專利名稱：用于線路的蝕刻液、制造線路的方法和包括此方法的制造薄膜晶體管陣列板的方法
背景技術：
發(fā)明領域本發(fā)明涉及用于信號線路(signal wire)的蝕刻液以及用此蝕刻液制造TFT陣列板(array panel)的方法。
現(xiàn)有技術半導體設備或顯示設備的信號線路通常用作信號傳輸?shù)拿浇?。因此這要求防止信號線路在信號傳輸中出現(xiàn)任何延遲。
為此目的，信號線路可由低電阻導電材料形成，如具有最低電阻的銀(Ag)形成。然而，當使用銀或銀合金時，很難用基于掩膜的光刻法(photolithography)在目標層上形成圖案。
同時，液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示器之一，其有兩個帶電極的板，并且液晶層插入兩個板之間。將電壓施加到電極上以使液晶層中的液晶分子再定向，因此控制光透射。
最普遍的LCD之一是兩個板分別含有電極和用于轉換施加到電極上的電壓的薄膜晶體管(TFT)的LCD。向兩個板中的一個板上提供TFT，即形成“TFT陣列板”。
LCD可分類成透射型和反射型；其中透射型LCD通過例如由基于透明導體材料的象素電極制成的透射層，透射來自例如背后照明的具體光源的光顯示圖像；反射型LCD通過用例如基于反射性導體材料的象素電極的反射層反射例如自然光的環(huán)境的光顯示圖像。
由于反射型LCD并不使用單獨的光源，所以其功耗低，但是圖像質(zhì)量較差，因為其只使用由反射層反射的光來顯示圖像。為提高較差的圖像質(zhì)量，反射層優(yōu)選地由高反射率的材料形成，例如銀、銀合金、鋁和鋁合金。
盡管銀或銀合金比鋁或鋁合金的反射率高約15％，能提高可見度(visibility)，然而，很難通過常用的光刻法在此層上形成圖案。因此，基于銀的層不可以反射層。
發(fā)明概述本發(fā)明的目標是提供一種適合于精細地在信號線路上形成圖案的蝕刻液以及用此蝕刻液形成信號線路的方法。
本發(fā)明的另一目標是提供一種用易于形成圖案的(well-patterned)反射層制造用于反射型LCD的TFT陣列板的方法。
在制造信號線路和含有本發(fā)明信號線路的TFT陣列板的過程中，用含有磷酸、硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀(oxone)的蝕刻液或含有磷酸、硝酸和乙二醇的蝕刻液在銀或銀合金導電層上形成圖案。
蝕刻液優(yōu)選包括40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸和1-5％過氧一硫酸鉀或包括10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸和1-10％乙二醇。銀合金包括作為基本材料的銀和0.01-20％(原子百分比)合金組成(alloycontent)，例如鈀(Pd)，銅(Cu)，鎂(Mg)，鋁(Al)，鋰(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，鈰(Ce)，銪(Eu)，鐠(Pr)，鈣(Ca)，鑭(La)，鈮(Nb)，釹(Nd)和釤(Sm)。銀合金可包括兩種或三種元素，具有一種或兩種合金組成。
此蝕刻液以及用此蝕刻液的制造方法適合于制造TFT陣列板的方法。
在本發(fā)明制造TFT陣列板的方法中，柵線路(gate wire)形成在絕緣基板上。柵線路含有多個柵線(gate line)以及多個與柵線連接的柵電極(gateelectrode)。依次沉積柵絕緣層和半導體層就可以形成數(shù)據(jù)線路(data wire)。數(shù)據(jù)線路含有多個與柵線交叉的數(shù)據(jù)線(data line)，多個與數(shù)據(jù)線連接并靠近柵電極設置的源電極(source electrode)以及多個位于柵電極附近且與源電極正對的漏電極(drain electrode)。沉積并圖案化的保護層形成多個使漏電極暴露的第一接觸孔。將銀或銀合金導電層沉積在保護層上。用含有磷酸、硝酸、醋酸、過氧一硫酸鉀和超純水的蝕刻液或硝酸、醋酸、磷酸、乙二醇或超純水的蝕刻液在保護層上形成圖案以形成反射層。反射層通過第一接觸孔與漏電極相連。
導電層的厚度優(yōu)選為1000-3000之間或300-600之間。保護層優(yōu)選地由有機感光材料(photosensitive organic material)形成。
柵線路還可包括多個用于接受來自外部的掃描信號并傳輸這些掃描信號至柵線的柵墊(gate pad)。數(shù)據(jù)線路還可包括多個用于從外部接收圖像信號并傳輸這些圖像信號至數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)墊(data pad)。保護層可含有多個分別使數(shù)據(jù)墊和柵墊暴露于柵絕緣層的第二和第三接觸孔。還可形成多個由與反射層相同的層制成的輔助柵墊和數(shù)據(jù)墊，輔助柵墊和數(shù)據(jù)墊分別通過第二和第三接觸孔電連接到柵墊和數(shù)據(jù)墊上。


通過下述的詳細描述可以更好地理解本發(fā)明及其附帶優(yōu)點；當結合附圖，對本發(fā)明及其許多附帶優(yōu)點作出全面理解是顯而易見的。附圖中，相似的符號指的是相同的或類似的組成。其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述一種形成信號線路方法的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在形成信號線路的方法中，銀合金信號線路蝕刻率以蝕刻液組成為函數(shù)的表；圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在形成信號線路的方法中，銀合金信號線路錐形角(tape angle)以蝕刻液組分為函數(shù)的表；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在形成信號線路的方法中，銀合金信號線路臨界尺寸以蝕刻液組分為函數(shù)的表；圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在形成信號線路的方法中，銀合金信號線路臨界尺寸均勻性以蝕刻液組分為函數(shù)的表；圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在形成信號線路的方法中，測量銀合金信號線路的臨界尺寸的位置圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施方案在制造TFT陣列板的方法中，用于反射型LCD的TFT陣列板的布局圖；圖8是圖7中沿VIII-VIII′線的TFT陣列板的截面圖；圖9A，10A，11A和12A是根據(jù)本發(fā)明的實施方案在制造TFT陣列板的方法的中間步驟中用于透反射型(transflective)LCD的TFT陣列板的布局圖；圖9B是圖9A中沿IXB-IXB′線的TFT陣列板的截面圖；圖10B是圖10A中沿XB-XB′線的TFT陣列板的截面圖；圖11B是圖11A中沿XIB-XIB′線的TFT陣列板的截面圖；圖12B是圖12A中沿XIIB-XIIB′線的TFT陣列板的截面圖；
圖13和14是根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在制造TFT陣列板的方法中，用于測量臨界尺寸所使用的薄膜的平面圖；圖15是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在制造TFT陣列板的方法中，臨界尺寸的測量結果的表；圖16～18是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在制造TFT陣列板方法中，磷酸、硝酸和醋酸含量的變化以時間為函數(shù)的曲線圖；圖19是闡述銀-釹，銀，銀-銅-金和銀-鈀-銅的反射率(reflectance)以波長為函數(shù)的曲線圖；圖20是闡述電阻率以銀-鈀-銅的濺鍍壓力(sputtering pressure)為函數(shù)的曲線圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案所示的附圖，下文將更充分地描述本發(fā)明。然而本發(fā)明也可以以許多不同的形式實施，而并不限制于本文所闡述的實施方案。
為清楚地顯示，對附圖中層和區(qū)域的厚度進行了放大。全文中，相似的數(shù)字指的是相似的組成。應當理解當一種組成，例如層，區(qū)域或基板被稱為在另一種組成之上，該組成可直接在其它組成上或也可能介入到組成之間。反之，當一個組成被稱為直接在其它組成之上，就不會介入到組成之間。
將依照附圖，對依據(jù)本發(fā)明的實施方案，對制造信號線路和TFT陣列板的方法作詳細描述。
圖1是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案的一種形成信號線路方法的截面圖。
如圖1所示，通過在基板100上沉積含有低電阻導電材料，例如銀和銀合金的薄膜，并且用光致抗蝕劑圖案500為蝕刻掩膜在薄膜上形成圖案，就可形成半導體設備或顯示設備的信號線路800。
以合適的方法優(yōu)選地建立用于形成基于銀或銀合金的信號線路800圖案的條件，使得其蝕刻率為約50/秒或更小，錐形角(tapering angle)為90°或更小，信號線路800和光致抗蝕劑圖案500之間的寬度差異的臨界尺寸2×d為1.0微米或更小，臨界尺寸的均勻性為5％或更小，且沒有殘余物。
為此目的，通過濕蝕刻法，使用包括10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸和1-10％乙二醇和15-75％超純水的蝕刻液或包括40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸和1-5％過氧一硫酸鉀和余量為超純水的蝕刻液在信號線路800上形成圖案。當形成銀合金的信號線路800時，目標中包括作為基本材料的銀和0.01-20％(原子百分比)合金組成(alloy content)，例如鈀(Pd)，銅(Cu)，鎂(Mg)，鋁(Al)，鋰(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，鈰(Ce)，銪(Eu)，鐠(Pr)，鈣(Ca)，鑭(La)，鈮(Nb)，釹(Nd)和釤(Sm)。銀合金可包括兩種或三種元素，具有一種或兩種合金組成。
在一個實驗中，沉積形成厚度為2000純銀薄膜，并用包括約50％磷酸、約5％硝酸、約10％醋酸和約1-3％的過氧一硫酸鉀的蝕刻液將薄膜形成圖案。測得該層的蝕刻率約為40/秒，錐形角θ約為70-80°，臨界尺寸約為1.2-1.4微米，臨界尺寸的均勻性約為3-4％，無殘余物。
另一個實驗中，沉積形成厚度為1500的銀-鈀-銅(Ag-Pd-Cu)的銀合金薄膜，并用包括磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蝕刻液對薄膜形成圖案。測得該層的蝕刻率約為15-20/秒，錐形角θ約為30-80°，臨界尺寸約為0.1-1.0微米，臨界尺寸的均勻性約為1-4％，無殘余物。將依照圖對此作詳細地解釋。
圖2是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在形成信號線路的方法中銀合金信號線路蝕刻率以蝕刻液組分為函數(shù)的表，圖3是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在形成信號線路的方法中銀合金信號線路錐形角以蝕刻液組分為函數(shù)的表，圖4是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在形成信號線路的方法中銀合金信號線路臨界尺寸以蝕刻液組分為函數(shù)的表。圖5是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在形成信號線路的方法中銀合金信號線路臨界尺寸均勻性以蝕刻液組分為函數(shù)的表，圖6是闡述根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在形成信號線路的方法中測量銀合金信號線路的臨界尺寸的位置。
最初，使用包括約10％磷酸、約11％硝酸、約30％醋酸和約3％乙二醇的蝕刻液，測量銀合金的蝕刻率、錐形角和臨界尺寸10次。然后，分別在3-60％范圍內(nèi)改變磷酸的含量、在1-20％范圍內(nèi)改變硝酸的含量、在3-60％范圍內(nèi)改變醋酸的含量、在0.1-20％范圍內(nèi)改變乙二醇的含量進行測量。在圖2-4的表中，X分別表示磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇為變量。
同時，將銀-鈀-銅合金的薄膜沉積在大小約為300mm×400mm的基板上，并使用包含約10％磷酸、約11％硝酸、約30％醋酸和約3％乙二醇的蝕刻液在薄膜上形成圖案，因此形成約2.04″的反射層。在如圖6中所示的9個位置測量目標層的臨界尺寸4次。
如圖2中的粗線所示，當使用包含約10％磷酸，約11％硝酸，約30％醋酸和約3％乙二醇的蝕刻液時，測得蝕刻率在有利的范圍約17.6-18.4/秒之間。而且當在10-30％范圍內(nèi)改變磷酸的含量、在5-15％范圍內(nèi)改變硝酸的含量、在10-30％范圍內(nèi)改變醋酸的含量、在1-10％范圍內(nèi)改變乙二醇的含量時，測得蝕刻率在有利的范圍約14.9-20.3/秒之間。
如圖3中的粗線所示，當使用包含約10％磷酸、約11％硝酸、約30％醋酸和約3％乙二醇的蝕刻液時，測得錐形角在有利的范圍約45-79°之間。而且當在10-30％范圍內(nèi)改變磷酸的含量、在5-15％范圍內(nèi)改變硝酸的含量、在10-30％范圍內(nèi)改變醋酸的含量、在1-10％范圍內(nèi)改變乙二醇的含量時，測得錐形角在有利的范圍約31-63°之間。
如圖4中的粗線所示，當使用包含約10％磷酸、約11％硝酸、約30％醋酸和約3％乙二醇的蝕刻液時，測得臨界尺寸在有利的范圍約0.9-1.0微米之間。而且當在10-30％范圍內(nèi)改變磷酸的含量、在5-15％范圍內(nèi)改變硝酸的含量、在10-30％范圍內(nèi)改變醋酸的含量、在1-10％范圍內(nèi)改變乙二醇的含量時，測得臨界尺寸在有利的范圍約0.3-1.0微米之間。
而且，如圖5和6所示，當在9個位置測量臨界尺寸時，臨界尺寸的均勻性在有利的范圍約1.65-2.15％之間。
同時，當使用只包括磷酸、硝酸和醋酸的鋁蝕刻劑在銀合金薄膜上形成圖案時，測得蝕刻率為500/秒，這一蝕刻率太高而無法控制形成圖案的程度。而且，蝕刻形成了部分不均勻性。因此，使用鋁蝕刻劑不能很好地在銀合金薄膜形成圖案。
上述形成信號線路的方法適合于制造用于LCD的TFT陣列板。
圖7是用于反射型LCD的TFT陣列板的布局圖，圖8是圖7中沿VIII-VIII′線的TFT陣列板的截面圖。
在絕緣基板10上形成含有低電阻材料如銀、銀合金、鋁和鋁合金的柵線路。柵線路可以是單層結構或多層結構。柵線路包括多個水平方向延伸的柵線22，多個與柵線22末端連接以從外部接收柵信號并將這些信號傳輸?shù)綎啪€22的柵墊24，多個與柵線22連接的TFT的柵電極26。柵線路還包括儲存電極(storage electrode)，該電極接受從外部施加到另一板的公共電極(common electrode)的公共電極電壓。儲存電極與以下將描述的反射層82重疊，因此形成用于提高象素電荷儲存容量的儲存電容。
覆蓋柵線路22、24和26的柵絕緣層30形成在基板10上，柵絕緣層30的由氮化硅(SiNx)制成。
由無定形硅優(yōu)選形成的半導體層40形成在與柵電極24正對的柵絕緣層30上。由硅化物或高度摻有n型雜質(zhì)的n+氫化無定形硅優(yōu)選形成的電阻接觸層(ohmic contact layer)55和56形成在半導體層40上。
優(yōu)選由低電阻導電材料如鋁或銀形成的數(shù)據(jù)線路形成在電阻接觸層55和56和柵絕緣層30上。數(shù)據(jù)線路包括多個與柵線22交叉以確定象素區(qū)域的數(shù)據(jù)線62、多個與數(shù)據(jù)線62相連并延伸電阻接觸層一部分55的源電極65、多個與數(shù)據(jù)線62一端相連以從外部接受圖像信號的數(shù)據(jù)墊68、多個與源電極65分開的并位于電阻接觸層的另一部分56的相對于柵電極26與源電極65正對的漏電極66。
由表現(xiàn)出優(yōu)異的平整特征的感光有機材料優(yōu)選形成的保護層70形成在數(shù)據(jù)線路62，65，66和68以及不被數(shù)據(jù)線路覆蓋的半導體層40的一部分上。為最大化將要形成的反射層82的反射效率，保護層70具有不均勻的圖案。保護層70還包括由氮化硅形成的絕緣層。
保護層70含有多個分別使漏電極66和數(shù)據(jù)墊68暴露的接觸孔76和78，多個使柵墊24以及柵絕緣層30暴露的接觸孔74。
多個由銀或銀合金優(yōu)選形成的反射層82形成在保護層70上。各反射層82位于一個象素區(qū)域并通過接觸孔76導電連接到相應的漏電極66。對于銀合金反射層82，包括銀作為基本材料和0.01-20％(原子)或更少的合金組成(alloy content)，例如鈀(Pd)，銅(Cu)，鎂(Mg)，鋁(Al)，鋰(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，鈰(Ce)，銪(Eu)，鐠(Pr)，鈣(Ca)，鑭(La)，鈮(Nb)，釹(Nd)和釤(Sm)。銀合金可包括兩種或三種元素，具有一種或兩種合金組成。多個輔助柵墊84和多個輔助數(shù)據(jù)墊88形成在保護層70上。輔助柵墊84和數(shù)據(jù)墊88通過接觸孔74和78分別連接到柵墊24和數(shù)據(jù)墊68上。引入輔助柵墊84和數(shù)據(jù)墊88以保護柵墊24和數(shù)據(jù)墊68，但可省略。
下文中將依照圖9A～12B以及圖7和8，詳述本發(fā)明的實施方案制造TFT陣列板的方法。
首先，如圖9A和9B所示，將基于低電阻導電材料的層沉積在玻璃基板10上，并用基于掩膜的光刻法在其上形成圖案，因此形成基本上水平延伸的柵線路。柵線路包括多個柵線22、多個柵電極26和多個柵墊24。
然后，如圖10A和10B所示，氮化硅絕緣層30，由無定形硅形成的半導體層40以及摻雜的無定形硅層50依次沉積在基板10上，然后在半導體層40和摻雜的無定形硅層50上形成圖案，因此在正對于柵電極24的柵絕緣層30上形成半導體層40和電阻接觸層50。
如圖11A和11B所示，沉積用于數(shù)據(jù)線路的導電層，并用基于掩膜的光刻法在其上形成圖案，因此形成了數(shù)據(jù)線路。數(shù)據(jù)線路包括多個與柵線22交叉的數(shù)據(jù)線62，多個與數(shù)據(jù)線62相連并遍布柵電極26的源電極65，多個與數(shù)據(jù)線62一端相連的數(shù)據(jù)墊68，多個與源電極65隔開的并相對于柵電極26與源電極65正對的漏電極66。
蝕刻不被數(shù)據(jù)線路62、65、66和67覆蓋的摻雜的無定形硅層50，因此摻雜的無定形硅層50相對于柵電極26劃分成兩個相對的部分55和56，露出位于這兩部分之間的半導體層40下層。為穩(wěn)定該露出的半導體層40，可用氧等離子處理之。
如圖12A和12B所示，在基板10上涂覆表現(xiàn)出優(yōu)異的平整特征的感光有機材料，以形成保護層70。用基于掩膜的光刻法在保護層70和柵絕緣層30上形成圖案以形成多個分別使柵墊24、漏電極66和數(shù)據(jù)墊68暴露的接觸孔74，76和78；同時在保護層70上形成不均勻的圖案。
如圖7和8所示，在基板10上沉積由銀或銀合金形成的，約厚1000-3000，優(yōu)選約1500的層，用基于掩膜的光刻法在其上形成圖案，以形成多個反射層82、多個輔助柵墊86和數(shù)據(jù)墊88。通過接觸孔76，將反射層82連接到漏電極66上。分別通過接觸孔74和78，將輔助柵墊86和數(shù)據(jù)墊88連接到柵墊24和數(shù)據(jù)墊68上。如上所示的形成圖案過程是由通過濕蝕刻法，使用包括約10-30％磷酸、約5-15％硝酸、約10-30％醋酸和約1-10％乙二醇的蝕刻液或包括約40-60％磷酸、約1-10％硝酸、約5-15％醋酸和約1-5％過氧一硫酸鉀和余量為超純水的蝕刻液實現(xiàn)的。
在一個實驗中，沉積形成厚約2000的純銀層，用包括約50％磷酸、約5％硝酸、約10％醋酸和約1-3％的過氧一硫酸鉀的蝕刻液形成圖案。測得目標層的蝕刻率約為40/秒，錐形角θ約為70-80°，臨界尺寸約為1.2-1.4微米，臨界尺寸的均勻性約為3-4％，無殘余物。
在另一個實驗中，沉積形成厚度為1500的銀-鈀-銅(Ag-Pd-Cu)的銀合金層，并通過濕蝕刻法在室溫下用包括磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蝕刻液用30-90秒形成圖案。生成的TFT陣列板用在2.04″或3.5″反射模式的LCD中，基板的大小設定成300mm×400mm。測得蝕刻率約為15-20/秒，錐形角θ約為30-80°，臨界尺寸(d)約為0.1-0.5微米，臨界尺寸的均勻性約為1-4％，無殘余物。
厚約300-600的銀或銀合金的反射層82同時具有反射和透射性能，因此該反射層非常適合于同時以反射模式和透射模式顯示圖像的透反射LCD。
在制造用于LCD的TFT陣列板方法中，棒狀的薄膜或含有十字形區(qū)域(space)的薄膜形成在基板10上，使用包括醋酸、硝酸、磷酸和乙二醇的蝕刻液，測量臨界尺寸。下文中將依照圖對此作詳細描述。
圖13和14是根據(jù)本發(fā)明的實施方案用于測量臨界尺寸所形成的薄膜的平面圖，圖15是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在TFT陣列板中臨界尺寸的測量結果的表。測量是在圖5所示的位置處進行的。
如圖13所示，薄膜800是以棒狀形成的，測量其寬度d1。如圖14所示，形成薄膜800，同時獲得十字形界面。分別測量相鄰的薄膜800在水平方向和垂直方向上的距離d2和d3。
如圖15所示，測得薄膜800的寬度d1在有利的范圍8.5-9.5微米之內(nèi)。測得相鄰的薄膜800在水平方向和垂直方向上的距離d2和d3在有利范圍4.5-5.5微米之內(nèi)。
將在下文中詳細解釋根據(jù)本發(fā)明的實施方案，在制造TFT陣列板的方法中，以時間為函數(shù)的蝕刻液組成的變化。
圖16～18是根據(jù)本發(fā)明的實施方案闡述在制造TFT陣列板方法中，磷酸、硝酸和醋酸含量的變化以時間為函數(shù)的曲線圖。在實驗中，使用厚為1500的銀-鈀-銅層。
如圖16～18所示，磷酸和硝酸含量隨著時間延長而增加，而醋酸含量隨著時間延長而降低。
下文中將依照附圖詳細解釋由銀或銀合金形成的反射層的反射率和電阻率(resistance)。
圖19是闡述銀-釹，銀，銀-銅-金和銀-鈀-銅的反射率與波長的函數(shù)關系圖。圖20是闡述電阻率以銀-鈀-銅的濺鍍壓力為函數(shù)的曲線圖。在圖20中，50℃和150℃是指沉積溫度。
如圖19所示，銀或銀合金反射層的反射率確實要比鋁合金反射層的反射鋁高15％。
如圖20所示，而且測得銀-鈀-銅的電阻率為2.02-3.51μΩcm，50℃的電阻率比150℃的電阻率高。與電阻率為5μΩcm的鋁合金反射層相比，銀合金反射層的平均電阻率為2.5μΩcm，這是鋁合金的50％。
如上所述，用含有磷酸、硝酸、醋酸、過氧一硫酸鉀和超純水的蝕刻液或含有磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蝕刻液在銀或銀合金導電層上形成圖案。因此得到具有優(yōu)越蝕刻率、錐形角和均勻性的薄膜，生成低電阻率和高反射率的反射層。
盡管依照優(yōu)選實施方案詳細描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員應當理解可對本發(fā)明的實施方案作出任何修改和替換，而不會偏離在附加權利要求中所提出的本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.用于信號線路的蝕刻液，該蝕刻液包括選自下列的一種包括硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀的組合物和包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的組合物。
2.根據(jù)權利要求1的蝕刻液，其中包括硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀的組合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％過氧一硫酸鉀以及余量為超純水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的組合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量為超純水。
3.根據(jù)權利要求1的蝕刻液，其中蝕刻液用于蝕刻由銀或銀合金形成的導電層。
4.形成信號線路的方法，該法包括將由銀或銀合金形成的導電層沉積在基板上；和用包括選自包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的組合物和包括磷酸、硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀的組合物中的一種的蝕刻液在導電層上形成圖案。
5.根據(jù)權利要求4的方法，其中包括硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀的組合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％過氧一硫酸鉀以及余量為超純水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的組合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量為超純水。
6.根據(jù)權利要求4的方法，其中銀合金包括作為基本材料的銀和選自Pd、Cu、Mg、Al、Li、Pu、Np、Ce、Eu、Pr、Ca、La、Nb、Nd和Sm中的一種或兩種附加組分，附加組分的含量為0.01-20％(原子)。
7.制造TFT陣列板的方法，該法包括在絕緣基板上形成柵線路，該柵線路包括多個柵線和多個與柵線相連的柵電極；沉積形成柵絕緣層；形成半導體層；形成包括多個與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、多個與數(shù)據(jù)線相連并位于柵電極附近的源電極、多個依照柵電極與源電極正對的漏電極的數(shù)據(jù)線路；沉積形成保護層；在保護層上形成圖案以形成多個使漏電極暴露的第一接觸孔；在保護層上沉積銀或銀合金導電層；用包括選自下列的一種的蝕刻液包括磷酸、硝酸、醋酸、過氧一硫酸鉀和超純水的組合物和包括硝酸、醋酸、磷酸、乙二醇和超純水的組合物，使導電層形成圖案，以形成通過第一接觸孔連接到漏電極的反射層。
8.根據(jù)權利要求7的方法，其中包括硝酸、醋酸和過氧一硫酸鉀的組合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％過氧一硫酸鉀以及余量為超純水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的組合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量為超純水。
9.根據(jù)權利要求7的方法，其中銀合金包括作為基本材料的銀和選自Pd、Cu、Mg、Al、Li、Pu、Np、Ce、Eu、Pr、Ca、La、Nb、Nd和Sm中的一種或兩種附加組分，附加組分的含量為0.01-20％(原子)。
10.根據(jù)權利要求4的方法，其中導電層的厚度在1000～3000之間。
11.根據(jù)權利要求7的方法，其中導電層的厚度在300～600之間。
12.根據(jù)權利要求7的方法，其中保護層是由感光有機材料形成的。
13.根據(jù)權利要求7的方法，其中柵線路還包括多個用于接收來自外部的掃描信號并傳輸該掃描信號至柵線中的柵墊，數(shù)據(jù)線路還包括多個用于接收來自外部的圖像信號并傳輸該圖像信號至數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)墊，保護層含有多個分別使數(shù)據(jù)墊和柵墊連同柵絕緣層暴露的第二和第三接觸孔；該方法還包括形成由與反射層相同的層形成的輔助柵墊和數(shù)據(jù)墊，輔助柵墊和數(shù)據(jù)墊分別通過第二和第三接觸孔與柵墊和數(shù)據(jù)墊電連接。
全文摘要
在制造TFT陣列基板的方法中，在絕緣基板上形成柵線路。柵線路含有柵線、柵電極和與柵線相連的柵墊。依次形成柵絕緣層和半導體層。形成包括多個與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、多個與數(shù)據(jù)線相連并位于柵電極附近的源電極、多個依照柵電極與源電極正對的漏電極以及與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)墊的數(shù)據(jù)線路。沉積形成保護層，在保護層上形成圖案以形成至少使漏電極暴露的接觸孔。在保護層上沉積銀或銀合金導電層。用包括磷酸、硝酸、醋酸、過氧一硫酸鉀和超純水的蝕刻液或包括硝酸、醋酸、乙二醇和超純水的蝕刻液在保護層上形成圖案，因此形成反射層。反射層是通過接觸孔與漏電極連接的。
文檔編號G02F1/1362GK1547680SQ02816648
公開日2004年11月17日 申請日期2002年7月3日 優(yōu)先權日2001年7月6日
發(fā)明者樸弘植, 姜圣哲 申請人:三星電子株式會社