表面的殼不會(huì)溶解和保留。使用剝離器在70℃下?lián)饺?0秒的條件下進(jìn)行剝離。
如上所述，由于本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物具有耐高溫性，所以它具有許多作用，諸如通過(guò)使跳過(guò)5步的工藝成為可能而減少工藝的策略(一種方式)、工藝簡(jiǎn)化和節(jié)約費(fèi)用，諸如形成金屬薄膜的Cr金屬沉積和整個(gè)金屬表面的光/蝕刻/PR剝離/蝕刻步驟。此外，當(dāng)在TFT-LCD生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用于N+離子摻入工藝時(shí)，實(shí)際上通過(guò)用本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物取代一般金屬薄膜可以省略硬烘烤工藝。
此外，盡管在金屬干蝕刻工藝中，多金屬層(Mo/Al-Nd或Mo/Al-Nd/Mo)的蝕刻可以進(jìn)行濕蝕刻，但是因光致抗蝕劑特性而可以通過(guò)即刻進(jìn)行干蝕刻獲得減少工藝的策略。在這種情況中，光致抗蝕劑的燃燒現(xiàn)象可以消除，且通過(guò)使用具有耐高溫的PR可以經(jīng)省略硬烘烤工藝獲得工藝簡(jiǎn)化和節(jié)約費(fèi)用。
權(quán)利要求
1.光致抗蝕劑組合物，包括(a)10-50重量％的酚醛清漆樹(shù)脂；(b)1-20重量％的環(huán)氧丙烯酸酯樹(shù)脂；(c)3-15重量％的光活性化合物；和(d)50-80重量％的溶劑。
2.光致抗蝕劑組合物，包括(a)10-50重量％的酚醛清漆樹(shù)脂；(b)0.05-20重量％的對(duì)甲苯磺酸鹽/吡啶；(c)3-15重量％的光活性化合物；和(d)50-80重量％的溶劑。
3.權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述的酚醛清漆樹(shù)脂是具有3,000-15,000的重均分子量的酚醛清漆樹(shù)脂A和具有5,000-15,000的重均分子量的酚醛清漆樹(shù)脂B的混合物，或具有5,000-15,000重均分子量的酚醛清漆樹(shù)脂B。
4.權(quán)利要求3所述的光致抗蝕劑組合物，其中酚醛清漆樹(shù)脂A和酚醛清漆樹(shù)脂B的混合比例為1∶1-9的重量比。
5.權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述的光活性化合物是3或4-重氮基-萘醌(DNQ)與包含苯環(huán)的固定基結(jié)合類型的化合物。
6.權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述的溶劑是通過(guò)按照30-70∶20-60∶1-10的重量比混合丙烯酸3-甲氧基丁基酯、乙酸正丁酯和γ-丁內(nèi)酯制備的溶劑混合物。
7.權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中所述的溶劑是通過(guò)按照30-70∶15-40∶15-50的重量比混合丙烯酸3-甲氧基丁基酯、乙酸正丁酯和乳酸乙酯制備的溶劑混合物。
8.半導(dǎo)體器件，包括權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物作為低溫多晶硅方法中N+離子摻入工藝中的掩模。
9.半導(dǎo)體器件，包括權(quán)利要求1或2所述的光致抗蝕劑組合物作為用于金屬和氮化物干蝕刻的掩模。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有用于LCD生產(chǎn)方法的耐高溫性的光致抗蝕劑組合物，且更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及具有耐高溫性的能夠減少工藝的策略(一種方式)、工藝簡(jiǎn)化和節(jié)約費(fèi)用的光致抗蝕劑組合物。本發(fā)明的組合物通過(guò)使跳過(guò)5步工藝成為可能而有利于這一特性，諸如形成金屬薄膜的Cr金屬沉積和整個(gè)金屬表面的光/蝕刻/PR剝離/蝕刻步驟；通過(guò)用本發(fā)明的組合物取代常用的金屬薄膜，使得TFT－LCD生產(chǎn)過(guò)程中的N
文檔編號(hào)G03F7/027GK1606714SQ02825525
公開(kāi)日2005年4月13日 申請(qǐng)日期2002年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月19日
發(fā)明者李東基, 姜圣哲, 李有京, 周振豪 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社