為所述像素電容提供基準(zhǔn)電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述選擇電路包括: 第一晶體管Tl，其柵極連接所述選擇信號(hào)端、源極連接所述高電平信號(hào)端、漏極連接所述充放電電路； 第二晶體管T2，其柵極連接所述選擇信號(hào)端、漏極連接所述低電平信號(hào)端、源極連接所述充放電電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述選擇信號(hào)端包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線與所述第二數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)的電平極性相反，所述第一晶體管Tl的柵極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管T2的柵極連接所述第二數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其特征在于，所述充放電電路包括: 第三晶體管T3，其柵極連接與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端、源極連接所述第一晶體管Tl的漏極和所述第二晶體管T2的源極、漏極連接所述像素電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的像素電路，其特征在于，所述預(yù)充電電路包括: 第四晶體管T4，其柵極連接與所述像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端、源極和漏極均連接所述像素電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的像素電路，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)與所述第二數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)均為占空比可調(diào)的脈沖數(shù)字信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述選擇電路包括: 第一晶體管M1，其柵極連接所述選擇信號(hào)端、源極連接所述像素電容、漏極連接所述充放電電路； 第二晶體管M2，其柵極連接所述選擇信號(hào)端、漏極連接所述低電平信號(hào)端、源極與所述預(yù)充電電路相連； 第五晶體管M5，其柵極連接所述選擇信號(hào)端、源極連接所述高電平信號(hào)端、漏極與所述預(yù)充電電路相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其特征在于，所述選擇信號(hào)端包括數(shù)據(jù)線和選擇信號(hào)線，所述數(shù)據(jù)線連接所述第一晶體管Ml的柵極，所述選擇信號(hào)線連接所述第二晶體管M2的柵極和所述第五晶體管M5的柵極，所述第二晶體管M2和所述第五晶體管M5中的一個(gè)為N型晶體管、另一個(gè)為P型晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素電路，其特征在于，所述充放電電路包括: 第三晶體管M3，其柵極連接與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端、源極連接所述第一晶體管Ml的漏極、漏極連接所述像素電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的像素電路，其特征在于，所述預(yù)充電電路包括: 第四晶體管M4，其柵極連接與所述像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端、源極連接所述像素電容、漏極連接所述第二晶體管M2的源極和所述第五晶體管M5的漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的像素電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為占空比可調(diào)的脈沖數(shù)字信號(hào)。
12.一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 預(yù)充電電路接收與像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容提供基準(zhǔn)電壓； 選擇電路接收選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，并根據(jù)所述選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，確定所述充放電電路充電或放電； 充放電電路接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容進(jìn)行充電或放電。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述預(yù)充電電路接收與像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容提供基準(zhǔn)電壓，包括: 第四晶體管T4的柵極接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)； 當(dāng)所述上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，所述第四晶體管T4的源極、漏極導(dǎo)通，為所述像素電容提供基準(zhǔn)電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述選擇信號(hào)端包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；所述選擇電路接收選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，并根據(jù)所述選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，確定所述充放電電路充電或放電，包括: 當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為高電平信號(hào)，所述第二數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí)，第一晶體管Tl的源極、漏極導(dǎo)通，第二晶體管的源極、漏極截止，確定所述充放電電路充電； 當(dāng)所述第一數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為低電平信號(hào)，所述第二數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，所述第一晶體管Tl的源極、漏極截止，所述第二晶體管的源極、漏極導(dǎo)通，確定所述充放電電路放電。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述充放電電路接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容進(jìn)行充電或放電，包括: 第三晶體管T3的柵極接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)； 當(dāng)所述同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，所述第三晶體管T3的源極、漏極導(dǎo)通，為所述像素電容進(jìn)行充電或放電。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)與所述第二數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)均為占空比可調(diào)的脈沖數(shù)字信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述預(yù)充電電路接收與像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容提供基準(zhǔn)電壓，包括: 第四晶體管M4接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)； 當(dāng)所述上一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)為高電平時(shí)，所述第四晶體管M4的源極、漏極導(dǎo)通。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述選擇信號(hào)端包括數(shù)據(jù)線和選擇信號(hào)線；第二晶體管M2為N型晶體管，第五晶體管M5為P型晶體管；所述選擇電路接收選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，并根據(jù)所述選擇信號(hào)端上的數(shù)字信號(hào)，確定所述充放電電路充電或放電，包括: 當(dāng)所述選擇信號(hào)線上的輸入信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，所述第二晶體管M2的源極、漏極截止，所述第五晶體管M5的源極、漏極導(dǎo)通，確定所述充放電電路充電； 當(dāng)所述選擇信號(hào)線上的輸入信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí)，所述第二晶體管M2的源極、漏極導(dǎo)通，所述第五晶體管M5的源極、漏極截止，確定所述充放電電路放電； 當(dāng)所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，第一晶體管Ml的源極、漏極導(dǎo)通。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，還包括: 當(dāng)所述選擇信號(hào)線上的輸入信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，所述第二晶體管M2的源極、漏極截止，所述第五晶體管M5的源極、漏極導(dǎo)通，為像素電容進(jìn)行預(yù)充電； 當(dāng)所述選擇信號(hào)線上的輸入信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí)，所述第二晶體管M2的源極、漏極導(dǎo)通，所述第五晶體管M5的源極、漏極截止，為所述像素電容進(jìn)行預(yù)放電。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述充放電電路接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，并根據(jù)所述同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)，為所述像素電容進(jìn)行充電或放電，包括: 第三晶體管M3的柵極接收與所述像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)； 當(dāng)所述同一行柵線信號(hào)端上的輸入信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，為所述像素電容進(jìn)行充電或放電。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線上的數(shù)字信號(hào)為占空比可調(diào)的脈沖數(shù)字信號(hào)。
22.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1-11中任意一項(xiàng)所述的像素電路。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了驅(qū)動(dòng)IC的制造成本較高的問題。所述像素電路包括：選擇電路，輸入端連接選擇信號(hào)端、高電平信號(hào)端和低電平信號(hào)端，輸出端連接充放電電路，用于根據(jù)選擇信號(hào)端輸入的數(shù)字信號(hào)控制充放電電路進(jìn)行充電或放電；充放電電路，輸入端連接與像素電容對(duì)應(yīng)的同一行柵線信號(hào)端，輸出端連接像素電容，用于在選擇電路的控制下進(jìn)行充電或放電；預(yù)充電電路，輸入端連接與像素電容對(duì)應(yīng)的上一行柵線信號(hào)端，輸出端連接像素電容，用于提供基準(zhǔn)電壓。本發(fā)明還提供了上述技術(shù)方案中的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，以及包括上述技術(shù)方案中的像素電路的顯示裝置。本發(fā)明提供的技術(shù)方案用于進(jìn)行顯示。
【IPC分類】G09G3-36
【公開號(hào)】CN104537997
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510004106
【發(fā)明人】王延峰, 商廣良, 徐曉玲
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2015年1月4日