本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種像素電路的電流檢測方法、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的不斷發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)憑借其亮度高、驅(qū)動電壓低、節(jié)能等優(yōu)勢得到了快速的發(fā)展。

通常，在有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中，需要通過像素電路對發(fā)光元件(如OLED)進(jìn)行驅(qū)動控制。常用的像素電路如圖1所示，包括一個開關(guān)管T1、一個存儲電容C1以及一個驅(qū)動晶體管T2，當(dāng)開關(guān)管T1響應(yīng)于掃描線的掃描信號S1，將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號Vdata輸入到節(jié)點(diǎn)N1，對存儲電容C1進(jìn)行充電。然后驅(qū)動晶體管T2根據(jù)存儲電容C1的電壓，調(diào)整驅(qū)動電流，進(jìn)而控制發(fā)光元件發(fā)光。

然而，由于工藝以及驅(qū)動晶體管老化等原因，會導(dǎo)致像素電路中驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth發(fā)生漂移，使得發(fā)光元件上的驅(qū)動電流大小不同，進(jìn)而會出現(xiàn)顯示裝置上的顯示亮度不均勻、畫面均一性差的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種像素電路的電流檢測方法、顯示面板以及顯示裝置，通過采集驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流以及發(fā)光元件的補(bǔ)償電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth以及發(fā)光元件OLED老化的雙重補(bǔ)償，避免了顯示亮度不均勻、顯示畫面均一性差的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種像素電路的電流檢測方法，其中，所述像素電路包括：

發(fā)光元件；

驅(qū)動晶體管，用于驅(qū)動所述發(fā)光元件；

第一開關(guān)管，用于響應(yīng)于所述掃描線的掃描信號，將相應(yīng)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號提供給所述驅(qū)動晶體管的柵極；

第二開關(guān)管，用于響應(yīng)于另一條所述掃描線的掃描信號，將相應(yīng)參考線的參考信號提供給所述驅(qū)動晶體管的源極；

存儲電容，用于存儲所述驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間的電壓，并將充電后的電壓作為所述驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電壓；

所述電流檢測方法包括：

第一偵測時段，開啟所述第一開關(guān)管以及所述第二開關(guān)管，所述數(shù)據(jù)線輸入第一數(shù)據(jù)電壓信號，所述參考線輸入第一參考電壓信號；

第二偵測時段，關(guān)閉所述第一開關(guān)管，開啟所述第二開關(guān)管，獲取所述參考線上的第一檢測電流；

第三偵測時段，開啟所述第一開關(guān)管，關(guān)閉所述第二開關(guān)管，所述數(shù)據(jù)線輸入第二數(shù)據(jù)電壓信號；

第四偵測時段，關(guān)閉所述第一開關(guān)管，開啟所述第二開關(guān)管，獲取所述參考線上的第二檢測電流。

另一方面，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括：

呈陣列排布的像素單元，所述像素單元包括上述像素電路；

多條數(shù)據(jù)線，用于為所述像素單元提供數(shù)據(jù)信號；

多條掃描線，用于為所述像素單元提供掃描信號；

多條參考線，用于為所述像素單元提供參考信號；

其中，所述顯示面板應(yīng)用于上述的像素電路的電流檢測方法。

又一方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括前述的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明所提供的像素電路的電流檢測方法，通過控制第一開關(guān)管以及第二開關(guān)管的開啟和關(guān)斷的狀態(tài)，采集驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流以及發(fā)光元件的電流，實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth以及發(fā)光元件OLED老化的雙重補(bǔ)償，補(bǔ)償了像素間的亮度差，避免了顯示亮度不均勻、顯示畫面均一性差的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中常用的像素電路的電路原理圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路的電流檢測方法的開關(guān)控制時序圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路某時段的電流走向示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路又一時段的電流走向示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路又一時段的電流走向示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路又一時段的電流走向示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路又一時段的電流走向示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路又一時段的電流走向示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的又一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的又一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

發(fā)明人考慮到，由于工藝以及驅(qū)動晶體管老化等原因，會導(dǎo)致像素電路中驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth發(fā)生漂移，使得發(fā)光元件上的驅(qū)動電流大小不同，進(jìn)而會出現(xiàn)顯示裝置上的顯示亮度不均勻、畫面均一性差的問題。因此，本實(shí)施例提供了一種像素電路的電流檢測方法，通過檢測像素的驅(qū)動電流，對驅(qū)動電流進(jìn)行補(bǔ)償，避免了顯示亮度不均勻、顯示畫面均一性差的問題。

請參閱圖2，圖2為本實(shí)施例提供的電流檢測方法所基于的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖，該像素電路包括：發(fā)光元件OLED、驅(qū)動晶體管T2、第一開關(guān)管T1、第二開關(guān)管T3以及存儲電容C1。

具體的，該像素電路中各器件的連接關(guān)系為：

第一開關(guān)管T1的漏極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線data相連，柵極與對應(yīng)的掃描線S1相連，源極分別與存儲電容C1的第一端以及驅(qū)動晶體管T2的控制端相連，且其公共連接端作為第一節(jié)點(diǎn)N1。

驅(qū)動晶體管T2的漏極接第一電壓信號PVDD，源極分別與存儲電容C1的第二端、發(fā)光元件OLED的陽極以及第二開關(guān)管T3的漏極相連，且公共連接端作為第二節(jié)點(diǎn)N2，發(fā)光元件OLED的陰極接第二電壓信號PVEE。

第二開關(guān)管T3的柵極與對應(yīng)的掃描線S2相連，源極與相應(yīng)的參考線ref相連。

結(jié)合上述像素電路中器件的連接關(guān)系，其電路原理為：

在第一偵測時段，第一開關(guān)管T1響應(yīng)于掃描線S1的掃描信號，將相應(yīng)數(shù)據(jù)線data的數(shù)據(jù)信號Vdata提供給驅(qū)動晶體管T2的柵極，即圖中第一節(jié)點(diǎn)N1處，對存儲電容C1充電。第二開關(guān)管T3響應(yīng)于另一條掃描線S2的掃描信號，將相應(yīng)參考線ref的參考信號Vref提供給驅(qū)動晶體管T2的源極，即圖中第二節(jié)點(diǎn)N2處，對發(fā)光元件OLED進(jìn)行陽極復(fù)位。

存儲電容C1用于存儲驅(qū)動晶體管T2的柵極和源極之間的電壓，即節(jié)點(diǎn)N1和節(jié)點(diǎn)N2之間的電壓之差，并將充電后的電壓作為驅(qū)動晶體管T2的驅(qū)動電壓Vgs，此時，Vgs＝Vdata-Vref。當(dāng)存儲電容C1上的充電電壓(Vdata-Vref)高于驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth時，驅(qū)動晶體管T2通過第二節(jié)點(diǎn)N2，將與存儲電容C1存儲的驅(qū)動電壓Vgs成正比的電流供給發(fā)光元件OLED，從而使發(fā)光元件OLED發(fā)光。

在第二偵測時段，第二開關(guān)管T3用作驅(qū)動晶體管T2和參考線ref之間的輸出路徑。此時，驅(qū)動晶體管T2將與存儲電容C1存儲的驅(qū)動電壓Vgs成正比的電流供給第二節(jié)點(diǎn)N2，并通過第二開關(guān)管T3輸出至參考線ref，由與參考線ref相連的數(shù)據(jù)驅(qū)動器采集。

具體的，如圖3所示，圖3為本實(shí)施例提供的一種電流檢測方法的開關(guān)控制時序圖，該電流檢測方法包括：

在第一偵測時段T4，掃描線S1以及掃描線S2的掃描信號均為高電平，開啟第一開關(guān)管T1以及第二開關(guān)管T3，所述數(shù)據(jù)線輸入第一數(shù)據(jù)電壓信號V1，所述參考線輸入第一參考電壓信號VA，電壓信號走向如圖4中箭頭指向所示，此時，第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓為V1，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為VA，對存儲電容C1進(jìn)行充電，當(dāng)存儲電容C1充電至高于驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth的電壓后，驅(qū)動晶體管T2導(dǎo)通。此時，驅(qū)動晶體管T2通過第二節(jié)點(diǎn)N2，將與存儲電容C1存儲的驅(qū)動電壓Vgs成正比的電流供給發(fā)光元件OLED，從而使發(fā)光元件OLED發(fā)光。

在第二偵測時段T5，掃描線S1的掃描信號為低電平，掃描線S2的掃描信號為高電平，則此時，關(guān)閉所述第一開關(guān)管T1，開啟所述第二開關(guān)管T3，如圖5所示，獲取所述參考線ref上的第一檢測電流Ids1。

需要說明的是，在本偵測時段，數(shù)據(jù)驅(qū)動器采集到的第一檢測電流Ids1為表征該像素的驅(qū)動晶體管T2的特性的像素電流。具體的，隨著存儲電容C1的放電，參考線ref上的電壓從Vref開始按照與驅(qū)動晶體管T2的像素電流成正比的增加。隨著參考線ref的電壓增加，當(dāng)存儲電容C1的驅(qū)動電壓Vgs達(dá)到驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth時，參考線ref上的電壓達(dá)到飽和值，該飽和值為數(shù)據(jù)線data上的數(shù)據(jù)電壓Vdata和驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth的差。此時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器獲取參考線ref上的電壓達(dá)到飽和值時的像素電流為第一檢測電流Ids1。

可見，在第二偵測時段T5，數(shù)據(jù)驅(qū)動器獲取了當(dāng)前參考線ref上的飽和電壓的值Vb，而該飽和電壓Vb＝Vdata-Vth。因此，在確定了飽和電壓Vb和數(shù)據(jù)電壓Vdata后，能夠計算出驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth。即獲取了參考線ref的飽和電壓Vb就能夠計算得到代表驅(qū)動晶體管特性的閾值電壓Vth。

在本方案中，數(shù)據(jù)電壓Vdata為數(shù)據(jù)線data輸入的定值V1，則驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth為V1-Vb。

在獲取了驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth之后，根據(jù)驅(qū)動晶體管的電流的函數(shù)可以感測出代表驅(qū)動晶體管T2的特性的遷移率。具體為，根據(jù)公式I＝0.5Cox*u*W/L*(Vgs-Vth)²，計算得到遷移率u的大小。其中，I為驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流，Cox為單位面積柵氧化層電容，u為遷移率，W為驅(qū)動晶體管的柵極寬度，L為驅(qū)動晶體管的溝道長度，Vgs為驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間的電壓差，Vth為驅(qū)動晶體管的閾值電壓。

結(jié)合公式，在第二偵測時段T5，數(shù)據(jù)驅(qū)動器獲取了參考線ref上的電壓達(dá)到飽和值時的像素電流Ids1，以及驅(qū)動晶體管T2的閾值電壓Vth，而，此時，驅(qū)動晶體管T2的柵極和源極之間的電壓差Vgs＝Vdata-Vref，其中，Vdata等于V1，Vref等于VA，又因?yàn)閱挝幻娣e柵氧化層電容Cox、驅(qū)動晶體管的柵極寬度以及驅(qū)動晶體管的溝道長度L這三個參數(shù)為定值，因此，根據(jù)公式能夠得出唯一變量u的值，即實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的遷移率的感測。

需要說明的是，通過上述實(shí)施例，可以感測出驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth。對于顯示裝置包括多個像素，每個像素對應(yīng)一個驅(qū)動晶體管的情況，只要保證顯示裝置的所有驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth相同，則在驅(qū)動晶體管上加載相同的電壓時，發(fā)光元件上的驅(qū)動電流也相同，進(jìn)而使得顯示裝置上的顯示亮度也相同。

因此，本方案在感測到每個像素的驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth之后，由數(shù)據(jù)驅(qū)動器對該閾值電壓Vth進(jìn)行補(bǔ)償，使得所有驅(qū)動晶體管的補(bǔ)償后的閾值電壓相同。例如，一個顯示裝置包括100個像素，每個像素包括一個驅(qū)動晶體管，那么，通過本實(shí)施例提供的像素電路的電流檢測方法，得到100個驅(qū)動晶體管的閾值電壓，如vth1＝1v，Vth2＝1.05v，vth3＝1.1v，vth4＝1v，……vth99＝1v，vth100＝1.1v，那么，由數(shù)據(jù)驅(qū)動器進(jìn)行閾值電壓的補(bǔ)償，將所有的閾值電壓均設(shè)置成1.1v，使得同一顯示裝置的所有驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth均相同，解決了因由于工藝以及驅(qū)動晶體管老化等原因，導(dǎo)致像素電路中驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth發(fā)生漂移，出現(xiàn)的顯示裝置上的顯示亮度不均勻、畫面均一性差的問題。

然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，除了驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth會發(fā)生漂移外，發(fā)光元件在使用過程中，隨著時間也會發(fā)生老化。即，在同樣的驅(qū)動電流的情況下(驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth相同)，根據(jù)發(fā)光元件OLED的老化程度的不同，發(fā)光元件的發(fā)光亮度也不同。

基于此，本發(fā)明提供的像素電路的電流檢測方法，還包括步驟：

在第三偵測時段T6，掃描線S1的掃描信號為高電平，掃描線S2的掃描信號為低電平，則此時，開啟所述第一開關(guān)管T1，關(guān)閉所述第二開關(guān)管T3，如圖6所示，所述數(shù)據(jù)線輸入第二數(shù)據(jù)電壓信號V2，則第一節(jié)點(diǎn)N1處的電壓為V2。此時，由于掃描線S1的掃描信號為高電平，第一開關(guān)管T1導(dǎo)通，則第一節(jié)點(diǎn)N1也為高電平，使得驅(qū)動晶體管T2導(dǎo)通，第一電壓信號PVDD以及存儲電容C1上的電壓共同作用到第二節(jié)點(diǎn)N2處，調(diào)節(jié)發(fā)光電流，使得發(fā)光元件OLED發(fā)光，此時，第二節(jié)點(diǎn)N2處的電壓為發(fā)光元件OLED上的電壓Voled。

在第四偵測時段T7，掃描線S1的掃描信號為低電平，掃描線S2的掃描信號為高電平，則此時，關(guān)閉所述第一開關(guān)管T1，開啟所述第二開關(guān)管T3，如圖7所示，獲取所述參考線ref上的第二檢測電流Ids2。

發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，為了保證顯示面板的顯示亮度相同，則需要保證在第二偵測時段T5時獲取的參考線ref上的第一檢測電流Ids1等于在第四偵測時段T7時獲取的參考線ref上的第二檢測電流Ids2。又根據(jù)驅(qū)動晶體管在工作時，其柵極與源極之間的電壓Vgs相同時，會有相同的Ids的這一特性。因此，本實(shí)施例只要保證在第一偵測時段T4和第三偵測時段T6時，驅(qū)動晶體管T2的Vgs相同即可。

從圖4和圖6中不難得出，在第一偵測時段T4時，驅(qū)動晶體管T2的柵源極電壓Vgs等于第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓與第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓的差值，即Vgs＝V1-VA。

同樣，在第三偵測時段T6時，驅(qū)動晶體管T2的柵源極電壓Vgs等于第一節(jié)點(diǎn)N1的電壓與第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓的差值，即Vgs＝V2-Voled。

那么，根據(jù)發(fā)明人的前述實(shí)驗(yàn)結(jié)果所得到的理論，只要保證V1-VA＝V2-Voled，就能保證在不同的偵測時段，發(fā)光元件OLED上的驅(qū)動電流值相同，進(jìn)而發(fā)光元件OLED的亮度相同，從根本上解決了發(fā)光元件OLED老化帶來的顯示面板顯示亮度不均勻的問題。

由于V1和VA為預(yù)先設(shè)定的電壓信號值，則本實(shí)施例中，只需要隨時調(diào)整V2的值，即可使Ids2等于Ids1。因此，結(jié)合圖3，本實(shí)施例提供的電流檢測方法，還包括補(bǔ)償計算時段T8。

在補(bǔ)償計算時段T8時，掃描線S1的掃描信號以及掃描線S2的掃描信號均為低電平，則此時關(guān)閉所述第一開關(guān)管T1以及所述第二開關(guān)管T3?？刂茊卧鶕?jù)之前檢測到的第一檢測電流Ids1以及所述第二檢測電流Ids2計算得到補(bǔ)償數(shù)據(jù)電壓信號。

具體的，在上述實(shí)施例中，可以通過數(shù)據(jù)驅(qū)動器獲取參考線ref上的第一檢測電流Ids1，如上文所述，該第一檢測電流為參考線ref上的電壓達(dá)到飽和值時的像素電流。那么，本實(shí)施例只需通過調(diào)整數(shù)據(jù)線data輸入的電壓V2的值，獲取當(dāng)?shù)诙z測電流Ids2等于之前獲取的Ids1的值時的電壓值為補(bǔ)償后的電壓Vdata2。

即此時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器獲取了T6時段的輸入電壓Vdata2，而結(jié)合發(fā)明人得出的上述公式，當(dāng)?shù)诙z測電流等于第一檢測電流時，存在發(fā)光元件OLED上的電壓值Voled＝V2+VA-V1，其中，VA為所述第一參考電壓信號的值，V1為所述第一數(shù)據(jù)電壓信號的值，此時，V2為所述第二數(shù)據(jù)電壓信號的值Vdata2。則，采用本實(shí)施例提供的電流檢測方法，得到了發(fā)光元件OLED的當(dāng)前電壓值Voled。

結(jié)合上文得到了該時段發(fā)光元件OLED上的驅(qū)動電流Ids2，那么，根據(jù)實(shí)驗(yàn)得到的有機(jī)發(fā)光二極管OLED器件的電流-電壓-亮度(IVL)函數(shù)關(guān)系，查找獲得該發(fā)光元件在電壓為Voled以及當(dāng)前的第二檢測電流Ids2的情況下的補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將該補(bǔ)償數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)寫入階段輸入至第一節(jié)點(diǎn)N1處。

如，OLED在未老化的情況下，在電壓為10v時，具有4000cd*m²的亮度，而，當(dāng)OLED老化時，會需要加載更多的電壓值，以保證老化后的OLED同時具有4000cd*m²的亮度。那么，本實(shí)施例中，需要補(bǔ)償?shù)碾妷簽?0V-Voled。

除此，結(jié)合圖3，本實(shí)施例提供的像素電路的電流檢測方法，在所述補(bǔ)償計算時段之后，還包括：數(shù)據(jù)寫入時段T9以及顯示階段T10。

其中，在數(shù)據(jù)寫入時段T9，掃描線S1的掃描信號為高電平，掃描線S2的掃描信號為低電平，則此時，開啟所述第一開關(guān)管T1，關(guān)閉所述第二開關(guān)管T3，如圖8所示，所述數(shù)據(jù)線data輸入所述補(bǔ)償數(shù)據(jù)電壓信號Vdata2到第一節(jié)點(diǎn)N1處。

在顯示階段T10，掃描線S1的掃描信號以及掃描線S2的掃描信號均為低電平，則此時，如圖9所示，關(guān)閉所述第一開關(guān)管T1以及所述第二開關(guān)管T3，發(fā)光元件OLED上有電流，進(jìn)而發(fā)光。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例提供的電流檢測方法在所述第一偵測時段T4之前，還包括三個時間階段，具體為：

初始化時段T1，此時，開啟所述第一開關(guān)管T1以及所述第二開關(guān)管T3，使所述驅(qū)動晶體管T2的柵極和源極分別接收相應(yīng)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號以及參考線的參考信號。

預(yù)充電時段T2，此時，開啟所述第一開關(guān)管，關(guān)閉所述第二開關(guān)管，利用預(yù)充電電壓對所述參考線進(jìn)行預(yù)充電。

放電時段T3，此時，開啟所述第一開關(guān)管以及所述第二開關(guān)管，使所述驅(qū)動晶體管的像素電流流向所述參考線。

需要說明的是，這三個時間階段是偵測閾值階段，是像素電路的基本工作原理，目的是為了對發(fā)光元件的陽極進(jìn)行復(fù)位，并通過數(shù)據(jù)線寫入數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)像素的發(fā)光。

綜上，可見，本實(shí)施例提供的像素電路的電流檢測方法，實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth以及發(fā)光元件OLED老化的雙重補(bǔ)償，補(bǔ)償了像素間的亮度差。

可選的，如圖10所示，本實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括：呈陣列排布的像素單元10、多條數(shù)據(jù)線data1-datan、多條掃描線S1-Sn以及多條參考線ref1-refn。

其中，每個像素單元包括上述實(shí)施例中的像素電路，且多條數(shù)據(jù)線用于為所述像素單元提供數(shù)據(jù)信號，多條掃描線用于為所述像素單元提供掃描信號，多條參考線用于為所述像素單元提供參考信號。并且，本實(shí)施例提供的顯示面板通過上述實(shí)施例中的電流檢測方法進(jìn)行電流的檢測。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例還提供了一種顯示面板的排布方式，如圖11所示，在像素行方向上，相鄰的兩個像素單元共用一條所述參考線。具體的，像素單元101和像素單元102中的第二開關(guān)管T3的源極均與參考線ref1相連，這樣的設(shè)置能夠減少參考線的設(shè)置數(shù)量。

需要說明的是，在共用參考線的實(shí)施例中，在使用上述實(shí)施例提供的像素電路的電流檢測方法時，需要將共用參考線的其中一個像素關(guān)閉，然后采集另外一個像素的電流，如，圖11中，參考線ref1在采集像素單元101的驅(qū)動電流時，需要通過數(shù)據(jù)線S1控制像素單元102中的開關(guān)管T1關(guān)閉。同理，當(dāng)需要采集像素單元102的驅(qū)動電流時，需要通過數(shù)據(jù)線S1控制像素單元101中的開關(guān)管T1關(guān)閉。

優(yōu)選的，共用一條所述參考線ref1的兩個像素單元位于兩條相鄰數(shù)據(jù)線之間的共用的所述參考線的兩側(cè)，且分別與這兩條數(shù)據(jù)線相連。即圖中，像素單元101與像素單元102位于共用參考線ref1的兩側(cè)，像素單元101中的第一開關(guān)管T1的漏極接數(shù)據(jù)線data1，像素單元102中的第一開關(guān)管T1的漏極接數(shù)據(jù)線data2。

除此，本實(shí)施例還它可以設(shè)置成：共用一條所述參考線的兩個像素單元的第一開關(guān)管均與第一掃描線相連，共用一條參考線的兩個像素單元的第二開關(guān)管均與第二掃描線相連，如圖11中，像素單元101的第一開關(guān)管T1的柵極以及像素單元102中第一開關(guān)管T1的柵極均連第一掃描線S1，同時，像素單元101的第二開關(guān)管T3的柵極以及像素單元102中第二開關(guān)管T3的柵極均連第二掃描線S2。

當(dāng)然，上述實(shí)施例為優(yōu)選的實(shí)施例，本實(shí)施例還可以不限定掃描線是否共用，如圖12所示，像素單元101的第一開關(guān)管T1的柵極連第一掃描線S1，像素單元101的第二開關(guān)管T3的柵極連第二掃描線S2。像素單元102的第一開關(guān)管T1的柵極連第三掃描線S3，像素單元102的第二開關(guān)管T3的柵極連第四掃描線S4。

可選的，本實(shí)施例提供的顯示面板還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動器用于為共用一條參考線的兩個像素單元中的一個像素單元提供數(shù)據(jù)信號，為兩個像素單元中的另一個像素單元提供黑色數(shù)據(jù)或關(guān)斷電壓，以使共用一條參考線的兩個像素單元不同時驅(qū)動。即，參閱圖11，數(shù)據(jù)驅(qū)動器用于產(chǎn)生data1以及data2兩個數(shù)據(jù)信號，其中，當(dāng)data1為有效數(shù)據(jù)信號時，data2為黑色數(shù)據(jù)或關(guān)斷數(shù)據(jù)，保證像素單元101在工作時，像素單元102關(guān)斷不工作。

需要說明的是，在本實(shí)施例中，驅(qū)動晶體管T2、第一開關(guān)管T1以及第二開關(guān)管T3均為N型晶體管，當(dāng)然，也可以均為P型晶體管，但由于N型晶體管的導(dǎo)通電阻小且成本低，因此本實(shí)施例優(yōu)先選用N型晶體管。

本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，應(yīng)用了上述的顯示面板。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種像素電路的電流檢測方法，以及使用該方法的顯示面板以及顯示裝置，實(shí)現(xiàn)了對驅(qū)動晶體管的閾值電壓Vth以及發(fā)光元件OLED老化的雙重補(bǔ)償，補(bǔ)償了像素間的亮度差，避免了顯示亮度不均勻、顯示畫面均一性差的問題。

本說明書中各個實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。