本發(fā)明的示例性實施方式涉及數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

背景技術：

近年來，作為顯示裝置得到關注的有機發(fā)光顯示裝置使用自發(fā)射有機發(fā)光二極管(OLED)。因此，有機發(fā)光顯示裝置具有高響應速度并且在對比度、發(fā)射效率、亮度和視角方面有優(yōu)勢。

發(fā)光顯示裝置的各個子像素可包括有機發(fā)光二極管以及驅動有機發(fā)光二極管的驅動晶體管。

此外，各個子像素中的驅動晶體管具有諸如閾值或遷移率的獨特特性。另外，各個驅動晶體管根據驅動時間而劣化，以使得所述獨特特性可能改變。

由于此特征，驅動晶體管之間的劣化程度可根據各個子像素中的驅動晶體管之間的驅動時間的差異而不同。另外，在驅動晶體管之間可能導致特性偏離。

驅動晶體管之間的特性偏離可能是子像素之間的亮度偏離的主要原因，從而使圖像質量降低。

因此，已開發(fā)出用于補償驅動晶體管之間的特性偏離的各種技術。

然而，仍可能存在這樣的問題：補償驅動晶體管之間的特性偏離所必然需要的特性感測沒有精確地執(zhí)行。具體地講，由于各種原因，精確地感測表示驅動晶體管的電流能力的遷移率相當困難。

技術實現要素：

本發(fā)明的示例性實施方式的一方面在于提供一種能夠更精確地感測并補償驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

本發(fā)明的示例性實施方式的另一方面在于提供一種盡管電壓不那么高并且驅動晶體管的電流能力不足，仍能夠在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

本發(fā)明的示例性實施方式的另一方面在于提供一種能夠在不增大驅動晶體管的尺寸的情況下在不那么高的電壓下在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

本發(fā)明的示例性實施方式的另一方面在于提供一種能夠在實現高分辨率和高孔徑比的同時在不那么高的電壓下在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本公開的一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括：有機發(fā)光顯示面板，其中設置有多條數據線和多條選通線，設置有各自包括有機發(fā)光二極管和驅動所述有機發(fā)光二極管的驅動晶體管的多個子像素，并且與K(K≥2)條數據線對應地設置至少一條感測線；數據驅動器，其將數據電壓輸出至所述多條數據線中的每一條；以及選通驅動器，其驅動所述多條選通線。

本文中，所述數據驅動器可在測量所述驅動晶體管的特性的同時向與一條感測線對應的K條數據線當中的S(2≤S≤K)條數據線同時輸出感測數據電壓。

在測量驅動晶體管的特性的同時，所述數據驅動器可向所述K條數據線中的除了感測數據電壓被輸出至的S條數據線之外的K-S條數據線輸出被定義為非感測數據電壓的預定黑色數據電壓。

根據本公開的一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置的驅動方法，該有機發(fā)光顯示裝置包括：有機發(fā)光顯示面板，其中設置有多條數據線和多條選通線，設置有各自包括有機發(fā)光二極管和驅動所述有機發(fā)光二極管的驅動晶體管的多個子像素，并且與K(K≥2)條數據線對應地設置至少一條感測線；數據驅動器，其將數據電壓輸出至所述多條數據線中的每一條；以及選通驅動器，其驅動所述多條選通線。

有機發(fā)光顯示裝置的驅動方法可包括以下步驟：在測量所述驅動晶體管的特性的同時向與一條感測線對應的K條數據線當中的S(2≤S≤K)條數據線同時輸出感測數據電壓；以及感測與所述K條數據線對應的感測線的電壓。

在輸出感測數據電壓的步驟中，有機發(fā)光顯示裝置可在向所述S條數據線輸出感測數據電壓的同時，向所述K-S條數據線輸出被預先定義為非感測數據電壓的黑色數 據電壓。

根據本公開的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示面板，該有機發(fā)光顯示面板包括：設置在第一方向上的多條數據線；設置在第二方向上的多條選通線；各自包括有機發(fā)光二極管和驅動該有機發(fā)光二極管的驅動晶體管的多個子像素；以及針對每K(K≥2)個子像素列設置的至少一條感測線。

有機發(fā)光顯示面板可執(zhí)行感測驅動以測量驅動晶體管的特性，并且在感測驅動期間，共同連接至各條感測線的K個子像素當中的S(2≤S≤K)個子像素可被同時供應有感測數據電壓，K-S個子像素可被同時供應有非感測數據電壓(例如，預定黑色數據電壓)。

根據本公開的另一方面，提供了一種數據驅動器，該數據驅動器包括：鎖存單元，其存儲與多條數據線所對應的多個通道對應的數據；數模轉換器，其針對所述多個通道中的每一個將所述數據轉換為模擬電壓；以及輸出單元，其基于所述模擬電壓向所述多個通道輸出數據電壓。

在數據驅動的同時，數據驅動器的輸出單元可向與一條感測線對應的K(K≥2)條數據線當中的S(2≤S≤K)條數據線同時輸出感測數據電壓，以測量有機發(fā)光顯示面板中的驅動晶體管的特性。

另外，在與一條感測線對應的K條數據線中，輸出單元可向除了感測數據電壓被輸出至的S條數據線之外的K-S條數據線輸出作為非感測數據電壓的預定黑色數據電壓。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種能夠更精確地感測并補償驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種盡管電壓不那么高并且驅動晶體管的電流能力不足，仍能夠在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可在不增大驅動晶體管的尺寸的情況下提供一種能夠在不那么高的電壓下在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種能夠利用高分辨率和高孔徑比在不那 么高的電壓下在短感測時間內感測驅動晶體管的特性的數據驅動器、有機發(fā)光顯示面板、有機發(fā)光顯示裝置以及驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

附圖說明

本公開的以上和其它方面、特征和其它優(yōu)點將從以下結合附圖進行的詳細描述更清楚地理解，附圖中：

圖1是根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的示意性系統(tǒng)配置圖；

圖2是根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板中的子像素補償電路的示例；

圖3是示出根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測的示圖；

圖4是說明根據本發(fā)明的示例性實施方式的驅動晶體管的特性補償概念的示圖；

圖5是示出根據本發(fā)明的示例性實施方式的組件和用于遷移率感測的數據電壓的個體電壓范圍的示圖；

圖6是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時感測線的電壓根據感測時間的改變的示圖；

圖7和圖8是當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時感測線的電壓根據感測時間的改變的示例圖；

圖9是根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板中的感測線布置的示例圖；

圖10是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時僅感測共同連接至一條感測線的四個子像素當中的一個子像素的方法的示圖；

圖11是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線的四個子像素當中的兩個子像素的方法的示圖；

圖12是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線的四個子像素當中的三個子像素的方法的示圖；

圖13是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線的四個子像素當中的四個子像素的方法的示圖；

圖14示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時在共同連接至一條感測線的四個子像素當中同時感測兩個或更多個子像素時的感測順序的示例圖；

圖15是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時在共同連接至一條感測線的四個子像素當中同時感測兩個子像素時的遷移率感測規(guī)劃的示例圖；

圖16是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時的周期的示例圖；

圖17是根據本發(fā)明的示例性實施方式的數據驅動器的框圖；以及

圖18是根據本發(fā)明的示例性實施方式的數據驅動器的數據驅動操作的示例圖。

標號的說明

100：有機發(fā)光顯示裝置

110：有機發(fā)光顯示面板

120：數據驅動器

130：選通驅動器

140：定時控制器

具體實施方式

以下，將參照附圖詳細描述本公開的一些實施方式。當標號指代各個附圖的組件時，盡管相同的組件被示出于不同的圖中，相同的組件盡可能由相同的標號指代。另外，如果認為相關的已知配置或功能的描述可能使本公開的主旨不清楚，則其描述將被省略。

另外，在描述本公開的組件時，可使用諸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的術語。所述術語用于將組件與其它組件相區(qū)分，但是組件的本質、順序或數量不受所述術語限制。如果描述了組件“連接”或“聯接”至另一組件，則將理解，該組件直接連接至或聯接至所述另一組件，但是另一組件可“連接”或“聯接”在組件之間。

圖1是根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100的示意性系統(tǒng)配置圖。根據所有實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的所有組件在操作上被聯接并被配置。

參照圖1，根據示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100包括有機發(fā)光顯示面板110、數據驅動器120、選通驅動器120和定時控制器(T-CON)140。在有機發(fā)光顯示面板110中，多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M(M是等于或大于1的自然數)設置在第一方向(例如，列方向)上，多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N (N是等于或大于1的自然數)設置在第二方向(例如，行方向)上，多個子像素SP成矩陣設置。數據驅動器120驅動多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M。選通驅動器130驅動多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N。定時控制器140控制數據驅動器120和選通驅動器130。

數據驅動器120通過將數據電壓供應給多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M來驅動多條數據線。

選通驅動器130通過將掃描信號依次供應給多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N來依次驅動多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N。

定時控制器140將各種控制信號供應給數據驅動器120和選通驅動器130以控制數據驅動器120和選通驅動器130。

定時控制器140根據各個幀中實現的定時來開始掃描，將從外部輸入的輸入圖像數據轉換為適合于數據驅動器120所使用的數據信號形式，以輸出所轉換的圖像數據DATA。定時控制器140根據掃描在適當的時間控制數據驅動。

選通驅動器130根據定時控制器140的控制將開電壓或關電壓的掃描信號依次供應給多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N以依次驅動多條選通線GL#1、GL#2、…、GL#N。

根據驅動方法，如圖1所示，選通驅動器130可僅設置在有機發(fā)光顯示面板110的一側，或者如果需要設置在兩側。

另外，選通驅動器130可包括一個或更多個選通驅動器集成電路。

各個選通驅動器集成電路可通過載帶自動結合(TAB)方法或者玻璃上芯片(COG)方法連接至有機發(fā)光顯示面板110的結合焊盤。如果需要，各個選通驅動器集成電路還可按照面板中柵極(GIP)型實現以直接設置在有機發(fā)光顯示面板110中，或者可被集成以設置在有機發(fā)光顯示面板110中。

各個選通驅動器集成電路可包括移位寄存器或電平移位器。

當特定選通線打開時，數據驅動器120將從定時控制器140接收的圖像數據DATA轉換為模擬數據電壓。數據驅動器120將模擬數據電壓供應給多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M以驅動多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M。

數據驅動器120包括至少一個源極驅動器集成電路以驅動多條數據線DL#1、DL#2、…、DL#4M。

各個源極驅動器集成電路可通過載帶自動結合(TAB)方法或者玻璃上芯片(COG)方法連接至有機發(fā)光顯示面板110的結合焊盤。如果需要，各個源極驅動器集成電路還可被直接設置在有機發(fā)光顯示面板110中，或者可被集成以設置在有機發(fā)光顯示面板110中。

各個源極驅動器集成電路可包括邏輯單元(包括移位寄存器或鎖存電路)、數模轉換器DAC和輸出緩沖器。如果需要，源極驅動器集成電路還可包括感測子像素的特性以補償特性(例如，驅動晶體管的閾值電壓和遷移率、有機發(fā)光二極管的閾值電壓或者子像素的亮度)的感測單元。

各個源極驅動器集成電路可按照膜上芯片(COF)型實現。在這種情況下，各個源極驅動器集成電路的一端結合至一個源極印刷電路板，另一端結合至有機發(fā)光顯示面板110。

此外，定時控制器140從外部(例如，主機系統(tǒng))與輸入圖像數據一起接收包括垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、輸入數據使能(DE：數據使能)信號和時鐘信號CLK的各種定時信號。

定時控制器140將從外部輸入的輸入圖像數據轉換為適合于數據驅動器120中所使用的數據信號形式，以輸出所轉換的圖像數據。另外，為了控制數據驅動器120和選通驅動器130，定時控制器140接收諸如垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、輸入DE信號和時鐘信號的定時信號以生成各種控制信號，從而將控制信號輸出給數據驅動器120和選通驅動器130。

例如，為了控制選通驅動器130，定時控制器140輸出包括選通起始脈沖GSP、選通移位時鐘GSC和選通輸出使能信號GOE的各種選通控制信號GCS。

這里，選通起始脈沖GSP控制配置選通驅動器130的一個或更多個選通驅動器集成電路的操作起始定時。選通移位時鐘GSC是共同輸入至一個或更多個選通驅動器集成電路的時鐘信號，并且控制掃描信號(選通脈沖)的移位定時。選通輸出使能信號GOE指定一個或更多個選通驅動器集成電路的定時信息。

另外，為了控制數據驅動器120，定時控制器140輸出包括源極起始脈沖SSP、源極采樣時鐘SSC和源極輸出使能信號SOE的各種數據控制信號DCS。

這里，源極起始脈沖SSP控制配置數據驅動器120的一個或更多個源極驅動器集成電路的數據采樣起始定時。源極采樣時鐘SSC是控制各個源極驅動器集成電路 中的數據的采樣定時的時鐘信號。源極輸出使能信號SOE控制數據驅動器120的輸出定時。

參照圖1，定時控制器140可被設置在控制印刷電路板中，該控制印刷電路板通過諸如柔性扁平線纜(FFC)或柔性印刷電路(FPC)的連接介質連接至結合有源極驅動器集成電路的源極印刷電路板。

在這種控制印刷電路板中，還可設置電源控制器(未示出)，該電源控制器向有機發(fā)光顯示面板110、數據驅動器120和選通驅動器130供應各種電壓或電流或者控制要供應的各種電壓或電流。這種電源控制器也被稱作電源管理IC。

上述源極印刷電路板和控制印刷電路板可被形成為一個印刷電路板。

在根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100中，設置在有機發(fā)光顯示面板110中的各個子像素SP可通過諸如有機發(fā)光二極管(OLED)、兩個或更多個晶體管以及至少一個電容器的電路組件來配置。

配置各個子像素的電路組件的類型和數量可根據提供功能和設計方法來不同地確定。

在根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板110中，各個子像素可具有對子像素特性(例如，有機發(fā)光二極管(OLED)的特性(例如，閾值電壓)或者驅動有機發(fā)光二極管(OLED)的驅動晶體管的特性(例如，閾值電壓或遷移率))進行補償的電路結構。

圖2是根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板110中的子像素補償電路的示例。圖3是示出根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測的示圖。

參照圖2，在根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板110中，各個子像素SP是第i(I＝1、2、…、4M)子像素列中所包括的N個子像素之一。

參照圖2，各個子像素SP可包括有機發(fā)光二極管OLED、驅動有機發(fā)光二極管OLED的驅動晶體管DRT、電連接在驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2之間的存儲電容器Cst、由第一掃描信號SCAN控制并且電連接在驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和對應數據線DL#i之間的第一晶體管SWT以及由第二掃描信號SENSE控制并且電連接在驅動晶體管DRT的第二節(jié)點N2和對應感測線SL之間的第二晶體管SENT。

參照圖2，有機發(fā)光二極管OLED由第一電極(例如，陽極電極或陰極電極)、 有機層和第二電極(例如，陰極電極或陽極電極)形成。

例如，驅動晶體管DRT的第二節(jié)點N2連接至有機發(fā)光二極管OLED的第一電極，接地電壓EVSS可被施加到有機發(fā)光二極管OLED的第二電極。

驅動晶體管DRT將驅動電流供應給有機發(fā)光二極管OLED以驅動有機發(fā)光二極管OLED。驅動晶體管具有與源節(jié)點或漏節(jié)點對應的第二節(jié)點N2、與柵節(jié)點對應的第一節(jié)點N2以及與漏節(jié)點或源節(jié)點對應的第三節(jié)點N3。

例如，在驅動晶體管DRT中，第一節(jié)點N1可電連接至第一晶體管SWT的源節(jié)點或漏節(jié)點。第二節(jié)點N2可電連接至有機發(fā)光二極管OLED的第一電極。另外，第三節(jié)點N3可電連接至供應驅動電壓EVDD的驅動電壓線DVL。

第一晶體管SWT將數據電壓VDATAi發(fā)送至驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1并且電連接在驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和數據線DL#i之間。第一晶體管SWT通過供應給柵節(jié)點的第一掃描信號SCAN而導通，以將數據電壓VDATA發(fā)送至驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

存儲電容器Cst電連接在驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2之間，以維持一個幀的預定電壓。

第二晶體管SENT電連接在驅動晶體管DRT的第二節(jié)點N2和感測線SL之間并且由施加到柵節(jié)點的第二掃描信號SENSE來控制。

這里，至少一條感測線SL可被設置在有機發(fā)光顯示面板110上。

換言之，感測線SL可被設置為使得每一條感測線對應于K(K≥2)個子像素列(即，K條數據線)中的每一個。例如，在具有4M個子像素列的有機發(fā)光顯示面板110中，可設置4M/K條感測線。這種感測線SL也可被稱作參考電壓線。

即使一條感測線SL對應于K條數據線，可存在各種布置方向。例如，感測線SL的布置方向可與數據線方向相同或者與選通線方向相同。

第二晶體管SENT導通以將通過感測線RVL供應的參考電壓VREF施加到驅動晶體管DRT的第二節(jié)點N2。

第一晶體管SWT的柵節(jié)點和第二晶體管SENT的柵節(jié)點可共同地連接至同一選通線。在這種情況下，第一掃描信號SCAN和第二掃描信號SENSE是相同的選通信號。

相反，第一晶體管SWT的柵節(jié)點和第二晶體管SENT的柵節(jié)點可連接至不同的 選通線。在這種情況下，第一掃描信號SCAN和第二掃描信號SENSE是不同的選通信號。

此外，各個驅動晶體管DRT具有諸如閾值電壓Vth或遷移率的獨特特性。

另外，各個驅動晶體管DRT根據驅動時間而劣化，從而所述獨特特性可能改變。

由于此特征，驅動晶體管DRT之間的劣化程度可根據各個子像素中的驅動晶體管DRT之間的驅動時間的差異而不同。另外，在驅動晶體管DRT之間可導致特性偏離。

驅動晶體管DRT之間的特性偏離可以是可導致圖像質量下降的子像素之間的亮度偏離的主要原因。

不僅可存在驅動晶體管DRT之間的特性偏離(閾值電壓偏離或遷移率偏離)，而且存在有機發(fā)光二極管OLED之間的特性偏離(閾值電壓偏離)。

在本說明書中，驅動晶體管DRT之間的特性偏離和有機發(fā)光二極管OLED之間的特性偏離被稱作“子像素特性偏離”。

因此，為了改進圖像質量，需要補償子像素特性偏離。

因此，如圖2所示，根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100具有感測并補償子像素特性偏離的子像素結構。

另外，根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100可包括感測各個子像素的子像素特性偏離的感測配置以及利用感測配置的感測結果來補償子像素特性偏離的補償配置。

參照圖2，根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100可包括至少一個模數轉換器210作為感測各個子像素的子像素特性偏離的感測配置。至少一個模數轉換器210通過開關SW電連接至多條感測線SL中的每一條，感測各條感測線SL的電壓，并且將所感測的電壓值轉換為數字值以輸出該值。

模數轉換器ADC 210可被包括在數據驅動器120中。更具體地講，至少一個模數轉換器210可被包括在數據驅動器120中所包括的各個源極驅動器集成電路中。

模數轉換器210感測各條感測線SL的電壓，將所感測的電壓值轉換為數字值以輸出感測數據。輸出的感測數據可被存儲在存儲器220中。

另外，根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100可包括補償器230作為利用與感測配置對應的模數轉換器210的感測結果(感測數據)來補償子像素特 性偏離的補償配置。補償器230基于感測數據來確定補償各個子像素的特性偏離的補償值。

補償器230可執(zhí)行根據所確定的補償值來改變要供應給子像素的數據的處理。

補償器230可被包括在定時控制器140的內部或外部。

定時控制器140將通過補償器230改變的數據DATA發(fā)送至數據驅動器120的對應源極驅動器集成電路。

因此，源極驅動器集成電路中的數模轉換器DAC 240將從定時控制器140接收的數據轉換為與模擬電壓值對應的數據電壓VDATAi以將所轉換的數據電壓供應給對應子像素。

如上所述，當使用模數轉換器210時，補償器230可在數字層面有效地計算出各個子像素的特性。

模數轉換器210被實現于數據驅動器120中，從而優(yōu)點在于，無需在有機發(fā)光顯示面板110或印刷電路板中單獨地提供子像素特性感測配置。

下面將參照圖3簡要地描述驅動晶體管DRT的遷移率補償。

參照圖3，為了感測與除了驅動晶體管DRT的閾值電壓Vth以外的電流能力特性對應的遷移率，有機發(fā)光顯示裝置100將數據電壓VDATAi施加到驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，將參考電壓VREF施加到驅動晶體管DRT的第二節(jié)點N2，從而將驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2初始化。

在這種情況下，被施加到驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1的數據電壓VDATAi可以是用于遷移率感測的數據電壓VDATAs。

有機發(fā)光顯示裝置100在將驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2初始化之后將驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2二者浮置。

因此，驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2的電壓可升高。

在使電壓升高的同時，電流經由驅動晶體管DRT和第二晶體管SENT流向感測線SL。因此，感測線上的線電容器Cline被充電。

電壓升高速度可根據驅動晶體管DRT的電流能力(即，遷移率)而變化。

如上所述，在電壓升高預定時間之后，感測線SL和模數轉換器210通過開關SW連接。

在這種情況下，模數轉換器210感測感測線SL的電壓，即，充入線電容器Cline 中的電壓。補償器230基于感測電壓Vsen相對地計算出驅動晶體管DRT的電流能力(即，遷移率)。通過這樣做，可獲得用于遷移率補償的補償增益。

上述遷移率感測可在預定定時執(zhí)行。例如，遷移率感測可在驅動屏幕的同時通過分配預定時間(例如，空白時間周期)來實時地執(zhí)行。

圖4是示出根據本發(fā)明的示例性實施方式的驅動晶體管DRT的特性補償概念的示圖。圖4示出根據包括在兩個子像素中的兩個驅動晶體管DRT1和DRT2的特性偏離的相對于Vgs的Ids的曲線圖410、在補償兩個驅動晶體管DRT1和DRT2的閾值電壓偏離之后相對于Vgs的Ids的曲線圖420、以及在補償兩個驅動晶體管DRT1和DRT2的閾值電壓偏離之后在補償遷移率之后相對于Vgs的Ids的曲線圖430。

參照在執(zhí)行閾值電壓補償和遷移率補償之前的圖4的曲線圖410，驅動電流流向兩個子像素中的有機發(fā)光二極管OLED的時間以及電流量可能由于兩個驅動晶體管DRT1和DRT2之間的閾值電壓偏離和遷移率偏離而變化。因此，在兩個子像素中生成亮度偏離，這可能導致圖像質量下降。

參照在僅執(zhí)行閾值電壓補償之后的圖4的曲線圖420，盡管兩個驅動晶體管DRT1和DRT2之間的閾值電壓偏離減小，仍存在兩個驅動晶體管DRT1和DRT2之間的電流能力差異(即，遷移率偏離)。因此，流到兩個子像素中的有機發(fā)光二極管OLED中的驅動電流的量可變化。因此，在兩個子像素中生成亮度偏離，這可能導致圖像質量下降。

參照在執(zhí)行閾值電壓補償和遷移率補償之后的圖4的曲線圖430，兩個驅動晶體管DRT1和DRT2之間的閾值電壓偏離和遷移率偏離二者均減小。因此，兩個子像素中的亮度偏離顯著減小，以使得圖像質量可改進。

圖5是示出根據本發(fā)明的示例性實施方式的組件和用于遷移率感測的數據電壓VDATAs的個體電壓范圍的示圖。圖6是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時感測線SL的電壓根據感測時間的改變的示圖。圖7和圖8是當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時感測線SL的電壓根據感測時間的改變的示例圖。

參照圖5，當執(zhí)行遷移率感測時，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs需要被施加到驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

為此，數據驅動器120的對應源極驅動器集成電路輸出用于遷移率感測的數據電 壓VDATAs。

包括在數據驅動器120中的各個源極驅動器集成電路將從定時控制器120接收的數據轉換為與模擬電壓值對應的數據電壓并且輸出所轉換的數據電壓。在這種情況下，轉換并輸出的數據電壓是用于遷移率感測的數據電壓VDATAs。

當執(zhí)行遷移率感測時，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs可在各個源極驅動器集成電路的輸出電壓范圍內輸出。

當執(zhí)行遷移率感測時，從各個源極驅動器集成電路輸出的數據電壓VDATAs具有用于遷移率感測的電壓分量VDATAms和用于閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP。

即，當執(zhí)行遷移率感測時，施加到驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1的數據電壓VDATAs可由下式1表示。

式1

VDATAs＝VDATAms+Vth_COMP

如式1中所表示，當執(zhí)行遷移率感測時，從各個源極驅動器集成電路輸出的數據電壓VDATAs具有用于遷移率感測的電壓分量VDATAms和用于閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP。這是因為定時控制器140向數據驅動器120輸出通過將用于閾值電壓補償的補償值與用于遷移率感測的數據相加而獲得的數據。

此外，閾值電壓感測和補償可在遷移率感測之前或之后執(zhí)行。如果閾值電壓感測和補償在遷移率感測之前執(zhí)行，則當執(zhí)行遷移率感測時，從各個源極驅動器集成電路輸出的數據電壓VDATAs包括用于閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP。

此外，參照圖6，關于有機發(fā)光顯示面板110中的對應子像素，模數轉換器210感測感測線SL的電壓以將所感測的電壓值轉換為數字值。

在這種情況下，模數轉換器210具有相對于模擬電壓值的數字值的轉換范圍(即，由下限DL和上限UL限定的ADC感測范圍)。

在圖6所示的感測線SL的電壓相對于感測時間的改變曲線圖中，指示感測線SL的電壓隨著感測時間增大的斜率k1、k2和k3可根據各個驅動晶體管DRT的電流能力而變化。

感測線SL的電壓按照最大斜率k3增大的驅動晶體管DRT具有最高電流能力(遷移率)。感測線SL的電壓按照最小斜率k1增大的驅動晶體管DRT具有最低電流能力 (遷移率)。

當在改變感測線SL的電壓達預定時間之后實際感測的電壓Vsen高于或低于用于去除或減小驅動晶體管DRT之間的遷移率偏離的目標感測電壓REF.TARGET時，可補償遷移率以使得感測電壓變?yōu)槟繕烁袦y電壓REF.TARGET。

此外，為了精確地補償遷移率，所有子像素的感測電壓值的分布(遷移率分布)需要被包括在ADC感測范圍內，如圖7的第一曲線圖710中所示。

如果所有子像素的感測電壓值的分布(遷移率分布)未被包括在ADC感測范圍內(如第二曲線圖720中所示)，則當遷移率分布具有下溢的遷移率分布時，獲得錯誤的感測結果。因此，可能未令人滿意地執(zhí)行遷移率補償。

如圖7的第二曲線圖720中所示，當有機發(fā)光顯示面板110中的所有子像素的遷移率分布是下溢的遷移率分布時，可存在具有低電流能力和遷移率的驅動晶體管DRT。

驅動晶體管DRT的電流能力不足的情況是由于以下原因而導致的：子像素尺寸由于有機發(fā)光顯示裝置100的高分辨率而減小并且驅動晶體管DRT的尺寸減小以增大孔徑比。

因此，為了在不增加驅動晶體管DRT的尺寸的情況下將有機發(fā)光顯示面板110中的所有子像素的遷移率分布從如圖7的第二曲線圖720中所示的下溢的遷移率分布改變?yōu)槿鐖D7的第一曲線圖710中所示的正常遷移率分布，可存在如圖8的第一曲線圖810中所示的增加感測時間的方法或者如圖8的第二曲線圖820中所示的增加電流量的方法(增大驅動晶體管DRT的偏置電壓Vgs的方法)。

然而，當在驅動圖像的同時實時地執(zhí)行遷移率感測時，由于可感測的時間限制，如圖8的第一曲線圖810中所示的增加感測時間的方法不可用。

另外，在如圖8的第二曲線圖820中所示的增加電流量的方法(增大驅動晶體管DRT的偏置電壓Vgs的方法)的情況下，各個源極驅動器集成電路需要輸出更高的數據電壓VDATAs。然而，在這種情況下，對增加數據驅動器120的源極驅動器集成電路的能力(即，輸出電壓范圍)可存在限制。

因此，為了減小子像素的尺寸并且增大孔徑比以獲得有機發(fā)光顯示裝置100的高分辨率，驅動晶體管DRT被設計為具有小尺寸。因此，在驅動晶體管DRT的電流能力不足的情況下，極其需要使用用于遷移率感測的低數據電壓VDATAs在短感測時 間內精確地執(zhí)行遷移率補償。

因此，本發(fā)明的示例性實施方式提供了在驅動晶體管DRT的電流能力不足的情況下可使用用于遷移率感測的低數據電壓VDATAs在短感測時間內精確地執(zhí)行遷移率補償的有機發(fā)光顯示面板110、有機發(fā)光顯示裝置100及其驅動方法。

此外，設置在根據示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板110中的多條感測線可針對每一個子像素列或者每兩個或更多個子像素列設置。

換言之，可針對每一個子像素列設置一條感測線SL，或者可針對每兩個或更多個子像素列設置一條感測線SL。

當針對每兩個或更多個子像素列設置一條感測線SL時，如果感測線布置單位為K(K≥2)，則將理解，針對每K個子像素列設置多條感測線。

圖9是根據示例性實施方式的有機發(fā)光顯示面板110中的感測線的布置的示例圖。如圖1所示，當有機發(fā)光顯示面板110中存在4M個子像素列時，針對每四個子像素列設置一條感測線。

換言之，圖9是示出當感測線布置單位K為4時，針對每四個子像素列設置M(＝4M/K＝4M/4＝M)條感測線SL#1、SL#2、…、SL#M的布置圖。

如上所述，將理解，當針對每四個子像素列設置M條感測線SL#1、SL#2、…、SL#M時，在一個像素P可由四個子像素SP配置的像素結構下，針對每一個像素列設置M條感測線SL#1、SL#2、…、SL#M。

在這種情況下，如從一個子像素行看出的，一條感測線共同地連接至四個子像素。

例如，感測線SL#2共同地連接至子像素SP#5(其中i＝5)、子像素SP#6(其中i＝6)、子像素SP#7(其中i＝7)和子像素SP#8(其中i＝8)。

下面將在K＝4，即，針對每四個子像素列設置M條感測線SL#1、SL#2、…、SL#M的假設下描述根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測方法。

圖10是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時僅感測共同連接至任意一條感測線SL#m(m＝1、2、…、M)的四個子像素R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)、B(SP#4m)當中的一個子像素的方法的示圖。

這里，共同連接至一條感測線SL#m的K個子像素(在圖10中，R、W、G和B)可配置一個像素。

參照圖10，一條任意感測線SL#m(m＝1、2、…、M)共同連接至四個子像素 R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)和B(SP#4m)。

更具體地講，一條任意感測線SL#m(m＝1、2、…、M)共同連接至感測節(jié)點Ns處的四個子像素R、W、G和B中的第二晶體管SENT。

參照圖10，當執(zhí)行遷移率感測時，僅感測共同連接至一條任意感測線SL#m的四個子像素R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)和B(SP#4m)當中的一個子像素。

圖10是示出僅在共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)和B(SP#4m)當中的W子像素中執(zhí)行遷移率感測的示圖。

在這種情況下，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_W被施加到共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)和B(SP#4m)當中的W子像素的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

然而，不是用于感測(例如，用于遷移率感測或者用于閾值電壓感測)的數據電壓VDATAs，而是黑色數據電壓VDATA_BLACK被施加到共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R(SP#4m-3)、W(SP#4m-2)、G(SP#4m-1)和B(SP#4m)當中的未執(zhí)行遷移率感測的R子像素、G子像素和B子像素的各個驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。這里，黑色數據電壓VDATA_BLACK可具有預定電壓值，例如，0V的電壓。在一些情況下，黑色數據電壓VDATA_BLACK可具有低于0V的電壓值(例如，-0.5V或–1V)或者高于0V的電壓值(例如，0.5V或1V)。

在這種情況下，流到用于遷移率感測的感測線SL#m中的總電流Ids_Total等于流到執(zhí)行遷移率感測的W子像素中的電流Ids_W。

當假設共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中同時執(zhí)行遷移率感測的子像素的數量為S時，在圖10中S＝1。

如上所述，僅感測共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的一個子像素，如果各個子像素中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)不足，則流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量不足。因此，沒有精確地感測遷移率，因此沒有充分地補償遷移率。

因此，如圖11至圖13所示，根據本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置100可同時感測共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的兩個或更多個子像 素的遷移率。即，同時執(zhí)行遷移率感測的子像素的數量S可為2或更多以及K或更小(2≤S≤K)。

圖11是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的兩個子像素W和G的方法(K＝4，S＝2)的示圖。圖12是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的三個子像素R、W和G的方法(K＝4，S＝3)的示圖。圖13是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時同時感測共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的四個子像素R、W、G和B的方法(K＝4，S＝4)的示圖。

參照圖11至圖13，在共同連接至感測線SL#m的K個子像素當中，S個子像素(圖11中的兩個子像素G和B，圖12中的三個子像素R、G和B，圖13中的四個子像素R、W、G和B)被選為被同時感測的子像素。

參照圖11至圖13，在根據本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100中，當測量驅動晶體管的特性(即，執(zhí)行感測操作)時，可通過第一節(jié)點N1同時向一個子像素行中共同連接至各條感測線SL#m的K(K＝4)個子像素當中的S個子像素(如果2≤S≤K并且K＝4，則S＝2或3或4)中的每一個中的驅動晶體管DRT施加感測數據電壓VDATAs，而非黑色數據電壓VDATA_BLACK。

為此，當測量驅動晶體管的特性時，數據驅動器120可將感測數據電壓輸出給連接至共同連接至各條感測線SL#m的K(K＝4)個子像素當中的S個子像素(如果2≤S≤K并且K＝4，則S＝2或3或4)中的每一個的數據線。

數據驅動器可在將感測數據電壓輸出給連接至S(如果2≤S≤K并且K＝4，則S＝2或3或4)個子像素中的每一個的數據線的同時，將預定的黑色數據電壓輸出給連接至K-S個子像素的數據線作為非感測數據電壓。

換言之，在測量驅動晶體管的特性的同時，數據驅動器120可將感測數據電壓輸出給與一條感測線SL#m對應的K條數據線當中的S條數據線，并且將被定義為非感測數據電壓的預定黑色數據電壓輸出給除了從K條數據線輸出感測數據電壓的S條數據線以外的K-S條數據線。

這里，從連接至與一條感測線對應的K條數據線的K個子像素中選擇連接至S 條數據線的S個子像素作為同時感測的子像素。

可通過定時控制器140來選擇待感測的子像素。

即，定時控制器140從共同連接至一條感測線的K個子像素選擇將同時感測的S個子像素，并且使與所選擇的S個子像素對應的數據成為感測數據，使得感測數據電壓被供應給所選擇的S個子像素。定時控制器140將感測數據供應給數據驅動器120。

另外，定時控制器140使與K-S個子像素對應的數據成為非感測數據(例如，黑色數據電壓)，使得非感測數據電壓被供應給共同連接至一條感測線的K個子像素當中的未被感測的K-S個子像素。定時控制器140將非感測數據供應給數據驅動器120。

這里，感測數據電壓VDATAs可以是用于遷移率感測的數據電壓或者用于閾值電壓感測的數據電壓。然而，為了描述方便，在下文中感測數據電壓VDATAs也被稱作用于遷移率感測的數據電壓。

這里，當感測數據電壓VDATAs被“同時”施加到S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1時，感測數據電壓VDATAs被施加到S個子像素中的驅動晶體管的第一節(jié)點N1的定時可完全相同。然而，實質上，施加定時可能略微不同。關于此，當感測數據電壓VDATAs被“同時”施加到S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1時，意味著在用于模數轉換器210的一次電壓感測的一次感測周期中感測數據電壓VDATAs被施加到S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

參照圖11，當S＝2時，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_W被施加到W子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，并且用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_G被施加到與W子像素同時執(zhí)行遷移率感測的G子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

在這種情況下，流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量等于流過W子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_W和流過G子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_G的電流量之和。

在這種情況下，W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可被認為是流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量的一半。

即，W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)對應于基于感測線SL#m的感測電壓Vsen而獲得的電流能力(遷移率)的一半。因 此，可據此確定用于遷移率補償的增益。

相反，W子像素和G子像素中的每一個的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可根據W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量。

即，W子像素和G子像素中的每一個的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可通過根據W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分基于感測線SL#m的感測電壓Vsen獲得的電流能力(遷移率)來獲得?？蓳舜_定用于遷移率補償的增益。

如圖11所示，當在兩個子像素中同時感測遷移率時，與僅在一個子像素中執(zhí)行遷移率感測的情況相比，解決了由電流量不足導致的問題。因此，可解決由于電流不足而未令人滿意地執(zhí)行遷移率感測和遷移率補償的問題。

參照圖12，當S＝3時，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_R被施加到R子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_W被施加到W子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_G被施加到G子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

在這種情況下，流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量等于流過R子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_R、流過W子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_W和流過G子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_G的電流量之和。

在這種情況下，R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可被認為是流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量的三分之一。

即，R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)對應于基于感測線SL#的感測電壓Vsen獲得的電流能力(遷移率)的三分之一。因此，可據此確定用于遷移率補償的增益。

相反，R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可根據R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量。

即，R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能 力(遷移率)可通過根據R子像素、W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分基于感測線SL#m的感測電壓Vsen獲得的電流能力(遷移率)來獲得?？蓳舜_定用于遷移率補償的增益。

如圖12所示，當在三個子像素中同時感測遷移率時，與僅在一個子像素中執(zhí)行遷移率感測以及在兩個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測的情況相比，解決了由電流量不足導致的問題。因此，可解決由于電流不足而未令人滿意地執(zhí)行遷移率感測和遷移率補償的問題。

參照圖13，當S＝3時，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_R被施加到R子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_W被施加到W子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_G被施加到G子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_B被施加到B子像素中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

在這種情況下，流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量等于流過R子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_R、流過W子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_W、流過G子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_G和流過B子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_B的電流量之和。

在這種情況下，R子像素、W子像素、G子像素和B子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)被認為是流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量的四分之一。

即，R子像素、W子像素、G子像素和B子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)對應于基于感測線SL#m的感測電壓Vsen獲得的電流能力(遷移率)的四分之一。因此，可據此確定用于遷移率補償的增益。

相反，R子像素、W子像素、G子像素和B子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可根據R子像素、W子像素、G子像素、B子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量。

即，R子像素、W子像素、G子像素和B子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)可通過根據R子像素、W子像素、G子像素和B子像素中的每一個中的驅動晶體管的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分基于感測線SL #m的感測電壓Vsen獲得的電流能力(遷移率)來獲得。可據此確定用于遷移率補償的增益。

如圖13所示，當在四個子像素中同時感測遷移率時，與僅在一個子像素中執(zhí)行遷移率感測以及在兩個和三個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測的情況相比，解決了由電流量不足導致的問題。因此，可解決由于電流不足而未令人滿意地執(zhí)行遷移率感測和遷移率補償的問題。

如上所述，各條感測線SL#m中流過的總電流Ids_Total對應于在共同連接至各條感測線SL#m的S個子像素(當S＝4時，R、W、G和B)中的每一個中的驅動晶體管DRT中電傳導的電流之和。

換言之，流到與K條數據線對應的一條感測線中的電流Ids_Total對應于流過連接至K條數據線并且還共同連接至一條感測線的K個子像素當中的共同連接至感測數據電壓所輸出至的各條感測線SL#m的S個子像素(當S＝4時，R、W、G和B)中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流之和。

如圖11至圖13所示，當在共同連接至一條感測線Sl#m的四個子像素R、W、G和B當中的兩個或更多個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測時，可抑制由于各個子像素中的驅動晶體管DRT的電流能力不足而導致的電流不足。因此，即使子像素的尺寸由于有機發(fā)光顯示裝置100的高分辨率而減小，并且驅動晶體管DRT被設計為具有小尺寸以用于增大孔徑比，也可在短感測時間內利用具有低遷移率的感測數據電壓VDATAs精確地執(zhí)行遷移率感測和補償。

除了同時執(zhí)行遷移率感測的S個子像素以外，當存在共同連接至多條感測線的K-S個子像素(K＝4和S＝2的圖11中的R子像素和B子像素，K＝4和S＝3的圖12中的B子像素)時，通過第一節(jié)點N1向K-S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT施加黑色數據電壓VDATA_BLACK，而向S個子像素(K＝4和S＝2的圖11中的W子像素和G子像素，K＝4和S＝3的圖12中的R子像素、W子像素和G子像素)中的每一個中的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1施加數據電壓VDATAs，而非黑色數據電壓VDATA_BLACK。

如上所述，在共同連接至一條感測線SL#m的K個子像素當中的一些子像素中同時執(zhí)行遷移率感測，而在剩余子像素中不執(zhí)行遷移率感測，以使得根據遷移率感測的負載被優(yōu)化并減小。

然而，如上所述，在共同連接至一條感測線SL#m的K個子像素R、W、G和B當中的兩個或更多個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測，從而沒有反映驅動晶體管DRT的個體電流能力，并且可能生成一些誤差。因此，遷移率感測和補償的精度可降低。

為了補償降低的精度，在共同連接至各條感測線SL#m的K個子像素當中的兩個或更多個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測，并且執(zhí)行K個子像素中的每一個的遷移率感測多次，可使K個子像素中的每一個的遷移率感測的次數相等?？筛_地感測驅動晶體管DRT的個體電流能力。

即，在預定時間內通過第一節(jié)點N1向共同連接至各條感測線SL#m的K個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT施加數據電壓VDATAs(而不是黑色數據電壓VDATA_BLACK)相同次數。

此外，在S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT中，當感測感測線的電壓時，柵節(jié)點與源節(jié)點之間的電位差可彼此相等。

圖14示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時當在共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中同時感測兩個子像素(S＝2)，同時感測三個子像素(S＝3)，以及同時感測四個子像素(S＝4)時的感測順序的示例圖。

在圖14中，當S＝2時，根據感測順序的各個子像素的遷移率感測的次數如下。在總共六次的遷移率感測期間，在四個子像素R、W、G和B中的每一個中執(zhí)行遷移率感測三次。

在圖14中，當S＝3時，根據感測順序的各個子像素的遷移率感測的次數如下。在總共八次的遷移率感測期間，在四個子像素R、W、G和B中的每一個中執(zhí)行遷移率感測六次。

在圖14中，當S＝4時，根據感測順序的各個子像素的遷移率感測的次數如下。在總共十次的遷移率感測期間，在四個子像素R、W、G和B中的每一個中執(zhí)行遷移率感測十次。

如上所述，當在共同連接至一條感測線SL#m的K個子像素R、W、G和B當中的兩個或更多個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測時，針對K個子像素R、W、G和B中的每一個的遷移率感測被執(zhí)行多次，通過定時控制器140的控制使K個子像素中的每一個的遷移率感測的次數相等。

如上所述，當在共同連接至一條感測線SL#m的K個子像素R、W、G和B當中的兩個或更多個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測時，針對K個子像素R、W、G和B中的每一個的遷移率感測被執(zhí)行多次，并且使K個子像素中的每一個的遷移率感測的次數相等。因此，可更精確地感測驅動晶體管DRT的個體電流能力。

此外，共同連接至各條感測線SL#m的K(圖11至圖13中，K＝4)個子像素當中的包括通過第一節(jié)點N1被供應有用于遷移率感測的數據電壓VDATAs(而非黑色數據電壓)的驅動晶體管DRT的子像素的數量S可與各個子像素中所包括的驅動晶體管DRT的尺寸成反比。

這里，驅動晶體管DRT的尺寸可通過溝道寬度W和溝道長度L來確定。即，驅動晶體管DRT的尺寸可與溝道寬度W成正比并且與溝道長度L成反比。

驅動晶體管DRT的電流驅動能力(即，電流能力)與溝道寬度W成正比并且與溝道長度L成反比。即，驅動晶體管DRT的電流驅動能力(即，電流能力)由W/L確定。

當驅動晶體管的溝道寬度W較大，即，驅動晶體管DRT的尺寸較大以使得驅動晶體管DRT的電流驅動能力較大時，S可被設定為較小。相反，當驅動晶體管的溝道寬度W較小，即，驅動晶體管DRT的尺寸較小以使得驅動晶體管DRT的電流驅動能力較小時，S可被設定為較大。

當驅動晶體管的溝道長度L較大，即，驅動晶體管DRT的尺寸較小以使得驅動晶體管DRT的電流驅動能力較小時，S可被設定為較大。相反，當驅動晶體管的溝道長度L較小，即，驅動晶體管DRT的尺寸較大以使得驅動晶體管DRT的電流驅動能力較大時，S可被設定為較小。

圖15是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時當執(zhí)行針對共同連接至一條感測線SL#m的四個子像素R、W、G和B當中的兩個子像素W和G的遷移率感測時的遷移率感測規(guī)劃的示例圖。

參照圖15，在遷移率感測周期期間，高于黑色數據電壓(例如，0V)的用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_W被施加到W子像素的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1，與此同時，高于黑色數據電壓(例如，0V)的用于遷移率感測的數據電壓VDATAs_G被施加到G子像素的驅動晶體管DRT的第一節(jié)點N1。

隨后，在預定時間過去之后，感測通過流到感測線SL#m中的電流Ids_Total而 充入線電容器Cline中的電壓(即，感測線SL#m的電壓)。

這里，流到感測線SL#m中的電流Ids_Total是流過W子像素的驅動晶體管DRT的電流Ids_W和流過G子像素的驅動晶體管DRT的電流Ids_G之和。

即，流到感測線SL#m中的電流Ids_Total是通過將W子像素的驅動晶體管DRT的電流能力和G子像素的驅動晶體管DRT的電流能力組合而流過的電流。

因此，通過將兩個晶體管的電流能力組合來感測由模數轉換器210感測的電壓，并且兩個晶體管的組合電流能力(遷移率)由下式2表示。

式2

Ids_Total＝Ids_W+Ids_G

＝Kw×(VDATAs_W-Vth_W)²+Kg×(VDATAs_G-Vth_G)²

＝Kw×((VDATAms_W+Vth_COMP_W)-Vth_W)²+Kg×((VDATAms_G+Vth_COMP_F)-Vth_G)²

在式2中，Kw和Kg由W子像素和G子像素中的每一個的驅動晶體管DRT的獨特值(μ：遷移率(電子遷移率)，Cox：氧化物電容，W：溝道寬度，L：溝道長度)確定，并且可為1/2×μ×Cox×W/L。

另外，VDATAs_W是供應給W子像素的用于遷移率感測的數據電壓，并且由用于遷移率感測的電壓分量VDATAms_W和用于閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP_W之和表示。Vth_W是W子像素中的驅動晶體管DRT的閾值電壓。

另外，VDATAs_G是供應給W子像素的用于遷移率感測的數據電壓，并且由用于遷移率感測的電壓分量VDATAms_G和用于閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP_G之和表示。Vth_G是G子像素中的驅動晶體管DRT的閾值電壓。

此外，用于W子像素中的閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP_W等于W子像素中的驅動晶體管DRT的閾值電壓Vth_W。另外，用于G子像素中的閾值電壓補償的電壓分量Vth_COMP_G等于G子像素中的驅動晶體管DRT的閾值電壓Vth_G。

據此，式2可由下式3表示。

式3

Ids_Total＝Ids_W+Ids_G

＝Kw×((VDATAms_W+Vth_COMP_W)-Vth_W)²+Kg×((VDATAms_G+Vth_COMP_G)-Vth_G)²

＝Kw×VDATAms_W²+Kg×VDATAms_G²

此外，用于W子像素中的遷移率感測的電壓分量VDATAms_W可等于用于G子像素中的遷移率感測的電壓分量VDATAms_G(VDATAms＝VDATAms_W＝VDATAms_G)。因此，式3可由下式4重新表示。

式4

Ids_Total＝Ids_W+Ids_G

＝KW×((VDATAms_W+Vth_COMP_W)-Vth_W)²+Kg×((VDATAms_G+Vth_COMP_G)-Vth_G)²

＝Kw×VDATAms_W²+Kg×VDATAms_G²

＝(Kw+Kg)×VDATAms²

參照式2至式4，流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量等于流過W子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_W和流過G子像素中的驅動晶體管DRT的電流Ids_G的電流量之和。

即，流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量由W子像素和G子像素中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)之和確定。

補償器230基于由流到感測線SL#m中的總電流Ids_Total的電流量確定的線電容器Cline的充入電壓的感測值來計算出通過將W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)相加而獲得的電流能力。另外，補償器230可按照1/2劃分相加的電流能力或者根據W子像素和G子像素中的驅動晶體管DRT的尺寸比例W/L或溝道寬度W成比例地劃分相加的電流能力，以計算出W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT的電流能力(遷移率)。

補償器230基于針對W子像素和G子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT單獨地計算出的電流能力(遷移率)來確定用于遷移率補償的增益，以通過將所述增益與供應給數據驅動器120的原始數據相乘來執(zhí)行數據改變處理。另外，補償器230將所改變的數據供應給數據驅動器120，以使得遷移率補償被實際執(zhí)行。

計算出上述個體電流能力(遷移率)將被一般化以描述。補償器230基于根據從模數轉換器210接收的數字值(感測數據)確認的所感測的感測線SL的電壓來計算通過將S個子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值相加而獲得的集總電流能力值。補償器230從所計算出的集總電流能力值計算S個子像素的驅動晶體管的個體電流能力值作為遷移率。補償器230還基于所計算出的個體電流能力值來執(zhí)行補償S個子像素中的每一個中的驅動晶體管的遷移率的補償處理(例如，用于確定遷移率補償增益)。

作為從集總電流能力值(集總遷移率)獲得S個驅動晶體管的個體電流能力值(遷移率)的方法，為了計算效率，假設S個子像素中的驅動晶體管的個體電流能力彼此相等。補償器230基于所感測的感測線SL的電壓來計算通過將S個子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值相加而獲得的集總電流能力值，并且計算所計算出的集總電流能力值的1/S作為S個子像素中的每一個中的驅動晶體管的個體電流能力值。

作為從集總電流能力值(集總遷移率)獲得S個驅動晶體管的個體電流能力值(遷移率)的另一方法，補償器230基于所感測的感測線SL的電壓來計算通過將S個子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值相加而獲得的集總電流能力值。補償器230還基于S個子像素中的驅動晶體管之間的尺寸或溝道寬度之比來從所計算出的集總電流能力值計算S個子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值。

例如，從概念上講，當假設集總電流能力值為10并且第一子像素中的驅動晶體管的尺寸(或溝道寬度)與第二子像素中的驅動晶體管的尺寸(或溝道寬度)之比為2:3時，第一子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值為4(＝10*2/5)，第二子像素中的驅動晶體管的個體電流能力值為6(＝10*3/5)。

關于有機發(fā)光顯示面板110上的所有子像素中的驅動晶體管的尺寸或溝道寬度的信息可被存儲在存儲器220中。

與個體電流能力值的計算效率相比通過更多考慮計算精度來執(zhí)行此方法。因此，認為S個子像素中的每一個中的驅動晶體管的個體電流能力可根據各個驅動晶體管的物理標準(尺寸或溝道寬度)而變化。

如圖11所示，當在兩個子像素中同時執(zhí)行遷移率感測時，與僅在一個子像素中感測遷移率的情況相比，解決了由電流量不足導致的問題。因此，可解決由于電流不足而未令人滿意地執(zhí)行遷移率感測和遷移率補償的問題。

圖16是示出當執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測時的周期的示例圖。

參照圖16，例如，可在顯示畫面的同時相對于垂直同步信號VSYNC針對每一空白時間周期執(zhí)行根據本發(fā)明的示例性實施方式的遷移率感測。

另外，同時，可在空白時間周期期間通過第一節(jié)點N1向執(zhí)行遷移率感測的S個子像素中的每一個中的驅動晶體管DRT同時供應數據電壓VDATAs，而非黑色數據電壓VDATA_BLACK。

即，在一個空白時間周期期間，數據驅動器120可將感測數據電壓VDATAs輸出給與一條感測線對應的K條數據線當中的連接至待感測的S個子像素的S條數據線。

如上所述，可在顯示畫面的同時實時地有效地執(zhí)行遷移率感測。

圖17是根據本發(fā)明的示例性實施方式的數據驅動器120的框圖，圖18是根據本 發(fā)明的示例性實施方式的數據驅動器120的詳細框圖并且示出數據驅動操作的示例。然而，在圖17和圖18中，假設K＝4，S＝2并且K-S＝2。

參照圖17和圖18，根據本發(fā)明的示例性實施方式的數據驅動器120可包括鎖存單元1710、數模轉換單元1720和輸出單元1730。在鎖存單元1710中，存儲有與多條數據線DL1、DL2、DL3、DL4、…所對應的多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…對應的數據。數模轉換單元1720將多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…的數據轉換為模擬電壓。輸出單元1730基于所述模擬電壓將數據電壓輸出至多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…。

上述鎖存單元1710可包括與多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…對應的鎖存器LAT1、LAT2、LAT3、LAT4、…。這里，用于每一個通道的鎖存器LAT1、LAT2、LAT3、LAT4、…可包括第一鎖存器和第二鎖存器。

上述數模轉換單元1720可包括與多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…對應的數模轉換器DAC1、DAC2、DAC3、DAC4、…。

上述輸出單元1730可包括與多個通道CH1、CH2、CH3、CH4、…對應的輸出緩沖器AMP1、AMP2、AMP3、AMP4、…。

參照圖17和圖18，在數據驅動的同時，在與一條感測線SL對應的四條數據線DL1、DL2、DL3、DL4、…當中，輸出單元1730可將感測數據電壓VDATAs_2和VDATAs_3輸出至連接至共同連接至一條感測線SL的四個子像素SP1、SP2、SP3和SP4當中的兩個子像素SP2和SP3的數據線DL2和DL3，以測量有機發(fā)光顯示面板110中的驅動晶體管的特性。

即，在執(zhí)行數據驅動的同時，輸出單元1730可將感測數據電壓VDATAs_2和VDATAs_3輸出至與一條感測線SL對應的四條數據線DL1、DL2、DL3、DL4、…當中的數據線DL2和DL3，以測量有機發(fā)光顯示面板110中的驅動晶體管的特性。

當感測數據電壓VDATAs_2和VDATAs_3被輸出到連接至待感測的兩個子像素SP2和SP3的數據線DL2和DL3時，輸出單元1730可將預先定義為非感測數據電壓的黑色數據電壓VDATA_BLACK輸出給連接至除了待感測的兩個子像素SP2和SP3之外的兩個子像素SP1和SP4的數據線DL1和DL4。

即，在執(zhí)行數據驅動的同時，在與一條感測線SL對應的四條數據線DL1、DL2、DL3、DL4、…中，輸出單元1730可將預先定義為非感測數據電壓的黑色數據電壓 VDATA_BLACK輸出給除了感測數據電壓VDATAs_2和VDATAs_3被輸出至的兩條數據線DL2和DL3之外的剩余兩條數據線DL1和DL4，以測量有機發(fā)光顯示面板110中的驅動晶體管的特性。

如上所述，感測數據電壓VDATAs_2和VDATAs_3可被施加到共同連接至一條感測線SL的四個子像素SP1、SP2、SP3和SP4當中的待感測的兩個子像素SP2和SP3中的驅動晶體管DRT2和DRT3的柵節(jié)點。另外，預先定義為非感測數據電壓的黑色數據電壓VDATA_BLACK可被施加到剩余兩個子像素SP1和SP4中的驅動晶體管DRT1和DRT4的柵節(jié)點。

參照圖18，數據驅動器120還可包括模數轉換器210，模數轉換器210通過開關SW電連接至與K條數據線DL1、DL2、DL3和DL4對應的一條感測線SL。

當模數轉換器210根據開關SW的開關操作(根據定時控制器140的控制而操作)連接至感測線SL時，模數轉換器210感測所連接的感測線SL的電壓(感測線電壓)并且將所感測的電壓轉換為數字值。模數轉換器210將數字值輸出給定時控制器140或補償器230作為感測數據。

由模數轉換器210感測的電壓是通過流過與待感測的子像素對應的兩個子像素SP2和SP3(即，連接至感測數據電壓被輸出至的兩條數據線DL2和DL3的兩個子像素SP2和SP3)中的驅動晶體管DRT2和DRT3的電流之和來對感測線SL上的線電容器Cline進行充電的電壓。

此外，在S條數據線當中，數據驅動器120向連接至包括具有相同特性(例如，閾值電壓)的驅動晶體管的子像素的數據線同時輸出具有相同電壓值的感測數據電壓，并且向連接至包括具有不同特性(例如，閾值電壓)的驅動晶體管的子像素的數據線輸出具有不同電壓值的感測數據電壓。

例如，參照圖18，當子像素SP1的驅動晶體管DRT1的閾值電壓等于子像素SP3的驅動晶體管DRT3的閾值電壓時，輸出至數據線DL2的感測數據電壓VDATAs_2可等于輸出至數據線DL3的感測數據電壓VDATAs_3。

當子像素SP1的驅動晶體管DRT1的閾值電壓不同于子像素SP3的驅動晶體管DRT3的閾值電壓時，輸出至數據線DL2的感測數據電壓VDATAs_2可不同于輸出至數據線DL3的感測數據電壓VDATAs_3。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種可更精確地執(zhí)行驅動晶體管的遷移率 感測和補償的數據驅動器120、有機發(fā)光顯示面板110、有機發(fā)光顯示裝置100和驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種盡管電壓不夠高并且驅動晶體管的電流能力不足，仍能夠在短的感測時間內執(zhí)行遷移率感測的數據驅動器120、有機發(fā)光顯示面板110、有機發(fā)光顯示裝置100和驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種盡管電壓不夠高，在不增加驅動晶體管的尺寸的情況下仍能夠在短的感測時間內執(zhí)行遷移率感測的數據驅動器120、有機發(fā)光顯示面板110、有機發(fā)光顯示裝置100和驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

根據本發(fā)明的示例性實施方式，可提供一種盡管電壓不夠高，在實現高分辨率和高孔徑比的同時仍能夠在短的感測時間內執(zhí)行遷移率感測的數據驅動器120、有機發(fā)光顯示面板110、有機發(fā)光顯示裝置100和驅動有機發(fā)光顯示裝置的方法。

將理解，本文中為了例示通過以上描述和附圖描述了本公開的技術精神，在不脫離本公開的范圍和精神的情況下，本領域技術人員可進行組件的組合、分離、置換和修改。因此，本公開的示例性實施方式僅為了例示性目的而提供，而非旨在限制本公開的技術構思。本公開的技術構思的范圍不限于此。本公開的保護范圍應該基于所附權利要求書來解釋，應該理解，包括在其等同范圍內的所有技術精神被包括在本公開的保護范圍中。

相關申請的交叉引用

本申請要求2015年5月29日提交的韓國專利申請No.10-2015-0076710的優(yōu)先權，其出于所有目的通過引用并入本文，如同在此充分闡述一樣。