專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置和驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一個或多個實施方式涉及有機發(fā)光顯示裝置和驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
各種類型的平板顯示裝置最近已在減少重量和體積方面發(fā)展。重量和體積是陰極射線管(CRT)的弊端。平板顯示裝置可包括液晶顯示(LCD)裝置、場發(fā)射顯示(FED)裝置、等離子顯示板(TOP)裝置、有機發(fā)光顯示裝置等。在平板顯示裝置中，通過因電子和空穴的復(fù)合而產(chǎn)生光，有機發(fā)光顯示裝置在有機發(fā)光二極管(OLED)上顯示圖像。有機發(fā)光顯示裝置具有快速的響應(yīng)速度并且可低功耗驅(qū)動。

發(fā)明內(nèi)容
一個或多個實施方式針對有機發(fā)光顯示裝置，以及驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)實施方式，一種有機發(fā)光顯示裝置，可包括多個像素，所述多個像素中的每個均包括有機發(fā)光二極管(OLED);以及電源電壓驅(qū)動單元，產(chǎn)生具有根據(jù)時間改變的第一電平的第一電源電壓以及具有根據(jù)時間改變的第二電平的第二電源電壓，所述電源電壓驅(qū)動單元將所述第一電源電壓和所述第二電源電壓提供到所述多個像素，其中所述電源電壓驅(qū)動單元包括第一電阻器，連接到用于下拉所述第一電源電壓的第二晶體管的柵極；以及第二電阻器，連接到用于下拉所述第二電源電壓的第四晶體管的柵極。所述電源電壓驅(qū)動單元可包括第一電源電壓產(chǎn)生單元，產(chǎn)生并輸出所述第一電源電壓，以及第二電源電壓產(chǎn)生單元，產(chǎn)生并輸出所述第二電源電壓，其中所述第一電源電壓產(chǎn)生單元包括第一晶體管，包括連接到第一電源電壓控制信號的柵極、連接到直流(DC)電源電壓的第一端子以及連接到所述第一電源電壓的第一輸出線的第二端子，以及所述第二晶體管，包括連接到所述第一電阻器的柵極、連接到所述第一電源電壓的所述第一輸出線的第一端子以及連接到接地線的第二端子；其中所述第二電源電壓產(chǎn)生單元包括第三晶體管，包括連接到第三電源電壓控制信號的柵極、連接到所述DC電源電壓的第一端子以及連接到所述第二電源電壓的第二輸出線的第二端子；以及所述第四晶體管，包括連接到所述第二電阻器的柵極、連接到所述第二電源電壓的所述第二輸出線的第一端子以及連接到所述接地線的第二端子，并且所述第一電阻器連接在第二電源電壓控制信號的第二輸入線與所述第二晶體管的所述柵極之間，所述第二電阻器連接在第四電源電壓控制信號的第四輸入線與所述第四晶體管的所述柵極之間。
所述第一電阻器和所述第二電阻器可以是可變電阻器，所述第一晶體管和所述第三晶體管可以是P型晶體管，所述第二晶體管和所述第四晶體管可以是η型晶體管，并且所述第一電源電壓產(chǎn)生單元包括第一檢測器，檢測施加至所述第二晶體管的所述柵極的第二柵極電壓的第二柵極電平；以及第一電阻器控制單元，當所述第二電源電壓控制信號的第二控制信號電平從低電平改變?yōu)楦唠娖綍r以及當施加至所述第二晶體管的所述柵極的所述第二柵極電壓的所述第二柵極電平超過第一參考電壓電平時，所述第一電阻器控制單元減小所述第一電阻器的第一電阻，并且所述第二電源電壓產(chǎn)生單元包括第二檢測器，檢測施加至所述第四晶體管的所述柵極的第四柵極電壓的第四柵極電平；以及第二電阻器控制單元，當所述第四電源電壓控制信號的第四控制信號電平從低電平改變?yōu)楦唠娖綍r以及當施加至所述第四晶體管的所述柵極的所述第四柵極電壓的所述第四柵極電平超過第二參考電壓電平時，所述第二電阻器控制單元減小所述第二電阻器的第二電阻。所述第一參考電壓電平可為當所述第二電源電壓控制信號從所述低電平改變?yōu)樗龈唠娖綍r在所述第二晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第一參考電壓值，并且所述第二參考電壓電平可為當所述第四電源電壓控制信號從所述低電平改變?yōu)樗龈唠娖綍r在所述第四晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第二參考電壓值。 所述多個像素中的每個像素均可包括第一像素晶體管，包括連接到掃描線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的第一端子以及連接到第一節(jié)點的第二端子；第二像素晶體管，包括連接到第二節(jié)點的柵極、連接到所述第一電源電壓的第一端子以及連接到所述OLED的陽極的第二端子；第三像素晶體管，包括連接到控制線的柵極、連接到所述第二像素晶體管的所述柵極的第一端子以及連接到所述第二像素晶體管的所述第二端子的第二端子；第一電容器，連接在所述第一電源電壓與所述第一節(jié)點之間；第二電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；以及所述0LED，包括連接到所述第二像素晶體管的所述第二端子的所述陽極以及連接到所述第二電源電壓的陰極，并且其中所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均是P型晶體管。所述第一電源電壓可在所述第二像素晶體管導(dǎo)通的時間周期中從高電壓電平下降至低電壓電平，以使所述OLED的所述陽極處的OLED電壓初始化。所述第二電源電壓可在所述第二像素晶體管導(dǎo)通的時間周期中從高電壓電平下降至低電壓電平，以使所述OLED發(fā)光。所述第一電源電壓和所述第二電源電壓可被共同施加到所述多個像素。所述多個像素中的每個像素均可包括第一像素晶體管，包括連接到掃描線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的第一端子以及連接到第一節(jié)點的第二端子；第二像素晶體管，包括連接到第二節(jié)點的柵極、連接到所述OLED的陰極的第一端子以及連接到所述第二電源電壓的第二端子；第三像素晶體管，包括連接到控制線的柵極、連接到所述第二像素晶體管的所述第一端子的第一端子以及連接到所述第二像素晶體管的所述柵極的第二端子；第一電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二電源電壓之間；第二電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；以及所述0LED，包括連接到所述第一電源電壓的陽極以及連接到所述第二像素晶體管的所述第一端子的陰極，其中所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均是η型晶體管。該有機發(fā)光顯示裝置可進一步包括掃描驅(qū)動單元，產(chǎn)生掃描信號，并且通過所述掃描線將所述掃描信號提供到所述多個像素；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元，產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓，并且通過所述數(shù)據(jù)線將所述數(shù)據(jù)電壓提供到所述多個像素；控制線驅(qū)動單元，產(chǎn)生用于在閾值電壓補償周期中導(dǎo)通所述第三像素晶體管的控制信號，以將與所述第二像素晶體管的閾值電壓對應(yīng)的第二電容器電壓存儲在所述第二電容器中，并且所述控制線驅(qū)動單元通過所述控制線將所述控制信號提供到所述多個像素；以及時序驅(qū)動單元，對所述掃描驅(qū)動單元、所述數(shù)據(jù)驅(qū)動單元、所述電源電壓驅(qū)動單元以及所述控制線驅(qū)動單元進行控制。所述第一電阻器的電阻和所述第二電阻器的電阻均可由所述多個像素中的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓之間得到的電容的總和來確定。根據(jù)另一實施方式，一種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個像素，其中供應(yīng)到所述多個像素的第一電源電壓的第一電平根據(jù)時間改變，并且用于產(chǎn)生所述第一電源電壓的電路包括用于上拉所 述第一電源電壓的第一晶體管、用于下拉所述第一電源電壓的第二晶體管以及連接到所述第二晶體管的柵極的第一電阻器，并且所述第一電阻器具有可變電阻，所述方法包括當通過所述第一電阻器供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的第一電源電壓控制信號的第一控制信號電平改變以使所述第一電源電壓從高電壓電平改變?yōu)榈碗妷弘娖綍r，對供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的第二柵極電壓進行檢測；并且如果供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的所述第二柵極電壓超過第一參考電壓電平，則減小所述第一電阻器的第一電阻。所述第一參考電壓電平可以是當所述第一電源電壓控制信號的所述第一電平改變以使所述第一電源電壓從所述高電壓電平改變?yōu)樗龅碗妷弘娖綍r，在所述第二晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第一參考電壓值。供應(yīng)到所述多個像素的第二電源電壓的第二電平可根據(jù)時間改變，并且用于產(chǎn)生所述第二電源電壓的電路可包括用于上拉所述第二電源電壓的第三晶體管、用于下拉所述第二電源電壓的第四晶體管以及連接到所述第四晶體管的柵極的第二電阻器，并且所述第二電阻器具有可變電阻，所述方法進一步包括當通過所述第二電阻器供應(yīng)到所述第四晶體管的所述柵極的第二電源電壓控制信號的第二控制信號電平改變以使所述第二電源電壓從高電壓電平改變?yōu)榈碗妷弘娖綍r，對施加至所述第四晶體管的所述柵極的第四柵極電壓進行檢測；以及如果施加至所述第四晶體管的所述柵極的所述第四柵極電壓超過第一參考電壓電平，則減小所述第二電阻器的第二電阻。所述第一晶體管和所述第三晶體管可以是P型晶體管，所述第二晶體管和所述第四晶體管可以是η型晶體管。所述多個像素可包括第一節(jié)點和第二節(jié)點，所述第一節(jié)點通過第一電容器連接到所述第一電源電壓并且數(shù)據(jù)電壓通過第一像素晶體管施加到所述第一節(jié)點；所述第二節(jié)點通過第二電容器連接到所述第一節(jié)點并且連接到第二像素晶體管的柵極，并且所述第二像素晶體管連接在所述第一電源電壓與有機發(fā)光二極管(OLED)的陽極之間，并且在所述第二像素晶體管的所述柵極與所述第二像素晶體管的第二端子之間連接第三像素晶體管，由此根據(jù)控制信號使所述第二像素晶體管二極管連接，并且所述第二電源電壓被連接到所述OLED的陰極，所述方法進一步包括重置操作，將具有所述高電壓電平的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓提供到所述多個像素，并使第一節(jié)點電壓值初始化；初始化操作，將所述第一電源電壓從所述高電壓電平降至所述低電壓電平，將所述OLED的陽極電壓值初始化為所述低電壓電平，然后將所述第一電源電壓升至所述高電壓電平；閾值電壓補償操作，通過將所述第三像素晶體管導(dǎo)通而使所述第二像素晶體管二極管連接，并且將與所述第二像素晶體管的閾值電壓對應(yīng)的第二電容器電壓值存儲在所述第二電容器中；掃描/數(shù)據(jù)輸入操作，順序地導(dǎo)通所述多個像素的第一像素晶體管，以將所述數(shù)據(jù)電壓存儲在所述多個像素的第一電容器中；以及發(fā)射操作，通過將所述第二電源電壓降至所述低電壓電平，以允許所述OLED發(fā)光。所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均可是P型晶體管。該方法可進一步包括在允許所述OLED發(fā)光的發(fā)射操作之后的不發(fā)射操作，所述不發(fā)射操作通過將所述第二電源電壓升至所述高電壓電平來斷開所述OLED。所述第一電源電壓和所述第二電源電壓可被共同施加到所述多個像素。所述第一電阻器的電阻和所述第二電阻器的電阻可通過所述多個像素中的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓之間得到的電容的總和來確定。


通過參照附圖對示例性實施方式進行詳細描述，以上特征和其它特征將變得更加明顯，在附圖中圖I是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的框圖；圖2是根據(jù)實施方式的電源電壓驅(qū)動單元的結(jié)構(gòu)的框圖；圖3是示出圖2中所示的電源電壓驅(qū)動單元的操作的時序圖；圖4和圖5是圖2中的電源電壓驅(qū)動單元170a的框圖，以用于解釋本實施方式的效果;圖6是根據(jù)另一實施方式的電源電壓驅(qū)動單元的結(jié)構(gòu)的框圖；圖7是示出因米勒(Miller)效應(yīng)第二或第四晶體管的柵極上所施加的電壓的電平的變化的示意圖；圖8是示出根據(jù)實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖；圖9是示出根據(jù)另一實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法的示意圖；圖10是根據(jù)實施方式的圖I中所示的有機發(fā)光顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖IlA至圖IlC是圖10中所示像素的驅(qū)動時序圖；圖12A至圖12J是根據(jù)另一實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法的驅(qū)動時序圖；圖13是示出在沒有利用本實施方式的情況下第二電源電壓的電平下降時產(chǎn)生的沖擊電流的示意圖，圖14是示出根據(jù)實施方式的沖擊電流減小效應(yīng)的示意圖；以及圖15是根據(jù)另一實施方式的像素的結(jié)構(gòu)的電路圖。
具體實施例方式現(xiàn)在下文中將參照附圖更徹底地描述示例性的實施方式；然而，這些示例性的實施方式可以以不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為由本文所闡述的那些實施方式限制?，F(xiàn)在將參照其中示出了示例性的實施方式的附圖更徹底地描述本實施方式。圖I是根據(jù)實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100的框圖。
參見圖1，根據(jù)本實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100包括像素單元130、掃描驅(qū)動單元110、控制線驅(qū)動單元160、數(shù)據(jù)驅(qū)動單元120以及時序控制器150，像素單元130包括掃描線SI至Sn、控制線GCl至GCn、數(shù)據(jù)線Dl至Dm、以及連接至第一和第二電源線ELVDD和ELVSS的像素140 ;掃描驅(qū)動單元110通過掃描線SI至Sn中的每一條向每個像素140供應(yīng)掃描信號中的每一個掃描信號；控制線驅(qū)動單兀160通過控制線GCl至GCn中的每一條向每個像素140供應(yīng)控制信號中的每一個控制信號；數(shù)據(jù)驅(qū)動單元120通過數(shù)據(jù)線Dl至Dm中的每一條向每個像素140提供數(shù)據(jù)電壓中的每一個數(shù)據(jù)電壓；時序控制器150對掃描驅(qū)動單元110、數(shù)據(jù)驅(qū)動單元120、以及控制線驅(qū)動單元160進行控制。根據(jù)本實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100還包括電源電壓驅(qū)動單元170，電源電壓驅(qū)動單元170通過第一電源線ELVDD向每個像素140提供第一電源電壓ELVDD(t)(見圖2)，并通過第二電源線ELVSS向每個像素140提供第二電源電壓ELVSS(t)(見圖2)。像素單元130包括像素140，像素140鄰近掃描線 SI至Sn和數(shù)據(jù)線Dl至Dm的交叉點設(shè)置。數(shù)據(jù)電壓施加到其上的像素140對從第一電源線ELVDD經(jīng)過有機發(fā)光二極管(OLED)向第二電源線ELVSS供應(yīng)的電流量進行控制。因此通過OLED產(chǎn)生具有預(yù)定亮度的光。在本實施方式中，第一電源電壓ELVDD(t)和第二電源電壓ELVSS(t)中的至少一個作為幀周期中改變的電壓值被施加到像素單元130中的每個像素140。用于驅(qū)動第一和第二電源電壓ELVDD (t)和ELVSS (t)的控制信號可以輸入到電源電壓驅(qū)動單元170。輸入至電源電壓驅(qū)動單元170的控制信號可以通過時序控制器150或者掃描驅(qū)動單元110產(chǎn)生，并且可輸入到電源電壓驅(qū)動單元170。為此，通過時序控制器150控制電源電壓驅(qū)動單元170，并且電源電壓驅(qū)動單元170產(chǎn)生第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)。第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS(t)可以通過使用三種方法驅(qū)動。在第一種方法中，第一電源電壓ELVDD (t)作為具有三種不同電平的電壓值被施加到每個像素140，第二電源電壓ELVSS(t)作為固定的低電平(例如，接地電壓GND)被施加到每個像素140。在這種情況下，由于電源電壓驅(qū)動單元170輸出具有預(yù)定的電平的電壓值(例如接地電壓GND)作為第二電源電壓ELVSS(t)，所以不需提供用于驅(qū)動第二電源電壓ELVSS(t)的電路終端，并可以減少成本。由于第一電源電壓ELVDD(t)需要三個電壓電平之中的負電壓值，例如，-3V，所以用于產(chǎn)生第一電源電壓ELVDD(t)的電路的配置會較復(fù)雜。在第二種方法中，第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)均被施加到每個像素140作為具有兩個電壓電平的電壓值。在這種情況下，電源電壓驅(qū)動單元170包括分別用于驅(qū)動第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)的電路終端。第三種方法與第一種方法相反執(zhí)行。在第三種方法中，第一電源電壓ELVDD (t)作為具有固定高電平的電壓值被施加到每個像素140，而第二電源電壓ELVSS (t)作為具有三種不同電平的電壓值被施加到每個像素140。在這種情況下，由于電源電壓驅(qū)動單元170輸出具有預(yù)定電平的電壓值作為第一電源電壓ELVDD (t)，所以不需提供用于驅(qū)動第一電源電壓ELVDD (t)的附加的電路終端，并可減少成本。由于第二電源電壓ELVSS(t)需要三個電壓電平之中的正電壓值，所以用于驅(qū)動第二電源電壓ELVSS (t)的電路終端的配置會較復(fù)雜。此外，多個實施方式可以用于驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置100的各種方法，由此第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)根據(jù)時間改變。圖2是根據(jù)實施方式的電源電壓驅(qū)動單元170a的結(jié)構(gòu)的框圖。第一至第四電源電壓控制信號SCI、SC2、SC3以及SC4輸入至電源電壓驅(qū)動單元170a，電源電壓驅(qū)動單元170a產(chǎn)生并輸出第一電源電壓ELVDD(t)和第二電源電壓ELVSS (t)。電源電壓驅(qū)動單元170a包括第一電源電壓產(chǎn)生單元210b和第二電源電壓產(chǎn)生單元220a。第一和第二電源電壓控制信號SCl和SC2被輸入到第一電源電壓產(chǎn)生單兀210a,并且第一電源電壓產(chǎn)生單元210a產(chǎn)生第一電源電壓ELVDD(t)。第一電源電壓產(chǎn)生單元210a包括第一晶體管TRl、第二晶體管TR2、以及與第二晶體管TR2的柵極連接的第一電阻器Rl。第一電阻器Rl被連接在第二電源電壓控制信號SC2的輸入線與第二晶體管TR2的 柵極之間。第一電阻器Rl可以是固定電阻器或可變電阻器。第一晶體管TRl可以是P型晶體管，第二晶體管TR2可以是η型晶體管。第一晶體管TRl包括輸入有第一電源電壓控制信號SCl的柵極、連接到直流(DC)電源電壓Vdc的第一端子、以及與第一電源電壓ELVDD(t)的輸出線連接的第二端子。第二晶體管TR2包括與第一電阻器Rl連接的柵極、與第一電源電壓ELVDD (t)的輸出線連接的第一端子、以及與接地線連接的第二端子。第三和第四電源電壓控制信號SC3和SC4被輸入到第二電源電壓產(chǎn)生單兀220a,并且第二電源電壓產(chǎn)生單元220a產(chǎn)生第二電源電壓ELVSS(t)。第二電源電壓產(chǎn)生單元220a包括第三晶體管TR3、第四晶體管TR4、以及與第四晶體管TR4的柵極連接的第二電阻器R2。第二電阻器R2被連接在第四電源電壓控制信號SC4的輸入線與第四晶體管TR4的柵極之間。第二電阻器R2可以是固定電阻器或可變電阻器。第三晶體管TR3可以是P型晶體管，第四晶體管TR4可以是η型晶體管。第三晶體管TR3包括輸入有第三電源電壓控制信號SC3的柵極、連接到DC電源電壓Vdc的第一端子、以及與第二電源電壓ELVSS (t)的輸出線連接的第二端子。第一電阻器Rl的電阻可以由第一電源電壓ELVDD (t)的輸出線上存在的像素140的電容的總和確定，第二電阻器R2的電阻可以由第二電源電壓ELVSS(t)的輸出線上存在的像素140的電容的總和確定。當像素140的電容的總和增大時，第一和第二電阻器Rl和R2的電阻均增大，而且當像素140的電容的總和減小時，第一和第二電阻器Rl和R2的電阻均減小。圖3是示出圖2中的電源電壓驅(qū)動單元170a的操作的時序圖.有機發(fā)光顯示裝置100可利用驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置100的方法，由此第一電源電壓ELVDD(t)和第二電源電壓ELVSS(t)的電壓值均根據(jù)時間改變，如圖3所示。在圖3中，第一電源電壓ELVDD⑴在時間周期P2和P3中改變，第二電源電壓ELVSS(t)在時間周期P5和P6中改變。在時間周期Pl中，第一電源電壓ELVDD⑴和第二電源電壓ELVSS⑴中的每個均具有高電壓電平，即，DC電源電壓Vdc的電平。在時間周期Pl中，第一和第三電源電壓控制信號SCl和SC3均具有低電平L，以使第一和第三晶體管TRl和TR3導(dǎo)通，第二和第四電源電壓控制信號SC2和SC4均具有低電平L，以使第二和第四晶體管TR2和TR4斷開。因此，在時間周期Pl中，在第一電源電壓ELVDD(t)的輸出線與DC電源電壓Vdc之間形成電流路徑，以使得具有高電壓電平的第一電源電壓ELVDD(t)被輸出，而且在第二電源電壓ELVSS(t)的輸出線與DC電源電壓Vdc之間形成電流路徑，以使得具有高電壓電平的第二電源電壓ELVSS (t)被輸出。當時間周期P2正要開始時，為了使第一電源電壓ELVDD(t)的電平降至低電壓電平，即，接地電壓電平，第一和第二電源電壓控制信號SCl和SC2被改變?yōu)榫哂懈唠娖紿。在本實施方式中，第一電阻器Rl設(shè)置在第二電源電壓控制信號SC2的輸入線與第二晶體管TR2的柵極之間，以使得當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD(t)的電平降至低電壓電平時，第一電源電壓ELVDD(t)的電平以預(yù)定的斜率逐漸下降。換句話說，根據(jù)實施方式，當?shù)诙娫措妷嚎刂菩盘朣C2的電平從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿時，第二電源電壓控制信號SC2通過第一電阻器Rl施加到第二晶體管TR2的柵極。因此，第二晶體管TR2的柵極處的控制信號電平的變化速度降低，因而第一電源電壓ELVDD(t)的變化速度 也降低。因此，根據(jù)實施方式，當時間周期P2正要開始時，第一和第二電源電壓控制信號SCl和SC2的電壓電平從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿，在時間周期P2中，第一電源電壓ELVDD(t)的電平從高電壓電平逐漸改變?yōu)榈碗妷弘娖?，并且在時間周期P3中被維持在低電壓電平。當時間周期P4正要開始時，第一和第二電源電壓控制信號SCl和SC2從高電平H改變?yōu)榈碗娖絃。因此，在時間周期P4中，類似于時間周期P1，第一電源電壓ELVDD(t)和第二電源電壓ELVSS⑴均具有高電壓電平。當時間周期P5正要開始時，為了使第二電源電壓ELVSS(t)的電平降至低電壓電平，第三和第四電源電壓控制信號SC3和SC4的電壓電平被改變?yōu)楦唠娖紿。在本實施方式中，第二電阻器R2設(shè)置在第四電源電壓控制信號SC4的輸入線與第四晶體管TR4的柵極之間，以使第二電源電壓ELVSS(t)的電平從高電壓電平以預(yù)定的斜率逐漸下降至低電壓電平。換句話說，根據(jù)本實施方式，當?shù)谒碾娫措妷嚎刂菩盘朣C4的電平從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿時，第四電源電壓控制信號SC4通過第二電阻器R2被施加到第四晶體管TR4的柵極，第四晶體管TR4的柵極處的控制信號電平的變化速度下降，因而第二電源電壓ELVSS(t)的變化速度也下降。因此，根據(jù)實施方式，當時間周期P5正要開始并且第三和第四電源電壓控制信號SC3和SC4的電平從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿時，在時間周期P5中，第二電源電壓ELVSS(t)的電平從高電壓電平逐漸改變?yōu)榈碗妷弘娖?，并且在時間周期P6中被維持在低電壓電平。當時間周期P7正要開始時，第三和第四電源電壓控制信號SC3和SC4的電平從高電平H改變?yōu)榈碗娖絃。因此，在時間周期P7中，類似于時間周期P1，第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)均具有高電壓電平。圖4和5是圖2中的電源電壓驅(qū)動單元170a的框圖，以解釋本實施方式的效果。根據(jù)實施方式，圖I中的有機發(fā)光顯示裝置100具有上述結(jié)構(gòu)，以使當?shù)谝换虻诙娫措妷篍LVDD(t)或ELVSS(t)下降時產(chǎn)生的沖擊電流可減少。類似于圖4，當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD(t)的電平下降時，第一晶體管TRl斷開而第二晶體管TR2導(dǎo)通，以使電流從第一電源電壓ELVDD(t)的輸出線流經(jīng)接地線。然而，當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD(t)減少時，從像素單元130的像素140中的電容(例如，OLED的電容)通過第一電源線ELVDD排放電荷，以使電流從第二電源線ELVSS流至像素140中的電容，從而對像素140中的電容充電。因此，如圖4所示，電流從DC電源電壓Vdc、經(jīng)第三晶體管TR3流至第二電源電壓ELVSS(t)的輸出線。然而，由于每個像素140中的電容的總和非常大，所以當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD(t)下降時產(chǎn)生了沖擊電流，并且沖擊電流從DC電源電壓Vdc流至第二電源電壓ELVSS(t)的輸出線。與此相反，如圖5所示，當?shù)诙娫措妷篍LVSS(t)下降時，從像素140中的電容通過第二電源線ELVSS排放電荷，并且為了對像素140中的電容充電，電流從第一電源線ELVDD流到像素140中的電容。因此，如圖5所示，沖擊電流從第一電源電壓ELVDD (t)的輸出線流動經(jīng)過第一晶體管TRl。由于沖擊電流為幾十安培㈧，所以用于供應(yīng)DC電源電壓Vdc的電源會存在負擔。因此，像素單元130的元件的壽命會減小,或者會損壞像素單元130的元件。根據(jù)實施方式，如上所述，當?shù)谝换虻诙娫措妷篍LVDD⑴或ELVSS⑴的電平下降時，第一和第二電源電壓ELVDD(t)和ELVSS(t)的電平的變化速度下降，以使第二或第一電源電壓ELVSS(t)或ELVDD(t)的輸出線的電流被維持在負載電流電平，并防止在有機發(fā) 光顯示裝置100中產(chǎn)生沖擊電流。因此，用于供應(yīng)DC電源電壓Vdc的電源會受到保護，而且像素單元130的元件也可受到保護。具體來說，可防止OLED的特性退化，并可防止因OLED的損壞導(dǎo)致圖像質(zhì)量降低。另外，可防止因沖擊電流導(dǎo)致部件規(guī)格提高，并可減少制造有機發(fā)光顯示裝置100的成本。圖6是根據(jù)另一實施方式的電源電壓驅(qū)動單元170b的結(jié)構(gòu)的框圖。在下文中，將參照圖6描述圖6與圖2之間的差異，還將描述圖6中所示的電源電壓驅(qū)動單元170b的結(jié)構(gòu)和操作。圖6中所示的電源電壓驅(qū)動單元170b對第二和第四晶體管TR2和TR4的柵極的電壓電平進行檢測，由此調(diào)節(jié)第一和第二電阻器Rl和R2的電容。圖6中的電源電壓驅(qū)動單元170b包括第一電源電壓產(chǎn)生單元210b和第二電源電壓產(chǎn)生單元220b。第一和第二電源電壓控制信號SCl和SC2被輸入到第一電源電壓產(chǎn)生單兀210b,并且第一電源電壓產(chǎn)生單元210b產(chǎn)生第一電源電壓ELVDD(t)。第一電源電壓產(chǎn)生單元210b包括第一晶體管TR1、第二晶體管TR2、與第二晶體管TR2的柵極連接的第一電阻器R1、第一檢測器610以及第一電阻器控制單元620。第一電阻器Rl是具有根據(jù)控制信號改變的電阻的可變電阻器。第一電阻器Rl的電阻根據(jù)由第一電阻器控制單兀620供應(yīng)的第一電阻器控制信號而改變。第一檢測器610對施加至第二晶體管TR2的柵極的電壓的電平進行檢測，并且第一檢測器610將所檢測到的、施加至第二晶體管TR2的柵極的電壓的電平提供到第一電阻器控制單元620。第一電阻器控制單元620根據(jù)施加至第二晶體管TR2的柵極的電壓的電平來控制第一電阻器Rl的電阻。在第二晶體管TR2的柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)(Miller effect)之前，第一電阻器控制單元620維持第一電阻器Rl的高電阻，并當米勒效應(yīng)發(fā)生時，可減小第一電阻器Rl的電阻。為此，當施加至第二晶體管TR2的柵極的電壓的電平超過第一參考電壓電平Vrefl時，第一電阻器控制單元620可將第一電阻器Rl的電阻從第一電阻調(diào)節(jié)為第二電阻。就這一點而言，第一電阻大于第二電阻。第三和第四電源電壓控制信號SC3和SC4被輸入到第二電源電壓產(chǎn)生單兀220b,并且第二電源電壓產(chǎn)生單元220b產(chǎn)生第二電源電壓ELVSS(t)。第二電源電壓產(chǎn)生單元220b包括第三晶體管TR3、第四晶體管TR4、與第四晶體管TR4的柵極連接的第二電阻器R2、第二檢測器630以及第二電阻器控制單元640。第二電阻器R2是具有根據(jù)控制信號改變的電阻的可變電阻器。第二電阻器R2的電阻根據(jù)由第二電阻器控制單元640提供的第二電阻器控制信號變化。第二檢測器630對施加至第四晶體管TR4的柵極的電壓的電平進行檢測，并且第二檢測器630將所檢測到的、施加至第四晶體管TR4的柵極的電壓的電平提供到第二電阻器控制單元640。第二電阻器控制單元640根據(jù)施加至第四晶體管TR4的柵極的電壓的電平來控制第二電阻器R2的電阻。在第四晶體管TR4的柵極處發(fā)生Miller效應(yīng)之前，第二電阻器控制單元640維持第二電阻器R2的高電阻，并當Miller效應(yīng)發(fā)生時，第二電阻器R2的電阻會減小。為此，當施加至第二晶體管TR2的柵極的電壓的電平超過第二參考電壓電平Vref2時，第二電阻器控制單元640可將第二電阻器R2的電阻從第三電阻調(diào)節(jié)為第四電阻。就這一點而言，第三電阻大于第四電阻。第三電阻可以與第一電阻相同，第四電阻可以與第二電阻相同。

在本說明書中，下面描述第三電阻與第一電阻相同并且第四電阻與第二電阻相同的實施方式。此外，下面還描述第一參考電壓電平Vrefl與第二參考電壓電平Vref2彼此相同的實施方式。然而，這些實施方式的范圍不限于此。圖7是示出因米勒效應(yīng)導(dǎo)致的施加至第二或第四晶體管TR2或TR4的柵極的電壓電平的變化的示意圖。當?shù)诙虻谒碾娫措妷嚎刂菩盘朣C2或SC4從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿時，施加到第二和第四晶體管TR2和TR4的柵極的電壓(在下文中稱為“Vg(t)”)改變，如圖7所示。時間周期P2或P5可包括時間周期PP1、PP2以及PP3。當?shù)诙虻谒碾娫措妷嚎刂菩盘朣C2或SC4從低電平L改變到高電平H時，在時間周期PPl中，Vg(t)從低電平L逐漸增大為第一參考電壓電平Vrefl。然而，當Vg(t)達到第一參考電壓電平Vrefl時，由于米勒效應(yīng)，在時間周期PP2中Vg(t)幾乎不增大，而經(jīng)過預(yù)定時間之后，在時間周期PP3中，Vg(t)從第一參考電壓電平Vrefl逐漸增加到高電平H。當Vg(t)達到第一參考電壓電平VrefI并且經(jīng)過發(fā)生米勒效應(yīng)的時間周期后，流經(jīng)第二或第四晶體管TR2或TR4的電流幾乎與Vg(t)無關(guān)。因此，根據(jù)另一實施方式，當經(jīng)過米勒效應(yīng)周期后，即，當時間周期PP2已過去并且時間周期PP3正要開始時，第一或第二電阻器Rl或R2的電阻減小?？赏ㄟ^檢測Vg(t)超過第一參考電壓電平Vrefl來確認是否時間周期PP2已經(jīng)過去。圖8是示出根據(jù)實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖。首先，為了將第一或第二電源電壓ELVDD (t)或ELVSS (t)的電平從高電壓電平改變?yōu)榈碗妷弘娖剑诓僮鱏802中將第一或第三電源電壓控制信號SCl或SC3以及第二或第四電源電壓控制信號SC2或SC4從低電平L改變?yōu)楦唠娖紿，并且在操作S804中，將第一或第二電阻器Rl或R2設(shè)定為具有第一電阻。在第二或第四電源電壓控制信號SC2或SC4的電平被改變?yōu)楦唠娖紿之后，隨后在操作S806中檢測Vg(t)。在Vg(t)達到第一參考電壓電平Vrefl并在操作S808中Vg (t)超過第一參考電壓電平Vref I之后，在操作S810中將第一或第二電阻器Rl或R2設(shè)定為具有第二電阻。圖9是示出根據(jù)另一實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法的示意圖。在本實施方式中，圖8可用于同步發(fā)射型的有機發(fā)光顯示裝置。在同步發(fā)射型裝置中，在一幀周期中數(shù)據(jù)塊順序地輸入到有機發(fā)光顯示裝置，并且在數(shù)據(jù)輸入完成之后，整個像素單元130，即，像素單元130中的所有像素140同時一起發(fā)光。更詳細地，參見圖9，驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法包括(a)執(zhí)行初始化；(b)重置；(C)補償閾值電壓；(d)掃描/數(shù)據(jù)輸入；(e)發(fā)射；以及(f)不發(fā)射。對于每條掃描線順序執(zhí)行操作(d)掃描/數(shù)據(jù)輸入。然而，整個像素單元130同時一起執(zhí)行其它操作，SP，(a)執(zhí)行初始化、(b)重置、(C)補償閾值電壓、(e)發(fā)射以及(f)不發(fā)射，如圖9所示。就這一點而言，操作(a)執(zhí)行初始化涉及這樣的時間周期，其中每個像素140中設(shè)置的像素電路的每個節(jié)點電壓被初始化為與輸入至驅(qū)動晶體管的閾值電壓相同，操作(b)重置是對施加至像素單元130的每個像素140的數(shù)據(jù)電壓進行重置的操作，并且操作(b)涉及這樣的時間周期，其中施加至OLED的陽極的電壓下降為比施加至OLED的陰極的電壓小，以使OLED可不發(fā)光。此外，操作(C)補償閾值電壓涉及這樣的時間周期，其中將閾值電壓輸入到每個像素140中所包括的驅(qū)動晶體管，操作(f)不發(fā)射涉及這樣的時間周期，其中像素140斷 開，以用于在每個像素140發(fā)光之后的黑屏插入或調(diào)光。因此，對操作(a)執(zhí)行初始化、(b)重置、(C)補償閾值電壓、(e)發(fā)射以及(f)不發(fā)射所施加的信號(即，施加至掃描線S I至Sn的掃描信號、施加至每個像素140的第一電源電壓ELVDD (t)和/或第二電源電壓ELVSS (t)、以及施加至控制線GC I至GCn的控制信號)均同時一起以預(yù)定的電壓電平施加到像素單元130的每個像素140。在驅(qū)動圖9所示的同步發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置的方法中，操作(a)至(f)根據(jù)時間彼此清晰地分離。因此，每個像素140中設(shè)置的補償電路的晶體管的數(shù)量與用于控制這些晶體管的信號線的數(shù)量可減少，并且可以容易地實現(xiàn)快門眼鏡式3D顯示器。在快門眼鏡式3D顯示器中，當使用者利用快門眼鏡(具有用于左眼/右眼可在0%和100%之間切換的透射率)觀看屏幕時，由圖像顯示裝置(即，有機發(fā)光顯示裝置100)的像素單元130顯示的屏幕輸出為每一幀的左眼圖像和右眼圖像，以使得使用者僅用左眼觀看左眼圖像，僅用右眼觀看右眼圖像，并實現(xiàn)了立體圖像。圖10是根據(jù)實施方式的圖I中所示的有機發(fā)光顯示裝置100的像素140a的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖IlA至圖IlC是圖10中所示的像素140a的驅(qū)動時序圖。參見圖10，根據(jù)本實施方式的像素140a包括OLED以及像素電路142a，像素電路142a用于向OLED供應(yīng)電流。OLED的陽極連接到像素電路142a，OLED的陰極連接到第二電源電壓ELVSS (t)。OLED產(chǎn)生具有與像素電路142a提供的電流一致的預(yù)定亮度的光。在本實施方式中，當在一幀的部分時間周期(上述操作(d))中掃描信號被順序地供應(yīng)到掃描線SI至Sn時，與提供至數(shù)據(jù)線Dl至Dm的輸入數(shù)據(jù)塊對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓被施加到構(gòu)成像素單元130的每個像素140a。然而，在一幀的其它時間周期(a)、(b)、(c)、(e)以及(f)中，施加至掃描線SI至Sn的掃描信號、施加至每個像素140的第一電源電壓ELVDD (t)、第二電源電壓ELVSS (t)、以及施加至控制線GCl至GCn的控制信號均以預(yù)定的電壓電平同時一起施加到每個像素140。因此，每個像素140的像素電路142a包括第一至第三像素晶體管Ml至M3以及兩個電容器，即，第一和第二電容器Cl和C2。
此外，在本實施方式中，考慮到由OLED的陽極和陰極產(chǎn)生的寄生電容器Coled的電容，利用了因第二電容器C2和寄生電容器Coled導(dǎo)致的耦合效應(yīng)。這將參照圖12A至12J更詳細地描述。第一像素晶體管Ml的柵極連接到掃描線Si，第一像素晶體管Ml的第一端子連接到數(shù)據(jù)線Dj，數(shù)據(jù)電壓Data(j)通過數(shù)據(jù)線Dj輸入到第一像素晶體管Ml的第一端子。第一像素晶體管Ml的第二端子連接到第一節(jié)點NI。Si是第i行的掃描線，Scan (i)是第i行的掃描信號，Dj是第j行的數(shù)據(jù)線，Data(j)是第j行的數(shù)據(jù)電壓。第二像素晶體管M2的柵極連接到第二節(jié)點N2，第二像素晶體管M2的第一端子連接到第一電源電壓ELVDD(t)，第二像素晶體管M2的第二端子連接到OLED的陽極。就這一點而言，第二像素晶體管M2用作驅(qū)動晶體管。 第一電容器Cl連接在第一節(jié)點NI與第二像素晶體管M2的第一端子之間，即，連接在第一節(jié)點NI與第一電源電壓ELVDD(t)之間，第二電容器C2連接在第一節(jié)點NI與第二節(jié)點N2之間。第三像素晶體管M3的柵極連接到控制線GCi，并且控制信號GC(t)輸入至第三像素晶體管M3的柵極，第三像素晶體管M3的第一端子連接到第二像素晶體管M2的柵極，第三像素晶體管M3的第二端子連接到OLED的陽極，即，連接到第二像素晶體管M2的第二端子。當?shù)谌袼鼐w管M3由控制信號GC(t)導(dǎo)通時，第二像素晶體管M2是二極管連接的。在本說明書中，GCi是第i行的控制線，GC (t)是控制信號。此外，OLED的陰極連接到第二電源電壓ELVSS⑴。在圖10中，用P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管實現(xiàn)第一至第三像素晶體管Ml 至 M3。如上所述，根據(jù)本實施方式的每個像素140a以同步發(fā)射的方式驅(qū)動。驅(qū)動像素140a的方法包括為每一幀執(zhí)行的操作初始化Init、重置Reset、補償閾值電壓Vth、掃描/數(shù)據(jù)輸入Scan、發(fā)射Emission以及不發(fā)射Off,如圖IlA至IlC所示。就這一點而言,在掃描/數(shù)據(jù)輸入操作Scan中，將掃描信號Scan(i)輸入至掃描線，將與掃描信號Scan (i)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Data (j)輸入到每個像素140a。然而，在其它操作中，將具有預(yù)定電壓電平的信號，即，第一電源電壓ELVDD (t)、第二電源電壓ELVSS (t)、掃描信號Scan (i)、控制信號GC (t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j)同時一起施加到像素單元130中的每個像素140a。換句話說，補償每個像素140a中所包括的驅(qū)動晶體管(即，第二像素晶體管M2)的閾值電壓的操作以及每個像素140a的發(fā)射操作均在每一幀中通過像素單元130中的所有像素140a同時執(zhí)行。圖IlA至圖IlC是圖10中所示的像素140a的驅(qū)動時序圖。在本實施方式中，如圖IIA至IIC所示，可以以三種方式實現(xiàn)第一電源電壓ELVDD⑴和第二電源電壓ELVSS⑴。首先，參見圖11A，第一電源電壓ELVDD(t)作為具有三個不同電平的電壓值施加，例如，12V、2V以及-3V，第二電源電壓ELVSS (t)以固定的低電平施加，例如，0V，數(shù)據(jù)電壓Data(j)的范圍是OV至Ij 6V。在這種情況下，由于第二電源電壓ELVSS (t)具有預(yù)定的電壓電平，例如，接地電壓電平，所以不需單獨地實現(xiàn)第二電源電壓產(chǎn)生單元220a或220b，并可減少其電路成本。與此相反，由于第一電源電壓ELVDD(t)必須具有三個電平中的負電壓值，例如，-3V，所以第一電源電壓產(chǎn)生單元210a或210b的電路配置會較復(fù)雜。在這種情況下，第一電阻器Rl可以連接在用于下拉第一電源電壓ELVDD (t)的晶體管的柵極與連接至該晶體管的柵極的電源電壓控制信號輸入線之間。此外，當像素140a以圖IlA中所示的信號波形驅(qū)動時，掃描信號Scan(i)可以三個電平施加，即，分別是“高電平H、高電平H以及高電平H”、“高電平H、低電平L、高電平H”、或者“低電平L、低電平L、低電平L”。這將稍后參照圖12B至12D更詳細地描述。接下來，參見圖11B，第一電源電壓ELVDD(t)以兩個電平施加，例如，12V和0V，第二電源電壓ELVSS(t)也以兩個電平施加，例如，OV和12V，數(shù)據(jù)電壓Data(j)的范圍是OV到 12V。接下來，參見圖11C，本實施方式涉及與圖IlA中的實施方式相反的方式，第一電源電壓ELVDD(t)以固定的電壓電平施加，例如，高電壓電平(例如，12V)，第二電源電壓ELVSS (t)作為三個電壓電平施加，例如，0V、10V以及15V。 在這種情況下，由于第一電源電壓ELVDD⑴具有恒定的電壓電平，例如，12V，所以不需單獨地實現(xiàn)第一電源電壓產(chǎn)生單元210a或210b，并可減少其電路成本。與此相反，由于第二電源電壓ELVSS (t)必須具有三個電壓電平，所以第二電源電壓產(chǎn)生單元220a或220b的電路配置會較復(fù)雜。就這一點而言，第二電阻器R2可被連接在用于下拉第二電源電壓ELVSS(t)的晶體管的柵極與連接至該晶體管的柵極的電源電壓控制信號輸入線之間。圖12A至12J是根據(jù)另一實施方式的驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置100的方法的驅(qū)動時序圖。在下文中，將參照圖12A至12J更詳細地描述同步發(fā)射型驅(qū)動方法。在圖12A至12J中，將描述在上述圖IlB的驅(qū)動方法的重置操作(b)中掃描信號Scan⑴施加為“高電平H、低電平L、高電平H”的情況。為了便于說明，輸入信號的電壓電平被描述為特定值，但是應(yīng)該理解輸入信號的電壓電平可以為任意值，而不是實際設(shè)計值，本實施方式的范圍不限于電壓電平的這些值。此外,在本實施方式中,假設(shè)第一電容器Cl、第二電容器C2以及OLED的寄生電容器Coled的電容比是I : I : 4。首先，圖12A示出了對用于像素單元130的每個像素140 ( S卩，圖10中示出的像素140a)的每個節(jié)點的電壓進行初始化的操作，如同將隨后執(zhí)行的操作(C)補償閾值電壓中那樣。換句話說，在初始化操作Init中，第一電源電壓ELVDD(t)以高電壓電平施加，例如，12V，掃描信號Scan(i)以低電壓電平施加，例如，_5V，并且控制信號GC(t)以高電壓電平施加，例如，12V。此外，在該操作中施加的數(shù)據(jù)電壓Data (j)是初始化電壓Vsus，并且在本實施方式中，施加了 12V的數(shù)據(jù)電壓Data (j)。在初始化操作Init中，第二節(jié)點N2的電壓由先前幀的數(shù)據(jù)電壓Data (j)確定。在本說明書中，假設(shè)在初始化操作Init中第二節(jié)點N2的電壓是Vinit。因此，電壓差(Vsus-Vinit)被施加到第二電容器C2的兩個端子。Vinit具有預(yù)定的正電壓電平，該預(yù)定的正電壓電平是通過從與先前幀的輸入圖像對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓中減去第二像素晶體管M2的閾值電壓而獲得的，這將稍后參照圖12J描述。此外，由像素單元130的每個像素140a執(zhí)行初始化操作Init。因此，將在初始化操作Init中施加的信號(即，第一電源電壓ELVDD(t)、第二電源電壓ELVSS(t)、掃描信號Scan (i)、控制信號GC (t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j))以預(yù)定的電壓電平同時施加到所有像素140ao當信號被施加到所有像素140a時，第一像素晶體管Ml和第二像素晶體管M2導(dǎo)通，而第三像素晶體管M3斷開。因此，12V的初始化信號通過數(shù)據(jù)線Dj施加到第一節(jié)點NI，并且第二節(jié)點具有電壓電平Vinit，電壓差(Vsus-Vinit)被存儲于第二電容器C2的兩個端子中。接下來,將參照圖12B至12D描 述重置操作Reset。重置操作Reset涉及對像素單元130的每個像素140a( S卩，圖10中的像素140a)的OLED進行重置的時間周期。在重置操作Reset中，OLED的陽極的電壓下降為小于OLED的陰極的電壓，以使OLED可不發(fā)光。在本實施方式中，分別在圖12B至圖12D的三個階段中執(zhí)行重置操作Reset。首先，參見圖12B，在第一重置周期中，第一電源電壓ELVDD(t)具有低電壓電平，例如0V，掃描信號Scan(i)具有高電平，例如，12V，控制信號GC (t)具有高電平，例如，12V。換句話說，當掃描信號Scan(i)以高電平施加時，用PMOS實現(xiàn)的第一像素晶體管Ml斷開。因此，在第一重置周期中，以比掃描信號Scan(i)的電壓值更低的電壓值施加數(shù)據(jù)電壓 Data(j) ο當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD(t)以這種方式施加為OV時，施加在圖12A的初始化操作Init中供應(yīng)的第一電源電壓ELVDD(t)的電壓值，S卩，比12V小12V的電壓。因此，由于第一電容器Cl和第二電容器C2的耦合效應(yīng)，第一節(jié)點NI的電壓比初始化操作Init中的電壓(即，12V)小12V，第一節(jié)點NI的電壓成為0V，并且第二節(jié)點N2的電壓成為初始化操作Init 中的電壓，即，比 Vinit 小 12V(Vinit_12V)。然而，如參照圖IlB簡略描述的，掃描信號Scan(i)可以低電平施加，例如，_5V。就這一點而言，由于第一像素晶體管Ml導(dǎo)通，所以施加OV的數(shù)據(jù)電壓Data (j)，以使第一節(jié)點NI的電壓可以為OV。換句話說，考慮到鑒于設(shè)計限制條件，由于寄生耦合，第一節(jié)點NI和第二節(jié)點N2的電壓不會充分減少至期望程度，所以掃描信號Scan(i)可處于低電平，與掃描信號Scan⑴對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Data(j)可施加為0V。當?shù)诙?jié)點N2的電壓成為Vinit_12V時，施加至與第二節(jié)點N2連接的第二像素晶體管M2的柵極的電壓成為Vinit-12V，因而，用PMOS實現(xiàn)的第二像素晶體管M2導(dǎo)通。換句話說，當?shù)诙袼鼐w管M2的第一端子與第二端子之間形成電流路徑時，在與第二像素晶體管M2的第二端子連接的OLED的陽極的寄生電容器Co I ed中充電的電壓逐漸減少至第一電源電壓ELVDD (t)的電壓值，即0V。然而，當電流從寄生電容器Coled通過第一電源線ELVDD和第一電源電壓產(chǎn)生單元210a和210b流到接地線時，為了對寄生電容器Coled充電，會由DC電源電壓Vdc通過第二電源電壓產(chǎn)生單元220a和220b以及第二電源線ELVSS產(chǎn)生沖擊電流。由于沖擊電流與像素單元130的所有像素140a的寄生電容器Coled的電容的總和大致成比例，所以沖擊電流的量值非常大。在本實施方式中，在第一重置周期中，第一電源電壓ELVDD(t)的下降速度降低，以使得可防止在有機發(fā)光顯示裝置100中產(chǎn)生沖擊電流。接下來，參見圖12C，在第二重置周期中，第一電源電壓ELVDD(t)以低電壓電平施力口，例如，OV,掃描信號Scan(i)以低電壓電平施加,例如，_5V,控制信號GC(t)以低電壓電平施加，例如，-8V。就這一點而言，由于第一像素晶體管Ml導(dǎo)通,所以重置操作Reset中的OV數(shù)據(jù)電壓Data (j)被施加到第一節(jié)點NI。此外，當?shù)诙偷谌袼鼐w管M2和M3導(dǎo)通，第一電源電壓ELVDD (t)的電壓(OV)被施加到第二節(jié)點N2和OLED的陽極。因此，OLED的陽極的電壓值被維持小于OLED的陰極的電壓值。換句話說，與第一重置周期相比，在第二重置周期中，掃描信號Scan(i)處于低電平，例如，-5V，與掃描信號Scan (i)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Data (j)被施加為OV。這是因為，如上所述，考慮了鑒于設(shè)計限制條件，由于寄生耦合，第一節(jié)點NI和第二節(jié)點N2的電壓不會充分降低的情況。此外，在第二重置周期中，可以施加具有高電平的掃描信號Scan(i)。就這一點而言，在第二重置周期中，掃描信號Scan(i)可被維持成具有與第一重置周期中相同的波形。換句話說，在第二重置周期中，掃描信號Scan(i)可以高電平施加，并且可將掃描信號Scan(i)維持在初始化操作Vinit的電壓電平，即，電壓電平Vsus。 接下來，參見圖12D，在第三重置周期中，第一電源電壓ELVDD(t)以高電壓電平施力口，例如，12V，掃描信號Scan⑴以高電平施加，例如，12V，控制信號GC⑴以高電平施加，例如，12V。換句話說，相同的情況再次發(fā)生，可以在第三重置周期中施加具有與在圖12A中所描述的初始化操作Init中相同的電壓值的第一電源電壓ELVDD (t)。因此，由于與第二重置周期相比，第一電源電壓ELVDD(t)的電壓值增加了 12V，所以由于第一電容器Cl和第二電容器C2的耦合效應(yīng)，第一節(jié)點NI和第二節(jié)點N2的電壓分別增加12V和12V。換句話說，第一和第二節(jié)點NI和N2中的每一個的電壓以及第一電源電壓ELVDD (t)的值與圖12A中初始化操作Init的相同。在第一至第三重置周期中施加的OLED的陽極的電壓值是OLED的陰極的電壓值，即，小于12V的0V。此外，即使在第三重置周期中，掃描信號Scan(i)可以低電平施加，例如，_5V。然而，與掃描信號Scan (i)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Data (j)可施加為12V，以使得第一節(jié)點NI的電壓可被維持為12V。圖12B至12D中所示的重置操作Reset由像素單元130的每個像素140a同時一起執(zhí)行。因此，第一至第三重置周期中施加的信號，即，第一電源電壓ELVDD(t)、第二電源電壓ELVSS(t)、掃描信號Scan(i)、控制信號GC(t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j)必須在第一至第三重置周期的每一個中同時以預(yù)定的電壓電平施加到所有像素140a。接下來，參見圖12E至12G，在像素單元130的每個像素140a中所包括的驅(qū)動晶體管的閾值電壓(即，第二像素晶體管M2的閾值電壓)被存儲在第二電容器C2的時間周期中，當數(shù)據(jù)電壓Data (j)在每個像素140a中充電時，可去除由驅(qū)動晶體管的閾值電壓差導(dǎo)致的缺陷。在本實施方式中，分別在圖12E至12G的三個階段中執(zhí)行補償閾值電壓的操作。首先，參見圖12E，第一閾值電壓補償周期是存儲驅(qū)動晶體管(即，第二像素晶體管M)的閾值電壓的時間周期。因此圖12E的時間周期與圖12D的時間周期之間的不同在于在圖12E的時間周期中掃描信號Scan⑴以-5V的低電平施加。就這一點而言，由于第一像素晶體管Ml導(dǎo)通，所以數(shù)據(jù)電壓Data (j)以12V被施加到第一像素晶體管Ml的第一端子，這個電壓與圖12D中的第一節(jié)點NI的電壓相同。在第一閾值電壓補償周期中，與在第三重置周期中類似，掃描信號Scan(i)可以高電平施加，以防止第一和第二節(jié)點NI和N2的電壓處于預(yù)定值之外。圖12F示出了第二節(jié)點N2的電壓電平被下拉的第二閾值電壓補償周期。為此，第一電源電壓ELVDD (t)和掃描信號Scan⑴分別以高電壓電平(12V)和低電平(-5V)施加，這與先前的時間周期類似，控制信號GC(t)以低電平施加，例如，-8V。換句話說，當施加了第一電源電壓ELVDD(t)和掃描信號Scan(i)時，第三像素晶體管M3導(dǎo)通。當?shù)谌袼鼐w管M3導(dǎo)通時，第二像素晶體管M2的柵極和第二端子彼此電連接，以使第二像素晶體管M2可用作二極管。因此，由于第二電容器C2和OLED的寄生電容器Coled的耦合效應(yīng)，第二節(jié)點 N2(即，第二像素晶體管M2的柵極)的電壓電平以Coled/(C2+Coled)的比例下降。如上所述，如果假設(shè)第二電容器C2與寄生電容器Coled的電容比是I : 4，則第二節(jié)點N2的電壓與OLED的陽極電壓之間的差是12V，并由于第二電容器C2和寄生電容器Coled的耦合效應(yīng)，第二節(jié)點N2的電壓減少了該電壓差的4/5，因此，第二節(jié)點N2的電壓電平是12V*(l/5) = 2. 4V。此外，由于第三像素晶體管M3，與第二節(jié)點N2電連接的OLED的陽極電壓也為2. 4V。之后，圖12G示出了第三閾值電壓補償周期，其中所施加的信號的波形與第二閾值電壓補償周期中的相同。如上所述在第二閾值電壓補償周期中，如果第二節(jié)點N2的電壓是2. 4V，則第二像素晶體管M2的Vgs (即，2. 4V-12V)小于Vth。因此,第二像素晶體管M2導(dǎo)通,直至第一電源電壓ELVDD(t)與OLED的陽極電壓之間的電壓差對應(yīng)于第二像素晶體管M2的閾值電壓的大小，并且電流流經(jīng)第二像素晶體管M2，然后，第二像素晶體管M2斷開。在有機發(fā)光顯示裝置100中，會出現(xiàn)每個像素140a的第二像素晶體管M2的閾值電壓差。在第三閾值電壓補償周期中，每個像素140a的閾值電壓差被反映在第二節(jié)點N2的電壓上。例如，當?shù)谝浑娫措妷篍LVDD (t)施加為12V并且第二像素晶體管M2的閾值電壓是-2V時，電流流經(jīng)第二像素晶體管M2，直至OLED的陽極電壓為IOV。此外，因第三像素晶體管M3，在第二節(jié)點N2與OLED之間形成電流路徑，因此第二節(jié)點N2的電壓也為10V。此外，第一至第三閾值電壓補償操作也由像素單元130的每個像素140a同時一起執(zhí)行。因此，在閾值電壓補償操作中施加的信號，即，第一電源電壓ELVDD(t)、第二電源電壓ELVSS(t)、掃描信號Scan(i)、控制信號GC(t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j)均以預(yù)定的電壓電平同時施加到所有像素140a。接下來，參見圖12H，掃描信號Scan(i)被施加到與像素單元130的掃描線SI至Sn中的每一條連接的每個像素140a。因此，通過數(shù)據(jù)線Dl至Dm中的每一條，數(shù)據(jù)電壓Data(j)被施加到每個像素140a。換句話說，在圖12H所示的掃描/數(shù)據(jù)輸入操作中，掃描信號Scan(i)被輸入到掃描線SI至Sn中的每一條,與掃描信號Scan(i)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓Data (j)被輸入到與掃描線SI至Sn中的每一條連接的像素140a，并且在掃描/數(shù)據(jù)輸入操作期間，控制信號GC (t)以高電平施加，例如，12V。
例如，如圖12H所示，掃描信號Scan(i)的寬度可設(shè)定為兩個水平時間2H。換句話說，第(i-Ι)個掃描信號Scan (i-1)的寬度和第i個掃描信號Scan(i)的寬度可以彼此重疊一個水平時間1H，以克服當像素單元130的尺寸增加時因信號線的RC延遲產(chǎn)生的電荷短缺現(xiàn)象。此外，當控制信號GC(t)以高電平施加時，用PMOS實現(xiàn)的第三晶體管M3斷開。當具有低電平的掃描信號Scan (i)被施加到圖12H中的像素并且第一像素晶體管Ml導(dǎo)通時，具有預(yù)定的電壓電平的數(shù)據(jù)電壓Data (j)通過第一像素晶體管Ml的第一和第二端子施加到第一節(jié)點NI。就這一點而言，數(shù)據(jù)電壓Data(j)的 范圍是6V到12V，例如，6V是代表白色的電壓值，12V是代表黑色的電壓值。當數(shù)據(jù)電壓Data (j)被施加到第一節(jié)點NI時，因通過第二電容器C2的耦合效應(yīng)，第二節(jié)點N2的電壓減少了第一節(jié)點NI的電壓變化量。第一節(jié)點NI的電壓變化如下第一節(jié)點NI的電壓變化=12V_Vdata其中Vdata代表在掃描/數(shù)據(jù)輸入操作期間輸入到每個像素140a的數(shù)據(jù)電壓Data(j)的電壓電平，并且Vdata指對應(yīng)于輸入圖像的數(shù)據(jù)電壓Data (j)。因第一節(jié)點NI的電壓變化導(dǎo)致的第二節(jié)點N2的電壓如下第二節(jié)點N2 的電壓=(12V-1 Vth I)_ (Vsus-Vdata)如上所述，假設(shè)Vsus為12V，第二節(jié)點N2的電壓為Vdata-1 Vth |。此外，假設(shè)Vdata的范圍是6V到12V，在掃描/數(shù)據(jù)輸入操作期間第二節(jié)點N2的電壓的范圍是(6V-|Vth|)到(12V-|Vth|)。因此，第二像素晶體管M2的Vgs小于Vth。因此，在掃描/數(shù)據(jù)輸入操作期間第二像素晶體管M2被維持在導(dǎo)通狀態(tài)。接下來，圖121示出了與像素單元130的每個像素140a中所存儲的數(shù)據(jù)電壓Vdata對應(yīng)的電流Ioled被提供到每個像素140a的OLED以使OLED可發(fā)光的時間周期。換句話說，在發(fā)射操作Emission中，第一電源電壓ELVDD(t)以高電壓電平施加，例如，12V，第二電源電壓ELVSS (t)以低電壓電平施加，例如，0V，掃描信號Scan (i)和控制信號GC (t)中的每一個均以高電平施加，例如，12V。因此，當掃描信號Scan(i)以高電平施加時，數(shù)據(jù)電壓Data (j)以比掃描信號Scan(i)的電壓電平更低的電平施加，以使得用PMOS實現(xiàn)的第一像素晶體管Ml可斷開。此外，由于由像素單元130的每個像素140a同時一起執(zhí)行發(fā)射操作Emission，所以發(fā)射操作Emission中所施加的信號，S卩，第一電源電壓ELVDD (t)、第二電源電壓ELVSS(t)、掃描信號Scan(i)、控制信號GC(t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j)均以預(yù)定的電壓電平同時施加到所有像素140a。此外，當控制信號GC(t)以高電平施加，用PMOS實現(xiàn)的第三像素晶體管M3斷開。因此，第二像素晶體管M2用作驅(qū)動晶體管。因此，施加至第二像素晶體管M2的柵極(S卩，第二節(jié)點N2)的電壓是Vdata-|Vth|，而且施加至第二像素晶體管M2的第一端子的第一電源電壓ELVDD (t)具有高電壓電平，例如，12V。當?shù)诙娫措妷篍LVSS⑴具有低電壓電平時，形成了從第一電源電壓ELVDD (t)到OLED的陰極的電流路徑。因此，與對應(yīng)于第二像素晶體管M2的電壓值Vsg(即，第二像素晶體管M2的第一端子和柵極之間的電壓差)的電壓對應(yīng)的電流流經(jīng)OLED，并且OLED發(fā)出具有與該電流對應(yīng)的亮度的光。換句話說，流經(jīng)OLED的電流如下Ioled= β /2 (Vsg-1 Vth I)2 = β /2 (12V- (Vdata-1 Vth |) -1 Vth |)2= β /2 (12V-Vdata)2因此，在本實施方式中，由于流經(jīng)OLED的電流，所以可以克服因第二像素晶體管M2的閾值電壓差產(chǎn)生的問題。然而，當電流從寄生電容器Coled通過第二電源線ELVSS以及第二電源電壓產(chǎn)生單元220a和220b流動到接地線時，為了對寄生電容器Coled充電，會產(chǎn)生通過第一電源電壓產(chǎn)生單元210a和210b以及第一電源線ELVDD、由DC電源電壓Vdc至像素單元130的沖擊電流。由于沖擊電流與像素單元130的所有像素140a的寄生電容器Coled的電容總和 大致成比例，所以沖擊電流的量值非常大。在本實施方式中，在發(fā)射周期中，第二電源電壓ELVSS(t)的下降速度減慢，以使得可以防止在有機發(fā)光顯示裝置100中產(chǎn)生沖擊電流。圖13是示出在沒有應(yīng)用實施方式的情況下當?shù)诙娫措妷篍LVSS(t)的電平下降時產(chǎn)生的沖擊電流的示意圖，圖14是示出根據(jù)實施方式的沖擊電流減少效應(yīng)的示意圖。如圖13所示，當?shù)诙娫措妷篍LVSS⑴正在下降并且第二電源電壓ELVSS (t)的斜率沒有減少時，由第一電源電壓產(chǎn)生單元2IOa和2IOb的DC電源電壓Vdc產(chǎn)生沖擊電流I ELVDD^當?shù)诙娫措妷篍LVSS (t)正在下降時并經(jīng)過預(yù)定的時間之后，沖擊電流Ieotid返回至負載電流電平。然而，當根據(jù)本實施方式第二電源電壓ELVSS(t)的斜率減少時，第一電源電壓產(chǎn)生單元210a和210b可幾乎不產(chǎn)生沖擊電流Ieotid并且沖擊電流Iewdd可維持于負載電流電平。在整個像素單元140發(fā)光之后執(zhí)行不發(fā)射操作Off，如圖12J所示。換句話說，參見圖12J，在不發(fā)射操作Off中，第一電源電壓ELVDD(t)以高電壓電平施加，例如，12V，掃描信號Scan (i)以高電平施加，例如，12V，控制信號GC⑴以高電平施力口，例如，12V。不發(fā)射操作Off涉及OLED斷開的時間周期，以用于在執(zhí)行不發(fā)射操作Off之后的黑屏插入或調(diào)光。OLED的陽極的電壓減少至發(fā)光在幾十微秒內(nèi)關(guān)閉的電壓。在圖12A至圖12J的時間周期中建立一幀，并且一幀連續(xù)循環(huán)以使得下一幀建立。換句話說，在執(zhí)行圖12J中的不發(fā)射操作Off之后，再次執(zhí)行圖12A中的初始化操作Init。圖15是根據(jù)另一實施方式的像素140b的結(jié)構(gòu)的電路圖。參見圖15，圖10中的像素140a與圖15中的像素140b之間僅有的不同是像素140b的像素電路142b的晶體管實現(xiàn)為N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。就這一點而言，與圖IlA至圖IlC的驅(qū)動時序圖相比，將在除了數(shù)據(jù)寫入周期之外的時間周期中供應(yīng)的掃描信號Scan(i)、控制信號GC(η)、第一電源電壓ELVDD(t)、第二電源電壓ELVSS(t)以及數(shù)據(jù)電壓Data (j)的波形的極性進行轉(zhuǎn)換。因此，在圖15中，與圖10中的像素140a相比，晶體管不采用PMOS晶體管而采用NMOS晶體管來實現(xiàn)。圖15中的晶體管的操作和原理與圖10中的操作和原理相同，因而將不提供對其的詳細描述。參見圖15，像素140b包括OLED以及像素電路142b，像素電路142b用于向OLED提供電流。OLED的陰極連接到像素電路142b，OLED的陽極連接到第一電源電壓ELVDD (t)。OLED產(chǎn)生具有與像素電路142b提供的電流一致的預(yù)定亮度的光。在本實施方式中，在像素單元130的每個像素140b中，當在一幀的部分時間周期(以上描述的操作(d))掃描信號Scan(i)被供應(yīng)到掃描線SI至Sn中的每一條時，數(shù)據(jù)電壓Data (j)被供應(yīng)到數(shù)據(jù)線Dl至Dm中的每一條。然而，對于一幀的其它時間周期(操作(a)、(b)、(c)、(e)以及(f))，施加至掃描線SI至Sn中的每一條的掃描信號Scan(i)、施加至每個像素140b的第一電源電壓ELVDD (t)和第二電源電壓ELVSS (t)、以及施加至控制線GCl至GCn的控制信號均以預(yù)定的電壓電平同時施加到每個像素140b。
為此，像素140b的像素電路142b包括三個晶體管(即，第一至第三晶體管匪I至匪3)以及兩個電容器，即，第一和第二電容器Cl和C2。就這一點而言,第一像素晶體管匪I的柵極連接到掃描線Si,第一像素晶體管匪I的第一端子連接到數(shù)據(jù)線Dj。第一像素晶體管匪I的第二端子連接到第一節(jié)點NI。換句話說，掃描信號Scan⑴輸入至第一像素晶體管匪I的柵極，數(shù)據(jù)電壓Data(j)輸入至第一像素晶體管匪I的第一端子。此外，第二像素晶體管匪2的柵極連接到第二節(jié)點N2，第二像素晶體管匪2的第二端子連接到第二電源電壓ELVSS(t)，第二像素晶體管匪2的第一端子連接到OLED的陰極。就這一點而言，第二像素晶體管匪2用作驅(qū)動晶體管。此外，第一電容器Cl連接在第一節(jié)點NI與第二像素晶體管匪2的第二端子(即，第二電源電壓ELVSS (t))之間，第二電容器C2連接在第一節(jié)點NI與第二節(jié)點N2之間。此外，第三像素晶體管匪3的柵極連接到控制線GC，第三像素晶體管匪3的第一端子連接到OLED的陰極，即，連接到第二像素晶體管匪2的第一端子，第三像素晶體管匪3的第二端子連接到第二像素晶體管匪2的柵極。因此，控制信號GC(t)輸入至第三像素晶體管匪3的柵極。當?shù)谌袼鼐w管匪3導(dǎo)通時，第二像素晶體管匪2是二極管連接的。此外，OLED的陽極連接到第一電源電壓ELVDD (t)。在圖15中，用NMOS晶體管實現(xiàn)第一至第三像素晶體管匪I至匪3。經(jīng)過總結(jié)與回顧，有機發(fā)光顯示裝置具有快速的響應(yīng)速度并用低功耗驅(qū)動。有機發(fā)光顯示裝置由施加至每個像素的電源電壓驅(qū)動。由于提供了驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的各種方法時，所以可以通過根據(jù)時間改變電源電壓的電平來驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置。然而，當電源電壓的電平改變時，在有機發(fā)光顯示裝置中會產(chǎn)生額外的沖擊電流。根據(jù)一個或多個實施方式，當有機發(fā)光顯示裝置的電源電壓改變時，可防止在有機發(fā)光顯示裝置中產(chǎn)生額外的沖擊電流。此外，根據(jù)一個或多個實施方式，可防止在有機發(fā)光顯示裝置中產(chǎn)生額外的沖擊電流，以使有機發(fā)光顯示裝置中的元件不被損壞。因此，延長了有機發(fā)光顯示裝置的壽命。本文已公開了示例性實施方式，盡管采用了特定的術(shù)語，但是這些特定的術(shù)語僅用于并且將被解釋為一般性和描述性的意義，而不是為了限制的目的。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 多個像素，所述多個像素中的每個均包括有機發(fā)光二極管；以及電源電壓驅(qū)動單元，產(chǎn)生具有根據(jù)時間改變的第一電平的第一電源電壓以及具有根據(jù)時間改變的第二電平的第二電源電壓，所述電源電壓驅(qū)動單元將所述第一電源電壓和所述第二電源電壓提供到所述多個像素， 其中所述電源電壓驅(qū)動單元包括 第一電阻器，連接到用于下拉所述第一電源電壓的第二晶體管的柵極；以及 第二電阻器，連接到用于下拉所述第二電源電壓的第四晶體管的柵極。
2.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述電源電壓驅(qū)動單元包括 第一電源電壓產(chǎn)生單兀，產(chǎn)生并輸出所述第一電源電壓， 其中所述第一電源電壓產(chǎn)生單元包括 第一晶體管，包括連接到第一電源電壓控制信號的柵極、連接到直流電源電壓的第一端子以及連接到所述第一電源電壓的第一輸出線的第二端子，以及 所述第二晶體管，包括連接到所述第一電阻器的柵極、連接到所述第一電源電壓的所述第一輸出線的第一端子以及連接到接地線的第二端子；以及 第二電源電壓產(chǎn)生單元，產(chǎn)生并輸出所述第二電源電壓，其中所述第二電源電壓產(chǎn)生單元包括 第三晶體管，包括連接到第三電源電壓控制信號的柵極、連接到所述直流電源電壓的第一端子以及連接到所述第二電源電壓的第二輸出線的第二端子；以及 所述第四晶體管，包括連接到所述第二電阻器的柵極、連接到所述第二電源電壓的所述第二輸出線的第一端子以及連接到所述接地線的第二端子，并且 所述第一電阻器連接在第二電源電壓控制信號的第二輸入線與所述第二晶體管的所述柵極之間，所述第二電阻器連接在第四電源電壓控制信號的第四輸入線與所述第四晶體管的所述柵極之間。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電阻器和所述第二電阻器是可變電阻器，所述第一晶體管和所述第三晶體管是P型晶體管，所述第二晶體管和所述第四晶體管是n型晶體管，并且 所述第一電源電壓產(chǎn)生單元包括 第一檢測器，檢測施加至所述第二晶體管的所述柵極的第二柵極電壓的第二柵極電平；以及 第一電阻器控制單元，當所述第二電源電壓控制信號的第二控制信號電平從低電平改變?yōu)楦唠娖綍r以及當施加至所述第二晶體管的所述柵極的所述第二柵極電壓的所述第二柵極電平超過第一參考電壓電平時，所述第一電阻器控制單元減小所述第一電阻器的第一電阻，并且 所述第二電源電壓產(chǎn)生單元包括 第二檢測器，檢測施加至所述第四晶體管的所述柵極的第四柵極電壓的第四柵極電平；以及 第二電阻器控制單元，當所述第四電源電壓控制信號的第四控制信號電平從低電平改變?yōu)楦唠娖綍r以及當施加至所述第四晶體管的所述柵極的所述第四柵極電壓的所述第四柵極電平超過第二參考電壓電平時，所述第二電阻器控制單元減小所述第二電阻器的第二電阻。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一參考電壓電平為當所述第二電源電壓控制信號從所述低電平改變?yōu)樗龈唠娖綍r在所述第二晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第一參考電壓值，并且所述第二參考電壓電平為當所述第四電源電壓控制信號從所述低電平改變?yōu)樗龈唠娖綍r在所述第四晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第二參考電壓值。
5.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素中的每個像素均包括第一像素晶體管，包括連接到掃描線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的第一端子以及連接到第一節(jié)點的第二端子； 第二像素晶體管，包括連接到第二節(jié)點的柵極、連接到所述第一電源電壓的第一端子以及連接到所述有機發(fā)光二極管的陽極的第二端子； 第三像素晶體管，包括連接到控制線的柵極、連接到所述第二像素晶體管的所述柵極的第一端子以及連接到所述第二像素晶體管的所述第二端子的第二端子； 第一電容器，連接在所述第一電源電壓與所述第一節(jié)點之間； 第二電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；以及所述有機發(fā)光二極管，包括連接到所述第二像素晶體管的所述第二端子的所述陽極以及連接到所述第二電源電壓的陰極，并且 其中所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均是P型晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電源電壓在所述第二像素晶體管導(dǎo)通的時間周期中從高電壓電平下降至低電壓電平，以使所述有機發(fā)光二極管的所述陽極處的有機發(fā)光二極管電壓初始化。
7.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二電源電壓在所述第二像素晶體管導(dǎo)通的時間周期中從高電壓電平下降至低電壓電平，以使所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。
8.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電源電壓和所述第二電源電壓被共同施加到所述多個像素。
9.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素中的每個像素均包括第一像素晶體管，包括連接到掃描線的柵極、連接到數(shù)據(jù)線的第一端子以及連接到第一節(jié)點的第二端子； 第二像素晶體管，包括連接到第二節(jié)點的柵極、連接到所述有機發(fā)光二極管的陰極的第一端子以及連接到所述第二電源電壓的第二端子； 第三像素晶體管，包括連接到控制線的柵極、連接到所述第二像素晶體管的所述第一端子的第一端子以及連接到所述第二像素晶體管的所述柵極的第二端子； 第一電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二電源電壓之間； 第二電容器，連接在所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；以及所述有機發(fā)光二極管，包括連接到所述第一電源電壓的陽極以及連接到所述第二像素晶體管的所述第一端子的陰極， 其中所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均是n型晶體管。
10.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括 掃描驅(qū)動單元，產(chǎn)生掃描信號，并且通過所述掃描線將所述掃描信號提供到所述多個像素； 數(shù)據(jù)驅(qū)動單元，產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓，并且通過所述數(shù)據(jù)線將所述數(shù)據(jù)電壓提供到所述多個像素； 控制線驅(qū)動單元，產(chǎn)生用于在閾值電壓補償周期中導(dǎo)通所述第三像素晶體管的控制信號，以將與所述第二像素晶體管的閾值電壓對應(yīng)的第二電容器電壓存儲在所述第二電容器中，并且所述控制線驅(qū)動單元通過所述控制線將所述控制信號提供到所述多個像素；以及 時序驅(qū)動單元，對所述掃描驅(qū)動單元、所述數(shù)據(jù)驅(qū)動單元、所述電源電壓驅(qū)動單元以及所述控制線驅(qū)動單元進行控制。
11.如權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電阻器的電阻和所述第二電阻器的電阻均由所述多個像素中的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓之間得到的電容的總和來確定。
12.—種驅(qū)動有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機發(fā)光顯示裝置包括多個像素， 其中供應(yīng)到所述多個像素的第一電源電壓的第一電平根據(jù)時間改變，并且用于產(chǎn)生所述第一電源電壓的電路包括用于上拉所述第一電源電壓的第一晶體管、用于下拉所述第一電源電壓的第二晶體管以及連接到所述第二晶體管的柵極的第一電阻器，并且所述第一電阻器具有可變電阻，所述方法包括 當通過所述第一電阻器供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的第一電源電壓控制信號的第一控制信號電平改變以使所述第一電源電壓從高電壓電平改變?yōu)榈碗妷弘娖綍r，對供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的第二柵極電壓進行檢測；并且 如果供應(yīng)到所述第二晶體管的所述柵極的所述第二柵極電壓超過第一參考電壓電平，則減小所述第一電阻器的第一電阻。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一參考電壓電平是當所述第一電源電壓控制信號的所述第一電平改變以使所述第一電源電壓從所述高電壓電平改變?yōu)樗龅碗妷弘娖綍r，在所述第二晶體管的所述柵極處發(fā)生米勒效應(yīng)的第一參考電壓值。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中供應(yīng)到所述多個像素的第二電源電壓的第二電平根據(jù)時間改變，并且用于產(chǎn)生所述第二電源電壓的電路包括用于上拉所述第二電源電壓的第三晶體管、用于下拉所述第二電源電壓的第四晶體管以及連接到所述第四晶體管的柵極的第二電阻器，并且所述第二電阻器具有可變電阻，所述方法進一步包括 當通過所述第二電阻器供應(yīng)到所述第四晶體管的所述柵極的第二電源電壓控制信號的第二控制信號電平改變以使所述第二電源電壓從高電壓電平改變?yōu)榈碗妷弘娖綍r，對施加至所述第四晶體管的所述柵極的第四柵極電壓進行檢測；以及 如果施加至所述第四晶體管的所述柵極的所述第四柵極電壓超過第一參考電壓電平，則減小所述第二電阻器的第二電阻。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一晶體管和所述第三晶體管是p型晶體管，所述第二晶體管和所述第四晶體管是n型晶體管。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述多個像素包括第一節(jié)點和第二節(jié)點，所述第一節(jié)點通過第一電容器連接到所述第一電源電壓并且數(shù)據(jù)電壓通過第一像素晶體管施加到所述第一節(jié)點；所述第二節(jié)點通過第二電容器連接到所述第一節(jié)點并且連接到第二像素晶體管的柵極，并且所述第二像素晶體管連接在所述第一電源電壓與有機發(fā)光二極管的陽極之間，并且在所述第二像素晶體管的所述柵極與所述第二像素晶體管的第二端子之間連接第三像素晶體管，由此根據(jù)控制信號使所述第二像素晶體管二極管連接，并且所述第二電源電壓被連接到所述有機發(fā)光二極管的陰極，所述方法進一步包括 重置操作，將具有所述高電壓電平的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓提供到所述多個像素，并使第一節(jié)點電壓值初始化； 初始化操作，將所述第一電源電壓從所述高電壓電平降至所述低電壓電平，將所述有機發(fā)光二極管的陽極電壓值初始化為所述低電壓電平，然后將所述第一電源電壓升至所述高電壓電平； 閾值電壓補償操作，通過將所述第三像素晶體管導(dǎo)通而使所述第二像素晶體管二極管連接，并且將與所述第二像素晶體管的閾值電壓對應(yīng)的第二電容器電壓值存儲在所述第二電容器中； 掃描/數(shù)據(jù)輸入操作，順序地導(dǎo)通所述多個像素的第一像素晶體管，以將所述數(shù)據(jù)電壓存儲在所述多個像素的第一電容器中；以及 發(fā)射操作，通過將所述第二電源電壓降至所述低電壓電平，以允許所述有機發(fā)光二極管發(fā)光。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一像素晶體管、所述第二像素晶體管以及所述第三像素晶體管均是P型晶體管。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，進一步包括在允許所述有機發(fā)光二極管發(fā)光的發(fā)射操作之后的不發(fā)射操作，所述不發(fā)射操作通過將所述第二電源電壓升至所述高電壓電平來斷開所述有機發(fā)光二極管。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一電源電壓和所述第二電源電壓被共同施加到所述多個像素。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一電阻器的電阻和所述第二電阻器的電阻通過所述多個像素中的所述第一電源電壓和所述第二電源電壓之間得到的電容的總和來確定。
全文摘要
一種有機發(fā)光顯示裝置，包括多個像素，所述多個像素中的每個均包括有機發(fā)光二極管(OLED)；以及電源電壓驅(qū)動單元，產(chǎn)生具有根據(jù)時間改變的第一電平的第一電源電壓以及具有根據(jù)時間改變的第二電平的第二電源電壓，所述電源電壓驅(qū)動單元將所述第一電源電壓和所述第二電源電壓提供到所述多個像素，其中所述電源電壓驅(qū)動單元包括第一電阻器，連接到用于下拉所述第一電源電壓的第二晶體管的柵極；以及第二電阻器，連接到用于下拉所述第二電源電壓的第四晶體管的柵極。
文檔編號G09G3/32GK102682695SQ20121000852
公開日2012年9月19日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者柳明煥 申請人:三星移動顯示器株式會社