相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2015年12月2日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2015-0170668號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用全部結(jié)合于此。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及顯示裝置。

背景技術(shù)：

常規(guī)顯示設(shè)備的應(yīng)用已呈現(xiàn)多樣化。另外，由于它們相對(duì)小的厚度和較小的重量，擴(kuò)大了其應(yīng)用范圍。具體地，最近已研究和制造平板顯示設(shè)備。

因?yàn)轱@示設(shè)備可被形成為平坦的，所以可以使用各種方法來(lái)設(shè)計(jì)不同形狀的顯示設(shè)備，并且可以應(yīng)用于或者鏈接至顯示設(shè)備的功能的數(shù)量得到增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括顯示裝置，該顯示裝置包括顯示區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿部。

額外的方面將在隨后的描述中部分闡述，以及部分將從描述中顯而易見或者可以通過呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐獲悉。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，一種顯示裝置，包括基板、顯示單元，該顯示單元在基板上并且包括：顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域包括其中具有多個(gè)第一像素電路和被配置為通過多個(gè)第一像素電路來(lái)驅(qū)動(dòng)的多個(gè)第一發(fā)光器件的第一顯示區(qū)域，以及其中具有多個(gè)第二像素電路和被配置為通過多個(gè)第二像素電路來(lái)驅(qū)動(dòng)的多個(gè)第二發(fā)光器件的第二顯示區(qū)域，在第一方向上橫越顯示區(qū)域的多條掃描線，以及在不同于第一方向的第二方向上橫越顯示區(qū)域的多條數(shù)據(jù)線，其中，第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域的分辨率不同，其中，通過第一像素電路中的一個(gè)第一像素電路驅(qū)動(dòng)的第一發(fā)光器件的總數(shù)不同于通過第二像素電路中的一個(gè)第二像素電路驅(qū)動(dòng)的第二發(fā)光器件的總數(shù)，并且其中，顯示單元和基板在第二顯示區(qū)域中共同地限定至少一個(gè)貫穿部。

通過第一像素電路中的一個(gè)第一像素電路驅(qū)動(dòng)的第一發(fā)光器件的總數(shù)可以小于通過第二像素電路中的一個(gè)第二像素電路驅(qū)動(dòng)的第二發(fā)光器件的總數(shù)。

每單位面積的第一發(fā)光器件的數(shù)量可以等于每單位面積的第二發(fā)光器件的數(shù)量。

多條數(shù)據(jù)線可包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，第一數(shù)據(jù)線在第二顯示區(qū)域中的至少一個(gè)貫穿部處斷開并且直接連接至第二像素電路中的一個(gè)第二像素電路，第二數(shù)據(jù)線在第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域上連續(xù)延伸，通過第一連接線電連接至第一數(shù)據(jù)線，并且直接連接至第一像素電路中的一個(gè)第一像素電路。

多條數(shù)據(jù)線可以進(jìn)一步包括第三數(shù)據(jù)線，第三數(shù)據(jù)線與第一數(shù)據(jù)線對(duì)準(zhǔn)并且與第一數(shù)據(jù)線被至少一個(gè)貫穿部分開，第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線可以通過第二連接線電氣連接至彼此，并且相同的數(shù)據(jù)信號(hào)可以施加至第一數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線。

第二數(shù)據(jù)線可以在第一顯示區(qū)域與第二顯示區(qū)域之間的邊界處終止。

第二像素電路中的每一個(gè)可包括薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器，薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極及漏電極，存儲(chǔ)電容器包括第二電極和包括薄膜晶體管的柵電極的第一電極，并且第一連接線和第二連接線可以與柵電極、源電極、漏電極或者第二電極在相同的層上。

多個(gè)第二發(fā)光器件中的每一個(gè)可包括像素電極和像素電極上的包括有機(jī)發(fā)射層的中間層，由一個(gè)第二像素電路可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)第二發(fā)光器件中的至少兩個(gè)第二發(fā)光器件，并且至少兩個(gè)第二發(fā)光器件的像素電極可以電連接至彼此。

至少兩個(gè)第二發(fā)光器件的中間層可以被配置為發(fā)射具有相同顏色的光。

第一像素電路可包括第一薄膜晶體管，第二像素電路可包括第二薄膜晶體管，并且第一薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的大小可以不同于第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的大小。

顯示裝置可以進(jìn)一步包括薄膜封裝層，該薄膜封裝層封裝顯示單元并且包括至少一個(gè)有機(jī)層和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層，顯示單元可包括在至少一個(gè)貫穿部的邊緣處的非顯示區(qū)域以圍繞至少一個(gè)貫穿部，并且薄膜封裝層可以延伸至非顯示區(qū)域。

顯示裝置可以進(jìn)一步包括在非顯示區(qū)域圍繞至少一個(gè)貫穿部的屏障單元，有機(jī)層的端部可以面對(duì)或者可以接觸屏障單元面對(duì)顯示區(qū)域的側(cè)表面，無(wú)機(jī)層可以覆蓋屏障單元，并且與至屏障單元相比，無(wú)機(jī)層的端部可以更接近至少一個(gè)貫穿部。

無(wú)機(jī)層可以接觸基板的被至少一個(gè)貫穿部暴露的側(cè)表面。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，一種顯示裝置包括：基板；在基板上的顯示單元，基板和顯示單元共同限定至少一個(gè)貫穿部；以及薄膜封裝層，封裝顯示單元并且包括有機(jī)層和無(wú)機(jī)層，其中，顯示單元包括：顯示區(qū)域，顯示區(qū)域包括具有不同分辨率的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域；非顯示區(qū)域，在至少一個(gè)貫穿部的邊緣處并且圍繞至少一個(gè)貫穿部；以及屏障單元，在非顯示區(qū)域內(nèi)并且圍繞至少一個(gè)貫穿部，其中，有機(jī)層面對(duì)或者接觸屏障單元的面對(duì)顯示區(qū)域的側(cè)表面，并且其中，無(wú)機(jī)層覆蓋屏障單元并且接觸基板的被至少一個(gè)貫穿部暴露的側(cè)表面。

顯示裝置可以進(jìn)一步包括多個(gè)第一像素電路、被配置為通過第一顯示區(qū)域中的多個(gè)第一像素電路驅(qū)動(dòng)的多個(gè)第一發(fā)光器件、多個(gè)第二像素電路、及被配置為通過第二顯示區(qū)域中的多個(gè)第二像素電路驅(qū)動(dòng)的多個(gè)第二發(fā)光器件，并且通過第一像素電路中的一個(gè)第一像素電路驅(qū)動(dòng)的第一發(fā)光器件的數(shù)量可以小于通過第二像素電路中的一個(gè)第二像素電路驅(qū)動(dòng)的第二發(fā)光器件的數(shù)量。

至少一個(gè)貫穿部可以在第二顯示區(qū)域中。

顯示單元可以進(jìn)一步包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，多條掃描線在第一方向上橫越顯示區(qū)域，多條數(shù)據(jù)線在不同于第一方向的第二方向上橫越顯示區(qū)域，多條數(shù)據(jù)線可包括在第二顯示區(qū)域中并且在至少一個(gè)貫穿部處斷開的第一數(shù)據(jù)線，以及在第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域上連續(xù)延伸的第二數(shù)據(jù)線，并且第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線可以通過第一連接線電連接至彼此。

第一數(shù)據(jù)線可以僅直接連接至第二像素電路中的一個(gè)第二像素電路，并且第二數(shù)據(jù)線可以僅直接連接至第一像素電路中的一個(gè)第一像素電路。

多條數(shù)據(jù)線可以進(jìn)一步包括與第一數(shù)據(jù)線對(duì)準(zhǔn)并且與第一數(shù)據(jù)線被至少一個(gè)貫穿部分開的第三數(shù)據(jù)線，第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線可以通過第二連接線電連接至彼此，并且第二數(shù)據(jù)線可以在第一顯示區(qū)域與第二顯示區(qū)域之間的邊界處終止。

多個(gè)第二像素電路中的每一個(gè)可包括薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極及漏電極，并且第一連接線和第二連接線可以與有源層、柵電極、源電極或者漏電極在相同的層上。

多個(gè)第二發(fā)光器件中的每一個(gè)可包括像素電極和像素電極上的包括有機(jī)發(fā)射層的中間層，由一個(gè)第二像素電路可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)多個(gè)第二發(fā)光器件的至少兩個(gè)第二發(fā)光器件，并且至少兩個(gè)第二發(fā)光器件的像素電極可以電連接至彼此。

至少兩個(gè)第二發(fā)光器件的中間層可以被配置為發(fā)射具有相同顏色的光。

第一像素電路可包括第一薄膜晶體管，第二像素電路可包括第二薄膜晶體管，并且第一薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的大小可以不同于第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的大小。

附圖說明

從結(jié)合附圖理解的示例性實(shí)施方式的以下描述，這些和/或其他方面將變得顯而易見并且將更容易被理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的示意性平面圖；

圖2是圖1的顯示裝置的顯示單元的示意性平面圖；

圖3是圖2的顯示單元的第一顯示區(qū)域中包括的第一像素的等效電路的實(shí)例的電路圖；

圖4是沿著圖1的線i-i截取的截面圖；

圖5是圖2的部分a的實(shí)例的放大平面圖；

圖6是圖2的部分a的另一實(shí)例的放大平面圖；

圖7是圖2的顯示單元的第二顯示區(qū)域中包括的第二像素的等效電路的實(shí)例的電路圖；

圖8是沿著圖1的線ii-ii截取的截面圖；

圖9是圖2的部分a的另一實(shí)例的放大平面圖；

圖10是示出了其中圖1的顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)布置發(fā)光器件的實(shí)例的平面圖；

圖11是示出了其中圖1的顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)布置發(fā)光器件的另一實(shí)例的平面圖；以及

圖12是顯示裝置的示意性平面圖，該顯示裝置是圖1的顯示裝置的變型。

具體實(shí)施方式

通過參考實(shí)施方式的以下詳細(xì)說明和附圖可以更容易地理解發(fā)明構(gòu)思的特征及其實(shí)現(xiàn)方法。在下文中，將參考附圖更詳細(xì)地描述示例實(shí)施方式，其中，相同的參考標(biāo)號(hào)始終指代相同的元件。然而，本發(fā)明可以各種不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)被解釋為僅限于文中示出的實(shí)施方式。相反，作為實(shí)例提供這些實(shí)施方式使得該公開內(nèi)容將是詳盡和完整的，并且將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的方面和特征。因此，可不描述對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員用于完整理解本發(fā)明的方面和特征非必要的處理、元件和技術(shù)。除非另有說明，否則在整個(gè)附圖和書面描述中相同參考標(biāo)號(hào)表示相同元件，并因而將不重復(fù)其描述。在附圖中，為清晰起見，可放大元件、層和區(qū)域的相對(duì)大小。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管本文中可使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用于區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，下面所描述的第一元件、組件、區(qū)域、層或者部分可被稱作為第二元件、組件、區(qū)域、層或者部分。

為了便于解釋，在本文中可使用諸如“在…下面”、“在…下方”、“在…下部”、“在…下”、“在…上方”、“在…上部”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來(lái)描述如圖中示出的一個(gè)元件或特征與另一(或多個(gè))元件或特征的關(guān)系。將理解的是，除了圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在還包含使用或操作中的設(shè)備的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“下”的元件將隨后被定向?yàn)椤霸凇逼渌蛱卣鳌吧戏健?。因此，示例術(shù)語(yǔ)“在…下方”和“在…下”可包括上方和下方兩個(gè)方位。設(shè)備可被另外地定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，并且本文中使用的空間相對(duì)描述符應(yīng)當(dāng)相應(yīng)地進(jìn)行解譯。

將理解的是，當(dāng)元件、層、區(qū)域或組件相對(duì)另一元件、層、區(qū)域或組件被稱作為“在…上”、“連接至”或“耦接至”時(shí)，其可以直接地在另一元件、層、區(qū)域或組件之上、連接至或者耦接至另一元件、層、區(qū)域或組件，或者可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件、層、區(qū)域或者組件。另外，還將理解的是，當(dāng)元件或者層被稱為“介于”兩個(gè)元件或者層之間時(shí)，其可以僅僅是介于兩個(gè)元件或者層之間的該元件或者層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件或者層。

在以下實(shí)例中，x軸、y軸和z軸不局限于直角坐標(biāo)系的三條軸，并且可以在更廣義進(jìn)行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。

本文使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述具體實(shí)施方式之目的并且不旨在限制本發(fā)明。除非上下文另有明確指出，否則作為本文中使用的單數(shù)形式“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。進(jìn)一步將理解的是，術(shù)語(yǔ)“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和“包含(including)”用于本說明書中時(shí)，表明存在所述及的特征、整體、步驟、操作、元件及/或組件，但并不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。如在本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)列出項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。諸如“…中的至少一個(gè)”的表述在一系列元件之前時(shí)，修飾全部的一系列元件而不是修飾一系列中的個(gè)別元件。

如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“基本上”、“大約”和類似術(shù)語(yǔ)被用作近似的術(shù)語(yǔ)，而不是程度的術(shù)語(yǔ)，并且旨在解釋本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的測(cè)量或者計(jì)算值中的固有偏差。進(jìn)一步地，“可”在描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)的使用，指的是“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。如在本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“使用(use)”、“使用(using)”和“使用的(used)”可被認(rèn)為分別與術(shù)語(yǔ)“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用的(utilized)”同義。另外，術(shù)語(yǔ)“示例性的”旨在表示實(shí)例或例證。

當(dāng)可以不同地實(shí)施某個(gè)實(shí)施方式時(shí)，可以與描述的順序不同地來(lái)執(zhí)行特定處理順序。例如，可以基本上同時(shí)執(zhí)行或者以與所描述的順序相反的順序執(zhí)行兩個(gè)連續(xù)描述的處理。

可以利用任何合適的硬件、固件(例如，專用集成電路)、軟件、或軟件、固件和硬件的組合來(lái)實(shí)施在本文中所描述的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的電子設(shè)備或者電氣設(shè)備和/或任何其他相關(guān)設(shè)備或組件。例如，這些設(shè)備的各種組件可以形成在一個(gè)集成電路(ic)芯片上或者獨(dú)立的ic芯片上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以在柔性印刷電路膜、帶載封裝(tcp)、印刷電路板(pcb)上實(shí)現(xiàn)，或者形成在一個(gè)基板上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以是在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算設(shè)備中，在一個(gè)或多個(gè)處理器上運(yùn)行的進(jìn)程或者線程，執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序指令和與其他系統(tǒng)組件交互，用于執(zhí)行本文中所描述的各種功能。計(jì)算機(jī)程序指令被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，該存儲(chǔ)器可以使用標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器設(shè)備，諸如，例如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)在計(jì)算設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。計(jì)算機(jī)程序指令也可被存儲(chǔ)在其他非瞬時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，諸如，例如，cd-rom、閃存驅(qū)動(dòng)器等。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，在不偏離本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的精神和范圍的情況下，可以將各種計(jì)算設(shè)備的功能組合或者集成到單個(gè)計(jì)算設(shè)備中，或者具體計(jì)算設(shè)備的功能可以跨一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算設(shè)備分配。

除非另外有定義，否則本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明屬于的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常所理解的含義相同的含義。進(jìn)一步將理解的是，諸如常用詞典中所定義的那些術(shù)語(yǔ)的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且除非本文中明確進(jìn)行如此限定，否則不應(yīng)解釋為理想的或過于刻板的意義。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置1的示意性平面圖，并且圖2是圖1的顯示裝置1的顯示單元200的示意性平面圖。

參考圖1和圖2，顯示裝置1可包括基板100、基板100上的顯示單元200、和穿透顯示單元200和基板100的至少一個(gè)貫穿部h。

顯示單元200可包括：顯示區(qū)域da，其中實(shí)現(xiàn)圖像；多條掃描線sl，在第一方向上橫過顯示區(qū)域da；以及多條數(shù)據(jù)線dl，在不同于第一方向的第二方向上橫過顯示區(qū)域da。例如，第一方向和第二方向可以彼此垂直。多個(gè)像素px1和px2可以分別放置在多條數(shù)據(jù)線dl和多條掃描線sl的交叉區(qū)域ca處。

例如，多條掃描線sl可以將從第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20和從第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30接收的掃描信號(hào)傳輸至多個(gè)像素px1和px2。例如，多條掃描線sl中的一些可以從第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20接收掃描信號(hào)，并且多條掃描線sl中的剩余掃描線可以從第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30接收掃描信號(hào)。第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20和第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30可以通過同步時(shí)鐘信號(hào)彼此同步。

多條數(shù)據(jù)線dl可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元10接收數(shù)據(jù)信號(hào)，并且可以將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至多個(gè)像素px1和px2。

控制器40可以將外部接收的圖像信號(hào)改變?yōu)閳D像數(shù)據(jù)信號(hào)，并且可以將該圖像數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元10。控制器40可以接收同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)以產(chǎn)生用于控制第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20、第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元10的控制信號(hào)，并且可以將控制信號(hào)分別傳輸至第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20、第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元10。

顯示區(qū)域da可包括具有不同分辨率的第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2。第一像素px1可以放置在第一顯示區(qū)域da1中。第二像素px2可以放置在第二顯示區(qū)域da2中。例如，第一顯示區(qū)域da1的分辨率可以高于第二顯示區(qū)域da2的分辨率。換言之，在第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2的獨(dú)立相同大小的面積中，第一像素px1的數(shù)目可以高于第二像素px2的數(shù)目。

至少一個(gè)貫穿部h可以放置在第二顯示區(qū)域da2內(nèi)。相機(jī)、傳感器等可以安裝在至少一個(gè)貫穿部h中。至少一個(gè)貫穿部h可以是用于針對(duì)顯示裝置1的功能的額外構(gòu)件的空間，或者用于能夠向顯示裝置1添加新功能的額外構(gòu)件的空間。第二顯示區(qū)域da2和至少一個(gè)貫穿部h不局限于圖1中示出的實(shí)例。換言之，第二顯示區(qū)域da2可以位于各個(gè)位置中的任一位置處，諸如顯示區(qū)域da的中部或者下部，并且第二顯示區(qū)域da2還可以設(shè)定為具有各種尺寸。至少一個(gè)貫穿部h不需要是圓形的，并且可以改為具有各種形狀，諸如三角形或者多邊形的形狀。此外，至少一個(gè)貫穿部h的形狀、尺寸和位置可以改變。例如，至少一個(gè)貫穿部h可以鄰接第一顯示區(qū)域da1。例如，第二顯示區(qū)域da2可以部分圍繞貫穿部h。因此，在平面圖中，貫穿部h可以一直延伸至基板100的邊緣。

因?yàn)槎鄺l數(shù)據(jù)線dl和多條掃描線sl中的一些與至少一個(gè)貫穿部h重疊，所以由于至少一個(gè)貫穿部h而在數(shù)據(jù)線dl和掃描線sl中出現(xiàn)斷開。因?yàn)槎鄺l掃描線sl從位于顯示單元200的相對(duì)側(cè)的第一掃描驅(qū)動(dòng)單元20和第二掃描驅(qū)動(dòng)單元30兩者接收掃描信號(hào)，所以多條掃描線sl不受由于至少一個(gè)貫穿部h而導(dǎo)致的斷開的影響。然而，當(dāng)數(shù)據(jù)線dl由于至少一個(gè)貫穿部h而斷開時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)未傳輸至位于至少一個(gè)貫穿部h的與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元10相對(duì)的一側(cè)的第二像素px2，并且因此會(huì)劣化第二顯示區(qū)域da2的質(zhì)量。

為了解決該問題，與貫穿部h重疊的數(shù)據(jù)線dl可以具有彎曲形狀以避開貫穿部h。然而，當(dāng)數(shù)據(jù)線dl具有彎曲形狀并且沿著貫穿部h的外周邊定位時(shí)，會(huì)使用額外的空間來(lái)在貫穿部h的周圍設(shè)置具有彎曲形狀的數(shù)據(jù)線dl。因此，會(huì)增加在貫穿部h的周圍的非顯示區(qū)域nda'的面積(例如，參見圖8)。

然而，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)槎鄺l數(shù)據(jù)線dl中的一些沒有直接地連接至第二顯示區(qū)域da2中的第二像素px2，所以由于貫穿部h而斷開的數(shù)據(jù)線dl可以通過第一連接線cl1連接至沒有直接地連接至第二像素px2的另一數(shù)據(jù)線dl(例如，參見圖5)，并且可以接收數(shù)據(jù)信號(hào)。

因此，因?yàn)橐延械臄?shù)據(jù)線dl被用作用于避開貫穿部h的通道，所以可以使在貫穿部h的周圍的非顯示區(qū)域nda'的面積(例如，參見圖8)減小或者最小化，并且可以提高顯示裝置1的制造效率。這將在隨后參考圖5更詳細(xì)地進(jìn)行描述。

圖3是圖2的顯示單元200的第一顯示區(qū)域da1中包括的第一像素px1的等效電路的實(shí)例的電路圖，并且圖4是沿著圖1的線i-i截取的截面圖。

參考圖3，第一像素px1可包括第一像素電路c1和第一發(fā)光器件oled1。第一發(fā)光器件oled1可以發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或者白光。

例如，第一像素電路c1可包括多個(gè)薄膜晶體管t1-t7和至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器cst。第一像素電路c1可以電連接至第一發(fā)光器件oled1。第一發(fā)光器件oled1可以經(jīng)由第一像素電路c1接收驅(qū)動(dòng)電流，并且會(huì)發(fā)光。

多個(gè)薄膜晶體管t1-t7可包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、第一初始化薄膜晶體管t4、第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5、第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6以及第二初始化薄膜晶體管t7。

第一像素電路c1可包括用于將第一掃描信號(hào)sn傳輸至開關(guān)薄膜晶體管t2并且傳輸至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的第一掃描線14。第一像素電路c1還可以包括：第二掃描線24，用于將第二掃描信號(hào)sn-1傳輸至第一初始化薄膜晶體管t4；第三掃描線34，用于將第三掃描信號(hào)sn+1傳輸至第二初始化薄膜晶體管t7；發(fā)光控制線15，用于將發(fā)光控制信號(hào)en傳輸至第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5并且傳輸至第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6；數(shù)據(jù)線16，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)dm；驅(qū)動(dòng)電壓線26，用于傳輸?shù)谝浑娫措妷篹lvdd；以及初始化電壓線22，用于傳輸初始化電壓vint以使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1初始化。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極可以經(jīng)由第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6電連接至第一發(fā)光器件oled1。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1可以根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管t2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)dm，并且可以供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流至第一發(fā)光器件oled1。

開關(guān)薄膜晶體管t2的柵電極可以連接至第一掃描線14。開關(guān)薄膜晶體管t2的源電極可以連接至數(shù)據(jù)線16。開關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極可以連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極，并且還可以經(jīng)由第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5連接至驅(qū)動(dòng)電壓線26。

開關(guān)薄膜晶體管t2被配置為根據(jù)經(jīng)由第一掃描線14接收的第一掃描信號(hào)sn導(dǎo)通，并且被配置為執(zhí)行開關(guān)操作以將從數(shù)據(jù)線16接收的數(shù)據(jù)信號(hào)dm傳輸至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極。

補(bǔ)償薄膜晶體管t3的柵電極可以連接至第一掃描線14。補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極可以連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極，并且還可以經(jīng)由第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6連接至第一發(fā)光器件oled1的像素電極221(參見圖4)。補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極連接至存儲(chǔ)電容器cst的第一電極ce1(參見圖4)、第一初始化薄膜晶體管t4的源電極以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極。補(bǔ)償薄膜晶體管t3被配置為響應(yīng)于經(jīng)由第一掃描線14接收的第一掃描信號(hào)sn導(dǎo)通，并且被配置為將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極，使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1是二極管接法。

第一初始化薄膜晶體管t4的柵電極可以連接至第二掃描線24。第一初始化薄膜晶體管t4的漏電極可以連接至初始化電壓線22。第一初始化薄膜晶體管t4的源電極可以連接至存儲(chǔ)電容器cst的第一電極ce1(參見圖4)、至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極以及至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極。第一初始化薄膜晶體管t4可以根據(jù)經(jīng)由第二掃描線24接收的第二掃描信號(hào)sn-1導(dǎo)通，并且可以將初始化電壓vint傳輸至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極，從而通過將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極的電壓初始化來(lái)執(zhí)行初始化操作。

第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5的柵電極可以連接至發(fā)光控制線15。第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5的源電極可以連接至驅(qū)動(dòng)電壓線26。第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5的漏電極連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極，并且連接至開關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極。

第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6的柵電極可以連接至發(fā)光控制線15。第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6的源電極可以連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極，并且連接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極。第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6的漏電極可以電連接至第一發(fā)光器件oled1的像素電極221(參見圖4)。第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5和第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6被配置為根據(jù)經(jīng)由發(fā)光控制線15接收的發(fā)光控制信號(hào)en同時(shí)導(dǎo)通，并且因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流在第一發(fā)光器件oled1中流動(dòng)時(shí)，第一電源電壓elvdd能夠傳輸至第一發(fā)光器件oled1。

第二初始化薄膜晶體管t7的柵電極可以連接至第三掃描線34。第二初始化薄膜晶體管t7的源電極可以連接至第一發(fā)光器件oled1的像素電極221(參見圖4)。第二初始化薄膜晶體管t7的漏電極可以連接至初始化電壓線22。第二初始化薄膜晶體管t7可以根據(jù)經(jīng)由第三掃描線34接收的第三掃描信號(hào)sn+1導(dǎo)通，并且可以使第一發(fā)光器件oled1的像素電極221初始化。

存儲(chǔ)電容器cst的第二電極ce2(參見圖4)可以連接至驅(qū)動(dòng)電壓線26。存儲(chǔ)電容器cst的第一電極ce1(參見圖4)可以連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極、連接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極、并且連接至第一初始化薄膜晶體管t4的源電極。

第一發(fā)光器件oled1的相對(duì)電極223(參見圖4)可以連接至第二電源電壓elvss。第一發(fā)光器件oled1可以從驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1接收驅(qū)動(dòng)電流，并且會(huì)發(fā)光。

圖3示出驅(qū)動(dòng)第一像素px1的電路的實(shí)例，并且第一發(fā)光器件oled1可以通過各種其他電路結(jié)構(gòu)來(lái)操作。

因?yàn)閳D4是示意性地示出了第一像素px1的截面的截面圖，所以為了便于說明，圖4示出包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2及存儲(chǔ)電容器cst的第一像素電路c1。

參考圖4，基板100可包括各種材料。例如，基板100可以由包含sio2作為主要成分的玻璃材料形成。然而，用于形成基板100的材料不限于此，并且基板100可以由塑料材料形成。塑料材料可以是聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亞胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酸酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纖維素(tac)、乙酸丙酸纖維素(cap)、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物等。

緩沖層201形成在基板100上。緩沖層201可以減小或者防止異物、濕氣或者環(huán)境空氣從基板100下面滲透，并且可以在基板100上提供平坦表面。緩沖層201可包括無(wú)機(jī)材料(諸如氧化物或者氮化物)、有機(jī)材料、或者有機(jī)和無(wú)機(jī)化合物，并且可以形成為無(wú)機(jī)和有機(jī)材料的單層或者多層。

第一薄膜晶體管t1可以是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并且可包括有源層a1、柵電極g1、源電極s1及漏電極d1。第二薄膜晶體管t2可以是開關(guān)薄膜晶體管，并且可包括有源層a2、柵電極g2、源電極s2及漏電極d2。

雖然圖4示出以下實(shí)例，其中第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2是頂柵型薄膜晶體管，其中第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的柵電極g1和g2分別在有源層a1和a2上，柵電極絕緣層203介于它們之間，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2可以是底柵型薄膜晶體管。

第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的有源層a1和a2可包括非晶硅或者多晶硅。根據(jù)另一實(shí)施方式，有源層a1和a2可包括選自于由銦(in)、鎵(ga)、錫(sn)、鋯(zr)、釩(v)、鉿(hf)、鎘(cd)、鍺(ge)、鉻(cr)、鈦(ti)和鋅(zn)組成的組中的至少一種的氧化物。有源層a1和a2可包括溝道區(qū)域，并且還可以包括摻雜有雜質(zhì)的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

柵電極絕緣層203可以在有源層a1和a2上。柵電極絕緣層203可包括包含氧化物或者氮化物的無(wú)機(jī)材料。例如，柵電極絕緣層203可包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋅(zno2)等。

第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的柵電極g1和g2可分別放置在柵電極絕緣層203上。柵電極g1和g2可包括低電阻金屬材料。例如，柵電極g1和g2可包括鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)及鈦(ti)，并且可以形成為單層或多層。

第一薄膜晶體管t1的柵電極g1還可以形成存儲(chǔ)電容器cst的第一電極ce1。

柵電極g1和g2上的第一層間絕緣層205可包括包含氧化物或者氮化物的無(wú)機(jī)材料。例如，第一層間絕緣層205可包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋅(zno2)等。

存儲(chǔ)電容器cst的第二電極ce2放置在第一層間絕緣層205上以與第一電極ce1重疊。因?yàn)榈谝浑姌Oce1是第一薄膜晶體管t1的柵電極g1，所以存儲(chǔ)電容器cst可以放置為與第一薄膜晶體管t1重疊。

第二電極ce2可包括包含鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)及鈦(ti)的導(dǎo)電材料，并且可以形成為包含前述材料的多層或單層。

第二層間絕緣層207放置在第二電極ce2上，并且第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的源電極s1和s2和漏電極d1和d2分別放置在第二層間絕緣層207上。

例如，第二層間絕緣層207可包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氧化鋁(al2o3)、氧化鈦(tio2)、氧化鉭(ta2o5)、氧化鉿(hfo2)、氧化鋅(zno2)等。

第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2的源電極s1和s2與漏電極d1和d2可包括高導(dǎo)電材料。例如，源電極s1和s2與漏電極d1和d2中的每一個(gè)可包括包含鉬(mo)、鋁(al)、銅(cu)及鈦(ti)的導(dǎo)電材料，并且可以形成為包含前述材料的多層或單層。例如，源電極s1和s2與漏電極d1和d2中的每一個(gè)可以形成為ti/al/ti的多層。數(shù)據(jù)線dl可以形成在與源電極s1和s2和漏電極d1和d2形成在上面的層相同的層上。

源電極s1和s2和漏電極d1和d2可以經(jīng)由接觸孔分別接觸有源層a1和a2的源極區(qū)域和漏極區(qū)域。

平坦化層208可以放置在源電極s1和s2和漏電極d1和d2上，并且第一發(fā)光器件oled1可以放置在平坦化層208上。

平坦化層208可以是包含有機(jī)材料層的單層或者通過堆疊包含有機(jī)材料的單層形成的多層。有機(jī)材料可包括商品化的聚合物，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或者聚苯乙烯(ps)、具有酚類基團(tuán)的聚合物衍生物、丙烯?；?acryl-based)聚合物、酰亞胺類聚合物、丙烯?；颐杨惥酆衔?、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對(duì)二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、它們的共混物等。平坦化層208可以是無(wú)機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的堆疊。

第一發(fā)光器件oled1可包括像素電極221、相對(duì)電極223及介于像素電極221與相對(duì)電極223之間的中間層222。

像素電極221可以經(jīng)由圖3的第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6電連接至第一薄膜晶體管t1的漏電極d1。像素電極221可以具有各種形狀。例如，像素電極221可被圖案化為具有島狀。

例如，像素電極221可以是反射電極。例如，像素電極221可包括由銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)或者它們的化合物形成的反射層，并且可包括反射層上的透明或者半透明的電極層。透明或半透明電極層可包括選自由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)、和/或氧化鋅鋁(azo)組成的組的至少一種。

像素限定層212由部分位于像素電極221上的絕緣材料形成。通過使用諸如旋涂的方法，像素限定層212可包括選自由聚酰亞胺、聚酰胺(pa)、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(bcb)及酚醛樹脂組成的組中的至少一種有機(jī)絕緣材料。像素限定層212使像素電極221的區(qū)域暴露。包括有機(jī)發(fā)射層的中間層222放置在像素電極221的暴露區(qū)域上。

中間層222中包括的有機(jī)發(fā)射層可包括低分子有機(jī)材料或者高分子有機(jī)材料，并且中間層222可以進(jìn)一步包括除了有機(jī)發(fā)射層之外的一個(gè)或多個(gè)功能層，諸如空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)、和/或電子注入層(eil)。

相對(duì)電極223可以是透明或半透明電極，并且可包括具有小功函數(shù)的金屬薄膜，該金屬薄膜包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg或者它們的組合。輔助電極層或匯流電極可在金屬薄膜上包括透明電極形成材料，諸如ito、izo、zno或in2o3。因此，相對(duì)電極223可以傳輸由中間層222中包括的有機(jī)發(fā)射層發(fā)出的光。換言之，由有機(jī)發(fā)射層發(fā)出的光可以直接朝向相對(duì)電極223傳播，或者可以被像素電極221反射并且然后朝向相對(duì)電極223傳播。

薄膜封裝層300在相對(duì)電極223上。薄膜封裝層300可以整個(gè)覆蓋顯示單元200以防止外部氧氣和濕氣透入顯示單元200。

薄膜封裝層300可包括至少一個(gè)有機(jī)層(例如，有機(jī)層320)，并且可包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層(例如，無(wú)機(jī)層310和330)。有機(jī)層320和無(wú)機(jī)層310和330可以互相交替堆疊。雖然在圖4中，薄膜封裝層300包括兩個(gè)無(wú)機(jī)層310和330和單個(gè)有機(jī)層320，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。換言之，薄膜封裝層300可以進(jìn)一步包括互相交替堆疊的多個(gè)額外的無(wú)機(jī)層和多個(gè)額外的有機(jī)層，并且堆疊的無(wú)機(jī)層的數(shù)量和堆疊的有機(jī)層的數(shù)量不受限制。

無(wú)機(jī)層310和330可包括選自于以下各項(xiàng)中的至少一種：氮化硅、氮化鋁、二氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、二氧化鈰和/或氮氧化硅(sion)。

有機(jī)層320可以使由像素限定層212所引起的臺(tái)階平坦化，并且可以減小無(wú)機(jī)層310和330上產(chǎn)生的應(yīng)力。有機(jī)層320可包括pmma、pc、ps、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺和/或聚乙烯。

無(wú)機(jī)層310和330可以具有大于有機(jī)層320的面積。因此，無(wú)機(jī)層310和330可以在有機(jī)層320的邊緣彼此接觸，并且因此，可以有效防止外部氧氣或者濕氣的滲透。

顯示裝置1可以進(jìn)一步包括圍繞顯示區(qū)域da并且位于顯示區(qū)域da周圍的非顯示區(qū)域nda中的屏障單元d。

在薄膜封裝層300的有機(jī)層320的形成期間，屏障單元d可以阻斷用于形成有機(jī)層320的有機(jī)材料流向基板100的邊緣，從而防止形成有機(jī)層320的邊緣帶(edgetale)。屏障單元d可以圍繞顯示區(qū)域da。

屏障單元d可包括與用于形成平坦化層208和像素限定層212中至少一個(gè)的材料相同的材料。例如，屏障單元d可包括包含用于形成平坦化層208的材料的第一層，并且可包括包含用于形成像素限定層212的材料的第二層。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且屏障單元d可包括單個(gè)層?？梢园ǘ鄠€(gè)屏障單元d。當(dāng)包括多個(gè)屏障單元d時(shí)，屏障單元d中的每一個(gè)具有在朝向基板100的邊緣的方向上增加的高度。

圖5是圖2的部分a的實(shí)例的放大平面圖，圖6是圖2的部分a的另一實(shí)例的放大平面圖，圖7是圖2的顯示單元200的第二顯示區(qū)域da2中包括的第二像素px2的等效電路的實(shí)例的電路圖，并且圖8是沿著圖1的線ii-ii截取的截面圖。

參考圖2至圖5，顯示區(qū)域da可包括具有不同的分辨率的第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2。

第一顯示區(qū)域da1可被限定為以下區(qū)域，其中第一像素px1在平行于多條掃描線sl的第一方向上以及平行于多條數(shù)據(jù)線dl的第二方向上連續(xù)布置，并且被布置在多條數(shù)據(jù)線dl與多條掃描線sl之間的交叉區(qū)域ca中。第二顯示區(qū)域da2可被限定為剩余區(qū)域。

如上所述，因?yàn)榈谝幌袼豴x1中的每一個(gè)包括圖3的第一像素電路c1和圖3的第一發(fā)光器件oled1，所以第一顯示區(qū)域da1可被限定為以下區(qū)域，其中在第一方向上和第二方向上在多條數(shù)據(jù)線dl與多條掃描線sl之間的交叉區(qū)域ca中連續(xù)布置圖3的第一像素電路c1。

例如，如圖2中所示，當(dāng)?shù)诙@示區(qū)域da2在平行于掃描線sl的方向上整個(gè)地覆蓋顯示區(qū)域da的一側(cè)(例如，上側(cè))時(shí)，第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2可以由第一掃描線sl1來(lái)限定，該第一掃描線sl1連接至在第一掃描線sl1與多條數(shù)據(jù)線dl之間的交叉區(qū)域ca處的圖3的所有第一像素電路c1，并且與至少一個(gè)貫穿部h最接近。換言之，第一掃描線sl1與多條數(shù)據(jù)線dl之間的交叉區(qū)域ca可以是第一顯示區(qū)域da1的邊緣，或者可以在第一顯示區(qū)域da1的邊緣處，并且因此可以通過第一掃描線sl1劃分第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2。

然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不局限于此，并且可以各種形式劃分第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2。作為另一實(shí)例，如圖6所示，其中第一像素px1在第一方向上連續(xù)布置的交叉區(qū)域ca還可以在貫穿部h的周圍在第二方向上延伸。因此，第一顯示區(qū)域da1與第二顯示區(qū)域da2之間的邊界在平面圖中可以具有臺(tái)階形狀，并且第一顯示區(qū)域da1可以具有圍繞貫穿部h的一部分的形狀。

第二顯示區(qū)域da2的分辨率可以低于第一顯示區(qū)域da1的分辨率。第二顯示區(qū)域da2包括多個(gè)第二像素px2，并且多個(gè)第二像素px2中的每一個(gè)可包括一個(gè)第二像素電路c2(參見圖7)，并且可包括多個(gè)第二發(fā)光器件oled2。參考圖5和圖6，更多第二像素px2可以布置在第一掃描線sl1與貫穿部h之間。

在第二顯示區(qū)域da2中，多條數(shù)據(jù)線dl中的一些沒有直接連接至第二像素px2。因此，多條數(shù)據(jù)線dl與多條掃描線sl之間的交叉區(qū)域ca中的一些中沒有圖7的第二像素電路c2。因此，每單位面積的圖7的第二像素電路c2的數(shù)量小于每單位面積的圖3的第一像素電路c1的數(shù)量。

然而，可以相等地形成第一顯示區(qū)域da1中包括的圖4的第一發(fā)光器件oled1和第二顯示區(qū)域da2中包括的第二發(fā)光器件oled2。換言之，每單位面積的圖3的第一發(fā)光器件oled1的數(shù)量可以等于每單位面積的第二發(fā)光器件oled2的數(shù)量，并且因此，由圖3的一個(gè)第一像素電路c1驅(qū)動(dòng)的圖3的第一發(fā)光器件oled1的數(shù)量可以不同于由圖7的一個(gè)第二像素電路c2驅(qū)動(dòng)的第二發(fā)光器件oled2的數(shù)量。

例如，圖5示出一個(gè)實(shí)例，其中一個(gè)第二像素px2包括兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2。然而，第一像素px1包括圖3的一個(gè)第一發(fā)光器件oled1。因此，通過圖3的一個(gè)第一像素電路c1驅(qū)動(dòng)的圖3的第一發(fā)光器件oled1的數(shù)量小于通過圖7的一個(gè)第二像素電路c2驅(qū)動(dòng)的第二發(fā)光器件oled2的數(shù)量，并且因此，在相同大小的面積內(nèi)，第二像素px2的數(shù)量小于第一像素px1的數(shù)量。因此，第二顯示區(qū)域da2的分辨率會(huì)低于第一顯示區(qū)域da1的分辨率。在第二顯示區(qū)域da2中，一個(gè)掃描信號(hào)可被用于兩條掃描線sl。

可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)連接至圖7的一個(gè)第二像素電路c2的兩個(gè)或更多個(gè)第二發(fā)光器件oled2。這將隨后參考圖7和圖8進(jìn)行更詳細(xì)地描述。

參考圖5和圖6，多條數(shù)據(jù)線dl可包括被至少一個(gè)貫穿部h斷開并且放置在第二顯示區(qū)域da2內(nèi)的第一數(shù)據(jù)線dl1，并且還可以包括在第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2上連續(xù)延伸的第二數(shù)據(jù)線dl2。雖然圖5和圖6為了便于說明示出一條第一數(shù)據(jù)線dl1和一條第二數(shù)據(jù)線dl2，應(yīng)當(dāng)理解的是，可以包括多條第一數(shù)據(jù)線dl1和/或多條第二數(shù)據(jù)線dl2。

第一數(shù)據(jù)線dl1連接至第二像素px2。另一方面，第二數(shù)據(jù)線dl2可以連接至第一顯示區(qū)域da1內(nèi)的第一像素px1，并且可不連接至第二顯示區(qū)域da2內(nèi)的任何第二像素px2。

在第二顯示區(qū)域da2內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線dl1可以通過第一連接線cl1電連接至第二數(shù)據(jù)線dl2。因此，施加至第二數(shù)據(jù)線dl2的數(shù)據(jù)信號(hào)同樣可以施加至第一數(shù)據(jù)線dl1，并且可以正常驅(qū)動(dòng)連接至第一數(shù)據(jù)線dl1的第二像素px2。

第一連接線cl1可以與圖4的柵電極g1和g2位于相同的層上、與圖4的源電極s1、s2和漏電極d1、d2位于相同的層上、或者與存儲(chǔ)電容器cst的第二電極ce2位于相同的層上。因此，因?yàn)橛糜谛纬傻谝贿B接線cl1的額外處理是不必要的，并且因?yàn)橐延械牡诙?shù)據(jù)線dl2用作用于避開貫穿部h的通道，所以可以減小或者最小化圖8的在貫穿部h周圍的非顯示區(qū)域nda'的面積，并且可以提高顯示裝置1的制造效率。

第一連接線cl1可以跨在顯示區(qū)域da上，或者可以具有將第一數(shù)據(jù)線dl1連接至第二數(shù)據(jù)線dl2所必需的長(zhǎng)度。第二數(shù)據(jù)線dl2還可以在第二方向上延長(zhǎng)，或者可以僅具有用于與第一連接線cl1連接的足夠長(zhǎng)度。

圖7示出圖5的第二像素px2的等效電路，以及圖8示出圖5的第二像素px2的示意性截面。雖然圖5、圖7及圖8為便于說明，示出其中一個(gè)第二像素px2包括兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2的實(shí)例，但是本發(fā)明的實(shí)施方式不局限于此，并且一個(gè)第二像素px2可包括可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)的三個(gè)或更多個(gè)第二發(fā)光器件oled2。

第二像素電路c2可以與圖3的第一像素電路c1相同。換言之，第二像素電路c2可包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1'、開關(guān)薄膜晶體管t2'、補(bǔ)償薄膜晶體管t3'、第一初始化薄膜晶體管t4'、第一發(fā)光控制薄膜晶體管t5'、第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6'、第二初始化薄膜晶體管t7'及至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器cst'。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1'可以經(jīng)由第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6'電連接至第二發(fā)光器件oled2以供給驅(qū)動(dòng)電流。第二發(fā)光器件oled2的像素電極221'(參見圖8)可以彼此連接。

第二像素電路c2中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流的大小可以不同于圖3的第一像素電路c1中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流的大小。換言之，因?yàn)榈诙袼仉娐穋2需要同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)或更多個(gè)第二發(fā)光器件oled2，所以第二像素電路c2中可以流動(dòng)大于圖3的第一像素電路c1中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)電流。

為此，例如，第二像素電路c2中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1'-t7'的溝道可以寬于圖3的第一像素電路c1中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1-t7的那些溝道?？商娲?，第二像素電路c2中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1'-t7'的溝道可以短于圖3的第一像素電路c1中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1-t7的那些溝道?？商娲?，第二像素電路c2中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1'-t7'的溝道可包括比用于形成圖3的第一像素電路c1中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1-t7的溝道的材料具有更大的電荷移動(dòng)性的材料。可替代地，放置在第二像素電路c2中包括的多個(gè)薄膜晶體管t1'-t7'的溝道上的圖4的柵電極絕緣層203可以比放置在圖3的第一像素電路c1中包括的圖3的多個(gè)薄膜晶體管t1-t7的溝道上的柵電極絕緣層更薄。

為便于說明，圖8示出僅包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1'、開關(guān)薄膜晶體管t2'及存儲(chǔ)電容器cst'的第二像素電路c2。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1'、開關(guān)薄膜晶體管t2'及存儲(chǔ)電容器cst'可以分別與圖4的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2及存儲(chǔ)電容器cst相同。然而，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1'的溝道中可以流動(dòng)比圖4的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的溝道中流動(dòng)的電流更大的電流。

兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2中的每一個(gè)可包括像素電極221'、相對(duì)電極223'及介于像素電極221'與相對(duì)電極223'之間的中間層222'。

兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2的像素電極221'可以彼此電連接，使得可以通過單個(gè)第二像素電路c2同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2。當(dāng)兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2彼此相鄰時(shí)，兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2的像素電極221'可以彼此一體形成。

可替代地，兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2的像素電極221'可以通過額外的線彼此電連接。額外的線可以與圖4的有源層a1和a2、柵電極g1和g2、源電極s1、s2和漏電極d1、d2、或者存儲(chǔ)電容器cst的第二電極ce2形成在相同的層處。

同時(shí)驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)第二發(fā)光器件oled2的中間層222'可以發(fā)射具有相同顏色的光。因此，例如，第二像素px2可以發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光或者白光。

貫穿部h與顯示區(qū)域da之間的空間是非顯示區(qū)nda'。換言之，非顯示區(qū)域nda'可以圍繞貫穿部h。在該情況下，薄膜封裝層300可以一直延伸至非顯示區(qū)域nda'。

顯示裝置1可以進(jìn)一步包括非顯示區(qū)域nda'中圍繞貫穿部h的屏障單元d'。因?yàn)槠琳蠁卧猟'與圖4的屏障單元d相同，所以屏障單元d'可以防止薄膜封裝層300的有機(jī)層320流向貫穿部h。

換言之，有機(jī)層320面對(duì)或者接觸屏障單元d'的側(cè)表面當(dāng)中的屏障單元d'的面對(duì)顯示區(qū)域da的側(cè)表面，并且因此防止有機(jī)層320移向貫穿部h，或者移入貫穿部h。另一方面，無(wú)機(jī)層310和330可以覆蓋屏障單元d'，并且與至屏障單元d'相比，無(wú)機(jī)層310和330的端部可以更接近貫穿部h。無(wú)機(jī)層310和330中的至少一個(gè)可以接觸基板100的被貫穿部h暴露的側(cè)表面s。因此，在非顯示區(qū)域nda'中，無(wú)機(jī)層310和330的邊緣可被剝落，并且因此可以防止削弱或者移除薄膜封裝層300的封裝特性。

圖9是圖2的部分a的另一實(shí)例的放大平面圖。

參考圖2和圖9，多條數(shù)據(jù)線dl可包括被至少一個(gè)貫穿部h斷開并且放置在第二顯示區(qū)域da2內(nèi)的第一數(shù)據(jù)線dl1，還可以包括在第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2上連續(xù)延伸的第二數(shù)據(jù)線dl2，并且還可以包括與第一數(shù)據(jù)線dl1對(duì)準(zhǔn)并且與第一數(shù)據(jù)線dl1被至少一個(gè)貫穿部h斷開的第三數(shù)據(jù)線dl3。

雖然為了便于說明，圖9示出一條第一數(shù)據(jù)線dl1、一條第二數(shù)據(jù)線dl2和一條第三數(shù)據(jù)線dl3，但應(yīng)當(dāng)理解的是，可以包括多條第一數(shù)據(jù)線dl1、多條第二數(shù)據(jù)線dl2及多條第三數(shù)據(jù)線dl3。

第一數(shù)據(jù)線dl1連接至第二像素px2。另一方面，第二數(shù)據(jù)線dl2可以連接至第一顯示區(qū)域da1內(nèi)的第一像素px1，并且可不連接至第二顯示區(qū)域da2內(nèi)的任何第二像素px2。

第一連接線cl1可以將第一數(shù)據(jù)線dl1電連接至第二數(shù)據(jù)線dl2，并且第二連接線cl2可以將第二數(shù)據(jù)線dl2電連接至第三數(shù)據(jù)線dl3。因此，施加至第三數(shù)據(jù)線dl3的數(shù)據(jù)信號(hào)可以同樣施加至第一數(shù)據(jù)線dl1，并且連接至第一數(shù)據(jù)線dl1的第二像素px2可以正常發(fā)光。

第一連接線cl1和第二連接線cl2可以與圖4的柵電極g1和g2、源電極s1、s2和漏電極d1、d2或者存儲(chǔ)電容器cst的第二電極ce2形成在相同的層上。

當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)線dl1電連接至第三數(shù)據(jù)線dl3時(shí)，可以在第一顯示區(qū)域da1與第二顯示區(qū)域da2之間的邊界處(例如，在切割點(diǎn)cp處)切斷(例如，可以終止)第二數(shù)據(jù)線dl2以防止第二數(shù)據(jù)線dl2與第三數(shù)據(jù)線dl3之間的短路。

因?yàn)榈诙?shù)據(jù)線dl2沒有連接至第二顯示區(qū)域da2內(nèi)的第二像素px2，所以在第一顯示區(qū)域da1與第二顯示區(qū)域da2之間的邊界處切斷第二數(shù)據(jù)線dl2沒有產(chǎn)生任何問題。因?yàn)榈诙?shù)據(jù)線dl2的由于切割而沒有向其施加第二數(shù)據(jù)信號(hào)的一部分被用作避開貫穿部h的通道，所以可以使圖8的在貫穿部h周圍的非顯示區(qū)域nda'的面積減小或者最小化，并且可以提高顯示裝置1的制造效率。

因?yàn)榈诙袼豴x2均包括同時(shí)驅(qū)動(dòng)并且發(fā)射具有相同顏色的光的多個(gè)第二發(fā)光器件oled2，所以第二顯示區(qū)域da2的分辨率會(huì)低于第一顯示區(qū)域da1的分辨率。

圖10和圖11是示出了其中圖1的顯示裝置1的顯示區(qū)域da內(nèi)布置發(fā)光器件的實(shí)例的平面圖。

圖10示出以波形瓦(pentile)方式布置發(fā)光器件的實(shí)例。發(fā)光器件的布置方式可以同樣適用于圖1的第一顯示區(qū)域da1和圖1的第二顯示區(qū)域da2。

在圖1的第一顯示區(qū)域da1內(nèi)，一個(gè)發(fā)光器件可以連接至圖3的一個(gè)第一像素電路c1以形成一個(gè)第一像素px1。另一方面，在圖1的第二顯示區(qū)域da2內(nèi)，多個(gè)發(fā)光器件可以連接至圖7的一個(gè)第二像素電路c2。連接至圖7的單個(gè)第二像素電路c2的多個(gè)發(fā)光器件可以發(fā)射具有相同顏色的光。

例如，如圖10中所示，當(dāng)發(fā)光器件以波形瓦(pentile)方式布置時(shí)，通過圖7的一個(gè)第二像素電路c2可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)四個(gè)綠色(g)發(fā)光器件，通過圖7的另一第二像素電路c2可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)紅色(r)發(fā)光器件，并且通過圖7的另一第二像素電路c2可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)藍(lán)色(b)發(fā)光器件。因此，通過圖7的三個(gè)第二像素電路c2可以驅(qū)動(dòng)8個(gè)發(fā)光器件。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且在其他實(shí)施方式中可以改變由圖7的一個(gè)第二像素電路c2同時(shí)驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件的數(shù)量。作為另一實(shí)例，在相同的波形瓦結(jié)構(gòu)中，可以通過圖7的一個(gè)第二像素電路c2同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)綠色發(fā)光器件，可以通過另一第二像素電路c2同時(shí)驅(qū)動(dòng)其他兩個(gè)綠色發(fā)光器件。換言之，可以通過圖7的四個(gè)第二像素電路c2驅(qū)動(dòng)8個(gè)發(fā)光器件。

圖11示出其中以條紋方式布置發(fā)光器件的實(shí)例。在圖11中，發(fā)出紅光的兩個(gè)發(fā)光器件彼此連接，發(fā)出藍(lán)光的兩個(gè)發(fā)光器件彼此連接以及發(fā)出綠光的兩個(gè)發(fā)光器件彼此連接。換言之，通過圖7的三個(gè)第二像素電路c2驅(qū)動(dòng)6個(gè)發(fā)光器件。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，并且通過圖7的一個(gè)第二像素電路c2同時(shí)驅(qū)動(dòng)的發(fā)光器件的數(shù)量可以改變。作為另一實(shí)例，當(dāng)以相同的條紋方式布置發(fā)光器件時(shí)，發(fā)出紅光的四個(gè)發(fā)光器件可以彼此連接，發(fā)出藍(lán)光的四個(gè)發(fā)光器件可以彼此連接，以及發(fā)出綠光的四個(gè)發(fā)光器件可以彼此連接。

圖12是顯示裝置2的示意性平面圖，該顯示裝置是圖1的顯示裝置1的變型。

在此將不重復(fù)圖12的與以上參考圖1給出的描述相同的描述，并將僅描述圖1和圖12各自的顯示裝置1和顯示裝置2之間的差異。

圖12的顯示裝置2可包括基板100上的顯示單元200，并且顯示單元200可包括顯示區(qū)域da，顯示區(qū)域da包括具有不同的分辨率的第一顯示區(qū)域da1和第二顯示區(qū)域da2。在第二顯示區(qū)域da2中，可以形成穿透基板100和顯示單元200的至少一個(gè)貫穿部h。因?yàn)榈诙@示區(qū)域da2中的數(shù)據(jù)線中的一些不直接連接至圖7的任何第二像素電路c2，被用作用于避開貫穿部h的通道，所以第二顯示區(qū)域da2的分辨率會(huì)低于第一顯示區(qū)域da1的分辨率。

第二顯示區(qū)域da2可以具有減小的或者最小化的圍繞貫穿部h的面積。第二顯示區(qū)域da2的面積可以根據(jù)被貫穿部h斷開的數(shù)據(jù)線的數(shù)量改變。因此，圖12的顯示裝置2可包括具有增加的面積的高分辨率的第一顯示區(qū)域da1。

相機(jī)、傳感器、led等可以安裝在至少一個(gè)貫穿部h中。換言之，相機(jī)、傳感器、led等布置在被形成在第二顯示區(qū)域da2中的貫穿部h中，顯示裝置2的顯示圖像的顯示區(qū)域da可被拓寬。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，其中可以安裝相機(jī)等的貫穿部h放置在顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)，并且因此用于顯示圖像的顯示區(qū)域可被拓寬。

而且，因?yàn)樵谪灤┎縣上延伸的數(shù)據(jù)線不需要具有彎曲形狀以避開貫穿部h，所以顯示裝置可以具有減小的貫穿部h周圍的非顯示區(qū)域并且可以得到提高的制造效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本文描述的實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)被視為僅描述意義上的而不是用于限制的目的。每個(gè)實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述通常應(yīng)當(dāng)被視為對(duì)其他實(shí)施方式中的其他類似特征或方面可用。

盡管已經(jīng)參照附圖描述了一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不背離由以下權(quán)利要求及其等同物限定的精神和范圍的情況下，可以在其中作出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。