本發(fā)明關(guān)于液晶顯示設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管依背板工藝技術(shù)可區(qū)分為P-type及N-type驅(qū)動(dòng)型式。圖1為現(xiàn)有2T1C(two transistors one capacitor)的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路，其是搭配一般(Normal)OLED組件。P-type驅(qū)動(dòng)晶體管大都應(yīng)用低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon、LTPS)背板技術(shù)。

P-type驅(qū)動(dòng)晶體管PTFT_dri的柵源極電壓(Vgs)所對(duì)應(yīng)的電壓為數(shù)據(jù)電位及高電位ELVDD的電壓，其中高電位ELVDD為一固定相對(duì)高電位。對(duì)于現(xiàn)有P-type驅(qū)動(dòng)晶體管PTFT_dri而言，其會(huì)有驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓偏移(threshold voltage deviation)的現(xiàn)象。也即，LTPS的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓(threshold voltage，Vt)因多晶結(jié)晶工藝，容易造成區(qū)域性的Vt變異。也即對(duì)兩個(gè)尺寸相同的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管而言，當(dāng)輸入同等驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，卻無(wú)法輸出相同的電流，而造成亮度不均勻(mura)或均勻性不佳的問(wèn)題。因此需對(duì)P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的臨界電壓(Vt)進(jìn)行電壓補(bǔ)償。

由于進(jìn)行電壓補(bǔ)償時(shí)，會(huì)使用多顆晶體管，導(dǎo)致電流消耗增加。而于高分辨率應(yīng)用時(shí)(例如：FHD_1080RGB*1920、QHD_1440RGB*2560)，可能因驅(qū)動(dòng)電路過(guò)多，而導(dǎo)致電流消耗過(guò)大，進(jìn)而影響手持式裝置的使用時(shí)間。因此，現(xiàn)有的像素驅(qū)動(dòng)電路仍有可以改善的空間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的主要是在提供一具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路，其于一驅(qū)動(dòng)電流單元上的晶體管使用低溫多晶硅晶體管。低溫多晶硅晶體管于導(dǎo)通時(shí)可提供較大的電流，具有較大的驅(qū)動(dòng)能力，以驅(qū)動(dòng)一有機(jī)發(fā)光二極管。同時(shí)于一重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路中，部分晶體管改用氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提供較低的漏電流，如此可消除驅(qū)動(dòng)電流單元上的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制端的電壓變動(dòng)，進(jìn)而使該驅(qū)動(dòng)晶體管可提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流至一有機(jī)發(fā)光二極管，而可改善現(xiàn)有技術(shù)亮度不均勻或均勻性不佳的問(wèn)題。同時(shí)本發(fā)明提出兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的部分晶體管共享的架構(gòu)，如此可大量減少晶體管的數(shù)目。

為達(dá)成前述的目的，本發(fā)明提出一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路，包括一驅(qū)動(dòng)電流單元、及一重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路。該驅(qū)動(dòng)電流單元包含一第一晶體管及一第二晶體管，其中，該第一晶體管及該第二晶體管為低溫多晶硅晶體管。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路，耦合至該驅(qū)動(dòng)電流單元，該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路包含一第三晶體管，該第三晶體管連接至該第一晶體管的一控制端，其中，該第三晶體管為一氧化物半導(dǎo)體晶體管。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有2T1C的P-type驅(qū)動(dòng)晶體管的像素電路的示意圖；

圖2是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的方塊圖；

圖3是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的一實(shí)施例的電路圖；

圖4是本發(fā)明的圖3的運(yùn)作示意圖；

圖5是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的另一實(shí)施例的電路圖；

圖6是本發(fā)明的圖5的運(yùn)作示意圖；

圖7是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的再一實(shí)施例的電路圖；

圖8是本發(fā)明的圖7的運(yùn)作示意圖；

圖9是低溫多晶硅晶體管、氧化物半導(dǎo)體晶體管、及非晶硅晶體管于導(dǎo)通及關(guān)閉時(shí)的電流的示意圖；

圖10是對(duì)本發(fā)明圖3、圖5、圖7中電路仿真結(jié)果的示意圖；

圖11是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的又一實(shí)施例的電路圖；

圖12是本發(fā)明的圖11的運(yùn)作示意圖；

圖13是本發(fā)明的圖5中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的兩個(gè)實(shí)施例的電路圖；

圖14是本發(fā)明圖13部分晶體管的剖面示意圖；

圖15是本發(fā)明的圖7中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的兩個(gè)實(shí)施例的電路圖；

圖16至圖20是本發(fā)明的圖5中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用的示意圖。

【符號(hào)說(shuō)明】

驅(qū)動(dòng)晶體管PTFT_dri

具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200

驅(qū)動(dòng)電流單元210 重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220

第一晶體管(T1) 第二晶體管(T2)

第三晶體管(T3) 控制端(g)

第一電容(Cst) 第四晶體管(T4)

第五晶體管(T5) 第六晶體管(T6)

高電位(PLVDD) 第一端(a)

第二端(b) 重置信號(hào)(RST)

參考信號(hào)(REF) 第一控制信號(hào)(SN)

有機(jī)發(fā)光二極管(D1) 第二控制信號(hào)(EM1)

數(shù)據(jù)線(Data) 高電位(PLVDD)

低電位(PLVSS)

控制低電位(VSS) 控制高電位(VDD)

第一控制信號(hào)(EM) 第二控制信號(hào)(SN)

第一參考信號(hào)(REFN) 第三控制信號(hào)(SN2)

第二參考信號(hào)(REFS) 重置信號(hào)(RST)

電容(Cst) 第一控制信號(hào)(EM)

第二控制信號(hào)(SCAN1) 重置信號(hào)(RST)

第三控制信號(hào)(Dis) 第一參考信號(hào)(REF)

第四控制信號(hào)(SCAN2)

第一電容(Cst) 第二電容(C2)

第七晶體管(T7)

第一控制信號(hào)(G4) 第二控制信號(hào)(G1)

第三控制信號(hào)(G3) 第四控制信號(hào)(G2)

第五控制信號(hào)(G5)

第二電容(C1) 重置周期(P1)

補(bǔ)償周期(P2) 第一時(shí)段(P21)

第二時(shí)段(P22) 發(fā)光周期(P3)

第一時(shí)段(P31) 第二時(shí)段(P32)

具體實(shí)施方式

圖2是本發(fā)明的一種具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的方塊圖，如圖2所示，該驅(qū)動(dòng)電路200包括有一驅(qū)動(dòng)電流單元210、及一重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220，其用以驅(qū)動(dòng)一有機(jī)發(fā)光二極管(D1)。該驅(qū)動(dòng)電流單元210至少包含一第一晶體管(T1)及一第二晶體管(T2)，其中，該第一晶體管(T1)及該第二晶體管(T2)為低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon、LTPS)晶體管。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220耦合至該驅(qū)動(dòng)電流單元210，該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220至少包含一第三晶體管(T3)。該第三晶體管(T3)連接至該第一晶體管(T1)的一控制端(g)，其中，該第三晶體管(T3)為一氧化物半導(dǎo)體晶體管。該氧化物半導(dǎo)體晶體管可為一氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide、IGZO)晶體管。

圖3是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的電路圖，其中，該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220包含一第一電容(Cst)、該第三晶體管(T3)、一第四晶體管(T4)及一第五晶體管(T5)。該驅(qū)動(dòng)電流單元210包含該第一晶體管(T1)、該第二晶體管(T2)及一第六晶體管(T6)。該第一電容(Cst)一端連接至一高電位(PLVDD)，其另一端連接至該第一晶體管(T1)的該控制端(g)、該第三晶體管(T3)的一第一端(a)及該第四晶體管(T4)的一第一端(a)。

該第四晶體管(T4)的一控制端(g)連接至一重置信號(hào)(RST)，該第四晶體管(T4)的一第二端(b)連接至一參考信號(hào)(REF)。在本發(fā)明中，第一端(a)和第二端(b)可以是晶體管的漏極(Drain)和源極(Source)或是晶體管的源極(Source)和漏極(Drain)。如果該晶體管被用來(lái)為一個(gè)MOS開(kāi)關(guān)，第一端(a)和第二端(b)可以互換。

該第三晶體管(T3)的一第二端(b)連接該第一晶體管(T1)的一第二端(b)及該第二晶體管(T2)的一第一端(a)，該第三晶體管(T3)的一控制端(G)連接至一第一控制信號(hào)(SN)。該第二晶體管(T2)的一第二端(b)連接至一有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的一端，該第二晶體管(T2)的一控制端(g)連接至一第二控制信號(hào)(EM1)。該第五晶體管(T5)的一第一端(a)連接至一數(shù)據(jù)線(Data)，該第五晶體管(T5)的一第二端(b)連接至該第一晶體管(T1)的一第一端(a)及該第六晶體管(T6)的一第二端(b)。該第六晶體管(T6)的一第一端(a)連接至該高電位(PLVDD)，該第六晶體管(T6)的一控制端(g)連接至該第二控制信號(hào)(EM1)。該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的另一端連接至一低電位(PLVSS)。其中，該第四晶體管(T4)為一氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二晶體管(T2)及該第六晶體管(T6)為一低溫多晶硅(LTPS)晶體管，該第五晶體管(T5)可為一氧化物半導(dǎo)體晶體管或一低溫多晶硅(LTPS)晶體管。

圖4是本發(fā)明的圖3的運(yùn)作示意圖。于圖4中，其繪示驅(qū)動(dòng)電路200的時(shí)序、各個(gè)晶體管的開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)、及該第一晶體管(T1)的節(jié)點(diǎn)的電壓。

于一重置周期時(shí)，該重置信號(hào)(RST)為一控制低電位(VSS)、第二控制信號(hào)(SN)為一控制高電位(VDD)、第一控制信號(hào)(EM1)為一控制高電位(VDD)。該控制高電位(VDD)的電壓電平可相同于該高電位PLVDD的電壓電平，也可異于該高電位PLVDD的電壓電平。該控制低電位(VSS)的電壓電平可相同于該低電位PLVSS的電壓電平，也可異于該低電位PLVSS的電壓電平。

于該重置周期時(shí)，該第二晶體管(T2)、該第三晶體管(T3)、該第五晶體管(T5)及該第六晶體管(T6)關(guān)閉，該第一晶體管(T1)及該第四晶體管(T4)導(dǎo)通，因此該第一晶體管(T1)的控制端(g)被重置，其上的電壓為參考信號(hào)(REF)。由于該第六晶體管(T6)關(guān)閉，因此該第一晶體管(T1)的該第一端(a)懸浮(floating)。

于一補(bǔ)償周期時(shí)，該重置信號(hào)(RST)為控制高電位(VDD)、第二控制信號(hào)(SN)為控制低電位(VSS)、第一控制信號(hào)(EM1)為控制高電位(VDD)。該第二晶體管(T2)、該第四晶體管(T4)及該第六晶體管(T6)關(guān)閉，該第一晶體管(T1)、該第三晶體管(T3)、及該第五晶體管(T5)導(dǎo)通。數(shù)據(jù)在線的信號(hào)經(jīng)由該第五晶體管(T5)、該第一晶體管(T1)、及該第三晶體管(T3)而傳送至該第一晶體管(T1)的控制端(g)，因此該第一晶體管(T1)的控制端(g)的電壓為Vdata+|Vtp|，該第一晶體管(T1)的第一端(a)的電壓為Vdata，其中，Vdata為數(shù)據(jù)在線的信號(hào)的電壓，Vtp為該第一晶體管(T1)的臨界電壓(threshold voltage，Vtp)。

于一發(fā)光周期時(shí)，該重置信號(hào)(RST)為控制高電位(VDD)、第二控制信號(hào)(SN)為控制高電位(VDD)、第一控制信號(hào)(EM1)為控制低電位(VSS)。該第三晶體管(T3)、該第四晶體管(T4)及該第五晶體管(T5)關(guān)閉，該第一晶體管(T1)、第二晶體管(T2)、及該第六晶體管(T6)導(dǎo)通。該高電位PLVDD的電流經(jīng)由該第六晶體管(T6)、該第一晶體管(T1)、及該第二晶體管(T2)而流經(jīng)該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)。由于該第三晶體管(T3)及該第四晶體管(T4)關(guān)閉，因此該第一晶體管(T1)的控制端(g)的電壓為Vdata+|Vtp|。由于該第六晶體管(T6)導(dǎo)通，該第一晶體管(T1)的第一端(a)的電壓為PLVDD。

圖5是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的電路圖。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220包含一第一電容(Cst)、該第三晶體管(T3)、一第四晶體管(T4)、一第五晶體管(T5)、及一第六晶體管(T6)。該驅(qū)動(dòng)電流單元210包含該第一晶體管(T1)及該第二晶體管(T2)。該第一晶體管(T1)的一第一端(a)連接至該高電位(PLVDD)，其一第二端(b)連接至該第二晶體管(T2)的一第一端(a)及該第三晶體管(T3)的一第一端(a)。

該第二晶體管(T2)的一第二端(b)連接至一有機(jī)發(fā)光二極管(D1)及該第四晶體管(T4)的一第二端(b)，其一控制端(g)連接至一第一控制信號(hào)(EM)。該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的另一端連接至一低電位(PLVSS)。該第三晶體管(T3)的一第二端(b)連接至該第一晶體管(T1)的一控制端(g)及該第一電容(Cst)的一端，其一控制端(g)連接至一第二控制信號(hào)(SN)。該第一電容(Cst)的另一端連接至該第五晶體管(T5)的一第二端(b)及該第六晶體管(T6)的一第一端(a)。該第五晶體管(T5)的一第一端(a)連接至一數(shù)據(jù)線(Data)，其一控制端(g)連接至該第二控制信號(hào)(SN)。該第六晶體管(T6)的一第二端(b)連接至一第一參考信號(hào)(REFN)，其一控制端(g)連接至一第三控制信號(hào)(SN2)。該第四晶體管(T4)的一第一端(a)連接至一第二參考信號(hào)(REFS)，其一控制端(g)連接至一重置信號(hào)(RST)，該第二晶體管(T2)為一低溫多晶硅(LTPS)晶體管。該第四晶體管(T4)、該第五晶體管、及該第六晶體管(T6)可為低溫多晶硅(LTPS)晶體管或是氧化物半導(dǎo)體晶體管。

圖6是本發(fā)明的圖5的運(yùn)作示意圖。于圖6中，其繪示驅(qū)動(dòng)電路200的時(shí)序、各個(gè)晶體管的開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)、及該第一晶體管(T1)的節(jié)點(diǎn)的電壓。其重置周期、補(bǔ)償周期、發(fā)光周期的運(yùn)作過(guò)程，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的描述公開(kāi)及圖4相關(guān)的公開(kāi)而可得知，故不再贅述。于圖6中，Vrefn代表該第一參考信號(hào)(REFN)的電壓，Vrefs代表該第二參考信號(hào)(REFS)的電壓，Vdata代表該數(shù)據(jù)線(Data)的電壓。

圖7是依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的電路圖。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220包含一第一電容(Cst)、該第三晶體管(T3)、一第四晶體管(T4)、一第五晶體管(T5)、及一第六晶體管(T6)。該驅(qū)動(dòng)電流單元210包含該第一晶體管(T1)及該第二晶體管(T2)。該第一晶體管(T1)的一第一端(a)連接至一高電位(PLVDD)，其一第二端(b)連接至該第二晶體管(T2)的一第一端(a)及該第三晶體管(T3)的一第一端(a)。

該第二晶體管(T2)的一第二端(b)連接至一有機(jī)發(fā)光二極管(D1)，其一控制端(g)連接至一第一控制信號(hào)(EM)。該第三晶體管(T3)的一第二端(b)連接至該第一晶體管(T1)的一控制端(g)、該第一電容(Cst)的一端及該第四晶體管(T4)的一第二端(b)，其一控制端(g)連接至一第二控制信號(hào)(SCAN1)。該第四晶體管(T4)的一第一端(a)連接至一重置信號(hào)(RST)，其一控制端(g)連接至一第三控制信號(hào)(Dis)。該第一電容(Cst)的另一端連接至及該第五晶體管(T5)的一第二端(b)及該第六晶體管(T6)的一第一端(a)。該第五晶體管的一第一端(a)連接至一第一數(shù)據(jù)線(Data)，其一控制端(g)連接至該第二控制信號(hào)(SCAN1)。該第六晶體管(T6)的一第二端(b)連接至一第一參考信號(hào)(VREF)，其一控制端(g)連接至一第四控制信號(hào)(SCAN2)，該第四晶體管(T4)為一氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第二晶體管(T2)為一低溫多晶硅(LTPS)晶體管。該第五晶體管、及該第六晶體管(T6)可為低溫多晶硅(LTPS)晶體管或是氧化物半導(dǎo)體晶體管。

圖8是本發(fā)明的圖7的運(yùn)作示意圖。于圖8中，其繪示驅(qū)動(dòng)電路200的時(shí)序、各個(gè)晶體管的開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)、及該第一晶體管(T1)的節(jié)點(diǎn)的電壓。其重置周期、補(bǔ)償周期、發(fā)光周期的運(yùn)作過(guò)程，是本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的描述公開(kāi)及圖4相關(guān)的公開(kāi)而可得知，故不再贅述。于圖8中，Vrst代表該重置信號(hào)(RST)的電壓，Vref代表該第一參考信號(hào)(REF)的電壓，Vdata代表該數(shù)據(jù)線(Data)的電壓。

圖9是低溫多晶硅(LTPS)晶體管、氧化物半導(dǎo)體晶體管、及非晶硅(a-Si)晶體管于導(dǎo)通及關(guān)閉時(shí)的電流的示意圖。如圖9所示，低溫多晶硅(LTPS)晶體管于導(dǎo)通時(shí)有較大的電流，氧化物半導(dǎo)體晶體管于關(guān)閉時(shí)，其漏電流遠(yuǎn)小于低溫多晶硅(LTPS)晶體管及非晶硅(a-Si)晶體管的漏電流。

圖10是對(duì)本發(fā)明圖3、圖5、圖7中電路仿真結(jié)果的示意圖。其顯示當(dāng)晶體管關(guān)閉時(shí)，晶體管漏電電流(Ioff)對(duì)電路操作的影響。模擬參數(shù)為：PLVDD(PVDD)為7伏特、PLVSS(PVSS)為-1伏特、電容Cst為0.1pF、Vdata為4伏特。于圖10中，連接?xùn)艠O(Contact Gate)的行(row)中，O表示該晶體管有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)、X表示該晶體管沒(méi)有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)。例如對(duì)應(yīng)第四晶體管(T4)的該行為OXO，分別表示于圖3中該第四晶體管(T4)有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)、于圖5中該第四晶體管(T4)沒(méi)有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)、于圖7中該第四晶體管(T4)有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)。于圖10中，ΔI/frame表示每一圖框顯示過(guò)程中，流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流差異，而此差異主要來(lái)自于操作電路的晶體管漏電影響。例如對(duì)應(yīng)第四晶體管(T4)的該晶體管導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光二極管電流與原先預(yù)估差異分別為+0.2u、-0.0028u、及+0.084u，分別表示圖3中該第四晶體管(T4)影響有機(jī)發(fā)光二極管電流+0.2u安培(A)，圖5中該第四晶體管(T4)影響-0.0028u安培(A)，圖7中該第四晶體管(T4)影響+0.084u安培(A)。

由圖10所示，一晶體管如果有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)，其需較低的漏電流，以消除該第一晶體管(T1)的控制端(g)的電壓變動(dòng)，進(jìn)而消除該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的電流變動(dòng)。因此，于本發(fā)明中，該驅(qū)動(dòng)電流單元210上的晶體管使用低溫多晶硅(LTPS)晶體管，LTPS晶體管于導(dǎo)通時(shí)提供較大的電流，以驅(qū)動(dòng)該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220中的晶體管若有連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)，則使用氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提供較低的漏電流，以消除該第一晶體管(T1)的控制端(g)的電壓變動(dòng)及該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的電流變動(dòng)，據(jù)以改善現(xiàn)有技術(shù)亮度不均勻(mura)或均勻性不佳的問(wèn)題。

圖11是本發(fā)明的依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的電路圖。該重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220包含一第一電容(Cst)、一第二電容(C2)、該第三晶體管(T3)、一第四晶體管(T4)、一第五晶體管(T5)及一第六晶體管(T6)，該驅(qū)動(dòng)電流單元210包含該第一晶體管(T1)、該第二晶體管(T2)及一第七晶體管(T7)。該第一晶體管(T1)的一第一端(a)連接至該第四晶體管(T4)的一第二端(b)及該第七晶體管(T7)的一第二端(b)，其一第二端(b)連接至該第二晶體管(T2)的一第一端(a)及該第三晶體管(T3)的一第一端(a)。

該第二晶體管(T2)的一第二端(b)連接至一有機(jī)發(fā)光二極管(D1)及該第六晶體管(T6)的一第一端(a)，其一控制端(g)連接至一第一控制信號(hào)(G4)。該第三晶體管(T3)的一第二端(b)連接至該第一晶體管(T1)的一控制端(g)、該第一電容(Cst)的一端、該第二電容(C2)的一端及該第五晶體管(T5)的一第一端(a)，其一控制端(g)連接至一第二控制信號(hào)(G1)及該第二電容(C2)的另一端。該第一電容(Cst)的另一端連接至一低電位。

該第四晶體管(T4)的一第一端(a)連接至一數(shù)據(jù)線(Data)，其一控制端(g)連接至該第二控制信號(hào)(G1)。該第五晶體管的一第二端(b)連接至一第三控制信號(hào)(G3)及該第六晶體管(T6)的一第二端(b)，其一控制端(g)連接至一第四控制信號(hào)(G2)。該第六晶體管(T6)的一控制端(g)連接至一第五控制信號(hào)(G5)。該第七晶體管(T7)的一第一端(a)連接至該高電位(VDD)，其一控制端(g)連接至該第一控制信號(hào)(G4)。該第五晶體管為一氧化物半導(dǎo)體晶體管，該第七晶體管(T7)為低溫多晶硅(LTPS)晶體管，該第四晶體管(T4)及該第六晶體管(T6)可為氧化物半導(dǎo)體晶體管或低溫多晶硅(LTPS)晶體管。

圖12是本發(fā)明的圖11的運(yùn)作示意圖。于圖12中，其繪示驅(qū)動(dòng)電路200的時(shí)序、各個(gè)晶體管的開(kāi)啟/關(guān)閉狀態(tài)、及該第一晶體管(T1)的節(jié)點(diǎn)的電壓。其重置周期、補(bǔ)償周期、發(fā)光周期的運(yùn)作過(guò)程，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的描述公開(kāi)及圖4相關(guān)的公開(kāi)而可得知，故不再贅述。于圖12中，Vini代表于重置周期中，由該第三控制信號(hào)(G3)寫(xiě)入信號(hào)的電壓，Vdata代表該數(shù)據(jù)線(Data)的電壓。

圖13是本發(fā)明圖5中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的二個(gè)實(shí)施例的電路圖。其中，該第二控制信號(hào)(SN)與該第三控制信號(hào)(SN2)短路。左下電路中，該第五晶體管(T5)為一P型低溫多晶硅(LTPS)晶體管且該第六晶體管(T6)為一N型氧化物半導(dǎo)體晶體管。右下電路中，該第五晶體管(T5)為一N型氧化物半導(dǎo)體晶體管且該第六晶體管(T6)為一P型低溫多晶硅(LTPS)晶體管。

圖14是本發(fā)明圖13部分晶體管的剖面示意圖。如圖14所示，其上半部是低溫多晶硅(LTPS)晶體管及氧化物半導(dǎo)體晶體管的剖面示意圖，圖14的下半部是圖13右下電路中第五晶體管(T5)及第六晶體管(T6)的剖面示意圖。如圖14所示，圖13右下電路中第五晶體管(T5)及第六晶體管(T6)可以堆棧布局(layout)，以形成三維(3-dimension、3D)的晶體管，從而可以節(jié)省布局(layout)面積。圖14中各符號(hào)是熟悉布局(layout)的技術(shù)人員依據(jù)本發(fā)明的公開(kāi)而能知悉，不再贅述。

圖15是本發(fā)明圖7中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的二個(gè)實(shí)施例的電路圖。其中，該第二控制信號(hào)(SCAN1)與該第四控制信號(hào)(SCAN2)短路。左下電路中，該第五晶體管(T5)為一P型低溫多晶硅(LTPS)晶體管且該第六晶體管(T6)為一N型氧化物半導(dǎo)體晶體管。右下電路中，該第五晶體管(T5)為一N型氧化物半導(dǎo)體晶體管且該第六晶體管(T6)為一P型低溫多晶硅(LTPS)晶體管。

圖16至圖20是本發(fā)明圖5中的具有混合晶體管的主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電路200的應(yīng)用的示意圖。如圖16所示，其還包含一第二電容(C1)，該第二電容(C1)的一端連接至該第一晶體管(T1)的該第一端(a)，其另一端連接至該第一晶體管(T1)的該控制端(g)，該第四晶體管(T4)與另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路共享。如圖16所示，于一重置周期(Period 1，P1)時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行重置操作，該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行發(fā)光操作。也即該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路于時(shí)序上為發(fā)光周期(P3)。

如圖17所示，于一補(bǔ)償周期(P2)的一第一時(shí)段(P21)，該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行補(bǔ)償操作，該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行重置操作，也即該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路于時(shí)序上為重置周期(P1)。如圖18所示，于該補(bǔ)償周期(P2)的一第二時(shí)段(P22)，該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行補(bǔ)償操作，該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行補(bǔ)償操作，也即該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路于時(shí)序上為補(bǔ)償周期(P2)的一第一時(shí)段(P21)。

如圖19所示，于一發(fā)光周期(P3)的一第一時(shí)段(P31)，該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行發(fā)光操作，該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行補(bǔ)償操作，也即該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路于時(shí)序上為補(bǔ)償周期(P2)的一第二時(shí)段(P22)。于該發(fā)光周期(P3)的一第二時(shí)段(P32)，該驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行發(fā)光操作，該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行發(fā)光操作，也即該另一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路于時(shí)序上為發(fā)光周期(P3)的一第一時(shí)段(P31)。

由圖16至圖20及相關(guān)的描述，本發(fā)明圖3、圖7、及圖11中，一驅(qū)動(dòng)電路與重置相關(guān)的晶體管可與相鄰的驅(qū)動(dòng)電路共享，如此可大量減少晶體管的數(shù)目。例如應(yīng)用高分辨率面板時(shí)，以FHD面板為例，其具有1080X1920X3＝6220800個(gè)次像素(sub-pixel)，故需6,220,800個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。如以本發(fā)明的技術(shù)，由于兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路可節(jié)省一個(gè)晶體管，故其可節(jié)省3,110,400個(gè)晶體管。

由上述說(shuō)明可知，于該驅(qū)動(dòng)電流單元210上的晶體管使用低溫多晶硅(LTPS)晶體管。LTPS晶體管于導(dǎo)通時(shí)可提供較大的電流，具有較大的驅(qū)動(dòng)能力，以驅(qū)動(dòng)該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)。同時(shí)于重置補(bǔ)償及發(fā)光控制電路220中，若有晶體管連接至該第一晶體管(T1)的控制端(g)，則將該晶體管改用氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提供較低的漏電流，如此可消除該第一晶體管(T1)的控制端(g)的電壓變動(dòng)，進(jìn)而使該第一晶體管(T1)可提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流至該有機(jī)發(fā)光二極管(D1)，而可改善現(xiàn)有技術(shù)亮度不均勻(mura)或均勻性不佳的問(wèn)題。

此外，由于本發(fā)明具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路部分晶體管共享的架構(gòu)，因此更可大量減少晶體管的數(shù)目。

上述實(shí)施例僅是為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請(qǐng)專利范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。