專利名稱：有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，尤其涉及一種可改善初始化特性以提高響應(yīng)特性并解決亮度降低問(wèn)題的OLED顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著信息時(shí)代的發(fā)展，對(duì)顯示領(lǐng)域的各種需求日益增加。為滿足這些需求，對(duì)可制造成超薄、重量輕且功耗低的各種平板顯示(FPD)裝置，例如液晶顯示器(IXD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置進(jìn)行了研究。
OLED顯示裝置是包含有機(jī)化合物的自發(fā)光顯示器，所述有機(jī)化合物形成在透明基板上以發(fā)射紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)光。一般來(lái)說(shuō)，OLED顯示裝置可包括OLED面板和驅(qū)動(dòng)器電路。
因而，與IXD裝置不同，OLED顯示裝置不需要額外的光源。
結(jié)果，因?yàn)椴恍枰彻鈫卧?BLU)，所以可以以比IXD裝置低的制造成本使用簡(jiǎn)單的工藝制造OLED顯示裝置，并且OLED顯示裝置作為一種先進(jìn)的FPD引起了很大的關(guān)注。
而且，OLED顯示裝置可具有比IXD裝置寬的視角和高的對(duì)比度，可以以低直流(DC)電壓驅(qū)動(dòng)，具有較高的響應(yīng)速度，對(duì)外部沖擊具有較強(qiáng)的抵抗性，并可應(yīng)用在較寬溫度范圍內(nèi)。
特別是，在有源矩陣型OLED (AMOLED)顯示裝置中，用于控制施加給像素區(qū)域的電流的電壓可被充入存儲(chǔ)電容器中，從而可一直保持該電壓，直到施加下一幀信號(hào)為止。因而，不管柵極線數(shù)量如何，AMOLED顯示裝置可被驅(qū)動(dòng)為在一屏的顯示期間保持發(fā)光狀態(tài)。
相應(yīng)地，因?yàn)榧词故┘拥碗娏?，AMOLED顯示裝置仍表現(xiàn)出相同的亮度，所以AMOLED顯示裝置可降低功耗并大規(guī)模應(yīng)用。
圖1是常規(guī)OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖。
如圖1中所示，在常規(guī)OLED顯示裝置中，柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL可彼此交叉地形成，以限定像素區(qū)域P，像素區(qū)域P可包括開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、存儲(chǔ)電容器Cst 和 OLED。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可與柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和存儲(chǔ)電容器Cst的一端連接。
此外，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可與存儲(chǔ)電容器Cst的一端、OLED和存儲(chǔ)電容器Cst的另一端連接。
在這種情形中，OLED和驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可連接在高電位電壓線VDD與低電位電壓線VSS之間。
現(xiàn)在將描述OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作。首先，當(dāng)通過(guò)柵極線GL提供柵極信號(hào)以導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Tsw時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線DL施加的數(shù)據(jù)信號(hào)可傳輸?shù)津?qū)動(dòng)器晶體管Tdr和存儲(chǔ)電容器Cst。
此外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr響應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)而導(dǎo)通時(shí)，電流可流經(jīng)0LED，從而OLED能夠發(fā)光。
在這種情形中，OLED發(fā)射的光的強(qiáng)度可與流經(jīng)OLED的電流量成正比，所述電流量可與數(shù)據(jù)信號(hào)的幅度成正比。
因此，OLED顯示裝置可向各個(gè)像素區(qū)域P施加具有各種幅度的數(shù)據(jù)信號(hào)，以產(chǎn)生各種灰度級(jí)。結(jié)果，OLED顯示器能夠顯示圖像。
此外，存儲(chǔ)電容器Cst可在一幀期間保持?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)，從而流經(jīng)OLED的電流量可保持恒定,且由OLED顯示的灰度級(jí)可保持恒定。
同時(shí)，與其中在一幀期間像素區(qū)域的晶體管僅導(dǎo)通相對(duì)較短時(shí)間的液晶顯示器(IXD)不同，在OLED顯示裝置中，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可保持導(dǎo)通相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)使OLED發(fā)光，以顯示灰度級(jí)，從而驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr很容易惡化。
結(jié)果，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth會(huì)發(fā)生變化。驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth的變化會(huì)不利地影響OLED顯示裝置的分辨率。
也就是說(shuō)，由于驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth的變化，OLED顯示裝置的像素區(qū)域可響應(yīng)于同一數(shù)據(jù)信號(hào)而顯示不同的灰度級(jí)，由此降低了 OLED顯示裝置的分辨率。
因此，必須開(kāi)發(fā)一種OLED顯示裝置的新的像素結(jié)構(gòu)，以補(bǔ)償由驅(qū)動(dòng)器晶體管的惡化導(dǎo)致的閾值電壓的變化。發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，這些特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)的一部分從下面的描述將是顯而易見(jiàn)的，或者可通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過(guò)說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的用途，如在此具體化和概括描述的，一種OLED顯示裝置包括:與高電位電壓端子和第二節(jié)點(diǎn)連接的第一晶體管；與數(shù)據(jù)線和所述第二節(jié)點(diǎn)連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和第一節(jié)點(diǎn)連接的第二晶體管；與所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和OLED的一個(gè)電極連接的發(fā)光控制晶體管；與所述OLED的所述一個(gè)電極連接的第三晶體管，所述第三晶體管用于減小施加給所述OLED的所述一個(gè)電極的電壓；和連接在所述高電位電壓端子與所述第一節(jié)點(diǎn)之間的第一電容器。
在另一個(gè)方面中，提供一種用于驅(qū)動(dòng)OLED顯示裝置的方法，所述OLED顯示裝置包括開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)器晶體管、發(fā)光控制晶體管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電容器、第二電容器以及0LED，所述方法包括:在所述第二晶體管和第三晶體管以及發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通操作期間，將與所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的柵極連接的第一節(jié)點(diǎn)初始化；在所述開(kāi)關(guān)晶體管以及第二晶體管和第三晶體管的導(dǎo)通操作期間，感測(cè)所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓，并向所述第一節(jié)點(diǎn)傳輸數(shù)據(jù)電壓；以及在所述發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通操作期間使所述OLED發(fā)光。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的大體描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成本申請(qǐng)一部分的附解了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
圖1是常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的OLED顯示裝置的示意圖3是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖4是施加給根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖5是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作的參考圖6是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖7是施加給根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)、第一和第二節(jié)點(diǎn)的電壓、以及流經(jīng)發(fā)光二極管的電流的時(shí)序圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作的參考圖9是根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖10是根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖11是施加給根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖12A和12B是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的初始化特性的參考圖；以及
圖13A和13B是用于描述根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的初始化特性的參考圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，附圖中示出了這些實(shí)施方式的一些例子。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的示意圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖。
如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置100可包括用于顯示圖像的顯示面板110、源極驅(qū)動(dòng)器120、掃描驅(qū)動(dòng)器130、以及用于控制源極驅(qū)動(dòng)器120和掃描驅(qū)動(dòng)器130的每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)時(shí)間點(diǎn)的時(shí)序控制器140。
顯示面板110可包括可彼此交叉以限定多個(gè)像素區(qū)域P的多條掃描線SCLl到SCLm和多條數(shù)據(jù)線DLl到DLn、以及多條發(fā)光控制線ELl到ELm。
因?yàn)楦鱾€(gè)像素區(qū)域P具有相同的構(gòu)造，所以為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，多條掃描線SCLl到SCLm、多條數(shù)據(jù)線DLl到DLn、和多條發(fā)光控制線ELl到Elm將分別被描述為掃描線SCL、數(shù)據(jù)線DL和發(fā)光控制線EL。
如圖3中所示，在每個(gè)像素區(qū)域P中可形成開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem、第一到第三晶體管Tl到T3、第一電容器Cl和0LED。
盡管圖3顯示了其中開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem和第一到第三晶體管Tl到T3為P型晶體管的例子，但本發(fā)明并不限于此。例如，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem和第一到第三晶體管Tl到T3可為N型晶體管。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的源極和柵極可分別與數(shù)據(jù)線DL和掃描線SCL連接，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的漏極可與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可響應(yīng)于通過(guò)掃描線SCL施加(或傳輸)的掃描信號(hào)而導(dǎo)通,并向第二節(jié)點(diǎn)N2施加數(shù)據(jù)電壓Vdata。
驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的源極和柵極可分別與第二節(jié)點(diǎn)N2和第一節(jié)點(diǎn)NI連接，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的漏極可與第三節(jié)點(diǎn)N3連接。
換句話說(shuō)，第一節(jié)點(diǎn)NI可為與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的柵極連接的節(jié)點(diǎn)，第二節(jié)點(diǎn)N2可為與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的源極連接的節(jié)點(diǎn)，第三節(jié)點(diǎn)N3可為與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的漏極連接的節(jié)點(diǎn)。
驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可用于控制流經(jīng)OLED的電流量。流經(jīng)OLED的電流量可與施加給驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的柵極的數(shù)據(jù)電壓Vdata的幅度成正比。
也就是說(shuō)，OLED顯示裝置100可向各個(gè)像素區(qū)域P施加具有各種幅度的數(shù)據(jù)電壓Vdata,顯示不同的灰度級(jí),從而顯示圖像。
發(fā)光控制晶體管Tem的源極和柵極可分別與第三節(jié)點(diǎn)N3和發(fā)光控制線EL連接，發(fā)光控制晶體管Tem的漏極可與OLED的一個(gè)電極連接。
發(fā)光控制晶體管Tem可響應(yīng)于通過(guò)發(fā)光控制線EL施加(或傳輸)的發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通，以控制OLED的發(fā)光時(shí)間點(diǎn)。
第一晶體管Tl的源極和柵極可分別與高電位電壓Vdd的端子和發(fā)光控制線EL連接，第一晶體管Tl的漏極可與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。
第一晶體管Tl可響應(yīng)于通過(guò)發(fā)光控制線EL施加的發(fā)光控制信號(hào)Em而導(dǎo)通，并向第二節(jié)點(diǎn)N2施加高電位電壓Vdd。
在這種情形中，高電位電壓Vdd例如可為大約5V。
第二晶體管T2的源極和柵極可分別與第三節(jié)點(diǎn)N3和掃描線SCL連接，第二晶體管T2的漏極可與第一節(jié)點(diǎn)NI連接。
第二晶體管T2可響應(yīng)于通過(guò)掃描線SCL施加的掃描信號(hào)而導(dǎo)通，并將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化為通過(guò)基準(zhǔn)電壓線VL施加的基準(zhǔn)電壓。
第三晶體管T3的源極和柵極可分別與發(fā)光控制晶體管Tem的漏極和掃描線SCL連接，第三晶體管T3的漏極可與基準(zhǔn)電壓線VL連接。
第三晶體管T3可響應(yīng)于通過(guò)掃描線SCL施加的掃描信號(hào)而導(dǎo)通,并向OLED的陽(yáng)極施加基準(zhǔn)電壓。第三晶體管可與OLED的上述一個(gè)電極連接，并用于減小施加給這一個(gè)電極的電壓。
因而，在第三晶體管T3的導(dǎo)通操作期間，從第三晶體管T3的漏極到基準(zhǔn)電壓線VL可形成電流通路，從而能夠減小流進(jìn)OLED中的電流。
第一電容器Cl可連接在第一節(jié)點(diǎn)NI與第一晶體管Tl的源極之間，并存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓與施加到第一晶體管Tl的源極的電壓之間的電壓差。
第一電容器Cl可為存儲(chǔ)電容器，其可在一幀期間保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓，從而流經(jīng)OLED的電流量能夠保持恒定，且由OLED顯示的灰度級(jí)能夠保持恒定。
OLED的陽(yáng)極可與發(fā)光控制晶體管Tem的漏極連接，OLED的陰極可與低電位電壓Vss的端子連接。
在這種情形中，低電位電壓Vss例如可為-5V。
返回參照?qǐng)D2，源極驅(qū)動(dòng)器120可包括用于向顯示面板110提供數(shù)據(jù)信號(hào)的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)(未示出)。
源極驅(qū)動(dòng)器120可從時(shí)序控制器140接收轉(zhuǎn)換后的圖像信號(hào)(紅色/綠色/藍(lán)色(R/G/B))和多個(gè)數(shù)據(jù)控制信號(hào)，使用轉(zhuǎn)換后的圖像信號(hào)(R/G/B)和多個(gè)數(shù)據(jù)控制信號(hào)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，并通過(guò)數(shù)據(jù)線DL將產(chǎn)生的信號(hào)施加給顯示面板110。
時(shí)序控制器140可通過(guò)接口從諸如圖形卡這樣的系統(tǒng)接收多個(gè)控制信號(hào)，如多個(gè)圖像信號(hào)、垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE。
時(shí)序控制器140可產(chǎn)生多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)，并將數(shù)據(jù)信號(hào)施加給源極驅(qū)動(dòng)器120的各個(gè)驅(qū)動(dòng)器1C。
掃描驅(qū)動(dòng)器130可使用從時(shí)序控制器140接收的控制信號(hào)產(chǎn)生掃描信號(hào)，并通過(guò)掃描線SCL將產(chǎn)生的掃描信號(hào)提供給顯示面板110。
此外，盡管圖2顯示了掃描驅(qū)動(dòng)器130通過(guò)發(fā)光控制線EL向顯示面板110施加發(fā)光控制信號(hào)，但本發(fā)明并不限于此。例如，可在根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中形成用于施加發(fā)光控制信號(hào)的附加發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器。
下文將描述OLED顯示裝置100的像素區(qū)域P的操作。
圖4是施加給根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖，圖5是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作的參考圖。
如圖4中所不,可在第一時(shí)間tl期間施加低電平掃描信號(hào)Scan和低電平發(fā)光控制信號(hào)Em。
在這種情形中，可以按如下方式來(lái)設(shè)置通過(guò)基準(zhǔn)電壓線VL施加的基準(zhǔn)電壓的電壓電平:使得基準(zhǔn)電壓與低電位電壓Vss之間的電壓差低于OLED的閾值電壓Vth。
其中，OLED的閾值電壓Vth例如可為2V。
此外，基準(zhǔn)電壓的電壓電平可設(shè)為低于數(shù)據(jù)電壓Vdata與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth之間的電壓差“Vdata-Vth”。
在這種情形中，基準(zhǔn)電壓例如可為-4V。
因而，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可響應(yīng)于低電平掃描信號(hào)Scan而導(dǎo)通，發(fā)光控制晶體管Tem和第一晶體管Tl可響應(yīng)于發(fā)光控制信號(hào)Em而導(dǎo)通并將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化為基準(zhǔn)電壓。
換句話說(shuō)，在第一時(shí)間tl期間，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、發(fā)光控制晶體管Tem、以及第一到第三晶體管Tl到T3可導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr響應(yīng)于存儲(chǔ)在第一電容器Cl中的前一幀的數(shù)據(jù)電壓也可導(dǎo)通。
因?yàn)榈诙w管T2、發(fā)光控制晶體管Tem和第三晶體管T3同時(shí)導(dǎo)通，所以從第一節(jié)點(diǎn)NI到基準(zhǔn)電壓線VL可形成初始化電流通路。
結(jié)果，在第一時(shí)間tl期間，第一節(jié)點(diǎn)NI可被初始化為基準(zhǔn)電壓。
此外，由于形成了初始化電流通路，所以可減小流進(jìn)OLED中的電流，由此阻止OLED發(fā)光。
在第一時(shí)間tl期間，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為基準(zhǔn)電壓，而施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為高電位電壓Vdd。
在第二時(shí)間t2期間可施加低電平掃描信號(hào)Scan和高電平發(fā)光控制信號(hào)Em。
結(jié)果，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可響應(yīng)于低電平掃描信號(hào)Scan而導(dǎo)通，并感測(cè)驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth。
此外，數(shù)據(jù)電壓Vdata可沿著從第二節(jié)點(diǎn)N2到第一節(jié)點(diǎn)NI的采樣/寫入電流通路而施加到(或傳輸?shù)?第一節(jié)點(diǎn)NI，其中采樣/寫入電流通路可通過(guò)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Tsw而形成。
在第二時(shí)間t2期間，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為“Vdata_Vth”，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為“Vdata”。
在第二時(shí)間t2期間，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth和數(shù)據(jù)電壓Vdata可同時(shí)存儲(chǔ)在第一電容器Cl中。
其中，發(fā)光控制晶體管Tem和第一晶體管Tl可截止。
在第三時(shí)間t3期間,可施加高電平掃描信號(hào)Scan,在發(fā)光控制信號(hào)Em的從高到低轉(zhuǎn)換期間可施加發(fā)光控制信號(hào)Em。
結(jié)果，發(fā)光控制晶體管Tem、第一晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可導(dǎo)通，從而從第二節(jié)點(diǎn)N2到OLED可形成發(fā)光電流通路。此外，電流IOLED可沿著發(fā)光電流通路提供給OLED，以實(shí)現(xiàn)發(fā)光狀態(tài)。
這里，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可保持截止。
在第三時(shí)間t3期間，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為“Vdata_Vth”，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為“Vdd”。
在這種情形中，流經(jīng)OLED的電流1_可由等式I限定:
10LED=k* (Vdd-Vdata)2 (I)
其中k是由驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的結(jié)構(gòu)和物理特性，例如驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的遷移率以及驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的溝道寬度W與其溝道長(zhǎng)度L的比率W/L確定的比例常數(shù)。
結(jié)果，在第三時(shí)間t3提供給OLED的電流1_與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth可不相關(guān)，并且可由高電位電壓Vdd和數(shù)據(jù)電壓Vdata確定。
因而，可改善由晶體管特性之間的差別導(dǎo)致的亮度的不均勻。
在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，需要用于將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化為預(yù)定電壓的初始化周期，使得驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr不會(huì)由于驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓(Vth)補(bǔ)償電路的操作特性而受前一幀的數(shù)據(jù)電壓影響。
因而，根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)可包括第三晶體管T3，第三晶體管T3可使提供給OLED的電流在作為初始化周期的第一時(shí)間tl期間流進(jìn)基準(zhǔn)電壓線VL，第一節(jié)點(diǎn)NI可在第一時(shí)間tl期間被初始化為作為初始化電壓的基準(zhǔn)電壓。
然而，在第一時(shí)間tl期間，不僅第二和第三晶體管T2和T3保持導(dǎo)通，而且開(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl也可保持導(dǎo)通。
因此，如圖5中所示，可分別形成從第二節(jié)點(diǎn)N2朝向開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、第一晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的第一到第三電流通路。
換句話說(shuō)，從第二節(jié)點(diǎn)N2朝向開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可形成第一電流通路，從第二節(jié)點(diǎn)N2朝向第一晶體管Tl可形成第二電流通路，從第二節(jié)點(diǎn)N2朝向驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr可形成第二電流通路。
結(jié)果，因?yàn)檩^高的初始化電流沿著在第一時(shí)間tl期間形成的從第一節(jié)點(diǎn)NI到基準(zhǔn)電壓線VL的初始化電流通路以及第三電流通路流動(dòng)，所以第一節(jié)點(diǎn)NI可被初始化為作為初始化電壓的基準(zhǔn)電壓。
此外，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl導(dǎo)通，所以在高電位電壓Vdd與數(shù)據(jù)電壓Vdata之間會(huì)產(chǎn)生電短路，從而產(chǎn)生過(guò)電流。
在一個(gè)例子中，較高的初始化電流可沿著在第一時(shí)間tl期間形成的從第一節(jié)點(diǎn)NI到基準(zhǔn)電壓線VL之間的初始化電流通路以及第三電流通路流動(dòng)。
在這種情形中，高電位電壓Vdd和低電位電壓Vss可分別為5V和-5V，基準(zhǔn)電壓可為-4V。
此外，通過(guò)施加較高的初始化電流，由于發(fā)光控制晶體管Tem和第三晶體管T3的導(dǎo)通電阻Ron會(huì)產(chǎn)生分壓。
在這種情形中，可向與OLED的陽(yáng)極連接的節(jié)點(diǎn)施加-2.8V的電壓，可向第一和第三節(jié)點(diǎn)NI和N3的每一個(gè)施加-2V的電壓。
因此，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，在初始化周期期間，第一節(jié)點(diǎn)NI不會(huì)被初始化為作為初始化電壓的基準(zhǔn)電壓。
結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，獲得的亮度以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth偏移的能力可依賴于數(shù)據(jù)電壓Vdata。
特別是，在較低數(shù)據(jù)電壓Vdata時(shí)，期望亮度的獲得以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth的偏移的能力可能會(huì)惡化。
例如，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓Vdata大約為3V且驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth范圍從大約-2V到大約-4V時(shí)，能夠正常實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)表現(xiàn)和閾值電壓Vth的補(bǔ)償。
與此相對(duì)照，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓Vdata大約為IV且驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth大約為-3V或更小時(shí)，不能正常實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)表現(xiàn)和閾值電壓Vth的補(bǔ)償。
也就是說(shuō)，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓Vdata保持恒定時(shí)，隨著驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth降低，期望亮度的獲得以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth偏移的能力可能會(huì)進(jìn)一步惡化。
此外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth保持恒定時(shí)，隨著數(shù)據(jù)電壓Vdata降低，期望亮度的獲得以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth偏移的能力可能會(huì)進(jìn)一步惡化。
因此，當(dāng)數(shù)據(jù)電壓Vdata或驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓Vth減小時(shí)，基準(zhǔn)電壓的電壓電平應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步下降，以正常采樣(或感測(cè))驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth。
然而，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，因?yàn)橛捎谠诔跏蓟芷谄陂g高電位電壓Vdd與數(shù)據(jù)電壓Vdata之間的電短路而產(chǎn)生過(guò)電流，所以即使進(jìn)一步減小基準(zhǔn)電壓的電壓電平，第一節(jié)點(diǎn)NI也可能不能被初始化為作為初始化電壓的基準(zhǔn)電壓。
結(jié)果，當(dāng)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，在獲得期望亮度以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth偏移的能力方面存在具體限制。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖。因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的一些組件與第一個(gè)實(shí)施方式中的大致相同，所以將主要描述第一和第二實(shí)施方式之間的區(qū)別。
如圖6中所示，在每個(gè)像素區(qū)域中可形成開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem、第一到第三晶體管Tl到T3、第一電容器Cl、第二電容器C2和0LED。
在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，修改了第一到第三晶體管Tl到T3中的連接結(jié)構(gòu)。
第一晶體管Tl的源極和柵極可分別與高電位電壓Vdd的端子和初始化線IL連接，第一晶體管Tl的漏極可與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。
第一晶體管Tl可響應(yīng)于通過(guò)初始化線IL施加(或傳輸)的初始化信號(hào)而導(dǎo)通，并向第二節(jié)點(diǎn)N2施加高電位電壓Vdd。在這種情形中，高電位電壓Vdd例如可為大約5V。
第二晶體管T2的源極和柵極可分別與第三節(jié)點(diǎn)N3和感測(cè)線SEL連接，第二晶體管T2的漏極可與第一節(jié)點(diǎn)NI連接。
第二晶體管T2可響應(yīng)于通過(guò)感測(cè)線SEL施加(或傳輸)的感測(cè)信號(hào)而導(dǎo)通，并向第一節(jié)點(diǎn)NI施加基準(zhǔn)電壓，以將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化。
第三晶體管T3的源極和柵極可分別與發(fā)光控制晶體管Tem的漏極和感測(cè)線SEL連接，第三晶體管T3的漏極可與基準(zhǔn)電壓線VL連接。
第三晶體管T3可響應(yīng)于通過(guò)感測(cè)線SEL施加的感測(cè)信號(hào)而導(dǎo)通，并向OLED的陽(yáng)極施加基準(zhǔn)電壓。
第一電容器Cl可連接在第一節(jié)點(diǎn)NI與第一晶體管Tl的源極之間，并存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓與施加到第一晶體管Tl的源極的電壓之間的電壓差。
第一電容器Cl可為存儲(chǔ)電容器，其用于在一幀期間保持?jǐn)?shù)據(jù)電壓，使得流經(jīng)OLED的電流量能夠保持恒定，且由OLED顯示的灰度級(jí)能夠保持恒定。
第二電容器C2可連接在第一節(jié)點(diǎn)NI與感測(cè)線SEL之間，并存儲(chǔ)第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓與感測(cè)信號(hào)之間的電壓差。
應(yīng)用上述像素結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置可進(jìn)一步包括用于施加初始化信號(hào)的初始化驅(qū)動(dòng)器以及用于施加感測(cè)信號(hào)的感測(cè)驅(qū)動(dòng)器。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)器數(shù)量，可使各個(gè)晶體管的控制信號(hào)彼此分離。
圖7是施加給根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)、第一和第二節(jié)點(diǎn)的電壓、以及流經(jīng)發(fā)光二極管的電流的時(shí)序圖，圖8是用于描述根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作的參考圖。下文將參照?qǐng)D6到8描述根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作。
如圖7中所示，在初始化時(shí)間T_ini期間，可施加低電平感測(cè)信號(hào)Sen和低電平發(fā)光控制信號(hào)Em,并可施加高電平掃描信號(hào)Scan和初始化信號(hào)Init。
在這種情形中，可按如下方式設(shè)置通過(guò)基準(zhǔn)電壓線VL施加的基準(zhǔn)電壓的電壓電平:使得基準(zhǔn)電壓與低電位電壓Vss之間的電壓差低于OLED的閾值電壓Vth。
其中，OLED的閾值電壓Vth例如可為2V。
此外，基準(zhǔn)電壓的電壓電平可設(shè)為低于數(shù)據(jù)電壓Vdata與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth之間的電壓差。
例如，基準(zhǔn)電壓可為大約-4V。
因而，第二和第三晶體管T2和T3以及發(fā)光控制晶體管Tem可分別響應(yīng)于低電平感測(cè)信號(hào)Sen和低電平發(fā)光控制信號(hào)Em而導(dǎo)通，從而可將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化為基準(zhǔn)電壓。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl可在初始化時(shí)間T_ini期間保持截止。
結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，可防止由高電位電壓Vdd與數(shù)據(jù)電壓Vdata之間的電短路而導(dǎo)致的過(guò)電流流動(dòng)。
更具體地說(shuō)，如圖8中所示，在初始化時(shí)間T_ini期間，從第一節(jié)點(diǎn)NI到基準(zhǔn)電壓線VL可形成初始化電流通路。
此外，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl可截止，從而施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓可浮置并降低到大約-2.4V。
因而，沿著從第二節(jié)點(diǎn)N2朝向驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr形成的第三電流通路流動(dòng)的電流會(huì)減小，從而沿著初始化電流通路和第三電流通路流動(dòng)的初始化電流會(huì)減小。
此外，由于初始化電流減小，由發(fā)光控制晶體管Tem和第三晶體管T3的導(dǎo)通電阻Ron導(dǎo)致的分壓會(huì)減小。
在這種情形中，當(dāng)初始化時(shí)間T_ini的持續(xù)時(shí)間足夠長(zhǎng)時(shí),可向與OLED的陽(yáng)極連接的節(jié)點(diǎn)施加大約-3.9V的電壓，可向第一和第二節(jié)點(diǎn)NI和N2施加大約-3.8V的電壓。
因此，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，在始化時(shí)間T_ini期間，第一節(jié)點(diǎn)NI可被初始化為大約-3.8V，這大約等于與初始化電壓對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓。
此外，可向與OLED的陽(yáng)極連接的節(jié)點(diǎn)施加大約-3.9V的電壓，從而與OLED的陽(yáng)極連接的節(jié)點(diǎn)的電壓與低電位電壓Vss之間的電壓差會(huì)變得小于OLED的閾值電壓Vth，以阻止OLED發(fā)光。
在初始化時(shí)間T_ini期間施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為基準(zhǔn)電壓，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為高電位電壓Vdd。
在感測(cè)時(shí)間T_sen期間，可施加低電平感測(cè)信號(hào)Sen和高電平發(fā)光控制信號(hào)Em，并可施加低電平掃描信號(hào)Scan和高電平初始化信號(hào)Init。
結(jié)果，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可響應(yīng)于低電平感測(cè)信號(hào)Sen而導(dǎo)通，并感測(cè)驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth。
此外，數(shù)據(jù)電壓Vdata可沿著從第二節(jié)點(diǎn)N2到第一節(jié)點(diǎn)NI的采樣/寫入電流通路而施加到第一節(jié)點(diǎn)NI，其中采樣/寫入電流通路通過(guò)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第二晶體管T2而形成。
在感測(cè)時(shí)間T sen期間施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為“Vdata-Vth”或更小，以實(shí)現(xiàn)正常的采樣(感測(cè))操作。
此外，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為“Vdata”。
在感測(cè)時(shí)間T_sen期間，驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth和數(shù)據(jù)電壓Vdata可同時(shí)存儲(chǔ)在第一電容器Cl中。
這里，發(fā)光控制晶體管Tem和第一晶體管Tl可處于截止?fàn)顟B(tài)。
在保持時(shí)間T_hold期間，在感測(cè)信號(hào)Sen從低到高轉(zhuǎn)換期間可施加感測(cè)信號(hào)Sen，在發(fā)光控制信號(hào)Em從高到低轉(zhuǎn)換期間可施加發(fā)光控制信號(hào)Em，在掃描信號(hào)Scan從低到高轉(zhuǎn)換期間可施加掃描信號(hào)Scan，在初始化信號(hào)Init從高到低轉(zhuǎn)換期間可施加初始化信號(hào)Init0
結(jié)果，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、發(fā)光控制晶體管Tem、以及第一到第三晶體管Tl到T3的狀態(tài)會(huì)改變。
更具體地說(shuō)，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，第一晶體管Tl可從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，第二和第三晶體管T2和T3的每一個(gè)都可從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，發(fā)光控制晶體管Tem可從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
在保持時(shí)間T_hold期間，施加給第二電容器C2的一端的感測(cè)信號(hào)Sen可實(shí)現(xiàn)從低到高轉(zhuǎn)換。
因而，在由于第二電容器C2的耦合效應(yīng)導(dǎo)致的電壓變化的影響下，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可升高。
此外，在保持時(shí)間T_hold期間，在施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓變化的影響下，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2也可升高。
在這種情形中，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，初始化時(shí)間T_in1、感測(cè)時(shí)間T_sen和保持時(shí)間T_hold之和可為一個(gè)水平周期1H。
在發(fā)光時(shí)間T_em期間,可施加高電平感測(cè)信號(hào)Sen和低電平發(fā)光控制信號(hào)Em,并可施加高電平掃描信號(hào)Scan和低電平初始化信號(hào)Init。
結(jié)果，通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光控制晶體管Tem、第一晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr，可形成從第二節(jié)點(diǎn)N2到OLED的發(fā)光電流通路，電流I_D可沿著發(fā)光電流通路流進(jìn)OLED中，以實(shí)現(xiàn)發(fā)光狀態(tài)。
這里，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三T2和T3可處于截止?fàn)顟B(tài)。
在發(fā)光時(shí)間T_em期間，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為“Vdata-Vth”，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為“Vdd”。
在這種情形中，流經(jīng)OLED的電流I_D可由等式2限定:
1led=0.5*K* (Vdd-Vdata)2 (2)
其中k是由驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的結(jié)構(gòu)和物理特性，例如驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的遷移率以及驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的溝道寬度W與其溝道長(zhǎng)度L的比率W/L確定的比例常數(shù)。
結(jié)果，在發(fā)光時(shí)間T_em期間流經(jīng)OLED的電流1_可與驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth不相關(guān)，并可由高電位電壓Vdd和數(shù)據(jù)電壓Vdata確定。
因此，可改善由晶體管特性之間的差別導(dǎo)致的亮度的不均勻。
在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，在初始化周期期間，較高的初始化電流可沿著初始化電流通路和第三電流通路流動(dòng)。
此外，通過(guò)施加較高的初始化電流，由于發(fā)光控制晶體管Tem和第三晶體管T3的導(dǎo)通電阻Ron會(huì)發(fā)生分壓，從而第一節(jié)點(diǎn)NI可能不會(huì)被初始化為對(duì)應(yīng)于初始化電壓的基準(zhǔn)電壓。
結(jié)果，因?yàn)榈谝还?jié)點(diǎn)NI不會(huì)被初始化為基準(zhǔn)電壓，所以根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)可能會(huì)受到前一幀的數(shù)據(jù)電壓Vdata的影響。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，根據(jù)數(shù)據(jù)電壓Vdata,可能會(huì)使亮度的獲得惡化。
特別是，根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)在黑-白轉(zhuǎn)換期間可能不能達(dá)到一幀的白色亮度，由此會(huì)使響應(yīng)特性退化。
然而，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl在初始化時(shí)間T_ini期間截止，所以沿著初始化電流通路和第三電流通路流動(dòng)的初始化電流可減小。
此外，因?yàn)槌跏蓟娏鳒p小，所以由于發(fā)光控制晶體管Tem和第三晶體管T3的導(dǎo)通電阻(Ron)而導(dǎo)致的分壓會(huì)減小，從而第一節(jié)點(diǎn)NI能夠被初始化為大約-3.8V，這大約等于基準(zhǔn)電壓。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，可通過(guò)增加驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量使各個(gè)晶體管的控制信號(hào)分離，從而可控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)，以改善初始化特性。
結(jié)果，因?yàn)榈谝还?jié)點(diǎn)NI可被初始化為基準(zhǔn)電壓，所以根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)可不受前一幀的數(shù)據(jù)電壓Vdata的影響。
因而，根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)可改善響應(yīng)特性的退化、亮度惡化以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth偏移的能力的惡化。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的示意性等效電路圖。
參照?qǐng)D9，在每個(gè)像素區(qū)域中可形成開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem、第一到第三晶體管Tl到T3、第一電容器Cl、第二電容器C2和0LED。
在根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，修改了開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、發(fā)光控制晶體管Tem和第一到第三晶體管Tl到T3中的連接結(jié)構(gòu)。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的源極和柵極可分別與數(shù)據(jù)線DL和第N+1條掃描線SCL (N+1)連接，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的漏極可與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可響應(yīng)于通過(guò)第N+1條掃描線SCL (N+1)施加的第N+1個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，并向第二節(jié)點(diǎn)N2施加數(shù)據(jù)電壓Vdata。
發(fā)光控制晶體管Tem的源極和柵極可分別與第三節(jié)點(diǎn)N3和第N+1條發(fā)光控制線EL (N+1)連接，發(fā)光控制晶體管Tem的漏極可與OLED的一個(gè)電極連接。
發(fā)光控制晶體管Tem可響應(yīng)于通過(guò)第N+1條發(fā)光控制線EL (N+1)施加的第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通，并控制OLED的發(fā)光時(shí)間點(diǎn)。
第一晶體管Tl的源極和柵極可分別與高電位電壓Vdd的端子和第N條發(fā)光控制線EL (N)連接，第一晶體管Tl的漏極可與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。
第一晶體管Tl可響應(yīng)于通過(guò)第N條發(fā)光控制線EL (N)施加的第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通,并向第二節(jié)點(diǎn)N2施加高電位電壓Vdd。在這種情形中，高電位電壓Vdd例如可為大約5V。
第二晶體管T2的源極和柵極可分別與第三節(jié)點(diǎn)N3和第N條掃描線SCL(N)連接，第二晶體管T2的漏極可與第一節(jié)點(diǎn)NI連接。
第二晶體管T2可響應(yīng)于通過(guò)第N條掃描線SCL (N)施加的第N個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，并向第一節(jié)點(diǎn)NI施加基準(zhǔn)電壓，以將第一節(jié)點(diǎn)NI初始化。
第三晶體管T3的源極和柵極可分別與發(fā)光控制晶體管Tem的漏極和第N條掃描線SCL (N)連接，第三晶體管T3的漏極可與基準(zhǔn)電壓線VL連接。
第三晶體管T3可響應(yīng)于通過(guò)第N條掃描線SCL (N)施加的第N個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，并向OLED的陽(yáng)極施加基準(zhǔn)電壓。
在應(yīng)用上述像素結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，在無(wú)需形成附加驅(qū)動(dòng)器的條件下，通過(guò)使用掃描驅(qū)動(dòng)器和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器的輸出可控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)。
換句話說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置可使用下一水平線的控制信號(hào)以及當(dāng)前水平線的控制信號(hào)來(lái)控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)，由此改善了初始化特性。
因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的一些組件大致與第三個(gè)實(shí)施方式中的相同，所以將主要描述第三和第四個(gè)實(shí)施方式之間的區(qū)別。
如圖10中所示，在每個(gè)像素區(qū)域中可形成開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr、發(fā)光控制晶體管Tem、第一到第三晶體管Tl到T3、第一電容器Cl、第二電容器C2和0LED。
在根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，修改了第三晶體管T3的連接結(jié)構(gòu)。
第三晶體管T3的源極和柵極可分別與發(fā)光控制晶體管Tem的漏極和第N條掃描線SCL (N)連接，第三晶體管T3的漏極可與低電位電壓Vss的端子連接。
第三晶體管T3可響應(yīng)于通過(guò)第N條掃描線SCL (N)施加的第N個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，并向OLED的陽(yáng)極施加低電位電壓Vss。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，第三晶體管T3的漏極可與低電位電壓Vss的端子連接，從而可取消基準(zhǔn)電壓線VL。
圖11是施加給根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的多個(gè)控制信號(hào)的時(shí)序圖。下文將參照?qǐng)D10和11描述根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素區(qū)域的操作。
參照?qǐng)D11，在初始化時(shí)間T_ini期間，可施加低電平的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)和高電平的第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1 )，并可施加高電平的第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)和低電平的第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)。
在這種情形中，初始化時(shí)間T_ini可為一個(gè)水平周期1H。
這里，通過(guò)基準(zhǔn)電壓線VL施加的基準(zhǔn)電壓可具有例如大約-4V的電壓電平，低電位電壓Vss可具有例如-5V的電壓電平。
因此，第二和第三晶體管T2和T3以及發(fā)光控制晶體管Tem可分別響應(yīng)于低電平的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)和第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)而導(dǎo)通，從而第一節(jié)點(diǎn)NI可被初始化為基準(zhǔn)電壓。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第一晶體管Tl在初始化時(shí)間T_ini期間保持截止，所以可防止由高電位電壓Vdd與數(shù)據(jù)電壓Vdata之間的電短路而導(dǎo)致的過(guò)電流流動(dòng)。
在感測(cè)時(shí)間T_sen期間，可施加低電平的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)和低電平的第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1 )，并可施加高電平的第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)和高電平的第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)。
在這種情形中，感測(cè)時(shí)間T_sen可為一個(gè)水平周期1H。
結(jié)果，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可分別響應(yīng)于第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1)和低電平的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)而導(dǎo)通,并感測(cè)驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr的閾值電壓Vth。
此外，數(shù)據(jù)電壓Vdata可沿著從第二節(jié)點(diǎn)N2到第一節(jié)點(diǎn)NI的采樣/寫入電流通路而施加到第一節(jié)點(diǎn)NI，其中采樣/寫入電流通路通過(guò)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)晶體管Tsw和第二晶體管T2而形成。
在感測(cè)時(shí)間T_sen期間,施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為“ Vdata-Vth”或更小，以實(shí)現(xiàn)正常的采樣(或感測(cè))操作。
此外，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可為“Vdata”。
在感測(cè)時(shí)間T_sen期間，發(fā)光控制晶體管Tem和第一晶體管Tl可處于截止?fàn)顟B(tài)。
在保持時(shí)間T_hold期間，可施加高電平的第N掃描信號(hào)Scan (N)，在第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1)從低到高轉(zhuǎn)換期間可施加第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1 )，在第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)從高到低轉(zhuǎn)換期間可施加第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N),并可施加高電平的第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)。
在這種情形中，保持時(shí)間T hold可為兩個(gè)水平周期2H。
因而，可在兩個(gè)水平周期2H期間以高電平施加第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)，可在一個(gè)水平周期IH期間以低電平施加第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1 )，并可在一個(gè)水平周期IH期間以高電平施加第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1)。
此外，可在一個(gè)水平周期IH期間以高電平施加第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)，并可在一個(gè)水平周期IH期間以低電平施加第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)，可在兩個(gè)水平周期2H期間以高電平施加第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)。
在保持時(shí)間T_hold的第一個(gè)水平周期IH期間，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可保持導(dǎo)通狀態(tài)，第二和第三晶體管T2和T3可從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，第一晶體管Tl和發(fā)光控制晶體管Tem可保持截止?fàn)顟B(tài)。
因而，因?yàn)槭┘咏o第二電容器C2的一端的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)在保持時(shí)間T_hold的第一個(gè)水平周期IH期間進(jìn)行從低到高的轉(zhuǎn)換，所以在由于第二電容器C2的耦合效應(yīng)導(dǎo)致的電壓變化的影響下，施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可升高。
接著，在保持時(shí)間T_hold的第二個(gè)水平周期IH期間，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw可從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，第二和第三晶體管T2和T3以及發(fā)光控制晶體管Tem的每一個(gè)都可保持截止?fàn)顟B(tài)，第一晶體管Tl可從截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。
因而，通過(guò)截止開(kāi)關(guān)晶體管Tsw并導(dǎo)通第一晶體管Tl，第二節(jié)點(diǎn)N2會(huì)受到第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓變化的影響。
因此，在保持時(shí)間T_hold的第二個(gè)水平周期IH期間，施加給第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓VN2可升高并最終達(dá)到“Vdd”。
在發(fā)光時(shí)間T_em期間，可施加高電平的第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)和高電平的第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1 )，并可施加低電平的第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)和低電平的第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)。
結(jié)果，通過(guò)導(dǎo)通發(fā)光控制晶體管Tem、第一晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)器晶體管Tdr，可形成從第二節(jié)點(diǎn)N2到OLED的發(fā)光電流通路，電流Imd可沿著發(fā)光電流通路流進(jìn)0LED，以實(shí)現(xiàn)發(fā)光狀態(tài)。
這里，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw以及第二和第三晶體管T2和T3可處于截止?fàn)顟B(tài)。
同時(shí)，如圖11中所示，在一個(gè)水平周期IH期間，可控制第N個(gè)掃描信號(hào)Scan (N)和第N+1個(gè)掃描信號(hào)Scan (N+1)彼此重疊。
此外，在兩個(gè)水平周期2H期間，可控制第N個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N)和第N+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)Em (N+1)彼此重疊。
結(jié)果，在根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，在無(wú)需形成附加驅(qū)動(dòng)器的條件下可使用掃描驅(qū)動(dòng)器和發(fā)光控制驅(qū)動(dòng)器的輸出來(lái)控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)。
圖12A和12B是用于描述根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的初始化特性的參考圖，圖13A和13B是用于描述根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的初始化特性的參考圖。
如圖12A中所示，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，在初始化時(shí)間t期間保持大約2 μ A的初始化電流IMf。
在這種情形中，初始化時(shí)間t可為大約6 μ S。
結(jié)果，如圖12Β中所示，在初始化時(shí)間t期間施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl可為大約-2V，這比大約-4V的初始化電壓高(參考部分A)，其中Vanode表示施加給陽(yáng)極的電壓。
也就是說(shuō)，在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，因?yàn)樵诔跏蓟瘯r(shí)間t期間，相對(duì)較高的初始化電流IMf流經(jīng)初始化電流通路，所以第一節(jié)點(diǎn)NI不會(huì)被初始化為初始化電壓。
與此相對(duì)照，如圖13A中所示，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，在初始化時(shí)間t期間初始化電流Iref達(dá)到峰值并急劇下降。
結(jié)果，如圖13B中所示，在初始化時(shí)間t期間施加給第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓VNl下降并最終達(dá)到大約-4V的初始化電壓(參考部分B)。
因此，在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，因?yàn)樵诔跏蓟瘯r(shí)間t期間，較低的初始化電流IMf流經(jīng)初始化電流通路，所以第一節(jié)點(diǎn)NI可被初始化為初始化電壓。
盡管未示出，根據(jù)本發(fā)明第三和第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)可獲得與第二個(gè)實(shí)施方式中相同的效果。
如至此所描述的，在根據(jù)本發(fā)明第二到第四個(gè)實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，不必使用附加晶體管就可控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)，從而與驅(qū)動(dòng)器晶體管的源極連接的節(jié)點(diǎn)在初始化時(shí)間期間可浮置，與驅(qū)動(dòng)器晶體管的柵極連接的節(jié)點(diǎn)可被初始化為初始化電壓電平。
結(jié)果，響應(yīng)特性的退化、亮度惡化以及補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓偏移的能力的惡化可得到改善。
此外，當(dāng)OLED顯示裝置應(yīng)用觸摸屏面板時(shí)，可改善觸摸噪聲。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法中，不必使用附加晶體管就可控制每個(gè)晶體管導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)，從而與驅(qū)動(dòng)器晶體管的源極連接的節(jié)點(diǎn)在初始化時(shí)間期間可浮置，與驅(qū)動(dòng)器晶體管的柵極連接的節(jié)點(diǎn)可被初始化為初始化電壓電平。
結(jié)果，可改善響應(yīng)特性的退化和亮度惡化，并能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓偏移以及在高電位電壓端子處發(fā)生的波動(dòng)。
此外，因?yàn)榭蓽p小在初始化時(shí)間期間產(chǎn)生的較高初始化電流并可應(yīng)用較長(zhǎng)的初始化時(shí)間，所以可抑制對(duì)比度降低以及功耗升高。
此外，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置應(yīng)用觸摸屏面板時(shí)，可改善觸摸噪聲。
在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明的顯示裝置中可進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等效范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的所有修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，包括: 與高電位電壓端子和第二節(jié)點(diǎn)連接的第一晶體管； 與數(shù)據(jù)線和所述第二節(jié)點(diǎn)連接的開(kāi)關(guān)晶體管； 與驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和第一節(jié)點(diǎn)連接的第二晶體管； 與所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和OLED的一個(gè)電極連接的發(fā)光控制晶體管； 與所述OLED的所述一個(gè)電極連接的第三晶體管，所述第三晶體管用于減小施加給所述OLED的所述一個(gè)電極的電壓；和 連接在所述高電位電壓端子與所述第一節(jié)點(diǎn)之間的第一電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一晶體管的柵極和所述發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線連接，所述第一晶體管和所述發(fā)光控制晶體管響應(yīng)于通過(guò)所述發(fā)光控制線傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通，以及 其中，所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極以及所述第二晶體管的柵極和所述第三晶體管的柵極與掃描線連接，所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述第二晶體管和所述第三晶體管響應(yīng)于通過(guò)所述掃描線傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)而導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一晶體管的柵極與初始化線連接，并響應(yīng)于通過(guò)所述初始化線傳輸?shù)某跏蓟盘?hào)而導(dǎo)通， 所述發(fā)光控制晶體管的柵極與發(fā)光控制線連接，并響應(yīng)于通過(guò)所述發(fā)光控制線傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通， 所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與掃描線連接，并響應(yīng)于通過(guò)所述掃描線傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)而導(dǎo)通，以及 所述第二晶體管的柵極和所述第三晶體管的柵極與感測(cè)線連接，并響應(yīng)于通過(guò)所述感測(cè)線傳輸?shù)母袦y(cè)信號(hào)而導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一晶體管的柵極與第N條發(fā)光控制線連接，并響應(yīng)于通過(guò)第N條發(fā)光控制線傳輸?shù)牡贜個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通， 所述發(fā)光控制晶體管的柵極與第N+1條發(fā)光控制線連接，并響應(yīng)于通過(guò)第N+1條發(fā)光控制線傳輸?shù)牡贜+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通， 所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與第N+1條掃描線連接，并響應(yīng)于通過(guò)第N+1條掃描線傳輸?shù)牡贜+1個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，以及 所述第二晶體管的柵極和所述`第三晶體管的柵極與第N條掃描線連接，并響應(yīng)于通過(guò)第N條掃描線傳輸?shù)牡贜個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第三晶體管的漏極與用于提供基準(zhǔn)電壓的基準(zhǔn)電壓線連接，或者與用于提供低電位電壓的低電位電壓端子連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括連接在所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二晶體管的柵極之間的第二電容器。
7.一種用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)器晶體管、發(fā)光控制晶體管、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電容器、第二電容器以及0LED，所述方法包括: 在所述第二晶體管和第三晶體管以及發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通操作期間，將與所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的柵極連接的第一節(jié)點(diǎn)初始化；在所述開(kāi)關(guān)晶體管以及第二晶體管和第三晶體管的導(dǎo)通操作期間，感測(cè)所述驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓，并向所述第一節(jié)點(diǎn)傳輸數(shù)據(jù)電壓；以及 在所述發(fā)光控制晶體管的導(dǎo)通操作期間使所述OLED發(fā)光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一晶體管和所述發(fā)光控制晶體管響應(yīng)于通過(guò)發(fā)光控制線傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通，以及 所述開(kāi)關(guān)晶體管以及所述第二晶體管和第三晶體管響應(yīng)于通過(guò)掃描線傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)而導(dǎo)通。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一晶體管響應(yīng)于通過(guò)初始化線傳輸?shù)某跏蓟盘?hào)而導(dǎo)通，所述發(fā)光控制晶體管與發(fā)光控制線連接并響應(yīng)于通過(guò)所述發(fā)光控制線傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通，所述開(kāi)關(guān)晶體管響應(yīng)于通過(guò)掃描線傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)而導(dǎo)通，所述第二晶體管和第三晶體管響應(yīng)于通過(guò)感測(cè)線傳輸?shù)母袦y(cè)信號(hào)而導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一晶體管響應(yīng)于通過(guò)第N條發(fā)光控制線傳輸?shù)牡贜個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通， 所述發(fā)光控制晶體管響應(yīng)于通過(guò)第N+1條發(fā)光控制線傳輸?shù)牡贜+1個(gè)發(fā)光控制信號(hào)而導(dǎo)通， 所述開(kāi)關(guān)晶體管響應(yīng)于通過(guò)第N+1條掃描線傳輸?shù)牡贜+1個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通，以及 所述第二晶體管和第三晶體管通過(guò)第N條掃描線傳輸?shù)牡贜個(gè)掃描信號(hào)而導(dǎo)通。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第三晶體管向所述OLED的一個(gè)電極施加基準(zhǔn)電壓或低電位電 壓。
全文摘要
提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。所述顯示裝置包括與高電位電壓端子和第二節(jié)點(diǎn)連接的第一晶體管；與數(shù)據(jù)線和第二節(jié)點(diǎn)連接的開(kāi)關(guān)晶體管；與驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和第一節(jié)點(diǎn)連接的第二晶體管；與驅(qū)動(dòng)器晶體管的漏極和OLED的一個(gè)電極連接的發(fā)光控制晶體管；與OLED的所述一個(gè)電極連接的第三晶體管，所述第三晶體管用于減小施加給OLED的所述一個(gè)電極的電壓；和連接在高電位電壓端子與第一節(jié)點(diǎn)之間的第一電容器。由此，與驅(qū)動(dòng)器晶體管的柵極連接的節(jié)點(diǎn)可被初始化為初始化電壓電平。因而，可改善初始化特性，以改善響應(yīng)特性的退化和亮度惡化，并可補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)器晶體管的閾值電壓偏移以及在高電位電壓端子處發(fā)生的波動(dòng)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103137067SQ20121047908
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月5日
發(fā)明者李定忞, 沈載昊 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司