負(fù)電源VSS。在作動時,掃描線S中的掃描信號將開啟第二掃描晶體管MS2,而數(shù)據(jù)線D中的數(shù)據(jù)信號將通過第二掃描晶體管MS2而開啟第二驅(qū)動晶體管MD2，使得電流從電源線VDD通過第二驅(qū)動晶體管MD2，而供應(yīng)至第二有機(jī)發(fā)光二極管0LED2，點亮第二有機(jī)發(fā)光二極管0LED2。
[0027]應(yīng)了解到，雖然圖1?圖4將第一像素電路PX1與第二像素電路PX2繪示為2T1C(兩個晶體管一個電容)的基本架構(gòu)，但此并不限制本發(fā)明，實際上本發(fā)明也可以采用其他像素電路架構(gòu)，例如:4T1C(四個晶體管一個電容)、4T2C(四個晶體管兩個電容)、5T1C(五個晶體管一個電容)、6T1C(六個晶體管一個電容)、6T2C(六個晶體管兩個電容)等。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性選擇第一像素電路PX1與第二像素電路PX2的架構(gòu)。
[0028]如圖3所示，上述的第一驅(qū)動晶體管MD1具有第一源極SR1與第一漏極DR1，第一通道區(qū)C1電性連接第一源極SR1與第一漏極DR1，且第一通道方向L1橫跨第一源極SR1與第一漏極DR1。同理，如圖4所示，上述的第二驅(qū)動晶體管MD2具有第二源極SR2與第二漏極DR2，第二通道區(qū)C2電性連接第二源極SR2與第二漏極DR2，且第二通道方向L2橫跨第二源極SR2與第二漏極DR2。
[0029]在本實施方式中，上述的第一通道方向L1可與第一通道區(qū)C1的長度方向相同，而上述的第二通道方向L2可與第二通道區(qū)C2的長度方向相同。但此并不限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性設(shè)計第一通道區(qū)C1與第二通道區(qū)C2。
[0030]應(yīng)了解到，上述的“長度方向” 一詞應(yīng)解釋為:“物體的三維尺寸中，最大者的方向”。以上解釋將在本文及后續(xù)的權(quán)利要求書中沿用，因此不再重復(fù)贅述。
[0031]如圖3?圖4所示，上述的第一通道方向L1可與第二通道方向L2正交或垂直，但此僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性調(diào)整第一通道方向L1與第二通道方向L2之間的關(guān)系。
[0032]更具體地說，本實施方式是使用準(zhǔn)分子激光退火制程來形成低溫多晶硅膜層，作為第一通道區(qū)C1與第二通道區(qū)C2。上述的準(zhǔn)分子激光退火制程具有激光掃描方向ELS。第一通道方向L1與第二通道方向L2至少其中之一與激光掃描方向ELS相交?；蛘哒f，第一通道方向L1與第二通道方向L2至少其中之一與激光掃描方向ELS相異或不平行。
[0033]準(zhǔn)分子激光退火制程所形成的低溫多晶硅膜層可能會有晶格排列不均勻的現(xiàn)象。一般來說，準(zhǔn)分子激光退火制程所形成的低溫多晶硅膜層的晶格會沿激光掃描方向ELS呈不均勻排列。因此，當(dāng)電流沿激光掃描方向ELS通過低溫多晶硅膜層時會產(chǎn)生一種變異，而當(dāng)電流沿不同于激光掃描方向ELS的方向通過低溫多晶硅膜層時會產(chǎn)生另一種變異。在本實施方式中，第一通道方向L1與激光掃描方向ELS相異(或者說，相交或不平行)，第二通道方向L2與激光掃描方向ELS相同(或者說，平行)。因此，當(dāng)電流通過第一通道區(qū)C1與第二通道區(qū)C2時將會產(chǎn)生不同的變異。而由于第一像素電路PX1與第二像素電路PX2 —起排列，因此這兩種不同的變異不會周期或成群出現(xiàn)，波紋缺陷也就不會產(chǎn)生。
[0034]上述的第一通道方向L1與第二通道方向L2至少其中之一可與激光掃描方向ELS正交或垂直。在本實施方式中，上述的第一通道方向L1可與激光掃描方向ELS正交或垂直。應(yīng)了解到，以上所舉的第一通道方向L1、第二通道方向L2與激光掃描方向ELS之間的關(guān)系僅為例示，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性調(diào)整第一通道方向L1、第二通道方向L2與激光掃描方向ELS之間的關(guān)系。
[0035]圖5?圖7繪示依照本發(fā)明多個實施方式的第一像素電路PX1與第二像素電路PX2的排列示意圖。在圖5?圖7中，有加網(wǎng)點的區(qū)域表示第一像素電路PX1的所在區(qū)域，沒加網(wǎng)點的區(qū)域表示第二像素電路PX2的所在區(qū)域。
[0036]如圖5?圖7所示，上述的第一像素電路PX1與第二像素電路PX2可相間排列。應(yīng)了解到，以上所述的“相間排列”應(yīng)解釋為:“相互間雜排列”。舉例來說，如圖5所繪示，第一像素電路PX1與第二像素電路PX2可一個隔著一個相互間雜排列；如圖6所繪示，第一像素電路PX1與第二像素電路PX2可分別以直行兩個為一組，相互間雜排列；如圖7所繪示，第一像素電路PX1與第二像素電路PX2可分別以2X2的矩陣為一組，相互間雜排列。
[0037]應(yīng)了解到，以上圖5?圖7所舉的第一像素電路PX1與第二像素電路PX2的排列方式僅為例示，并非用以限制本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，應(yīng)視實際需要，彈性調(diào)整第一像素電路PX1與第二像素電路PX2的排列方式。
[0038]雖然本發(fā)明已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，包含: 多個掃描線； 多個數(shù)據(jù)線，與所述多個掃描線交錯設(shè)置； 至少一第一像素電路，電性連接所述多個掃描線其中之一與所述多個數(shù)據(jù)線其中之一，所述至少一第一像素電路包含至少一第一有機(jī)發(fā)光二極管與至少一第一驅(qū)動晶體管；其中，所述至少一第一驅(qū)動晶體管用以因應(yīng)所述至少一第一像素電路所電性連接的該掃描線與該數(shù)據(jù)線中的信號，驅(qū)動所述至少一第一有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一第一驅(qū)動晶體管具有一第一通道區(qū)，該第一通道區(qū)具有一第一通道方向；以及 至少一第二像素電路，電性連接所述多個掃描線其中之一與所述多個數(shù)據(jù)線其中之一，所述至少一第二像素電路包含至少一第二有機(jī)發(fā)光二極管與至少一第二驅(qū)動晶體管；其中，所述至少一第二驅(qū)動晶體管用以因應(yīng)所述至少一第二像素電路所電性連接的該掃描線與該數(shù)據(jù)線中的信號，驅(qū)動所述至少一第二有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一第二驅(qū)動晶體管具有一第二通道區(qū)，該第二通道區(qū)具有一第二通道方向，該第一通道方向與該第二通道方向相異。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一通道方向與該第二通道方向正交。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一通道區(qū)與該第二通道區(qū)是使用一準(zhǔn)分子激光退火制程形成，該準(zhǔn)分子激光退火制程具有一激光掃描方向，該第一通道方向與該激光掃描方向相異。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一通道區(qū)與該第二通道區(qū)是使用一準(zhǔn)分子激光退火制程形成，該準(zhǔn)分子激光退火制程具有一激光掃描方向，該第一通道方向與該激光掃描方向正交。5.—種有機(jī)電致發(fā)光顯7K器，其特征在于，包含: 多個掃描線； 多個數(shù)據(jù)線，與所述多個掃描線交錯設(shè)置； 至少一第一像素電路，電性連接所述多個掃描線其中之一與所述多個數(shù)據(jù)線其中之一，所述至少一第一像素電路包含至少一第一有機(jī)發(fā)光二極管與至少一第一驅(qū)動晶體管；其中，所述至少一第一驅(qū)動晶體管用以因應(yīng)所述至少一第一像素電路所電性連接的該掃描線與該數(shù)據(jù)線中的信號，驅(qū)動所述至少一第一有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一第一驅(qū)動晶體管具有一第一通道區(qū)，該第一通道區(qū)具有一第一長度方向； 至少一第二像素電路，電性連接所述多個掃描線其中之一與所述多個數(shù)據(jù)線其中之一，所述至少一第二像素電路包含至少一第二有機(jī)發(fā)光二極管與至少一第二驅(qū)動晶體管；其中，所述至少一第二驅(qū)動晶體管用以因應(yīng)所述至少一第二像素電路所電性連接的該掃描線與該數(shù)據(jù)線中的信號，驅(qū)動所述至少一第二有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一第二驅(qū)動晶體管具有一第二通道區(qū)，該第二通道區(qū)具有一第二長度方向，該第一長度方向與該第二長度方向相交。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述至少一第一驅(qū)動晶體管具有一第一源極與一第一漏極，該第一通道區(qū)電性連接該第一源極與該第一漏極，且該第一長度方向橫跨該第一源極與該第一漏極；以及 其中所述至少一第二驅(qū)動晶體管具有一第二源極與一第二漏極，該第二通道區(qū)電性連接該第二源極與該第二漏極，且該第二長度方向橫跨該第二源極與該第二漏極。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一長度方向與該第二長度方向正交。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一通道區(qū)與該第二通道區(qū)是使用一準(zhǔn)分子激光退火制程形成，該準(zhǔn)分子激光退火制程具有一激光掃描方向，該第一長度方向與該激光掃描方向相交。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，該第一通道區(qū)與該第二通道區(qū)是使用一準(zhǔn)分子激光退火制程形成，該準(zhǔn)分子激光退火制程具有一激光掃描方向，該第一長度方向與該激光掃描方向正交。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述至少一第一像素電路與所述至少一第二像素電路相間排列。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包含多個掃描線、多個數(shù)據(jù)線、至少一電源線、至少一第一像素電路與至少一第二像素電路。掃描線與數(shù)據(jù)線交錯設(shè)置。每一第一像素電路與第二像素電路均電性連接掃描線其中之一與數(shù)據(jù)線其中之一。此外，第一像素電路與第二像素電路均電性連接電源線。第一像素電路具有至少一第一驅(qū)動晶體管，此第一驅(qū)動晶體管具有第一通道區(qū)，此第一通道區(qū)具有第一通道方向。第二像素電路具有至少一第二驅(qū)動晶體管，此第二驅(qū)動晶體管具有第二通道區(qū)，此第二通道區(qū)具有第二通道方向。上述的第一通道方向與第二通道方向相異，借此降低或消弭波紋缺陷的產(chǎn)生。
【IPC分類】G09G3/32
【公開號】CN105336294
【申請?zhí)枴緾N201410394808
【發(fā)明人】邱昌明, 曾迎祥
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2014年8月12日
【公告號】US20160049455