1.一種AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第一電容(C1)、及有機發(fā)光二極管(OLED)；
所述第一薄膜晶體管(T1)的柵極電性連接于第一節(jié)點(a)，源極電性連接于第二節(jié)點(b)，漏極電性連接于直流電源正極(Vdd)；
所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入第二掃描信號(SEL2)，源極接入數(shù)據(jù)信號(DATA)，漏極電性連接于第一節(jié)點(a)；
所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入第一掃描信號(SEL1)，源極接入初始化信號(INI)，漏極電性連接于第一節(jié)點(a)；
所述第四薄膜晶體管(T4)的柵極接入第一掃描信號(SEL1)，源極接入初始化信號(INI)，漏極電性連接于第二節(jié)點(b)；
所述第一電容(C1)的一端電性連接于第一節(jié)點(a)，另一端電性連接于第二節(jié)點(b)；
所述有機發(fā)光二極管(OLED)的陽極電性連接于第二節(jié)點(b)，陰極電性連接于直流電源負極(Vss)；
所述初始化信號(INI)為一恒定低電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)為一高電位單脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，還包括第二電容(C2)，所述第二電容(C2)的一端電性連接于第一薄膜晶體管(T1)的漏極及直流電源正極(Vdd)，另一端電性連接于第一薄膜晶體管(T1)的源極及第二節(jié)點(b)。
3.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、及第四薄膜晶體管(T4)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一掃描信號(SEL1)、第二掃描信號(SEL2)、初始化信號(INI)、及數(shù)據(jù)信號(DATA)均通過外部時序控制器產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求1或2所述的AMOLED像素驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一掃描信號(SEL1)、第二掃描信號(SEL2)、及數(shù)據(jù)信號(DATA)相組合先后對應(yīng)于復(fù)位階段(S1)、閾值電壓檢測階段(S2)、閾值電壓補償階段(S3)、及發(fā)光階段(S4)；
在所述復(fù)位階段(S1)，所述第一掃描信號(SEL1)為高電位，所述第二掃描信號(SEL2)為低電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)為參考低電位(Vref)；
在所述閾值電壓檢測階段(S2)，所述第一掃描信號(SEL1)為低電位，所述第二掃描信號(SEL2)為高電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)為參考低電位(Vref)；
在所述閾值電壓補償階段(S3)，所述第一掃描信號(SEL1)為低電位，所述第二掃描信號(SEL2)為高電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)為顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)；
在所述發(fā)光階段(S4)，所述第一掃描信號(SEL1)為低電位，所述第二掃描信號(SEL2)為低電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)為參考低電位(Vref)。
6.一種AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一AMOLED像素驅(qū)動電路，包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第一電容(C1)、及有機發(fā)光二極管(OLED)；
所述第一薄膜晶體管(T1)的柵極電性連接于第一節(jié)點(a)，源極電性連接于第二節(jié)點(b)，漏極電性連接于直流電源正極(Vdd)；
所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入第二掃描信號(SEL2)，源極接入數(shù)據(jù)信號(DATA)，漏極電性連接于第一節(jié)點(a)；
所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入第一掃描信號(SEL1)，源極接入初始化信號(INI)，漏極電性連接于第一節(jié)點(a)；
所述第四薄膜晶體管(T4)的柵極接入第一掃描信號(SEL1)，源極接入初始化信號(INI)，漏極電性連接于第二節(jié)點(b)；
所述第一電容(C1)的一端電性連接于第一節(jié)點(a)，另一端電性連接于第二節(jié)點(b)；
所述有機發(fā)光二極管(OLED)的陽極電性連接于第二節(jié)點(b)，陰極電性連接于直流電源負極(Vss)；
所述初始化信號(INI)為一恒定低電位；
步驟2、進入復(fù)位階段(S1)；
所述第一掃描信號(SEL1)提供高電位，所述第二掃描信號(SEL2)提供低電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)提供參考低電位(Vref)，所述第二薄膜晶體管(T2)關(guān)斷，第三薄膜晶體管(T3)與第四薄膜晶體管(T4)打開，第一節(jié)點(a)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極寫入初始化信號(INI)，第二節(jié)點(b)即第一薄膜晶體管(T1)的源極寫入初始化信號(INI)，第一薄膜晶體管(T1)關(guān)斷；
步驟3、進入閾值電壓檢測階段(S2)；
所述第一掃描信號(SEL1)轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢?，所述第二掃描信?SEL2)轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娢?，所述?shù)據(jù)信號(DATA)保持參考低電位(Vref)，第三薄膜晶體管(T3)與第四薄膜晶體管(T4)關(guān)斷，第二薄膜晶體管(T2)打開，第一節(jié)點(a)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極寫入數(shù)據(jù)信號(DATA)的參考低電位(Vref)，第二節(jié)點(b)即第一薄膜晶體管(T1)的源極電位轉(zhuǎn)變?yōu)閂ref-Vth，其中Vth為第一薄膜晶體管(T1)的閾值電壓；
步驟4、進入閾值電壓補償階段(S3)；
所述第一掃描信號(SEL1)保持低電位，所述第二掃描信號(SEL2)保持高電位，所述數(shù)據(jù)信號(DATA)轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)，第三薄膜晶體管(T3)與第四薄膜晶體管(T4)關(guān)斷，第二薄膜晶體管(T2)打開，數(shù)據(jù)信號(DATA)經(jīng)過第二薄膜晶體管(T2)向第一節(jié)點(a)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極以及第一電容(C1)寫入顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)，第二節(jié)點(b)即第一薄膜晶體管(T1)的源極電位轉(zhuǎn)變?yōu)閂ref-Vth+ΔV，ΔV為顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)對所述第一薄膜晶體管(T1)的源極電位即第二節(jié)點(b)的電位所產(chǎn)生的影響；
步驟5、進入發(fā)光階段(S4)；
所述第一掃描信號(SEL1)保持低電位，所述第二掃描信號(SEL2)轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢?，所述?shù)據(jù)信號(DATA)轉(zhuǎn)變?yōu)閰⒖嫉碗娢?Vref)，所述第二、第三、第四薄膜晶體管(T2、T3、T4)均關(guān)斷，由于第一電容(C1)的存儲作用，第一節(jié)點(a)即第一薄膜晶體管(T1)的柵極電位與第二節(jié)點(b)即所述第一薄膜晶體管(T1)的源極電位之間的壓差保持不變；
所述有機發(fā)光二極管(OLED)發(fā)光，且流經(jīng)所述有機發(fā)光二極管(OLED)的電流與第一薄膜晶體管(T1)的閾值電壓無關(guān)。
7.如權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于，所述步驟1提供的AMOLED像素驅(qū)動電路還包括第二電容(C2)，所述第二電容(C2)的一端電性連接于第一薄膜晶體管(T1)的漏極及直流電源正極(Vdd)，另一端電性連接于第一薄膜晶體管(T1)的源極及第二節(jié)點(b)。
8.如權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于，所述步驟4中，所述顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)對所述第一薄膜晶體管(T1)的源極電位即第二節(jié)點(b)的電位所產(chǎn)生的影響ΔV為：
ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+COLED)〕
其中，COLED為有機發(fā)光二極管(OLED)的固有電容。
9.如權(quán)利要求7所述的AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于，所述步驟4中，所述顯示數(shù)據(jù)信號高電位(Vdata)對所述第一薄膜晶體管(T1)的源極電位即第二節(jié)點(b)的電位所產(chǎn)生的影響ΔV為：
ΔV＝(Vdata-Vref)×〔C1/(C1+C2+COLED)〕
其中，COLED為有機發(fā)光二極管(OLED)的固有電容。
10.如權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、及第四薄膜晶體管(T4)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管；所述第一掃描信號(SEL1)、第二掃描信號(SEL2)、初始化信號(INI)、及數(shù)據(jù)信號(DATA)均通過外部時序控制器產(chǎn)生。