本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器可以將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變?yōu)榻邮胀饨绻饩€后轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔懿鬟f出去。作為最常見的CMOS圖像傳感器的檢測(cè)電路，有源式像素傳感器(Active Pixel Sensor，簡(jiǎn)稱APS)電路在感光器件光電轉(zhuǎn)換過程中，由于源極跟隨薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)自身工藝差異所導(dǎo)致的末端輸出電流不均一，源極跟隨薄膜晶體管的輸出電流會(huì)受到其自身的閾值電壓的影響，從而使得顯示畫面失真。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，至少部分解決現(xiàn)有的源極跟隨薄膜晶體管的末端輸出電流不均一，導(dǎo)致顯示畫面失真的問題。

為此，本發(fā)明提供一種像素電路，包括感光器件、重置單元、充電單元、補(bǔ)償單元、輸出單元以及發(fā)光器件，所述感光器件的第一極接地，所述感光器件的第二極與所述充電單元連接，所述發(fā)光器件的第一極與所述輸出單元連接，所述發(fā)光器件的第二極接地；

所述重置單元分別與第一信號(hào)端、第一電壓端、第二信號(hào)端、第一節(jié)點(diǎn)以及第二節(jié)點(diǎn)連接，用于根據(jù)所述第一信號(hào)端和所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)的電位；

所述充電單元分別與所述第三信號(hào)端和所述第二節(jié)點(diǎn)連接，用于根據(jù)所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)控制所述第二節(jié)點(diǎn)的電位；

所述補(bǔ)償單元分別與所述第二節(jié)點(diǎn)、所述第一節(jié)點(diǎn)、第一電壓端、第四信號(hào)端、第三節(jié)點(diǎn)、第二電壓端以及第五信號(hào)端連接，用于根據(jù)所述第四信號(hào)端和所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)以及所述第二節(jié)點(diǎn)的電位控制所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第三節(jié)點(diǎn)的電位；

所述輸出單元分別與所述第三節(jié)點(diǎn)、第七信號(hào)端、讀取端以及第六信號(hào)端連接，用于根據(jù)所述第六信號(hào)端和所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)的電位控制所述發(fā)光器件的第一極和所述讀取端的輸出信號(hào)。

可選的，所述輸出單元包括：

讀取模塊，分別與所述第三節(jié)點(diǎn)、所述讀取端以及所述第六信號(hào)端連接，用于根據(jù)所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)的電位控制所述讀取端的輸出信號(hào)；

發(fā)光模塊，分別與所述第三節(jié)點(diǎn)、所述第七信號(hào)端以及所述發(fā)光器件的第一極連接，用于根據(jù)所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)的電位控制所述發(fā)光器件的第一極的輸出信號(hào)。

可選的，所述重置單元包括第四晶體管和第一晶體管；

所述第四晶體管的柵極與所述第一信號(hào)端連接，所述第四晶體管的第一極與所述第一電壓端連接，所述第四晶體管的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；

所述第一晶體管的柵極與所述第二信號(hào)端連接，所述第一晶體管的第一極接地，所述第一晶體管的第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接。

可選的，所述充電單元包括第五晶體管和第二電容；

所述第五晶體管的柵極與所述第三信號(hào)端連接，所述第五晶體管的第一極與所述感光器件的第二極連接，所述第五晶體管的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接；

所述第二電容的第一極接地，所述第二電容的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。

可選的，所述補(bǔ)償單元包括第六晶體管、第三晶體管、第二晶體管以及第一電容；

所述第六晶體管的柵極與所述第五信號(hào)端連接，所述第六晶體管的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第六晶體管的第二極與所述第二電壓端連接；

所述第三晶體管的柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述第三晶體管的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第三晶體管的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接；

所述第二晶體管的柵極與所述第四信號(hào)端連接，所述第二晶體管的第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述第二晶體管的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接；

所述第一電容的第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述第一電容的第二極與所述第一電壓端連接。

可選的，所述讀取模塊包括第七晶體管，所述第七晶體管的柵極與所述第六信號(hào)端連接，所述第七晶體管的第一極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接，所述第七晶體管的第二極與所述讀取端連接。

可選的，所述輸出單元包括第八晶體管，所述第八晶體管的柵極與所述第七信號(hào)端連接，所述第八晶體管的第一極與所述第三節(jié)點(diǎn)連接，所述第八晶體管的第二極與所述發(fā)光器件的第一極連接。

可選的，所述晶體管全部為N型晶體管或者P型晶體管。

可選的，所述感光器件包括光電二極管。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括任一所述的像素電路。

本發(fā)明還提供一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述像素電路包括任一所述的像素電路，所述第一電壓端為高電平，所述第二電壓端為數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；

所述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法包括：

第一階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平；

第二階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平；

第三階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平；

第四階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

可選的，還包括：

第五階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平；

第六階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平；

第七階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平。

本發(fā)明具有下述有益效果：

本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置之中，所述像素電路包括感光器件、重置單元、充電單元、補(bǔ)償單元、輸出單元以及發(fā)光器件，重置單元用于根據(jù)第一信號(hào)端和第二信號(hào)端的輸入信號(hào)控制第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的電位，充電單元用于根據(jù)第三信號(hào)端的輸入信號(hào)控制第二節(jié)點(diǎn)的電位，補(bǔ)償單元用于根據(jù)第四信號(hào)端和第五信號(hào)端的輸入信號(hào)以及第二節(jié)點(diǎn)的電位控制第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)的電位，輸出單元用于根據(jù)第六信號(hào)端和第七信號(hào)端的輸入信號(hào)以及第三節(jié)點(diǎn)的電位控制發(fā)光器件的第一極和讀取端的輸出信號(hào)。本發(fā)明提供的技術(shù)方案將補(bǔ)償電路和像素電路整合在一起，通過驅(qū)動(dòng)信號(hào)和掃描信號(hào)的共用方式，實(shí)現(xiàn)兩者的功能整合，不僅滿足高分辨率的硅基顯示功能，還具備環(huán)境影像和監(jiān)測(cè)功能。另外，本發(fā)明提供的技術(shù)方案通過對(duì)像素電路的源極跟隨晶體管進(jìn)行補(bǔ)償，解決了由于源極跟隨晶體管自身差異導(dǎo)致的輸出電流不均一的問題，避免輸出電流受到偏移電壓的影響。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的另一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2所示像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素電路的工作時(shí)序圖；

圖6為實(shí)施例三中像素電路在第一階段的電流流向示意圖；

圖7為實(shí)施例三中像素電路在第二階段的電流流向示意圖；

圖8為實(shí)施例三中像素電路在第三階段的電流流向示意圖；

圖9為實(shí)施例三中像素電路在第四階段的電流流向示意圖；

圖10為實(shí)施例三中像素電路在第五階段的電流流向示意圖；

圖11為實(shí)施例三中像素電路在第六階段的電流流向示意圖；

圖12為實(shí)施例三中像素電路在第七階段的電流流向示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述像素電路包括感光器件PD、重置單元101、充電單元102、補(bǔ)償單元103、輸出單元104以及發(fā)光器件OLED，所述感光器件PD的第一極接地，所述感光器件PD的第二極與所述充電單元102連接，所述發(fā)光器件OLED的第一極與所述輸出單元104連接，所述發(fā)光器件OLED的第二極接地。本實(shí)施例中，所述感光器件PD包括光電二極管，所述發(fā)光器件OLED為有機(jī)電致發(fā)光器件。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案將補(bǔ)償電路和像素電路整合在一起，通過驅(qū)動(dòng)信號(hào)和掃描信號(hào)的共用方式，實(shí)現(xiàn)兩者的功能整合，不僅滿足高分辨率的硅基顯示功能，還具備環(huán)境影像和監(jiān)測(cè)功能。另外，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過對(duì)像素電路的源極跟隨晶體管進(jìn)行補(bǔ)償，解決了由于源極跟隨晶體管自身差異導(dǎo)致的輸出電流不均一的問題，避免輸出電流受到偏移電壓的影響。

參見圖1，所述重置單元101分別與第一信號(hào)端Reset、第一電壓端Vdd、第二信號(hào)端Reset1、第一節(jié)點(diǎn)N1以及第二節(jié)點(diǎn)N2連接，用于根據(jù)所述第一信號(hào)端Reset和所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)控制所述第一節(jié)點(diǎn)N1和所述第二節(jié)點(diǎn)N2的電位。所述充電單元102分別與所述第三信號(hào)端Scan1和所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，用于根據(jù)所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)控制所述第二節(jié)點(diǎn)N2的電位。所述補(bǔ)償單元103分別與所述第二節(jié)點(diǎn)N2、所述第一節(jié)點(diǎn)N1、第一電壓端Vdd、第四信號(hào)端Scan2、第三節(jié)點(diǎn)N3、第二電壓端Vdata以及第五信號(hào)端Scan3連接，用于根據(jù)所述第四信號(hào)端Scan2和所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)以及所述第二節(jié)點(diǎn)N2的電位控制所述第一節(jié)點(diǎn)N1和所述第三節(jié)點(diǎn)N3的電位。所述輸出單元104分別與所述第三節(jié)點(diǎn)N3、第七信號(hào)端EM2、讀取端ReadLine以及第六信號(hào)端EM1連接，用于根據(jù)所述第六信號(hào)端EM1和所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)N3的電位控制所述發(fā)光器件OLED的第一極和所述讀取端ReadLine的輸出信號(hào)。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的另一種像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述輸出單元104包括讀取模塊和發(fā)光模塊，所述讀取模塊分別與所述第三節(jié)點(diǎn)N3、所述讀取端ReadLine以及所述第六信號(hào)端EM1連接，用于根據(jù)所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)N3的電位控制所述讀取端ReadLine的輸出信號(hào)。所述發(fā)光模塊分別與所述第三節(jié)點(diǎn)N3、所述第七信號(hào)端EM2以及所述發(fā)光器件OLED的第一極連接，用于根據(jù)所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)以及所述第三節(jié)點(diǎn)N3的電位控制所述發(fā)光器件OLED的第一極的輸出信號(hào)。

圖3為圖2所示像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述重置單元101包括第四晶體管M4和第一晶體管M1，所述第四晶體管M4的柵極與所述第一信號(hào)端Reset連接，所述第四晶體管M4的第一極與所述第一電壓端Vdd連接，所述第四晶體管M4的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，所述第一晶體管M1的柵極與所述第二信號(hào)端Reset1連接，所述第一晶體管M1的第一極接地，所述第一晶體管M1的第二極與所述第一節(jié)點(diǎn)N1連接。

參見圖3，所述充電單元102包括第五晶體管M5和第二電容C2，所述第五晶體管M5的柵極與所述第三信號(hào)端Scan1連接，所述第五晶體管M5的第一極與所述感光器件PD的第二極連接，所述第五晶體管M5的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，所述第二電容C2的第一極接地，所述第二電容C2的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接。

參見圖3，所述補(bǔ)償單元103包括第六晶體管M6、第三晶體管M3、第二晶體管M2以及第一電容C1，所述第六晶體管M6的柵極與所述第五信號(hào)端Scan3連接，所述第六晶體管M6的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，所述第六晶體管M6的第二極與所述第二電壓端Vdata連接，所述第三晶體管M3的柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)N1連接，所述第三晶體管M3的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)N2連接，所述第三晶體管M3的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接，所述第二晶體管M2的柵極與所述第四信號(hào)端Scan2連接，所述第二晶體管M2的第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)N1連接，所述第二晶體管M2的第二極與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接，所述第一電容C1的第一極與所述第一節(jié)點(diǎn)N1連接，所述第一電容C1的第二極與所述第一電壓端Vdd連接。

參見圖3，所述讀取模塊包括第七晶體管M7，所述第七晶體管M7的柵極與所述第六信號(hào)端EM1連接，所述第七晶體管M7的第一極與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接，所述第七晶體管M7的第二極與所述讀取端ReadLine連接。所述輸出單元104包括第八晶體管M8，所述第八晶體管M8的柵極與所述第七信號(hào)端EM2連接，所述第八晶體管M8的第一極與所述第三節(jié)點(diǎn)N3連接，所述第八晶體管M8的第二極與所述發(fā)光器件OLED的第一極連接。

本實(shí)施例提供的像素電路之中，第一晶體管M1、第二晶體管M2、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6、第七晶體管M7、第八晶體管M8為開關(guān)晶體管(Switching TFT)，第三晶體管M3為源極跟隨驅(qū)動(dòng)晶體管(Driving TFT)。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案將補(bǔ)償電路和像素電路整合在一起，通過驅(qū)動(dòng)信號(hào)和掃描信號(hào)的共用方式，實(shí)現(xiàn)兩者的功能整合，不僅滿足高分辨率的硅基顯示功能，還具備環(huán)境影像和監(jiān)測(cè)功能。另外，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過對(duì)像素電路的源極跟隨晶體管進(jìn)行補(bǔ)償，解決了由于源極跟隨晶體管自身差異導(dǎo)致的輸出電流不均一的問題，避免輸出電流受到偏移電壓的影響。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例一提供的像素電路，具體內(nèi)容可參照實(shí)施例一的描述，此處不再贅述。

本實(shí)施例提供的顯示裝置之中，所述像素電路包括感光器件、重置單元、充電單元、補(bǔ)償單元、輸出單元以及發(fā)光器件，重置單元用于根據(jù)第一信號(hào)端和第二信號(hào)端的輸入信號(hào)控制第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的電位，充電單元用于根據(jù)第三信號(hào)端的輸入信號(hào)控制第二節(jié)點(diǎn)的電位，補(bǔ)償單元用于根據(jù)第四信號(hào)端和第五信號(hào)端的輸入信號(hào)以及第二節(jié)點(diǎn)的電位控制第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)的電位，輸出單元用于根據(jù)第六信號(hào)端和第七信號(hào)端的輸入信號(hào)以及第三節(jié)點(diǎn)的電位控制發(fā)光器件的第一極和讀取端的輸出信號(hào)。本實(shí)施例提供的技術(shù)方案將補(bǔ)償電路和像素電路整合在一起，通過驅(qū)動(dòng)信號(hào)和掃描信號(hào)的共用方式，實(shí)現(xiàn)兩者的功能整合，不僅滿足高分辨率的硅基顯示功能，還具備環(huán)境影像和監(jiān)測(cè)功能。另外，本實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過對(duì)像素電路的源極跟隨晶體管進(jìn)行補(bǔ)償，解決了由于源極跟隨晶體管自身差異導(dǎo)致的輸出電流不均一的問題，避免輸出電流受到偏移電壓的影響。

實(shí)施例三

圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種像素電路的工作時(shí)序圖。如圖4和圖5所示，所述像素電路包括實(shí)施例一提供的像素電路，所述第一電壓端Vdd為高電平，所述第二電壓端Vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

所述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法包括：

步驟1001、第一階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖6為實(shí)施例三中像素電路在第一階段的電流流向示意圖。如圖6所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第一階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)，第一晶體管M1、第四晶體管M4以及第五晶體管M5導(dǎo)通，其他晶體管斷開，從而將第一節(jié)點(diǎn)N1重置接地，電勢(shì)為0V。當(dāng)然，也可以將第一節(jié)點(diǎn)N1重置為負(fù)壓，第二節(jié)點(diǎn)N2的電勢(shì)為Vdd，同時(shí)將之前的電壓信號(hào)進(jìn)行重置。

步驟1002、第二階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖7為實(shí)施例三中像素電路在第二階段的電流流向示意圖。如圖7所示，感光器件PD上的箭頭代表光電反應(yīng)。在第二階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為低電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)只有第五晶體管M5導(dǎo)通，其他晶體管關(guān)閉，當(dāng)二極管PN結(jié)上有入射光照射時(shí)，光量子激發(fā)在PN結(jié)上產(chǎn)生電子空穴對(duì)，使得PN結(jié)電容上的電荷發(fā)生復(fù)合，第二節(jié)點(diǎn)N2的電勢(shì)降為Vdata1，并將Vdata1存儲(chǔ)在第二電容C2的兩端，為下一階段做準(zhǔn)備。

步驟1003、第三階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖8為實(shí)施例三中像素電路在第三階段的電流流向示意圖。如圖8所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第三階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)第二晶體管M2和第三晶體管M3導(dǎo)通，其他的晶體管斷開，由于之前第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為0V，因此第三晶體管M3打開，Vdata1信號(hào)通過第三晶體管M3和第二晶體管M2開始對(duì)第一節(jié)點(diǎn)N1點(diǎn)進(jìn)行充電，直到將第一節(jié)點(diǎn)N1充電至Vdata1-Vth為止，第三晶體管M3的柵源兩極之間的電壓差為Vth。充電完成之后，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位將一直維持在Vdata1-Vth。

步驟1004、第四階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖9為實(shí)施例三中像素電路在第四階段的電流流向示意圖。如圖9所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第四階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為低電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)第三晶體管M3的源極接入V_dd，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為Vdd，電流通過第四晶體管M4和第三晶體管M3流向第七晶體管M7，再由讀取端Readline輸出。由晶體管的飽和電流公式可以得到：

I＝K(Vgs-Vth)²＝K[Vdd-(Vdata1-Vth)-Vth]²＝K(Vdd-Vdata1)²

通過上述公式可以看出，此時(shí)的工作電流I已經(jīng)不受源極跟隨晶體管的閾值電壓Vth的影響，只與Vdd和Vdata1有關(guān)，其中Vdata1直接由二極管PN結(jié)的光照產(chǎn)生，從而徹底解決了源極跟隨晶體管由于工藝和操作造成閾值電壓Vth的漂移問題，保證了信號(hào)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。

步驟1005、第五階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖10為實(shí)施例三中像素電路在第五階段的電流流向示意圖。如圖10所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第五階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為低電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)第一晶體管M1導(dǎo)通，其它晶體管斷開，從而將第一節(jié)點(diǎn)N1重置接地，電勢(shì)為0V。當(dāng)然，也可以將第一節(jié)點(diǎn)N1重置為負(fù)壓。

步驟1006、第六階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平。

圖11為實(shí)施例三中像素電路在第六階段的電流流向示意圖。如圖11所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第六階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為高電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為低電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為低電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為高電平。此時(shí)第二晶體管M2、第三晶體管M3以及第六晶體管M6導(dǎo)通，由于之前第一節(jié)點(diǎn)N1的電位為0V，因此可以對(duì)第三晶體管M3進(jìn)行第二次充電補(bǔ)償，Vdata2信號(hào)通過第六晶體管M6、第三晶體管M3以及第二晶體管M2開始對(duì)第一節(jié)點(diǎn)N1進(jìn)行充電，直到將第一節(jié)點(diǎn)N1充電至Vdata2-Vth為止，第三晶體管M3的柵源兩極之間的電壓差為Vth。充電完成之后，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位將一直維持在Vdata2-Vth。

步驟1007、第七階段，所述第一信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端的輸入信號(hào)為低電平。

圖12為實(shí)施例三中像素電路在第七階段的電流流向示意圖。如圖12所示，圖中箭頭方向代表電流流向。在第七階段之中，所述第一信號(hào)端Reset的輸入信號(hào)為低電平，所述第二信號(hào)端Reset1的輸入信號(hào)為高電平，所述第三信號(hào)端Scan1的輸入信號(hào)為高電平，所述第四信號(hào)端Scan2的輸入信號(hào)為高電平，所述第五信號(hào)端Scan3的輸入信號(hào)為高電平，所述第六信號(hào)端EM1的輸入信號(hào)為高電平，所述第七信號(hào)端EM2的輸入信號(hào)為低電平。

此時(shí)第三晶體管M3的源極接入V_dd，第二節(jié)點(diǎn)N2的電位為Vdd，電流通過第四晶體管M4和第三晶體管M3流向第八晶體管M8，使得發(fā)光器件OLED發(fā)光。由晶體管的飽和電流公式可以得到：

I＝K(Vgs-Vth)²＝K[Vdd-(Vdata2-Vth)-Vth]²＝K(Vdd-Vdata2)²

通過上述公式可以看出，此時(shí)的電流I_OLED已經(jīng)不受閾值電壓Vth的影響，只與Vdata2有關(guān)，從而徹底解決了驅(qū)動(dòng)隨晶體管由于工藝和操作造成閾值電壓Vth的漂移問題，消除了其對(duì)I_OLED的影響，從而能夠保證發(fā)光器件OLED的正常工作。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。