本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置、電子設(shè)備以及電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)：

近年，提出各種使用了有機(jī)發(fā)光二極管(以下，稱為OLED(Organic Light Emitting Diode))元件等發(fā)光元件的電光學(xué)裝置。在該電光學(xué)裝置的一般的構(gòu)成中，同掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉對(duì)應(yīng)地且與應(yīng)該顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)地設(shè)置包括發(fā)光元件、晶體管等的像素電路。

在這樣的構(gòu)成中，若對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極施加與像素的灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào)，則驅(qū)動(dòng)晶體管向發(fā)光元件供給與柵極-源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流。由此，該發(fā)光元件以與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。

在將晶體管使用于發(fā)光強(qiáng)度的調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)方式中，若設(shè)置于各像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓產(chǎn)生偏差，則在發(fā)光元件流通的電流產(chǎn)生偏差，所以顯示圖像的畫(huà)質(zhì)降低。因此，為了防止畫(huà)質(zhì)的降低，需要對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的偏差進(jìn)行補(bǔ)償。因此，為了將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓調(diào)整為閾值電壓，提出了在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與漏極或者源極之間設(shè)置補(bǔ)償用晶體管，并且在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接耦合電容的裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在該裝置中，在數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極布線之間連接采樣晶體管，在采樣晶體管的柵極與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間連接耦合電容，使數(shù)據(jù)信號(hào)的電位降低耦合電壓的量。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010－048899號(hào)公報(bào)

然而，在如專利文獻(xiàn)1那樣使用了耦合電容的裝置中，若數(shù)據(jù)線、采樣晶體管、耦合電容、以及驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極所連接的布線等形成于同一層，則存在伴隨著振幅較大的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位變動(dòng)的噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極布線等造成影響而使顯示品質(zhì)降低的擔(dān)心。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述的情況而完成的，其目的在于即使在對(duì)數(shù)據(jù)線供給振幅較大的數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下，也防止由伴隨著數(shù)據(jù)信號(hào)的變動(dòng)的噪聲引起的顯示品質(zhì)的降低。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，具有：第一導(dǎo)電層；第二導(dǎo)電層；第三導(dǎo)電層；第一電容，其具有與上述第二導(dǎo)電層連接的第四導(dǎo)電層、和上述第三導(dǎo)電層與上述第四導(dǎo)電層之間的介電膜；以及像素電路，其與上述第三導(dǎo)電層和上述第一導(dǎo)電層對(duì)應(yīng)地設(shè)置，上述第二導(dǎo)電層與形成有上述第三導(dǎo)電層的層相比形成在上層。

根據(jù)該方式，像素電路與作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二數(shù)據(jù)傳輸線和作為第一導(dǎo)電層的一個(gè)例子的掃描線對(duì)應(yīng)地設(shè)置。作為第二導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一數(shù)據(jù)傳輸線針對(duì)多個(gè)像素電路共用地設(shè)置，但若將經(jīng)由第二數(shù)據(jù)傳輸線與同一第一數(shù)據(jù)傳輸線連接的像素電路的集合作為像素列，并將比該像素列所包含的像素電路的個(gè)數(shù)少的個(gè)數(shù)的像素電路作為一個(gè)塊，則第二數(shù)據(jù)傳輸線針對(duì)各塊設(shè)置。在這樣的像素電路中，被供給振幅較大的數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)傳輸線與形成有被供給由第一電容壓縮的信號(hào)的第二數(shù)據(jù)傳輸線的層相比形成在上層。因此，能夠抑制第一數(shù)據(jù)傳輸線的電位變動(dòng)對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線的影響，使顯示品質(zhì)提高。

本發(fā)明的其它的方式所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，上述第三導(dǎo)電層與形成有上述晶體管的源極電極的層相比形成在上層。根據(jù)該方式，作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二數(shù)據(jù)傳輸線作為針對(duì)晶體管的源極電極的屏蔽發(fā)揮作用，能夠降低來(lái)自其它的布線的噪聲的影響。

本發(fā)明的其它的方式所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，上述第一電容的上述第四導(dǎo)電層形成在與上述第二導(dǎo)電層不同的層，上述第一電容的上述第五導(dǎo)電層形成在與上述第四導(dǎo)電層不同的層。根據(jù)該方式，作為第一電容的第四導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一電極形成在與作為第二導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一數(shù)據(jù)傳輸線不同的層，并且，作為第一電容的第五導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二電極形成在與第一電極不同的層，所以即使在對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線供給振幅較大的數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下，也能夠抑制電位變動(dòng)對(duì)第一電容的影響。

本發(fā)明的其它的方式所涉及的電光學(xué)裝置的特征在于，與上述多個(gè)晶體管中的驅(qū)動(dòng)上述發(fā)光元件的晶體管的電流端連接的電源線與上述第三導(dǎo)電層相比形成在下層。根據(jù)該方式，電源線作為屏蔽發(fā)揮作用，抑制電位變動(dòng)對(duì)其它的元件的影響。

上述電光學(xué)裝置的特征在于，驅(qū)動(dòng)上述發(fā)光元件的晶體管被上述電源線覆蓋。根據(jù)該方式，電源線作為屏蔽發(fā)揮作用，抑制電位變動(dòng)對(duì)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的晶體管的影響。

上述電光學(xué)裝置的特征在于，上述第一電容按照每個(gè)上述第三導(dǎo)電層設(shè)置。根據(jù)該方式，即使在對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線供給振幅較大的數(shù)據(jù)信號(hào)的情況下，也能夠抑制電位變動(dòng)對(duì)作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的各第二數(shù)據(jù)傳輸線的影響。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的電子設(shè)備的特征在于，具備上述各方式的任意一個(gè)所涉及的電光學(xué)裝置。根據(jù)該方式，提供具備上述各方式的任意一個(gè)所涉及的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的構(gòu)成的立體圖。

圖2是表示該電光學(xué)裝置的構(gòu)成的框圖。

圖3是用于說(shuō)明該電光學(xué)裝置的多路分配器和數(shù)據(jù)傳輸電路的構(gòu)成的電路圖。

圖4是表示該電光學(xué)裝置的像素電路的構(gòu)成的電路圖。

圖5是說(shuō)明該電光學(xué)裝置特有的構(gòu)成的圖。

圖6是說(shuō)明作為比較例而示出的以往的構(gòu)成的圖。

圖7是表示該電光學(xué)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖8是該電光學(xué)裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖。

圖9是表示該電光學(xué)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖10是該電光學(xué)裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖。

圖11是該電光學(xué)裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖。

圖12是該電光學(xué)裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖。

圖13是表示該電光學(xué)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖14是該電光學(xué)裝置的動(dòng)作說(shuō)明圖。

圖15是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖16是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖17是發(fā)光裝置的剖視圖。

圖18是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖19是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖20是發(fā)光裝置的剖視圖。

圖21是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖22是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖23是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的構(gòu)成的電路圖。

圖24是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖25是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖26是發(fā)光裝置的剖視圖。

圖27是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置的像素電路的構(gòu)成的電路圖。

圖28是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖29是形成在基板上的各要素的說(shuō)明圖。

圖30是發(fā)光裝置的剖視圖。

圖31是表示變形例所涉及的像素電路的構(gòu)成的電路圖。

圖32是表示變形例所涉及的像素電路的構(gòu)成的電路圖。

圖33是表示變形例所涉及的像素電路的第一數(shù)據(jù)傳輸線、傳輸電容、第二數(shù)據(jù)傳輸線以及像素電路的關(guān)系的圖。

圖34是表示HMD的外觀構(gòu)成的圖。

圖35是表示HMD的光學(xué)構(gòu)成的圖。

具體實(shí)施方式

第一實(shí)施方式

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置1的構(gòu)成的立體圖。電光學(xué)裝置1例如是在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。

如圖1所示，電光學(xué)裝置1具備顯示面板2、和控制顯示面板2的動(dòng)作的控制電路3。顯示面板2具備多個(gè)像素電路、和驅(qū)動(dòng)該像素電路的驅(qū)動(dòng)電路。在本實(shí)施方式中，顯示面板2具備的多個(gè)像素電路以及驅(qū)動(dòng)電路被形成于硅基板，在像素電路中使用作為發(fā)光元件的一個(gè)例子的OLED。另外，顯示面板2例如被收納于在顯示部開(kāi)口的框狀的殼體82，并且與FPC(Flexible Printed Circuits：撓性印刷電路)基板84的一端連接。

在FPC基板84上通過(guò)COF(Chip On Film：覆晶薄膜)技術(shù)安裝有半導(dǎo)體芯片的控制電路3，并且設(shè)置有多個(gè)端子86來(lái)與省略圖示的上位電路連接。

圖2是表示實(shí)施方式所涉及的電光學(xué)裝置1的構(gòu)成的框圖。如上述那樣，電光學(xué)裝置1具備顯示面板2和控制電路3。

控制電路3被從省略圖示的上位電路與同步信號(hào)同步地供給數(shù)字的圖像數(shù)據(jù)Vdata。這里，圖像數(shù)據(jù)Vdata是例如以8比特規(guī)定應(yīng)該在顯示面板2(嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是后述的顯示部100)顯示的圖像的像素的灰度等級(jí)的數(shù)據(jù)。另外，同步信號(hào)是包括垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)以及點(diǎn)時(shí)鐘信號(hào)的信號(hào)。

控制電路3基于同步信號(hào)生成各種控制信號(hào)，并將各種控制信號(hào)供給至顯示面板2。具體而言，控制電路3對(duì)顯示面板2供給控制信號(hào)Ctr、正邏輯的控制信號(hào)Gini、與該控制信號(hào)Gini為邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的負(fù)邏輯的控制信號(hào)/Gini、正邏輯的控制信號(hào)Gcpl、與該控制信號(hào)Gcpl為邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的負(fù)邏輯的控制信號(hào)/Gcpl、控制信號(hào)Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)、以及相對(duì)于這些控制信號(hào)Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)為邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號(hào)/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。

這里，控制信號(hào)Ctr是包含脈沖信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、使能信號(hào)等多個(gè)信號(hào)的信號(hào)。

此外，有時(shí)將控制信號(hào)Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)總稱為控制信號(hào)Sel，將控制信號(hào)/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)總稱為控制信號(hào)/Sel。

另外，控制電路3包括電壓生成電路31。電壓生成電路31對(duì)顯示面板2供給各種電位。具體而言，控制電路3對(duì)顯示面板2供給復(fù)位電位Vorst以及初始電位Vini等。

并且，控制電路3基于圖像數(shù)據(jù)Vdata，生成模擬的圖像信號(hào)Vid。具體而言，在控制電路3中設(shè)置有將圖像信號(hào)Vid所表示的電位以及顯示面板2所具備的發(fā)光元件(后述的OLED130)的亮度建立對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)的查尋表。而且，控制電路3通過(guò)參照該查尋表，生成表示與圖像數(shù)據(jù)Vdata所規(guī)定的發(fā)光元件的亮度對(duì)應(yīng)的電位的圖像信號(hào)Vid，并將其供給至顯示面板2。

如圖2所示，顯示面板2具備顯示部100、和驅(qū)動(dòng)該顯示部的驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路5以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路6)。

在顯示部100矩陣狀地排列有與應(yīng)該顯示的圖像的像素對(duì)應(yīng)的像素電路110。詳細(xì)而言，在顯示部100中，M行的掃描線12在圖中沿橫向(X方向)延伸設(shè)置，另外，以每三列進(jìn)行分組的(3N)列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1在圖中沿縱向(Y方向)延伸，并且，以與各掃描線12相互保持電絕緣的方式設(shè)置。

此外，雖然為了避免附圖的復(fù)雜化而在圖2中未圖示，但第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2相對(duì)于各個(gè)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以能夠電連接并且沿縱向(Y方向)延伸的方式設(shè)置(例如參照?qǐng)D4)。而且，與M行的掃描線12和(3N)列的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2對(duì)應(yīng)地設(shè)置有像素電路110。因此，在本實(shí)施方式中像素電路110以縱M行×橫(3N)列排列為矩陣狀。

這里，M、N均為自然數(shù)。為了區(qū)別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(排)，有時(shí)在圖中從上到下依次稱為1、2、3、…、(M－1)、M行。同樣地，為了區(qū)別第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及像素電路110的矩陣的列(豎列)，有時(shí)在圖中從左到右依次稱為1、2、3、…、(3N－1)、(3N)列。

這里，為了使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的組一般化并進(jìn)行說(shuō)明，若將1以上的任意的整數(shù)表示為n，則第(3n－2)列、第(3n－1)列以及第(3n)列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1屬于從左數(shù)第n組。

此外，與同一行的掃描線12和屬于同一組的三列第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2對(duì)應(yīng)的三個(gè)像素電路110分別與R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的像素對(duì)應(yīng)地表現(xiàn)這三個(gè)像素應(yīng)該顯示的彩色圖像的一點(diǎn)。即，在本實(shí)施方式中，構(gòu)成為通過(guò)與RGB對(duì)應(yīng)的OLED的發(fā)光以加色混合表現(xiàn)一點(diǎn)的彩色。

另外，如圖2所示，在顯示部100中，(3N)列的供電線(復(fù)位電位供給線)16沿縱向延伸，并且，以與各掃描線12相互保持電絕緣的方式設(shè)置。各供電線16被共同地供給規(guī)定的復(fù)位電位Vorst。這里，為了區(qū)別供電線16的列，有時(shí)在圖中從左到右依次稱為第1、2、3、…、(3N)列的供電線16。第一列～第(3N)列的供電線16的各個(gè)與第一列～第(3N)列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1(第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2)的各個(gè)對(duì)應(yīng)地設(shè)置。

掃描線驅(qū)動(dòng)電路6根據(jù)控制信號(hào)Ctr生成用于在一幀的期間內(nèi)按照每一行依次掃描M條掃描線12的掃描信號(hào)Gwr。這里，分別將供給到第1、2、3、…、(M－1)、M行的掃描線12的掃描信號(hào)Gwr標(biāo)記為Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M－1)、Gwr(M)。

此外，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6除了掃描信號(hào)Gwr(1)～Gwr(M)之外，還按照每一行生成與該掃描信號(hào)Gwr同步的各種控制信號(hào)并供給至顯示部100，但在圖2中省略圖示。另外，幀的期間是指電光學(xué)裝置1顯示一個(gè)鏡頭(一個(gè)畫(huà)面)份的圖像所需要的期間，例如若同步信號(hào)所包含的垂直同步信號(hào)的頻率為120Hz，則是其一個(gè)周期份的8.3毫秒的期間。

數(shù)據(jù)傳輸線驅(qū)動(dòng)電路5具備：與(3N)列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的各個(gè)一對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置的(3N)個(gè)數(shù)據(jù)傳輸電路DT、按照構(gòu)成各組的每三列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1設(shè)置的N個(gè)多路分配器DM、以及數(shù)據(jù)信號(hào)供給電路70。

數(shù)據(jù)信號(hào)供給電路70基于由控制電路3供給的圖像信號(hào)Vid和控制信號(hào)Ctr，生成數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。即，數(shù)據(jù)信號(hào)供給電路70基于對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)進(jìn)行了時(shí)分多路復(fù)用的圖像信號(hào)Vid，生成數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)。然后，數(shù)據(jù)信號(hào)供給電路70將數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)分別供給至與第1、2、…、N組對(duì)應(yīng)的多路分配器DM。

圖3是用于說(shuō)明多路分配器DM和數(shù)據(jù)傳輸電路DT的構(gòu)成的電路圖。此外，圖3代表性地示出屬于第n組的多路分配器DM、和與該多路分配器DM連接的三個(gè)數(shù)據(jù)傳輸電路DT。此外，以下，有時(shí)將屬于第n組的多路分配器DM標(biāo)記為DM(n)。

以下，除了圖2之外還參照?qǐng)D3來(lái)對(duì)多路分配器DM以及數(shù)據(jù)傳輸電路DT的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。

如圖3所示，多路分配器DM是按照每列設(shè)置的傳輸門(mén)34的集合體，依次向構(gòu)成各組的三列供給數(shù)據(jù)信號(hào)。這里，與屬于第n組的(3n－2)、(3n－1)、(3n)列對(duì)應(yīng)的傳輸門(mén)34的輸入端彼此共同連接，分別向該共用端子供給數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(n)。在第n組中被設(shè)置于左端列即(3n－2)列的傳輸門(mén)34在控制信號(hào)Sel(1)為H電平時(shí)(控制信號(hào)/Sel(1)為L(zhǎng)電平時(shí))接通(導(dǎo)通)。同樣地，在第n組中被設(shè)置于中央列即(3n－1)列的傳輸門(mén)34在控制信號(hào)Sel(2)為H電平時(shí)(控制信號(hào)/Sel(2)為L(zhǎng)電平時(shí))接通，在第n組中被設(shè)置于右端列即(3n)列的傳輸門(mén)34在控制信號(hào)Sel(3)為H電平時(shí)(控制信號(hào)/Sel(3)為L(zhǎng)電平時(shí))接通。

數(shù)據(jù)傳輸電路DT是按每一列具有保持電容(第三電容)41、傳輸門(mén)45以及傳輸門(mén)42的組，在后述的初始化期間以及補(bǔ)償期間在保持電容(第三電容)41積蓄從各列的傳輸門(mén)34的輸出端輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位，在后述的寫(xiě)入期間將積蓄于保持電容(第三電容)41的數(shù)據(jù)信號(hào)的電位傳輸給傳輸電容133的電路。

各列的傳輸門(mén)45的源極或者漏極與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。另外，控制電路3對(duì)各列的傳輸門(mén)45的柵極共同地供給控制信號(hào)/Gini。傳輸門(mén)45在控制信號(hào)/Gini為L(zhǎng)電平時(shí)將第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與初始電位Vini的供給線電連接，在控制信號(hào)/Gini為H電平時(shí)使它們不電連接。此外，初始電位Vini的供給線61被從控制電路3供給規(guī)定的初始電位Vini。

保持電容41具有兩個(gè)電極。保持電容41的一個(gè)電極經(jīng)由節(jié)點(diǎn)h與傳輸門(mén)42的輸入端電連接。另外，傳輸門(mén)42的輸出端與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。

控制電路3對(duì)各列的傳輸門(mén)42共同地供給控制信號(hào)Gcpl以及控制信號(hào)/Gcpl。因此，各列的傳輸門(mén)42在控制信號(hào)Gcpl為H電平時(shí)(控制信號(hào)/Gcpl為L(zhǎng)電平時(shí))一齊接通。

各列的保持電容41的一個(gè)電極經(jīng)由節(jié)點(diǎn)h與傳輸門(mén)34的輸出端以及傳輸門(mén)42的輸入端電連接。而且，在傳輸門(mén)34接通時(shí)，保持電容41的一個(gè)電極經(jīng)由傳輸門(mén)34的輸出端被供給數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(n)。即，保持電容41的一個(gè)電極被供給數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(n)。

另外，各列的保持電容41的另一個(gè)電極共同地與供給作為固定電位的電位Vss的供電線63連接。這里，電位Vss也可以是與作為邏輯信號(hào)的掃描信號(hào)、控制信號(hào)的L電平相當(dāng)?shù)碾娢?。此外，將保持電?1的電容值設(shè)為Crf。

參照?qǐng)D4，對(duì)像素電路110等進(jìn)行說(shuō)明。為了一般地示出像素電路110排列的行，將1以上M以下的任意的整數(shù)表示為m。另外，將1以上M以下且連續(xù)的任意的整數(shù)表示為m1、m2。即，m是包括m1、m2的一般化的概念。

對(duì)于各像素電路110，在電方面來(lái)看為彼此相同的構(gòu)成，所以這里，以位于第m行且位于第n組中的左端列的第(3n－2)列的、m行(3n－2)列的像素電路110為例進(jìn)行說(shuō)明。

如圖4所示，在第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接有傳輸電容(第一電容)133的第一電極133-1和第一晶體管126的源極或者漏極中的一方。另外，傳輸電容133的第二電極133－2和第一晶體管126的源極或者漏極中的另一方與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接。

換句話說(shuō)，在第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第二數(shù)據(jù)傳輸線14-2之間，以并聯(lián)的方式連接有傳輸電容133和第一晶體管126。

另外，像素電路110與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接。即，像素電路110經(jīng)由第一數(shù)據(jù)傳輸線14-1以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14-2被供給與指定灰度對(duì)應(yīng)的灰度電位。

在本實(shí)施方式中，對(duì)一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接一個(gè)像素電路110。

但是，本發(fā)明并不限定于這樣的構(gòu)成，也可以對(duì)一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14-2電連接Nb個(gè)像素電路110。換句話說(shuō)，也可以多個(gè)像素電路110共用一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14-2、一個(gè)傳輸電容133以及第一晶體管126。

圖5是說(shuō)明本實(shí)施方式特有的構(gòu)成的圖。在本實(shí)施方式中，如圖5所示，在第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1分別經(jīng)由傳輸電容133連接有兩個(gè)以上的第二數(shù)據(jù)傳輸線14-2。

這里，將經(jīng)由第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2和傳輸電容133與同一第一數(shù)據(jù)傳輸線14-1連接的像素電路110的集合稱為“像素列”(圖5中的像素列P)。另外，將規(guī)定數(shù)量的像素電路110的集合稱為“塊”(圖5中的塊B)。

如圖5所示，像素列P包含多個(gè)塊B，各塊B包含多個(gè)像素電路110。換句話說(shuō)，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2針對(duì)與像素列P所包含的像素電路110的個(gè)數(shù)相等的個(gè)數(shù)的像素電路110而設(shè)置。

與此相對(duì)，以往的構(gòu)成如圖6所示。圖6是說(shuō)明作為比較例而示出的以往的構(gòu)成的圖。如該圖所示，在以往的構(gòu)成中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2針對(duì)像素列P設(shè)置，并且在其端部設(shè)置有傳輸電容133和第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1。換句話說(shuō)，在以往的構(gòu)成中，針對(duì)一個(gè)像素列P(所包含的全部的像素電路110)，設(shè)置有一根第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2。這一點(diǎn)與參照?qǐng)D5說(shuō)明的本實(shí)施方式特有的構(gòu)成、即第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2以構(gòu)成像素列P的塊B為單位被分割并設(shè)置有多根的點(diǎn)明確不同。

另外，如下述的(式1)所示，將顯示部100中的像素電路110的所有行數(shù)M除以與一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的行數(shù)Nb后的值設(shè)為K。換句話說(shuō)，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2被分割為M除以Nb后的值即K根，在一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接有Nb個(gè)像素電路110。

【式1】

在本實(shí)施方式中，針對(duì)一根第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1設(shè)置有K(K≥2)×Nb根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2。換句話說(shuō)，一個(gè)像素列P具備K個(gè)塊B。另外，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與M行份(M個(gè))的像素電路110對(duì)應(yīng)地設(shè)置，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與Nb行份(Nb個(gè))的像素電路110對(duì)應(yīng)地設(shè)置。因此，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1相比較短。

在本實(shí)施方式中，Nb的值為1。此外，使用k為1以上K以下的任意的整數(shù)。

以后，設(shè)與從第一行數(shù)第m行上的各像素電路110對(duì)應(yīng)的第一晶體管126是從第一行數(shù)第m個(gè)第一晶體管126，并被供給控制信號(hào)Gfix(m)。

像素電路110包括P溝道MOS型的晶體管121～125、OLED130、以及像素電容132。第m行的像素電路110被供給掃描信號(hào)Gwr(m)、控制信號(hào)Gcmp(m)、Gel(m)以及Gorst(m)。這里，掃描信號(hào)Gwr(m)、控制信號(hào)Gcmp(m)、Gel(m)以及Gorst(m)分別與第m行對(duì)應(yīng)地由掃描線驅(qū)動(dòng)電路6供給。

此外，雖然在圖2中省略圖示，但如圖4所示，在顯示面板2(顯示部100)中設(shè)置有沿橫向(X方向)延伸的M行的控制線143(第一控制線)、沿橫向延伸的M行的控制線144(第二控制線)、沿橫向延伸的M行的控制線145(第三控制線)、以及沿橫向延伸的K行的控制線146(第四控制線)。

而且，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6對(duì)第m行的控制線143供給控制信號(hào)Gcmp(m)，對(duì)第m行的控制線144供給控制信號(hào)Gel(m)，對(duì)第m行的控制線145供給控制信號(hào)Gorst(m)，對(duì)第m行的控制線146供給控制信號(hào)Gfix(m)。

即，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6分別經(jīng)由第m行的掃描線12、控制線143、144、145對(duì)位于第m行的像素電路供給掃描信號(hào)Gwr(m)、控制信號(hào)Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)。另外，經(jīng)由第m行的控制線146對(duì)位于第m行的第一晶體管126供給控制信號(hào)Gfix(m)。

以下，有時(shí)將掃描線12、控制線143、控制線144、控制線145以及控制線146總稱為“控制線”。即，在本實(shí)施方式所涉及的顯示面板2中，針對(duì)各行設(shè)置包括掃描線12的四根控制線，并且按照每一行設(shè)置一根控制線146。

像素電容132以及傳輸電容133分別具有兩個(gè)電極。傳輸電容133是包括第一電極133－1和第二電極133－2的靜電電容。

第二晶體管122的柵極與第m行的掃描線12電連接，源極或者漏極中的一方與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接。另外，第二晶體管122的源極或者漏極中的另一方與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極和像素電容132的一個(gè)電極分別電連接。即，第二晶體管122電連接在驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極與傳輸電容133的第二電極133－2之間。而且，第二晶體管122作為對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極同與第(3n－2)列的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的傳輸電容133的第二電極133－2之間的電連接進(jìn)行控制的晶體管發(fā)揮作用。

驅(qū)動(dòng)晶體管121的源極與供電線116電連接，其漏極與第三晶體管123的源極或者漏極中的一方和第四晶體管124的源極電連接。

這里，供電線116被供給在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel。該驅(qū)動(dòng)晶體管121作為流通與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極以及源極間的電壓對(duì)應(yīng)的電流的驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)揮作用。

第三晶體管123的柵極與控制線143電連接，并被供給控制信號(hào)Gcmp(m)。該第三晶體管123作為對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極與漏極之間的電連接進(jìn)行控制的開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用。因此，第三晶體管123是用于經(jīng)由第二晶體管122使驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極及漏極之間導(dǎo)通的晶體管。此外，雖然在第三晶體管123的源極和漏極中的一方與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極之間連接有第二晶體管122，但也可以解釋為第三晶體管123的源極和漏極中的一方與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極電連接。

第四晶體管124的柵極與控制線144電連接，并被供給控制信號(hào)Gel(m)。另外，第四晶體管124的漏極與第五晶體管125的源極和OLED130的陽(yáng)極130a分別電連接。該第四晶體管124作為對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與OLED130的陽(yáng)極之間的電連接進(jìn)行控制的開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用。并且，雖然在驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與OLED130的陽(yáng)極之間連接有第四晶體管124，但也可以解釋為驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與OLED130的陽(yáng)極電連接。

第五晶體管125的柵極與控制線145電連接，并被供給控制信號(hào)Gorst(m)。另外，第五晶體管125的漏極與第(3n－2)列的供電線16電連接并被保持為復(fù)位電位Vorst。該第五晶體管125作為對(duì)供電線16與OLED130的陽(yáng)極130a之間的電連接進(jìn)行控制的開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用。

第一晶體管126的柵極與控制線146電連接，并被供給控制信號(hào)Gfix(k)。另外，第一晶體管126的源極或者漏極中的一方與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接，并經(jīng)由第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與傳輸電容133的第二電極133－2以及第三晶體管123的源極或者漏極中的另一方電連接。另外，第一晶體管126的源極或者漏極中的另一方與第(3n－2)列的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1電連接。

該第一晶體管126主要作為對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2之間的電連接進(jìn)行控制的開(kāi)關(guān)晶體管發(fā)揮作用。

這里，第一晶體管126以及傳輸電容133被與同一第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的Nb個(gè)像素電路110共用。在本實(shí)施方式中，如圖4所示，在一根同一第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接有各行的像素電路110。

此外，在本實(shí)施方式中顯示面板2形成于硅基板，所以設(shè)晶體管121～126的基板電位為電位Vel。另外，上述的晶體管121～126的源極、漏極也可以根據(jù)晶體管121～126的溝道型、電位的關(guān)系而調(diào)換。另外，晶體管既可以是薄膜晶體管也可以是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

像素電容132的一個(gè)電極與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g電連接，另一個(gè)電極與供電線116電連接。因此，像素電容132作為保持驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極-源極間的電壓的保持電容發(fā)揮作用。此外，將像素電容132的電容值標(biāo)記為Cpix。

此外，作為像素電容132，既可以使用寄生于驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電容，也可以使用通過(guò)在硅基板中以相互不同的導(dǎo)電層夾持絕緣層而形成的電容。

傳輸電容133的第一電極133－1經(jīng)由第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及傳輸門(mén)42與保持電容41的一個(gè)電極電連接。另外，傳輸電容133的第二電極133－2經(jīng)由第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2以及第二晶體管122與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g電連接。因此，傳輸電容133作為在后述的補(bǔ)償期間，使柵極g的電位電平位移對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量乘以傳輸電容133與保持電容41的電容比后的值的傳輸電容發(fā)揮作用。詳細(xì)后述。此外，將傳輸電容133的電容值標(biāo)記為C1。

另外，在本實(shí)施方式中，在被供給復(fù)位電位Vorst的供電線16與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1之間設(shè)置有屏蔽電容134。屏蔽電容134是包括第一電極134－1和第二電極134－2的靜電電容。屏蔽電容134作為屏蔽第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的屏蔽電容發(fā)揮作用。此外，將屏蔽電容134的電容值標(biāo)記為C2。

OLED130的陽(yáng)極130a是按照每個(gè)像素電路110獨(dú)立地設(shè)置的像素電極。與此相對(duì)，OLED130的陰極是在像素電路110的全部共用地設(shè)置的共用電極118，并被保持為在像素電路110中成為電源的低位側(cè)的電位Vct。OLED130是在上述硅基板中，以陽(yáng)極130a和具有透光性的陰極夾持有白色有機(jī)EL層的元件。而且，在OLED130的射出側(cè)(陰極側(cè))重疊有與RGB的任意一個(gè)對(duì)應(yīng)的彩色濾光器。此外，也可以調(diào)整夾著白色有機(jī)EL層而配置的兩個(gè)反射層間的光學(xué)距離來(lái)形成空腔結(jié)構(gòu)，來(lái)設(shè)定從OLED130發(fā)出的光的波長(zhǎng)。在該情況下，既可以具有也可以不具有彩色濾光器。

在這樣的OLED130中，若從陽(yáng)極130a向陰極流通電流，則從陽(yáng)極130a注入的空穴與從陰極注入的電子在有機(jī)EL層再結(jié)合而生成激子，產(chǎn)生白色光。此時(shí)構(gòu)成為：產(chǎn)生的白色光透過(guò)與硅基板(陽(yáng)極130a)相反側(cè)的陰極，經(jīng)過(guò)基于彩色濾光器的著色，被觀察者側(cè)視覺(jué)確認(rèn)。

參照?qǐng)D7對(duì)電光學(xué)裝置1的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖7是用于說(shuō)明電光學(xué)裝置1中的各部的動(dòng)作的時(shí)序圖。如該圖所示，掃描線驅(qū)動(dòng)電路6依次將掃描信號(hào)Gwr(1)～Gwr(M)切換為L(zhǎng)電平，在一幀的期間按每一個(gè)水平掃描期間(H)依次掃描第1～第M行的掃描線12。

一個(gè)水平掃描期間(H)的動(dòng)作在各行的像素電路110共同。因此，以下，在水平掃描第m1行的水平掃描期間，特別著眼于m1行(3n－2)列的像素電路110對(duì)動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

在本實(shí)施方式中，第m1行的水平掃描期間大致分為圖7中(a)所示的初始化期間、(b)所示的補(bǔ)償期間、(c)所示的寫(xiě)入期間、以及(d)所示的不發(fā)光期間。另外，在下一個(gè)水平掃描期間，(d)所示的不發(fā)光期間繼續(xù)，再下一個(gè)水平掃描期間，成為(e)所示的發(fā)光期間，在一幀的期間經(jīng)過(guò)后再次到達(dá)第m1行的水平掃描期間。因此，以時(shí)間順序來(lái)說(shuō)，成為初始化期間→補(bǔ)償期間→寫(xiě)入期間→不發(fā)光期間→發(fā)光期間這樣的周期的反復(fù)。

圖8是說(shuō)明發(fā)光期間的像素電路110等的動(dòng)作的圖。此外，在圖8中，以粗線表示在動(dòng)作說(shuō)明中重要的電流路徑，在截止?fàn)顟B(tài)的晶體管或者傳輸門(mén)上以粗線附加“X”記號(hào)(在以下的圖9、圖10、圖11以及圖14中也相同)。

初始化期間

如圖7所示，在第m1行的初始化期間，掃描信號(hào)Gwr(m1)為H電平，控制信號(hào)Gel(m1)為H電平，控制信號(hào)Gcmp(m1)為H電平，控制信號(hào)Gfix(m1)為L(zhǎng)電平。控制信號(hào)Gorst(m1)為L(zhǎng)電平。

因此，如圖8所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第五晶體管125、第一晶體管126接通，另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管121、第二晶體管122、第三晶體管123、第四晶體管124截止。由此，向OLED130供給的電流的路徑被切斷，所以O(shè)LED130成為截止(不發(fā)光)狀態(tài)。

如圖8所示，通過(guò)第五晶體管125接通，而OLED130的陽(yáng)極130a與供電線16電連接，陽(yáng)極130a的電位被設(shè)定為復(fù)位電位Vorst。

這里，在初始化期間，在數(shù)據(jù)傳輸電路DT中，控制信號(hào)/Gini為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gini為H電平，所以如圖8所示那樣傳輸門(mén)45接通，控制信號(hào)Gcpl為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)/Gcpl為H電平，所以如圖8所示那樣傳輸門(mén)42截止。另外，由于控制信號(hào)Gfix(k)為L(zhǎng)電平，所以第一晶體管126接通。因此，如圖8所示，與傳輸電容133的第一電極133－1連接的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被設(shè)定為初始電位Vini，并且第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電連接，傳輸電容133的第二電極133－2也被設(shè)定為初始電位Vini。由此，傳輸電容133被初始化。

另外，在初始化期間的多路分配器DM(n)中，控制信號(hào)Sel(1)為H電平，控制信號(hào)/Sel(1)為L(zhǎng)電平，所以如圖8所示那樣傳輸門(mén)34接通。由此，電容值Crf的保持電容41被寫(xiě)入灰度電位。

另外，在本實(shí)施方式中，m1行(3n－2)列的像素電路110所連接的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與m2行(3n－2)列的像素電路110所連接的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2不同。因此，在第m1行的初始化期間使用被控制信號(hào)Gfix(m1)控制的第一晶體管126，如圖9所示那樣在第m2行的初始化期間使用被控制信號(hào)Gfix(m2)控制的第一晶體管126。

補(bǔ)償期間

若初始化期間結(jié)束，則補(bǔ)償期間開(kāi)始。在第m1行的補(bǔ)償期間，掃描信號(hào)Gwr(m1)為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gel(m1)為H電平，控制信號(hào)Gcmp(m1)為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gfix(m1)為H電平?？刂菩盘?hào)Gorst(m1)為L(zhǎng)電平。

因此，如圖10所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第二晶體管122、第三晶體管123、第五晶體管125接通，另一方面，第四晶體管124、第一晶體管126截止。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g經(jīng)由第二晶體管122和第三晶體管123與自身的漏極連接(二極管連接)，在驅(qū)動(dòng)晶體管121中流通漏極電流而對(duì)柵極g進(jìn)行充電。

即，若驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極和柵極g與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接并將驅(qū)動(dòng)晶體管121的閾值電壓設(shè)為Vth，則驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg逐漸接近(Vel－Vth)。

這里，在補(bǔ)償期間的數(shù)據(jù)傳輸電路DT中，控制信號(hào)/Gini為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gini為H電平，所以如圖10所示那樣傳輸門(mén)45接通，由于控制信號(hào)Gcpl為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)/Gcpl為H電平，所以傳輸門(mén)42截止。此時(shí)，如上述那樣與以往的構(gòu)成相比第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2較短，所以對(duì)附隨于第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的寄生電容的充電或者放電所需要的時(shí)間縮短，補(bǔ)償期間本身縮短。

另外，在補(bǔ)償期間的多路分配器DM(n)中，控制信號(hào)Sel(1)為H電平，控制信號(hào)/Sel(1)為L(zhǎng)電平，所以如圖10所示那樣傳輸門(mén)34接通。由此，電容值Crf的保持電容41被寫(xiě)入灰度電位。

此外，由于第四晶體管124截止，所以驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與OLED130不電連接。另外，與初始化期間相同，通過(guò)第五晶體管125接通，而OLED130的陽(yáng)極130a與供電線16電連接，陽(yáng)極130a的電位被設(shè)定為復(fù)位電位Vorst。

寫(xiě)入期間

若補(bǔ)償期間結(jié)束，則寫(xiě)入期間開(kāi)始。在第m1行的寫(xiě)入期間，掃描信號(hào)Gwr(m1)為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gel(m1)為H電平，控制信號(hào)Gcmp(m1)為H電平，控制信號(hào)Gfix(m1)為H電平?？刂菩盘?hào)Gorst(m1)為L(zhǎng)電平。

因此，如圖11所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，晶體管122、125接通，另一方面晶體管123、124、126截止。

這里，在寫(xiě)入期間的數(shù)據(jù)傳輸電路DT中，控制信號(hào)/Gini為H電平，所以如圖11所示那樣傳輸門(mén)45截止，由于控制信號(hào)Gcpl為H電平，所以如圖11所示那樣傳輸門(mén)42接通。因此，解除向第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第一電極133－1的初始電位Vini的供給，并且電容值Crf的保持電容41的一個(gè)電極與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第一電極133－1連接，對(duì)該第一電極133－1供給灰度電位。而且，灰度電位電平位移后的信號(hào)被供給至驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極，并被寫(xiě)入至像素電容132。這樣，在本實(shí)施方式中，使用數(shù)據(jù)傳輸電路DT的傳輸門(mén)42以及保持電容41、以及傳輸電容133進(jìn)行灰度電位的電平位移。

此外，在寫(xiě)入期間的多路分配器DM(n)中，控制信號(hào)Sel(1)為L(zhǎng)電平，所以如圖11所示那樣傳輸門(mén)34截止。

此外，由于第四晶體管124截止，所以驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與OLED130不電連接。另外，與初始化期間相同，通過(guò)第五晶體管125接通，而OLED130的陽(yáng)極130a與供電線16電連接，陽(yáng)極130a的電位被初始化為復(fù)位電位Vorst。

此外，在第m行的寫(xiě)入期間開(kāi)始之前(初始化期間、補(bǔ)償期間的期間)，以第n組來(lái)說(shuō)，控制電路3依次將數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(n)切換為與m行(3n-2)列、m行(3n－1)列、m行(3n)列的像素的灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電位。

另一方面，控制電路3與數(shù)據(jù)信號(hào)的電位的切換配合地依次使控制信號(hào)Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)排他地成為H電平。雖然省略圖示，但控制電路3也輸出與控制信號(hào)Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)為邏輯反轉(zhuǎn)的關(guān)系的控制信號(hào)/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)。由此，在多路分配器DM中，在各組中傳輸門(mén)34分別以左端列、中央列、右端列的順序接通。

另外，在左端列的傳輸門(mén)34在通過(guò)控制信號(hào)Sel(1)、/Sel(1)而接通時(shí)，若將第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量設(shè)為ΔV，則第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2以及驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位的變化量ΔVg以下述(式2)表示。其中，傳輸電容133的電容值C1與像素電路110的行數(shù)成比例且能夠調(diào)整電容值，設(shè)每一行的電容為C1a。另外，將每一行的附隨于第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的寄生電容的電容值設(shè)為C3a。另外，如上述那樣，將與一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的行數(shù)表示為Nb。

【式2】

這里，如下述的(式3)所示那樣將ΔV與ΔVg之比設(shè)為壓縮率R。

【式3】

換句話說(shuō)，寫(xiě)入期間的驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg成為從補(bǔ)償期間的電位Vg起電平位移了(被數(shù)據(jù)壓縮了)對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第一電極133－1的電位的變化量ΔV乘以R后的值后而得到的值。若該寫(xiě)入期間結(jié)束，則后述的發(fā)光期間開(kāi)始。

根據(jù)上述的(式2)所示的關(guān)系，與一根第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的個(gè)數(shù)Nb越多(一個(gè)塊內(nèi)所包含的像素電路110的個(gè)數(shù)Nb越多)，ΔVg和ΔV越成為接近的值。換句話說(shuō)，Nb的值越大，(式3)所示的R越接近1。

這里，優(yōu)選與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2連接的像素電路110的個(gè)數(shù)Nb(一個(gè)塊內(nèi)所包含的像素電路110的個(gè)數(shù)Nb)鑒于補(bǔ)償動(dòng)作的完成所需要的時(shí)間和數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率來(lái)決定。以下，進(jìn)行具體的說(shuō)明。

首先，對(duì)補(bǔ)償動(dòng)作的完成所需要的時(shí)間進(jìn)行說(shuō)明。優(yōu)選在結(jié)束補(bǔ)償期間的時(shí)刻的驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg(補(bǔ)償點(diǎn))被設(shè)定為灰度電壓的中間灰度，但由于Nb的值越小，附隨于驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的寄生電容越小，所以補(bǔ)償期間變得極短，作為結(jié)果，存在受到掃描信號(hào)Gwr(m)的上升(下降)時(shí)的延遲的影響，而補(bǔ)償期間在供給掃描信號(hào)Gwr(m)側(cè)和被供給側(cè)不同的擔(dān)心。在該情況下，導(dǎo)致需要消除該擔(dān)心的程度的高驅(qū)動(dòng)能力的掃描線驅(qū)動(dòng)電路6。

另外，如(式2)所示，對(duì)于數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率來(lái)說(shuō)，Nb的值越小壓縮率越大，相反Nb的值越大壓縮率越小。

因此，優(yōu)選鑒于補(bǔ)償動(dòng)作的完成所需要的時(shí)間和數(shù)據(jù)壓縮的壓縮率，來(lái)將Nb的值決定為適當(dāng)?shù)闹?。例如在全部行?shù)M為720行的情況下，可以將Nb設(shè)為90個(gè)，將總塊數(shù)K設(shè)為8個(gè)。

不發(fā)光期間

如圖7的時(shí)序圖所示，若掃描信號(hào)Gwr(m1)從L電平上升到H電平且結(jié)束寫(xiě)入期間，則一個(gè)水平掃描期間(H)的剩余的期間以及下一個(gè)水平掃描期間(H)成為不發(fā)光期間。在不發(fā)光期間中，全部的晶體管截止，控制信號(hào)Gorst(m1)為L(zhǎng)電平。

發(fā)光期間

若不發(fā)光期間結(jié)束，則發(fā)光期間開(kāi)始。如圖7的時(shí)序圖所示，在第m1行的發(fā)光期間，掃描信號(hào)Gwr(m1)為H電平，控制信號(hào)Gel(m1)為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)Gcmp(m1)為H電平，控制信號(hào)Gfix(m1)為H電平。控制信號(hào)Gorst(m1)為H電平。

因此，如圖12所示，在m1行(3n－2)列的像素電路110中，第四晶體管124接通，另一方面第二晶體管122、第三晶體管123、第五晶體管125、第一晶體管126截止。由此，驅(qū)動(dòng)晶體管121向OLED130供給與由像素電容132保持的電壓、即柵極-源極間的電壓Vgs對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流Ids。換句話說(shuō)，OLED130被驅(qū)動(dòng)晶體管121供給與各像素的指定灰度對(duì)應(yīng)的灰度電位所對(duì)應(yīng)的電流，并以與該電流對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光。

這里，在發(fā)光期間，在數(shù)據(jù)傳輸電路DT中，控制信號(hào)/Gini為H電平，控制信號(hào)Gini為L(zhǎng)電平，所以如圖12所示那樣傳輸門(mén)45截止，由于控制信號(hào)Gcpl為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)/Gcpl為H電平，所以傳輸門(mén)42截止。另外，在發(fā)光期間的多路分配器DM(n)中，控制信號(hào)Sel(1)為L(zhǎng)電平，控制信號(hào)/Sel(1)為H電平，所以傳輸門(mén)34截止。

此外，第m1行的發(fā)光期間是第m1行以外正被水平掃描的期間，所以傳輸門(mén)34、傳輸門(mén)42、傳輸門(mén)45與這些行的動(dòng)作配合地接通或者截止，所以第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位適當(dāng)?shù)刈儎?dòng)。特別是，在第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123截止的情況下，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2成為浮動(dòng)的狀態(tài)，電位容易變動(dòng)。

因此，在本實(shí)施方式中，針對(duì)一個(gè)塊B的發(fā)光期間，設(shè)置通過(guò)使第一晶體管126接通，來(lái)使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2為導(dǎo)通狀態(tài)，而對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini的期間。

若將第m1行、第m2行等像素電路110所屬的塊設(shè)為塊B(m)，則作為塊B(m)的下一個(gè)塊的塊B(n)的初始化期間在塊B(m)中為發(fā)光期間。在本實(shí)施方式中，例如，若將上述塊B(m)的下一個(gè)塊B(n)設(shè)為一個(gè)塊，將上述塊B(m)設(shè)為另一個(gè)塊，則在作為一個(gè)塊的塊B(n)的初始化期間且作為另一個(gè)塊的塊B(m)的發(fā)光期間，使第一晶體管126接通來(lái)使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2為導(dǎo)通狀態(tài)，而對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini。

如圖13所示，在從時(shí)刻t1到時(shí)刻t4的期間，在塊B(m)中執(zhí)行初始化期間、補(bǔ)償期間以及寫(xiě)入期間的處理。

在從時(shí)刻t5到時(shí)刻t6，在作為塊B(m)的下一個(gè)塊的塊B(n)中，執(zhí)行初始化期間的處理，但該期間在塊B(m)中為發(fā)光期間。但是，在本實(shí)施方式中，在塊B(n)中執(zhí)行初始化期間的處理時(shí)，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，使控制信號(hào)Gfix為L(zhǎng)電平。其結(jié)果是，如圖14所示，第一晶體管126接通，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2成為導(dǎo)通狀態(tài)，而對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini。

以下，同樣地，在塊B(n)中執(zhí)行初始化期間的處理的從時(shí)刻t8到時(shí)刻t9的期間、從時(shí)刻t11到時(shí)刻t12的期間、以及從時(shí)刻t14到時(shí)刻t15的期間，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，使控制信號(hào)Gfix為L(zhǎng)電平。其結(jié)果是，如圖14所示，第一晶體管126接通，在以塊B(m)為首的其它的塊B中，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2成為導(dǎo)通狀態(tài)，而對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini。

如以上那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，在其它的塊中進(jìn)行初始化期間的處理的期間，將在發(fā)光期間中成為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)的第二晶體管122的傳輸電容133側(cè)的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2設(shè)定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位接近電源電壓。其結(jié)果是，第二晶體管122不會(huì)接通，在像素電容132中保持電壓，不會(huì)產(chǎn)生顯示的不良情況。

結(jié)構(gòu)

接下來(lái)，以下對(duì)本實(shí)施方式中的電光學(xué)裝置1的具體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳述。此外，在以下的說(shuō)明所參照的各附圖中，為了方便說(shuō)明，而使各要素的尺寸、比例與實(shí)際的電光學(xué)裝置1不同。圖15以及圖16是著眼于一個(gè)像素電路110來(lái)圖示了形成電光學(xué)裝置1的各要素的各階段下的基板10的表面的樣子的俯視圖。圖17是電光學(xué)裝置1的剖視圖。與包含圖15以及圖16的I－I’線的剖面對(duì)應(yīng)的剖視圖相當(dāng)于圖17。此外，雖然圖15以及圖16是俯視圖，但從使各要素的視覺(jué)性把握容易化的觀點(diǎn)考慮，對(duì)與圖17共同的各要素方便地附加有與圖17同形狀的陰影線。

如根據(jù)圖15的表示有源層的部分以及圖17所理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成有像素電路110的各晶體管121、122、123、124、125、126的有源區(qū)域10A(源極/漏極區(qū)域)。有源區(qū)域10A被注入離子。像素電路110的各晶體管121、122、123、124、125、126的有源層存在于源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間，并被注入與有源區(qū)域10A不同種類的離子，但為了方便，與有源區(qū)域10A一體地記載。

如根據(jù)圖15的表示柵極層的部分以及圖17所理解的那樣，形成有有源區(qū)域10A的基板10的表面被絕緣膜L0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT(GTdr、GTwr、GTcmp、GTel、GTorst、GTfix)形成在絕緣膜L0的表面上。各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT隔著絕緣膜L0與有源層對(duì)置。

如根據(jù)圖17所理解的那樣，在形成有各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上，形成有交替地層疊了多個(gè)絕緣層L(LA～LH)和多個(gè)導(dǎo)電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。此外，在以下的說(shuō)明中，將通過(guò)導(dǎo)電層(單層或者多層)的有選擇的除去而以同一工序一并地形成多個(gè)要素的關(guān)系標(biāo)記為“由同一層形成”。

絕緣層LA形成在形成有各晶體管121、122、123、124、125、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上。如根據(jù)圖15的表示金屬層A的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LA的表面上形成有多個(gè)中繼電極QA(QA1～QA12)。

如根據(jù)圖15的表示金屬層A的部分以及圖17所理解的那樣，中繼電極QA1經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA2與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。中繼電極QA2經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB1與第一晶體管126的柵極層GTfix導(dǎo)通。中繼電極QA3經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA1與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA3經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA7與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。并且，中繼電極QA3經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA9與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。如以上那樣，中繼電極QA3為源極電極，是與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

中繼電極QA4經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA4與形成第五晶體管125的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。中繼電極QA5經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB2與第五晶體管125的柵極層GTorst導(dǎo)通。中繼電極QA6經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA3與形成第五晶體管125的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

另外，中繼電極QA6經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA5與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。中繼電極QA7經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB3與第四晶體管124的柵極層GTel導(dǎo)通。中繼電極QA8經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA6與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA8經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA8與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。并且，中繼電極QA8經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA12與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。如以上那樣，中繼電極QA6為源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。另外，中繼電極QA8也是源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

中繼電極QA9經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB4與第三晶體管123的柵極層GTcmp導(dǎo)通。中繼電極QA10經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB5與第二晶體管122的柵極層GTwr導(dǎo)通。中繼電極QA11經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA10與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA11經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB6與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極層GTdr導(dǎo)通。中繼電極QA12經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA11與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

絕緣層LB形成在形成有多個(gè)中繼電極QA(QA1、QA2、QA3、QA4、QA5、QA6、QA7、QA8、QA9、QA10、QA11、QA12)的絕緣層LA的表面上。如根據(jù)圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LB的表面上形成有掃描線12、供電線116、多個(gè)控制線143～146、以及多個(gè)中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4)。

如根據(jù)圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，作為第一導(dǎo)電線的一個(gè)例子的掃描線12經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC9與第二晶體管122的柵極層GTwr導(dǎo)通。掃描線12遍及多個(gè)像素電路110沿第二晶體管122的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。

供電線116經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示省略)與被供給高位側(cè)的電源電位Vel的安裝端子導(dǎo)通。供電線116由例如含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。供電線116經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC10與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。供電線116遍及多個(gè)像素電路110沿驅(qū)動(dòng)晶體管121的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。供電線116通過(guò)絕緣層LC與后述的傳輸電容133的第二電極133－2電絕緣。

如根據(jù)圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，控制線143經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC7、中繼電極QA9以及貫通絕緣層LA的HB4與第三晶體管123的柵極層GTcmp導(dǎo)通。另外，控制線143沿第三晶體管123的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。

如根據(jù)圖15的表示金屬層B的部分以及圖17所理解的那樣，控制線144經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC6、中繼電極QA7以及貫通絕緣層LA的HB3與第四晶體管124的柵極層GTel導(dǎo)通。另外，控制線144沿第四晶體管124的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。

控制線145經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC3、中繼電極QA5以及貫通絕緣層LA的HB2與第五晶體管125的柵極層GTorst導(dǎo)通。另外，控制線145沿第五晶體管125的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。

控制線146經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC2、中繼電極QA2以及貫通絕緣層LA的HB1與第一晶體管126的柵極層GTfix導(dǎo)通。另外，控制線146沿第一晶體管126的溝道長(zhǎng)度方向(X方向)延伸。

如根據(jù)圖15的金屬層B以及金屬層A的部分所理解的那樣，中繼電極QB1經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC1與中繼電極QA1導(dǎo)通。中繼電極QB2經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC4與中繼電極QA4導(dǎo)通。中繼電極QB3經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC5與中繼電極QA6導(dǎo)通。中繼電極QB4經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC8與中繼電極QA3導(dǎo)通。

絕緣層LC形成在形成有掃描線12、多個(gè)控制線143～146以及多個(gè)中繼電極QB(QB1、QB2、QB3、QB4)的絕緣層LB的表面上。如根據(jù)圖15的金屬層C的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LC的表面上形成有第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2、以及多個(gè)中繼電極QC(QC1、QC2、QC3)。

作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD4、中繼電極QB4、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC8以及中繼電極QA3，與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、和形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

傳輸電容(第一電容)133的作為第五導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二電極133－2是在像素電路110中覆蓋掃描線12、控制線143以及控制線144的矩形的電極，與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2一體地形成。

如根據(jù)圖15以及圖17所理解的那樣，中繼電極QC1經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD1與中繼電極QB1導(dǎo)通。中繼電極QC2經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD2與中繼電極QB2導(dǎo)通。中繼電極QC3經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD3與中繼電極QB3導(dǎo)通。

絕緣層LD形成在形成有第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2以及多個(gè)中繼電極QC(QC1、QC2、QC3)的絕緣層LC的表面上。如根據(jù)圖15的電容電極層的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LD的表面上形成有傳輸電容133的第一電極133－1。

傳輸電容(第一電容)133的作為第四導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一電極133－1是隔著絕緣層LD與第二電極133－2對(duì)置的矩形的電容電極。第一電極133－1隔著絕緣層LD與第二電極133－2對(duì)置。這樣，傳輸電容133由金屬的第一電極133－1、絕緣層LD以及金屬的第二電極133－2構(gòu)成，具有MIM(Metal-Insulator-Metal：金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)。因此，傳輸電容133容易大電容化。另外，傳輸電容133形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)電光學(xué)裝置的小型化。

絕緣層LE形成在形成有傳輸電容133的第一電極133－1的絕緣層LD的表面上。如根據(jù)圖16的金屬層D的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LE的表面上形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD1。

作為第二導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由貫通絕緣層LE的導(dǎo)通孔HF1、HF2、HF3與傳輸電容133的第一電極133－1導(dǎo)通。另外，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導(dǎo)通孔HE1、中繼電極QC1、貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD1、中繼電極QB1、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC1、中繼電極QA1、以及貫通絕緣層LA以及絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA2，與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

作為第六導(dǎo)電層的供電線16遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。供電線16經(jīng)由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導(dǎo)通孔HE2、中繼電極QC2、貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD2、中繼電極QB2、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC4、中繼電極QA4、以及貫通絕緣層LA以及絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA4，與形成第五晶體管125的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。中繼電極QD1經(jīng)由貫通絕緣層LE的導(dǎo)通孔HE3與中繼電極QC3導(dǎo)通。

另外，供電線16與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1形成于同一層，以經(jīng)由絕緣層LF與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1之間具有規(guī)定的間隙的方式配置。這樣一來(lái)形成屏蔽電容(第二電容)134，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被作為屏蔽線的供電線16屏蔽。

絕緣層LF形成在形成有第一數(shù)據(jù)傳輸14－1、供電線16以及中繼電極QD1的絕緣層LE的表面上。如根據(jù)圖16的反射層的部分以及圖17所理解的那樣，在絕緣層LF的表面上形成有反射層50。反射層50按照每個(gè)像素電路110獨(dú)立地形成。反射層50由例如含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如根據(jù)圖16的反射層的部分以及圖17所理解的那樣，反射層50經(jīng)由貫通絕緣層LF的導(dǎo)通孔HG1與中繼電極QD1導(dǎo)通。中繼電極QD1經(jīng)由導(dǎo)通孔HE3、中繼電極QC3、導(dǎo)通孔HD3、中繼電極QB3、導(dǎo)通孔HC5、中繼電極QA6、導(dǎo)通孔HA5以及導(dǎo)通孔HA3，與第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域以及第五晶體管125的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

如圖17所示那樣，在形成有反射層50的絕緣層LF的表面上形成有光路調(diào)整層LG。光路調(diào)整層LG是規(guī)定各像素電路110的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)(即顯示顏色)的透光性的膜體。設(shè)定為：在顯示顏色相同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)大致相同，在顯示顏色不同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)不同。

如圖16的像素電極層的部分以及圖17所示，在光路調(diào)整層LG的表面上形成有每個(gè)像素電路110的陽(yáng)極130a。陽(yáng)極130a例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性的導(dǎo)電材料形成。陽(yáng)極130a經(jīng)由貫通光路調(diào)整層LG的導(dǎo)通孔HH1與反射層50導(dǎo)通。因此，陽(yáng)極130a經(jīng)由反射層50與第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域以及第五晶體管125的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域?qū)ā?/p>

如圖16的像素清晰膜的部分以及圖17所例示的那樣，在形成有陽(yáng)極130a的光路調(diào)整層LG的表面上，遍及基板10的整個(gè)區(qū)域形成有像素清晰膜51。像素清晰膜51例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。如根據(jù)圖16的像素清晰膜的部分所理解的那樣，在像素清晰膜51形成有與各陽(yáng)極130a對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部51A。像素清晰膜51中的開(kāi)口部51A的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與陽(yáng)極130a的周邊重合。即，開(kāi)口部51A的內(nèi)周邊在俯視時(shí)位于陽(yáng)極130a的周邊的內(nèi)側(cè)。各開(kāi)口部51A的平面形狀(矩形形狀)、尺寸共同，并且，遍及X方向以及Y方向的各個(gè)以共同的間距排列為矩陣狀。如根據(jù)以上的說(shuō)明所理解的那樣，像素清晰膜51在俯視時(shí)形成為格子狀。另外，也可以若顯示顏色相同則開(kāi)口部51A的平面形狀、尺寸相同，在顯示顏色不同的情況下使開(kāi)口部51A的平面形狀、尺寸不同。另外，也可以在顯示顏色相同的開(kāi)口部彼此間，開(kāi)口部51A的間距相同，在顯示顏色不同的開(kāi)口部間，開(kāi)口部51A的間距不同。

另外，雖然省略詳細(xì)的說(shuō)明，但在陽(yáng)極130a的上層層疊有發(fā)光功能層、OLED130的陰極以及密封體，在形成了以上的各要素的基板10的表面例如以粘合劑接合有密封基板(圖示省略)。密封基板是用于保護(hù)基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此外，也能夠在密封基板的表面或者密封體的表面按照每個(gè)像素電路110形成彩色濾光器。

另外，雖然省略圖示，但在像素電路110形成有作為其它的電源線層的共用電極118。共用電極118經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示省略)，與被供給低位側(cè)的電源電位Vct的安裝端子導(dǎo)通。供電線116以及被供給低位側(cè)的電源電位Vct的共用電極118由例如含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。共用電極118與陽(yáng)極130a導(dǎo)通。

如上述那樣，為了提高供給至驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg的數(shù)據(jù)壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據(jù)本實(shí)施方式，由分別形成在不同的層的第一電極133－1、第二電極133－2以及這些電極之間的絕緣層LD來(lái)形成傳輸電容133，采用MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)，所以能夠防止芯片面積的增大，能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，從而能夠防止芯片面積的增大。

另外，關(guān)于屏蔽電容(第二電容)134，通過(guò)隔著絕緣層LF以規(guī)定的間隙配置第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來(lái)形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規(guī)定的長(zhǎng)度，從而能夠確保規(guī)定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實(shí)施例中，按照每個(gè)像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進(jìn)一步防止芯片面積的增大。

如根據(jù)圖15～圖17所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，被供給的信號(hào)的振幅較大的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號(hào)的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線14－2相比形成在上層。換句話說(shuō)，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的、供給到第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的振幅較大的信號(hào)的影響，抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖15以及圖17所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成有驅(qū)動(dòng)晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據(jù)圖15以及圖17所理解的那樣，與驅(qū)動(dòng)晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖15所理解的那樣，驅(qū)動(dòng)晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

如根據(jù)圖15～圖17所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來(lái)確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產(chǎn)生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖15的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進(jìn)行表示，則在像素電路的俯視時(shí)，表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A被設(shè)定成與表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，更接近表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)，在第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)有產(chǎn)生噪聲的可能性。但是，在像素電路的俯視時(shí)，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被設(shè)定在同第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)相比，遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)的位置。因此，即使在第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產(chǎn)生噪聲，也能夠抑制對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質(zhì)提高。

另外，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個(gè)被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

另外，如圖15所示，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被配置在與作為復(fù)位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第一晶體管126的柵極層GTfix連接的控制線146之間。因此，即使對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1供給振幅較高的信號(hào)而產(chǎn)生了噪聲，控制線145和控制線146也作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響。

另外，如圖15所示，第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)被配置在與作為復(fù)位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第四晶體管124的柵極層GTel連接的控制線144之間。因此，即使對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1供給振幅較高的信號(hào)而產(chǎn)生了噪聲，控制線145和控制線144也作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響。

第二實(shí)施方式

接下來(lái)，參照附圖的圖18～圖20對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)于與第一實(shí)施方式的共同地方附加同一附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。

本實(shí)施方式的電路與圖4所示的第一實(shí)施方式的電路相同。如圖18～圖20所示，本實(shí)施方式的各晶體管的俯視時(shí)的配置與第一實(shí)施方式不同。但是，各布線的層上的位置關(guān)系與第一實(shí)施方式相同。

如根據(jù)圖18以及圖20所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，傳輸電容(第一電容)133也由金屬的第一電極133－1、絕緣層LD以及金屬的第二電極133－2形成，由MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)形成。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸電容133的大電容化，能夠提高供給到驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg的數(shù)據(jù)壓縮率。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，能夠防止芯片面積的增大。

如根據(jù)圖19以及圖20所理解的那樣，關(guān)于屏蔽電容(第二電容)134，通過(guò)隔著絕緣層LF以規(guī)定的間隙配置第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來(lái)形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規(guī)定的長(zhǎng)度，從而能夠確保規(guī)定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實(shí)施例中，也按照每個(gè)像素電路110形成傳輸電容133，但也可以按照每條第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2來(lái)形成傳輸電容133。能夠進(jìn)一步防止芯片面積的增大。

如根據(jù)圖18～圖20所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，被供給的信號(hào)的振幅較大的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號(hào)的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線14－2相比形成在上層。換句話說(shuō)，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的、被供給到第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的振幅較大的信號(hào)的影響，抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖18及圖20所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成有驅(qū)動(dòng)晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

圖18所示的中繼電極QA3為源極電極，是與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖18所示的中繼電極QA8也是源極電極，是與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖18所示的中繼電極QA11也是源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。并且，如根據(jù)圖18以及圖20所理解的那樣，與驅(qū)動(dòng)晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖18所理解的那樣，驅(qū)動(dòng)晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

如根據(jù)圖18～圖20所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來(lái)確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產(chǎn)生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖18的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進(jìn)行表示，則在一個(gè)像素電路110內(nèi)觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C相比，接近表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B。

然而，如圖21以及圖22所示，在沿Y方向以及X方向相鄰的不同的像素電路110間觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，接近表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

因此，即使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)，而在第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產(chǎn)生了噪聲，也能夠抑制對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質(zhì)提高。

另外，如圖21以及圖22所示，在沿Y方向以及X方向相鄰的不同的像素電路110間觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A被配置在與第五晶體管125的柵極連接的控制線145和與驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極連接的掃描線12之間。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極被配置在控制線145與掃描線12之間，從而被控制線145和掃描線12屏蔽。其結(jié)果是，即使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)，而在第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產(chǎn)生了噪聲，也能夠抑制對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質(zhì)提高。

另外，如圖18所示，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個(gè)，被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

另外，如圖18所示，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)被配置在與第三晶體管123的柵極層GTcmp連接的控制線143與同第一晶體管126的柵極層GTfix連接的控制線146之間。因此，即使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)而產(chǎn)生了噪聲，控制線143和控制線146也作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響。

另外，如圖18所示，第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)被配置在與作為復(fù)位電位供給線的供電線16連接的第五晶體管125的柵極層GTorst所連接的控制線145與同第四晶體管124的柵極層GTel連接的控制線144之間。因此，即使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)而產(chǎn)生了噪聲，控制線145和控制線144也作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響。

第三實(shí)施方式

接下來(lái)，參照附圖的圖23～圖26對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在上述的各實(shí)施方式中，使用了六個(gè)晶體管，但在本實(shí)施方式中，使用五個(gè)晶體管。

電路圖

如圖23所示，在本實(shí)施方式中，未設(shè)置第五晶體管125的構(gòu)成與上述的各實(shí)施方式不同。另外，在第一晶體管126的漏極或者源極連接有被供給初始電位Vini的供電線17。另外，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由傳輸門(mén)45被供給將第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1初始化的電壓Vref。電壓Vref也可以與初始電位Vini相同。

本實(shí)施方式中的動(dòng)作與上述的各實(shí)施方式相同，在其它的塊中進(jìn)行初始化期間的處理的期間，將在發(fā)光期間中成為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)的第二晶體管122的傳輸電容133側(cè)的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2設(shè)定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位接近電源電壓。其結(jié)果是，第二晶體管122不會(huì)接通，在像素電容132中保持電壓，不會(huì)產(chǎn)生顯示的不良情況。

結(jié)構(gòu)

接下來(lái)，以下對(duì)第三實(shí)施方式的電光學(xué)裝置1的具體的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳述。此外，在以下的說(shuō)明所參照的各附圖中，為了方便說(shuō)明，而使各要素的尺寸、比例與實(shí)際的電光學(xué)裝置1不同。圖24以及圖25是著眼于一個(gè)像素電路110來(lái)圖示了形成電光學(xué)裝置1的各要素的各階段下的基板10的表面的樣子的俯視圖。圖26是電光學(xué)裝置1的剖視圖。與包含圖24以及圖25的I－I’線的剖面對(duì)應(yīng)的剖視圖相當(dāng)于圖26。此外，雖然圖24以及圖25是俯視圖，但從使各要素的視覺(jué)性把握容易化的觀點(diǎn)考慮，對(duì)與圖26共同的各要素方便地附加有與圖26同形狀的陰影線。

如根據(jù)圖26以及圖24的有源層的部分所理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成有像素電路110的各晶體管121、122、123、124、126的有源區(qū)域10A(源極/漏極區(qū)域)。有源區(qū)域10A被注入離子。像素電路110的各晶體管121、122、123、124、126的有源層存在于源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間，并被注入與有源區(qū)域10A不同種類的離子，但為了方便，與有源區(qū)域10A一體地記載。另外，在本實(shí)施方式中，在構(gòu)成像素電容132的區(qū)域中也形成有源區(qū)域10A，對(duì)有源區(qū)域10A注入雜質(zhì)并與電源連接。然后，構(gòu)成以有源區(qū)域10A為一個(gè)電極、以隔著絕緣層形成的電容電極為另一個(gè)電極的所謂的MOS電容。另外，構(gòu)成像素電容132的區(qū)域中的有源區(qū)域10A也作為電源電位部發(fā)揮作用。如根據(jù)圖24的有源層的部分所理解的那樣，第三晶體管123的有源區(qū)域10A在設(shè)置有導(dǎo)通孔HA13的部分，與第二晶體管122的有源區(qū)域10A連接。因此，第三晶體管123的電流端也作為第二晶體管122的電流端發(fā)揮作用。如根據(jù)圖24的柵極層的部分以及圖26所理解的那樣，形成有有源區(qū)域10A的基板10的表面被絕緣膜L0(柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT(GTdr、GTwr、GTcmp、GTel、GTfix)形成在絕緣膜L0的表面上。各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT隔著絕緣膜L0與有源層對(duì)置。

另外，如圖24的柵極層的部分所例示的那樣，驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極層GTdr以延伸到形成于構(gòu)成電容元件的區(qū)域的有源區(qū)域10A的方式形成，構(gòu)成像素電容132。

如根據(jù)圖26所理解的那樣，在形成有各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT以及像素電容132的絕緣膜L0的表面上形成有交替地層疊了多個(gè)絕緣層L(LA～LH)和多個(gè)導(dǎo)電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。此外，在以下的說(shuō)明中，將通過(guò)導(dǎo)電層(單層或者多層)的有選擇的除去而以同一工序一并地形成多個(gè)要素的關(guān)系標(biāo)記為“由同一層形成”。

絕緣層LA形成在形成有各晶體管121、122、123、124、126的柵極層GT的絕緣膜L0的表面上。如根據(jù)圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LA的表面上，由同一層形成有供電線116和多個(gè)中繼電極QA(QA13、QA14、QA15、QA16、QA17、QA18、QA19、QA20、QA21)。

另外，如根據(jù)圖24所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122、以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

圖24所示的中繼電極QA13為源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖24所示的中繼電極QA15也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖24所示的中繼電極QA17也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

如根據(jù)圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，供電線116經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA16與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，供電線116經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA15與形成像素電容132的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。供電線116遍及多個(gè)像素電路110沿驅(qū)動(dòng)晶體管121的溝道寬度的方向(X方向)延伸。供電線116經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示省略)，與被供給高位側(cè)的電源電位Vel的安裝端子導(dǎo)通。此外，雖然省略圖示，但在像素電路110的周邊區(qū)域內(nèi)也形成其它的電源線層。該電源線層經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示省略)，與被供給低位側(cè)的電源電位Vct的安裝端子導(dǎo)通。供電線116以及被供給低位側(cè)的電源電位Vct的電源線層由例如含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。

驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極層GTdr經(jīng)由中繼電極QA13、貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB13以及貫通絕緣層LA和絕緣膜L0的導(dǎo)通孔HA14，與形成第二晶體管122的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

在驅(qū)動(dòng)晶體管121與第三晶體管123及第四晶體管124的導(dǎo)通部、第三晶體管123與第一晶體管126的導(dǎo)通部的各個(gè)，中繼電極QA15、中繼電極QA17與供電線116形成在同一層。另外，在第二晶體管122的柵極層GTwr、第三晶體管123的柵極層GTcmp、第四晶體管124的柵極層GTel以及第一晶體管126的柵極層GTfix的導(dǎo)通部，中繼電極QA14、中繼電極QA16、中繼電極QA19以及中繼電極QA18與供電線116形成在同一層。并且，在第四晶體管124的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的導(dǎo)通部以及第一晶體管126的源極區(qū)域或者漏極區(qū)域的導(dǎo)通部，中繼電極QA20以及中繼電極QA21與供電線116形成在同一層。

如根據(jù)圖24的金屬層A的部分以及圖26所理解的那樣，中繼電極QA15經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA17，與形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA15經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA18，與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。并且，中繼電極QA15經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA19，與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

中繼電極QA17經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA13，與形成第二晶體管122和第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA17經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

中繼電極QA20經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。中繼電極QA21經(jīng)由貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA22，與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，中繼電極QA21與被供給初始電位的供電線17連接。

絕緣層LB形成在形成有供電線116和多個(gè)中繼電極QA(QA13、QA14、QA15、QA16、QA17、QA18、QA19、QA20、QA21)的絕緣層LA的表面上。如根據(jù)圖24的金屬層B的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LB的表面上，由同一層形成掃描線12、第三晶體管123的控制線143、第四晶體管124的控制線144、第一晶體管126的控制線146以及多個(gè)中繼電極QB(QB5、QB6)。

如根據(jù)圖24的金屬層B的部分以及圖26所理解的那樣，作為第一導(dǎo)電層的一個(gè)例子的掃描線12經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC15與中繼電極QA14導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24以及圖26所理解的那樣，掃描線12經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC15、中繼電極QA14以及貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB15，與第二晶體管122的柵極層GTwr導(dǎo)通。掃描線12遍及多個(gè)像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過(guò)絕緣層LC而與第一電容133以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電絕緣。

如根據(jù)圖24所理解的那樣，控制線143經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC14與中繼電極QA16導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，控制線143經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC14、中繼電極QA16以及貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB14，與第三晶體管123的柵極層GTcmp導(dǎo)通?？刂凭€143遍及多個(gè)像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過(guò)絕緣層LC而與第一電容133以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電絕緣。

如根據(jù)圖24所理解的那樣，控制線144經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC11與中繼電極QA19導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，控制線144經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC11、中繼電極QA19以及貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB16，與第四晶體管124的柵極層GTel導(dǎo)通?？刂凭€144遍及多個(gè)像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過(guò)絕緣層LC而與第一電容133以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電絕緣。

如根據(jù)圖24所理解的那樣，控制線146經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC13與中繼電極QA18導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，控制線146經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC13、中繼電極QA18以及貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HB17，與第一晶體管126的柵極層GTfix導(dǎo)通?？刂凭€146遍及多個(gè)像素電路110沿X方向直線狀地延伸，通過(guò)絕緣層LC而與第一電容133以及第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2電絕緣。

中繼電極QB5經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC12與中繼電極QA17導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，中繼電極QB5經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC12、中繼電極QA17以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

中繼電極QB6經(jīng)由按照每個(gè)像素電路110形成于絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC16與中繼電極QA20導(dǎo)通。因此，如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，中繼電極QB6經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC16、中繼電極QA20以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

絕緣層LC形成在形成有掃描線12、第三晶體管123的控制線143、第四晶體管124的控制線144、第一晶體管126的控制線146以及多個(gè)中繼電極QB(QB5、QB6)的絕緣層LB的表面上。如根據(jù)圖24以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LC的表面上，由同一層形成第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2、與該第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2一體地形成的傳輸電容133的第二電極133－2、以及中繼電極QC4。

作為第三導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD5、中繼電極QB5、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC12、中繼電極QA17以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA21，與形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。另外，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2經(jīng)由貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD5、中繼電極QB5、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC12、中繼電極QA17、以及貫通絕緣膜L0以及絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA13，與形成第三晶體管123以及第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

傳輸電容133(第一電容)的作為第五導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第二電極133－2在像素電路110中是覆蓋掃描線12、控制線143以及控制線146的矩形的電極，與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2一體地形成。

絕緣層LD形成在形成有第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2、傳輸電容133的第二電極133－2以及中繼電極QC4的絕緣層LC的表面上。如根據(jù)圖24的電容電極層的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LD的表面上形成有傳輸電容133的第一電極133－1。

傳輸電容133(第一電容)的作為第四導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一電極133－1是隔著絕緣層LD與第二電極133－2對(duì)置的矩形的電容電極。第一電極133－1隔著絕緣層LD與第二電極133－2對(duì)置。這樣，傳輸電容133由MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)形成，所以能夠?qū)崿F(xiàn)大電容化。

絕緣層LE形成在形成有傳輸電容133的第一電極133－1的絕緣層LD的表面上。如根據(jù)圖25的金屬層D的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LE的表面上形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD2。

作為第二導(dǎo)電層的一個(gè)例子的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由貫通絕緣層LE的導(dǎo)通孔HF4、HF5、HF6，與傳輸電容133的第一電極133－1導(dǎo)通。

作為第六導(dǎo)電層的一個(gè)例子的供電線16遍及多個(gè)像素電路110沿Y方向延伸。供電線16與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1形成在同一層，并以經(jīng)由絕緣層LF與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1之間具有規(guī)定的間隙的方式配置。這樣一來(lái)形成屏蔽電容134，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供電線16屏蔽。

中繼電極QD2經(jīng)由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導(dǎo)通孔HE4與中繼電極QC4導(dǎo)通。因此，中繼電極QD2經(jīng)由貫通絕緣層LE以及絕緣層LD的導(dǎo)通孔HE4、中繼電極QC4、貫通絕緣層LC的導(dǎo)通孔HD6、中繼電極QB6、貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HC16、中繼電極QA20以及貫通絕緣膜L0和絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA20，與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

絕緣層LF形成在形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1、供電線16以及中繼電極QD2的絕緣層LE的表面上。如根據(jù)圖25的反射層的部分以及圖26所理解的那樣，在絕緣層LF的表面上形成有反射層50。反射層50按照每個(gè)像素電路110獨(dú)立地形成。反射層50由例如含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。如根據(jù)圖25以及圖26所理解的那樣，反射層50經(jīng)由貫通絕緣層LF的導(dǎo)通孔HG2與中繼電極QD2導(dǎo)通。因此，反射層50經(jīng)由中繼電極QD2與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

如圖26所示那樣，在形成有反射層50的絕緣層LF的表面上形成有光路調(diào)整層LG。光路調(diào)整層LG是規(guī)定各像素電路110的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)(即顯示顏色)的透光性的膜體。設(shè)定為：在顯示顏色相同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)大致相同，在顯示顏色不同的像素中，共振結(jié)構(gòu)的共振波長(zhǎng)不同。

如圖25的像素電極層的部分以及圖26所示，在光路調(diào)整層LG的表面上形成有每個(gè)像素電路110的陽(yáng)極130a。陽(yáng)極130a例如由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透光性的導(dǎo)電材料形成。陽(yáng)極130a經(jīng)由貫通光路調(diào)整層LG的導(dǎo)通孔HH2與反射層50導(dǎo)通。因此，陽(yáng)極130a經(jīng)由反射層50與形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A導(dǎo)通。

如圖25的像素清晰膜的部分以及圖26所例示的那樣，在形成有陽(yáng)極130a的光路調(diào)整層LG的表面上，遍及基板10的整個(gè)區(qū)域形成有像素清晰膜51。像素清晰膜51例如由硅化合物(典型而言是氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無(wú)機(jī)材料形成。如根據(jù)圖25的像素清晰膜的部分所理解的那樣，在像素清晰膜51形成有與各陽(yáng)極130a對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部51A。像素清晰膜51中的開(kāi)口部51A的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與陽(yáng)極130a的周邊重合。即，開(kāi)口部51A的內(nèi)周邊在俯視時(shí)位于陽(yáng)極130a的周邊的內(nèi)側(cè)。各開(kāi)口部51A的平面形狀(矩形形狀)、尺寸共同，并且，遍及X方向以及Y方向的各個(gè)以共同的間距排列為矩陣狀。如根據(jù)以上的說(shuō)明所理解的那樣，像素清晰膜51在俯視時(shí)形成為格子狀。另外，也可以若顯示顏色相同則開(kāi)口部51A的平面形狀、尺寸相同，在顯示顏色不同的情況下使開(kāi)口部51A的平面形狀、尺寸不同。另外，也可以在顯示顏色相同的開(kāi)口部彼此間，開(kāi)口部51A的間距相同，在顯示顏色不同的開(kāi)口部間，開(kāi)口部51A的間距不同。

另外，雖然省略詳細(xì)的說(shuō)明，但在陽(yáng)極130a的上層層疊有發(fā)光功能層、OLED130的陰極以及密封體，在形成了以上的各要素的基板10的表面例如以粘合劑接合有密封基板(圖示省略)。密封基板是用于保護(hù)基板10上的各要素的透光性的板狀部件(例如玻璃基板)。此外，也能夠在密封基板的表面或者密封體的表面按照每個(gè)像素電路110形成彩色濾光器。

另外，雖然省略圖示，但在像素電路110形成有作為其它的電源線層的共用電極118。共用電極118經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示省略)，與被供給低位側(cè)的電源電位Vct的安裝端子導(dǎo)通。供電線116以及被供給低位側(cè)的電源電位Vct的共用電極118由例如含有銀、鋁的導(dǎo)電材料例如形成為100nm左右的膜厚。共用電極118與陽(yáng)極130a導(dǎo)通。

為了提高供給至驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg的數(shù)據(jù)壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)形成傳輸電容133，所以能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成了第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，從而能夠防止芯片面積的增大。

另外，關(guān)于屏蔽電容(第二電容)134，通過(guò)隔著絕緣層LF以規(guī)定的間隙配置第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來(lái)形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規(guī)定的長(zhǎng)度，從而能夠確保規(guī)定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實(shí)施例中，按照每個(gè)像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進(jìn)一步防止芯片面積的增大。

如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，被供給的信號(hào)的振幅較大的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號(hào)的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線14－2相比形成在上層。換句話說(shuō)，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的、供給到第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的振幅較大的信號(hào)的影響，抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖24以及圖26所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成有驅(qū)動(dòng)晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據(jù)圖24以及圖26所理解的那樣，與驅(qū)動(dòng)晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖24所理解的那樣，驅(qū)動(dòng)晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

如根據(jù)圖24～圖26所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來(lái)確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產(chǎn)生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

第四實(shí)施方式

接下來(lái)，參照附圖的圖27～圖30對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)與第三實(shí)施方式的共同地方附加同一附圖標(biāo)記并省略說(shuō)明。

電路圖

如圖27所示，本實(shí)施方式的電路與第三實(shí)施方式相同由五個(gè)晶體管構(gòu)成，但不設(shè)置供電線17。替代此，第一晶體管126的漏極或者源極與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1連接，第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由傳輸門(mén)45被供給初始電位Vini。其它的構(gòu)成與第三實(shí)施方式相同。

本實(shí)施方式中的動(dòng)作與上述的各實(shí)施方式相同，在其它的塊中進(jìn)行初始化期間的處理的期間，將在發(fā)光期間中成為浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)的第二晶體管122的傳輸電容133側(cè)的第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2設(shè)定為固定電位的初始電位Vini，所以能夠抑制第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的電位接近電源電位。其結(jié)果是，第二晶體管122不會(huì)接通，在像素電容132中保持電壓，不會(huì)產(chǎn)生顯示的不良情況。

結(jié)構(gòu)

在本實(shí)施方式中，如圖28所示，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2的配置和形狀與第三實(shí)施方式不同。另外，構(gòu)成第一晶體管126的漏極或者源極的節(jié)點(diǎn)區(qū)域10A經(jīng)由導(dǎo)通孔HA22、中繼電極QA22、導(dǎo)通孔HD7以及中繼電極QB8，與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1連接。其它的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施方式相同。

為了提高供給至驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極g的電位Vg的數(shù)據(jù)壓縮率，期望增大傳輸電容(第一電容)133，但根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)MIM(Metal-Insulator-Metal)結(jié)構(gòu)形成傳輸電容133，所以能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸電容133的大電容化。另外，傳輸電容133與形成有第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層，所以形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，從而能夠防止芯片面積的增大。

圖28所示的中繼電極QA13為源極電極，是與形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

另外，圖28所示的中繼電極QA15也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第四晶體管124的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

并且，圖28所示的中繼電極QA17也是源極電極，是與形成第三晶體管123的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、形成第二晶體管122的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A、以及形成第一晶體管126的漏極區(qū)域或者源極區(qū)域的有源區(qū)域10A直接接觸地形成的電極。

另外，關(guān)于屏蔽電容(第二電容)134，通過(guò)隔著絕緣層LF以規(guī)定的間隙配置第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1和作為屏蔽線的供電線16來(lái)形成。因此，屏蔽電容134由兩條平行的布線形成，所以在Y方向具有規(guī)定的長(zhǎng)度，從而能夠確保規(guī)定的電容。另外，屏蔽電容134也形成在像素電路110的顯示區(qū)域內(nèi)，所以能夠防止芯片面積的增大。

在本實(shí)施例中，按照每個(gè)像素電路110形成了傳輸電容133，但也可以按照每條第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2形成傳輸電容133。能夠進(jìn)一步防止芯片面積的增大。

如根據(jù)圖28～圖30所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，被供給的信號(hào)的振幅較大的第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1與被供給壓縮后的信號(hào)的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線14－2相比形成在上層。換句話說(shuō)，能夠降低對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的、供給到第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的振幅較大的信號(hào)的影響，抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖28以及圖30所理解的那樣，在本實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2與形成有驅(qū)動(dòng)晶體管121、第一晶體管126、第二晶體管122以及第三晶體管123的源極電極的層相比形成在上層。因此，能夠防止芯片面積的增大。

并且，如根據(jù)圖28以及圖30所理解的那樣，與驅(qū)動(dòng)晶體管121的第二電流端連接的作為電源線的供電線116與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2相比形成在下層，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

另外，如根據(jù)圖28所理解的那樣，驅(qū)動(dòng)晶體管121被作為電源線的供電線116覆蓋，所以供電線116作為屏蔽發(fā)揮作用，能夠進(jìn)一步有效地抑制驅(qū)動(dòng)晶體管121的柵極的電位的變動(dòng)，使顯示品質(zhì)提高。

如根據(jù)圖28～圖30所理解的那樣，傳輸電容133的第一電極133－1和第二電極133－2形成在與形成有第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的層不同的層。因此，即使在為了以較小的面積來(lái)確保某種程度的電容而使絕緣層變薄的情況下，也能夠不產(chǎn)生短路而形成具有均勻的層間的傳輸電容133。

如圖28的金屬層A的部分所示，以虛線的橢圓A表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置，以虛線的橢圓B表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置。另外，以虛線的橢圓C表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置。若以這種方式進(jìn)行表示，則在一個(gè)像素電路110內(nèi)觀察的情況下，表示第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置的虛線的橢圓A與表示驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置的虛線的橢圓B相比，接近表示第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置的虛線的橢圓C。

因此，即使第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1被供給振幅較高的信號(hào)，而在第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)產(chǎn)生了噪聲，也能夠抑制對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管121的噪聲的影響，能夠使顯示品質(zhì)提高。

另外，如圖28所示，第一晶體管126與第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1的連接位置(橢圓A)、驅(qū)動(dòng)晶體管121的第一電流端與第三晶體管123的連接位置(橢圓B)、以及第四晶體管124與作為發(fā)光元件的OLED130的連接位置(橢圓C)的各個(gè)，被配置在該像素電路110中的作為電源線的供電線116與沿Y方向相鄰的塊的像素電路110中的作為電源線的供電線116之間。因此，供電線116成為屏蔽，能夠減少噪聲的影響。

變形例

本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，例如能夠進(jìn)行以下敘述的各種變形。另外，也能夠適當(dāng)?shù)亟M合以下敘述的變形的方式中的任意選擇的一個(gè)或者多個(gè)。

變形例1

在上述的實(shí)施方式中，在各像素電路110中第三晶體管123連接在驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2之間，但也可以如圖31所示那樣連接在驅(qū)動(dòng)晶體管121的漏極與柵極g之間。

變形例2

在第一實(shí)施方式中，通過(guò)對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1經(jīng)由傳輸門(mén)45供給初始電位Vini，并使第一晶體管126接通，來(lái)對(duì)第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini。但是，也可以如圖32所示那樣，設(shè)置供給初始電位Vini的供電線17，并將第一晶體管126的漏極或者源極與供電線17連接。在該情況下，通過(guò)使第一晶體管126接通，來(lái)從供電線17向第二數(shù)據(jù)傳輸線14－2供給初始電位Vini。

變形例3

在上述的實(shí)施方式的電路圖中，按照每個(gè)像素電路110一對(duì)一對(duì)應(yīng)地設(shè)置第一晶體管126和傳輸電容133，但也可以如圖33所示那樣，針對(duì)Nb個(gè)像素電路110以各一個(gè)的比例設(shè)置第一晶體管126和傳輸電容133。

變形例4

在上述的實(shí)施方式中，構(gòu)成為以每三列對(duì)第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1進(jìn)行分組，并且在各組中依次選擇第一數(shù)據(jù)傳輸線14－1來(lái)供給數(shù)據(jù)信號(hào)，但是構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)只要是“2”以上“3n”以下的規(guī)定數(shù)量即可。例如，構(gòu)成組的數(shù)據(jù)線數(shù)也可以是“2”，也可以是“4”以上。

另外，也可以構(gòu)成為：不進(jìn)行分組，即不使用多路分配器DM，而一起以線順序?qū)Ω髁械牡谝粩?shù)據(jù)傳輸線14－1供給數(shù)據(jù)信號(hào)。

變形例5

在上述的實(shí)施方式中，使晶體管121～126統(tǒng)一為P溝道型，但也可以統(tǒng)一為N溝道型。另外，也可以適當(dāng)?shù)亟M合P溝道型以及N溝道型。

例如，在使晶體管121～126統(tǒng)一為N溝道型的情況下，對(duì)各像素電路110供給與上述的實(shí)施方式中的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(n)正負(fù)反轉(zhuǎn)的電位即可。另外，在該情況下，晶體管121～126的源極和漏極成為與上述的實(shí)施方式以及變形例反轉(zhuǎn)的關(guān)系。

變形例6

在上述的實(shí)施方式以及變形例中，作為電光學(xué)元件例示了作為發(fā)光元件的OLED，但是只要是例如無(wú)機(jī)發(fā)光二極管、LED(Light Emitting Diode：發(fā)光二極管)等以與電流對(duì)應(yīng)的亮度進(jìn)行發(fā)光的元件即可。

應(yīng)用例

接下來(lái)，對(duì)應(yīng)用了實(shí)施方式等、應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置1的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。電光學(xué)裝置1用于像素為小尺寸且高精度的顯示的用途。因此，作為電子設(shè)備，例舉頭戴式顯示器來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

圖34是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖35是表示其光學(xué)的構(gòu)成的圖。

首先，如圖34所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般的眼鏡相同地具有眼鏡腿310、鼻架320以及透鏡301L、301R。另外，如圖35所示，頭戴式顯示器300在鼻架320附近且透鏡301L、301R的里側(cè)(在圖中為下側(cè))設(shè)置有左眼用的電光學(xué)裝置1L和右眼用的電光學(xué)裝置1R。

電光學(xué)裝置1L的圖像顯示面以在圖35中成為左側(cè)的方式配置。由此，電光學(xué)裝置1L的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302L在圖中向九點(diǎn)鐘的方向射出。半透鏡303L使電光學(xué)裝置1L的顯示圖像向六點(diǎn)鐘的方向反射，另一方面使從十二點(diǎn)鐘的方向射入的光透過(guò)。

電光學(xué)裝置1R的圖像顯示面以成為與電光學(xué)裝置1L相反的右側(cè)的方式配置。由此，電光學(xué)裝置1R的顯示圖像經(jīng)由光學(xué)透鏡302R在圖中向三點(diǎn)鐘的方向射出。半透鏡303R使電光學(xué)裝置1R的顯示圖像向六點(diǎn)鐘方向反射，另一方面使從十二點(diǎn)鐘的方向射入的光透過(guò)。

在該構(gòu)成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透視狀態(tài)觀察電光學(xué)裝置1L、1R的顯示圖像。

另外，在該頭戴式顯示器300中，若使伴隨著視差的兩眼圖像中的左眼用圖像顯示于電光學(xué)裝置1L，使右眼用圖像顯示于電光學(xué)裝置1R，則能夠使佩戴者感覺(jué)到所顯示的圖像猶如具有縱深、立體感(3D顯示)。

此外，電光學(xué)裝置1除了應(yīng)用于頭戴式顯示器300之外，也能夠應(yīng)用于攝像機(jī)、可換鏡頭式數(shù)碼相機(jī)等中的電子取景器。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1、1L、1R…電光學(xué)裝置，2…顯示面板，3…控制電路，5…數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，6…掃描線驅(qū)動(dòng)電路，12…掃描線，14－1…第一數(shù)據(jù)傳輸線，14－2…第二數(shù)據(jù)傳輸線，16…供電線，31…電壓生成電路，34…傳輸門(mén)，41…保持電容，42…傳輸門(mén)，45…傳輸門(mén)，70…數(shù)據(jù)信號(hào)供給電路，100…顯示部，110…像素電路，116…供電線，118…共用電極，121、122、123、124、125、126…晶體管，130…OLED，130a…陽(yáng)極，132…像素電容，133…傳輸電容，143、144、145、146…控制線，300…顯示器，301L、301R…透鏡，302L、302R…光學(xué)透鏡，303L、303R…半透鏡，310…眼鏡腿，320…鼻架，DM…多路分配器，DT…數(shù)據(jù)傳輸電路。