本公開涉及一種顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

在由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成的顯示裝置中，單位像素除了發(fā)光部以外，還具有用于驅(qū)動該發(fā)光部的晶體管。在這樣的顯示裝置中，單位像素內(nèi)的晶體管接受從自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光，由此該晶體管的特性劣化。為了防止起因于接受從該發(fā)光部發(fā)出的光的晶體管特性的劣化，以往在單位像素內(nèi)設(shè)置遮光層，用于遮斷向晶體管射入的光(例如，參照專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-206919號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

如上所述，關(guān)于采用在單位像素內(nèi)設(shè)置遮光層的結(jié)構(gòu)的以往技術(shù)，因為雖然能夠在某種程度上遮斷從發(fā)光部射入晶體管的光，但是并不能實現(xiàn)將晶體管完全遮蔽的構(gòu)造，所以不容易完全遮斷來自自身像素的發(fā)光部的入射光。

本公開以提供一種不依賴遮光層，也可以抑制起因于接受從自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光的晶體管特性的劣化的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備為目的。

解決技術(shù)問題的手段

用于達(dá)成上述目的的本公開的顯示裝置具備：像素陣列單元，由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成；以及驅(qū)動單元，在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

用于達(dá)成上述目的的本公開的顯示裝置的驅(qū)動方法是：由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成像素陣列單元，在對具備像素陣列單元的顯示裝置進行驅(qū)動的情況下，在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

用于達(dá)成上述目的的本公開的電子設(shè)備具備顯示裝置，所述顯示裝置具有：像素陣列單元，由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成；以及驅(qū)動單元，在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

在包含發(fā)光部的單位像素中，在補正對象的晶體管處于一定的狀態(tài)、例如非導(dǎo)通狀態(tài)時，如果補正對象的晶體管接受從自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光，那么該晶體管的特性向一定方向移動。在此，在不影響圖像顯示的非顯示期間，強制地使補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)，并且使發(fā)光部發(fā)光。于是，補正對象的晶體管的特性向與上述一定方向相反的反方向移動。該反方向的特性移動起到使一定方向的特性移動的該移動程度變小的作用。因此，即使沒有遮斷來自發(fā)光部的光的遮光層、即不依賴遮光層，也能夠抑制起因于接受從自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光的晶體管特性的劣化。

發(fā)明的效果

根據(jù)本公開的技術(shù)，因為不依賴遮光層，也能夠抑制起因于接受從自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光的晶體管特性的劣化，所以能夠謀求晶體管特性的穩(wěn)定化。再有，不一定限定于這里所記載的效果，可以是本說明書中記載的任何一個效果。此外，本說明書所記載的效果只是例示，并不限于此，另外也可以具有附加效果。

附圖說明

[圖1]圖1是表示應(yīng)用有本公開的技術(shù)的有源矩陣型顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)的概略系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。

[圖2]圖2是表示單位像素(像素電路)的具體電路結(jié)構(gòu)的一個例子的電路圖。

[圖3]圖3是表示受光劣化的改善的樣子的圖。

[圖4]圖4是表示基于受光的有無的PBTS時的V_th移動的樣子的圖。

[圖5]圖5是表示遮光構(gòu)造與PBTS/NBTS受光的組合的效果的圖。

[圖6]圖6是表示實施例1的像素電路的電路圖。

[圖7]圖7是用于說明具有實施例1的像素電路的有機EL顯示裝置的電路動作的時序波形圖。

[圖8]圖8A是劣化抑制期間的動作說明圖，圖8B是初始化期間的動作說明圖。

[圖9]圖9A是閾值補正期間的動作說明圖，圖9B是信號寫入&遷移率補正期間的動作說明圖。

[圖10]圖10是發(fā)光期間的動作說明圖。

[圖11]圖11是表示實施例2的控制時鐘的時序波形圖。

[圖12]圖12是在實施例2的情況下的劣化抑制期間的動作說明圖。

[圖13]圖13是表示為本公開的電子設(shè)備的一個例子的數(shù)字標(biāo)牌裝置的外觀立體圖。

具體實施方式

在下文中，使用附圖對用于實施本公開的技術(shù)的方式(以下稱為“實施方式”)進行詳細(xì)說明。本公開的技術(shù)不限定于實施方式，實施方式的各種數(shù)值、材料等為例示。在以下的說明中，對同一要素或具有同一功能的要素使用相同的符號，并且省略重復(fù)的說明。再有，說明按以下的順序進行。

1.關(guān)于本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備、整體的說明

2.應(yīng)用有本公開的技術(shù)的顯示裝置(有機EL顯示裝置的例子)

2-1.系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

2-2.像素電路

2-3.氧化物TFT的特性的受光劣化

3.本公開的實施方式的說明

3-1.實施例1[補正對象的晶體管是寫入晶體管的例子]

3-2.實施例2[補正對象的晶體管是驅(qū)動晶體管的例子]

4.變形例

5.電子設(shè)備(數(shù)字標(biāo)牌裝置的例子)

<關(guān)于本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備、整體的說明>

在本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下形態(tài)：在進入顯示期間之前，能夠設(shè)置進行單位像素的晶體管特性的補正的補正期間。這時，能夠采用如下構(gòu)造：驅(qū)動單元在進入補正期間之前，根據(jù)所定的電壓進行發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

在包含上述優(yōu)選的構(gòu)造、形態(tài)的本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下構(gòu)造：補正對象的晶體管是將顯示信號寫入單位像素內(nèi)的寫入晶體管、及/或根據(jù)顯示信號驅(qū)動發(fā)光部的驅(qū)動晶體管。另外，能夠采用如下構(gòu)造：補正對象的晶體管由在溝道層使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管構(gòu)成。

另外，在包含上述優(yōu)選的構(gòu)造的本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下構(gòu)造：單位像素具有開關(guān)元件，該開關(guān)元件在通過施加所定的電壓驅(qū)動發(fā)光部時，對發(fā)光部選擇性地施加所定的電壓。另外，能夠采用如下構(gòu)造：該開關(guān)元件由開關(guān)晶體管構(gòu)成，該開關(guān)晶體管連接在被施加發(fā)光部的所定的電壓的節(jié)點、與所定的電壓的電壓源之間。這時，能夠采用如下構(gòu)造：驅(qū)動單元在使補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)時，使開關(guān)晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)。

另外，在包含上述優(yōu)選的構(gòu)造的本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下構(gòu)造：在將被施加發(fā)光部的所定的電壓的節(jié)點與反對側(cè)的節(jié)點的電壓作為V_cath、發(fā)光部的閾值電壓作為V_{th_EL}、驅(qū)動晶體管的柵電壓作為V_g、驅(qū)動晶體管的閾值電壓作為V_{th_Tr}時，所定的電壓V_x被設(shè)定為滿足條件:V_g-V_{th_Tr}>V_x>V_cath+V_{th_EL}的電壓值。

另外，在包含上述優(yōu)選的構(gòu)造的本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下構(gòu)造：驅(qū)動單元對像素排列以像素行為單位依次驅(qū)動單位像素，所述像素排列由單位像素以二維行列式配置構(gòu)成。另外，能夠采用如下構(gòu)造：像素陣列單元的各個單位像素在透明基板上制造。

另外，在包含上述優(yōu)選的構(gòu)造的本公開的顯示裝置、顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，能夠采用如下構(gòu)造：單位像素的發(fā)光部由電流驅(qū)動型的電光學(xué)元件、例如有機電致發(fā)光(Electro Luminescence：EL)元件構(gòu)成。有機EL元件是利用有機材料的電致發(fā)光、且利用對有機薄膜施加電場而發(fā)光的現(xiàn)象的自發(fā)光元件。作為電流驅(qū)動型的電光學(xué)元件，除了有機EL元件之外，還能夠列舉無機EL元件、LED元件和半導(dǎo)體激光元件等。

有機EL元件為如下構(gòu)造：在第一電極(例如陽極)上依次層疊空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層形成有機層，并且在該有機層上形成第二電極(例如陰極)。于是，通過在第一電極與第二電極之間施加直流電壓，空穴從第一電極(陽極)經(jīng)過空穴傳輸層、電子從第二電極(陰極)經(jīng)過電子傳輸層分別注入發(fā)光層內(nèi)，在發(fā)光層中電子與空穴再結(jié)合時發(fā)光。

使用有機EL元件作為像素發(fā)光部的有機EL顯示裝置具有下列優(yōu)點。也就是說，因為有機EL元件能夠在施加10V以下的電壓下驅(qū)動，所以有機EL顯示裝置為低功耗。因為有機EL元件是自發(fā)光元件，所以有機EL顯示裝置與同樣的平面型的顯示裝置液晶顯示裝置相比，圖像的視認(rèn)性高，而且因為不需要背照燈等照明部件，所以容易實現(xiàn)輕量化和薄型化。進一步說，因為有機EL元件的響應(yīng)速度為約數(shù)微秒、非?？?，所以有機EL顯示裝置在顯示動畫時不發(fā)生殘像。

<應(yīng)用有本公開的技術(shù)的顯示裝置>

[系統(tǒng)結(jié)構(gòu)]

圖1是表示應(yīng)用有本公開的技術(shù)的有源矩陣型顯示裝置的基本結(jié)構(gòu)的概略系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。

有源矩陣型顯示裝置是通過與發(fā)光部(發(fā)光元件)設(shè)置在相同像素內(nèi)的有源元件(例如，絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)來進行該發(fā)光部的驅(qū)動的顯示裝置。作為絕緣柵型場效應(yīng)晶體管，典型地，能夠使用薄膜晶體管(thin film transistor：TFT)。

在這里，作為示例，對使用有機EL元件作為單位像素(像素電路)的發(fā)光部(發(fā)光元件)的有源矩陣型有機EL顯示裝置的情況進行說明。有機EL元件是根據(jù)流過器件的電流值來改變發(fā)光亮度的電流驅(qū)動型電光元件。在下文中，也存在將“單位像素(像素電路)”簡稱為“像素”的情況。

如圖1所示，應(yīng)用有本公開的技術(shù)的有機EL顯示裝置10的結(jié)構(gòu)具有像素陣列單元30和驅(qū)動單元，其中，該像素陣列單元30是包含有機EL元件的多個單位像素20以二維行列式(矩陣形式)配置形成的，該驅(qū)動單元配置在該像素陣列單元30的周圍用于驅(qū)動像素20。驅(qū)動單元例如由與像素陣列單元30安裝在同一顯示面板70上的寫入掃描單元40、電源供給掃描單元50和信號輸出單元60等構(gòu)成，并且驅(qū)動像素陣列單元30的各個像素20。

顯示面板70以透明基板、例如玻璃基板為主基板構(gòu)成。因此，具有以玻璃基板為主基板的顯示面板70的本公開的顯示裝置是透明顯示屏。再有，也可以采用將寫入掃描單元40、電源供給掃描單元50和信號輸出單元60之中的一些或全部設(shè)置在顯示面板70外部的結(jié)構(gòu)。

在這里，在有機EL顯示裝置10能夠進行彩色顯示的情況下，作為彩色圖像形成單位的單個像素(單位像素/像素)由多個子像素(副像素)構(gòu)成。在這種情況下，每一個子像素與圖1的像素20相對應(yīng)。更具體地說，在能夠進行彩色顯示的顯示裝置中，單個像素例如由發(fā)出紅色(Red、R)光的子像素、發(fā)出綠色(Green、G)光的子像素和發(fā)出藍(lán)色(Blue、B)光的子像素這三個子像素構(gòu)成。

但是，作為單個像素，并不限于由RGB的三原色的子像素的組合構(gòu)成，也可以通過進一步將一種或多種色彩的子像素添加到三原色的子像素來構(gòu)成單個像素。更具體地說，例如，可以通過添加用于提高亮度的發(fā)出白色(White、W)光的子像素來構(gòu)成單個像素，也可以通過添加至少一個用于擴大色彩再現(xiàn)范圍的發(fā)出互補色光的子像素來構(gòu)成單個像素。

在像素陣列單元30中，掃描線31(31₁～31_m)和電源線32(32₁～32_m)沿排列成m行×n列的像素20的各個像素行的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)布線。此外，信號線33(33₁～33_n)沿排列成m行×n列的像素20的各個像素列的列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)布線。

掃描線31₁～31_m分別連接到寫入掃描單元40的相應(yīng)行的輸出端。電源線32₁～32_m分別連接到電源供給掃描單元50的相應(yīng)行的輸出端。信號線33₁～33_n分別連接到信號輸出單元60的相應(yīng)列的輸出端。

寫入掃描單元40由移位寄存器電路等構(gòu)成。在將視頻信號的信號電壓寫入到像素陣列單元30的各個像素20期間，該寫入掃描單元40通過對掃描線31(31₁～31_m)依次提供寫入掃描信號WS(WS₁～WS_m)，來以行為單位按順序掃描像素陣列單元30的各個像素20，進行所謂的線序掃描(Line sequential scanning)。

電源供給掃描單元50以與寫入掃描單元40相同的方式由移位寄存器電路等構(gòu)成。該電源供給掃描單元50以與寫入掃描單元40的線序掃描同步的方式為電源線32(32₁～32_m)提供電源電壓DS(DS₁～DS_m)，該電源電壓DS可以在第一電源電壓V_ccp與比該第一電源電壓V_ccp低的第二電源電壓V_ini之間轉(zhuǎn)換。如后文所述，通過電源電壓DS的V_ccp/V_ini的轉(zhuǎn)換，進行對像素20的發(fā)光/不發(fā)光(熄滅)的控制。

信號輸出單元60選擇性地輸出與從信號供應(yīng)源(未圖示)提供的作為顯示信號的亮度信息對應(yīng)的視頻信號的信號電壓(在下文中，存在將其簡稱為“信號電壓”的情況)V_sig與基準(zhǔn)電壓V_ofs。在這里，基準(zhǔn)電壓V_ofs是被作為視頻信號的信號電壓V_sig的標(biāo)準(zhǔn)的電壓(例如，相當(dāng)于視頻信號的黑電平(Black level)的電壓)，在后文所述的閾值補正處理時使用。

從信號輸出單元60輸出的信號電壓V_sig/基準(zhǔn)電壓V_ofs通過信號線33(33₁～33_n)按像素行單位被寫入像素陣列單元30的各個像素20，該像素行由寫入掃描單元40的掃描來選擇。也就是說，信號輸出單元60采用按行(Line)單位寫入信號電壓V_sig的線序?qū)懭腧?qū)動形態(tài)。

[像素電路]

圖2是表示單位像素(像素電路)20的具體的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路圖。像素20的發(fā)光部由有機EL元件21形成，該有機EL元件21是根據(jù)流過器件的電流值改變發(fā)光亮度的電流驅(qū)動型電光元件的一個例子。

如圖2所示，像素20由有機EL元件21以及通過使電流流向有機EL元件21來驅(qū)動該有機EL元件21的驅(qū)動電路構(gòu)成。在有機EL元件21中，陰極電極連接到與所有的像素20公共接線的公共電源線34。

驅(qū)動有機EL元件21的驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)具有：驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、儲存電容器24和輔助電容器25，即具有2個晶體管(Tr)和2個電容元件(C)，為2Tr2C的電路結(jié)構(gòu)。在這里，作為驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23使用N溝道型晶體管。但是，這里所說明的驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23的導(dǎo)電類型的組合僅僅是一例，本公開并不限于這些組合。

驅(qū)動晶體管22的一方電極(源/漏電極)連接到有機EL元件21的陽極，另一方電極(源/漏電極)連接到電源線32(32₁～32_m)。寫入晶體管23的一方電極(源/漏電極)連接到信號線33(33₁～33_n)，另一方電極(源/漏電極)連接到驅(qū)動晶體管22的柵電極。另外，寫入晶體管23的柵電極連接到掃描線31(31₁～31_m)。

在驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23中，一方電極是指與一方的源/漏區(qū)域電連接的金屬配線，并且另一方電極是指與另一方的源/漏區(qū)域電連接的金屬配線。另外，由于一方電極與另一方電極之間的電位關(guān)系，一方電極能夠成為源電極或漏電極，并且另一方電極能夠成為漏電極或源電極。

儲存電容器24的一方電極連接到驅(qū)動晶體管22的柵電極，并且另一方電極連接到驅(qū)動晶體管22的一方電極和有機EL元件21的陽極。輔助電容器25的一方電極連接到有機EL元件21的陽極，并且另一方電極連接到有機EL元件21的陰極，也就是說，對有機EL元件21并列連接。

在上述結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23由在溝道層使用氧化鋅或包含氧與銦的氧化物等氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管(TFT)、即氧化物TFT構(gòu)成。并且，如后所述，由氧化物TFT構(gòu)成的驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23是應(yīng)用本公開的技術(shù)的補正對象的晶體管。

寫入晶體管23處于導(dǎo)通狀態(tài)，該狀態(tài)對應(yīng)于從寫入掃描單元40經(jīng)由掃描線31印加到柵電極的高電壓狀態(tài)為有效狀態(tài)(高有效)的寫入掃描信號WS。因此，寫入晶體管23對對應(yīng)于亮度信息并且經(jīng)由信號線33從信號輸出單元60以不同時機提供的視頻信號的信號電壓V_sig或基準(zhǔn)電壓V_ofs進行采樣，并將其寫入像素20內(nèi)。由寫入晶體管23寫入的信號電壓V_sig或基準(zhǔn)電壓V_ofs被存儲在儲存電容器24中。

當(dāng)電源線32(32₁～32_m)的電源電壓DS處于第一電源電壓V_ccp時，驅(qū)動晶體管22在一方電極為漏電極、且另一方電極為源電極的飽和區(qū)域工作。由此，驅(qū)動晶體管22接收到來自電源線32的電流供給，并且利用電流驅(qū)動來執(zhí)行有機EL元件21的發(fā)光驅(qū)動。更具體地說，驅(qū)動晶體管22通過在飽和區(qū)域工作，將對應(yīng)于存儲在儲存電容器24中的信號電壓V_sig的電壓值的電流值的驅(qū)動電流提供給有機EL元件21，使該有機EL元件21通過電流驅(qū)動而發(fā)光。

此外，當(dāng)電源電壓DS從第一電源電壓V_ccp切換到第二電源電壓V_ini時，驅(qū)動晶體管22的一方電極變?yōu)樵措姌O、另一方電極變?yōu)槁╇姌O，并且驅(qū)動晶體管22作為開關(guān)晶體管工作。因此，驅(qū)動晶體管22停止對有機EL元件21的驅(qū)動電流供給，并且使有機EL元件21成為不發(fā)光狀態(tài)。也就是說，驅(qū)動晶體管22還兼有作為控制有機EL元件21的發(fā)光/不發(fā)光的晶體管的功能。

通過該驅(qū)動晶體管22的開關(guān)動作，設(shè)定了有機EL元件21成為不發(fā)光狀態(tài)的期間(不發(fā)光期間)，并且能夠控制有機EL元件21的發(fā)光期間與不發(fā)光期間的比率(占空比)。通過控制該占空比，因為能夠降低在單個顯示幀周期期間伴隨像素發(fā)光的殘影模糊，所以特別能夠使視頻圖像品位更加優(yōu)良。

在從電源供給掃描單元50經(jīng)由電源線32選擇性地提供的第一、第二電源電壓V_ccp、V_ini中，第一電源電壓V_ccp是用于將發(fā)光驅(qū)動有機EL元件21的驅(qū)動電流提供給驅(qū)動晶體管22的電源電壓。另外，第二電源電壓V_ini是用于將反向偏置寫入有機EL元件21的電源電壓。該第二電源電壓V_ini被設(shè)定為低于基準(zhǔn)電壓V_ofs的電壓，例如，當(dāng)驅(qū)動晶體管22的閾值電壓為V_th時，被設(shè)定為低于V_ofs-V_th的電壓，優(yōu)選地被設(shè)定為充分低于V_ofs-V_th的電壓。

像素陣列單元30的各個像素20具有補正起因于驅(qū)動晶體管22的特性偏差的驅(qū)動電流的偏差的功能。作為驅(qū)動晶體管22的特性，例如能夠例示：驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}、構(gòu)成驅(qū)動晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率u(以下，簡稱為“驅(qū)動晶體管22的遷移率u”)。

起因于閾值電壓V_{th_Tr}偏差的驅(qū)動電流偏差的補正(以下，也稱為“閾值補正”)通過將驅(qū)動晶體管22的柵電壓V_g初始化而成為基準(zhǔn)電壓V_ofs來進行。具體地說，進行如下動作：以驅(qū)動晶體管22的柵電壓V_g的初始化電壓(基準(zhǔn)電壓V_ofs)為基準(zhǔn)，使驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s向從該初始化電壓減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_th的電位變化。如果繼續(xù)該動作，那么最終驅(qū)動晶體管22的柵極-源極之間的電壓V_gs向驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}收斂。相當(dāng)于該閾值電壓V_{th_Tr}的電壓存儲在儲存電容器24中。于是，通過在儲存電容器24中存儲相當(dāng)于閾值電壓V_{th_Tr}的電壓，在根據(jù)視頻信號的信號電壓V_sig進行驅(qū)動晶體管22的驅(qū)動時，能夠抑制流向驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds對閾值電壓V_{th_Tr}的依賴性。

另一方面，起因于遷移率u偏差的驅(qū)動電流偏差的補正(以下，也稱為“遷移率補正”)通過如下方式進行：在寫入晶體管23為導(dǎo)通狀態(tài)、且寫入視頻信號的信號電壓V_sig的狀態(tài)下，使通過驅(qū)動晶體管22的電流流向儲存電容器24。換句話說，通過用對應(yīng)于流向驅(qū)動晶體管22的電流I_ds的反饋量(補正量)對儲存電容器24進行負(fù)反饋的方式來進行。通過上述閾值補正，在寫入視頻信號時漏極-源極之間的電流I_ds對閾值電壓V_th的依賴性已經(jīng)被取消，該漏極-源極之間的電流I_ds依賴于驅(qū)動晶體管22的遷移率u。因此，通過用對應(yīng)于流向驅(qū)動晶體管22的電流I_ds的反饋量對驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電壓V_ds進行負(fù)反饋，能夠抑制流向驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds對遷移率u的依賴性。

在具有上述結(jié)構(gòu)的像素20中，輔助電容器25用于補助有機EL元件21的電容量。因此，輔助電容器25不是必需的構(gòu)成要素。也就是說，作為有機EL元件21的驅(qū)動電路，并不限定于上述結(jié)構(gòu)的2Tr2C的電路結(jié)構(gòu)，在能夠充分確保有機EL元件21的電容量的情況下，也可以采用除去該輔助電容器25后的2Tr1C的電路結(jié)構(gòu)。進一步說，根據(jù)需要，也可以采用追加開關(guān)晶體管的電路結(jié)構(gòu)。

[氧化物TFT的特性的受光劣化]

然而，在包含驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23等TFT的像素電路、特別是使用氧化物TFT的像素電路中，驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23由于接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光，從而這些晶體管22、23的特性發(fā)生劣化(受光劣化)。作為一個例子，驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23的閾值電壓V_th由于接受從有機EL元件21發(fā)出的光而移動(V_th移動)。

另一方面，由本發(fā)明人等確認(rèn)了下列情況：關(guān)于該受光劣化，在NBTS(Negative Bias Temperature Stress)狀態(tài)下受光后，在有機EL元件21的某些發(fā)光強度下，即使占空比為0.1[％]左右，只要能夠形成在PBTS(Positive Bias Temperature Stress)狀態(tài)下受光的條件，就能夠抑制劣化。在這里，0.1[％]左右的占空比意味著瞬間發(fā)光。在圖3中，表示受光劣化得到改善的樣子。

之所以如上所述，在NBTS狀態(tài)下受光后，通過形成在PBTS狀態(tài)下受光的條件能夠抑制受光劣化，是因為晶體管具有如下特性：晶體管在NBTS狀態(tài)時與在PBTS狀態(tài)時，電壓移動方向相反。在圖4中，表示基于受光的有無的PBTS時的V_th移動的樣子。因此，通過形成NBTS狀態(tài)、PBTS狀態(tài)雙方的狀態(tài)，使閾值電壓V_th的移動方向互相抵消，其結(jié)果是能夠謀求晶體管特性的穩(wěn)定化。

因為既然根據(jù)受光強度而V_th移動的程度發(fā)生變化，那么“不受光”為最好的解決方法，所以可以考慮只要完全遮蔽向晶體管射入的光即可。另外，也可以考慮通過并用遮光構(gòu)造與在PBTS/NBTS的雙方的狀態(tài)下受光，晶體管特性的穩(wěn)定化的效果將增加。在圖5中，表示遮光構(gòu)造與PBTS/NBTS受光組合的效果。從圖5可知，通過遮光構(gòu)造與PBTS/NBTS受光的組合，V_th移動為-0.2[V]@10000[sec]以下。

但是，特別是在使用透明基板作為顯示面板70的基板的透明顯示屏的情況下，因為遮光層等遮蔽物的面積是使顯示面板70的透過率(透明度)下降的主要原因，所以也將失去想要得到的顯示面板70的特點。

另外，在有機EL顯示裝置的像素電路中，雖然對于在有機EL元件21發(fā)光時為導(dǎo)通狀態(tài)的驅(qū)動晶體管22，比較容易形成在PBTS下的受光狀態(tài)，但是對于寫入晶體管23，不能形成在該PBTS下的受光狀態(tài)。這是因為：對于為了進行灰度控制而將電荷寫入儲存電容器24時使用的寫入晶體管23，由于寫入信號后的像素發(fā)光，所以在有機EL元件21發(fā)光時必定為非導(dǎo)通狀態(tài)。

另外，對于驅(qū)動晶體管22，即使處于PBTS狀態(tài)，在像素為黑(非發(fā)光)的表示狀態(tài)長時間持續(xù)的情況下，也不能形成在PBTS狀態(tài)下受光的狀況。

<本公開的實施方式的說明>

因此，在本公開的實施方式中，在不影響圖像顯示的非顯示期間，通過強制地使補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)、且使自身像素的有機EL元件21發(fā)光，來對補正對象的晶體管特性的受光劣化進行補正。在圖2所示的像素電路中，驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23是補正對象的晶體管。以下，對進行補正對象的晶體管特性的受光劣化的補正的具體實施例進行說明。

[實施例1]

圖6是表示實施例1的像素電路的電路圖。在實施例1中，將把顯示信號(視頻信號的信號電壓V_sig)寫入單位像素20內(nèi)的寫入晶體管23作為補正對象的晶體管。

如圖6所示，實施例1的像素電路20除了具有有機EL元件21、驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23、儲存電容器24和輔助電容器25之外，還具有開關(guān)晶體管26。該開關(guān)晶體管26是對有機EL元件21選擇性地施加所定的電壓V_x的開關(guān)元件。開關(guān)晶體管26與驅(qū)動晶體管22和寫入晶體管23同樣，由N溝道型的氧化物TFT構(gòu)成，連接在有機EL元件21的陽極電極(被施加所定的電壓V_x的節(jié)點)與所定的電壓V_x的恒壓電源35之間。

實施例1的驅(qū)動像素電路20的驅(qū)動單元除了具有寫入掃描單元40、電源供給掃描單元50和信號輸出單元60之外，還具有劣化抑制掃描單元80。劣化抑制掃描單元80與寫入掃描單元40的線序掃描同步，以像素行為單位依次進行單位像素20的驅(qū)動。更具體地說，劣化抑制掃描單元80在進行寫入晶體管23的受光劣化的抑制(補正)的劣化抑制期間，輸出為有效狀態(tài)(在本例子中為高電壓)的控制信號SW。該控制信號SW被施加在開關(guān)晶體管26的柵電極上。

其次，根據(jù)圖7的時序波形圖，使用圖8～圖10的動作說明圖，對具有上述結(jié)構(gòu)的實施例1的像素電路20的有機EL顯示裝置10的電路動作進行說明。再有，以下說明的電路動作在由寫入掃描單元40、電源供給掃描單元50和劣化抑制掃描單元80等驅(qū)動單元驅(qū)動下實行。

在圖7的時序波形圖中，表示1V(1垂直期間)的視頻信號的信號電壓V_sig、寫入掃描信號WS、電源線32的電壓(電源電壓)DS和控制信號SW的波形。再有，因為寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26是N溝道型，所以寫入掃描信號WS和控制信號SW的高電壓狀態(tài)為有效狀態(tài)，低電壓狀態(tài)為非有效狀態(tài)。于是，寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26在寫入掃描信號WS和控制信號SW的有效狀態(tài)下為導(dǎo)通狀態(tài)(ON)，而在非有效狀態(tài)下為非導(dǎo)通狀態(tài)(OFF)。

(劣化抑制期間)

電源電壓DS處于低電壓(Low)、即第二電源電壓V_ini的狀態(tài)的時刻t₁～時刻t₂的期間是對寫入晶體管23進行受光劣化的抑制(補正)的劣化抑制期間。該劣化抑制期間設(shè)定在不影響圖像顯示的非顯示期間。對劣化抑制期間的電路動作，使用圖8A的動作說明圖進行說明。在劣化抑制期間t₁-t₂，信號線33處于低電壓(Low)、即基準(zhǔn)電壓V_ofs的狀態(tài)，寫入掃描信號WS和控制信號SW為有效狀態(tài)。因此，寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26為導(dǎo)通狀態(tài)(ON)。

即使寫入晶體管23為導(dǎo)通狀態(tài)，信號線33的電壓也是基準(zhǔn)電壓V_ofs，即使由寫入晶體管23寫入該基準(zhǔn)電壓V_ofs，驅(qū)動晶體管22也為非導(dǎo)通狀態(tài)(OFF)。通過使開關(guān)晶體管26成為導(dǎo)通狀態(tài)，來自恒壓電源35的所定的電壓V_x被施加在有機EL元件21的陽極電極上。在劣化抑制期間t1-t2以外的期間，控制信號SW為非有效狀態(tài)，因此，開關(guān)晶體管26為非導(dǎo)通狀態(tài)(OFF)。

在這里，在將有機EL元件21的陰極電極的電壓作為V_cath、有機EL元件21的閾值電壓作為V_{th_EL}、驅(qū)動晶體管22的柵電壓作為V_g、驅(qū)動晶體管22的閾值電壓作為V_{th_Tr}時，所定的電壓V_x被設(shè)定為滿足下式的條件的電壓值。

V_g-V_{th_Tr}>V_x>V_cath+V_{th_EL}

通過將具有滿足上述條件的電壓值的所定的電壓V_x施加在有機EL元件21的陽極電極上，對有機EL元件21寫入正向偏置，從而有機EL元件21發(fā)光。也就是說，在劣化抑制期間t₁-t₂，強制地使有機EL元件21在極短的時間內(nèi)發(fā)光。通過有機EL元件21發(fā)光，從有機EL元件21發(fā)出的光照射到驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26上。在圖8A中用虛線表示該照射的樣子。

(初始化期間)

接著劣化抑制期間的時刻t₂～時刻t₃的期間是將像素電路中的電荷復(fù)位、初始化的初始化期間。在該初始化期間t₂-t₃中，如圖8B所示，電源電壓DS處于低電壓(Low)、即第二電源電壓V_ini的狀態(tài)，另外，驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26全都為非導(dǎo)通狀態(tài)(OFF)。

(閾值補正期間)

接著初始化期間的時刻t₃～時刻t₄的期間是補正驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}的偏差的閾值補正期間。對該閾值補正期間的電路動作，使用圖9A的動作說明圖進行說明。在閾值補正期間t₃-t₄，信號線33處于低電壓(Low)、即基準(zhǔn)電壓V_ofs的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，寫入掃描信號WS為有效狀態(tài)。因此，寫入晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)，對基準(zhǔn)電壓V_ofs進行采樣，并將其寫入像素20內(nèi)。

接著，電源電壓DS從低電壓(Low)、即第二電源電壓V_ini切換到高電壓(High)、即第一電源電壓V_ccp。因此，驅(qū)動晶體管22的電源線32側(cè)的源極/漏極區(qū)域成為漏區(qū)，有機EL元件21側(cè)的源極/漏極區(qū)域成為源區(qū)，電流流入驅(qū)動晶體管22。流入驅(qū)動晶體管22的電流用于儲存電容器24、輔助電容器25和有機EL元件21的等效容量的充電。這時，驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s隨著時間的經(jīng)過而上升。

之后，通過寫入掃描信號WS從有效狀態(tài)轉(zhuǎn)化到非有效狀態(tài)，寫入晶體管23成為非導(dǎo)通狀態(tài)。這時，因為驅(qū)動晶體管22的柵極-源極之間的電壓V_gs比該驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}大，所以電流流入驅(qū)動晶體管22。因此，驅(qū)動晶體管22的柵電壓V_g、源極電壓V_s一起上升。

像這樣，閾值補正處理(動作)是如下的處理(動作)：在驅(qū)動晶體管22的柵電極寫入基準(zhǔn)電壓V_ofs，使源極電壓V_s向從該基準(zhǔn)電壓V_ofs減去驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}的電位變化。這時，只要V_s≤V_{th_EL}+V_cath，因為對有機EL元件21寫入反向偏置，所以有機EL元件21不發(fā)光。

通過反復(fù)進行以上的動作，最終驅(qū)動晶體管22的柵極-源極之間的電壓V_gs向驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}收斂。相當(dāng)于該閾值電壓V_{th_Tr}的電壓存儲在儲存電容器24中。這時，成為V_s＝V_ofs-V_th≤V_{th_EL}+V_cath。

再有，在這里，采用如下驅(qū)動法：將閾值補正處理分割、實行多次，即進行所謂的分割閾值補正。但是，并不限定于采用分割閾值補正的驅(qū)動法，當(dāng)然也可以采用僅實行1次閾值補正處理的驅(qū)動法。在這里，“分割閾值補正”是如下的驅(qū)動法：除了與后述的信號寫入&遷移率補正處理一起進行閾值補正處理的1水平期間之外，在先于該1水平期間的多個水平期間分割、多次實行閾值補正處理。

根據(jù)該分割閾值補正的驅(qū)動法，即使由于伴隨高清晰化的多像素化而作為1水平期間所分配的時間變短，也能夠在多個水平期間確保充分的時間作為閾值補正期間。因此，即使作為1水平期間所分配的時間變短，也因為能夠確保充分的時間作為閾值補正期間，所以能夠可靠地實行閾值補正處理。

(信號寫入&遷移率補正期間)

接著閾值補正期間的時刻t₄～時刻t₅的期間是寫入作為顯示信號的視頻信號的信號電壓V_sig、并且補正驅(qū)動晶體管22的遷移率u的偏差的信號寫入&遷移率補正期間。對該信號寫入&遷移率補正期間的電路動作，使用圖9B的動作說明圖進行說明。在信號寫入&遷移率補正期間t₄-t₅，信號線33的電壓處于從基準(zhǔn)電壓V_ofs切換到視頻信號的信號電壓V_sig的狀態(tài)。

在將視頻信號的信號電壓V_sig提供給信號線33的狀態(tài)下，通過使寫入掃描信號WS從非有效狀態(tài)轉(zhuǎn)化到有效狀態(tài)，寫入晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)，對信號電壓V_sig進行采樣，并將其寫入像素20內(nèi)。通過該信號電壓V_sig的寫入，驅(qū)動晶體管22的柵電壓V_g成為信號電壓V_sig。于是，在由視頻信號的信號電壓V_sig進行驅(qū)動晶體管22的驅(qū)動時，通過該驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}與存儲在儲存電容器24中的相當(dāng)于閾值電壓V_th的電壓互相抵消，最終進行閾值補正處理。

另外，驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s隨著時間的經(jīng)過而上升。這時，如果驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s沒有超過有機EL元件21的閾值電壓V_{th_EL}與陰極電壓V_cath之和，也就是說，有機EL元件21的漏泄電流比流入驅(qū)動晶體管22的電流充分小，那么流入驅(qū)動晶體管22的電流流入儲存電容器24、輔助電容器25和有機EL元件21的等效容量，開始對它們進行充電。

由于儲存電容器24、輔助電容器25和有機EL元件21的等效容量被充電，驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s隨著時間的經(jīng)過而上升。這時，因為驅(qū)動晶體管22的閾值電壓V_{th_Tr}的補正處理(補正動作)已經(jīng)完成，所以驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds依賴于該驅(qū)動晶體管22的遷移率u。

在這里，假定對于視頻信號的信號電壓V_sig，儲存電容器24的儲存電壓V_gs的比率、即寫入增益G為1(理想值)。于是，由于驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s上升到V_ofs-V_{th_Tr}+ΔV的電位，驅(qū)動晶體管22的柵極-源極之間的電壓V_gs成為V_sig-V_ofs+V_{th_Tr}-ΔV。

也就是說，進行作用以使驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s的上升份ΔV為從存儲在儲存電容器24中的電壓(V_sig-V_ofs+V_{th_Tr})中減去的部分、即使儲存電容器24的充電電荷放電。換句話說，源極電壓V_s的上升份ΔV是對儲存電容器24進行的負(fù)反饋。因此，源極電壓V_s的上升份ΔV是負(fù)反饋的反饋量。

像這樣，通過用對應(yīng)于流入驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds的反饋量ΔV對柵極-源極之間的電壓V_gs進行負(fù)反饋，能夠取消驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds對遷移率u的依賴性。取消該依賴性的處理是補正每個像素的驅(qū)動晶體管22的遷移率u的偏差的遷移率補正處理(動作)。

(發(fā)光期間)

接著信號寫入&遷移率補正期間的時刻t₅以后的期間是對有機EL元件21進行發(fā)光驅(qū)動的發(fā)光期間。更具體地說，在時刻t₅，寫入掃描信號WS從有效狀態(tài)轉(zhuǎn)化到非有效狀態(tài)，通過寫入晶體管23成為非導(dǎo)通狀態(tài)而進入發(fā)光期間。對該發(fā)光期間的電路動作，使用圖10的動作說明圖進行說明。再有，在發(fā)光期間中，為了進行占空比控制，如圖7的虛線所示，電源電壓DS適宜地從第一電源電壓V_ccp切換到第二電源電壓V_ini。

通過寫入晶體管23成為非導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動晶體管22的柵電極因為從信號線33電分離，所以成為浮接狀態(tài)。在驅(qū)動晶體管22的柵電極處于浮接狀態(tài)時，由于在驅(qū)動晶體管22的柵極-源極之間連接有儲存電容器24，與驅(qū)動晶體管22的源極電壓V_s的變動聯(lián)動，柵電壓V_g也發(fā)生變動。因此，驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電壓V_ds保持一定。

像這樣，驅(qū)動晶體管22的柵電壓V_g與源極電壓V_s的變動聯(lián)動而變動的動作、即在使存儲在儲存電容器24的柵極-源極之間的電壓V_gs保持一定的情況下柵電壓V_g和源極電壓V_s上升的動作是自舉動作。

通過驅(qū)動晶體管22的柵電極成為浮接狀態(tài)，與此同時，驅(qū)動晶體管22的漏極-源極之間的電流I_ds開始流入有機EL元件21，從而對應(yīng)于該電流I_ds，有機EL元件21的陽極電壓上升。于是，如果有機EL元件21的陽極電壓超過V_{th_EL}+V_cath，那么因為驅(qū)動電流開始流入有機EL元件21，所以有機EL元件21開始發(fā)光。通過有機EL元件21發(fā)光，從有機EL元件21發(fā)出的光照射到驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26上。在圖10中用虛線表示該照射的樣子。

從以上的動作說明可知，在發(fā)光期間，寫入晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)，寫入晶體管23不能在導(dǎo)通狀態(tài)下接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光。因此，寫入晶體管23不能通過接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光來抑制受光劣化。另一方面，驅(qū)動晶體管22因為在有機EL元件21發(fā)光時處于導(dǎo)通狀態(tài)，所以可以通過接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光來抑制受光劣化。

對于寫入晶體管23，因為在發(fā)光期間，不能通過接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光來抑制受光劣化，所以在實施例1中，設(shè)定有劣化抑制期間。于是，采用如下構(gòu)造：在該劣化抑制期間，強制地使寫入晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓V_x進行自身像素的有機EL元件21的發(fā)光驅(qū)動。其結(jié)果是能夠獲得下列作用和效果。

也就是說，即使由于接受從自身像素的有機EL元件21發(fā)出的光而寫入晶體管23的閾值電壓向一定方向移動，也可以通過強制地使寫入晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)、且使有機EL元件21發(fā)光，來使寫入晶體管23的閾值電壓向與上述一定方向相反的反方向移動。該反方向的特性移動起到使一定方向的特性移動的該移動程度變小的作用。因此，能夠抑制起因于接受從有機EL元件21發(fā)出的光的寫入晶體管23特性的受光劣化。

于是，能夠抑制寫入晶體管23特性的受光劣化，由此，因為能夠謀求寫入晶體管23特性的穩(wěn)定化，所以能夠謀求有機EL顯示裝置10的驅(qū)動的穩(wěn)定化。于是，通過驅(qū)動的穩(wěn)定化，因為不產(chǎn)生有機EL顯示裝置10的動作不良，所以能夠謀求延長有機EL顯示裝置10的使用壽命。而且，即使沒有設(shè)置將從有機EL元件21射入寫入晶體管23的光遮斷的遮光層，也因為能夠抑制寫入晶體管23特性的受光劣化，所以能夠有助于提高透明顯示屏的顯示面板70的透過率(透明度)。

另外，在實施例1中，將抑制寫入晶體管23特性的受光劣化的劣化抑制期間，設(shè)定在進入根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間之前、特別是初始化期間之前。因此，在進行抑制受光劣化的動作時寫入像素20的電荷不會給本來的圖像顯示、閾值補正、遷移率補正帶來影響。換句話說，為了避免這些影響，優(yōu)選地在初始化期間之前設(shè)定劣化抑制期間。

[實施例2]

在實施例2中，除了寫入晶體管23之外，還將根據(jù)顯示信號(視頻信號的信號電壓V_sig)驅(qū)動有機EL元件21的驅(qū)動晶體管22作為補正對象的晶體管。

在圖7的信號寫入期間，如果長久地持續(xù)寫入“黑”的信號，那么因為即使在發(fā)光期間有機EL元件21也不發(fā)光為黑表示，所以有可能發(fā)生沒有抑制驅(qū)動晶體管22特性的受光劣化的效果的狀況。也就是說，可以考慮：在黑表示長期持續(xù)的情況下，驅(qū)動晶體管22接受不到有機EL元件21發(fā)出的光，有可能繼續(xù)特性的劣化。

因此，在實施例2中，采用如下構(gòu)造：在劣化抑制期間，也進行使驅(qū)動晶體管22成為導(dǎo)通狀態(tài)的驅(qū)動。在圖11中，表示實施例2的控制時鐘。如圖11的時序波形圖所示，在實施例2中，在信號線33處于低電壓(Low)、即基準(zhǔn)電壓V_ofs的狀態(tài)的劣化抑制期間t₁-t₂，信號輸出單元60(參照圖1、圖2)對信號線33輸出能夠使驅(qū)動晶體管22成為導(dǎo)通狀態(tài)的電壓V_dr。

在劣化抑制期間t₁-t₂，寫入掃描信號WS成為有效狀態(tài)。于是，回應(yīng)寫入掃描信號WS，寫入晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)(ON)，并且對信號線33的電壓V_dr進行采樣，并將其寫入像素20內(nèi)。其結(jié)果是：驅(qū)動晶體管22在劣化抑制期間t₁-t₂成為導(dǎo)通狀態(tài)(ON)。因此，如圖12所示，驅(qū)動晶體管22、寫入晶體管23和開關(guān)晶體管26的3個晶體管全部成為導(dǎo)通狀態(tài)。也就是說，因為3個晶體管全部能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下接受有機EL元件21發(fā)出的光，所以能夠抑制晶體管特性的受光劣化。

<變形例>

在上述實施方式中，雖然舉例說明了將本公開的技術(shù)應(yīng)用于單位像素20的發(fā)光部由有機EL元件21構(gòu)成的有機EL顯示裝置的情況，但是不限定于應(yīng)用于有機EL顯示裝置。也就是說，本公開的技術(shù)可以應(yīng)用于如下的所有顯示裝置：單位像素20的發(fā)光部由無機EL元件、LED元件和半導(dǎo)體激光元件等電流驅(qū)動型的電光學(xué)元件構(gòu)成的顯示裝置、液晶顯示裝置等，其中，這些顯示裝置具有單位像素20包含驅(qū)動發(fā)光部的晶體管的結(jié)構(gòu)。

另外，本公開的技術(shù)不限定于應(yīng)用于單位像素(像素電路)20使用氧化物TFT構(gòu)成的顯示裝置、特別是晶體管特性的受光劣化的抑制效果大的顯示裝置。也就是說，即使不是使用氧化物TFT的像素電路，由于接受自身像素的發(fā)光部發(fā)出的光，也多少會產(chǎn)生晶體管特性的受光劣化。因此，本公開的技術(shù)也可以應(yīng)用于單位像素(像素電路)20沒有使用氧化物TFT的顯示裝置。

<電子設(shè)備>

以上說明的本公開的顯示裝置能夠作為如下的顯示單元(顯示裝置)來使用：將輸入電子設(shè)備的視頻信號或在電子設(shè)備內(nèi)生成的視頻信號作為圖像或視頻顯示的所有領(lǐng)域的電子設(shè)備的顯示單元。作為一個例子，例如能夠作為電視機組套、數(shù)碼相機、筆記本個人電腦、便攜式電話機等的移動終端設(shè)備、攝像機和數(shù)字標(biāo)牌裝置等的顯示單元來使用。

像這樣，在所有領(lǐng)域的電子設(shè)備中，通過使用本公開的顯示裝置作為該顯示單元，能夠獲得以下的效果。也就是說，根據(jù)本公開的技術(shù)，因為能夠謀求構(gòu)成單位像素(像素電路)的晶體管的特性的穩(wěn)定化，所以能夠謀求顯示裝置的驅(qū)動的穩(wěn)定化。于是，因為由于驅(qū)動的穩(wěn)定化而不會產(chǎn)生顯示裝置的動作不良，所以能夠有助于延長使用該顯示裝置的電子設(shè)備的使用壽命。特別是，在顯示裝置是透明顯示屏的情況下，即使沒有設(shè)置將從自身像素的發(fā)光部射入晶體管的光遮斷的遮光層，也因為能夠抑制晶體管特性的受光劣化，所以能夠有助于提高透明顯示屏的透過率(透明度)。

本公開的顯示裝置也包含具有密封結(jié)構(gòu)的模塊形狀的裝置。作為一個例子，在像素陣列單元粘貼透明的玻璃等對向部而形成的顯示模塊相當(dāng)于該裝置。再有，在顯示模塊中，也可以設(shè)置用于從外部向像素陣列單元輸入和輸出信號等的電路部、柔性印刷電路(FPC)等。以下，作為使用本公開的顯示裝置的電子設(shè)備的具體例子，例示顯示導(dǎo)向信息、廣告等的數(shù)字標(biāo)牌裝置。但是，在這里例示的具體例子僅是一個例子，并不限定于此。

[具體例子]

圖13是表示為本公開的顯示裝置的一個例子的數(shù)字標(biāo)牌裝置的外觀立體圖。在圖13所示的數(shù)字標(biāo)牌裝置100中，在外殼101的前側(cè)配置有平板狀的顯示面板、例如單位像素的發(fā)光部由有機EL元件構(gòu)成且基板由玻璃基板等透明基板構(gòu)成的透明顯示屏(有機EL顯示裝置)102。該透明顯示屏102構(gòu)成顯示雙眼視差圖像的圖像顯示部。

在透明顯示屏102的顯示面搭載有電容傳感器103。該電容傳感器103構(gòu)成位置信息取得部，該位置信息取得部取得顯示存在于透明顯示屏102的顯示面上的三維空間的對象物的三維位置(x、y、z)的信息。在這里，對象物為用戶104的手。另外，位置信息取得部取得透明顯示屏102的顯示面與用戶104之間的距離z的信息。

在用戶104接近透明顯示屏102的顯示圖像到一定程度以上的情況下，在透明顯示屏102上，顯示使用戶104視認(rèn)作為立體圖像的廣告宣傳用的所定內(nèi)容、例如商品和人物等的雙眼視差圖像。于是，當(dāng)用戶104出手、手的位置接近顯示面時，變更為商品、人物等在手上被視認(rèn)的顯示樣態(tài)。于是，當(dāng)用戶104移動手的位置時，商品、人物等的視認(rèn)位置追隨手的位置移動。

如上所述，通過將本公開的技術(shù)應(yīng)用于使用透明顯示屏102的數(shù)字標(biāo)牌裝置100，因為能夠謀求構(gòu)成像素電路的晶體管的特性的穩(wěn)定化，所以能夠謀求透明顯示屏102的驅(qū)動的穩(wěn)定化。于是，因為由于驅(qū)動的穩(wěn)定化而不會產(chǎn)生透明顯示屏102的動作不良，所以能夠有助于延長數(shù)字標(biāo)牌裝置100的使用壽命。并且，即使沒有設(shè)置將從自身像素的發(fā)光部射入晶體管的光遮斷的遮光層，也因為能夠抑制晶體管特性的受光劣化，所以能夠有助于提高透明顯示屏102的透過率(透明度)。

另外，本公開也能夠采用以下構(gòu)造。

[1]一種顯示裝置，其中，具備：

像素陣列單元，由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成；以及

驅(qū)動單元，在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使所述單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行所述發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

[2]上述[1]所述的顯示裝置，其中，

在進入所述顯示期間之前，設(shè)定有進行所述單位像素的晶體管特性的補正的補正期間，

所述驅(qū)動單元在進入所述補正期間之前，根據(jù)所述所定的電壓進行所述發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

[3]上述[1]或上述[2]所述的顯示裝置，其中，所述補正對象的晶體管是將所述顯示信號寫入所述單位像素內(nèi)的寫入晶體管。

[4]上述[1]至上述[3]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述補正對象的晶體管是根據(jù)所述顯示信號驅(qū)動所述發(fā)光部的驅(qū)動晶體管。

[5]上述[1]至上述[4]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述補正對象的晶體管由在溝道層使用氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管構(gòu)成。

[6]上述[1]至上述[5]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述單位像素具有開關(guān)元件，所述開關(guān)元件在通過施加所述所定的電壓驅(qū)動所述發(fā)光部時，對所述發(fā)光部選擇性地施加所述所定的電壓。

[7]上述[6]所述的顯示裝置，其中，

所述開關(guān)元件由開關(guān)晶體管構(gòu)成，所述開關(guān)晶體管連接在被施加所述發(fā)光部的所述所定的電壓的節(jié)點、與所述所定的電壓的電壓源之間，

所述驅(qū)動單元在使所述補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)時，使所述開關(guān)晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)。

[8]上述[4]至上述[7]的任何一方所述的顯示裝置，其中，在將被施加所述發(fā)光部的所述所定的電壓的節(jié)點與反對側(cè)的節(jié)點的電壓作為V_cath、所述發(fā)光部的閾值電壓作為V_{th_EL}、所述驅(qū)動晶體管的柵電壓作為V_g、所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓作為V_{th_Tr}時，所述所定的電壓V_x被設(shè)定為滿足條件：V_g-V_{th_Tr}>V_x>V_cath+V_{th_EL}的電壓值。

[9]上述[1]至上述[8]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動單元對像素排列以像素行為單位依次驅(qū)動所述單位像素，所述像素排列由所述單位像素以二維行列式配置構(gòu)成。

[10]上述[1]至上述[9]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述像素陣列單元的各個所述單位像素在透明基板上制造。

[11]上述[1]至上述[10]的任何一方所述的顯示裝置，其中，所述單位像素的所述發(fā)光部由電流驅(qū)動型的電光學(xué)元件構(gòu)成。

[12]一種顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，

由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成像素陣列單元，在對具備所述像素陣列單元的顯示裝置進行驅(qū)動的情況下，

在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使所述單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行所述發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

[13]一種電子設(shè)備，其中，具備顯示裝置，

所述顯示裝置具有：

像素陣列單元，由包含發(fā)光部的單位像素配置構(gòu)成；以及

驅(qū)動單元，在根據(jù)顯示信號進行顯示驅(qū)動的顯示期間以外的非顯示期間，使所述單位像素內(nèi)的補正對象的晶體管成為導(dǎo)通狀態(tài)且根據(jù)所定的電壓進行所述發(fā)光部的發(fā)光驅(qū)動。

符號的說明

10 有機EL顯示裝置

20 單位像素(像素電路)

21 有機EL元件

22 驅(qū)動晶體管

23 寫入晶體管

24 儲存電容器

25 輔助電容器

26 開關(guān)晶體管

30 像素陣列單元

31(31₁～31_m) 掃描線

32(32₁～32_m) 電源線

33(33₁～33_n) 信號線

34 共用電源線

35 恒壓電源

40 寫入掃描單元

50 電源供給掃描單元

60 信號輸出單元

70 顯示面板

80 劣化抑制掃描單元

100 數(shù)字標(biāo)牌裝置

101 外殼

102 透明顯示屏

103 電容傳感器。