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OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的K值偵測(cè)方法與流程

文檔序號(hào):12128135閱讀:來源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的K值偵測(cè)方法,該方法通過設(shè)置數(shù)據(jù)信號(hào)提供兩不同的數(shù)據(jù)電壓,使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管形成兩不同的柵源極電壓,再通過外部的偵測(cè)處理電路分別偵測(cè)在該兩不同的柵源極電壓下流過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電流,中央處理器通過兩柵源極電壓、兩電流數(shù)據(jù)、以及以驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電流公式為基礎(chǔ)的計(jì)算公式計(jì)算得出OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的K值,能夠準(zhǔn)確獲取OLED顯示器件中每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的K值,改善OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的K值補(bǔ)償效果,提升OLED顯示品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員:王利民;黃泰鈞;梁鵬飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號(hào)碼:201611247314
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.29
技術(shù)公布日:2017.03.22

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