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顯示裝置、像素驅(qū)動(dòng)方法及像素驅(qū)動(dòng)電路與流程

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顯示裝置、像素驅(qū)動(dòng)方法及像素驅(qū)動(dòng)電路與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示裝置、像素驅(qū)動(dòng)方法及像素驅(qū)動(dòng)電路。



背景技術(shù):

目前,amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode)顯示裝置廣泛應(yīng)用于各類產(chǎn)品中,amoled顯示裝置由多行、多列的amoled像素組成。amoled像素通常由薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)構(gòu)建像素驅(qū)動(dòng)電路為oled器件提供相應(yīng)的電流。然而,不同像素驅(qū)動(dòng)電路的tft常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性,閾值電壓和遷移率的非均勻性會(huì)轉(zhuǎn)化為oled顯示器件的電流差異,不同的電流差異引起不同的像素驅(qū)動(dòng)電路的亮度差異,并被人眼所感知,從而降低了顯示裝置的顯示性能。

為解決不同像素驅(qū)動(dòng)電路之間閾值電壓不同引起的顯示區(qū)域亮度不均勻,可以構(gòu)建補(bǔ)償電路,如由7個(gè)tft和1個(gè)存儲(chǔ)電容組成的7t1c結(jié)構(gòu),類似的結(jié)構(gòu)還有6t1c,5t2c等,經(jīng)過(guò)復(fù)位、補(bǔ)償、發(fā)光三個(gè)階段,在補(bǔ)償階段把tft的閾值電壓vth先儲(chǔ)存在柵源電壓vgs內(nèi),在發(fā)光階段,通過(guò)vgs-vth對(duì)vth的影響進(jìn)行抵消,從而提高了像素驅(qū)動(dòng)電路中電流的一致性。

然而,由于oled啟動(dòng)電壓等參數(shù)會(huì)隨時(shí)間變化,進(jìn)行過(guò)閾值電壓補(bǔ)償?shù)腶moled像素之間電流仍然存在差異,以致顯示區(qū)域亮度不均勻,降低了顯示裝置的顯示性能。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

基于此,為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,可以提高顯示裝置的顯示區(qū)域亮度的均勻性。

一種像素驅(qū)動(dòng)電路,所述像素驅(qū)動(dòng)電路包含發(fā)光器件、發(fā)光控制模塊、補(bǔ)償控制模塊和復(fù)位控制模塊,其中,所述發(fā)光器件、所述發(fā)光控制模塊和所述補(bǔ)償控制模塊依次連接,所述復(fù)位控制模塊的輸入端接收復(fù)位信號(hào),所述復(fù)位控制模塊的輸出端與所述發(fā)光控制模塊的輸入端連接,所述發(fā)光控制模塊接收驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端,所述補(bǔ)償控制模塊接收發(fā)光控制信號(hào);

所述補(bǔ)償控制模塊與復(fù)位信號(hào)連接所述發(fā)光控制模塊,用于在所述發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光;

所述補(bǔ)償控制模塊,用于在所述發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),將所述復(fù)位信號(hào)置為高電平;

所述復(fù)位控制模塊,用于在接收到有效的復(fù)位電平時(shí),復(fù)位所述發(fā)光控制模塊。

此外,為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種像素驅(qū)動(dòng)方法,可以提高顯示裝置的顯示區(qū)域亮度的均勻性。

一種像素驅(qū)動(dòng)方法,所述方法包括:

在所述發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),通過(guò)發(fā)光控制模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,通過(guò)補(bǔ)償控制模塊將復(fù)位信號(hào)置為高電平;

所述發(fā)光器件、所述發(fā)光控制模塊和所述補(bǔ)償控制模塊依次連接,所述發(fā)光控制模塊的輸入端與復(fù)位控制模塊的輸出端連接,所述復(fù)位控制模塊的輸入端接收復(fù)位信號(hào),所述發(fā)光控制模塊接收驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端,所述補(bǔ)償控制模塊接收發(fā)光控制信號(hào)。

此外,為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種顯示裝置,所述顯示裝置包含上述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例,將具有如下有益效果:

在發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

其中:

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置中vi和vdd的走線結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖;

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖;

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路補(bǔ)償方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種像素驅(qū)動(dòng)電路,可以提高顯示裝置的顯示區(qū)域亮度的均勻性。

請(qǐng)參閱圖1,圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,該像素驅(qū)動(dòng)電路包括:發(fā)光器件101、發(fā)光控制模塊102、補(bǔ)償控制模塊103和復(fù)位控制模塊104,其中,所述發(fā)光器件101、所述發(fā)光控制模塊102和所述補(bǔ)償控制模塊103依次連接,所述復(fù)位控制模塊104的輸入端接收復(fù)位信號(hào)vi(或者是vreset),所述復(fù)位控制模塊104的輸出端與所述發(fā)光控制模塊102的輸入端連接,所述發(fā)光控制模塊102接收驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端vdd,所述發(fā)光控制模塊102和所述補(bǔ)償控制模塊103接收發(fā)光控制信號(hào)em;

所述補(bǔ)償控制模塊103與復(fù)位信號(hào)vi(vreset)連接,所述發(fā)光控制模塊102,用于在所述發(fā)光器件101進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件101發(fā)光;

所述補(bǔ)償控制模塊103,用于在所述發(fā)光器件101進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),將所述復(fù)位信號(hào)vi(vreset)置為高電平vdd;

所述復(fù)位控制模塊104,用于在接收到有效的復(fù)位電平vin(vreset)時(shí),復(fù)位所述發(fā)光控制模塊102。

本發(fā)明實(shí)施例中,發(fā)光器件101可以是有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,oled),具體地,發(fā)光器件101可以是amoled,也可以是其他類型的發(fā)光器件。發(fā)光控制模塊102可以是在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)時(shí),將驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端vdd與發(fā)光器件101導(dǎo)通,驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件101發(fā)光。補(bǔ)償控制模塊103在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)(將驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件101發(fā)光)時(shí),將vi(vreset)與驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端vdd導(dǎo)通,從而將vi(vreset)置為高電平vdd。復(fù)位控制模塊104用于在發(fā)光器件101進(jìn)入發(fā)光階段前,對(duì)發(fā)光控制模塊進(jìn)行復(fù)位,消除上次發(fā)光過(guò)程的影響,為本次發(fā)光器件101的發(fā)光作準(zhǔn)備。一般地,復(fù)位電平vin(vreset)可以為低電平。

作為一種可能的實(shí)施方式,所述復(fù)位控制模塊104的輸出端還與所述發(fā)光器件101的輸入端連接,用于在接收到所述有效的復(fù)位電平vin(vreset)時(shí),復(fù)位所述發(fā)光器件101,消除上次發(fā)光過(guò)程的影響,為本次發(fā)光器件101的發(fā)光作準(zhǔn)備。

其中,所述發(fā)光控制模塊102和所述復(fù)位控制模塊104,可以是由7個(gè)tft和一個(gè)電容組成的像素補(bǔ)償電路,即7t1c的像素補(bǔ)償電路,或者6個(gè)tft和一個(gè)電容組成的像素補(bǔ)償電路,即6t1c的像素補(bǔ)償電路,或者5個(gè)tft和1個(gè)電容組成的像素補(bǔ)償電路,即5t1c的像素補(bǔ)償電路。

請(qǐng)參閱圖2,圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置中vi和vdd的走線結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示,在圖1所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖中,在發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平vdd,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平vdd,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

需要說(shuō)明的是,vdd和vi的走線方向不限于圖2所示的橫豎向不同的走向,也可以是同一方向的水平走線,或者同一方向的豎直走線,本實(shí)施例不作限定。

請(qǐng)參閱圖3,圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示,發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104為7個(gè)tft和1個(gè)電容組成的7t1c的像素補(bǔ)償電路。其中,7個(gè)tft可以是p型的tft,即在柵源電壓為低電平時(shí),為有效信號(hào),柵極和漏極導(dǎo)通。如圖3所示,發(fā)光控制模塊102包含p型薄膜晶體管t1、t2、t3、t5和t6,連接關(guān)系如圖3所示,用于對(duì)t1的vth進(jìn)行補(bǔ)償,并在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)時(shí),控制所述發(fā)光器件101發(fā)光。這里的em的有效信號(hào)為低電平。補(bǔ)償控制模塊103為p型tft,在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)(低電平)時(shí),將vi置為高電平vdd,使vi與vdd導(dǎo)通。復(fù)位控制模塊104為p型tftt4,用于在scan(n-1)為有效電平(低電平)時(shí)復(fù)位a點(diǎn)電平為vin(低電平)。則薄膜晶體管t1的柵極電平為低電平,這里薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。其中,復(fù)位控制模塊104的輸出端還通過(guò)t7與發(fā)光器件101的輸入端連接,用于在接收到有效的復(fù)位電平時(shí),復(fù)位所述發(fā)光器件。具體地,t7的柵極與scan(n)或者xscan(n)連接,在掃描信號(hào)scan(n)有效時(shí),復(fù)位發(fā)光器件101即oled的陽(yáng)極輸入端。

該像素驅(qū)動(dòng)電路有三個(gè)工作階段:復(fù)位t1、補(bǔ)償t2和發(fā)光t3。復(fù)位階段t1是將發(fā)光器件101的輸入電平置為0,并且復(fù)位發(fā)光控制模塊102,避免上一階段發(fā)光過(guò)程殘余電量影響本次發(fā)光過(guò)程;在補(bǔ)償階段把tft的閾值電壓vth儲(chǔ)存在柵源電壓vgs中;在發(fā)光階段t3,把vgs-vth轉(zhuǎn)換為電流,因?yàn)関gs已包含vth,在轉(zhuǎn)換為電流時(shí)把vth的影響抵消,從而實(shí)現(xiàn)不同的像素之間電流的一致性。但是,現(xiàn)有技術(shù)中,實(shí)際上由于寄生參數(shù)和驅(qū)動(dòng)速度的影響,vth并不能完全抵消,故該電路的補(bǔ)償范圍是有限的。且進(jìn)行過(guò)閾值電壓補(bǔ)償?shù)南袼刂g電流仍然存在差異,以致顯示區(qū)域亮度不均勻,降低了顯示裝置的顯示性能。本發(fā)明實(shí)施例中,在發(fā)光器件101進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件101發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平vdd,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平vdd,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。其中,由于tft均為p型,則有效電平為低電平。

具體的,請(qǐng)參閱圖4,圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。其中,vi(vreset)為復(fù)位信號(hào),scan(n-1)為第n-1個(gè)掃描信號(hào),scan(n)為第n個(gè)掃描信號(hào),xscan(n)為與scan(n)相關(guān)的信號(hào),可以是與scan(n)相同的信號(hào),em為發(fā)光控制信號(hào)。如圖4所示,在t1階段(復(fù)位階段),scan(n-1)為低電平,是有效電平,因此在圖3中,晶體管t4打開(kāi),其余晶體管處于關(guān)閉狀態(tài),將a點(diǎn)的電位置為vin,可以是零電平。該階段為補(bǔ)償階段的準(zhǔn)備階段。在t2階段(補(bǔ)償階段),scan(n-1)為高電平,為無(wú)效電平,scan(n)和xscan(n)為低電平,為有效電平,晶體管t1、t2、t3和t7打開(kāi),對(duì)于晶體管t1來(lái)說(shuō),由于t3導(dǎo)通,t1的柵極和源極導(dǎo)通,此時(shí)t1相當(dāng)于一個(gè)二極管,導(dǎo)通方向?yàn)閺腷點(diǎn)到c點(diǎn),vdata與a點(diǎn)導(dǎo)通,當(dāng)a點(diǎn)電位為vdata-vth時(shí),晶體管t1截止。另外晶體管t7打開(kāi),將發(fā)光器件的輸入電平置為低電平vin。該階段為發(fā)光階段做準(zhǔn)備。在t3階段(發(fā)光階段),scan(n-1)、scan(n)和xscan(n)均為高電平,即無(wú)效電平,將發(fā)光控制信號(hào)置為低電平,即有效電平,則t5和t6導(dǎo)通,且a點(diǎn)電平為vdata-vth,仍然是低電平,可以開(kāi)啟t1,則vdd與發(fā)光器件101連通,發(fā)光器件101可以是oled,則此時(shí)通過(guò)oled的飽和電流為:

ioled=k(vsg-vth)2

其中,k為與t1相關(guān)的參數(shù),vgs為t1的柵源電壓,vth為t1的閾值電壓,vsg=vdd-(vdata-vth),則:

ioled=k(vdd-vdata)2

由上式可以知道,此時(shí)的電流不再受閾值電壓vth的影響,實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的補(bǔ)償,消除vth的影響。

現(xiàn)有技術(shù)中,在發(fā)光階段僅僅單向走線vdd為高電平,電流分布不均勻的現(xiàn)象明顯。在本發(fā)明實(shí)施例中,在發(fā)光階段t3,將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平,則在oled的顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例中,7個(gè)tft管也可以是n型的,則相應(yīng)的高電平為有效電平,即柵源電壓為高電平時(shí)晶體管的源極和漏極導(dǎo)通。相應(yīng)的scan(n-1)、scan(n)和xscan(n)在三個(gè)階段電平反置。vdd、vdata和vi仍然不變。

請(qǐng)參閱圖5,圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示,發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104為6個(gè)tft和1個(gè)電容組成的6t1c的像素補(bǔ)償電路。如圖5所示,發(fā)光控制模塊102包含p型薄膜晶體管t1、t2、t3、t5和t6,連接關(guān)系如圖5所示,用于對(duì)t1的vth進(jìn)行補(bǔ)償,并在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)時(shí),控制所述發(fā)光器件101發(fā)光。這里的em的有效信號(hào)為低電平。補(bǔ)償控制模塊103為p型tft,在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)(低電平)時(shí),將vi置為高電平vdd,使vi與vdd導(dǎo)通。復(fù)位控制模塊104為p型tftt4,用于在scan(n-1)為有效電平(低電平)時(shí)復(fù)位a點(diǎn)電平為vin(低電平),則薄膜晶體管t1的柵極電位為低電平,這里薄膜晶體管t1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。與7t1c類似,6t1c的像素補(bǔ)償電路也包含三個(gè)工作階段:復(fù)位t1、補(bǔ)償t2和發(fā)光t3。且對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖如圖4所示。與7t1c相比,區(qū)別在于在復(fù)位階段,6t1c未對(duì)發(fā)光器件進(jìn)行復(fù)位。6t1c的工作過(guò)程可參考圖3和所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程,這里不再贅述。

在圖5所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖中,在發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平vdd,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平vdd,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

請(qǐng)參閱圖6,圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示,發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104為5個(gè)tft和1個(gè)電容組成的5t1c的像素補(bǔ)償電路。如圖6所示,發(fā)光控制模塊102包含p型薄膜晶體管m1、m2、m3和m5,連接關(guān)系如圖6所示,用于對(duì)m1的vth進(jìn)行補(bǔ)償,并在發(fā)光階段,控制所述發(fā)光器件101發(fā)光。補(bǔ)償控制模塊103為p型tft,在發(fā)光控制信號(hào)em為有效信號(hào)(低電平)時(shí),將vi置為高電平vdd,使vi與vdd導(dǎo)通。復(fù)位控制模塊104為p型tftm4,用于在s1為有效電平(低電平)時(shí)復(fù)位m1的柵極的電平為vin(低電平),這里薄膜晶體管m1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。

5t1c的像素補(bǔ)償電路也包含三個(gè)工作階段:復(fù)位t1、補(bǔ)償t2和發(fā)光t3。請(qǐng)參閱圖7,圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序圖。如圖7所示,復(fù)位過(guò)程t1,即初始化,消除一幀數(shù)據(jù),減少對(duì)下一幀數(shù)據(jù)的影響。在復(fù)位階段,s1為低電平,s2為高電平,tftm1、m4和m5導(dǎo)通,m1的柵極電壓和oled的陽(yáng)極電壓均初始化為vin,一般為低電平。在補(bǔ)償階段t2,s1為高電平,s2為低電平,tftm3導(dǎo)通,從驅(qū)動(dòng)芯片輸出的vdata通過(guò)m3傳輸?shù)絤2的源極,在復(fù)位階段,m1柵極初始化為vin低電平,當(dāng)vdata來(lái)臨時(shí),m1的柵極開(kāi)始充電,當(dāng)m1的柵極的電位為vdata-vth時(shí),停止充電。vth為m1的閾值電壓。在發(fā)光階段t3,s1和s2均為高電平,tftm3、m4和m5均處于截止?fàn)顟B(tài),m1處于打開(kāi)狀態(tài),且由于柵極電壓保持在vdata-vth,流過(guò)oled的電流與m1的閾值電壓vth無(wú)關(guān),起到對(duì)電流的補(bǔ)償作用。在發(fā)光階段t3,em控制的tft,即補(bǔ)償控制模塊103打開(kāi),將vi(vreset)置為高電平vdd。

在發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平vdd,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平vdd,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

需要進(jìn)行說(shuō)明的是,發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104不限于上述的像素補(bǔ)償電路,也可以是其他的結(jié)構(gòu),例如由6個(gè)tft和2個(gè)電容組成的6t2c結(jié)構(gòu)的像素補(bǔ)償電路等。只要是發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104中包含復(fù)位信號(hào)vi(vreset),則可以在發(fā)光階段,將復(fù)位信號(hào)vi(vreset)置為高電平。因此對(duì)于發(fā)光控制模塊102和復(fù)位控制模塊104的結(jié)構(gòu),本實(shí)施例不作限定。

此外,為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種像素驅(qū)動(dòng)方法,可以提高顯示裝置的顯示區(qū)域亮度的均勻性。請(qǐng)參閱圖8,圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路補(bǔ)償方法的流程示意圖。如圖8所示,該像素驅(qū)動(dòng)方法包括:

s101:提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路,該像素驅(qū)動(dòng)電路由發(fā)光器件、發(fā)光控制模塊、補(bǔ)償控制模塊和復(fù)位控制模塊組成。發(fā)光器件、發(fā)光控制模塊和補(bǔ)償控制模塊依次連接,發(fā)光控制模塊的輸入端與復(fù)位控制模塊的輸出端連接,復(fù)位控制模塊的輸入端接收復(fù)位信號(hào),發(fā)光控制模塊接收驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)端,補(bǔ)償控制模塊接收發(fā)光控制信號(hào)。

s102:在所述發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),通過(guò)發(fā)光控制模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,通過(guò)補(bǔ)償控制模塊將復(fù)位信號(hào)置為高電平。

該像素驅(qū)動(dòng)方法的具體過(guò)程可以參看圖1-圖7所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路的具體描述,這里不再贅述。

在圖8所描述的像素電路補(bǔ)償方法中,在發(fā)光器件進(jìn)入發(fā)光階段時(shí),驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,并將復(fù)位信號(hào)vi置為高電平vdd,則在顯示裝置中,可以將橫豎向不同走向的vi和vdd走線都置為高電平vdd,在有效顯示區(qū)域內(nèi)形成網(wǎng)狀的高電平區(qū)域,從而可以改善電流分布不均引起的亮度不均勻的問(wèn)題。

此外,為解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示區(qū)域亮度不均勻,顯示裝置的顯示性能較低的技術(shù)問(wèn)題,特提出了一種顯示裝置,所述顯示裝置包含圖1、圖3、圖5和圖6中任一項(xiàng)所描述的像素驅(qū)動(dòng)電路。

綜上所述,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,但該較佳實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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