專利名稱：金屬鑲嵌極端遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)用光掩模及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及光掩模。更具體而言，本發(fā)明涉及所形成的用于極遠(yuǎn)紫外線(EUV)光照輻射的金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)化的光掩模。
背景技術(shù)：
光刻是用于集成電路制造的一般步驟，且通常在一個(gè)被稱為“步進(jìn)式光刻機(jī)(stepper)”的工具中進(jìn)行。在光刻過(guò)程中，用一層光刻膠涂覆具有一層待圖案化的膜的硅晶片襯底。接著將此晶片置于步進(jìn)式光刻機(jī)之中的曝光臺(tái)上。將光掩模置于晶片的上方。光掩模(也稱為光罩)包含將要復(fù)制到晶片上的圖案。
在透射式光掩模的情形中，由在掩模上的圖案中排列的吸收部分和透射部分形成掩模圖案。光照輻射的例如248納米(nm)的所選擇波長(zhǎng)照射整個(gè)掩模。對(duì)所選擇波長(zhǎng)透明的掩模的透射部分允許所述的光穿過(guò)掩模。對(duì)所選擇波長(zhǎng)不透明并加以吸收的吸收部分阻止光透射。掩模上的圖案由此被復(fù)制到器件晶片上的光刻膠之上。
在另一類被稱為反射式掩模的光掩模中，光掩模表面包含反射部分和吸收部分。當(dāng)將所選擇波長(zhǎng)的光應(yīng)用于光掩模時(shí)，反射部分將光反射回。來(lái)自掩模的被反射圖像常常進(jìn)一步由反射鏡或透鏡系統(tǒng)反射，然后被照射到晶片上。一旦曝光，通過(guò)在溶液中沖洗晶片上的光刻膠來(lái)顯影晶片上的圖案，以在光刻膠中形成與光掩模的圖案相匹配的圖案，其中所述溶液取決于光刻膠是正性或是負(fù)性來(lái)溶解光刻膠的已曝光部分或未曝光部分。
隨著器件集成度的增加，集成電路器件中的特征尺寸也必須減小。因此，在光刻中使用的光照輻射必須具有越來(lái)越短的波長(zhǎng)，以在日益減小的尺寸中成功地進(jìn)行圖案化。目前正在發(fā)展使用193nm和157nm的波長(zhǎng)進(jìn)行圖案化。這些波長(zhǎng)一般地稱為深紫外(UV)區(qū)(193nm)和真空UV區(qū)(157nm)。但是，EUV輻射通常被諸如石英的凝聚態(tài)物質(zhì)強(qiáng)烈吸收。因此，通常將反射式光掩模用于極端遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)(EUVL)。
通常，反射式掩模包含具有多個(gè)鉬與硅薄膜對(duì)的多層疊層(stack)。此多層疊層將反射EUV輻射。在多層疊層頂部形成的是圖案化的吸收金屬層。從覆層(blanket)金屬層圖案化和刻蝕出圖案化的吸收金屬層，其中所述覆層金屬層被沉積在多層疊層上。這種反射式掩模被稱為減成(subtracitve)金屬反射式掩模。
另一類反射式掩模被稱為金屬鑲嵌反射式掩模。在此類掩模中，在硅基底層中形成溝槽，其中所述硅基底層被沉積到多層疊層的頂部。然后，用吸收金屬層填充所述溝槽。在美國(guó)專利No.5,935,733中詳細(xì)地描述了這樣一種金屬鑲嵌反射式掩模，其中所述美國(guó)專利No.5,935,733被授予給Scott等并被轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人。
具體來(lái)說(shuō)，參見(jiàn)圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)的光掩模101，包括多層疊層103、硅基底層105、金屬吸收層107和硅覆蓋層109。多層疊層103包含數(shù)層鉬(Mo)與硅(Si)的交替薄膜層。一般地，多層疊層103包含40對(duì)Mo/Si薄膜，每一對(duì)薄膜的厚度約7nm。接著，非晶硅基底層105被沉積在多層疊層103上。在硅基底層105之中刻蝕出溝槽，并將吸收金屬107沉積到溝槽之中。最后，沉積硅覆蓋層109以保護(hù)光掩模不受損傷。
在操作中，入射EUV光111被多層疊層103反射。入射到吸收金屬層107上的入射光被吸收。此現(xiàn)有技術(shù)的光掩模具有若干缺點(diǎn)。首先，硅層105往往使被多層疊層103反射的EUV光111的強(qiáng)度衰減。對(duì)于70nm厚的硅，衰減的數(shù)量級(jí)為22％。此衰減將最終降低步進(jìn)式光刻機(jī)的產(chǎn)量。換句話說(shuō)，因?yàn)楣鑼?05中的衰減，通常可能耗時(shí)5秒進(jìn)行曝光的光刻膠層可能需要6至7秒來(lái)進(jìn)行曝光。
第二個(gè)缺點(diǎn)可以在圖1中看出，并被稱為陰影效應(yīng)。因?yàn)樵贓UVL中，由于反射式掩模的特性，以及傾斜照射和非零高度的金屬層的結(jié)合，入射輻射以偏離法線一定角度入射，所以存在陰影效應(yīng)，這要求通過(guò)調(diào)節(jié)光掩模的線寬大小來(lái)進(jìn)行校正。通常，光掩模向更小的尺寸偏移，以補(bǔ)償陰影效應(yīng)。隨著EUVL技術(shù)延伸到更小的設(shè)計(jì)規(guī)則，所述偏移要求可以對(duì)EVUL掩模的制造產(chǎn)生限制。
最后，對(duì)于減成金屬反射式掩模，盡管吸收金屬層是導(dǎo)電層，但是其鈍化(passivating)氧化硅層是非導(dǎo)電的。非導(dǎo)電的光掩模在掩模轉(zhuǎn)移或操作工藝期間由于充電可能產(chǎn)生針孔缺陷。任何在操作和曝光期間累積的電荷可以吸引帶電微粒，這些帶電微粒很難去除。


參照附圖將使本發(fā)明得到最好的理解，其中具有同樣標(biāo)號(hào)的附圖標(biāo)記通常表示相同的、功能相似的和/或結(jié)構(gòu)相似的元件。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的金屬鑲嵌EUVL光掩模。
圖2至圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明的用于形成EUVL光掩模的方法的橫截面視圖。
圖8是制造期間的光掩模的橫截面視圖，示出了外突缺陷和內(nèi)突缺陷。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例所形成的光掩模的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，公開(kāi)了一種用于形成極端遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)(EUVL)用光掩模的方法。在下面對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的描述中提供了很多具體細(xì)節(jié)，以便于充分理解本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)或利用其它方法、部件、材料等也可以實(shí)施本發(fā)明。在另外一些例子中，沒(méi)有詳細(xì)示出或描述公知的結(jié)構(gòu)、材料、操作，以避免喧賓奪主、淡化了本發(fā)明的主要內(nèi)容。
在此整個(gè)的說(shuō)明書中，“一個(gè)實(shí)施例”，“實(shí)施例”或“優(yōu)選實(shí)施例”的意思是所描述的與此實(shí)施例相關(guān)的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書的不同地方出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在實(shí)施例中”或“在優(yōu)選實(shí)施例中”不必全部都指的是同一個(gè)實(shí)施例。此外，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以以任何適當(dāng)?shù)姆绞浇M合所述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。
參見(jiàn)圖2，提供了EUVL掩模空片201。EUVL掩?？掌ǘ鄠€(gè)鉬/硅薄膜對(duì)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，形成EUVL掩?？掌亩鄬盈B層203包含40對(duì)鉬/硅薄膜。但是，可以用其它材料形成薄膜對(duì)，且本發(fā)明不限于鉬/硅薄膜。例如，可以使用鉬/鈹薄膜對(duì)、鈮/鈹薄膜對(duì)、釕/鈹薄膜對(duì)、銠/鈹薄膜對(duì)或硅/釕薄膜對(duì)。此外，所述薄膜對(duì)可以包括第一膜和第二膜之間的中間層，以增加熱穩(wěn)定性并防止相互擴(kuò)散。舉例來(lái)說(shuō)，中間層可以是碳。
通常，每一對(duì)鉬/硅薄膜約為7nm(或70埃)厚。利用公知的物理關(guān)系，已經(jīng)從理論上發(fā)現(xiàn)40對(duì)(或280nm厚)鉬/硅薄膜可以對(duì)EUV波段的波長(zhǎng)(例如，13.4nm)提供幾乎75％的反射率。
接著，參見(jiàn)圖3，根據(jù)本發(fā)明，沉積了額外數(shù)量的鉬/硅薄膜對(duì)。在一個(gè)實(shí)施例中，沉積了10對(duì)薄膜，導(dǎo)致厚度增加70nm。這10對(duì)鉬/硅薄膜在此被稱為附加多層疊層301。但是，應(yīng)該說(shuō)明的是，不管使用什么樣的術(shù)語(yǔ)，本發(fā)明公開(kāi)了對(duì)鉬/硅薄膜的疊層的使用。
然而如上面所說(shuō)明的，其它種類的反射薄膜組合可以被用于附加多層疊層301。實(shí)際上，用于附加多層疊層301的薄膜組合可以不同于用于多層疊層203的薄膜組合。如將在下面所見(jiàn)的，溝槽將被形成在薄膜的疊層中。因此，不同于現(xiàn)有技術(shù)，溝槽被形成在薄膜的疊層中而不是形成在硅基底層之中。
此外，硅覆蓋層303被沉積在附加多層疊層301之上。優(yōu)選地，硅覆蓋層303的厚度為40至120埃的數(shù)量級(jí)。硅覆蓋層303對(duì)于在光掩模的清潔或其它的操作期間保護(hù)附加多層疊層301的表面是有用的。
接著，參見(jiàn)圖4，溝槽401被形成在硅覆蓋層303和附加多層疊層301中。雖然在此實(shí)施例中溝槽401不必延伸至多層疊層203之中，但是溝槽401還是可以具有各種深度。利用傳統(tǒng)的光刻膠圖案化和刻蝕過(guò)程形成溝槽401。雖然不是必需的，但在此實(shí)施例中溝槽401向下延伸至附加多層疊層301之中，而沒(méi)有延伸到多層疊層203之中?？梢岳斫庠趫D4中示出的溝槽401僅僅是示意性的，并且在實(shí)際的實(shí)施中，溝槽401常常是用于定義光掩模的圖案的復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)。因此，以所希望的光掩模圖案在整個(gè)光掩模上形成溝槽401。
接著，參見(jiàn)圖5，通常利用覆層濺射工藝(blanket sputtering process)用金屬層501填充溝槽401?；蛘?，也可以使用物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積。舉例來(lái)說(shuō)，金屬層501可以是鉭、氮化鉭、鎢、銅、鉻、鋁、鍺或鍺化硅。已經(jīng)初步發(fā)現(xiàn)鍺和鋁作為金屬層501提供了更優(yōu)等級(jí)的性能。
實(shí)際上，可以使用能普遍吸收EUVL輻射的任何材料。但是，應(yīng)該注意的是，所使用的材料的吸收性越強(qiáng)，所需的附加多層疊層301的厚度越小。
接著，參見(jiàn)圖6，去除金屬層501的溝槽之外的部分。一般地，這通過(guò)使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，并利用硅覆蓋層303作為拋光終止層實(shí)現(xiàn)。結(jié)果示出在圖6中。
最后，參見(jiàn)圖7，作為一個(gè)可選的步驟，在硅覆蓋層303和溝槽之中的金屬層501上沉積一個(gè)非晶硅薄層701。非晶硅層701的厚度優(yōu)選為幾個(gè)納米，即優(yōu)選4至12nm的范圍。所得到的光掩模示出在圖7中。
可以看出圖7中的光掩模具有若干優(yōu)點(diǎn)。首先，不同于現(xiàn)有技術(shù)，不存在起到輻射衰減器作用的體硅(bulk silicon)層。而代之以，在被附加多層疊層301反射以前，入射EUV輻射至多穿過(guò)非晶硅薄層701或硅覆蓋薄層303。硅覆蓋層303和非晶硅薄層701的厚度為10至15nm的數(shù)量級(jí)，這使得與現(xiàn)有技術(shù)的體硅層相比衰減明顯減小，其中所述現(xiàn)有技術(shù)的體硅層的厚度一般為70至100nm的數(shù)量級(jí)。
第二，因?yàn)槿肷銭UV輻射被附加多層疊層301反射，其中所述附加多層疊層301與金屬層501處在大致相同的平面高度，所以陰影效應(yīng)幾乎不存在。由于硅覆蓋層303非常薄，任何由硅覆蓋層303引起的陰影效應(yīng)是可忽略的。
第三，因?yàn)槎鄬盈B層203和附加多層疊層301是導(dǎo)電的，光掩模的總電導(dǎo)率增加，這有利于防止光掩模受到微粒的污染。
第四，本發(fā)明的光掩模設(shè)計(jì)適于應(yīng)用用于不透明(opaque)刻蝕缺陷的光學(xué)檢測(cè)和聚焦離子束(FIB)修復(fù)技術(shù)。其它用于修復(fù)明顯缺陷(clear defect)的公知技術(shù)也可以使用。例如，在美國(guó)專利No.5,935,737中討論的一種方法，其中所述美國(guó)專利No.5,935,737被授予給Yan并被轉(zhuǎn)讓給與本發(fā)明相同的受讓人。
第五，當(dāng)與用于光掩模制造的傳統(tǒng)減成金屬工藝相比較時(shí)，因?yàn)楣庋谀５谋砻娲笾率瞧教沟?，所以它可以容易地進(jìn)行清潔。此外，因?yàn)楣韪采w層303和可選的非晶硅層701，所以清潔過(guò)程將不會(huì)損傷下面的附加多層疊層301和金屬吸收層501。
可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行輕微修改以有助于在光掩模制造期間對(duì)光掩模的檢測(cè)和修復(fù)。具體地說(shuō)，參見(jiàn)圖8，除了多層疊層203，附加多層疊層301和硅覆蓋層303之外，還沉積反襯層801。反襯層801是這樣的材料，即此材料在使用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)時(shí)可以在已刻蝕和未刻蝕的區(qū)域之間提供良好的襯度。在一個(gè)實(shí)施例中，反襯層801可以由碳形成。氮化鈦、氮化鉭或鉻也可以用作反襯層801。
在光掩模的圖案化和刻蝕之后，可以進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，因?yàn)樵谝芽涛g區(qū)域和由反襯層801所覆蓋的未刻蝕區(qū)域之間可以獲得高光學(xué)襯度。在圖8中，示出了兩種類型的缺陷外突缺陷803和內(nèi)突缺陷805。外突缺陷為光掩模的應(yīng)該被刻蝕而沒(méi)有被刻蝕掉的區(qū)域。內(nèi)突缺陷為光掩模的不應(yīng)該被刻蝕而已被刻蝕掉的區(qū)域。通過(guò)使用傳統(tǒng)的聚焦離子束(FIB)技術(shù)去除外突缺陷803，可以修復(fù)外突缺陷。通過(guò)使用其它公知的技術(shù)，應(yīng)該在圖案化過(guò)程中避免內(nèi)突缺陷805。例如，在美國(guó)專利No.5,935,737中描述的一種方法，其中所述美國(guó)專利No.5,935,737被授予給Yan并被轉(zhuǎn)讓給與本發(fā)明相同的受讓人。但是，反襯層801的使用對(duì)于使用光學(xué)技術(shù)確定缺陷是有用的。
在去除缺陷之后，接著可以進(jìn)行在圖2至圖7中示出的剩余步驟。因此，金屬層501被沉積在光掩模之上，并且進(jìn)行金屬CMP工藝。在一個(gè)以碳作為反襯層801的實(shí)施例中，反襯層801也可以用作CMP終止層。在CMP工藝終止于反襯層801上以后，金屬層501的表面明顯更加平坦。這在接下來(lái)的反襯層801拋光步驟中又確保了增強(qiáng)的均勻性控制，所述反襯層801拋光步驟用于去除反襯層801。在此實(shí)例中，硅覆蓋層303被用作終止層。通過(guò)氧等離子刻蝕可以去除任何的碳?xì)堄唷?br> 或者，可以通過(guò)傳統(tǒng)的剝離(lift-off)工藝去除反襯層801。在此情況下，反襯層的厚度優(yōu)選地小于20納米。雖然此方法獲得的表面不如使用CMP工藝所得到的表面平坦，但此技術(shù)仍然比利用減成金屬技術(shù)所制造的光掩模更平坦。通過(guò)剝離工藝去除反襯層801的優(yōu)點(diǎn)是保持了硅覆蓋層303的良好的膜均勻性。與CMP工藝相比，濕法或干法刻蝕工藝常?？梢詫?shí)現(xiàn)對(duì)于硅覆蓋層的更高選擇性。
或者，在通過(guò)剝離工藝去除反襯層之前，可以進(jìn)行金屬層501的覆層刻蝕，以使金屬層501凹入硅覆蓋層303或附加多層疊層301以下。凹入的深度可以是0至30nm的范圍。然后利用通過(guò)干法或濕法刻蝕的剝離工藝去除反襯層。對(duì)于形成金屬層501的某些金屬，凹入的金屬層具有性能優(yōu)點(diǎn)。
最后，和上面描述的實(shí)施例一樣，作為可選步驟，可以將非晶硅薄層置于光掩模之上。使用反襯層801的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是反襯層801可以被用作“刻蝕測(cè)試層”。因此，將被版印到光掩模之上的刻蝕圖案中的任何誤差可以通過(guò)首先刻蝕反襯層801來(lái)確定。如果找到誤差，則可以修復(fù)反襯層801。然后，可以將反襯層801用作硬掩模以刻蝕下面的附加多層疊層301。
參見(jiàn)圖9，示出了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。在此實(shí)施例中，在附加多層疊層301和多層疊層203之間形成刻蝕終止層901。將此刻蝕終止層901(在此也稱為緩沖層)形成至某個(gè)厚度，此厚度依據(jù)下面的關(guān)系式取決于照射輻射波長(zhǎng)(λ)、刻蝕終止層的折射率的實(shí)部(n)以及照射輻射的入射角度(θ)厚度＝mλ/(2ncosθ)其中m為一個(gè)整數(shù)。
因此，如果入射角度為5°，曝光波長(zhǎng)為134埃，用作緩沖層的氧化物的實(shí)數(shù)折射率為0.9735，則最佳厚度約為7nm。對(duì)于釕刻蝕終止層，最佳厚度仍然約為7nm。刻蝕終止層901可以由氧化物、碳、鉻、釕或其它材料形成。
上面給出的公式對(duì)于具有基本均勻的周期性的多層疊層301和203是有效的。周期性是指對(duì)于鉬/硅薄膜對(duì)具有一致模式的薄膜厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，這導(dǎo)致了多對(duì)2.8nm厚的鉬薄膜和4.2nm厚的硅薄膜。對(duì)于形成薄膜對(duì)的其它種類的材料，使用其它的厚度是可以理解的。在任何時(shí)候，均勻周期性是指整個(gè)多層疊層301和203的薄膜對(duì)中具有一致的厚度。
更一般的考慮，緩沖層的厚度，將在直接鄰接該緩沖層的薄膜層中的相對(duì)于均勻周期性的任何厚度過(guò)剩和不足包括在內(nèi)，應(yīng)該具有為2π的倍數(shù)的光程。因此舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)多層疊層203中最頂端薄膜層的厚度為5.2nm，而不是標(biāo)稱厚度4.2nm。在這種情況下，在計(jì)算其光程中，應(yīng)當(dāng)將此厚度中的1.0nm認(rèn)為是緩沖層的一部分。
刻蝕終止層901具有至少兩個(gè)功能。第一，當(dāng)在附加多層疊層301中形成溝槽401時(shí)，可以均勻地控制溝槽401的精確深度。第二，如果發(fā)現(xiàn)在溝槽401的刻蝕工藝中產(chǎn)生了誤差，則可以將附加多層疊層301剝離掉，并在多層疊層203上形成新的附加多層疊層301。因此，圖案化中的誤差可以被校正而不用損壞昂貴的掩模空片?？梢岳斫?，掩?？掌踔量梢赃M(jìn)行再使用。
雖然為了說(shuō)明的目的，在此描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例和用于本發(fā)明的實(shí)例，但是如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所能理解的，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種等同變換。在詳細(xì)說(shuō)明的啟發(fā)下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行這些變換。在后面的權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)被認(rèn)為是將本發(fā)明限制到在說(shuō)明書和權(quán)利要求中公開(kāi)的具體實(shí)施例中。更恰當(dāng)?shù)兀景l(fā)明的保護(hù)范圍完全由其后的權(quán)利要求確定，這些權(quán)利要求將依據(jù)權(quán)利要求解釋的既定原則進(jìn)行分析。
權(quán)利要求
1.一種用于極端遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)的光刻掩模，包括多層疊層，所述多層疊層能充分反射所述極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射；附加多層疊層，被形成到所述多層疊層的頂部；以及吸收材料，所述吸收材料被形成在所述附加多層疊層內(nèi)的圖案化的溝槽中，所述吸收材料能充分吸收極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模，還包括硅覆蓋層，所述硅覆蓋層形成在所述附加多層疊層之上。
3.如權(quán)利要求2所述的掩模，還包括非晶硅薄層，所述非晶硅薄層形成在所述硅覆蓋層和所述吸收材料之上。
4.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述多層疊層和所述附加多層疊層由包含鉬薄膜和硅薄膜的若干薄膜對(duì)形成。
5.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述吸收層由鉻、鎢、鉭、氮化鉭、鋁、鍺、鍺化硅、或銅形成。
6.如權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述吸收層的頂部與所述附加多層疊層的頂部基本處在同一平面。
7.如權(quán)利要求1所述的掩模，還包括刻蝕終止層，所述刻蝕終止層形成在所述多層疊層和所述附加多層疊層之間。
8.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，所述厚度依據(jù)下面的關(guān)系式取決于極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的波長(zhǎng)(λ)，所述刻蝕終止層的折射率的實(shí)部(n)以及極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的入射角度(θ)厚度＝mλ/(2ncosθ)在此m為一個(gè)整數(shù)。
9.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，該厚度提供的光程是2π的整數(shù)倍。
10.如權(quán)利要求7所述的掩模，其中所述刻蝕終止層由碳、鉻、氧化物或釕形成。
11.一種光刻掩模，包括包含多對(duì)薄膜的多層疊層；以及置于溝槽中的吸收層，所述溝槽形成在所述多層疊層之中。
12.如權(quán)利要求11所述的光刻掩模，其中所述的多對(duì)薄膜包括鉬薄膜和硅薄膜。
13.如權(quán)利要求11所述的光刻掩模，其中所述吸收層由鉻、鉭、氮化鉭、鎢、鋁、鍺、鍺化硅或銅形成。
14.如權(quán)利要求11所述的光刻掩模，還包括硅覆蓋層，所述硅覆蓋層被形成到所述多層疊層的頂部。
15.如權(quán)利要求11所述的光刻掩模，其中所述吸收層的頂部與所述多層疊層的頂部大致處在同一平面。
16.如權(quán)利要求14所述的光刻掩模，其中所述吸收層的頂部與所述硅覆蓋層的頂部大致處在同一平面。
17.如權(quán)利要求11所述的掩模，還包括刻蝕終止層，所述刻蝕終止層被形成在所述多層疊層和所述附加多層疊層之間。
18.如權(quán)利要求17所述的掩模，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，該厚度依據(jù)下面的關(guān)系取決于極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的波長(zhǎng)(λ)，所述刻蝕終止層的折射率的實(shí)部(n)以及極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的入射角度(θ)厚度＝mλ/(2ncosθ)在此m為一個(gè)整數(shù)。
19.如權(quán)利要求17所述的掩模，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，該厚度提供的光程是2π的整數(shù)倍。
20.如權(quán)利要求17所述的掩模，其中所述刻蝕終止層由碳、鉻、氧化物或釕形成。
21.一種形成光刻掩模的方法，包括提供多層疊層，所述多層疊層包含多對(duì)薄膜；在所述多層疊層上形成附加多層疊層；在所述附加多層疊層中圖案化和刻蝕溝槽，所述溝槽形成光刻掩模圖案；以及在所述溝槽之中形成吸收層。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括在形成所述溝槽之前，在所述多層疊層之上形成硅覆蓋層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述硅覆蓋層和所述吸收層之上形成非晶硅薄層。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述吸收層包含鋁、鈦、鎢、鉻、銅、鍺、鍺化硅、鉭或氮化鉭。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述吸收層的形成包括在所述多層疊層之上和所述溝槽之中沉積所述吸收層；以及進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光步驟以去除所述吸收層的所述溝槽之外的部分。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括在形成所述溝槽之前，將反襯層沉積到所述多層疊層的頂部。
27.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括在形成所述溝槽之前，將反襯層沉積到所述硅覆蓋層的頂部。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，還包括在形成所述溝槽之后，修復(fù)所述光刻掩模中的缺陷。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中利用聚焦離子束修復(fù)外突缺陷。
30.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述反襯層通過(guò)剝離技術(shù)去除。
31.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括在所述多層疊層和所述附加多層疊層之間形成刻蝕終止層。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，所述厚度依據(jù)下面的關(guān)系式取決于極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的波長(zhǎng)(λ)，所述刻蝕終止層的折射率的實(shí)部(n)以及極端遠(yuǎn)紫外線光刻輻射的入射角度(θ)厚度＝mλ/(2ncosθ)在此m為一個(gè)整數(shù)。
33.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述刻蝕終止層具有一個(gè)厚度，所述厚度提供的光程是2π的整數(shù)倍。
34.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述刻蝕終止層由碳、鉻、氧化物或釕形成。
35.如權(quán)利要求26所述的方法，還包括刻蝕所述吸收層，使得所述吸收層凹入所述溝槽之中；以及去除所述反襯層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于極端遠(yuǎn)紫外線光刻(EUVL)輻射的光刻掩模。所述掩模包括多層疊層，能充分反射所述EUVL輻射；附加多層疊層，在多層疊層頂部形成；以及吸收材料，在溝槽中形成，其中在所述附加多層疊層之中圖案化所述溝槽。所述吸收材料能充分吸收EUVL輻射。
文檔編號(hào)G03F1/14GK1695093SQ02812046
公開(kāi)日2005年11月9日 申請(qǐng)日期2002年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月31日
發(fā)明者沛陽(yáng)·嚴(yán) 申請(qǐng)人:英特爾公司