本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種背光驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(lcd，liquidcrystaldisplay)具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。由于液晶面板本身不發(fā)光，需要借由背光模組提供的光源來正常顯示影像，因此，背光模組成為液晶顯示裝置的關(guān)鍵組件之一。背光模組依照光源入射位置的不同分成側(cè)入式背光模組與直下式背光模組兩種。直下式背光模組是將發(fā)光光源例如ccfl(coldcathodefluorescentlamp，陰極螢光燈管)或led(lightemittingdiode發(fā)光二極管)設(shè)置在液晶面板后方，直接形成面光源提供給液晶面板。而側(cè)入式背光模組是將背光源led燈條(lightbar)設(shè)于液晶面板側(cè)后方的背板邊緣，led燈條發(fā)出的光線從導(dǎo)光板(lgp，lightguideplate)一側(cè)的入光面進(jìn)入導(dǎo)光板，經(jīng)反射和擴(kuò)散后從導(dǎo)光板出光面射出，在經(jīng)由光學(xué)膜片組，以形成面光源提供給液晶面板。

led具有高亮度，工作電壓低，功耗低等優(yōu)點(diǎn)，所以在液晶顯示裝置上得到了廣泛的應(yīng)用，但同時(shí)發(fā)光二極管還具有發(fā)熱量較大，不易散熱等特點(diǎn)，導(dǎo)致液晶顯示裝置的工作溫度過高。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖2所示，所述背光驅(qū)動(dòng)電路10包括led燈條11以及l(fā)ed驅(qū)動(dòng)芯片12，其中，所述led驅(qū)動(dòng)芯片包括輸入端vin、輸出端vout、反饋端fb，其中，所述輸出端用于向led燈條11提供電壓以驅(qū)動(dòng)led燈條11。led驅(qū)動(dòng)芯片通過接收外部輸入的pwm信號(hào)以調(diào)節(jié)led驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)了led燈條11上的電流實(shí)現(xiàn)背光亮度的調(diào)節(jié)。

如圖2a所示，led燈條11緊貼反射片或?qū)Ч獍宓炔考?0，led燈條11由led驅(qū)動(dòng)芯片12點(diǎn)亮后溫度上升，特別是當(dāng)環(huán)境溫度高的情況下，可能會(huì)超過反射片或?qū)Ч獍宓炔考?0的耐溫值，進(jìn)而發(fā)生變形損壞等問題(如圖2b所示)。

然而，在調(diào)節(jié)背光亮度時(shí)，特別是環(huán)境溫度高的情況下，led燈條11發(fā)熱，使液晶顯示裝置的工作溫度過高，造成反射片或?qū)Ч獍宓劝l(fā)生變形損壞等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種背光驅(qū)動(dòng)電路，可以根據(jù)當(dāng)前溫度調(diào)整led燈條的背光電流，避免led燈條的背光電流過大導(dǎo)致溫度過高，進(jìn)而使與之相鄰的部件變形損壞。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種背光驅(qū)動(dòng)電路，包括：led燈條；led驅(qū)動(dòng)芯片，用于輸出背光電流以驅(qū)動(dòng)所述led燈條；溫度檢測電路，用于檢測所述led燈條的溫度，并輸出一采樣電壓；比較電路，用于根據(jù)所述采樣電壓以及參考電壓生成一控制信號(hào)；基準(zhǔn)電流生成電路，用于根據(jù)所述控制信號(hào)調(diào)整led驅(qū)動(dòng)芯片的基準(zhǔn)電流；其中，led驅(qū)動(dòng)芯片還用于根據(jù)所述基準(zhǔn)電流調(diào)節(jié)led燈條的背光電流。

優(yōu)選地，所述led驅(qū)動(dòng)芯片包括輸入端、輸出端、反饋端以及基準(zhǔn)端；其中，所述led燈條連接在輸出端和反饋端之間；所述基準(zhǔn)端與所述基準(zhǔn)電流生成電路連接。

優(yōu)選地，所述溫度檢測電路包括第一電阻、第二電阻和熱敏電阻；所述第一電阻、熱敏電阻和第二電阻依次串聯(lián)連接在電源電壓和接地端之間；所述熱敏電阻和所述第二電阻之間的節(jié)點(diǎn)輸出采樣電壓；其中，所述熱敏電阻設(shè)置在所述led燈條上。

優(yōu)選地，所述比較電路包括一比較器，所述比較器包括正相輸入端、反相輸入端以及輸出端；其中，所述比較器的正相輸入端與參考電壓連接；所述比較器的反相輸入端與采樣電壓連接；所述比較器的輸出端與所述基準(zhǔn)電流生成電路連接，用于輸出控制信號(hào)。

優(yōu)選地，所述基準(zhǔn)電流生成電路包括第三電阻、第四電阻以及第一晶體管；其中，所述第三電阻連接在所述基準(zhǔn)端與接地端之間；所述第四電阻和所述第一晶體管串聯(lián)連接在所述基準(zhǔn)端與接地端之間。

優(yōu)選地，所述第一晶體管的控制極與所述比較電路的輸出端連接，用于接收控制信號(hào)；所述第一晶體管的第一極與接地端連接，第二極經(jīng)由第四電阻與所述基準(zhǔn)端連接；所述控制信號(hào)控制所述第一晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷。

優(yōu)選地，所述熱敏電阻為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管為npn型三極管或nmos晶體管。

優(yōu)選地，所述熱敏電阻為正溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管為pnp型三極管或pmos晶體管。

優(yōu)選地，所述背光驅(qū)動(dòng)電路還包括：參考電壓產(chǎn)生電路，與所述比較電路連接，用于根據(jù)所述控制信號(hào)提供動(dòng)態(tài)參考電壓。

優(yōu)選地，所述參考電壓產(chǎn)生電路包括：電壓源芯片，包括輸入端、輸出端以及監(jiān)控端，用于產(chǎn)生動(dòng)態(tài)參考電壓；第五電阻和第六電阻串聯(lián)連接在所述電壓源芯片的輸出端和接地端之間；第七電阻和第二晶體管串聯(lián)連接在所述監(jiān)控端和接地端之間；其中，所述第五電阻和第六電阻之間的節(jié)點(diǎn)與所述監(jiān)控端連接。

優(yōu)選地，所述第二晶體管的控制極與所述比較電路的輸出端連接，用于接收控制信號(hào)；所述第二晶體管的第一極與接地端連接，第二極經(jīng)由第七電阻與所述監(jiān)控端連接；所述控制信號(hào)控制所述第二晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷。

本發(fā)明提供的背光驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置溫度檢測電路，包括設(shè)置在led燈條上的熱敏電阻，其中，溫度檢測電路的輸出端輸出采樣電壓，根據(jù)該采樣電壓和參考電壓控制led驅(qū)動(dòng)芯片的基準(zhǔn)電流，進(jìn)而根據(jù)當(dāng)前溫度自適應(yīng)地對(duì)led驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流進(jìn)行調(diào)控，使得led燈條在溫度變化過程中以一個(gè)與當(dāng)前溫度相匹配的背光電流保持工作，避免led燈條的背光電流過大導(dǎo)致溫度過高，進(jìn)而使與之相鄰的部件變形損壞。

附圖說明

通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖2a和圖2b分別示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例提供的背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例提供的背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。在各個(gè)附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個(gè)部分沒有按比例繪制。

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例提供的背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖3所示，所述背光驅(qū)動(dòng)電路10包括led燈條11、led驅(qū)動(dòng)芯片12、溫度檢測電路13、比較電路14和基準(zhǔn)電流生成電路15。

其中，led驅(qū)動(dòng)芯片12用于輸出背光電流以驅(qū)動(dòng)所述led燈條11。

在本實(shí)施例中，所述led驅(qū)動(dòng)芯片12包括輸入端vin、輸出端vout、反饋端fb以及基準(zhǔn)端iset。其中，所述led燈條11連接在輸出端vout和反饋端fb之間；所述基準(zhǔn)端iset與所述基準(zhǔn)電流生成電路15連接。

溫度檢測電路13用于檢測所述led燈條的溫度，并輸出一采樣電壓。

在本實(shí)施例中，所述溫度檢測電路13包括第一電阻r1、第二電阻r2和設(shè)置在led燈條上的熱敏電阻rt。所述第一電阻r1、熱敏電阻rt和第二電阻r2依次串聯(lián)連接在電源電壓vcc和接地端gnd之間。所述熱敏電阻rt和所述第二電阻r2之間的節(jié)點(diǎn)輸出采樣電壓vt。其中，

所述熱敏電阻rt可以為正溫度系數(shù)熱敏電阻或負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。

比較電路14用于根據(jù)所述采樣電壓vt以及參考電壓vref生成一控制信號(hào)sw。

在本實(shí)施例中，所述比較電路14包括一比較器a1，所述比較器a1包括正相輸入端、反相輸入端以及輸出端。其中，所述比較器的正相輸入端與參考電壓vref連接；所述比較器的反相輸入端與采樣電壓vt連接。所述比較器的輸出端與所述基準(zhǔn)電流生成電路15連接，用于輸出控制信號(hào)sw。

基準(zhǔn)電流生成電路15用于根據(jù)所述控制信號(hào)sw調(diào)整led驅(qū)動(dòng)芯片12的基準(zhǔn)電流iset。

在本實(shí)施例中，所述基準(zhǔn)電流生成電路15包括第三電阻r3、第四電阻r4以及第一晶體管q1。其中，所述第三電阻r3連接在所述基準(zhǔn)端iset與接地端gnd之間；所述第四電阻r4和所述第一晶體管q1串聯(lián)連接在所述基準(zhǔn)端iset與接地端gnd之間。

所述第一晶體管q1的控制極與所述比較電路14的輸出端連接，用于接收控制信號(hào)sw；所述第一晶體管q1的第一極與接地端gnd連接，第二極經(jīng)由第四電阻r4與所述基準(zhǔn)端iset連接；所述控制信號(hào)sw控制所述第一晶體管q1導(dǎo)通或關(guān)斷。

所述第一晶體管可以為三極管或場效應(yīng)晶體管，控制極可以為三極管的基極或場效應(yīng)晶體管的柵極；第一極和第二極可以為三極管的發(fā)射極或集電極，也可以為場效應(yīng)晶體管的源極和漏極。

其中，led驅(qū)動(dòng)芯片12還用于根據(jù)所述基準(zhǔn)電流iset調(diào)節(jié)led燈條11的背光電流。

在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，所述熱敏電阻rt可以為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管q1為npn三極管或nmos晶體管。第一晶體管的第一極為npn三極管的發(fā)射極或nmos晶體管的源極。

具體地，初始狀態(tài)下，led燈條11剛上電，led燈條11的溫度較低，熱敏電阻rt的阻值較大，此時(shí)溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt小于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高。

隨著led燈條11的溫度逐漸變大，特別是高溫環(huán)境下，熱敏電阻rt隨著溫度的升高而阻值變小，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt隨之變大，當(dāng)采樣電壓vt大于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第三電阻r3連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變小，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變小，即背光電流變小，產(chǎn)生的熱量較少，溫度降低。

當(dāng)溫度降低至某一溫度值時(shí)，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt小于參考電壓vref，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高。

在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，所述熱敏電阻rt可以為正溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管q1為pnp三極管或pmos晶體管。

具體地，初始狀態(tài)下，led燈條11剛上電，led燈條11的溫度較低，熱敏電阻rt的阻值較小，此時(shí)溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt大于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高。

隨著led燈條11的溫度逐漸變大，特別是高溫環(huán)境下，熱敏電阻rt隨著溫度的升高而阻值變大，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt隨之變小，當(dāng)采樣電壓vt小于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第三電阻r3連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變小，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變小，即背光電流變小，產(chǎn)生的熱量較少，溫度降低。

當(dāng)溫度降低至某一溫度值時(shí)，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt大于參考電壓vref，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高。

本發(fā)明提供的背光驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置溫度檢測電路，包括設(shè)置在led燈條上的熱敏電阻，其中，溫度檢測電路的輸出端輸出采樣電壓，根據(jù)該采樣電壓和參考電壓控制led驅(qū)動(dòng)芯片的基準(zhǔn)電流，進(jìn)而根據(jù)當(dāng)前溫度自適應(yīng)地對(duì)led驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流進(jìn)行調(diào)控，使得led燈條在溫度變化過程中以一個(gè)與當(dāng)前溫度相匹配的背光電流保持工作，避免led燈條的背光電流過大導(dǎo)致溫度過高，進(jìn)而使與之相鄰的部件變形損壞。

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例提供的背光驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。如圖4所示，所述背光驅(qū)動(dòng)電路10包括led燈條11、led驅(qū)動(dòng)芯片12、溫度檢測電路13、比較電路14、基準(zhǔn)電流生成電路15以及參考電壓產(chǎn)生電路16。與上述實(shí)施例相比，本實(shí)施例的背光驅(qū)動(dòng)電路10增加了參考電壓產(chǎn)生電路16，與上述實(shí)施例相同的在此不再贅述。

其中，所述參考電壓產(chǎn)生電路16與比較電路14連接，用于根據(jù)所述控制信號(hào)sw提供動(dòng)態(tài)參考電壓vref。

在本實(shí)施例中，所述參考電壓產(chǎn)生電路16包括電壓源芯片161、第五電阻r5、第六電阻r6以及第七電阻r7和第二晶體管q2。

所述電壓源芯片161包括輸入端vin、輸出端vout以及監(jiān)控端vsense，用于產(chǎn)生動(dòng)態(tài)參考電壓vref。

第五電阻r5和第六電阻r6串聯(lián)連接在所述電壓源芯片161的輸出端vout和接地端gnd之間；第七電阻r7和第二晶體管q2串聯(lián)連接在所述監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間；其中，所述第五電阻r5和第六電阻r6之間的節(jié)點(diǎn)與所述監(jiān)控端vsense連接。

在本實(shí)施例中，所述第二晶體管q2的控制極與所述比較電路15的輸出端連接，用于接收控制信號(hào)sw；所述第二晶體管q2的第一極與接地端連接，第二極經(jīng)由第七電阻r7與所述監(jiān)控端vsense連接；所述控制信號(hào)sw控制所述第二晶體管q2導(dǎo)通或關(guān)斷。

在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，所述熱敏電阻rt可以為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管q1和第二晶體管q2為npn三極管或nmos晶體管。第一晶體管的第一極為npn三極管的發(fā)射極或nmos晶體管的源極。

具體地，初始狀態(tài)下，led燈條11剛上電，led燈條11的溫度較低，熱敏電阻rt的阻值較大，此時(shí)溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt小于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高；同時(shí)，第二晶體管q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第六電阻r6和第七電阻r7并聯(lián)連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變大。

隨著led燈條11的溫度逐漸變大，特別是高溫環(huán)境下，熱敏電阻rt隨著溫度的升高而阻值變小，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt隨之變大，當(dāng)采樣電壓vt大于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第三電阻r3連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變小，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變小，即背光電流變小，產(chǎn)生的熱量較少，溫度降低；同時(shí)，第二晶體管q2處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第六電阻r6連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變小。

當(dāng)溫度降低至某一溫度值時(shí)，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt小于參考電壓vref，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高；同時(shí)，第二晶體管q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第六電阻r6和第七電阻r7并聯(lián)連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變大。

在一個(gè)優(yōu)選地實(shí)施例中，所述熱敏電阻rt可以為正溫度系數(shù)熱敏電阻，所述第一晶體管q1為pnp三極管或pmos晶體管。

具體地，初始狀態(tài)下，led燈條11剛上電，led燈條11的溫度較低，熱敏電阻rt的阻值較小，此時(shí)溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt大于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高；同時(shí)，第二晶體管q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第六電阻r6和第七電阻r7并聯(lián)連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變大。

隨著led燈條11的溫度逐漸變大，特別是高溫環(huán)境下，熱敏電阻rt隨著溫度的升高而阻值變大，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt隨之變小，當(dāng)采樣電壓vt小于參考電壓vref時(shí)，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為高電平，則第一晶體管q1處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第三電阻r3連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變小，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變小，即背光電流變小，產(chǎn)生的熱量較少，溫度降低；同時(shí)，第二晶體管q2處于關(guān)斷狀態(tài)，只有第六電阻r6連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變小。

當(dāng)溫度降低至某一溫度值時(shí)，溫度檢測電路13輸出的采樣電壓vt大于參考電壓vref，比較器a1輸出的控制信號(hào)sw為低電平，則第一晶體管q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，第三電阻r3和第四電阻r4并聯(lián)連接在基準(zhǔn)端iset和接地端gnd之間，基準(zhǔn)端iset的輸入電流變大，使led驅(qū)動(dòng)芯片12的輸出電壓變大，即背光電流變大，產(chǎn)生的熱量較大，溫度升高；同時(shí)，第二晶體管q2處于導(dǎo)通狀態(tài)，第六電阻r6和第七電阻r7并聯(lián)連接在監(jiān)控端vsense和接地端gnd之間，進(jìn)而電壓源芯片161輸出的參考電壓vref變大。

本發(fā)明提供的背光驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置溫度檢測電路，包括設(shè)置在led燈條上的熱敏電阻，其中，溫度檢測電路的輸出端輸出采樣電壓，根據(jù)該采樣電壓和參考電壓控制led驅(qū)動(dòng)芯片的基準(zhǔn)電流，進(jìn)而根據(jù)當(dāng)前溫度自適應(yīng)地對(duì)led驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電流進(jìn)行調(diào)控，使得led燈條在溫度變化過程中以一個(gè)與當(dāng)前溫度相匹配的背光電流保持工作，避免led燈條的背光電流過大導(dǎo)致溫度過高，進(jìn)而使與之相鄰的部件變形損壞。

依照本發(fā)明的實(shí)施例如上文所述，這些實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實(shí)施例。顯然，根據(jù)以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明以及在本發(fā)明基礎(chǔ)上的修改使用。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。