本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，還涉及一種液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

GOA(Gate Drive On Array)技術(shù)，是利用薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)陣列(Array)的制程來將柵極驅(qū)動(dòng)器制作在薄膜晶體管陣列基板上，以實(shí)現(xiàn)逐行掃描的驅(qū)動(dòng)方式。

由于GOA技術(shù)有利于顯示屏柵極驅(qū)動(dòng)側(cè)的窄邊框設(shè)計(jì)以及成本的降低，因?yàn)榈玫綇V泛地應(yīng)用和研究。

隨著氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(例如，IGZO，銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管)的發(fā)展，氧化物半導(dǎo)體相應(yīng)的面板周邊集成電路也成為關(guān)注的焦點(diǎn)。由于氧化物薄膜晶體管的載流子遷移率是非晶硅薄膜晶體管的20-30倍，因此可大大提高薄膜晶體管對(duì)像素電極的充放電速率。可以看出，氧化物薄膜晶體管可以提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，從而能夠大大提高像素的行掃描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成為可能。氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的GOA電路未來有可能取代非晶硅的GOA電路。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的GOA電路的開發(fā)較少，這是因?yàn)樾枰朔芏嘤捎谘趸锉∧ぞw管電性本身帶來的問題。具體地，由于IGZO屬于N型半導(dǎo)體，空穴數(shù)目很少，因此IGZO-TFT通常表現(xiàn)出較佳的負(fù)偏壓應(yīng)力(NBTS)特性。然而，IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力(PBTS)卻并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓(Vth)產(chǎn)生正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開速度變慢，進(jìn)而對(duì)GOA電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：現(xiàn)有技術(shù)中IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓產(chǎn)生正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開速度變慢，進(jìn)而對(duì)GOA電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路及液晶顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，其包括以串聯(lián)方式連接的多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置為依據(jù)上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)、下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)來在其輸出端輸出掃描信號(hào)；

每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元包括用于使本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位維持在負(fù)電位的下拉維持模塊；所述下拉維持模塊包括：

第五十一晶體管，其柵極與漏極均連接恒壓高電位輸出端，源極連接第四節(jié)點(diǎn)；

第五十二晶體管，其柵極連接第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第四節(jié)點(diǎn)，源極連接第一負(fù)電位輸出端；

第五十三晶體管，其柵極連接所述第四節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓高電位輸出端，源極連接第二節(jié)點(diǎn)；

第五十四晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，源極連接第三節(jié)點(diǎn)；

第七十三晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述恒壓高電位輸出端，源極連接所述第三節(jié)點(diǎn)；

第七十四晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第三節(jié)點(diǎn)，源極連接恒壓低電位輸出端；

第四十二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述恒壓低電位輸出端；以及

第三十二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接所述第一負(fù)電位輸出端；

其中，所述恒壓低電位輸出端的電位低于所述第一負(fù)電位輸出端的電位。

優(yōu)選的是，所述下拉維持模塊還包括：

第一晶體管，其柵極連接所述恒壓高電位輸出端，漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第四十二晶體管的漏極；以及

第二晶體管，其柵極連接所述第二節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第四十二晶體管的漏極。

優(yōu)選的是，所述柵極驅(qū)動(dòng)單元還包括：

輸入控制模塊，設(shè)置為受控于所述上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)，以控制所述第一節(jié)點(diǎn)的電位。

優(yōu)選的是，所述柵極驅(qū)動(dòng)單元還包括：

連接所述第一節(jié)點(diǎn)的輸出控制模塊，設(shè)置為根據(jù)所述第一節(jié)點(diǎn)的電位控制本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位。

優(yōu)選的是，所述柵極驅(qū)動(dòng)單元還包括：

下拉模塊，設(shè)置為下拉本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端的電位。

優(yōu)選的是，所述恒壓高電位輸出端的電位為20-30V。

優(yōu)選的是，所述恒壓低電位輸出端的電位和所述第一負(fù)電位輸出端的電位均為-5--8V。

優(yōu)選的是，所述輸入控制模塊包括第十一晶體管；其中，所述第十一晶體管的漏極連接所述恒壓高電位輸出端，柵極連接上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端，源極連接所述第一節(jié)點(diǎn)。

優(yōu)選的是，所述輸出控制模塊包括：

第二十一晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述時(shí)鐘信號(hào)的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端；

第二十二晶體管，其柵極連接所述第一節(jié)點(diǎn)，漏極連接所述時(shí)鐘信號(hào)的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端；以及

自舉電容，所述第一節(jié)點(diǎn)通過所述自舉電容連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端。

優(yōu)選的是，所述下拉模塊包括第四十晶體管和第四十一晶體管：

其中，所述第四十晶體管的柵極和漏極均連接所述第一節(jié)點(diǎn)，源極連接所述第四十一晶體管的漏極；

所述第四十一晶體管的柵極連接下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面還提供了一種液晶顯示裝置。所述液晶顯示裝置包括如上所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明一方面能夠避免晶體管的閾值電壓向右漂移對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響，另一方面通過更改控制信號(hào)端來確保了晶體管的正常開閉來保證柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出正常的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。因此，本發(fā)明在很大程度上提高了柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性，有利于液晶顯示面板顯示效果的提高。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路示意圖；

圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及在正常情況下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖；

圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及在薄膜晶體管的閾值電壓向右漂移的異常情況下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖；

圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的一種電路示意圖；

圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖；以及

圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的另一種電路示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

現(xiàn)有技術(shù)中IGZO-TFT的正向偏壓應(yīng)力并不理想。長(zhǎng)時(shí)間的正向偏壓應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致TFT的閾值電壓(Vth)正向漂移，從而使得IGZO-TFT器件的打開速度變慢，進(jìn)而對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

現(xiàn)有技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路示意圖。參照?qǐng)D1，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元包括輸入控制模塊100、輸出控制模塊200、下拉模塊300和下拉維持模塊400。

其中，輸入控制模塊100受控于上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的驅(qū)動(dòng)輸出端ST(N-1)，以控制第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位。輸出控制模塊200連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)。輸出控制模塊200根據(jù)第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位控制本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位。下拉模塊300連接輸出控制模塊200。下拉模塊300根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位下拉本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位。下拉維持模塊400連接下拉模塊300。下拉維持模塊400維持第二節(jié)點(diǎn)P(N)在非掃描期間的電位，以使本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)的電位維持在負(fù)電位。

參照?qǐng)D1，下拉維持模塊400包括第五十一晶體管T51、第五十二晶體管T52、第五十三晶體管T53、第五十四晶體管T54、第七十三晶體管T73、第七十四晶體管T74、第八十一晶體管T81和第八十二晶體管T82、第四十二晶體管T42和第三十二晶體管T32。

其中，第五十一晶體管T51的柵極與漏極均連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)。第五十二晶體管T52的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。第五十三晶體管T53的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)。第五十四晶體管T54的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十三晶體管T73的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十四晶體管T74的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第三節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接恒壓低電位輸出端DCL。第八十一晶體管T81的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第八十二晶體管T82的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接恒壓低電位輸出端DCL，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第四十二晶體管T42的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第五節(jié)點(diǎn)A(N)。第三十二晶體管T32的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。

下面結(jié)合圖1至圖3說明現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的缺陷。其中，圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及在正常情況下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖。圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動(dòng)單元的波形設(shè)置及在薄膜晶體管的閾值電壓向右漂移的異常情況下關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的輸出波形示意圖。

在每一幀掃描期間，下拉維持模塊400中的第八十二晶體管T82絕大多數(shù)時(shí)處于打開狀態(tài)。正向偏壓應(yīng)力會(huì)長(zhǎng)時(shí)間施加在第八十二晶體管T82上，使第八十二晶體管T82的閾值電壓產(chǎn)生正向漂移。由此，第八十二晶體管T82不能如在正常情況下一樣快速地關(guān)閉，從而會(huì)影響第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位的下拉速度。參照?qǐng)D2和圖3，由于第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位拉低很慢，第二十一晶體管T21會(huì)持續(xù)打開一段時(shí)間，從而時(shí)間信號(hào)CK會(huì)不斷地輸入到本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)，進(jìn)而導(dǎo)致如圖3所示的錯(cuò)充。

此外，在圖1所示的傳統(tǒng)下拉維持模塊400中，第七十三晶體管T73的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)節(jié)點(diǎn)。第四節(jié)點(diǎn)S(N)點(diǎn)的電位是由第五十一晶體管T51和第五十二晶體管T52的兩個(gè)等效電阻分壓得到的電位。在每一幀掃描期間，第五十二晶體管T52絕大多數(shù)時(shí)處于打開狀態(tài)。正向偏壓應(yīng)力會(huì)長(zhǎng)時(shí)間施加在第五十二晶體管T52上，使第五十二晶體管T52的閾值電壓產(chǎn)生正向漂移。這樣，第五十二晶體管T52的等效電阻增大，從而主反相器的作用失效，進(jìn)而第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位不穩(wěn)定。當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)Q(N)的電位為高電位時(shí)，第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位也為高電位。由此，第七十三晶體管T73打開，第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位也為高電位。最終，第四十二晶體管T42和第八十二晶體管T82打開，并且第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位被下拉。由此，得到如圖3所示的異常情況下的波形圖。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)電路包括以串聯(lián)方式連接的多級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元。其中，每級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置為依據(jù)上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)、下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元輸出的掃描信號(hào)以及時(shí)鐘信號(hào)來在其輸出端輸出掃描信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)電路所包括的各極柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路結(jié)構(gòu)相同。

圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D4，本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元主要包括輸入控制模塊100、輸出控制模塊200、下拉模塊300和下拉維持模塊400。

下面參照?qǐng)D4詳細(xì)描述各模塊的電路組成以及工作原理。

輸入控制模塊100包括第十一晶體管T11。第十一晶體管T11的漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，柵極連接上一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端ST(N-1)，源極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)。

輸出控制模塊200包括第二十一晶體管T21、第二十二晶體管T22和自舉電容Cbt。其中，第二十一晶體管T21的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接時(shí)鐘信號(hào)的輸出端CK/XCK，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。第二十二晶體管T22的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接時(shí)鐘信號(hào)的輸出端CK/XCK，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)輸出端ST(N)。第一節(jié)點(diǎn)Q(N)通過自舉電容Cbt連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。

下拉模塊300包括第四十晶體管T40和第四十一晶體管T41。其中，第四十晶體管T40的柵極和漏極均連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第四十一晶體管T41的漏極。第四十一晶體管T41的柵極連接下一級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N+1)，源極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)。

下面詳細(xì)描述下拉維持模塊400的電路結(jié)構(gòu)及其工作原理。

下拉維持模塊400包括第五十一晶體管T51、第五十二晶體管T52、第五十三晶體管T53、第五十四晶體管T54、第七十三晶體管T73、第七十四晶體管T74、第四十二晶體管T42和第三十二晶體管T32。

其中，第五十一晶體管T51的柵極與漏極均連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)。第五十二晶體管T52的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。第五十三晶體管T53的柵極連接第四節(jié)點(diǎn)S(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)。第五十四晶體管T54的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十三晶體管T73的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接恒壓高電位輸出端DCH，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。第七十四晶體管T74的柵極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，漏極連接第三節(jié)點(diǎn)S(N)，源極連接恒壓低電位輸出端DCL。第四十二晶體管T42的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接恒壓低電位輸出端。第三十二晶體管T32的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)，源極連接第一負(fù)電位輸出端VSS1。

恒壓低電位輸出端DCL的電位小于第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位。在本發(fā)明一優(yōu)選的實(shí)施例中，恒壓高電位輸出端DCH的電位的范圍為20-30V。恒壓低電位輸出端DCL的電位和第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位的范圍均為-5--8V。附圖中CK和XCK為彼此反相的時(shí)鐘信號(hào)。

下拉維持模塊400采用了特殊的雙重反相器設(shè)計(jì)。其中，第五十一晶體管T51、第五十二晶體管T52、第五十三晶體管T53、第五十四晶體管T54構(gòu)成了主反相器。第七十三晶體管T73和第七十四晶體管T74構(gòu)成了輔助反相器。主反相器的作用是控制第三十二晶體管T32和第四十二晶體管T42兩個(gè)晶體管。輔助反相器的作用是在作用期間提供給主反相器低電位，在非作用期間提供給主反相器一個(gè)適當(dāng)?shù)母唠娢粊斫档偷谖迨木w管T54的漏電，從而確保主反相器在非作用期間能夠產(chǎn)生較高的電位。該輔助反相器引用主反相器中的第二節(jié)點(diǎn)P(N)來控制第七十三晶體管T73，可以減少輔助反相器的元件數(shù)量，不需要額外的元件來產(chǎn)生類似于第二節(jié)點(diǎn)P(N)節(jié)點(diǎn)的波形控制第七十三晶體管T73。第二節(jié)點(diǎn)P(N)相比于第四節(jié)點(diǎn)S(N)來說更為穩(wěn)定，有利于提高柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性。

在作用期間，輔助反相器被第二節(jié)點(diǎn)P(N)的高電壓與恒壓低電位輸出端DCL的低電壓驅(qū)動(dòng)后，第五十二晶體管T52被下拉至第一負(fù)電位輸出端VSS1的電位，第七十四晶體管T74在第一節(jié)點(diǎn)Q(N)為高電位時(shí)開啟并被下拉至恒壓高電位輸出端DCH的電位。由此，第三節(jié)點(diǎn)K(N)為更低電位，第二節(jié)點(diǎn)P(N)也被下拉到更低電位。即，輔助反相器在作用期間給主反相器提供了低電位，因而可以杜絕第三十二晶體管T32、第四十二晶體管T42因閾值電壓較低或趨近于0V的物理特性所引發(fā)的漏電情況發(fā)生，確保下拉維持模塊400能夠在作用期間正常拉低。

在非作用期間，第五十二晶體管T52、第五十四晶體管T54和第七十四晶體管T74均截止關(guān)閉。由于第五十四晶體管T54的柵極與第一節(jié)點(diǎn)Q(N)相連接，源極連接第三節(jié)點(diǎn)K(N)。因此，第五十四晶體管T54的柵極為負(fù)電位，源極為正電位。這樣，第五十四晶體管T54的柵極和源極的電壓差是相對(duì)來說非常負(fù)值的電位，從而可將第五十四晶體管T54關(guān)閉得很好，減少它的漏電。也就是說，輔助反相器在非作用期間給主反相器提供了一個(gè)適當(dāng)?shù)母唠娢粊斫档偷谖迨木w管T54的漏電，確保下拉維持模塊400在非作用期間處于較高的電位，有效維持第一節(jié)點(diǎn)Q(N)和輸出端G(N)處于低電位。此外，在第三節(jié)點(diǎn)K(N)為高電位時(shí)，還存在電阻分壓的功能，這可以將第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位推得更高，因而可以進(jìn)一步穩(wěn)定第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位。采用電位更加穩(wěn)定的第二節(jié)點(diǎn)P(N)來控制第七十三晶體管T73的開閉，進(jìn)一步有助于增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性。

為了避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例從根本上解決了由柵極驅(qū)動(dòng)電路中第八十二晶體管T82和第七十三晶體管T73的閾值電壓向右漂移引起的柵極驅(qū)動(dòng)電路工作異常的問題。

一方面，本實(shí)施例去掉了第八十一晶體管T81和第八十二晶體管T82。這樣，第四十二晶體管T42能夠直接與恒壓低電位輸出端DCL相連。這種電路結(jié)構(gòu)可以避免第八十二晶體管T82的閾值電壓向右漂移對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。此種，這種電路結(jié)構(gòu)可以增加第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位的下拉速度。

另一方面，本實(shí)施例使第七十三晶體管T73的柵極連接電位穩(wěn)定的第二節(jié)點(diǎn)P(N)。由于第二節(jié)點(diǎn)P(N)的電位穩(wěn)定，有利于發(fā)揮良好的反相器功能，因此，這種電路結(jié)構(gòu)確保了第七十三晶體管T73的正常開閉(如圖5所示)，從而有利于柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定。

總體來說，本實(shí)施例在很大程度上提高了柵極驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定性，有利于液晶顯示面板顯示效果的提高。

圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的另一種電路示意圖。參照?qǐng)D6，本實(shí)施例柵極驅(qū)動(dòng)單元的下拉維持模塊400還包括第一晶體管T2和第二晶體管T2。

具體地，第一晶體管T1的柵極連接恒壓高電位輸出端DCH，漏極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第四十二晶體管T42的漏極。第二晶體管T2的柵極連接第二節(jié)點(diǎn)P(N)，漏極連接第一節(jié)點(diǎn)Q(N)，源極連接第四十二晶體管T42的漏極。

本實(shí)施例能夠保證第四十二晶體管的正常工作。具體地，當(dāng)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)工作時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位為高電位，同時(shí)第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位為低電位。此時(shí)，第四十二晶體管T42和第二晶體管T2關(guān)閉。因?yàn)榈谝痪w管T1打開，第一晶體管T1和第四十二晶體管T42可等效為電阻串聯(lián)。這樣，即使第四十二晶體管T42漏電打開，電流也很難經(jīng)過第一晶體管T1，從而仍然可以將第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位拉低，進(jìn)而保證了本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元G(N)的正常充電。

當(dāng)本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元的輸出端G(N)不工作時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位為低電位，同時(shí)第四節(jié)點(diǎn)S(N)的電位為高電位。此時(shí)，第四十二晶體管T42、第一晶體管T1和第二晶體管T2全部打開，于是第一晶體管T1和第二晶體管T2相當(dāng)于兩個(gè)電阻并聯(lián)。相比于串聯(lián)連接，并聯(lián)連接的第一晶體管T1和第二晶體管T2的等效電阻變小。這樣，針對(duì)第一晶體管T1和第二晶體管T2，即使其中的一個(gè)晶體管失效了，另一個(gè)晶體管也可以正常工作，從而仍然可以將第一節(jié)點(diǎn)Q(N)的電位拉低，進(jìn)而保證了本級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)單元G(N)的正常充電。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示裝置。本實(shí)施例的液晶顯示裝置包括上述柵極驅(qū)動(dòng)電路。特別地，液晶顯示裝置可以為普通液晶顯示裝置也可以是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)顯示裝置。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。