本申請(qǐng)是中國(guó)申請(qǐng)?zhí)枮?01310174225.4的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)(原申請(qǐng)的名稱為“電光裝置以及電子設(shè)備”，原申請(qǐng)的申請(qǐng)日為2013年5月13日)。

本發(fā)明例如涉及能夠降低伴隨數(shù)據(jù)線電位變動(dòng)的畫(huà)質(zhì)惡化的電光裝置以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

近些年，提出各種使用了有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，以下稱“oled”)元件等發(fā)光元件的電光裝置。在該電光裝置中，一般構(gòu)成為與掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉對(duì)應(yīng)地，并且與應(yīng)顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)地設(shè)置包括上述發(fā)光元件、晶體管等的像素電路。使用了oled的像素電路一般具備：寫入晶體管，其決定能否輸入經(jīng)由數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號(hào)；驅(qū)動(dòng)晶體管，其基于數(shù)據(jù)信號(hào)決定向oled供給的電流量；和保持電容，其保持從數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號(hào)。并且，有以高畫(huà)質(zhì)化為目的，而利用了更多元件的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2002-341790號(hào)公報(bào)

然而，若以上述那樣的像素電路的構(gòu)成進(jìn)行實(shí)際驅(qū)動(dòng)，則會(huì)由于數(shù)據(jù)線的電位變動(dòng)而產(chǎn)生噪聲。向oled供給的電流由驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極/源極間的電壓而決定，所以若該噪聲給驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)帶來(lái)影響，則無(wú)法顯示準(zhǔn)確的亮度，從而產(chǎn)生不均等。尤其是在無(wú)法使與柵極節(jié)點(diǎn)連接的保持電容增大的情況下，會(huì)成為嚴(yán)重的問(wèn)題。

在現(xiàn)有的構(gòu)造中，數(shù)據(jù)線的噪聲經(jīng)由寄生電容侵入驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)。由此，積蓄于保持電容的數(shù)據(jù)信號(hào)變化，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管向oled元件供給的電流也同樣變化。該變化量被視覺(jué)識(shí)別為亮度不均，導(dǎo)致顯示品質(zhì)降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，將降低數(shù)據(jù)線的電位變動(dòng)引起的畫(huà)質(zhì)惡化作為解決課題之一。

為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的特征在于，具有：相互交叉的掃描線以及數(shù)據(jù)線；與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置的像素電路；和供給規(guī)定的電位的電源布線，上述像素電路具備發(fā)光元件和對(duì)流過(guò)上述發(fā)光元件的電流進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)晶體管，上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極經(jīng)由第1中繼電極與規(guī)定的節(jié)點(diǎn)電連接，上述第1中繼電極與上述電源布線以及上述數(shù)據(jù)線形成于同一層，并且述第1中繼電極的至少三側(cè)被上述電源布線包圍。

為了解決上述課題，本發(fā)明的電光裝置的特征在于，具有：相互交叉的多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線；多個(gè)像素電路，其被設(shè)置成與上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的交叉對(duì)應(yīng)；和電源布線，其被設(shè)置成與上述多個(gè)像素電路分別對(duì)應(yīng)，并且供給規(guī)定的電位，上述多個(gè)像素電路分別具備發(fā)光元件和對(duì)流過(guò)上述發(fā)光元件的電流進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)晶體管，上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極經(jīng)由第1中繼電極與規(guī)定的節(jié)點(diǎn)電連接，上述第1中繼電極與上述電源線以及上述數(shù)據(jù)線形成于同一層，并且上述第1中繼電極的至少三側(cè)被上述電源布線包圍。

根據(jù)本發(fā)明，使驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與規(guī)定的節(jié)點(diǎn)電連接的多個(gè)中繼電極中與數(shù)據(jù)線形成于同一層的第1中繼電極的至少三側(cè)被電源布線包圍，所以降低噪聲從數(shù)據(jù)線向驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極的連接部的侵入。其結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的電位變動(dòng)被抑制，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)晶體管向發(fā)光元件供給的電流也不產(chǎn)生變化，可進(jìn)行準(zhǔn)確的亮度顯示。

在上述的電光裝置中，上述電源布線可以使用初始化用的電源布線或者電源的低電位側(cè)的電源布線。由于這些電源布線與在掃描線驅(qū)動(dòng)電路或者數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路等中使用的電源布線相比為低阻抗，所以屏蔽效果進(jìn)一步提高。

在上述的電光裝置中，優(yōu)選形成為上述電源布線位于上述第1中繼電極和上述數(shù)據(jù)線之間，通過(guò)該電源布線包圍上述第1中繼電極。由于包圍上述第1中繼電極的上述電源布線位于上述第1中繼電極和上述數(shù)據(jù)線之間，所以從數(shù)據(jù)線輻射出的噪聲被電源布線屏蔽。由此，抑制噪聲從數(shù)據(jù)線向驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極的連接部的侵入，能夠提高顯示品質(zhì)。

在上述的電光裝置中，優(yōu)選上述第1中繼電極的四側(cè)被形成于上述電源布線的開(kāi)口部包圍。第1中繼電極形成于開(kāi)口部，四側(cè)被包圍，所以屏蔽效果進(jìn)一步提高。

在上述的電光裝置中，優(yōu)選具有第2中繼電極，該第2中繼電極形成于與上述第1中繼電極不同的層，將上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極和上述規(guī)定的節(jié)點(diǎn)電連接起來(lái)，上述第2中繼電極的至少三側(cè)被與上述第2中繼電極形成于同一層的電源的高電位側(cè)的電源布線包圍。根據(jù)該發(fā)明，第2中繼電極的三側(cè)被高電位側(cè)的電源布線包圍，所以得到高屏蔽效果。

此外，本發(fā)明除了涉及電光裝置外，還能夠涉及電光裝置的驅(qū)動(dòng)方法、具有該電光裝置的電子設(shè)備。作為電子設(shè)備，典型地可列舉頭戴式顯示器(hmd)、電子取景器等顯示裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電光裝置的構(gòu)成的立體圖。

圖2是表示該電光裝置的構(gòu)成的框圖。

圖3是表示該電光裝置的像素電路的圖。

圖4是表示該電光裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖5是表示該電光裝置的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。

圖6是表示該電光裝置的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。

圖7是表示該電光裝置的像素電路的構(gòu)成的俯視圖。

圖8是表示圖5～圖7中沿a－a’線剖開(kāi)的構(gòu)成的局部剖視圖。

圖9是表示圖5～圖7中沿b－b’線剖開(kāi)的構(gòu)成的局部剖視圖。

圖10是表示使用了實(shí)施方式等所涉及的電光裝置的hmd的立體圖。

圖11是表示hmd的光學(xué)構(gòu)成的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。

<實(shí)施方式>

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電光裝置10的構(gòu)成的立體圖。

電光裝置10例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器(microdisplay)。后面敘述電光裝置10的詳細(xì)內(nèi)容，但是多個(gè)像素電路、驅(qū)動(dòng)該像素電路的驅(qū)動(dòng)電路等例如是形成于硅基板的有機(jī)el裝置，可作為發(fā)光元件的一個(gè)例子的oled用于像素電路。

電光裝置10被收納于在顯示部開(kāi)口的框狀的殼體72，并且與fpc(flexibleprintedcircuits：柔性印刷電路板)基板74的一端連接。通過(guò)cof(chiponfilm：覆晶薄膜)技術(shù)在fpc基板74上安裝半導(dǎo)體芯片的控制電路5，且設(shè)置有多個(gè)端子76，與圖示省略的上位電路連接。從該上位電路經(jīng)由多個(gè)端子76與同步信號(hào)同步地供給圖像數(shù)據(jù)。同步信號(hào)包括垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)、點(diǎn)時(shí)鐘信號(hào)。另外，圖像數(shù)據(jù)例如以8位規(guī)定應(yīng)顯示的圖像的像素的灰度等級(jí)。

控制電路5兼具電光裝置10的電源電路和數(shù)據(jù)信號(hào)輸出電路的功能。即，控制電路5除了將根據(jù)同步信號(hào)生成的各種控制信號(hào)、各種電位供給至電光裝置10之外，還將數(shù)字圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬數(shù)據(jù)信號(hào)，供給至電光裝置10。

圖2是表示實(shí)施方式的電光裝置10的構(gòu)成的圖。如該圖所示，電光裝置10大致被分為掃描線驅(qū)動(dòng)電路20、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路30、顯示部100。

其中，在顯示部100上矩陣狀地排列有與應(yīng)顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)的像素電路110。詳細(xì)而言，在顯示部100中，將m行掃描線12設(shè)置成在圖中沿橫向延伸，另外，將n列數(shù)據(jù)線14設(shè)置成在圖中沿縱向延伸，并且與各掃描線12相互保持電絕緣。而且，與m行掃描線12和n列數(shù)據(jù)線14的交叉部對(duì)應(yīng)地設(shè)置有像素電路110。因此，在本實(shí)施方式中，將像素電路110以縱m行×橫n列排列成矩陣狀。

這里，m、n均是自然數(shù)。為了區(qū)別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(low)，有時(shí)在圖中從上到下按順序稱作1、2、3、…、(m－1)、m行。同樣，為了區(qū)別數(shù)據(jù)線14以及像素電路110的矩陣的列(column)，有時(shí)在圖中從左向右按順序稱作1、2、3、…、n－1、n列。

在本實(shí)施方式中，沿?cái)?shù)據(jù)線14分別按照每列設(shè)置有初始化用的電源線16。向各電源線16共通地供給作為初始化用的復(fù)位電位的電位vorst。

然后，通過(guò)控制電路5將以下這樣的控制信號(hào)供給至電光裝置10。詳細(xì)而言，向電光裝置10供給用于控制掃描線驅(qū)動(dòng)電路20的控制信號(hào)ctr1、和用于控制數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路30的控制信號(hào)ctr2。

掃描線驅(qū)動(dòng)電路20根據(jù)控制信號(hào)ctr1生成用于在整個(gè)幀期間針對(duì)各行按照順序掃描掃描線12的掃描信號(hào)。這里，將分別向第1、2、3、…、(m－1)、m行的掃描線12供給的掃描信號(hào)記作gwr(1)、gwr(2)、gwr(3)、…、gwr(m-1)、gwr(m)。

此外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路20除了生成掃描信號(hào)gwr(1)～gwr(m)之外，還按照每行生成與該掃描信號(hào)同步的各種控制信號(hào)，并供給至顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，所謂幀期間是指電光裝置10顯示與1個(gè)鏡頭(畫(huà)面)對(duì)應(yīng)的圖像所需要的期間，例如若同步信號(hào)所包含的垂直同步信號(hào)的頻率為120hz，則是與該1個(gè)周期對(duì)應(yīng)的8.3毫秒的期間。

另外，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路30通過(guò)控制電路5針對(duì)位于被掃描線驅(qū)動(dòng)電路20選擇出的行的像素電路110，將與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)vd(1)、vd(2)、…、vd(n)供給至第1、2、…、n列數(shù)據(jù)線14。

參照?qǐng)D3，對(duì)像素電路110進(jìn)行說(shuō)明。此外，圖3示出與第i行掃描線12和第j列數(shù)據(jù)線14的交叉對(duì)應(yīng)的1個(gè)像素的像素電路110。這里，i是一般性表示像素電路110所排列的行時(shí)的符號(hào)，為1以上m以下的整數(shù)。同樣，j是一般性表示像素電路110所排列的列時(shí)的符號(hào)，是1以上n以下的整數(shù)。

如圖3所示，像素電路110包括p溝道型的晶體管121～125、oled130以及保持電容132。各像素電路110彼此構(gòu)成相同，所以以位于i行j列的像素電路為代表進(jìn)行說(shuō)明。

在i行j列的像素電路110中，晶體管122作為寫入晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點(diǎn)與第i行掃描線12連接，其漏極或者源極節(jié)點(diǎn)的一方與第j列數(shù)據(jù)線14連接，另一方與晶體管121的柵極節(jié)點(diǎn)g、保持電容132的一端和晶體管123的漏極節(jié)點(diǎn)分別連接。這里，為了與其他節(jié)點(diǎn)進(jìn)行區(qū)別，將晶體管121的柵極節(jié)點(diǎn)記作g。

向第i行掃描線12，換句話說(shuō)向晶體管122的柵極節(jié)點(diǎn)供給掃描信號(hào)gwr(i)。

晶體管121作為驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮功能，其源極節(jié)點(diǎn)與高位側(cè)電源線160連接，其漏極節(jié)點(diǎn)與晶體管123的源極節(jié)點(diǎn)和晶體管124的源極節(jié)點(diǎn)分別連接。這里，向高位側(cè)電源線160供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的基板電位vel。

晶體管123作為補(bǔ)償用晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點(diǎn)被供給控制信號(hào)gcmp(i)。

晶體管124作為發(fā)光控制晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點(diǎn)被供給控制信號(hào)gel(i)，其漏極節(jié)點(diǎn)與晶體管125的源極節(jié)點(diǎn)和oled130的陽(yáng)極分別連接。

晶體管125作為初始化用晶體管發(fā)揮功能，其柵極節(jié)點(diǎn)被供給控制信號(hào)gorst(i)，其漏極節(jié)點(diǎn)與和第j列對(duì)應(yīng)的初始化用的電源線16連接，被保持于電位vorst。

保持電容132的另一端與高位側(cè)電源160連接。因此，保持電容132對(duì)晶體管121的源極、漏極間的電壓進(jìn)行保持。此外，作為保持電容132，也可以使用寄生于晶體管121的柵極節(jié)點(diǎn)g的電容，還可以使用由相互不同的導(dǎo)電層夾持絕緣層而形成的電容。

在本實(shí)施方式中，電光裝置10形成于硅基板，所以將晶體管121～125的基板電位設(shè)為電位vel。

oled130的陽(yáng)極是按照每個(gè)像素電路110分別獨(dú)立地設(shè)置的像素電極。與此相對(duì)，oled130的陰極是在全部像素電路110中共用地設(shè)置的共用電極118，被保持于在像素電路110中成為電源的低位側(cè)的電位vct。

oled130是在上述硅基板中由陽(yáng)極和具有透光性的陰極夾持產(chǎn)生白色光的有機(jī)el層而成的元件。而且，在oled130的射出側(cè)(陰極側(cè))重疊有與rgb的任意一個(gè)對(duì)應(yīng)的彩色濾光片。

在這樣的oled130中，若電流從陽(yáng)極流向陰極，則從陽(yáng)極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機(jī)el層再次結(jié)合而生成激子，產(chǎn)生白色光。構(gòu)成為此時(shí)產(chǎn)生的白色光透過(guò)與硅基板側(cè)(陽(yáng)極)相反的一側(cè)的陰極，經(jīng)由基于彩色濾光片的著色，在觀察者側(cè)被視覺(jué)識(shí)別。

<電光裝置的動(dòng)作>

接下來(lái)，參照?qǐng)D4對(duì)電光裝置10的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖4是用于說(shuō)明電光裝置10的各部的動(dòng)作的時(shí)序圖。

如該圖所示，依次將掃描信號(hào)gwr(1)～gwr(m)切換為l電平(level)，在1個(gè)幀期間，針對(duì)每個(gè)水平掃描期間(h)按照順序掃描第1～m行掃描線12。

在1個(gè)水平掃描期間(h)的動(dòng)作在各行的像素電路110中共用。因此以下，著眼于水平掃描第i行的掃描期間，尤其是著眼于i行j列的像素電路110來(lái)對(duì)動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

在本實(shí)施方式中第i行掃描期間被大致區(qū)分為，圖4中以(b)所表示的初始化期間、以(c)所表示的補(bǔ)償期間和以(d)所表示的寫入期間。而且，在(d)的寫入期間后，間隔一段時(shí)間成為以(a)所表示的發(fā)光期間，經(jīng)過(guò)1個(gè)幀的期間后再次至第i行掃描期間。因此，若按時(shí)間順序來(lái)說(shuō)，則成為(發(fā)光期間)→初始化期間→補(bǔ)償期間→寫入期間→(發(fā)光期間)這樣的周期的反復(fù)。

<發(fā)光期間>

為便于說(shuō)明，從成為初始化期間的前提的發(fā)光期間進(jìn)行說(shuō)明。如圖4所示，在第i行發(fā)光期間，掃描信號(hào)gwr(i)是h電平，控制信號(hào)gel(i)是l電平。另外，在作為邏輯信號(hào)的控制信號(hào)gel(i)、gcmp(i)、gorst(i)中，控制信號(hào)gel(i)為l電平，控制信號(hào)gcmp(i)、gorst(i)是h電平。

因此，在圖3所示的i行j列的像素電路110中，晶體管124導(dǎo)通，另一方面，晶體管122、123、125截止。因此，晶體管121將與柵極、源極間的電壓vgs對(duì)應(yīng)的電流ids供給至oled130。如后所述，在本實(shí)施方式中，在發(fā)光期間的電壓vgs是根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此，在補(bǔ)償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下，將與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電流供給至oled130。

此外，第i行發(fā)光期間是水平掃描第i行以外的期間，所以數(shù)據(jù)線14的電位適當(dāng)?shù)刈儎?dòng)。其中，在第i行像素電路110中，晶體管122截止，所以這里不考慮數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)。

<初始化期間>

接下來(lái)，若進(jìn)入第i行掃描期間，則首先開(kāi)始作為第1期間(b)的初始化期間。在初始化期間中，與發(fā)光期間進(jìn)行比較，控制信號(hào)gel(i)變?yōu)閔電平，控制信號(hào)gorst(i)變?yōu)閘電平。

因此，在圖3所示的i行j列像素電路110中，晶體管124截止，晶體管125導(dǎo)通。由此，向oled130供給的電流的路徑被切斷，并且，oled130的陽(yáng)極被復(fù)位為電位vorst。

如上所述，oled130是由陽(yáng)極和陰極夾持有機(jī)el層而成的構(gòu)成，所以在陽(yáng)極、陰極間電容并列地寄生。在發(fā)光期間，在電流流過(guò)oled130時(shí)，該oled130的陽(yáng)極、陰極間的兩端電壓被該電容保持，但該保持電壓因晶體管125的導(dǎo)通而被復(fù)位。因此，在本實(shí)施方式中，在后面的發(fā)光期間中，在電流再次流過(guò)oled130時(shí)，不易受到被該電容保持的電壓的影響。

詳細(xì)而言，例如若是在從高亮度的顯示狀態(tài)轉(zhuǎn)為低亮度的顯示狀態(tài)時(shí)是不進(jìn)行復(fù)位的構(gòu)成，則在亮度高(流過(guò)大電流)時(shí)的高電壓被保持，所以接下來(lái)，即便流過(guò)小電流，也流過(guò)過(guò)剩的電流，不能使其為低亮度的顯示狀態(tài)。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，oled130的陽(yáng)極的電位因晶體管125的導(dǎo)通而被復(fù)位，所以低亮度側(cè)的再現(xiàn)性被提高。

此外，在本實(shí)施方式中，將電位vorst設(shè)定為該電位vorst和共用電極118的電位vct的差低于oled130的發(fā)光閾值電壓。因此，在初始化期間(接下來(lái)進(jìn)行說(shuō)明的補(bǔ)償期間以及寫入期間)中，oled130是截止(非發(fā)光)狀態(tài)。

<補(bǔ)償期間>

在第i行掃描期間中，接下來(lái)為第2期間成為(c)的補(bǔ)償期間。在補(bǔ)償期間，與初始化期間進(jìn)行比較，掃描信號(hào)gwr(i)以及控制信號(hào)gcmp(i)成為l電平。另一方面，在補(bǔ)償期間，在控制信號(hào)gref被維持在h電平的狀態(tài)下，控制信號(hào)/gini成為h電平。

在補(bǔ)償期間，晶體管123導(dǎo)通，所以晶體管121成為二極管連接。因此，漏極電流流過(guò)晶體管121，對(duì)柵極節(jié)點(diǎn)g以及數(shù)據(jù)線14進(jìn)行充電。詳細(xì)而言，電流按照高位側(cè)電源線160→晶體管121→晶體管123→晶體管122→第j列的數(shù)據(jù)線14這樣的路徑流過(guò)。因此，因晶體管121的導(dǎo)通而處于相互連接狀態(tài)的數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點(diǎn)g的電位上升。

但若將晶體管121的閾值電壓設(shè)為|vth|，則流過(guò)上述路徑的電流隨著柵極節(jié)點(diǎn)g接近電位(vel－|vth|)而變得不易流動(dòng)，所以在到達(dá)補(bǔ)償期間的結(jié)束之前，數(shù)據(jù)線14以及柵極節(jié)點(diǎn)g在電位(vel－|vth|)飽和。因此，保持電容132在到達(dá)補(bǔ)償期間的結(jié)束之前，保持晶體管121的閾值電壓|vth|。

<寫入期間>

在補(bǔ)償期間后，為第3期間進(jìn)入(d)的寫入期間。在寫入期間中，控制信號(hào)gcmp(i)成為h電平，所以晶體管121的二極管連接被解除。從第j列數(shù)據(jù)線14至到達(dá)i行j列的像素電路110的柵極節(jié)點(diǎn)g的路徑的電位被保持電容132維持在(vel－|vth|)。

<發(fā)光期間>

在第i行寫入期間結(jié)束后，間隔1個(gè)水平掃描期間的時(shí)間到達(dá)發(fā)光期間。在該發(fā)光期間中，如上述那樣，控制信號(hào)gel(i)成為l電平，所以在i行j列像素電路110中，晶體管124導(dǎo)通。在補(bǔ)償了晶體管121的閾值電壓的狀態(tài)下，將與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電流供給至oled130。

在第i行掃描期間中，在第j列像素電路110以外的第i行其他的像素電路110中也在時(shí)間上并列地執(zhí)行這樣的動(dòng)作。并且，實(shí)際在1個(gè)幀期間中，按照第1、2、3、…、(m－1)、m行的順序執(zhí)行這樣的第i行的動(dòng)作，并且按照每個(gè)幀反復(fù)進(jìn)行。

在以上的像素電路110中，在數(shù)據(jù)線14與像素電路110中的柵極節(jié)點(diǎn)g之間會(huì)實(shí)際上寄生寄生電容。因此，若數(shù)據(jù)線14的電位變化幅度大，則經(jīng)由該寄生電容傳遞至柵極節(jié)點(diǎn)g，產(chǎn)生所謂的串?dāng)_、不均等，使顯示品質(zhì)降低。該寄生電容的影響在像素電路110被微細(xì)化時(shí)顯著展現(xiàn)。

然而，在本實(shí)施方式中，如后所述，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部的四側(cè)被初始化用的電源線16包圍，所以即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)等而產(chǎn)生噪聲，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部也不會(huì)受到噪聲的影響，抑制了晶體管121的柵極電極的電位變動(dòng)。其結(jié)果，實(shí)現(xiàn)良好的顯示品質(zhì)。后面進(jìn)行詳細(xì)敘述。

根據(jù)本實(shí)施方式，作為使晶體管125導(dǎo)通的期間，即作為oled130的復(fù)位期間，能夠確保比掃描期間長(zhǎng)的期間，例如能夠確保2個(gè)水平掃描期間，所以在發(fā)光期間中，能夠充分初始化oled130的寄生電容所保持的電壓。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，由晶體管121向oled130供給的電流ids抵消閾值電壓的影響。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，即便晶體管121的閾值電壓按照每個(gè)像素電路110產(chǎn)生偏差，也能補(bǔ)償該偏差，向oled130供給與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電流，所以抑制損壞顯示畫(huà)面的同樣性這樣的顯示不均的產(chǎn)生，其結(jié)果是能夠進(jìn)行高品質(zhì)的顯示。

并且，根據(jù)本實(shí)施方式，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容之間的連接部的四側(cè)被初始化用的電源線16包圍，所以即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)等而產(chǎn)生噪聲，晶體管121的柵極電極和其他晶體管或保持電容的連接部也不會(huì)受到噪聲的影響，抑制了晶體管121的柵極電極的電位變動(dòng)。其結(jié)果，能夠降低顯示不均等顯示不良。

<像素電路的構(gòu)造>

接下來(lái)，參照?qǐng)D5至圖9對(duì)該像素電路110的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。

圖5是表示從一個(gè)像素電路110的基板至第2層間絕緣膜的構(gòu)成的俯視圖，圖6是表示從一個(gè)像素電路110的基板至第3層間絕緣膜的構(gòu)成的俯視圖。另外，圖7是表示在圖6的第3層間絕緣膜上形成了電源線的狀態(tài)的構(gòu)成的俯視圖。圖8是圖5～圖7中以a－a’線剖開(kāi)的局部剖視圖，圖9是圖5～圖7中以b－b’線剖開(kāi)的局部剖視圖。

此外，圖5示出從觀察側(cè)俯視頂部發(fā)光的像素電路110時(shí)的布線構(gòu)造，為使簡(jiǎn)單化，省略與供給基板電位vel的電源線相比形成于上層的構(gòu)造體。另外，在以下的各圖中，為了使各層、各部件、各區(qū)域等成為可識(shí)別的大小，而改變了比例尺。

首先，如圖5所示，設(shè)置有成為基礎(chǔ)的基板2。將基板2設(shè)置成平板狀，但在圖5中，為了能夠容易理解各晶體管的位置，表示成島狀。

在基板2上設(shè)置有用于形成晶體管的能動(dòng)區(qū)域143。這里，所謂能動(dòng)區(qū)域是用于形成mos型晶體管的區(qū)域，相當(dāng)于源極/漏極區(qū)域。能動(dòng)區(qū)域143構(gòu)成晶體管124。另外，與該能動(dòng)區(qū)域143相同，如圖5所示，在基板2上設(shè)置有能動(dòng)區(qū)域140、141、142。能動(dòng)區(qū)域140構(gòu)成晶體管122以及晶體管123，能動(dòng)區(qū)域141構(gòu)成晶體管121，能動(dòng)區(qū)域142構(gòu)成晶體管125。

如圖8所示，以覆蓋能動(dòng)區(qū)域140的整個(gè)面的方式設(shè)置有柵極絕緣膜17。如圖5所示，該能動(dòng)區(qū)域140是晶體管122以及晶體管123的源極或者漏極，在與該能動(dòng)區(qū)域140同一層上形成有作為晶體管121的源極或者漏極的能動(dòng)區(qū)域141、作為晶體管124的源極或者漏極的能動(dòng)區(qū)域143以及作為晶體管125的源極或者漏極的能動(dòng)區(qū)域142。而且，以覆蓋能動(dòng)區(qū)域141～143的幾乎整個(gè)面的方式設(shè)置有圖8所示的柵極絕緣膜17。在柵極絕緣膜17的表面設(shè)置鋁、多晶硅等柵極布線層，并且例如如圖8所示，通過(guò)圖案化該柵極布線層而設(shè)置有柵極電極144。柵極電極144是晶體管121的柵極電極，如圖5所示，在與該柵極電極144同一層上設(shè)置有晶體管122的柵極電極145、晶體管123的柵極電極146、晶體管124的柵極電極148、晶體管125的柵極電極147。

在圖8中，以覆蓋柵極電極144或者柵極絕緣膜17的方式形成有第1層間絕緣膜18。在第1層間絕緣膜18的表面成膜有導(dǎo)電性的布線層，并且通過(guò)該布線層的圖案化形成有中繼電極41。如圖5所示，在與該中繼電極41同一層上分別形成有中繼電極42、43、44、45、46。

其中，中繼電極41經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔31與晶體管121的柵極電極144連接。另外，中繼電極41經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔32與晶體管122以及晶體管123的能動(dòng)區(qū)域140連接。

此外，在圖5中，在不同種類的布線層彼此重合的部分中，在“□”標(biāo)記上附加了“×”標(biāo)記的部分是接觸孔。

在圖5中，中繼電極42的一端經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔33與晶體管122的能動(dòng)區(qū)域140連接，另一方面，中繼電極42的另一端經(jīng)由對(duì)后述的第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔34與數(shù)據(jù)線14連接。

中繼電極43的一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔36與晶體管123的能動(dòng)區(qū)域140連接，另一方面，中繼電極43的另一端經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔35與晶體管121的能動(dòng)區(qū)域141連接。

中繼電極44的一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔37與晶體管125的能動(dòng)區(qū)域142連接，另一方面，中繼電極44的另一端經(jīng)由對(duì)后述的第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔38與初始化用的電源線16連接。

中繼電極45的一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔39與晶體管124的能動(dòng)區(qū)域143連接，另一方面，中繼電極45的另一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔50與晶體管125的能動(dòng)區(qū)域142連接。

中繼電極46的一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔40與晶體管124的能動(dòng)區(qū)域143連接，另一方面，中繼電極46的另一端經(jīng)由分別對(duì)第1層間絕緣膜18以及柵極絕緣膜17進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔35與晶體管121的能動(dòng)區(qū)域141連接。

另外，如圖5所示，在與上述的中繼電極41、42、43、44、45、46同一層上形成有掃描線12、控制線114、115、118、中繼電極116、以及屏蔽布線117。

掃描線12經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔51與晶體管122的柵極電極145連接。

控制線118經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔52與晶體管123的柵極電極146連接。

控制線114經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔54與晶體管125的柵極電極147連接。

控制線115經(jīng)由對(duì)第1層間絕緣膜18進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔53與晶體管124的柵極電極148連接。

中繼電極116經(jīng)由對(duì)后述的第2層間絕緣膜19以及第3層間絕緣膜15進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔57與后述的高位側(cè)電源線160連接。

并且，將屏蔽布線117從俯視時(shí)的、圖5所示的像素的右鄰像素中的初始化用的電源線16的下方延伸配置至到圖5所示的像素的數(shù)據(jù)線14(在圖6中示出數(shù)據(jù)線14)的下方位置，如圖5所示，形成為數(shù)據(jù)線14在長(zhǎng)度方向的寬度也變寬。

將在圖5所示的晶體管121的柵極電極144上所示出的屏蔽布線117延伸配置至圖5所示的像素的左鄰像素的數(shù)據(jù)線14。

如圖8所示，屏蔽布線117經(jīng)由對(duì)后述的第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔55與初始化用的電源線16連接。

如圖8所示，以覆蓋中繼電極41、42、43、44、45、46以及掃描線12、控制線118、114、115、中繼電極116、屏蔽布線117或者第1層間絕緣膜18的方式形成有第2層間絕緣膜19。在第2層間絕緣膜19的表面成膜導(dǎo)電性的布線層，并且，通過(guò)該布線層的圖案化分別形成有數(shù)據(jù)線14以及初始化用的電源線16。

圖6是俯視在第2層間絕緣膜19的表面形成了數(shù)據(jù)線14以及初始化用的電源線16的狀態(tài)的圖。

如圖6所示，以覆蓋晶體管121以及晶體管124的整個(gè)面的方式形成初始化用的電源線16，但在初始化用的電源線16上形成有開(kāi)口部170，構(gòu)成為包圍從晶體管121的柵極電極144到接觸孔31以及中繼電極41的連接部的四側(cè)。

此外，在圖6中省略圖示，如圖8以及圖9所示，在從晶體管121的柵極電極144到接觸孔31以及中繼電極41的連接部的上層位置經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔60形成有中繼電極61。

初始化用的電源線16經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔38與中繼電極44連接，經(jīng)由中繼電極44與晶體管124的能動(dòng)區(qū)域142連接。

另外，如圖8所示，初始化用的電源線16經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔55與屏蔽布線117連接。

并且，在本實(shí)施方式中，在初始化用的電源線16上形成有開(kāi)口部171，構(gòu)成為包圍從晶體管124的能動(dòng)區(qū)域143與上層連接的連接部的周圍。在該連接部上，且在上層連接有oled130的陽(yáng)極。

在與初始化用的電源線16相同的層上形成有數(shù)據(jù)線14，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜19進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔34與中繼電極42連接。

在使像素間距變窄的情況下，如圖6所示，數(shù)據(jù)線14和晶體管121向柵極電極144上層連接的連接部靠近，如上所述，該連接部的四側(cè)被初始化用的電源線16包圍，所以柵極電極144向上層的連接部不會(huì)受到數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)引起的噪聲的影響。

如圖8以及圖9所示，以覆蓋初始化用的電源線16、數(shù)據(jù)線14以及中繼電極61的整個(gè)面的方式形成第3層間絕緣層15。

如圖8以及圖9所示，在第3層間絕緣層15的表面形成高電位電源線160。

圖7是俯視在第3層間絕緣膜15的表面形成了高電位電源線160的狀態(tài)的圖。

如圖7所示，以覆蓋像素整體的方式形成高電位電源線160，但在高電位電源線160上形成有開(kāi)口部172，構(gòu)成為包圍從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，進(jìn)而至接觸孔60以及中繼電極61的連接部的四側(cè)。

此外，在圖7中省略圖示，但如圖8以及圖9所示，在從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，進(jìn)而至接觸孔60以及中繼電極61的連接部的上層位置經(jīng)由對(duì)第3層間絕緣膜15進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔62形成有中繼電極63。

另外，在本實(shí)施方式中，在高電位電源線160上形成有開(kāi)口部173，構(gòu)成為包圍從晶體管124的能動(dòng)區(qū)域143與上層連接的連接部的周圍。在該連接部，且在上層連接oled130的陽(yáng)極。

并且，高電位電源線160經(jīng)由對(duì)第2層間絕緣膜19以及第3層間絕緣膜15進(jìn)行開(kāi)孔的接觸孔57與中繼電極116連接。通過(guò)該連接線(line)向晶體管121的源極節(jié)點(diǎn)或者漏極節(jié)點(diǎn)供給基板電位vel。

此外，圖示省略作為電光裝置10的以后的構(gòu)造，但在通過(guò)初始化用的電源線16的開(kāi)口部171以及高電位電源線160的開(kāi)口部173將oled130的陽(yáng)極連接至連接部，其中，該連接部被初始化用的電源線16和高電位電源線160包圍并且從晶體管124的能動(dòng)區(qū)域143與上層連接，在該陽(yáng)極上按照每個(gè)像素電路110層疊有由有機(jī)el材料構(gòu)成的發(fā)光層，且在各像素電路110整體上設(shè)有共用的透明電極作為兼任陰極的共用電極118。由此，發(fā)光元件150成為由相互對(duì)置的陽(yáng)極和陰極夾持發(fā)光層而成的oled，以與從陽(yáng)極流向陰極的電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，朝向與基板2相反的方向被觀察(頂部發(fā)光構(gòu)造)。除此而外，設(shè)置用于將發(fā)光層從大氣隔離的密封玻璃等，但省略說(shuō)明。

另外，在從晶體管121的柵極電極144至接觸孔31以及中繼電極41，接觸孔60以及中繼電極61，進(jìn)而至接觸孔62以及中繼電極63的連接部的上層形成柵極節(jié)點(diǎn)電極，在該柵極節(jié)點(diǎn)電極的下層和高電位電源線160之間形成圖3所示的保持電容132。但為使簡(jiǎn)單化，省略圖8以及圖9中的圖示。

如以上所述，從晶體管121的柵極電極144至上層部的柵極節(jié)點(diǎn)電極的連接部中，形成于與數(shù)據(jù)線14同一層的中繼電極61的四側(cè)被初始化用的電源線16的開(kāi)口部170包圍。另外，上述連接部中，形成于中繼電極61的上層的中繼電極63的四側(cè)被高電位電源線160的開(kāi)口部172包圍。

因此，即便因數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)而產(chǎn)生噪聲，也通過(guò)初始化用的電源線16以及高電位電源線160防止數(shù)據(jù)線14的噪聲侵入作為驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮功能的晶體管121的柵極電極的連接部。其結(jié)果，積蓄于保持電容的數(shù)據(jù)信號(hào)不會(huì)發(fā)生變化，經(jīng)由作為驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮功能的晶體管121向oled130供給的電流也不會(huì)發(fā)生變化，進(jìn)行基于準(zhǔn)確亮度的顯示。

并且，在本實(shí)施方式中，與oled130的陽(yáng)極連接的連接部的四側(cè)也被初始化用的電源線16以及高電位電源線160包圍，所以數(shù)據(jù)線14的電位變動(dòng)引起的噪聲不會(huì)侵入oled130的陽(yáng)極，進(jìn)一步可靠地進(jìn)行基于準(zhǔn)確亮度的顯示。

并且，在本實(shí)施方式中，將與相鄰像素中的初始化用的電源線16連接的屏蔽布線117延伸配置至與該像素的數(shù)據(jù)線14交叉的位置，在該交叉部形成有并行平板電容。通過(guò)該并行平板電容，從數(shù)據(jù)線14向晶體管121的柵極布線的電場(chǎng)強(qiáng)度減弱，寄生電容被大幅度削減。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制數(shù)據(jù)線14的噪聲給晶體管121的柵極布線帶來(lái)的影響。

另外，雖產(chǎn)生對(duì)屏蔽布線117自身的噪聲施加，但由于從接下來(lái)寫入映像信號(hào)的相鄰的像素延伸配置屏蔽圖案117，所以對(duì)自身像素的顯示品質(zhì)沒(méi)有影響。另外，即便相鄰的像素受到噪聲引起的變動(dòng)，由于在下一定時(shí)寫入正規(guī)的映像信號(hào)，所以不影響顯示品質(zhì)。

應(yīng)用/變形例

本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式、應(yīng)用例等實(shí)施方式等，例如能夠進(jìn)行下述各種變形。另外，也能夠?qū)θ我獾剡x擇出的一個(gè)或者多個(gè)下述的變形方式進(jìn)行適當(dāng)?shù)亟M合。

<控制電路>

在實(shí)施方式中，將供給數(shù)據(jù)信號(hào)的控制電路5與電光裝置10獨(dú)立設(shè)置，但也可以將控制電路5與掃描線驅(qū)動(dòng)電路20、多路輸出選擇器(demultiplexer)30、電平移位電路40一起集成在硅基板上。

<基板>

在實(shí)施方式中，為將電光裝置10集成于硅基板的構(gòu)成，但也可以為集成于其他半導(dǎo)體基板的構(gòu)成。另外，也可以應(yīng)用多晶硅加工工藝形成于玻璃基板等上。無(wú)論哪一種，都在對(duì)像素電路110進(jìn)行微細(xì)化，在晶體管121中針對(duì)柵極電壓vgs的變化，使漏極電流按照指數(shù)函數(shù)大幅變化的構(gòu)成中有效。

<控制信號(hào)gcmp(i)>

在實(shí)施方式等中，若以第i行來(lái)說(shuō)，在寫入期間將控制信號(hào)gcmp(i)設(shè)為h電平，但也可以設(shè)為l電平。即，也可以為并行執(zhí)行使晶體管123導(dǎo)通帶來(lái)的閾值補(bǔ)償和對(duì)節(jié)點(diǎn)柵極g的寫入的構(gòu)成。

<晶體管的溝道型>

在上述的實(shí)施方式等中，以p溝道型統(tǒng)一了像素電路110中的晶體管121～125，但也可以以n溝道型進(jìn)行統(tǒng)一。另外，也可以適當(dāng)?shù)亟M合p溝道型以及n溝道型。

<驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極的連接部中的屏蔽>

在上述的實(shí)施方式中，對(duì)處于與數(shù)據(jù)線14同一層的中繼電極61，即從作為驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮功能的晶體管121的柵極電極144向上層的連接部中，以初始化用的電源線16包圍與數(shù)據(jù)線14處于同一層的連接部的四側(cè)的構(gòu)成的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于這樣的構(gòu)成。包圍連接部的布線也可以是被保持在成為電源的低位側(cè)的電位vct的布線。

這些布線與在掃描線驅(qū)動(dòng)電路20或者數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路30等中使用的電源布線相比均為低阻抗，在作為屏蔽線進(jìn)行使用的情況下，屏蔽效果進(jìn)一步提高。

另外，在上述的實(shí)施方式中，不僅利用初始化用的電源線16包圍與數(shù)據(jù)線14處于同一層的連接部的四側(cè)，還利用高位側(cè)電源線160包圍從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部中的、與高位側(cè)電源線160處于同層的中繼電極63的四側(cè)，但也可以利用初始化用的電源線16或者高位側(cè)電源線160的任意一方包圍連接部。

另外，在上述的實(shí)施方式中，對(duì)利用電源布線包圍從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部的四側(cè)的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于這樣的構(gòu)成，包圍至少三側(cè)即可。例如，即便與圖6所示的開(kāi)口部170或者開(kāi)口部171，或圖7所示的開(kāi)口部172或者開(kāi)口部173連續(xù)的狹縫形成于初始化用的電源線16或者高位側(cè)電源線160，若從晶體管121的柵極電極144向上層的連接部的大部分被初始化用的電源線16或者高位側(cè)電源線160包圍，就能夠得到所希望的屏蔽效果。

<其他>

在實(shí)施方式等中，作為電光元件例示了作為發(fā)光元件的oled，但例如是無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、led(lightemittingdiode：發(fā)光二極管)等以與電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光的元件即可。

<電子設(shè)備>

接下來(lái)，對(duì)應(yīng)用了實(shí)施方式等、應(yīng)用例所涉及的電光裝置10的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。電光裝置10面向像素為小尺寸且高精細(xì)的顯示的用途。因此，作為電子設(shè)備以頭戴式顯示器為例進(jìn)行說(shuō)明。

圖10是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖11是表示其光學(xué)構(gòu)成的圖。

首先，如圖10所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡一樣，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301l、301r。另外，如圖11所示，在頭戴式顯示器300中，在鼻架320附近且在鏡片301l、301r的內(nèi)側(cè)(在圖中下側(cè))設(shè)置有左眼用的電光裝置10l和右眼用的電光裝置10r。

將電光裝置10l的圖像顯示面配置為在圖11中為左側(cè)。由此，基于電光裝置10l的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302l在圖中向9點(diǎn)的方向射出。半反射鏡303l使基于電光裝置10l的顯示圖像向6點(diǎn)的方向反射，另一方面，使從12點(diǎn)的方向入射的光透過(guò)。

將電光裝置10r的圖像顯示面配置為與電光裝置10l相反的右側(cè)。由此，基于電光裝置10r的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302r在圖中向3點(diǎn)的方向射出。半反射鏡303r使基于電光裝置10r的顯示圖像向6點(diǎn)方向反射，另一方面，使從12點(diǎn)方向入射的光透過(guò)。

在該構(gòu)成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠在與外面的狀況重疊的透視狀態(tài)下觀察基于電光裝置10l、10r的顯示圖像。

另外，在該頭戴式顯示器300中，若使伴有視差的兩眼圖像中左眼用圖像顯示于電光裝置10l，使右眼用圖像顯示于電光裝置10r，則能夠使佩戴者感覺(jué)顯示的圖像具有縱深感、立體感(3d顯示)。

此外，除了將電光裝置10應(yīng)用于頭戴式顯示器300之外，還能夠應(yīng)用于攝像機(jī)、透鏡交換式的數(shù)碼照相機(jī)等中的電子式取景器。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

10…電光裝置，12…掃描線，14…數(shù)據(jù)線，16…初始化用的電源線，20…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，30…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，30～39…接觸孔，41～46…中繼電極，50～56…接觸孔，60、62…接觸孔，62、63…中繼電極，100…顯示部，110…像素電路，114、115…控制線供電線，116…供電線，117…屏蔽布線，118…控制線，121～125…晶體管，130…oled，132…保持電容，140～143…能動(dòng)區(qū)域，144～148…柵極電極，160…高位側(cè)電源線，170～173…開(kāi)口部，300…頭戴式顯示器。