本發(fā)明關(guān)于一種驅(qū)動電路；具體而言，本發(fā)明關(guān)于一種具增加透光率的設(shè)計的閘極驅(qū)動電路及具有該閘極驅(qū)動電路的顯示面板。

背景技術(shù)：

一般顯示裝置主要包含薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光片基板、背光模塊、光學(xué)膜片，以及驅(qū)動像素區(qū)晶體管的閘極驅(qū)動電路與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。隨著技術(shù)演進，顯示裝置的閘極驅(qū)動電路可直接形成于薄膜晶體管基板上，以提高生產(chǎn)效率，并符合窄邊框的產(chǎn)品需求。

然而，由于形成于基板上的閘極驅(qū)動電路與上下基板間的密封劑的位置有重疊，因而在密封劑照光固化的過程中，閘極驅(qū)動電路勢必阻擋光線進入密封劑，造成密封劑固化不完全。如此一來，水氣會穿過未完全固化的密封劑，進而使閘極驅(qū)動電路產(chǎn)生腐蝕，以及閘極驅(qū)動電路的機能失常等情形產(chǎn)生。因此現(xiàn)有的顯示裝置的結(jié)構(gòu)仍有待改進。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種閘極驅(qū)動電路，可增加通過閘極驅(qū)動電路的透光率。

于一實施例，閘極驅(qū)動電路設(shè)置于第一基板且包含第一晶體管單元。第一晶體管單元配置在第一基板上，第一晶體管單元包含N1個閘極區(qū)塊(N1>＝2)以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部(2<＝i<＝N1)，并且該第i-1閘極區(qū)塊及該第i閘極區(qū)塊間具有至少一間隙。

于一實施例，該第i-1閘極區(qū)塊、該連接部以及該第i閘極區(qū)塊形成一H型、ㄇ型或ㄩ型結(jié)構(gòu)。

于一實施例，包含多條信號線配置在該第一基板上，且該些信號線中至少一條信號線具有形成于該條信號線中的至少一空隙。。

于一實施例，該空隙為長條狀、曲折條紋狀或圓孔狀。

于一實施例，該些信號線沿一第一方向延伸,該連接部沿一第二方向延伸,其中該第一方向?qū)嵸|(zhì)上垂直該第二方向。

于一實施例，包含第二晶體管單元、第三晶體管單元及第四晶體管單元,其中該第二晶體管單元包含N2個閘極區(qū)塊(N2>＝2)以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部(2<＝i<＝N2),該第三晶體管單元包含N3個閘極區(qū)塊(N3>＝2)以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部(2<＝i<＝N3),該第四晶體管單元包含N4個閘極區(qū)塊(N4>＝2)以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部(2<＝i<＝N4),該閘極驅(qū)動電路沿該第一方向依序配置該第一晶體管單元、該第二晶體管單元、該第三晶體管單元及該第四晶體管單元,以將該第一晶體管單元的該些閘極區(qū)塊、該第二晶體管單元的該些閘極區(qū)塊、該第三晶體管單元的該些閘極區(qū)塊及該第四晶體管單元的該些閘極區(qū)塊形成一コ形或ㄈ形結(jié)構(gòu)。

于一實施例，N1大於N2且N4大於N3。

于一實施例，該コ形或ㄈ形結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)域為無閘極區(qū)塊的區(qū)域。

于一實施例，顯示面板包含第一基板、閘極驅(qū)動電路、第二基板及密封劑。閘極驅(qū)動電路的第一晶體管單元配置在第一基板上。第二基板設(shè)置對應(yīng)第一基板。密封劑形成于第一基板及第二基板之間。通過第一晶體管單元內(nèi)各閘極區(qū)塊的間隙可提高透光率，使密封劑容易固化。

于一實施例，該密封劑覆蓋該間隙。

附圖說明

圖1為對應(yīng)本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的一顯示裝置示意圖；

圖2A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的一實施例俯視示意圖；

圖2B為閘極驅(qū)動電路的放大俯視示意圖；

圖2C為本發(fā)明顯示面板的一實施例剖面圖；

圖3A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的另一實施例俯視示意圖；

圖3B為本發(fā)明顯示面板的另一實施例剖面圖；

圖4A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的另一實施例俯視示意圖；

圖4B為本發(fā)明顯示面板的另一實施例剖面圖；

圖5A至圖5B為信號線的不同實施例示意圖；

圖6A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的部分電路圖；

圖6B為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的另一實施例俯視示意圖；以及

圖6C為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的另一實施例俯視示意圖。

主要組件符號說明

10 顯示裝置

100 閘極驅(qū)動電路

110,111,112,113,130,131,132,133 晶體管單元

110a,111a,112a,113a 第一閘極區(qū)塊

110b,111b,112b,113b 第二閘極區(qū)塊

110c,111c,112c,113c 連接部

110d,111d 間隙

120 信號線

121 空隙

130d1,130d2,131d 汲極線

130s1,130s2,131s 源極線

1301,1302,1303,1304,1305,1306,1307(晶體管單元130的)第一至第七閘極區(qū)塊

1311,1312,1313,1314 (晶體管單元131的)第一至第四閘極區(qū)塊

1321,1322,1323,1324 (晶體管單元132的)第一至第四閘極區(qū)塊

1331,1332,1333,1334,1335,1336,1337 (晶體管單元133的)第一 至第七閘極區(qū)塊

134,135,136,137 晶體管

200 顯示面板

200A 覆蓋區(qū)

200B 非覆蓋區(qū)

201 第一基板

202 第二基板

204 密封劑

300 控制單元

400 數(shù)據(jù)驅(qū)動電路

500 晶體管

600 無閘極區(qū)塊的區(qū)域

D1,D2 數(shù)據(jù)線

L3 長度

M1,M2,M3,M4,M5,M6 第一至第六晶體管

G1,G2 閘極線

W (閘極區(qū)塊的)寬度

W3 (連接部的)寬度

d2 (空隙的)寬度

具體實施方式

本發(fā)明的閘極驅(qū)動電路通過晶體管單元或信號線內(nèi)的透光設(shè)計，于固化光源自基板外側(cè)照射時，增加透光量，使顯示面板內(nèi)的密封劑能完全固化。本發(fā)明的顯示面板包括但不限于采用非晶硅、低溫多晶硅及氧化銦鎵鋅工藝所制造的顯示面板。

圖1為對應(yīng)本發(fā)明閘極驅(qū)動電路100的一顯示裝置10示意圖。如圖1所示，顯示裝置10包含設(shè)置在第一基板201上的閘極驅(qū)動電路100、控制 單元300及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路400?？刂茊卧?00分別輸出控制信號以啟動閘極驅(qū)動電路100和數(shù)據(jù)驅(qū)動電路400，并通過閘極驅(qū)動電路100經(jīng)閘極線(例如G1、G2)輸出的閘極驅(qū)動信號，以及通過數(shù)據(jù)驅(qū)動電路400經(jīng)數(shù)據(jù)線(例如D1、D2)輸出的數(shù)據(jù)信號以驅(qū)動像素區(qū)的晶體管500。

圖2A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路100的一實施例的俯視示意圖。如圖2A所示，閘極驅(qū)動電路100包含配置在第一基板201上的多個晶體管單元110～113與多條信號線120。在本實施例中，閘極驅(qū)動電路100包含移位暫存器(shift register)，移位暫存器的電路包括晶體管單元110～113及信號線120。閘極驅(qū)動電路100內(nèi)的信號線120接收自控制單元300的控制信號后，閘極驅(qū)動電路100產(chǎn)生閘極驅(qū)動信號以驅(qū)動像素區(qū)的晶體管。

請參閱圖2A，晶體管單元110包含第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b以及連接部110c，其中連接部110c電性連接第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b，并且第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c是由相同材料在同一工藝步驟中形成。舉例來說，在本實施例中，于第一基板201上形成金屬層，接著利用微影及蝕刻工藝移除部分金屬層以同時形成第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c，也就是第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c是位于同一層。此外，第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c也可以是在形成圖1像素區(qū)的晶體管500的閘極步驟中同時形成。但第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c的材料及形成方法不以此為限。圖2A雖未繪示晶體管單元110的主動層、汲極、源極、汲極線及源極線，但其為該技術(shù)領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知，因此在此省略不再繪示與敘述。

如圖2B所示，連接部110c的長度與寬度分別為L3及W3，因為連接部110c的寬度W3小于第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b的寬度W，因此第一閘極區(qū)塊110a、連接部110c以及第二閘極區(qū)塊110b形成H型結(jié)構(gòu)。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常是將第一閘極區(qū)塊、第二閘極區(qū)塊及連接部一起繪制成一長方形結(jié)構(gòu)(也就是第一閘極區(qū)塊、第二閘極區(qū)塊及連接部具有相同寬 度)，以方便布局。因為第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b的寬度與晶體管的驅(qū)動能力相關(guān)，因此本發(fā)明將連接部110c的寬度縮小為W3，使得晶體管的驅(qū)動能力不會受到影響。與現(xiàn)有技術(shù)中相同寬度的第一閘極區(qū)塊、第二閘極區(qū)塊及連接部相較，本實施例的H型結(jié)構(gòu)使得第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間具有間隙110d，其中間隙110d的長度及寬度分別為L3及(W-W3)/2。因為當(dāng)光線自薄膜晶體管陣列基板外側(cè)朝顯示面板內(nèi)照射時，光線會被第一閘極區(qū)塊、第二閘極區(qū)塊及連接部所阻擋而無法照射至上下基板間的密封劑，因此本發(fā)明的H型結(jié)構(gòu)具有較大的光線穿透面積(與現(xiàn)有技術(shù)相比，在包含第一閘極區(qū)塊、第二閘極區(qū)塊及連接部的晶體管單元中，本發(fā)明多了二塊額外的光線穿透區(qū)域(亦即間隙110d)，每一塊光線穿透區(qū)域的面積為L3*(W-W3)/2。也就是說，第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間具有可透光的間隙。同樣地，晶體管單元111包含第一閘極區(qū)塊111a、第二閘極區(qū)塊111b及連接部111c，其中連接部111c電性連接第一閘極區(qū)塊111a及第二閘極區(qū)塊111b，并且第一閘極區(qū)塊111a、第二閘極區(qū)塊111b及連接部111c是由相同材料在同一工藝步驟中形成。第一閘極區(qū)塊111a、第二閘極區(qū)塊111b及連接部111c的材料與制作方法與第一閘極區(qū)塊110a、第二閘極區(qū)塊110b及連接部110c相同，于此不再重述。與晶體管單元110相同，第一閘極區(qū)塊111a、第二閘極區(qū)塊111b以及連接部111c形成H型結(jié)構(gòu)，H型結(jié)構(gòu)使得第一閘極區(qū)塊111a及第二閘極區(qū)塊111b之間具有間隙111d。

需特別說明的是，前述閘極區(qū)塊的數(shù)量僅為示意，閘極區(qū)塊的數(shù)量可視閘極驅(qū)動電路中電路的設(shè)計、布局范圍及晶體管尺寸大小而加以調(diào)整。舉例來說，晶體管單元110或111可包括N個閘極區(qū)塊(N>＝2)以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部(2<＝i<＝N)。

此外，在本實施例中的晶體管單元110可以是包含二個閘極相互電性連接的晶體管，其中一個晶體管的閘極是第一閘極區(qū)塊110a，另一個晶體管的閘極是第二閘極區(qū)塊110b，而該二個晶體管是通過連接部110將二個晶 體管的閘極相互電性連接。本實施例中的晶體管單元110亦可以是包含一個晶體管，但為了電路布局需求而將該晶體管分割為第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b，其中第一閘極區(qū)塊110a上及第二閘極區(qū)塊110b上的汲極線(圖未示)彼此電性連接，且一閘極區(qū)塊110a上及第二閘極區(qū)塊110b上的源極線(圖未示)彼此電性連接。因此本發(fā)明未限定晶體管單元包含的晶體管數(shù)量，其可以是閘極相互連接的二個或二個以上的晶體管，一個分割成多個閘極區(qū)塊的晶體管，或是以上所述的組合。

請進一步參考圖2C的剖視圖。如圖2C所示，晶體管單元110、112與信號線120設(shè)置在顯示面板200的第一基板201上，且第二基板202設(shè)置對應(yīng)第一基板201。在本實施例中，第一基板201是薄膜晶體管陣列基板，而第二基板202是彩色濾光片基板。在顯示面板200的第一基板201及第二基板202之間形成有密封劑204。顯示面板200依密封劑204的覆蓋范圍分為覆蓋區(qū)200A及非覆蓋區(qū)200B。在本實施例中，閘極驅(qū)動電路100部分覆蓋于密封劑204內(nèi)，如圖2C所示，信號線120及晶體管單元110位于覆蓋區(qū)200A內(nèi)，而晶體管單元112位于非覆蓋區(qū)200B。在顯示面板200于密封劑204固化工藝中，當(dāng)光線自第一基板201外側(cè)朝顯示面板200內(nèi)的密封劑204照射時，光線除了經(jīng)由相互鄰接的信號線120之間、信號線120與晶體管單元110之間，以及晶體管單元110與晶體管單元112之間穿越第一基板201而抵達密封劑204，還可經(jīng)由第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間的間隙110d抵達密封劑204并將密封劑204固化。需說明的是，圖2C雖因剖面切線位置的原因而未繪示晶體管單元111及113，惟由圖2A可得知晶體管單元111位于覆蓋區(qū)200A內(nèi)，而晶體管單元113位于非覆蓋區(qū)200B，因此在此省略不再繪示與敘述。間隙110d的長度與寬度較佳介于10μm與100μm之間，以提供足夠光線，使密封劑204能完全固化。由此設(shè)計，可利用晶體管單元內(nèi)各閘極區(qū)塊的間隙提高透光率，使密封劑容易固化。

需特別說明的是，雖然本實施例的H型結(jié)構(gòu)使得第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間具有二間隙110d，且二間隙110d具有相同的長度 與寬度，但不以此為限。舉例來說，亦可將圖2A的連接部110c往上移動或往下移動，使得二間隙110d(參考圖2B)具有不同的面積。此外，亦可變化為將連接部110c往上移動至與第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b的上側(cè)邊緣，以形成ㄇ型結(jié)構(gòu)，使得第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間具有一間隙，或是將連接部110c往下移動至與第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b的下側(cè)邊緣，以形成ㄩ型結(jié)構(gòu)，使得第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間具有一間隙。也就是說，只要連接部110c可以達到電性連接第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b的目的，可變化連接部110c的位置、形狀或?qū)挾?，使得第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間保留可透光的間隙。

圖3A為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路100的另一實施例的俯視示意圖。如圖3A所示，除前述晶體管單元110和晶體管單元111之外，晶體管單元112包含電性連接的第一閘極區(qū)塊112a、第二閘極區(qū)塊112b以及連接部112c，其中連接部112c電性連接第一閘極區(qū)塊112a及第二閘極區(qū)塊112b。而晶體管單元113包含第一閘極區(qū)塊113a、第二閘極區(qū)塊113b以及連接部113c，其中連接部113c電性連接第一閘極區(qū)塊113a及第二閘極區(qū)塊113b。請進一步參考圖3B的剖視圖。與前一實施例不同之處在于，閘極驅(qū)動電路全部覆蓋于密封劑204內(nèi)。如圖3B所示，信號線120、晶體管單元110及晶體管單元112皆位于覆蓋區(qū)200A內(nèi)。故當(dāng)光線自第一基板201外側(cè)朝顯示面板200內(nèi)的密封劑204照射時，光線可經(jīng)由相鄰的信號線120之間、信號線120與晶體管單元110之間、晶體管單元110與晶體管單元112之間、晶體管單元110的第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間的間隙以及晶體管單元112的第一閘極區(qū)塊112a及第二閘極區(qū)塊112b之間的間隙抵達密封劑204并將密封劑204固化。換言之，晶體管單元的結(jié)構(gòu)可配合顯示面板涂布密封劑的實際范圍而調(diào)整，利用晶體管單元內(nèi)各閘極區(qū)塊的間隙提高透光率，使密封劑容易固化。同樣地，圖3B雖因剖面切線位置的原因而未繪示晶體管單元111及113，惟由圖3A可得知晶體管單元111及113皆位于覆 蓋區(qū)200A內(nèi)，因此在此省略不再繪示與敘述。

需說明的是，圖2A及圖3A中的信號線120沿一第一方向延伸，連接部110c、111c、112c及113c沿一第二方向延伸，其中該第一方向?qū)嵸|(zhì)上垂直該第二方向，但不以此為限，該技術(shù)領(lǐng)域一般技術(shù)人員可依據(jù)閘極驅(qū)動電路及布局需求而調(diào)整信號線及連接部的延伸方向。

圖4A及圖4B為閘極驅(qū)動電路100的另一實施例的俯視及剖視示意圖。閘極驅(qū)動電路100局部放大圖如圖4A所示，信號線120具有空隙121，空隙121為長條狀且沿信號線120長邊的方向延伸。需特別說明的是，雖然圖4A未繪示晶體管單元110、111、112及113，惟可參照圖3A及圖3A的說明，于此不再重復(fù)相同敘述。接下來請參考圖4B的剖視圖。如圖4B所示，當(dāng)閘極驅(qū)動電路的晶體管單元110、112及信號線120皆覆蓋于密封劑204內(nèi)時，與圖3B實施例的差別在于光線自第一基板201外側(cè)除了經(jīng)由相鄰的信號線120之間、信號線120與晶體管單元110之間、晶體管單元110與晶體管單元112之間、晶體管單元110的第一閘極區(qū)塊110a及第二閘極區(qū)塊110b之間的間隙以及晶體管單元112的第一閘極區(qū)塊112a及第二閘極區(qū)塊112b之間的間隙抵達密封劑204外，光線亦可經(jīng)由信號線120的空隙121抵達密封劑204并將密封劑204固化。換言之，除前述配合顯示面板涂布密封劑的實際范圍而調(diào)整晶體管單元的結(jié)構(gòu)外，信號線亦可調(diào)整為可透光的型式?？障?21的寬度d2較佳介于5μm與30μm之間，以提供足夠光線，使密封劑能完全固化。由此設(shè)計，可利用晶體管單元內(nèi)各閘極區(qū)塊的間隙以及信號線的空隙共同提高透光率，使密封劑容易固化。同樣地，圖4B雖因剖面切線位置的原因而未繪示晶體管單元111及113，惟晶體管單元111及113皆位于覆蓋區(qū)200A內(nèi)，因此在此省略不再繪示與敘述。

需說明的是，圖4B的實施例雖公開了利用晶體管單元內(nèi)各閘極區(qū)塊的間隙以及信號線的空隙共同提高透光率，但不以此為限。舉例來說，若是顯示面板涂布密封劑的實際范圍只涵蓋信號線120，則只需在信號線120中形成空隙121就可提高透光率以固化密封劑。因此該技術(shù)領(lǐng)域一般技術(shù)人員可 依據(jù)涂布密封劑的實際范圍設(shè)計各閘極區(qū)塊的間隙或信號線的空隙。

此外，如圖5A及圖5B所示的信號線120的不同實施例，信號線120的空隙121可視需求調(diào)整為不同形式。在圖5A中，信號線120的空隙121形成為曲折條紋狀，并沿信號線120長邊的方向延伸，如此可由曲折造型進一步增加透光面積。在圖5B所示的空隙121則是呈圓孔狀，并沿信號線120長邊的方向排列。在其它實施例中，圓孔的數(shù)目及尺寸可視光照固化的需求而調(diào)整。由此設(shè)計，可提高閘極驅(qū)動電路中的透光率并提高工藝良率，避免現(xiàn)有技術(shù)因透光不足而影響顯示面板使用壽命的情形。

需特別說明的是，本發(fā)明信號線120的空隙121形狀及數(shù)目不以圖4A、5A及5B為限，該技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識者可自行依據(jù)需求而設(shè)計信號線120的空隙121形狀及數(shù)目，只要空隙121不影響信號線120的電性傳輸或是影響信號線的可靠度即可。舉例來說，信號線120的空隙121可變化為方孔、多個平行的長條狀、多個平行的曲折條紋狀或是不規(guī)則狀的中空區(qū)域。而且雖然圖4A繪示每一條信號線120分別具有空隙121，但可依涂布密封劑的實際范圍及閘極驅(qū)動電路的布局需求而變化為該些信號線120中至少一條信號線具有形成于該條信號線中的至少一空隙，而不限定每一條信號線120皆具有空隙121。此外，本實施例的空隙121雖是形成于用來接收控制單元300的控制信號的信號線120中，但不以此為限，亦可將空隙形成于晶體管單元的汲極線或源極線，或是形成于晶體管單元間的連接線，同樣可以提高透光率以固化密封劑。

接著請參圖6A及圖6B，圖6A是本發(fā)明閘極驅(qū)動電路的部分電路圖，其包含第一～第六晶體管M1～M6，其中第一晶體管M1的閘極電性連接第二晶體管M2的閘極，第四晶體管M4的閘極電性連接第五晶體管M5的閘極，并且第一～第六晶體管M1～M6的源極相互電性連接。

圖6B為本發(fā)明閘極驅(qū)動電路100的另一實施例的俯視示意圖。如圖6B所示，閘極驅(qū)動電路100包含配置在第一基板上的多個晶體管單元130～133與多條信號線120。在本實施例中，閘極驅(qū)動電路100包含移位暫存器(shift register)，移位暫存器的電路包括晶體管單元130～133及信號線120。閘極驅(qū)動電路100內(nèi)的信號線120接收自控制單元的控制信號后，閘極驅(qū)動電路100產(chǎn)生閘極驅(qū)動信號以驅(qū)動像素區(qū)的晶體管。

圖6B所示，晶體管單元130包含第一至第七閘極區(qū)塊1301～1307以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部130c(2<＝i<＝7)，晶體管單元131包含第一至第四閘極區(qū)塊1311～1314以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部131c(2<＝i<＝4)，晶體管單元132包含第一至第四閘極區(qū)塊1321～1324以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部132c(2<＝i<＝4)，晶體管單元133包含第一至第七閘極區(qū)塊1331～1337以及電性連接第i-1閘極區(qū)塊及第i閘極區(qū)塊的連接部133c(2<＝i<＝7)。請同時參閱圖6A，晶體管單元130包含閘極相互電性連接的第一晶體管M1及第二晶體管M2，其中第二晶體管M2的布局分割為并聯(lián)的第一至第四閘極區(qū)塊1301～1304(在此所述的并聯(lián)是指第一至第四閘極區(qū)塊1301～1304上的汲極線130d1彼此電性連接，且第一至第四閘極區(qū)塊1301～1304上的源極線130s1彼此電性連接)，第一晶體管M1的布局分割為并聯(lián)的第五至第七閘極區(qū)塊1305～1307(在此所述的并聯(lián)是指第五至第七閘極區(qū)塊1305～1307上的汲極線130d2彼此電性連接，且第五至第七閘極區(qū)塊1305～1307上的源極線130s2彼此電性連接)，第三晶體管M3的布局分割為并聯(lián)的閘極區(qū)塊1311～1314(在此所述的并聯(lián)是指閘極區(qū)塊1311～1314上的汲極線131d彼此電性連接，且閘極區(qū)塊1311～1314上的源極線131s彼此電性連接)。如圖6A及6B所示，因為第二晶體管M2及第三晶體管M3的源極電性連接,因此可將晶體管單元131的閘極區(qū)塊1311～1314布局于晶體管單元130的閘極區(qū)塊1301～1304下方，使得閘極區(qū)塊1311～1314上的源極(圖未示)可與晶體管單元130的閘極區(qū)塊1301～1304上的源極(圖未示)沿X軸方向?qū)R(在此所述的沿X軸方向?qū)R是指閘極區(qū)塊1301～1304上的源極及閘極區(qū)塊1311～1314上的源極分別是沿X軸方向排列,且閘極區(qū)塊1301～1304上的源極及閘極區(qū)塊1311～1314上的源極是上下對齊)，因此可藉由復(fù)數(shù)條沿Y軸延伸的金屬導(dǎo)線形成閘極 區(qū)塊1311～1314上的源極線131s以及閘極區(qū)塊1301～1304上的源極線130s1，其中該些復(fù)數(shù)條沿Y軸延伸的金屬導(dǎo)線中，每一條金屬導(dǎo)線同時電性連接閘極區(qū)塊1311～1314上的源極以及閘極區(qū)塊1301～1304上的源極，因此不需將源極線彎折以彼此電性連接第一晶體管M1及第三晶體管M3的源極，進而簡化閘極驅(qū)動電路100布局，并縮小布局面積。

同樣地，晶體管單元133包含閘極相互連接的第四晶體管M4及第五晶體管M5，其中第五晶體管M5的布局分割為并聯(lián)的第一至第四閘極區(qū)塊1331～1334(在此所述的并聯(lián)是指第一至第四閘極區(qū)塊1331～1334上的汲極線彼此電性連接，且第一至第四閘極區(qū)塊1331～1334上的源極線彼此電性連接)，第四晶體管M4的布局分割為并聯(lián)的第五至第七閘極區(qū)塊1335～1337(在此所述的并聯(lián)是指第五至第七閘極區(qū)塊1335～1337上的汲極線彼此電性連接，且第五至第七閘極區(qū)塊1335～1337上的源極線彼此電性連接)，第六晶體管M6的布局分割為并聯(lián)的閘極區(qū)塊1321～1324(在此所述的并聯(lián)是指閘極區(qū)塊1321～1324上的汲極線彼此電性連接，且閘極區(qū)塊1321～1324上的源極線彼此電性連接)。如圖6A及6B所示，因為第五晶體管M5及第六晶體管M6的源極電性連接，因此可將晶體管單元133的閘極區(qū)塊1331～1334布局于晶體管單元132的閘極區(qū)塊1321～1324下方，使得閘極區(qū)塊1331～1334上的源極(圖未示)可與晶體管單元132的閘極區(qū)塊1321～1324上的源極(圖未示)沿X軸方向?qū)R，因此可藉由復(fù)數(shù)條沿Y軸延伸的金屬導(dǎo)線形成閘極區(qū)塊1321～1324上的源極線以及閘極區(qū)塊1331～1334上的源極線，其中該些復(fù)數(shù)條沿Y軸延伸的金屬導(dǎo)線中，每一條金屬導(dǎo)線同時電性連接閘極區(qū)塊1321～1324上的源極以及閘極區(qū)塊1331～1334上的源極。

如圖6B所示，藉由上述的布局配置，沿著Y軸方向依序配置晶體管單元130、131、132及133,而因為晶體管單元130及133沿X軸分別包含7個閘極區(qū)塊，晶體管單元131及132沿X軸分別包含4個閘極區(qū)塊，且晶體管單元131及132的4個閘極區(qū)塊1311～1314及1321～1324分別與晶體管單元130及133的最右側(cè)4個閘極區(qū)塊1301～1304及1331～1334沿X軸方向?qū)? 齊，因此晶體管單元130、131、132及133的閘極區(qū)塊形成一コ形結(jié)構(gòu)，且コ形結(jié)構(gòu)的開口朝向左側(cè)(也就是凹陷開口朝向顯示面板200的第一基板邊緣)，因此藉由將閘極驅(qū)動電路100中晶體管單元的閘極區(qū)塊布局為コ形結(jié)構(gòu)，可形成無閘極區(qū)塊的區(qū)域600，也就是コ形結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)為無閘極區(qū)塊的區(qū)域。如圖6B所示，無閘極區(qū)塊的區(qū)域600雖然有少數(shù)連接線分布其中，但與較大面積的閘極區(qū)塊相較，本實施例的布局方式可提高閘極驅(qū)動電路100中的透光率。此外，亦可將前述實施例的空隙形成于無閘極區(qū)塊的區(qū)域600的連接線中，以進一步提高透光率。因為密封劑的涂布范圍通常涵蓋信號線120及至少部分閘極驅(qū)動電路100，因此藉由本實施例的布局方式將無閘極區(qū)塊的區(qū)域600形成于密封劑的涂布范圍中，則可提高閘極驅(qū)動電路中的透光率以固化密封劑。此外，因為圖6B僅繪示對應(yīng)一列像素的部分閘極驅(qū)動電路100，而對應(yīng)每一列像素的閘極驅(qū)動電路100包含一無閘極區(qū)塊的區(qū)域600，因此當(dāng)布局驅(qū)動M列像素的閘極驅(qū)動電路100時，閘極驅(qū)動電路100具有M個無閘極區(qū)塊的區(qū)域600，且相鄰的無閘極區(qū)塊的區(qū)域間具有相同的間距。藉由本實施例的布局配置，當(dāng)密封劑固化光源自基板外側(cè)照射時，光線可穿過無閘極區(qū)塊的區(qū)域，并且均勻地照射至密封劑(因為無閘極區(qū)塊的區(qū)域是等距均勻配置于基板上)，使顯示面板內(nèi)的密封劑能完全固化。

本實施例的圖6B雖揭示晶體管單元130、131、132及133的閘極區(qū)塊形成コ形結(jié)構(gòu)，惟亦可變化為將晶體管單元130、131、132及133的閘極區(qū)塊形成ㄈ形結(jié)構(gòu)，且ㄈ形結(jié)構(gòu)的開口朝向右側(cè)(也就是凹陷開口朝向顯示面板200的第一基板201中心)。舉例來說，可將閘極區(qū)塊1301～1304及1331～1334分別置換至閘極區(qū)塊1305～1307及1335～1337的左側(cè)，而閘極區(qū)塊1311～1314及1321～1324分別沿X軸方向?qū)R閘極區(qū)塊1301～1304及1331～1334，以將晶體管單元130、131、132及133的閘極區(qū)塊形成ㄈ形結(jié)構(gòu)，并且同コ形結(jié)構(gòu)一樣，在ㄈ形結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)域形成一無閘極區(qū)塊的區(qū)域。

需說明的是，雖然本實施例中晶體管單元131及132的閘極區(qū)塊1311～1314及1321～1324分別與晶體管單元130及133的閘極區(qū)塊1301～1304 及1331～1334沿X軸方向?qū)R，且閘極區(qū)塊1301～1304及1331～1334上的源極分別與閘極區(qū)塊1311～1314及1321～1324上的源極沿X軸方向?qū)R，但不以此為限。只要可將閘極驅(qū)動電路100中晶體管單元的閘極區(qū)塊布局為コ形結(jié)構(gòu)或ㄈ形結(jié)構(gòu)，且該コ形結(jié)構(gòu)或ㄈ形結(jié)構(gòu)的凹陷區(qū)域形成無閘極區(qū)塊的區(qū)域，且無閘極區(qū)塊的區(qū)域形成于密封劑的涂布范圍中，就可提高閘極驅(qū)動電路中的透光率以固化密封劑。

此外，圖6B的實施例是將排列成コ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊形成于信號線120相鄰側(cè)，但不以此為限，該技術(shù)領(lǐng)域一般技術(shù)人員可依據(jù)閘極驅(qū)動電路100的電路及布局需求，在排列成コ形或ㄈ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊與信號線120間布局其它晶體管或晶體管單元，只要排列成コ形或ㄈ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊形成的無閘極區(qū)塊的區(qū)域位于密封劑的涂布范圍中，均可提高閘極驅(qū)動電路中的透光率以固化密封劑。舉例來說，請參閱圖6C，在排列成コ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊與信號線120間具有晶體管134、135、136及137，藉由此布局配置，無閘極區(qū)塊的區(qū)域600形成于排列成コ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊(晶體管單元130、131、132及133)與晶體管134、135、136及137間，并且被排列成コ形結(jié)構(gòu)的閘極區(qū)塊與晶體管134、135、136及137圍繞。

需特別說明的是，圖6B及6C雖繪示晶體管單元130～133中的相鄰閘極區(qū)塊間具有間隙，而信號線120具有空隙，但該技術(shù)領(lǐng)域一般技術(shù)人員可依據(jù)電路布局需求而變化為將晶體管單元的閘極區(qū)塊布局排列成コ形或ㄈ形結(jié)構(gòu)，但信號線或相鄰閘極區(qū)塊間可分別不具空隙或間隙。

本發(fā)明已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包含于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。