本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種像素電路及其驅(qū)動方法和其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，為了提升顯示器件的顯示效果，顯示器件采用雙柵驅(qū)動，顯示器件要實現(xiàn)雙柵驅(qū)動通常需要使其柵線的數(shù)量增長一倍，同時數(shù)據(jù)線的數(shù)量減半，這使得顯示器件的像素電路的制作和運行成本都較高。

因此，如何在實現(xiàn)顯示器件的雙柵驅(qū)動效果的同時不增加像素電路的制備和運行成本已成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種像素電路及其驅(qū)動方法和其制備方法、顯示裝置。該像素電路能夠在每行子像素連接一條柵線、且相鄰兩列子像素連接一條數(shù)據(jù)線的情況下實現(xiàn)像素電路的驅(qū)動，相對于現(xiàn)有的像素電路，該像素電路能在不增加數(shù)據(jù)線數(shù)量的情況下使柵線的數(shù)量減半，從而降低了該像素電路的制備和運行成本；另外，該像素電路能夠在列驅(qū)動方式下實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動效果，提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果；同時，采用碳納米管開關(guān)管的像素電路通過使制備形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的源漏極的材料不同，通過簡單的構(gòu)圖工藝就能實現(xiàn)p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備，無需進行摻雜工藝，因此使p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備工藝更加簡單，從而降低了像素電路的制備成本并提高了像素電路的制備效率。

本發(fā)明提供一種像素電路，包括排布呈陣列的多個子像素，每個所述子像素對應連接一個碳納米管開關(guān)管，每行所述子像素分成多個子像素組，每個所述子像素組均包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素連接n型碳納米管開關(guān)管，所述第二子像素連接p型碳納米管開關(guān)管，每個所述子像素組中的所述第一子像素和所述第二子像素連接同一條柵線和同一條數(shù)據(jù)線。

優(yōu)選地，每個所述子像素組中的所述第一子像素和所述第二子像素均相鄰。

優(yōu)選地，奇數(shù)行所述子像素中，所述第一子像素為奇數(shù)個所述子像素，所述第二子像素為偶數(shù)個所述子像素；

偶數(shù)行所述子像素中，所述第二子像素為奇數(shù)個所述子像素，所述第一子像素為偶數(shù)個所述子像素。

優(yōu)選地，奇數(shù)行所述子像素中，所述第二子像素為奇數(shù)個所述子像素，所述第一子像素為偶數(shù)個所述子像素；

偶數(shù)行所述子像素中，所述第一子像素為奇數(shù)個所述子像素，所述第二子像素為偶數(shù)個所述子像素。

優(yōu)選地，每個所述子像素組中，所述第一子像素和所述第二子像素各自連接的所述p型碳納米管開關(guān)管和所述n型碳納米管開關(guān)管分別位于其所連接的所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)。

優(yōu)選地，每個所述子像素組中，所述第一子像素和所述第二子像素各自連接的所述p型碳納米管開關(guān)管和所述n型碳納米管開關(guān)管以其所連接的所述數(shù)據(jù)線為對稱軸鏡像對稱。

優(yōu)選地，每行所述子像素所連接的所述碳納米管開關(guān)管連接一條所述柵線，相鄰兩列所述子像素所連接的所述碳納米管開關(guān)管連接一條所述數(shù)據(jù)線。

本發(fā)明還提供一種上述像素電路的制備方法，包括形成多個碳納米管開關(guān)管；形成排布呈陣列的多個子像素，所述碳納米管開關(guān)管與所述子像素一一對應連接，每行所述子像素分成多個子像素組，每個所述子像素組均包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素連接n型碳納米管開關(guān)管，所述第二子像素連接p型碳納米管開關(guān)管，連接所述第一子像素的所述n型碳納米管開關(guān)管和和連接所述第二子像素的所述p型碳納米管開關(guān)管的有源層同時形成，所述p型碳納米管開關(guān)管和所述n型碳納米管開關(guān)管的源漏極分別采用不同材料形成。

本發(fā)明還提供一種上述像素電路的驅(qū)動方法，每行子像素的驅(qū)動均包括正向驅(qū)動階段和負向驅(qū)動階段；

在每行所述子像素的所述正向驅(qū)動階段，連接n型碳納米管開關(guān)管的柵線輸入正向電壓，所述n型碳納米管開關(guān)管開啟，連接所述n型碳納米管開關(guān)管的數(shù)據(jù)線輸入正電壓，所述n型碳納米管開關(guān)管驅(qū)動所述第一子像素進行顯示；

在每行所述子像素的所述負向驅(qū)動階段，連接p型碳納米管開關(guān)管的所述柵線輸入負向電壓，所述p型碳納米管開關(guān)管開啟，連接所述p型碳納米管開關(guān)管的所述數(shù)據(jù)線輸入負電壓，所述p型碳納米管開關(guān)管驅(qū)動所述第二子像素進行顯示。

優(yōu)選地，奇數(shù)行中的奇數(shù)個所述子像素和偶數(shù)行中的偶數(shù)個所述子像素在所述正向驅(qū)動階段驅(qū)動；

奇數(shù)行中的偶數(shù)個所述子像素和偶數(shù)行中的奇數(shù)個所述子像素在所述負向驅(qū)動階段驅(qū)動。

優(yōu)選地，奇數(shù)行中的偶數(shù)個所述子像素和偶數(shù)行中的奇數(shù)個所述子像素在所述正向驅(qū)動階段驅(qū)動；

奇數(shù)行中的奇數(shù)個所述子像素和偶數(shù)行中的偶數(shù)個所述子像素在所述負向驅(qū)動階段驅(qū)動。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述像素電路。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所提供的像素電路，通過使子像素組中的第一子像素和第二子像素分別連接n型碳納米管開關(guān)管和p型碳納米管開關(guān)管，能夠在每行子像素連接一條柵線、且相鄰兩列子像素連接一條數(shù)據(jù)線的情況下實現(xiàn)像素電路的驅(qū)動，相對于現(xiàn)有的像素電路，該像素電路能在不增加數(shù)據(jù)線數(shù)量的情況下使柵線的數(shù)量減半，從而降低了該像素電路的制備和運行成本；另外，該像素電路能夠在列驅(qū)動方式下實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動效果，提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果；同時，采用碳納米管開關(guān)管的像素電路通過使制備形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的源漏極的材料不同，通過簡單的構(gòu)圖工藝就能實現(xiàn)p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備，無需進行摻雜工藝，因此使p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備工藝更加簡單，從而降低了像素電路的制備成本并提高了像素電路的制備效率。

本發(fā)明所提供的顯示裝置，通過采用上述像素電路，降低了該顯示裝置的制備和運行成本，提升了該顯示裝置的顯示效果，同時還簡化了該顯示裝置的制備復雜度，提高了其制備效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中像素電路以列驅(qū)動方式實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)驅(qū)動的示意圖；

圖3為圖1中像素電路的驅(qū)動時序圖；

圖4為本發(fā)明實施例2中像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中像素電路以列驅(qū)動方式實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)驅(qū)動的示意圖。

其中的附圖標記說明：

1.子像素；10.子像素組；11.第一子像素；12.第二子像素；2.碳納米管開關(guān)管；21.p型碳納米管開關(guān)管；22.n型碳納米管開關(guān)管；3.柵線；4.數(shù)據(jù)線；5.柵線驅(qū)動電路；6.數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路；l1.正向驅(qū)動階段；l2.負向驅(qū)動階段。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明所提供的一種像素電路及其驅(qū)動方法和其制備方法、顯示裝置作進一步詳細描述。

實施例1：

本實施例提供一種像素電路，如圖1所示，包括排布呈陣列的多個子像素1，每個子像素1對應連接一個碳納米管開關(guān)管2，每行子像素1分成多個子像素組10，每個子像素組10均包括第一子像素11和第二子像素12，第一子像素11連接n型碳納米管開關(guān)管22，第二子像素12連接p型碳納米管開關(guān)管21，每個子像素組10中的第一子像素11和第二子像素12連接同一條柵線3和同一條數(shù)據(jù)線4。

其中，相鄰的子像素組10之間沒有共用的子像素1。

本實施例中，每個子像素組10中的第一子像素11和第二子像素12均相鄰。每行子像素1所連接的碳納米管開關(guān)管2連接一條柵線3，相鄰兩列子像素1所連接的碳納米管開關(guān)管2連接一條數(shù)據(jù)線4。需要說明的是，圖1中的p11～p16、p21～p26、p31～p36均表示子像素1。

現(xiàn)有的雙柵驅(qū)動的像素電路，各個子像素均連接n型薄膜晶體管，且在數(shù)據(jù)線的數(shù)量減半的情況下，每行子像素需要連接兩條柵線才能實現(xiàn)一行子像素的驅(qū)動。本實施例中所提供的上述像素電路，相對于現(xiàn)有的雙柵驅(qū)動的像素電路，通過使子像素組10中的第一子像素11和第二子像素12分別連接n型碳納米管開關(guān)管22和p型碳納米管開關(guān)管21，能夠在每行子像素1連接一條柵線3、且相鄰兩列子像素1連接一條數(shù)據(jù)線4的情況下即可實現(xiàn)像素電路的驅(qū)動，從而使該像素電路能在不增加數(shù)據(jù)線4數(shù)量的情況下使柵線3的數(shù)量減半，進而降低了該像素電路的制備和運行成本；同時，該像素電路能夠在碳納米管開關(guān)管2的驅(qū)動下正常顯示。

本實施例中，如圖2所示，奇數(shù)行子像素1中，第一子像素11為奇數(shù)個子像素1，第二子像素12為偶數(shù)個子像素1；偶數(shù)行子像素1中，第二子像素12為奇數(shù)個子像素1，第一子像素11為偶數(shù)個子像素1。其中，由于n型碳納米管開關(guān)管22在其柵極輸入高電平信號時開啟，并在其柵極輸入低電平信號時關(guān)閉；p型碳納米管開關(guān)管21在其柵極輸入低電平信號時開啟，并在其柵極輸入高電平信號時關(guān)閉；因此，當對應連接奇數(shù)行子像素1的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管22開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，改行中的第一子像素11在n型碳納米管開關(guān)管22的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接奇數(shù)行子像素1的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管21開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素12在p型碳納米管開關(guān)管21的驅(qū)動下進行顯示。相應地，當對應連接偶數(shù)行子像素1的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管22開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，該行中的第一子像素11在n型碳納米管開關(guān)管22的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接偶數(shù)行子像素1的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管21開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素12在p型碳納米管開關(guān)管21的驅(qū)動下進行顯示。如此便實現(xiàn)了該像素電路在列驅(qū)動方式下的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動效果，從而提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果。

本實施例中，每個子像素組10中，第一子像素11和第二子像素12各自連接的p型碳納米管開關(guān)管21和n型碳納米管開關(guān)管22分別位于其所連接的數(shù)據(jù)線4的兩側(cè)。

優(yōu)選的，每個子像素組10中，第一子像素11和第二子像素12各自連接的p型碳納米管開關(guān)管21和n型碳納米管開關(guān)管22以其所連接的數(shù)據(jù)線4為對稱軸鏡像對稱。如此設置，能使像素電路中的p型碳納米管開關(guān)管21和n型碳納米管開關(guān)管22通過較短的距離就近與相應的柵線3和數(shù)據(jù)線4連接，從而能使像素電路的走線距離更短，不僅降低了走線成本，而且使像素電路的線路布局更加簡單，進而降低了像素電路的設計和制備成本。

另外，本實施例中，像素電路還包括柵線驅(qū)動電路5和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路6，柵線驅(qū)動電路5連接各條柵線3，用于向各條柵線3中輸入柵極驅(qū)動信號，以使相應的碳納米管開關(guān)管2開啟。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路6連接各條數(shù)據(jù)線4，用于向各條數(shù)據(jù)線4提供數(shù)據(jù)信號，以使相應的子像素1顯示圖像。

基于像素電路的上述結(jié)構(gòu)，本實施例還提供一種該像素電路的驅(qū)動方法，如圖3所示，每行子像素的驅(qū)動均包括正向驅(qū)動階段l1和負向驅(qū)動階段l2；在每行子像素的正向驅(qū)動階段l1，連接n型碳納米管開關(guān)管的柵線3(柵線包括多條，如柵線31、柵線32、柵線33等)輸入正向電壓，n型碳納米管開關(guān)管開啟，連接n型碳納米管開關(guān)管的數(shù)據(jù)線4(即每條數(shù)據(jù)線4)輸入正電壓，n型碳納米管開關(guān)管驅(qū)動第一子像素進行顯示。在每行子像素的負向驅(qū)動階段l2，連接p型碳納米管開關(guān)管的柵線3輸入負向電壓，p型碳納米管開關(guān)管開啟，連接p型碳納米管開關(guān)管的數(shù)據(jù)線4輸入負電壓，p型碳納米管開關(guān)管驅(qū)動第二子像素進行顯示。

相應地，本實施例中，奇數(shù)行中的奇數(shù)個子像素和偶數(shù)行中的偶數(shù)個子像素在正向驅(qū)動階段驅(qū)動；奇數(shù)行中的偶數(shù)個子像素和偶數(shù)行中的奇數(shù)個子像素在負向驅(qū)動階段驅(qū)動。

即當對應連接奇數(shù)行子像素的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，該行中的第一子像素在n型碳納米管開關(guān)管的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接奇數(shù)行子像素的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素在p型碳納米管開關(guān)管的驅(qū)動下進行顯示。相應地，當對應連接偶數(shù)行子像素的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，該行中的第一子像素在n型碳納米管開關(guān)管的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接偶數(shù)行子像素的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素在p型碳納米管開關(guān)管的驅(qū)動下進行顯示。如此便實現(xiàn)了該像素電路在列驅(qū)動方式下的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動效果，從而提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果。

另外，基于像素電路的上述結(jié)構(gòu)，本實施例還提供一種該像素電路的制備方法，包括形成多個碳納米管開關(guān)管；形成排布呈陣列的多個子像素，碳納米管開關(guān)管與子像素一一對應連接，每行子像素分成多個子像素組，每個子像素組均包括第一子像素和第二子像素，第一子像素連接n型碳納米管開關(guān)管，第二子像素連接p型碳納米管開關(guān)管，連接第一子像素的n型碳納米管開關(guān)管和和連接第二子像素的p型碳納米管開關(guān)管的有源層同時形成，p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的源漏極分別采用不同材料形成。

其中，p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的有源層采用相同的碳納米管材料同時形成。n型碳納米管開關(guān)管的源漏極采用如銅或鋁形成，p型碳納米管開關(guān)管的源漏極采用如鉛形成。

現(xiàn)有的p型晶體管和n型晶體管要么采用a-si晶體管或氧化物晶體管，要么采用低溫多晶硅晶體管。a-si晶體管和氧化物晶體管需要通過摻雜工藝才能同時制備p型管和n型管，而低溫多晶硅晶體管也需要通過摻雜工藝才能同時制備p型管和n型管，通過摻雜工藝制備p型管和n型管需要進行擴散或離子注入，工藝過程繁瑣，復雜，曝光數(shù)目多，且制備成本較高，這使其制造成本也偏高。本實施例中像素電路的制備方法，通過采用不同材料分別形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的源漏極，能夠?qū)崿F(xiàn)通過構(gòu)圖工藝分別制備形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管，相對于現(xiàn)有的a-si晶體管、氧化物晶體管和低溫多晶硅晶體管，制備形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管無需再采用摻雜工藝，從而使p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備工藝更加簡單，進而降低了像素電路的制備成本并提高了像素電路的制備效率。

該像素電路的制備方法具體包括：

(1)玻璃基板按標準方法清洗。

(2)用濺射鍍膜沉積2200nm的鉬mo。

(3)經(jīng)過光刻，顯影，定義出柵極區(qū)域。再經(jīng)過濕法刻蝕工藝，形成開關(guān)管柵極層。在該步驟中還同時形成柵線的圖形。

(4)采用等離子體增強化學氣相沉積法(pecvd)沉積100-200nm的siox或sinx膜層，以形成開關(guān)管的柵絕緣層。

(5)在sinx或siox表面通過溶液制程(spin-coating，dip-coating等)涂布一層半導體型碳納米管薄膜。

(6)經(jīng)光刻定義出n型碳納米管開關(guān)管的有源層圖形和p型碳納米管開關(guān)管的有源層圖形，顯影后，利用光刻膠掩膜進行氧反應離子刻蝕，去除周圍部分的碳納米管膜層，形成開關(guān)管的有源層部分。

(7)然后在基板上沉積200nm的銅cu，經(jīng)光刻定義出n型碳納米管開關(guān)管的源漏極圖形，顯影后，進行濕法刻蝕工藝，完成源漏電極的圖案化。在該步驟中還同時形成數(shù)據(jù)線的圖形。

(8)然后在基板上沉積200nm的鉛pb，經(jīng)光刻定義出p型碳納米管開關(guān)管的源漏極圖形，顯影后，進行濕法刻蝕工藝，完成源漏電極的圖案化。在該步驟中還同時形成數(shù)據(jù)線的圖形。

(9)通過等離子體增強化學氣相沉積法(pecvd)沉積300nmsinx形成表面鈍化層膜，經(jīng)過刻蝕去除多余的鈍化層膜，以形成鈍化層的圖形。

(10)再通過濺射工藝沉積135nm的ito，最后經(jīng)過光刻，顯影，刻蝕，形成子像素的圖形。

實施例2：

本實施例提供一種像素電路，與實施例1不同的是，如圖4所示，奇數(shù)行子像素1中，第二子像素12為奇數(shù)個子像素1，第一子像素11為偶數(shù)個子像素1；偶數(shù)行子像素1中，第一子像素11為奇數(shù)個子像素1，第二子像素12為偶數(shù)個子像素1。

本實施例中像素電路的其他結(jié)構(gòu)與實施例1中相同，此處不再贅述。

如圖5所示，由于n型碳納米管開關(guān)管22在其柵極輸入高電平信號時開啟，并在其柵極輸入低電平信號時關(guān)閉；p型碳納米管開關(guān)管21在其柵極輸入低電平信號時開啟，并在其柵極輸入高電平信號時關(guān)閉；因此，當對應連接奇數(shù)行子像素1的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管22開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，該行中的第一子像素11在n型碳納米管開關(guān)管22的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接奇數(shù)行子像素1的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管21開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素12在p型碳納米管開關(guān)管21的驅(qū)動下進行顯示。相應地，當對應連接偶數(shù)行子像素1的柵線3輸入高電平信號時，該行中的n型碳納米管開關(guān)管22開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入高于公共電壓的正電壓，該行中的第一子像素11在n型碳納米管開關(guān)管22的驅(qū)動下進行顯示；當對應連接偶數(shù)行子像素1的柵線3輸入低電平信號時，該行中的p型碳納米管開關(guān)管21開啟，此時，數(shù)據(jù)線4上輸入低于公共電壓的負電壓，該行中的第二子像素12在p型碳納米管開關(guān)管21的驅(qū)動下進行顯示。如此便實現(xiàn)了該像素電路在列驅(qū)動方式下的點反轉(zhuǎn)驅(qū)動效果，從而提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果。

相應地，本實施例中像素電路的驅(qū)動方法中，奇數(shù)行中的偶數(shù)個子像素和偶數(shù)行中的奇數(shù)個子像素在正向驅(qū)動階段驅(qū)動；奇數(shù)行中的奇數(shù)個子像素和偶數(shù)行中的偶數(shù)個子像素在負向驅(qū)動階段驅(qū)動。

本實施例中像素電路的驅(qū)動方法其他部分和制備方法均與實施例1中相同，此處不再贅述。

實施例1-2的有益效果：實施例1-2所提供的像素電路，通過使子像素組中的第一子像素和第二子像素分別連接n型碳納米管開關(guān)管和p型碳納米管開關(guān)管，能夠在每行子像素連接一條柵線、且相鄰兩列子像素連接一條數(shù)據(jù)線的情況下實現(xiàn)像素電路的驅(qū)動，相對于現(xiàn)有的像素電路，該像素電路能在不增加數(shù)據(jù)線數(shù)量的情況下使柵線的數(shù)量減半，從而降低了該像素電路的制備和運行成本；另外，該像素電路能夠在列驅(qū)動方式下實現(xiàn)點反轉(zhuǎn)的驅(qū)動效果，提升了采用該像素電路的顯示裝置的顯示效果；同時，采用碳納米管開關(guān)管的像素電路通過使制備形成p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的源漏極的材料不同，通過簡單的構(gòu)圖工藝就能實現(xiàn)p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備，無需進行摻雜工藝，因此使p型碳納米管開關(guān)管和n型碳納米管開關(guān)管的制備工藝更加簡單，從而降低了像素電路的制備成本并提高了像素電路的制備效率。

實施例3：

本實施例提供一種顯示裝置，包括實施例1或2中的像素電路。

通過采用實施例1或2中的像素電路，降低了該顯示裝置的制備和運行成本，提升了該顯示裝置的顯示效果，同時還簡化了該顯示裝置的制備復雜度，提高了其制備效率。

本發(fā)明所提供的顯示面板可以為液晶面板、液晶電視、oled面板、oled電視、顯示器、手機、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。