本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示裝置及顯示面板的檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

目前，隨著電視機(jī)、手機(jī)以及各種顯示設(shè)備的廣泛普及，顯示屏的需求量日益增加。顯示屏量產(chǎn)的過(guò)程中，生產(chǎn)的良率至關(guān)重要，即使是目前十分成熟的液晶顯示技術(shù)，生產(chǎn)線上仍然存在許多影響生產(chǎn)良率的不良因素，而其他仍處于成長(zhǎng)階段的新型顯示技術(shù)，生產(chǎn)良率的不良因素則更多。

顯示屏在生產(chǎn)過(guò)程中，為了達(dá)到效率最大化，中間會(huì)有許多檢測(cè)環(huán)節(jié)，以及時(shí)去除不良品，防止占用后續(xù)的生產(chǎn)資源。其中，在顯示屏成盒(Cell)后，會(huì)有假壓測(cè)試(Cell Test)的檢測(cè)站點(diǎn)，主要通過(guò)簡(jiǎn)單的畫(huà)面來(lái)檢測(cè)顯示屏的顯示品質(zhì)。如圖1所示，為了方便檢測(cè)，顯示屏形成薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列一側(cè)的玻璃上會(huì)設(shè)計(jì)有一系列的測(cè)試點(diǎn)(Test Pad)100，在這些測(cè)試點(diǎn)100上輸入對(duì)應(yīng)的信號(hào)就可以產(chǎn)生簡(jiǎn)單的畫(huà)面，以進(jìn)行Cell Test。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，Cell Test信號(hào)通過(guò)探針200接觸測(cè)試點(diǎn)100一一接觸輸入到屏幕內(nèi)部的。在生產(chǎn)工廠，Cell Test是通過(guò)機(jī)器自動(dòng)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)顯示屏進(jìn)入機(jī)臺(tái)時(shí)，機(jī)臺(tái)先通過(guò)標(biāo)記(Mark)識(shí)別確定顯示屏進(jìn)行并確定其測(cè)試點(diǎn)100的位置。然后，將機(jī)器手臂上的探針200接觸測(cè)試點(diǎn)100，并施加一定的壓力使探針200與測(cè)試點(diǎn)100緊密接觸，以便于信號(hào)的穩(wěn)定傳輸，其中，探針200與底座300之間有彈簧，以防止壓力過(guò)大扎破屏幕，最后通過(guò)機(jī)臺(tái)自帶的波形發(fā)生器向測(cè)試點(diǎn)100輸送對(duì)應(yīng)的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)顯示屏進(jìn)行測(cè)試畫(huà)面的顯示，完成Cell Test。

上述現(xiàn)有技術(shù)存在許多缺陷：首先，由于需要不停地檢測(cè)屏幕，探針200需要頻繁地重復(fù)下壓和彈起的機(jī)械性操作，很容易造成探針200的老化，彈簧的失效。彈簧失效后，探針200不能彈性下壓，很容易損傷屏幕，影響顯示屏的生成良率。另外，這種方法在進(jìn)行手機(jī)顯示屏等小尺寸顯示屏的Cell Test時(shí)，由于顯示屏本身面積小，測(cè)試點(diǎn)100的面積和所用探針200直徑都需要隨之變小，由于探針200直徑很小，不僅導(dǎo)致了探針200的電阻率以及制作工藝精度要求都很高，設(shè)備成本高昂，而且探針200檢查與更換難度大，耗時(shí)長(zhǎng)，機(jī)臺(tái)效率低下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，能夠減少探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。

本發(fā)明的目的還在于提供一種顯示面板的檢測(cè)方法，能夠減少探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括：顯示面板、設(shè)于顯示面板上的多個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路；

每一個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路內(nèi)均設(shè)有光電二極管，并接入公共電壓、以及接地端；

通過(guò)提供不同的強(qiáng)度的光線照射所述光電二極管，改變光電二極管的導(dǎo)通性能，使測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路向顯示面板輸入不同的測(cè)試信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述顯示面板顯示測(cè)試畫(huà)面。

所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路還包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容、第二電容、第三電容以及MOS管；

所述第一電阻一端接入公共電壓，另一端與所述光電二極管的負(fù)極電性連接；所述第二電阻一端接入公共電壓，另一端與所述MOS管的漏極電性連接；所述第三電阻一端與所述光電二極管的正極電性連接，另一端接入接地端；所述第四電阻一端與所述MOS管的柵極電性連接，另一端接入接地端；所述第五電阻一端與所述MOS管的源極電性連接，另一端接入接地端；所述第一電容一端與所述光電二極管的正極電性連接，另一端與所述MOS管的柵極電性連接；所述第二電容一端與所述MOS管的源極電性連接，另一端接入接地端；所述第三電容一端與所述光電二極管的負(fù)極電性連接，另一端接入接地端；

所述MOS管的漏極向顯示面板輸出測(cè)試信號(hào)。

所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路接入的公共電壓為公共正電壓或公共負(fù)電壓。

所述顯示面板上還設(shè)有公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)；

所述顯示裝置通過(guò)電壓提供設(shè)備為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路提供公共正電壓、公共負(fù)電壓、以及接地端；

所述電壓提供設(shè)備上設(shè)有對(duì)應(yīng)所述公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)的探針，通過(guò)使對(duì)應(yīng)的探針與所述公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)分別接觸，為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路提供公共正電壓、公共負(fù)電壓、以及接地端。

所述測(cè)試信號(hào)為恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、或數(shù)據(jù)信號(hào)。

本發(fā)明還提供一種顯示面板的檢測(cè)方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一顯示面板、以及設(shè)于顯示面板上的多個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路；每一個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路內(nèi)均設(shè)有光電二極管；

步驟2、將公共電壓、以及接地端接入測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路；

步驟3、提供不同的強(qiáng)度的光線照射所述光電二極管，改變光電二極管的導(dǎo)通性能，使測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路向顯示面板輸入不同的測(cè)試信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述顯示面板顯示測(cè)試畫(huà)面；

步驟4、根據(jù)所述顯示面板顯示的測(cè)試畫(huà)面確定所述顯示面板的顯示品質(zhì)。

所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路還包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容、第二電容、第三電容以及MOS管；

所述第一電阻一端接入公共電壓，另一端與所述光電二極管的負(fù)極電性連接；所述第二電阻一端接入公共電壓，另一端與所述MOS管的漏極電性連接；所述第三電阻一端與所述光電二極管的正極電性連接，另一端接入接地端；所述第四電阻一端與所述MOS管的柵極電性連接，另一端接入接地端；所述第五電阻一端與所述MOS管的源極電性連接，另一端接入接地端；所述第一電容一端與所述光電二極管的正極電性連接，另一端與所述MOS管的柵極電性連接；所述第二電容一端與所述MOS管的源極電性連接，另一端接入接地端；所述第三電容一端與所述光電二極管的負(fù)極電性連接，另一端接入接地端；

所述MOS管的漏極向顯示面板輸出測(cè)試信號(hào)。

所述步驟2中測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路接入的公共電壓為公共正電壓或公共負(fù)電壓。

所述顯示面板上還設(shè)有公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)；

所述步驟2還包括：提供一電壓提供設(shè)備，所述電壓提供設(shè)備上設(shè)有對(duì)應(yīng)所述公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)的探針，通過(guò)使對(duì)應(yīng)的探針與所述公共正電壓接入點(diǎn)、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)、以及接地點(diǎn)分別接觸，為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路提供公共正電壓、公共負(fù)電壓、以及接地端。

所述測(cè)試信號(hào)為恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、或數(shù)據(jù)信號(hào)。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種顯示裝置，其將顯示面板上的假壓測(cè)試點(diǎn)替換為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路，并在測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路中設(shè)置光電二極管，再通過(guò)光照設(shè)備向測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路中的光電二極管提供不同的強(qiáng)度的光線，進(jìn)而改變光電二極管的導(dǎo)通性能，使得測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路向顯示面板輸入不同的測(cè)試信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)顯示面板顯示測(cè)試畫(huà)面，該顯示裝置通過(guò)光信號(hào)來(lái)控制測(cè)試信號(hào)的輸入，能夠減少假壓測(cè)試時(shí)需要的探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。本發(fā)明還提供一種顯示面板的檢測(cè)方法，能夠減少探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖3及圖4為本發(fā)明的顯示裝置中測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路的電路圖；

圖5為本發(fā)明的顯示面板的檢測(cè)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖2，并結(jié)合圖3與圖4，本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括：顯示面板1、設(shè)于顯示面板1上的多個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2。

如圖3或圖4所示，每一個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2內(nèi)均設(shè)有光電二極管D1，并接入公共電壓、以及接地端GND。

具體地，所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共正電壓V+或公共負(fù)電壓V-。

測(cè)試時(shí)，通過(guò)提供不同的強(qiáng)度的光線照射所述光電二極管D1，改變光電二極管D1的導(dǎo)通性能，使測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2向顯示面板1輸入不同的測(cè)試信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述顯示面板1顯示測(cè)試畫(huà)面，最終根據(jù)各個(gè)測(cè)試畫(huà)面確定顯示面板1的顯示品質(zhì)。

需要說(shuō)明的是，如圖3或圖4所示，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2包括分壓電路、以及與分壓電路電性連接的放大電路兩部分，其中，所述分壓電路包括：第一電阻R1、光電二極管D1、第五電阻R5，放大電路包括：第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)管M1；

其中，所述第一電阻R1一端接入公共電壓，另一端與所述光電二極管D1的負(fù)極電性連接；所述第二電阻R2一端接入公共電壓，另一端與所述MOS管M1的漏極電性連接；所述第三電阻R3一端與所述光電二極管D1的正極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第四電阻R4一端與所述MOS管M1的柵極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第五電阻R5一端與所述MOS管M1的源極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第一電容C1一端與所述光電二極管D1的正極電性連接，另一端與所述MOS管M1的柵極電性連接；所述第二電容C2一端與所述MOS管M1的源極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第三電容C3一端與所述光電二極管D1的負(fù)極電性連接，另一端接入接地端GND；所述MOS管M1的漏極向顯示面板1輸出測(cè)試電壓。

所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2的工作原理為：當(dāng)一定強(qiáng)度的光照射到光電二極管D1時(shí)，光電二極管D1的導(dǎo)通性能發(fā)生變化，從而在MOS管M1的柵極產(chǎn)生一個(gè)控制電壓，該控制電壓控制MOS管M1導(dǎo)通，放大電路從MOS管M1的漏極向顯示面板輸出對(duì)應(yīng)的測(cè)試信號(hào)?？梢钥闯觯覀冎恍杩刂普丈涔獾膹?qiáng)度，就可以產(chǎn)生需要的電壓，當(dāng)照射光的強(qiáng)度按一定規(guī)律改變，也就可以產(chǎn)生出我們需要的邏輯信號(hào)，即測(cè)試信號(hào)。

具體地，所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共正電壓V+或公共負(fù)電壓V-，其中，如圖3所示，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共正電壓V+時(shí)，該測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2中的MOS管M1為N型MOS管，如圖4所示，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共負(fù)電壓V-時(shí)，該測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2中的MOS管M1為P型MOS管。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試信號(hào)為恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、或數(shù)據(jù)信號(hào)，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2為如圖3所示的接入的公共正電壓V+的電路時(shí)，其輸出的測(cè)試信號(hào)為：恒壓正電位信號(hào)VGH、反向掃描控制信號(hào)D2U、或偶數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)Data-even，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2為如圖4所示的接入的公共負(fù)電壓V-的電路時(shí)，其輸出的測(cè)試信號(hào)為：恒壓負(fù)電位信號(hào)VGL、正向掃描控制信號(hào)U2D、或奇數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)Data-odd，各個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路分別輸出的恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、以及數(shù)據(jù)信號(hào)共同作用，驅(qū)動(dòng)顯示面板1顯示測(cè)試畫(huà)面。

值得一提的，所述顯示面板1上還設(shè)有公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33，所述顯示裝置通過(guò)電壓提供設(shè)備為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2提供公共正電壓V+、公共負(fù)電壓V-、以及接地端GND，具體為：所述電壓提供設(shè)備上設(shè)有對(duì)應(yīng)所述公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33的探針，通過(guò)使對(duì)應(yīng)的探針與所述公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33分別接觸，為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2提供公共正電壓V+、公共負(fù)電壓V-、以及接地端GND。

具體地，所述電壓提供設(shè)備和提供不同強(qiáng)度的光線的光源均集成在用于進(jìn)行假壓測(cè)試的測(cè)試機(jī)臺(tái)上。

可以理解的是，測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2可以有多種方案，實(shí)際應(yīng)用時(shí)會(huì)有不同的選擇，本發(fā)明的測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2并不局限上述如圖3或圖4所示的電路，其還可以為其他包括光電二極管D1的電路，只要能夠在不同照射強(qiáng)度的光信號(hào)控制下產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)即可，本發(fā)明對(duì)此不做限制。

本發(fā)明的顯示裝置只需3根探針來(lái)輸入兩個(gè)公共電壓和一個(gè)接地端，測(cè)試信號(hào)則通過(guò)一系列的光信號(hào)來(lái)控制，可以大大減少假壓測(cè)試機(jī)臺(tái)探針的數(shù)量，從而減少機(jī)臺(tái)與顯示面板的機(jī)械性接觸，避免顯示面板被探針損傷，提升測(cè)試良率，降低探針的制作成本，降低測(cè)試成本，減少探針的維護(hù)更換時(shí)間，提升機(jī)測(cè)試效率。

此外，本發(fā)明的顯示裝置可用于液晶顯示面板、或有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的假壓測(cè)試。

請(qǐng)參閱圖5，本發(fā)明還提供一種顯示面板的檢測(cè)方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一顯示面板1、設(shè)于顯示面板1上的多個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2；每一個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2內(nèi)均設(shè)有光電二極管D1。

步驟2、將公共電壓、以及接地端GND接入測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2。

步驟3、提供不同的強(qiáng)度的光線照射所述光電二極管D1，改變光電二極管D1的導(dǎo)通性能，使測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2向顯示面板1輸入不同的測(cè)試信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述顯示面板1顯示測(cè)試畫(huà)面。

步驟4、根據(jù)所述顯示面板1顯示的測(cè)試畫(huà)面確定所述顯示面板1的顯示品質(zhì)。

需要說(shuō)明的是，如圖3或圖4所示，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2包括分壓電路、以及與分壓電路電性連接的放大電路兩部分，其中，所述分壓電路包括：第一電阻R1、光電二極管D1、第五電阻R5，放大電路包括：第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3以及MOS管M1；

其中，所述第一電阻R1一端接入公共電壓，另一端與所述光電二極管D1的負(fù)極電性連接；所述第二電阻R2一端接入公共電壓，另一端與所述MOS管M1的漏極電性連接；所述第三電阻R3一端與所述光電二極管D1的正極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第四電阻R4一端與所述MOS管M1的柵極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第五電阻R5一端與所述MOS管M1的源極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第一電容C1一端與所述光電二極管D1的正極電性連接，另一端與所述MOS管M1的柵極電性連接；所述第二電容C2一端與所述MOS管M1的源極電性連接，另一端接入接地端GND；所述第三電容C3一端與所述光電二極管D1的負(fù)極電性連接，另一端接入接地端GND；所述MOS管M1的漏極向顯示面板1輸出測(cè)試電壓。

所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2的工作原理為：當(dāng)一定強(qiáng)度的光照射到光電二極管D1時(shí)，光電二極管D1的導(dǎo)通性能發(fā)生變化，從而在MOS管M1的柵極產(chǎn)生一個(gè)控制電壓，該控制電壓控制MOS管M1導(dǎo)通，放大電路從MOS管M1的漏極向顯示面板輸出對(duì)應(yīng)的測(cè)試信號(hào)?？梢钥闯?，我們只需控制照射光的強(qiáng)度，就可以產(chǎn)生需要的電壓，當(dāng)照射光的強(qiáng)度按一定規(guī)律改變，也就可以產(chǎn)生出我們需要的邏輯信號(hào)，即測(cè)試信號(hào)。

具體地，所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共正電壓V+或公共負(fù)電壓V-，其中，如圖3所示，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共正電壓V+時(shí)，該測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2中的MOS管M1為N型MOS管，如圖4所示，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2接入的公共電壓為公共負(fù)電壓V-時(shí)，該測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2中的MOS管M1為P型MOS管。

進(jìn)一步地，所述測(cè)試信號(hào)為恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、或數(shù)據(jù)信號(hào)，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2為如圖3所示的接入的公共正電壓V+的電路時(shí)，其輸出的測(cè)試信號(hào)為：恒壓正電位信號(hào)VGH、反向掃描控制信號(hào)D2U、或偶數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)Data-even，當(dāng)所述測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2為如圖4所示的接入的公共負(fù)電壓V-的電路時(shí)，其輸出的測(cè)試信號(hào)為：恒壓負(fù)電位信號(hào)VGL、正向掃描控制信號(hào)U2D、或奇數(shù)列數(shù)據(jù)信號(hào)Data-odd，各個(gè)測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2分別輸出的恒壓電位信號(hào)、掃描方向控制信號(hào)、以及數(shù)據(jù)信號(hào)共同作用，驅(qū)動(dòng)顯示面板1顯示測(cè)試畫(huà)面。

值得一提的，所述顯示面板1上還設(shè)有公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33；所述步驟2還包括：提供一電壓提供設(shè)備，所述電壓提供設(shè)備上設(shè)有對(duì)應(yīng)所述公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33的探針，通過(guò)使對(duì)應(yīng)的探針與所述公共正電壓接入點(diǎn)31、公共負(fù)電壓接入點(diǎn)32、以及接地點(diǎn)33分別接觸，為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2提供公共正電壓V+、公共負(fù)電壓V-、以及接地端GND。

具體地，所述電壓提供設(shè)備和提供不同強(qiáng)度的光線的光源均集成在用于進(jìn)行假壓測(cè)試的測(cè)試機(jī)臺(tái)上。

可以理解的是，測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2可以有多種方案，實(shí)際應(yīng)用時(shí)會(huì)有不同的選擇，本發(fā)明的測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路2并不局限上述如圖3或圖4所示的電路，其還可以為其他包括光電二極管D1的電路，只要能夠在不同照射強(qiáng)度的光信號(hào)控制下產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)即可，本發(fā)明對(duì)此不做限制。

本發(fā)明的顯示面板的檢測(cè)方法只需3根探針來(lái)輸入兩個(gè)公共電壓和一個(gè)接地端，測(cè)試信號(hào)則通過(guò)一系列的光信號(hào)來(lái)控制，可以大大減少假壓測(cè)試機(jī)臺(tái)探針的數(shù)量，從而減少機(jī)臺(tái)與顯示面板的機(jī)械性接觸，避免顯示面板被探針損傷，提升測(cè)試良率，降低探針的制作成本，降低測(cè)試成本，減少探針的維護(hù)更換時(shí)間，提升機(jī)測(cè)試效率。

進(jìn)一步地，本發(fā)明的顯示面板的檢測(cè)方法可用于液晶顯示面板、或有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的假壓測(cè)試。

綜上所述，本發(fā)明提供一種顯示裝置，其將顯示面板上的假壓測(cè)試點(diǎn)替換為測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路，并在測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路中設(shè)置光電二極管，再通過(guò)光照設(shè)備向測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路中的光電二極管提供不同的強(qiáng)度的光線，進(jìn)而改變光電二極管的導(dǎo)通性能，使得測(cè)試信號(hào)產(chǎn)生電路向顯示面板輸入不同的測(cè)試信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)顯示面板顯示測(cè)試畫(huà)面，該顯示裝置通過(guò)光信號(hào)來(lái)控制測(cè)試信號(hào)的輸入，能夠減少假壓測(cè)試時(shí)需要的探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。本發(fā)明還提供一種顯示面板的檢測(cè)方法，能夠減少探針數(shù)量，提升假壓測(cè)試的效率和假壓測(cè)試的良率，降低假壓測(cè)試成本。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。