有機發(fā)光二極管像素電路與顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管像素電路與顯示器。在所揭露的像素電路，驅(qū)動一有機發(fā)光二極管的一驅(qū)動晶體管在控制下提供該像素電路一重置操作以及一補償操作，以將該驅(qū)動晶體管的臨界電壓數(shù)值記憶在該驅(qū)動晶體管的控制端上。在該補償操作中，該驅(qū)動晶體管與該有機發(fā)光二極管之間的一連結(jié)點需作特別控制。本案像素電路揭露一開關(guān)電路根據(jù)一控制信號將該連結(jié)點耦接至一控制電位。該控制信號的使能區(qū)間涵蓋該重置以及該補償操作的作用區(qū)間。
【專利說明】有機發(fā)光二極管像素電路與顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)的像素電路
與顯不器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(OLED)通常耦接一驅(qū)動晶體管，由該驅(qū)動晶體管傳遞電流驅(qū)動之。然而，驅(qū)動晶體管會隨著時間劣化，其臨界電壓會隨著時間改變，導(dǎo)致所提供的電流偏移，無法正確驅(qū)動有機發(fā)光二極管。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本案揭露一種有機發(fā)光二極管像素電路與顯示器。
[0004]根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的有機發(fā)光二極管像素電路包括:一有機發(fā)光二極管、一驅(qū)動晶體管、第一至第三開關(guān)晶體管、一電容以及一開關(guān)電路。該第一開關(guān)晶體管、該驅(qū)動晶體管以及該有機發(fā)光二極管串接于一第一工作電壓端以及一第二工作電壓端之間。該第一開關(guān)晶體管由一第一信號控制。該驅(qū)動晶體管的一第一端與一第二端分別耦接該第一開關(guān)晶體管以及該有機發(fā)光二極管，且該驅(qū)動晶體管具有一控制端。該第二開關(guān)晶體管耦接于該驅(qū)動晶體管的上述第一端與控制端之間，且由一第二信號控制。該第三開關(guān)晶體管在一掃描線所提供的信號控制下傳遞一數(shù)據(jù)線的信號至一電路節(jié)點。該電容耦接于該電路節(jié)點與該驅(qū)動晶體管的該控制端之間。該開關(guān)電路是在一第三信號控制下將該驅(qū)動晶體管該第二端耦接至一控制電位。
[0005]上述各信號的一種實施方式如下。該第一信號包括一第一階段使能區(qū)間以及一第二階段使能區(qū)間。該第一信號的該第一階段使能區(qū)間早于該第二信號的使能區(qū)間。該第一信號的該第二階段使能區(qū)間晚于一像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間。該第三信號的使能區(qū)間涵蓋該第一信號的該第一階段使能區(qū)間以及該第二信號的使能區(qū)間。該控制電位于該第二信號的使能區(qū)間為一特定電位，使該驅(qū)動晶體管該第二端的電位下拉。
[0006]根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的一有機發(fā)光二極管顯示器，包括一像素陣列、一驅(qū)動模塊以及一微控制器。該像素陣列采用以上所揭露的有機發(fā)光二極管像素電路。驅(qū)動模塊用于驅(qū)動該像素陣列播放影像。微控制器用于控制該驅(qū)動模塊驅(qū)動該像素陣列。
[0007]本發(fā)明實施例的有機發(fā)光二極管像素電路，其驅(qū)動晶體管的臨界電壓隨著時間不會發(fā)生改變，其所提供的電流也不會發(fā)生偏移，因此可以正確驅(qū)動有機發(fā)光二極管。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中:
[0009]圖1圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的一有機發(fā)光二極管像素電路；
[0010]圖2A圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW ；[0011]圖2B以一畫面為例，針對圖2A所揭露的開關(guān)電路SW列舉圖1像素電路的信號波形，其中像素電路有一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作；
[0012]圖3A、3B、3C以及3D分別說明上述重置、補償、像素數(shù)據(jù)寫入以及發(fā)光操作下，驅(qū)動晶體管T dri的狀態(tài)；
[0013]圖4A圖解根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW ；
[0014]圖4B以一畫面為例，針對圖4A所揭露的開關(guān)電路SW列舉圖1像素電路的信號波形，其中像素電路有一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作；
[0015]圖5A與圖5B圖解根據(jù)本發(fā)明其他實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW ；
[0016]圖6圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的一有機發(fā)光二極管顯示器600。
[0017]附圖標號: [0018]600-有機發(fā)光二極管顯示器；
[0019]602~像素陣列；
[0020]604~驅(qū)動模塊；
[0021]606~微控制器；
[0022]Cl、C2~第一、第二電容；Cc、Ce’~耦合電容；
[0023]C0M~第二信號；
[0024]C_0LED~旁路電容；
[0025]CS~第三信號；
[0026]D、S以及G~驅(qū)動晶體管T_dri的第一端、第二端以及控制端；
[0027]Data~數(shù)據(jù)線；
[0028]ELVDD、ELVSS~高、低電源端；
[0029]VREF參考電源端；
[0030]ENB 第一信號；
[0031]曠電路節(jié)點；
[0032]OFF^不導(dǎo)通標示；
[0033]OLED~有機發(fā)光二極管；
[0034]ON~導(dǎo)通標示；
[0035]RST、RST’~信號(作第三信號CS使用);
[0036]SN~掃描線；
[0037]SW~開關(guān)電路；
[0038]TD、TDG、TN、TNS、TS、T_SW~開關(guān)晶體管；
[0039]T_dr i~驅(qū)動晶體管；
[0040]Vcontrol~控制電位；
[0041]VGL~低準位。
【具體實施方式】
[0042]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖示，詳細說明如下。
[0043]圖1圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的一有機發(fā)光二極管像素電路，其中包括:有機發(fā)光二極管OLED、驅(qū)動晶體管T_dr1、開關(guān)晶體管TD、TDG以及T_SW、電容C1、C2與開關(guān)電路SW。電容C2可視使用者需求決定是否使用。此外，使用者可視需求決定是否更設(shè)置耦合電容Ce或Ce’。符號C_OLED標示該有機發(fā)光二極管OLED的旁路電容。
[0044]如圖所示，開關(guān)晶體管TD以及驅(qū)動晶體管T_dri與有機發(fā)光二極管OLED串接于一高電源端ELVDD (可視為一第一工作電壓端)以及一低電源端ELVSS (可視為一第二工作電壓端)之間。開關(guān)晶體管TD由一第一信號ENB控制。驅(qū)動晶體管T_dri的一第一端(以N型薄膜場效晶體管為例，該第一端為漏極，標示為D)與一第二端(源極，標示為S)分別耦接開關(guān)晶體管TD以及有機發(fā)光二極管0LED，且驅(qū)動晶體管T_dri具有一控制端(柵極，標示為G)。開關(guān)晶體管TDG耦接于驅(qū)動晶體管T_dri的上述第一端D與控制端G之間，且由一第二信號COM控制。開關(guān)晶體管T_SW在一掃描線SN所提供的信號控制下傳遞一數(shù)據(jù)線Data的信號至一電路節(jié)點N。第一電容Cl耦接于電路節(jié)點N與驅(qū)動晶體管T_dri的該控制端G之間。開關(guān)電路SW是在一第三信號CS控制下將該驅(qū)動晶體管T_dri該第二端S(甚至上述電路節(jié)點N)耦接至一控制電位Vcontrol。至于第二電容C2則可耦接于驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S以及該電路節(jié)點N之間。耦合電容Ce可耦接于驅(qū)動晶體管T_dri的該第一端D以及開關(guān)晶體管TDG的一控制端(以N型薄膜場效晶體管為例，該控制端為柵極)之間。耦合電容Ce’可耦接該驅(qū)動晶體管T_dri的該第一端D至該高電源端ELVDD或該電源端ELVSS或一參考電源端(可標號為VREF)。
[0045]開關(guān)電路SW的設(shè)計為本案一重點。第三信號CS具有不同于該第一與該第二信號ENB與COM的使能區(qū)間。
[0046]圖2A圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW，其中包括一開關(guān)晶體管TS，且是以信號RST’實現(xiàn)上述第三信號CS，并以參考電源端VREF或第一信號ENB的電位(在信號RST’使能時為一特定電位(如低電源端ELVSS的電位)，以下拉該驅(qū)動晶體管T_dri該第二端S的電位)作為上述控制電位Vcontrol。如圖所示，開關(guān)晶體管TS根據(jù)信號RST’將驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S耦接該參考電源端VREF或第一信號ENB。
[0047]圖2B以一畫面為例，針對圖2A所揭露的開關(guān)電路SW列舉圖1像素電路的信號波形，其中像素電路有一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作。如圖所示，第一信號ENB分兩階段使能。在重置操作下，第一信號ENB處于其第一階段使能區(qū)間。該第二信號COM的使能區(qū)間設(shè)置在該第一信號ENB的第一階段使能區(qū)間之后，像素電路作補償操作。像素數(shù)據(jù)寫入操作提供一像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間，設(shè)計在上述重置操作以及補償操作完成后。發(fā)光操作設(shè)計在該像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間結(jié)束后，隨著該第一信號ENB的第二階段使能區(qū)間啟動。
[0048]如圖所示，信號RST’的使能區(qū)間涵蓋重置操作與補償操作。此外，該掃描線SN上的信號在上述重置與補償操作中處于使能區(qū)間，數(shù)據(jù)線Data此時供應(yīng)有該參考電源端VREF的準位數(shù)據(jù)(或稱低準位數(shù)據(jù))。該掃描線SN上的信號在像素數(shù)據(jù)寫入操作時亦處于使能區(qū)間，數(shù)據(jù)線Data此時供應(yīng)有像素數(shù)據(jù)(據(jù)以驅(qū)動該有機發(fā)光二極管OLED發(fā)光)。
[0049]圖3A、3B、3C以及3D分別對應(yīng)上述重置、補償、像素數(shù)據(jù)寫入以及發(fā)光操作，用于說明該驅(qū)動晶體管T_dri的狀態(tài)。以下將圖1像素電路搭配圖2A開關(guān)電路SW設(shè)計以及圖2B信號時序詳細討論之，其中令圖2A的開關(guān)晶體管TS —端所連接的是該參考電源端VREF0另外，以下為了說明方便有考慮第二電容C2。[0050]此段落討論重置操作(圖3A)。第一信號ENB使能使得開關(guān)晶體管TD導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D耦接高電壓源ELVDD。信號RST’使能使得開關(guān)晶體管TS導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S耦接該參考電源端VREF，準位為低準位VGL。掃描線SN的信號使能使得數(shù)據(jù)線Data傳遞的低準位數(shù)據(jù)得以傳遞至電路節(jié)點N，使之處于低準位VGL，耦合驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G至低準位使驅(qū)動晶體管T_dri不導(dǎo)通(如標示OFF)。
[0051]此段落討論補償操作(圖3B)。第一信號ENB除能使開關(guān)晶體管TD不導(dǎo)通，不再影響驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D電位。掃描線SN信號可持續(xù)使能，使數(shù)據(jù)線Data傳遞的低準位數(shù)據(jù)得以持續(xù)維持該電路節(jié)點N在低準位VGL。第二信號COM使能使開關(guān)晶體管TDS導(dǎo)通，驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D與控制端G短路，驅(qū)動晶體管T_dri呈二極管連結(jié)。信號RST’持續(xù)使能，維持耦接驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S至低準位VGL。如此一來，驅(qū)動晶體管T_dri第一端D原本的高準位(如圖3A所示，為高電源端ELVDD的準位)可經(jīng)驅(qū)動晶體管T_dri放電至準位VGL+Vt。短路的端點G與D使得驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G的準位一并控制在準位VGL+Vt，Vt (驅(qū)動晶體管T_dri的臨界電壓)藉此記憶在驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G上的電容Cl。
[0052]特別說明之，像素電路自重置操作切換至補償操作時(第一信號ENB由高準位切換成低準位，第二信號COM由低準位切換成高準位)可能會對電路其他端點產(chǎn)生電位耦合。耦合電容Ce、Ce’的設(shè)置可維持該驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D不受第一信號ENB的除能切換影響，在補償操作放電前維持高準位(ELVDD)。另外，第二信號COM的使能切換也可經(jīng)由耦合電容Ce強力耦合至該驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D，推升其電位。
[0053]此段落討論像素數(shù)據(jù)寫入操作(圖3C)。第一信號ENB維持除能，使驅(qū)動晶體管T_dri的第一端D電位不受影響。第二信號COM除能，使開關(guān)晶體管TDG斷開，驅(qū)動晶體管T_dri不再呈二極管連結(jié)。第三信號RST’除能，以斷開該驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S與參考電源端VREF的耦接。掃描線SN上信號使能，數(shù)據(jù)線Data所傳遞的像素數(shù)據(jù)(同樣標號為Data)得以傳遞至該電路節(jié)點N?？剂侩娐饭?jié)點N至驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G與第二端S的電位耦合作用以及電容乘積效應(yīng)(分別以電容乘積參數(shù)fI以及f2標示，除了考量第一與第二電容Cl、C2外，更考量晶體管的寄生電容如Cgs，Cgd, Cox)，驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G與第二端S的電位V(G)與V (S)可分別為:
[0054]V (G) = (VGL+Vt)+f I.(Data-VGL)；
[0055]V (S) =VGL+f2.(Data-VGL);其中
[0056]H=ClMCrkCrc1)-1; Cpg 為 G 點的寄生電容值；
[0057]f2=C2* (C2—1+tv1)—1; Cps 為 S 點的寄生電容值。
[0058]驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G與第二端S的電位差Vgs可為:
[0059]Vgs=V (G) -V(S) = (fl-f2).(Data-VGL) +Vt0
[0060]由于像素數(shù)據(jù)寫入操作理想是令該有機發(fā)光二極管OLED不導(dǎo)通但該驅(qū)動晶體管T_dri導(dǎo)通(以符號ON標示之)，故V(S)需小于ELVSS+Voled(0)且電位Vgs需大于臨界電位Vt ；Voled (O)為有機發(fā)光二極管OLED的導(dǎo)通起始電位。一種實施方式是對電容Cl與C2有特殊設(shè)計，以滿足上述理想操作條件。
[0061]特別說明之，信號RST’的使能區(qū)段可延伸到像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間。如此一來，驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S在像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間被固定偏壓在低準位VGL，電路運作更穩(wěn)定。[0062]此段落討論發(fā)光操作(圖3D)。掃描線SN維持除能，不影響電路節(jié)點N的電位。信號RST’除能，不影響驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S的電位。驅(qū)動晶體管T_dri維持導(dǎo)通。此時重新使能的第一信號ENB使開關(guān)晶體管TD導(dǎo)通，電流經(jīng)由開關(guān)晶體管TD與驅(qū)動晶體管T_dri流入有機發(fā)光二極管OLED使之發(fā)光。啟動的有機發(fā)光二極管OLED在驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S提供有電位V_oled?？剂框?qū)動晶體管T_dri的第二端S與控制端G的電位耦合作用以及電容乘積效應(yīng)(以電容乘積參數(shù)f3標示，除了考量第一與第二電容C1、C2外，更考量寄生電容)，驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G電位V(G)為:
[0063]V (G) = [ (VGL+Vt)+f I.(Data-VGL)]
[0064]+f3.{V_oled-[VGL+f2.(Data-VGL) ]}，其中
[0065]f3=[(C2_1+Cr1)^1] X [^+crO^+CpJ ;其中
[0066]CrcS G點的寄生電容值。
[0067]驅(qū)動晶體管T_dri的控制端G與第二端S的電位差Vgs可為:
[0068]Vgs=V (G) -V (S)
[0069]=VGL[l-fl-f3+f2.f3]+Data[fl-f2.f3]
[0070]+(f3-l)V_oled+Vt
[0071]代入驅(qū)動晶體管T_dri的電流公式I_T_dri=Kp.(Vgs-Vt)2,臨界電壓Vt這個隨使用時間變動的變數(shù)會被消除。有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電流I_oled為:
[0072]I_oled`[0073]=I_T_dri
[0074]=Kp.{VGL[l-fl-f3+f2.f3]
[0075]+Data[fl-f2.f3]+(f3_l)V_oled}2
[0076]不受驅(qū)動晶體管T_dri的臨界電壓Vt劣化影響。
[0077]在一種實施方式中，第一以及第二電容Cl與C2皆較該驅(qū)動晶體管T_dri該控制端G上的旁路電容大上一特定比例。如此一來，電容乘積參數(shù)f3趨近I,驅(qū)動電流I_oled無須考慮有機發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動電位V_oled。有機發(fā)光二極管OLED的劣化問題(使用初期V_oled會隨時間飄移)也不會影響該有機發(fā)光二極管OLED的發(fā)光。
[0078]另一種實施方式是令有機發(fā)光二極管OLED在制作成像素電路前先以高電流燒機一段時間。由于有機發(fā)光二極管的劣化問題在一定使用時數(shù)后會趨于和緩，驅(qū)動電流1_oled不再有V_oled飄移的困擾。
[0079]特別討論之，重置操作不一定要限定驅(qū)動晶體管T_dri的第二端S電位耦接參考電源端VREF。圖2A開關(guān)電路SW因此可有以第一信號ENB作為控制電位(Vcontrol)來源的設(shè)計。
[0080]圖4A圖解根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW，其中包括開關(guān)晶體管TN與TS，且以信號RST實現(xiàn)圖1所示第三信號CS，并以掃描線SN或參考電源端VREF (在信號RST使能時為一特定電位(如低電源端ELVSS的電位)，以下拉該驅(qū)動晶體管T_dri該第二端S的電位)供應(yīng)圖1所示控制電位Vcontrol。如圖所示,開關(guān)晶體管TN在信號RST控制下耦接上述電路節(jié)點N至掃描線SN或參考電源端VREF。開關(guān)晶體管TS在信號RST控制下耦接該驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S至掃描線SN或參考電源端VREF。
[0081]圖4B以一畫面為例，針對圖4A所揭露的開關(guān)電路SW列舉圖1像素電路的信號波形，其中像素電路有一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作；該些操作下，驅(qū)動晶體管T_dri的狀態(tài)與圖3A至圖3D雷同。
[0082]特別說明之，圖4A的開關(guān)電路設(shè)計SW使得掃描線SN僅需在像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間使能(參考圖4B)。重置與補償操作時所需要的電路節(jié)點N低準位控制可由圖4A導(dǎo)通的開關(guān)晶體管TN (因為信號RST在此區(qū)段為使能)提供，無須耗費掃描線SN與數(shù)據(jù)線Data資源。如此一來，像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間可提供充裕時間，利于實現(xiàn)大尺寸顯示器。此外，由于掃描線SN在重置與補償操作時皆為除能(低準位)，因此，圖4A所示開關(guān)電路SW可采掃描線SN為控制電位Vcontrol來源，在重置與補償操作時提供低準位信號。
[0083]圖5A圖解根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW，其中包括開關(guān)晶體管TN與TNS，且是以信號RST實現(xiàn)圖1所示第三信號CS，并以掃描線SN或參考電源端VREF (在信號RST使能時為一特定電位(如低電源端ELVSS的電位)，以下拉該驅(qū)動晶體管T_dri該第二端S的電位)供應(yīng)圖1所示控制電位Vcontrol。開關(guān)晶體管TN在信號RST控制下耦接上述電路節(jié)點N至掃描線SN或參考電源端VREF。開關(guān)晶體管TNS在信號RST控制下耦接該電路節(jié)點N至該驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S。
[0084]關(guān)于圖5A的開關(guān)電路SW設(shè)計，同樣可采圖4B所示信號時序操作像素電路，提供像素電路一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作；該些操作下，驅(qū)動晶體管T_dri的狀態(tài)與圖3A至圖3D雷同。
[0085]圖5B圖解根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式所實現(xiàn)的開關(guān)電路SW，其中包括開關(guān)晶體管TNS與TS，且是以信號RST實現(xiàn)圖1所示第三信號CS，并以掃描線SN或參考電源端VREF(于信號RST使能時為一特定電位(如低電源端ELVSS的電位)，以下拉該驅(qū)動晶體管T_dri該第二端S的電位)提供圖1所示控制電位Vcontrol。開關(guān)晶體管TS在信號RST控制下耦接該驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S至掃描線SN或參考電源端VREF。開關(guān)晶體管TNS在信號RST控制下耦接該電路節(jié)點N至該驅(qū)動晶體管T_dri的該第二端S。
[0086]關(guān)于圖5B的開關(guān)電路SW設(shè)計，同樣可采圖4B所示信號時序操作像素電路，提供像素電路一重置操作、一補償操作、一像素數(shù)據(jù)寫入操作以及一發(fā)光操作；該些操作下，驅(qū)動晶體管T_dri的狀態(tài)與圖3A至圖3D雷同。
[0087]圖6圖解根據(jù)本發(fā)明一種實施方式所實現(xiàn)的一有機發(fā)光二極管顯示器600，包括一像素陣列602、一驅(qū)動模塊604以及一微控制器606。像素陣列602米用以上所揭露的有機發(fā)光二極管像素電路。驅(qū)動模塊604用于驅(qū)動該像素陣列602播放影像。微控制器606用于控制該驅(qū)動模塊604驅(qū)動該像素陣列602。
[0088]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視權(quán)利要求范圍所界定者為準。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，包括: 一第一開關(guān)晶體管、一驅(qū)動晶體管以及一有機發(fā)光二極管，串接于一第一工作電壓端以及一第二工作電壓端之間，其中，所述第一開關(guān)晶體管由一第一信號控制，所述驅(qū)動晶體管的一第一端與一第二端分別耦接所述第一開關(guān)晶體管以及所述有機發(fā)光二極管，且所述驅(qū)動晶體管具有一控制端； 一第二開關(guān)晶體管，耦接于所述驅(qū)動晶體管的所述第一端與控制端之間，且由一第二信號控制； 一第三開關(guān)晶體管，在一掃描線所提供的信號控制下傳遞一數(shù)據(jù)線的信號至一電路節(jié)占.一第一電容，耦接于所述電路節(jié)點與所述驅(qū)動晶體管的所述控制端之間； 一開關(guān)電路，在一第三信號控制下將所述驅(qū)動晶體管所述第二端耦接至一控制電位， 其中: 所述第一信號包括一第一階段使能區(qū)間以及一第二階段使能區(qū)間； 所述第一信號的所述第一階段使能區(qū)間早于所述第二信號的使能區(qū)間； 所述第一信號的所述第二階段使能區(qū)間晚于一像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間； 所述第三信號的使能區(qū)間涵蓋所述第一信號的所述第一階段使能區(qū)間以及所述第二信號的使能區(qū)間；且 所述控制電位在所述第二信號的使能區(qū)間為一特定電位，用以下拉所述驅(qū)動晶體管所述第二端的電位。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括: 一第四開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述驅(qū)動晶體管的所述第二端至所述控制電位；且 所述控制電位為一參考電壓端提供或所述第一信號提供的所述特定電位。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于， 所述第三信號的使能區(qū)間更涵蓋所述像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述掃描線上的信號的使能區(qū)間涵蓋所述第一信號的所述第一階段使能區(qū)間、所述第二信號的使能區(qū)間以及所述像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間；且 所述數(shù)據(jù)線在所述第一信號的所述第一階段使能區(qū)間與所述第二信號的使能區(qū)間傳輸有所述特定電位的準位數(shù)據(jù)，且在所述像素數(shù)據(jù)寫入?yún)^(qū)間傳輸有像素數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括: 一第四開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述電路節(jié)點至所述控制電位；以及 一第五開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述驅(qū)動晶體管的所述第二端至所述控制電位， 其中，所述控制電位為一參考電壓端提供或所述掃描線上的信號所提供的所述特定電位。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括: 一第四開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述電路節(jié)點至所述控制電位；以及 一第五開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述電路節(jié)點至所述驅(qū)動晶體管的所AA- ~.丄山述弟一觸， 其中，所述控制電位為一參考電壓端提供或所述掃描線上的信號所提供的所述特定電位。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述開關(guān)電路包括: 一第四開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述驅(qū)動晶體管的所述第二端至所述控制電位；以及 一第五開關(guān)晶體管，在所述第三信號控制下耦接所述電路節(jié)點至所述第驅(qū)動晶體管的所述第二端， 其中，所述控制電位為一參考電壓端提供或所述掃描線上的信號所提供的所述特定電位。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，更包括: 一第二電容，耦接于所述驅(qū)動晶體管的所述第二端以及所述電路節(jié)點之間。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，所述第一以及第二電容皆較所述驅(qū)動晶體管所述控制端上的旁路電容量大上一特定比例。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，更包括: 一耦合電容，耦接于所述·驅(qū)動晶體管的所述第一端以及所述第二開關(guān)晶體管的一控制端之間。
11.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路，其特征在于，更包括: 一耦合電容，耦接所述驅(qū)動晶體管的所述第一端至所述第一工作電壓端或所述第二工作電壓端或一參考電源端。
12.—種有機發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包括: 一像素陣列，包括權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管像素電路； 一驅(qū)動模塊，驅(qū)動所述像素陣列播放影像；以及 一微控制器，控制所述驅(qū)動模塊驅(qū)動所述像素陣列。
【文檔編號】G09G3/32GK103578404SQ201210248783
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】郭拱辰, 曾名駿 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司