本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種oled補(bǔ)償電路及其制作方法、oled補(bǔ)償裝置和顯示裝置。
背景技術(shù)：
：有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(英文active-matrixorganiclightemittingdiode，簡(jiǎn)稱amoled)顯示面板作為一種電流型發(fā)光器件已越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示中。由于它自發(fā)光的特性，與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)相比，amoled具有廣色域、高對(duì)比度、超輕薄等諸多優(yōu)點(diǎn)。amoled中的薄膜晶體管(thinfilmtransistor，tft)在長(zhǎng)時(shí)間的加壓和高溫條件下，其閾值電壓會(huì)出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，寫入的數(shù)據(jù)電壓不同，顯示面板各部分驅(qū)動(dòng)tft的閾值漂移量不同，會(huì)造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關(guān)，因此常呈現(xiàn)為殘影現(xiàn)象，也就是通常所說的殘像。目前，解決殘像問題，除了工藝的改善外，還有一種就是補(bǔ)償技術(shù)?，F(xiàn)有一種通過驅(qū)動(dòng)芯片感知像素的電學(xué)特性然后進(jìn)行補(bǔ)償?shù)姆椒?。在這種補(bǔ)償方法中，驅(qū)動(dòng)芯片的感應(yīng)電路將像素的驅(qū)動(dòng)tft的電學(xué)信號(hào)抽取出來，借助集成電路芯片計(jì)算需要補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電壓值，反饋給驅(qū)動(dòng)芯片從而實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償。為了對(duì)驅(qū)動(dòng)tft的電學(xué)信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，通常在每個(gè)像素內(nèi)設(shè)置一條感測(cè)(sense)線，該感測(cè)線同時(shí)與該像素內(nèi)的所有子像素連接。具體地，每個(gè)子像素都對(duì)應(yīng)設(shè)置有一個(gè)感測(cè)tft，感測(cè)線通過與子像素對(duì)應(yīng)的感測(cè)tft連接到子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft的源極和oled器件之間。感測(cè)線除了可以進(jìn)行電學(xué)信號(hào)抽取外，還可以在數(shù)據(jù)寫入階段為驅(qū)動(dòng)tft的源極提供一參考電壓，從而保證像素內(nèi)各個(gè)驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓一致。具體地，數(shù)據(jù)寫入階段，感測(cè)tft導(dǎo)通，感測(cè)線提供一參考電壓。在oled顯示面板中，不同顏色的子像素可能需要采用不同大小的發(fā)光電流，以保證不同顏色的子像素能夠在相同的數(shù)據(jù)電壓下得到相同的亮度。為了保證不同顏色的子像素能夠得到不同大小的發(fā)光電流，在進(jìn)行像素設(shè)計(jì)時(shí)，不同顏色的子像素會(huì)采用不同的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比設(shè)計(jì)。由于每個(gè)像素內(nèi)的所有感測(cè)tft完全相同，所以在一個(gè)像素內(nèi)，感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比相同，感測(cè)tft的電阻相同，而驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比設(shè)計(jì)不同，驅(qū)動(dòng)tft的電阻不同。在數(shù)據(jù)寫入階段，驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft的等效電阻處于串連狀態(tài)，接在串連的兩個(gè)電阻的兩端的電壓分別為電源電壓和參考電壓，對(duì)于不同的子像素，電源電壓和參考電壓是固定的，在驅(qū)動(dòng)tft電阻不同而感測(cè)tft電阻相同的情況下，不同電阻的驅(qū)動(dòng)tft分得的電壓差異較大，也就是說不同溝道寬長(zhǎng)比的驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓差異較大，造成采用相同數(shù)據(jù)電壓時(shí)不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大，進(jìn)而造成實(shí)際發(fā)光電流不符合設(shè)計(jì)需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決采用相同數(shù)據(jù)電壓時(shí)不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓差異較大，進(jìn)而造成實(shí)際發(fā)光電流不符合設(shè)計(jì)需求的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled補(bǔ)償電路及其制作方法、oled補(bǔ)償裝置和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路包括：感測(cè)線和至少兩個(gè)感測(cè)tft，所述至少兩個(gè)感測(cè)tft與所述感測(cè)線所在像素內(nèi)的至少兩個(gè)子像素一一對(duì)應(yīng)，所述感測(cè)線用于同時(shí)與所述至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft連接，且每個(gè)所述感測(cè)tft連接在對(duì)應(yīng)的子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)線之間；所述至少兩個(gè)子像素中任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系，與所述兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同。在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a，則所述兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值在[a-a，a+a]范圍內(nèi)，a為正數(shù)，|a-1|＞a＞0。第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled補(bǔ)償電路制作方法，所述方法包括：確定每個(gè)像素中的至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比；根據(jù)所述至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比確定至少兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比，所述至少兩個(gè)感測(cè)tft與所述至少兩個(gè)子像素一一對(duì)應(yīng)，所述至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft用于與感測(cè)線同時(shí)連接，且每個(gè)所述感測(cè)tft連接在對(duì)應(yīng)的子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)線之間；所述至少兩個(gè)子像素中任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系，與所述兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同；根據(jù)確定出的至少兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比，制作oled補(bǔ)償電路中的感測(cè)tft。在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a，則所述兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值在[a-a，a+a]范圍內(nèi)，a為正數(shù)，|a-1|＞a＞0。在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括：以設(shè)定步長(zhǎng)，在[a-a，a+a]內(nèi)依次取值；采用取得的值依次作為第一感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比和第二感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值，設(shè)計(jì)模擬電路，所述第一感測(cè)tft對(duì)應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比與所述第二感測(cè)tft對(duì)應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a；采用模擬電路確定取得的值中最優(yōu)的值。在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述采用模擬電路確定取得的值中最優(yōu)的值，包括：對(duì)于每個(gè)值，分別向第一驅(qū)動(dòng)tft和第二驅(qū)動(dòng)tft寫入一組數(shù)據(jù)電壓，所述一組數(shù)據(jù)電壓包括多個(gè)不同的數(shù)據(jù)電壓；確定所述一組數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓和第二驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓；分別生成第一驅(qū)動(dòng)tft的數(shù)據(jù)電壓與源極電壓的關(guān)系曲線和第二驅(qū)動(dòng)tft的數(shù)據(jù)電壓與源極電壓的關(guān)系曲線；選取兩個(gè)曲線重合度最高的值作為取得的值中最優(yōu)的值。在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述對(duì)于每個(gè)值，分別向第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管寫入一組數(shù)據(jù)電壓，包括：根據(jù)數(shù)據(jù)電壓和參考電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與所述一組數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的一組參考電壓；在分別向第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管寫入所述一組數(shù)據(jù)電壓中的任一數(shù)據(jù)電壓時(shí)，向所述感測(cè)線寫入與所述任一數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電壓。第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled補(bǔ)償裝置，所述補(bǔ)償裝置包括控制模塊和如第一方面任一項(xiàng)所述的oled補(bǔ)償電路，所述控制模塊和所述oled補(bǔ)償電路電連接。在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述控制模塊為集成電路ic芯片。第四方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如第三方面任一項(xiàng)所述的oled補(bǔ)償裝置。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過將感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系設(shè)計(jì)成與驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同，以解決柵源電壓差異大的問題；具體地，驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft串聯(lián)設(shè)置，兩個(gè)tft(驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft)分得的電壓與兩個(gè)tft的電阻比例對(duì)應(yīng)，而tft的電阻與溝道寬長(zhǎng)比對(duì)應(yīng)，所以為溝道寬長(zhǎng)比較大的驅(qū)動(dòng)tft設(shè)計(jì)溝道寬長(zhǎng)比較大的感測(cè)tft，能夠使得驅(qū)動(dòng)tft不會(huì)因?yàn)闇系缹掗L(zhǎng)比差異使得源極電壓差異較大，解決了各個(gè)子像素采用相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，造成不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大的問題。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是一種oled補(bǔ)償電路的電路圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種時(shí)序圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種數(shù)據(jù)電壓和s點(diǎn)電壓的關(guān)系圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種數(shù)據(jù)電壓和s點(diǎn)電壓的關(guān)系圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled補(bǔ)償電路制作方法的流程圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于oled補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。圖1是一種oled補(bǔ)償電路的電路圖，參見圖1，該補(bǔ)償電路同時(shí)與一個(gè)像素內(nèi)的所有子像素電連接，圖1以該補(bǔ)償電路與1個(gè)子像素的連接為例，參見圖1，子像素內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)tftt1、控制tftt2、電容c和oled，t2的柵極連接?xùn)啪€g1，t2的源極與數(shù)據(jù)線d電連接，t2的漏極連接t1的柵極(圖1中g(shù)點(diǎn))，t1的漏極(圖1中d點(diǎn))接電源vdd，t1的源極(圖1中s點(diǎn))連接oled的陽(yáng)極，oled的陰極接電源vss，電容c的兩端分別連接g點(diǎn)和s點(diǎn)。該補(bǔ)償電路包括：感測(cè)線100和至少兩個(gè)感測(cè)tftt0(圖1中只示出了一個(gè))，至少兩個(gè)感測(cè)tft與感測(cè)線100所在像素內(nèi)的至少兩個(gè)子像素一一對(duì)應(yīng)，感測(cè)線100用于同時(shí)與至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft連接，且每個(gè)感測(cè)tft連接在對(duì)應(yīng)的子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)線100之間。圖2是針對(duì)圖1的電路提供的一種驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)序圖，參見圖2，在數(shù)據(jù)寫入階段t1，t2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)g1和t0的驅(qū)動(dòng)信號(hào)g0均為高電平，此時(shí)t2和t0均處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)數(shù)據(jù)線d向t1的柵極寫入數(shù)據(jù)電壓data，感測(cè)線100向t1的源極寫入?yún)⒖茧妷簐ref，隨著g點(diǎn)電壓的升高，t1有電流流過，導(dǎo)致s點(diǎn)電壓也隨之升高。在發(fā)光階段開始的一段時(shí)間t2，t2和t0在驅(qū)動(dòng)信號(hào)下降到低電平后逐漸關(guān)斷，t1有電流流過，導(dǎo)致s點(diǎn)電壓升高，由于s點(diǎn)電壓升高，而在此時(shí)間內(nèi)，t2還未立即關(guān)斷，因而g點(diǎn)電壓也隨之抬升。在本發(fā)明中，至少兩個(gè)子像素中任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系，與兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同。也就是說，在一個(gè)像素中，溝道寬長(zhǎng)比大的驅(qū)動(dòng)tft對(duì)應(yīng)的感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比也較大，溝道寬長(zhǎng)比小的驅(qū)動(dòng)tft對(duì)應(yīng)的感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比也較小。采用這種設(shè)計(jì)，能夠使得上述t1和t2時(shí)間內(nèi)，像素內(nèi)的各個(gè)子像素的s點(diǎn)的電壓抬升的幅度相當(dāng)，也即最終像素內(nèi)的各個(gè)子像素的vgs相當(dāng)。vgs相當(dāng)也就使得各個(gè)子像素的發(fā)光電流不會(huì)受s點(diǎn)電壓抬升差異造成的影響，而只與各個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比相關(guān)，符合設(shè)計(jì)需求。具體地，由于數(shù)據(jù)寫入階段t1和t0串聯(lián)，所以it1＝it0，數(shù)據(jù)寫入階段t1工作在飽和區(qū)，it1＝μcoxw1/(2l1)(vgs1-vth1)2，其中vgs1為t1的柵源電壓，vth1為t1的閾值電壓，μ為載流子遷移率，cox為柵電位面積電容，w1、l1分別為t1的溝道寬度和長(zhǎng)度；數(shù)據(jù)寫入階段t0工作在線性區(qū)，it0＝μcoxw1/(2l1)(2(vgs0-vth0)vds0-vds02)，其中vgs0為t0的柵源電壓，vds0為t0的源漏電壓，vth0為t0的閾值電壓，w0、l0分別為t0的溝道寬度和長(zhǎng)度。對(duì)于不同的子像素而言，由于vgs1、vgs0、vds0都是相同的，因此只有w0/l0正比于w1/l1，才可以保證t1的源極s點(diǎn)的抬升幅度相當(dāng)。該補(bǔ)償電路通過將感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系設(shè)計(jì)成與驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同，以解決柵源電壓差異大的問題；具體地，驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft串聯(lián)設(shè)置，兩個(gè)tft(驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft)分得的電壓與兩個(gè)tft的電阻比例對(duì)應(yīng)，而tft的電阻與溝道寬長(zhǎng)比對(duì)應(yīng)，所以為溝道寬長(zhǎng)比較大的驅(qū)動(dòng)tft設(shè)計(jì)溝道寬長(zhǎng)比較大的感測(cè)tft，能夠使得驅(qū)動(dòng)tft不會(huì)因?yàn)闇系缹掗L(zhǎng)比差異使得源極電壓差異較大，解決了各個(gè)子像素采用相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，造成不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大的問題。下面以四子像素的像素結(jié)構(gòu)為例，對(duì)采用上述設(shè)計(jì)的效果進(jìn)行說明，像素包括r(紅)g(綠)b(藍(lán))w(白)四色子像素，采用相同的感測(cè)tft設(shè)計(jì)時(shí)，數(shù)據(jù)電壓和s點(diǎn)電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖3所示，采用本發(fā)明提供的感測(cè)tft設(shè)計(jì)時(shí)，數(shù)據(jù)電壓和s點(diǎn)電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖4所示，可見采用本發(fā)明提供的感測(cè)tft設(shè)計(jì)時(shí)，能夠在采用相同數(shù)據(jù)電壓時(shí)，各個(gè)子像素內(nèi)s點(diǎn)的電壓相當(dāng)，從而保證各個(gè)子像素的vgs相當(dāng)。在實(shí)際設(shè)計(jì)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比時(shí)，除了要考慮各個(gè)子像素中驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比a，還要考慮到前述飽和區(qū)電流公式和線性區(qū)電流公式都是理想的，因此實(shí)際操作過程中，還需要加入一項(xiàng)二次效應(yīng)調(diào)節(jié)因子b。也就是說，實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比例k與其對(duì)應(yīng)的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比例a之間的關(guān)系為，k＝a+b。但是，由于這里的b對(duì)于不同的感測(cè)tft并不一定相同，所以這里的k是在一個(gè)范圍內(nèi)變的，具體可以表述如下：任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a，則兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值在[a-a，a+a]范圍內(nèi)，a為正數(shù)，|a-1|＞a＞0。感測(cè)tft溝道寬長(zhǎng)比設(shè)計(jì)范圍，在此范圍內(nèi)能夠減小不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓差異。其中，兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值的最優(yōu)值與器件本身設(shè)計(jì)以及制作工藝相關(guān)，可以通過模擬的方式在[a-a，a+a]范圍內(nèi)取得，具體參見方法實(shí)施例。為了保證可以取得最優(yōu)值，a可以取一個(gè)較大值，從而保證上述取值范圍最夠大，如|a-1|/2，或者3|a-1|/4。如下表格是將一個(gè)像素里的各個(gè)子像素內(nèi)的感測(cè)tft的比例調(diào)整到各個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft在寫入相同的數(shù)據(jù)電壓時(shí)，驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓抬升沒有明顯變化的情況下的溝道寬長(zhǎng)比。w1/l1w1/l1’w0/l0w0/l0’r17.52.5162.67g11.51.6410.251.71b12.51.7911.251.88w71.0061.00參見該表格，w1/l1為不同子像素內(nèi)驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比，w1/l1’為各個(gè)子像素內(nèi)驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比與白色子像素內(nèi)驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值，w0/l0為不同子像素內(nèi)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比，w0/l0’為各個(gè)子像素內(nèi)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比與白色子像素內(nèi)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值?？梢钥闯觯琸與a的值相當(dāng)，但又存在一定差別。在確定出像素內(nèi)的各個(gè)子像素的感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比之后，可以按照該比值確定出各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比。各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比在確定時(shí)，需要使各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比都處于設(shè)計(jì)范圍內(nèi)，該設(shè)計(jì)范圍既能夠使得各個(gè)感測(cè)tft能夠通過制作工藝制作，又能夠避免制作出的感測(cè)tft過大，無法在像素區(qū)域內(nèi)制作。圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled補(bǔ)償電路制作方法的流程圖，參見圖5，該方法還包括：步驟s11、確定每個(gè)像素中的至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比。這里的各個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比可以采用如下方式確定：確定同一像素內(nèi)各個(gè)子像素的發(fā)光效率；根據(jù)各個(gè)子像素的發(fā)光效率的比確定各個(gè)子像素的發(fā)光電流的比值；根據(jù)各個(gè)子像素的發(fā)光電流的比值確定各個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比的比值。根據(jù)該比值、每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域的面積確定各個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比。其中，子像素的發(fā)光效率也可以是該子像素的彩膜的吸光率，例如紅綠藍(lán)三種子像素，其彩膜吸光率不同，因而為了彌補(bǔ)吸光率的差別，需要讓吸光率大的子像素實(shí)際放出的光更多，發(fā)光電流更大，吸光率小的子像素實(shí)際放出的光少，發(fā)光電流小。步驟s12、根據(jù)至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft溝道寬長(zhǎng)比確定至少兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比，至少兩個(gè)感測(cè)tft與至少兩個(gè)子像素一一對(duì)應(yīng)，至少兩個(gè)子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft用于與感測(cè)線同時(shí)連接，且每個(gè)感測(cè)tft連接在對(duì)應(yīng)的子像素內(nèi)的驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)線之間；至少兩個(gè)子像素中任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系，與兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同。在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，任意兩個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a，則兩個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值在[a-a，a+a]范圍內(nèi)，a為正數(shù)，|a-1|＞a＞0。感測(cè)tft溝道寬長(zhǎng)比設(shè)計(jì)范圍，在此范圍內(nèi)能夠減小不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓差異。在確定出像素內(nèi)的各個(gè)子像素的感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比之后，可以按照該比值確定出各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比。各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比在確定時(shí)，需要使各個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比都處于設(shè)計(jì)范圍內(nèi)，該設(shè)計(jì)范圍既能夠使得各個(gè)感測(cè)tft能夠通過制作工藝制作，又能夠避免制作出的感測(cè)tft過大，無法在像素區(qū)域內(nèi)制作?？蛇x地，該方法可以包括：通過模擬實(shí)驗(yàn)選取最優(yōu)取值。具體地，以設(shè)定步長(zhǎng)，在[a-a，a+a]內(nèi)依次取值；采用取得的值依次作為第一感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比和第二感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值，設(shè)計(jì)模擬電路，第一感測(cè)tft對(duì)應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比與第二感測(cè)tft對(duì)應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的比值為a；采用模擬電路確定取得的值中最優(yōu)的值。其中，以設(shè)定步長(zhǎng)在[a-a，a+a]內(nèi)依次取值是指，按照從大到小或者從小到達(dá)的順序，依次在[a-a，a+a]內(nèi)取值，相鄰兩個(gè)取值的差值為設(shè)定步長(zhǎng)，第一個(gè)取值可以為a-a或a+a。該設(shè)定步長(zhǎng)可以為a/100～a/50，一方面既保證取值可以足夠多，從而能夠獲得最優(yōu)值，又避免了取值過多造成模擬測(cè)試過于復(fù)雜。具體地，采用模擬電路確定取得的值中最優(yōu)的值，可以包括：對(duì)于每個(gè)值，分別向第一驅(qū)動(dòng)tft和第二驅(qū)動(dòng)tft寫入一組數(shù)據(jù)電壓，一組數(shù)據(jù)電壓包括多個(gè)不同的數(shù)據(jù)電壓；確定一組數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓和第二驅(qū)動(dòng)tft的源極電壓；分別生成第一驅(qū)動(dòng)tft的數(shù)據(jù)電壓與源極電壓的關(guān)系曲線和第二驅(qū)動(dòng)tft的數(shù)據(jù)電壓與源極電壓的關(guān)系曲線；選取兩個(gè)曲線重合度最高的值作為取得的值中最優(yōu)的值。曲線重合度高，說明不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓差異最小，選用對(duì)應(yīng)的取值能夠使得實(shí)際發(fā)光電流符合設(shè)計(jì)需求。進(jìn)一步地，每個(gè)數(shù)據(jù)電壓都有一個(gè)與之對(duì)應(yīng)的參考電壓，因此在上述模擬過程中，每寫入一個(gè)數(shù)據(jù)電壓，都在感測(cè)線上寫入對(duì)應(yīng)的參考電壓。該參考電壓和對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以事先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。即對(duì)于每個(gè)值，分別向第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管寫入一組數(shù)據(jù)電壓，可以包括：根據(jù)數(shù)據(jù)電壓和參考電壓的對(duì)應(yīng)關(guān)系，確定與一組數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的一組參考電壓；在分別向第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管寫入一組數(shù)據(jù)電壓中的任一數(shù)據(jù)電壓時(shí)，向感測(cè)線寫入與任一數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)的參考電壓。步驟s13、根據(jù)確定出的至少兩個(gè)感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比，制作oled補(bǔ)償電路中的感測(cè)tft。該方法制作的補(bǔ)償電路通過將感測(cè)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系設(shè)計(jì)成與驅(qū)動(dòng)tft的溝道寬長(zhǎng)比的大小關(guān)系相同，以解決柵源電壓差異大的問題；具體地，驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft串聯(lián)設(shè)置，兩個(gè)tft(驅(qū)動(dòng)tft和感測(cè)tft)分得的電壓與兩個(gè)tft的電阻比例對(duì)應(yīng)，而tft的電阻與溝道寬長(zhǎng)比對(duì)應(yīng)，所以為溝道寬長(zhǎng)比較大的驅(qū)動(dòng)tft設(shè)計(jì)溝道寬長(zhǎng)比較大的感測(cè)tft，能夠使得驅(qū)動(dòng)tft不會(huì)因?yàn)闇系缹掗L(zhǎng)比差異使得源極電壓差異較大，解決了各個(gè)子像素采用相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，造成不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大的問題。圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖6，補(bǔ)償裝置包括控制模塊201和前述oled補(bǔ)償電路202，控制模塊201和oled補(bǔ)償電路202電連接。由于該補(bǔ)償裝置包括前述oled補(bǔ)償電路，因而能夠?qū)崿F(xiàn)該oled補(bǔ)償電路同樣的效果，也即能夠解決各個(gè)子像素采用相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，造成不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大的問題。在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，控制模塊201可以為集成電路(integratedcircuit，ic)芯片。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括前述oled補(bǔ)償裝置。在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置包括前述oled補(bǔ)償裝置，因而能夠?qū)崿F(xiàn)該oled補(bǔ)償裝置同樣的效果，也即能夠解決各個(gè)子像素采用相同的數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，造成不同驅(qū)動(dòng)tft的柵源電壓也差異較大的問題。以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)12