專利名稱：顯示裝置和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本技術(shù)涉及顯示裝置和電子裝置，并且具體涉及其中以行和列或以矩陣布置每個(gè)包括電光元件的多個(gè)像素的顯示裝置、以及包括該顯示裝置的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來，在用于顯示圖像的顯示裝置的領(lǐng)域中，平面型(即，其中以矩陣布置多個(gè)像素或像素電路的平面板型)的顯示裝置已經(jīng)迅速流行。作為平面板型的顯示裝置之一， 使用電流驅(qū)動(dòng)型的電光元件作為像素的發(fā)光元件的顯示裝置是可用的，電流驅(qū)動(dòng)型的電光元件發(fā)射亮度響應(yīng)于流過的電流值變化的光。作為電流驅(qū)動(dòng)型的電光元件，有機(jī)EL元件是已知的，其利用以下現(xiàn)象如果電場施加到有機(jī)材料的有機(jī)薄膜，那么其利用有機(jī)材料的電致發(fā)光(EL)來發(fā)光。使用有機(jī)EL元件作為像素的發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示元件具有如下所述的特性。 具體地，因?yàn)榭梢杂肐OV或更低的施加電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件，所以功耗可以抑制低。此外， 因?yàn)橛袡C(jī)EL元件是自發(fā)光元件，所以與液晶顯示裝置相比，顯示圖像的可見度高。此外，因?yàn)椴恍枰T如背光的照明部件，所以可以容易地實(shí)現(xiàn)重量和厚度的減小。此外，因?yàn)橛袡C(jī)EL 元件的響應(yīng)速度是大約若干μ秒并且是非常高，所以在運(yùn)動(dòng)畫面顯示時(shí)不出現(xiàn)余像。類似于液晶顯示裝置，有機(jī)EL顯示裝置可以采用簡單或無源矩陣方法和有源矩陣方法的任一作為驅(qū)動(dòng)方法。然而，盡管無源矩陣型顯示裝置在結(jié)構(gòu)上簡單，但是因?yàn)殡姽庠陌l(fā)光時(shí)段由于掃描線的數(shù)目的增加(或者換句話說，由于像素的數(shù)目的增加)而減少，所以存在難以實(shí)現(xiàn)大尺寸和高清晰度顯示裝置的問題。因此，近年來，有源矩陣型顯示裝置的開發(fā)正在積極進(jìn)行，在有源矩陣型顯示裝置中通過有源元件(諸如例如通過像素中提供的絕緣柵極型場效應(yīng)晶體管)控制電流流動(dòng)到電光元件，在像素中提供電光元件。作為絕緣柵極型場效應(yīng)晶體管，通常使用TFT(薄膜晶體管)。因?yàn)樵谟性淳仃囆惋@示裝置中，電光元件在一個(gè)顯示幀時(shí)段上連續(xù)發(fā)光，所以其在大尺寸和高清晰度上可以容易地實(shí)現(xiàn)。除了電光元件之外，包括由有源矩陣方法驅(qū)動(dòng)的電流驅(qū)動(dòng)型電光元件的像素電路包括用于驅(qū)動(dòng)電光元件的驅(qū)動(dòng)電路。這樣的驅(qū)動(dòng)電路之一例如在日本專利公開 No. 2009-103868(下文中稱為專利文獻(xiàn)1)中公開。專利文獻(xiàn)1的驅(qū)動(dòng)電路并入像素電路， 并且從用于驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)型電光元件(諸如例如有機(jī)EL元件21)的驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫入晶體管23和保持電容器M配置。在專利文獻(xiàn)1中，公開了其中外圍電路部分00、50和60)安裝在顯示面板70上的有機(jī)EL顯示裝置IOb (參照專利文獻(xiàn)1的0027段、圖1、10等)，在顯示面板70中并入從大量單位像素20b配置的像素陣列部分30。此外，在專利文獻(xiàn)1中，描述了對(duì)于屬于配置同一單位像素20b的兩個(gè)垂直相鄰行的四個(gè)子像素2(ν20κ、20<^Π 20Β共同使用一條電源線32(32_i到32_m)。此外，在專利文獻(xiàn)1 中，描述了因?yàn)榭梢酝ㄟ^共同使用一條電源線32減小寫入掃描電路40的電路規(guī)模，所以可以實(shí)現(xiàn)顯示面板70的框架的外框(molding)的寬度的減小(參照專利文獻(xiàn)1的0136段)。 這里，“框架的外框”是無助于圖像顯示的像素陣列部分30周圍的顯示面板70的區(qū)域。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，通過減少配置用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分的像素的外圍電路部分的電路元件和布線的數(shù)目以減小外圍電路部分的電路規(guī)模，可以實(shí)現(xiàn)顯示面板的框架外框的寬度的減小。然而，因?yàn)閷?duì)于通過減少配置外圍電路部分的電路元件和布線的數(shù)目來減小電路規(guī)模存在限制，所以對(duì)于顯示面板的框架外框的寬度的減小也存在限制。因此，如果試圖滿足對(duì)于顯示面板的工作外框的寬度的進(jìn)一步減小的需要，那么有時(shí)被迫限制外圍電路的功能以實(shí)現(xiàn)外圍電路部分的電路規(guī)模的減小。因此，希望提供一種顯示裝置和電子裝置，通過其可以實(shí)現(xiàn)顯示面板的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小，而不限制驅(qū)動(dòng)像素陣列部分的像素的外圍電路部分的功能。根據(jù)公開的技術(shù)，提供一種顯示裝置，包括可折疊基底；像素陣列部分，包括布置在所述基底上并且每個(gè)包括電光器件的多個(gè)像素；所述可折疊基底至少在其一側(cè)的基底端部圍繞所述像素陣列部分折疊；外圍電路部分，布置在所述基底端部并且適于驅(qū)動(dòng)所述像素陣列部分的像素；以及焊盤部分，提供在其上提供所述外圍電路部分的所述基底端部上，并且適于將外圍電路部分電連接到所述基底的外部。在具有上述配置的顯示裝置中，因?yàn)榛字辽僭谄湟粋?cè)的基底端部圍繞所述像素陣列部分折疊，所以對(duì)于圖像顯示無貢獻(xiàn)的圍繞像素陣列部分的區(qū)域部分(即，框架外框) 可以在尺寸上減小對(duì)應(yīng)于折疊的基底端部的區(qū)域的量。因此，外圍電路部分通過折疊部分放置于其上提供像素陣列部分的基底上。因此，即使諸如端子的接觸部分不插入外圍電路部分和像素陣列部分之間，外圍電路部分和像素陣列部分也可以相互電連接。此外，基底端部的尺寸不受限制，如果它保持在其上設(shè)置像素陣列部分的基底主體的尺寸的范圍內(nèi)。因此，布置在基底端部的外圍電路部分的尺度以及因此外圍電路部分的功能不受限制。此外，因?yàn)橛糜趯⑼鈬娐凡糠趾桶宓耐獠肯嗷ル娺B接的焊盤部分提供在其上提供外圍電路部分的基底端部上，所以基底端部的折疊部分和外圍電路部分之間的距離小。因此，即使不能在它們之間布置布線，也可以確定地執(zhí)行外圍電路部分和基底的外部之間的電連接。總的來說，在該顯示裝置的情況下，因?yàn)槭褂每烧郫B基底，并且外圍電路部分布置在至少在一側(cè)圍繞像素陣列部分的外圍折疊的板的基底端部，所以可以實(shí)現(xiàn)顯示面板的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小，而不限制外圍電路部分的任何功能。此外，即使基底端部的折疊部分和外圍電路部分之間的距離小，使得不能在它們之間布置布線，也可以確定地建立外圍電路部分和基底的外部之間的電連接。


圖1是示意性地示出根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置的顯示面板的結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2A和2B是分別示出圖1的顯示面板的折疊前后的顯示面板的截面圖；圖3是示意性地示出圖1的顯示面板的不同結(jié)構(gòu)的正視圖4A和4B是基底端部的折疊前后圖1的顯示面板的示意圖；圖5A到5D是圖示基底端部的折疊過程的示例的示意圖；圖6是示出圖1的顯示面板的結(jié)構(gòu)的示例的部分截面圖；圖7是示出在圖1的顯示面板的基本主體部分具有防水侵槽的面板結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖8是示出在圖1的顯示面板的基本主體部分和基底端部具有防水侵槽的另一面板結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖9是示出對(duì)其應(yīng)用根據(jù)公開技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置的有機(jī)EL顯示裝置的一般配置的框圖；圖10是示出圖9的有機(jī)EL顯示裝置的每個(gè)像素的電路配置的示例的電路圖；圖11是圖示圖9的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的時(shí)序波形圖；圖12A到12D和13A到13D是圖示圖9的有機(jī)EL顯示裝置的基本電路操作的電路圖；圖14A和14B分別是圖示由驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的離散引起的問題以及由驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率的離散引起的另一問題的特性圖；圖15A是示出寫入掃描電路的配置示例的框圖，并且圖15B是示出配置寫入掃描電路的偏移寄存器的電路示例的電路圖；圖16A是示出從一側(cè)溝道晶體管和電容元件的組合配置的反相器電路的電路配置的示例的電路圖，并且圖16B是示出反相器電路的輸入脈沖信號(hào)和輸出脈沖信號(hào)的波形的波形圖；圖17是示出信號(hào)輸出電路的配置示例的電路圖；圖18是示出在面板中提供掃描電路部分的情況下到基底的外部的電連接的配置示例的示意性俯視圖；圖19是類似視圖但是示出在面板的外部提供掃描電路部分的情況下到基底的外部的電連接的配置示例；圖20是示出對(duì)其應(yīng)用本公開的顯示裝置的電視機(jī)的外觀的透視圖；圖21A和21B分別是示出當(dāng)從前側(cè)和后側(cè)觀看時(shí)對(duì)其應(yīng)用本公開的顯示裝置的數(shù)字相機(jī)的外觀的透視圖；圖22是示出對(duì)其應(yīng)用本公開的顯示裝置的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀的透視圖；圖23是示出對(duì)其應(yīng)用本公開的顯示裝置的攝像機(jī)的外觀的透視圖；以及圖24A和24B分別是示出在打開狀態(tài)下的便攜式電話機(jī)的正視圖和側(cè)視圖，并且圖24C、24D、24E、24F和24G分別是便攜式電話機(jī)的正視圖、左側(cè)視圖、右側(cè)視圖、俯視圖和仰視圖。
具體實(shí)施例方式在以下，參照附圖詳細(xì)描述公開的技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例。要注意，以以下順序給出描述。1.實(shí)施例
2.對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的有機(jī)EL顯示裝置2-1.系統(tǒng)配置2-2.基本電路動(dòng)作2-3.驅(qū)動(dòng)電路部分的配置示例3.修改4.電子裝置<1.實(shí)施例 >圖1示出根據(jù)公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置的顯示面板的一般結(jié)構(gòu)。同時(shí)，圖 2A和2B分別示出顯示面板折疊前后的顯示面板的橫截面。參照?qǐng)D1、圖2A和2B，根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置10大部分定義在用作配置顯示面板 70的基底(更具體地用作其上形成像素電路的基底)的可折疊或可彎曲基底。對(duì)于可折疊基底，可以使用已知的基底，諸如作為金屬薄板的金屬基底、塑料基底等。優(yōu)選地，例如從抗腐蝕的角度從不銹鋼基底形成金屬基底。然而，從絕緣性能的角度，優(yōu)選地使用塑料基底而不是金屬基底。不銹鋼基底的薄板、塑料基底等可以容易地使用已知的彎曲夾具(jig)折疊或彎曲。顯示面板70包括基底主體部分70a，以及例如沿著基底主體部分70a的外圍的四邊折疊到后面?zhèn)鹊乃膫€(gè)基底端部70b到70e。在圖1中，通過交替的長短虛線示意性示出四個(gè)基底端部70b到70E中的在基底主體部分70a的相對(duì)左和右側(cè)邊的基底端部70b和70c以及在基底主體部分70a的下側(cè)邊的基底端部70d。每個(gè)包括電光元件(諸如例如自發(fā)光型的電光元件)的多個(gè)像素或像素電路20 在顯示面板70的基底主體部分70a的基本整個(gè)區(qū)域上以行和列二維地排列，以配置像素陣列部分30。這里，作為自發(fā)光型的電光元件，有機(jī)EL元件、無機(jī)EL元件、LED元件、半導(dǎo)體激光器元件等是廣泛已知的。自發(fā)光型的電光元件是電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件，其發(fā)出的光亮度響應(yīng)于流過的電流值變化。同時(shí)，在基底主體部分70a的相對(duì)的左右側(cè)邊上的基底端部70b和70c以及下側(cè)邊的基底端部70D上，提供用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分30的像素的外圍電路部分8仏到80。。外圍電路部分80a到80c通過布線部分81的布線電連接到像素陣列部分30，如圖2A和2B所見。 外圍電路部分80a到80。的具體示例在下文中描述。在顯示面板70的制造時(shí)，形成像素陣列部分30的像素，并且外圍電路部分8(^到 8 的電路元件形成在平板形式的可彎曲或可折疊基底^(^到？。^上，如圖2A所示。此外，形成或布線用于將像素陣列部分30和外圍電路部分80a到80。相互電連接的布線部分 81的布線。對(duì)于其上以此方式形成像素陣列部分30、外圍電路部分80a到80c和布線部分81 的平板形式的顯示面板70，例如從在布線部分81的背面布置折疊夾具(folding jig)82的開始點(diǎn)執(zhí)行彎曲或折疊工作。通過該折疊工作，其上安放外圍電路部分8(^和80b(80c)的基底端部7(^和70。(70d)折疊并且位于基底主體部分70a的背后側(cè)(也就是說，與顯示面相對(duì)側(cè))。因此，作為在顯示面板70的像素陣列部分30的外圍的框架的外框，僅存在布線部分81的部分，并且因此可以形成窄的或具有小寬度的顯示面板的框架外框。換句話說，可以將像素陣列部分30周圍無助于圖像顯示的過剩區(qū)域的面積抑制到最小的需要程度。此外，像素陣列部分30和外圍電路部分80a到80c電連接到在一個(gè)基底上形成的布線部分81的布線，盡管該基底在它們之間折疊。結(jié)果，不需要提供焊盤部分，諸如在其中柔性線纜等用于將外部基底連接到例如基底主體部分70a的情況下所提供的端子。因此， 因?yàn)椴恍枰_保用于提供焊盤部分的區(qū)域，所以可以預(yù)期顯示面板70的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小。此外，基底端部7 和70。(70d)在尺寸上不受限，如果尺寸保持在其上提供像素陣列部分30的基底主體部分70A的尺寸的范圍內(nèi)。因此，布置在基底端部70b*70c(70d)的外圍電路部分8仏和80b(80c)的電路規(guī)模并且因此外圍電路部分80a*80b(80c)的功能不受限。在本實(shí)施例中，顯示面板70在像素陣列部分30的外圍在其四個(gè)側(cè)邊折疊，并且外圍電路部分80a、80b和80e從該四個(gè)側(cè)邊安放在基底端部70B、70e和70D上。然而，顯示面板 70的面板結(jié)構(gòu)不限于此。例如，顯示面板70在其上安放外圍電路部分80a、80b和80c的像素陣列部分30的外圍的三個(gè)側(cè)邊可以彎曲或折疊，如圖3所見。在此情況下，因?yàn)楸３植粡澢蛘郫B的基底端部70e形成占據(jù)框架的大部分的邊緣，所以優(yōu)選考慮在四個(gè)側(cè)邊彎曲或折疊顯示面板70。此外，即使不折疊四個(gè)或三個(gè)側(cè)邊，而是至少折疊像素陣列部分30的外圍的一個(gè)側(cè)邊，那么與其中四個(gè)側(cè)邊都不折疊的替代情況相比，也提供框架外框的寬度減小的效果。如上所述，作為配置顯示面板70的基底，使用可折疊基底。然后，通過在像素陣列部分30的外圍的至少一個(gè)側(cè)邊折疊的基底端部70B、70C和70d上布置外圍電路部分80a、80b 和80。，可以將具有各種功能的各種電路安放在外圍電路部分8Οα、8Ο0Π 80。上，而不受框架外框尺寸的限制。因此，可以實(shí)現(xiàn)顯示面板70的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小，而不限制外圍電路部分80α、80β和80。的功能。特別地，如果像素陣列部分30在其外圍的四個(gè)側(cè)邊折疊，則可以實(shí)現(xiàn)基本消除框架外框部分并且使用顯示面板70的顯示面的整體區(qū)域作為顯示區(qū)域的顯示裝置。圖4Α和4Β分別示出基底端部70B、70C和70D折疊前后的顯示面板70。在圖4A和 4B的示例中，在像素陣列部分30的外圍的四個(gè)側(cè)邊中，僅僅其上安放外圍電路部分80a、80b 和80e的像素陣列部分30的外圍的三個(gè)側(cè)邊折疊，而切割圖4A和4B中在上側(cè)邊示出的剩余一個(gè)側(cè)邊。在圖4A和4B中，像素陣列部分30是對(duì)于圖像的顯示有貢獻(xiàn)的有效像素部分，也就是說，顯示區(qū)域部分。在像素陣列部分30的相對(duì)左和右側(cè)邊(也就是說，在基底主體部分70a的左和右側(cè)邊)的基底端部70b和70c以及在下側(cè)邊的基底端部70d折疊，而切割在上側(cè)邊的基底端部70e。下面描述細(xì)節(jié)。首先，為了切割在上側(cè)邊的基底端部70E，在基底主體部分70A和基底端部7 之間形成切割部分83A，使得它在基底主體部分70a的相對(duì)端之間的水平方向上延伸。然后，在切割部分8 的相對(duì)端和基底端部70e的上端之間形成槽8 和83。。結(jié)果，可以從基底主體部分70a切割在上端的基底端部70e。然后，為了在相對(duì)的左和右側(cè)邊折疊基底端部70b和70。，在基底端部70b和70c上形成槽8 和83E，使得它們從相對(duì)的左和右側(cè)邊沿著基底主體部分70a的下端延伸。然后，在彎曲基底端部70b和70。之前，它們的上端部70bq和70ω沿著粗虛線彎曲。此后，基底端部70β和70。沿著粗虛線彎曲，并且基底端部70β和70。沿著基底端部70β和70。和基底主體部分7(^之間的邊界上的粗虛線彎曲。然后，例如，在彎曲基底端部70β和70。的上端部70bc1和70ω的上端，外圍電路部分 8(^和80Β和基底的外部相互電連接。特別地，提供焊盤部分8\和8、，用于通過其提取用于外圍電路部分8(^和80β的電源電壓和來自基底的外部的各種信號(hào)。焊盤部分8\和84β 提供在其上分別提供外圍電路部分80α和80β的基底端部70β和70c上，更具體地，在遠(yuǎn)離彎曲部分的基底端部70b和70c中的位置(即，在上端部70bo和70⑶)。焊盤部分84a和84B和外圍電路部分80a和80b通過基底端部70b和70c中彎曲部分上的布線相互電連接。下文中，為了彎曲基底端部70D，基底端部70d的相對(duì)端部70D1和70D2首先在槽83D 和8 的邊界上沿著基底端部7 和70。的彎曲線的延伸線上的粗虛線彎曲。然后，基底端部70d沿著基底端部70d和基底主體部分70A之間的邊界上的粗虛線(即，沿著將槽8 和 8 相互連接的粗虛線)彎曲。這里，作為示例假設(shè)基底端部70d上安放的外圍電路部分80。是信號(hào)輸出電路，其如下所述輸出來自基底外部提供的未示出的信號(hào)提供源所提供的視頻信號(hào)到像素陣列部分30的像素。在此情況下，對(duì)于在基底端部70d的下端的像素陣列部分30的每個(gè)像素列， 提供用于從基底的外部提取視頻信號(hào)的焊盤部分組84。。在水平方向上的像素陣列部分30 的寬度上，基本對(duì)應(yīng)于像素陣列部分30的像素列提供焊盤部分組84c。 例如，分別在基底端部70d的相對(duì)端部70D1和70D2的下端提供一對(duì)焊盤部分84D 和84e，用于將外圍電路部分80。和基底的外部相互連接，也就是說，用于從基底的外部提取柵極控制信號(hào)，該柵極控制信號(hào)用于控制例如配置上述信號(hào)輸出電路的晶體管。特別地，焊盤部分84d和84e提供在其上提供從外圍電路部分80。形成的信號(hào)輸出電路的基底端部70d 上，更具體地，在遠(yuǎn)離彎曲部分的基底端部70d中的位置(即，在相對(duì)端部70D1和70D2)。然后，焊盤部分84d和84e和外圍電路部分80c通過基底端部70d中的彎曲部分上的布線相互電連接。如上所述，通過從基底主體部分7(^切割上側(cè)邊的基底端部70E，并且然后彎曲在相對(duì)的左和右側(cè)邊的基底端部70b和70c以及在下側(cè)邊的基底端部70D，可以實(shí)現(xiàn)基本具有基底主體部分70a的尺寸的顯示面板70。然而，因?yàn)樾枰_保在基底端部70B、70e和70d的彎曲部分的彎曲邊緣，所以最終的顯示面板70具有在基底主體部分70a的外圍的一些框架外框70F，如圖4B所見。此外，通過在折疊的基底端部70b、70c和70d上布置外圍電路部分80A、80B和80c， 具有各種功能的電路可以并入作為外圍電路部分80a、80b和80。而不受框架外框尺寸的限制。因此，可以實(shí)現(xiàn)顯示面板70的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小，而不限制外圍電路部分 80a、80b和80。的功能。此外，分別在基底端部70b、70c和70d上提供用于將外圍電路部分80A、80B和80c和基底的外部相互連接的焊盤部分日 力知力知和84e。更具體地，在基底端部70B、70。和70d 中遠(yuǎn)離彎曲部分的基底端部70B、70e和70d上的位置(即，在基底端部70B、70e和70D的上端部70bo和70⑶以及相對(duì)端部70D1和70D2)，提供焊盤部分84a、84b、84d和84E。結(jié)果，基底端部70B、70C和7 *的彎曲部分和外圍電路部分8Οα、8Ο0Π 80。之間的距離小，并且即使不能布置布線，也可以確定地建立外圍電路部分80a、80b和80e和基底的外部之間的電連接。這里，參照?qǐng)D5A到5D描述具有上述結(jié)構(gòu)的基底的基底端部70B、70C和70D的彎曲或折疊的過程示例。圖5A對(duì)應(yīng)于圖4A。在圖5A所示的狀態(tài)下，從基底主體部分70a切割在上側(cè)邊的基底端部70e。然后， 如由圖5B的箭頭標(biāo)記所示，在相對(duì)左側(cè)邊和右側(cè)邊的基底端部70b和70。的上端部70bq和 70co折疊到基底端部70b和70。的背面?zhèn)冗?。此外，在下?cè)邊的基底端部70d的相對(duì)端部70D1 和70D2折疊到基底端部70d的背面?zhèn)冗?，如由箭頭標(biāo)記所示。然后，在相對(duì)左側(cè)邊和右側(cè)邊的基底端部70b和70。折疊到基底主體部分70a的背面?zhèn)冗叄缬杉^標(biāo)記所示，然后在下側(cè)邊的基底端部70d彎曲或折疊到基底主體部分70a 的后面?zhèn)冗?，如由箭頭標(biāo)記所示。結(jié)果，形成圖5D所見的在基底主體部分70A的外圍具有一些框架外框70f的顯示面板70?，F(xiàn)在，參照?qǐng)D6描述顯示面板70的結(jié)構(gòu)。圖6示出顯示面板的結(jié)構(gòu)示例的局部部分。如上所述，顯示面板70包括其上形成像素陣列部分30的基底主體部分70A、其上形成外圍電路部分80a (80b)的基底端部70b (70。)、以及位于基底主體部分70a和基底端部 70b(70c)之間的折疊或彎曲區(qū)域85，如圖2所見。在折疊區(qū)域85中形成布線部分81，用于將外圍電路部分80a(80b)和像素陣列部分30相互電連接。換句話說，在折疊區(qū)域85的布線部分81上，僅布置簡單的金屬布線，而不布置包括晶體管等的任何電路部分。在圖6中，在可折疊基底201上形成包括薄膜晶體管(TFT) 22的電路部分，該薄膜晶體管(TFT) 22包括柵極電極211等。此外，在基底201上按順序?qū)訅航^緣膜(S卩，柵極絕緣膜202、展平膜203和窗口絕緣膜204)。此外，例如在窗口絕緣膜204的凹口部分中形成有機(jī)EL元件21作為電光元件。TFT 22例如是用于驅(qū)動(dòng)這樣的有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)晶體管。有機(jī)EL元件21包括陽極電極205、有機(jī)層206和陰極電極207。陽極電極205由在窗口絕緣膜204的凹口部分的底部形成的金屬制成。有機(jī)層206在陽極電極205上形成。 從對(duì)于有機(jī)層206上所有像素共同形成的透明導(dǎo)體膜等形成陰極電極207。在有機(jī)EL元件21中，從在陽極電極205上連續(xù)沉積的空穴傳輸層/空穴注入層、 發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層形成有機(jī)層206。然后，在通過TFT 22的電流驅(qū)動(dòng)下，電流從TFT 22通過陽極電極205流到有機(jī)層206，于是電子和空穴在有機(jī)層206中的發(fā)光層中復(fù)合以發(fā)光。包括有機(jī)EL元件21和TFT 22的像素部分由保護(hù)層208從上面保護(hù)?；?01 用薄層樹脂209覆蓋其整個(gè)面積。此外，在其上形成像素陣列部分30的基底主體部分70a 上的基底主體部分7仏上，布置作為從密封膜、玻璃基底等形成的第二基底的相對(duì)基底210。 換句話說，相對(duì)基底210僅布置在基底主體部分70a的區(qū)域中，以便不延伸到折疊區(qū)域85。如從圖6顯而易見的，僅僅金屬布線811布置在折疊區(qū)域85的布線部分81中，而不布置包括晶體管等的電路部分。特別地，配置折疊區(qū)域85，使得金屬布線811形成在基底 201上，其中絕緣層202插入其間，并且展平膜203和窗口絕緣膜204按順序?qū)盈B在金屬布線811上，并且從上面用薄層樹脂209覆蓋。順便提及，在折疊區(qū)域85上折疊上述面板結(jié)構(gòu)的顯示面板70時(shí)，顯示面板70有時(shí)遭受微裂或破裂。如果出現(xiàn)破裂，則水等可能通過裂縫侵入顯示面板70并且可能使像素陣列部分30的電路元件劣化。因此，為了避免這種水等通過裂縫的侵入從而避免電路元件的劣化，本實(shí)施例中的顯示面板70具有這樣的面板結(jié)構(gòu)，其中在相對(duì)于折疊區(qū)域85的像素陣列部分30側(cè)的基底201上提供防水侵槽86。形成防水侵槽86，使得其圍繞像素陣列部分30，如在圖7的平面圖所見。如從圖6的截面圖顯而易見的，通過移除展平膜203和窗口絕緣膜204形成防水侵槽86。通過采用其中以此方式提供防水侵槽86的面板結(jié)構(gòu)，即使當(dāng)折疊顯示面板70時(shí)出現(xiàn)裂縫，從裂縫侵入的水等也聚集在防水侵槽86中，并且通過防水侵槽86避免進(jìn)一步侵入到像素陣列部分30側(cè)。因此，可以避免可能源自通過裂縫侵入的水等的電路元件的劣化，并且結(jié)果不損害顯示面板70的電可靠性。換句話說，在維持顯示面板70的電可靠性的同時(shí)，可以預(yù)期通過基底的折疊減小顯示面板70的框架外框的寬度。要注意，盡管上述以這樣方式在相對(duì)于折疊區(qū)域85的像素陣列部分30側(cè)的基底 201上形成防水侵槽86以便圍繞像素陣列部分30，但是防水侵槽86不需要必定在顯示面板70側(cè)形成。特別地，除了像素陣列部分30上的防水侵槽86a外，防水侵槽86可以形成在基底端部70b、70。和70d的至少一個(gè)上，如圖8所見。特別地，參照?qǐng)D8，可以分別以這樣的方式在相對(duì)于折疊區(qū)域85的外圍電路部分 80a、80b和80c側(cè)的基底端部70b、70c和70D上形成防水侵槽86B,86C和86D，以便圍繞外圍電路部分8Οα、8Ο0Π8Ο。。盡管圖8示出防水侵槽86(8 、8 和86d)形成在所有基底端部 70B、70e和70D上，但是另外可以僅在基底端部70B、70e和70D之一上形成。通過以此方式同樣在基底端部70B、70C和了…側(cè)形成防水侵槽86，即使當(dāng)折疊顯示面板70時(shí)在基底端部70b、70c* 70d上出現(xiàn)裂縫，也可以實(shí)現(xiàn)與基底主體部分70a的工作效果類似的工作效果。特別地，從裂縫侵入的水等聚集在防水侵槽86b、8 和8 中，并且通過8 、8 和8 避免進(jìn)一步向外圍電路部分80a、80b和80c側(cè)侵入。因此，可以避免否則可能源自通過裂縫侵入的水等的外圍電路部分80a、80b和80c的電路元件的劣化，并且因此不損害顯示面板70的電可靠性。換句話說，盡管進(jìn)一步維持了顯示面板70的電可靠性，但是可以實(shí)現(xiàn)通過基底的折疊的顯示面板70的框架的框架外框的寬度的減小。2.對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的有機(jī)EL顯示裝置其中可以通過使用可折疊或可彎曲基底配置顯示面板的顯示裝置包括平板型的顯示裝置，其使用自發(fā)光型的電光元件作為像素20的電光元件。下面描述利用有機(jī)EL元件作為電光元件的有機(jī)EL顯示裝置。2-1.系統(tǒng)配置圖9示出對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的一般配置。參照?qǐng)D9，根據(jù)本應(yīng)用的有機(jī)EL顯示裝置IOa包括像素陣列部分30和圍繞像素陣列部分30布置的外圍電路部分，在像素陣列部分30中以行和列二維陣列每個(gè)包括有機(jī)EL 元件的多個(gè)像素20。外圍電路部分包括寫掃描電路40、電源掃描電路50、信號(hào)輸出電路60 等，并且驅(qū)動(dòng)像素陣列部分30的像素20。如果有機(jī)EL顯示裝置IOa準(zhǔn)備彩色顯示，那么從多個(gè)子像素配置一個(gè)像素，并且每個(gè)子像素對(duì)應(yīng)于像素20。更具體地，在用于彩色顯示的顯示裝置中，從包括用于發(fā)紅光(R)的子像素、用于發(fā)綠光(G)的另一子像素和用于發(fā)藍(lán)光(B)的又一子像素的三個(gè)子像素
配置一個(gè)像素。然而，一個(gè)像素不限于紅、綠和藍(lán)的三原色的子像素的組合，而是可以從除了三原色的子像素以外的顏色的一個(gè)子像素或不同顏色的多個(gè)子像素配置。更具體地，為了改進(jìn)亮度，可以額外使用用于發(fā)白光(W)的子像素來配置一個(gè)像素，或者可以額外使用用于擴(kuò)大色彩再現(xiàn)范圍的用于發(fā)補(bǔ)色光的至少一個(gè)子像素來配置一個(gè)像素。像素陣列部分30對(duì)應(yīng)于上面結(jié)合公開的技術(shù)的實(shí)施例描述的像素陣列部分30， 并且形成在可折疊基底001)(即，在上述實(shí)施例的基底主體部分70a)上。像素陣列部分 30包括掃描線3“到31m、電源線32i到32m、以及信號(hào)線SS1到33n。為以m行和η列陣列的像素20的陣列，沿著行方向(即，沿著以像素行安排像素的方向)為各個(gè)像素行布線掃描線到3、和電源線3 到32m。沿著列方向(即，以像素列安排像素的方向)為各個(gè)像素列布線信號(hào)線33i到33n。掃描線3L到31m、電源線32i到32m、以及信號(hào)線33i到3 對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例中布線部分81的布線。此外，寫掃描電路40、電源掃描電路50、信號(hào)輸出電路60分別對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例中的外圍電路部分80a、80b和80c。掃描線到31m連接到寫掃描電路40的相應(yīng)行的輸出端子。電源線3 到3 連接到電源掃描電路50的相應(yīng)行的輸出端子。信號(hào)線33i到3 連接到信號(hào)輸出電路60 的相應(yīng)列的輸出端子。寫掃描電路40從響應(yīng)于時(shí)鐘脈沖ck偏移或發(fā)送開始脈沖sp的移位寄存器或相似電路配置。下面描述寫掃描電路40的詳細(xì)配置。在將視頻信號(hào)寫入到像素陣列部分30 的像素20中時(shí)，寫掃描電路40連續(xù)提供寫掃描信號(hào)WS (WS1到WSn)到掃描線31 Gl1到31m)， 以便以行為單位連續(xù)掃描像素陣列部分30的像素20 (線順序掃描)。電源掃描電路50從響應(yīng)于時(shí)鐘脈沖ck偏移開始脈沖sp的移位寄存器或相似電路配置。電源掃描電路50與通過寫掃描電路40的線順序掃描同步提供電源電勢DS (DS1到 DSffl)到電源線32(3 到32m)，電源電勢DS (DS1到D^1)可以在第一電源電勢V。。p和低于第一電源電勢V。。p&第二電源電勢Vini之間改變。如下所述，通過電源電勢DS在如下所述的第一電源電勢V。。p和第二電源電勢Vini之間的改變執(zhí)行像素20的發(fā)光/不發(fā)光控制。信號(hào)輸出電路60選擇性地輸出對(duì)應(yīng)于從未示出的信號(hào)提供源提供到其的亮度信息的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig和參考電勢v。fs。這里，參考電勢v。fs是參考視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的電勢(如例如，對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的黑電平的電勢)，并且在下述閾值校正處理時(shí)使用。以通過寫掃描電路40的掃描選擇的像素行為單位，從信號(hào)輸出電路60輸出的信號(hào)電壓Vsig/基準(zhǔn)電勢V。fs通過信號(hào)線33 (33!到33n)寫入到像素陣列部分30的像素20中。 特別地，信號(hào)輸出電路60采用用于以行或線為單位寫入信號(hào)電壓Vsig的線順序掃描的驅(qū)動(dòng)形式。如上所述，其上安放像素陣列部分30、寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60的顯示面板70從可折疊基底形成，并且在像素陣列部分30的外圍上由交替長和短虛線指示的部分折疊。結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)顯示面板70的框架外框的寬度的減小，而不限制寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60的功能。下面描述寫掃描電路40、電源掃描電路50和信號(hào)輸出電路60的功能。像素電路圖10示出每個(gè)像素或像素電路20的具體電路配置的示例。從有機(jī)EL元件21形成像素20的發(fā)光部分，有機(jī)EL元件21是發(fā)射其亮度響應(yīng)于流過其的電流值變化的光的電流驅(qū)動(dòng)型的電光元件。參照?qǐng)D10，從有機(jī)EL元件21和驅(qū)動(dòng)電路配置像素20，驅(qū)動(dòng)電路用于提供電流到有機(jī)EL元件21以驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21。有機(jī)EL元件21在其陰極電極連接到對(duì)于所有像素20共同布線的公共電源線34。用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫入晶體管23、保持電容器M和輔助電容器25。N溝道型的TFT可以用于驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23。然而，這里描述的驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的傳導(dǎo)類型的組合僅是示例，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的傳導(dǎo)類型的組合不限于該特定一個(gè)。驅(qū)動(dòng)晶體管22在其一個(gè)電極(即，在其源極和漏極電極之一)連接到有機(jī)EL元件21的陽極電極，并且在其另一電極(即，在其漏極或源極電極)連接到電源線32(3 到 32m) ο寫入晶體管23在其一個(gè)電極(即，在其源極和漏極電極之一)連接到信號(hào)線 33(33!到33n)，并且在其另一電極(即，在其漏極或源極電極)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。此外，寫入晶體管23在其柵極電極連接到掃描線31 (Sl1到31m)。驅(qū)動(dòng)晶體管22和寫入晶體管23的電極之一是電連接到源極/漏極區(qū)域的金屬布線，并且另一電極是電連接到漏極/源極區(qū)域的金屬布線。此外，取決于一個(gè)電極和另一電極之間的電勢關(guān)系，一個(gè)電極可以用作源極電極或漏極電極，并且另一電極可以用作漏極電極和源極電極。保持電容器M在其一個(gè)電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并且在其另一電極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一電極和有機(jī)EL元件21的陽極電極。輔助電容器25在其一個(gè)電極連接到有機(jī)EL元件21的陽極電極，并且在其另一電極連接到公共電源線34。根據(jù)情況需要提供輔助電容器25，以便補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容的缺乏并且提高進(jìn)入保持電容器M的視頻信號(hào)的寫入增益。換句話說，輔助電容器25 不是必須元件，并且在有機(jī)EL元件21的等效電容足夠高的情況下可以省略。盡管輔助電容器25的另一電極這里連接到公共電源線34，但是輔助電容器25的另一電極的連接目的地不限于公共電源線34，而是可以是固定電勢的節(jié)點(diǎn)。通過將輔助電容器25的另一電極連接到固定電勢的節(jié)點(diǎn)，可能補(bǔ)償有機(jī)EL元件21的電容的缺乏，并且實(shí)現(xiàn)提高進(jìn)入保持電容器M的視頻信號(hào)的寫入增益的預(yù)期目的。在上述配置的像素20中，響應(yīng)于通過掃描線31從寫掃描電路40施加到其柵極電極的高有效寫入掃描信號(hào)WS，寫入晶體管23置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，寫入晶體管23采樣對(duì)應(yīng)于通過信號(hào)線33從信號(hào)輸出電路60提供到其的亮度信息的視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig或參考電勢V。fs，并且將采樣的電壓寫入到像素20中。如此寫入的信號(hào)電壓Vsig或參考電勢V。fs 施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，并且保持在保持電容器M中。當(dāng)電源線32 (32!到32m)的電源電勢DS是第一電源電勢V。。p時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22運(yùn)行在飽和區(qū)域，而驅(qū)動(dòng)晶體管22的一個(gè)電極用作漏極電極，并且驅(qū)動(dòng)晶體管22的另一電極用作源極電極。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22從電源線32接收電流的供應(yīng)，并且通過電流驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光。更具體地，驅(qū)動(dòng)晶體管22運(yùn)行在飽和區(qū)域，使得其提供對(duì)應(yīng)于保持電容器M中保持的信號(hào)電壓Vsig的電壓值的電流值的驅(qū)動(dòng)電流到有機(jī)EL元件21，使得通過電流驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光。另一方面，如果電源電勢DS從第一電源電勢Nccp變?yōu)榈诙娫措妱軻ini，那么驅(qū)動(dòng)晶體管22運(yùn)行為切換晶體管，而一個(gè)電極用作源極電極，并且另一電極用作漏極電極。然后，驅(qū)動(dòng)晶體管22置于非導(dǎo)通狀態(tài)以停止提供驅(qū)動(dòng)電流到有機(jī)EL元件21，以便將有機(jī)EL 元件21置于非發(fā)光狀態(tài)。換句話說，驅(qū)動(dòng)晶體管22也具有作為用于控制有機(jī)EL元件21 的發(fā)光/非發(fā)光的晶體管的功能。通過驅(qū)動(dòng)晶體管22的該切換操作，可能提供其中有機(jī)EL元件21處于非發(fā)光狀態(tài)的時(shí)段(即，非發(fā)光時(shí)段)，并且控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段和非發(fā)光時(shí)段之間的比率 (即，有機(jī)EL元件21的占空比)。通過該占空比控制，可以減少在一個(gè)顯示幀時(shí)段上由像素的發(fā)光導(dǎo)致的余像模糊，結(jié)果，可以進(jìn)一步改進(jìn)運(yùn)動(dòng)畫面的畫面質(zhì)量。在通過電源線32從電源掃描電路50選擇性地提供第一和第二電源電勢V。。p和Vini 中，第一電源電勢V。。p是用于提供驅(qū)動(dòng)電流到驅(qū)動(dòng)晶體管22的電源電勢，該驅(qū)動(dòng)電流用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光。同時(shí)，第二電源電勢Vini是用于施加反向偏壓到有機(jī)EL元件21 的另一電源電勢。該第二電源電勢Vini設(shè)為低于參考電勢V。fs的電勢，例如，在驅(qū)動(dòng)晶體管 22的閾值電壓由Vth代表的情況下，設(shè)為低于V。fs-Vth的電勢，優(yōu)選地設(shè)為充分低于V。fs-Vth 的電勢。2-2.基本電路動(dòng)作現(xiàn)在，參照?qǐng)D11到13D描述具有上述配置的顯示裝置10的基本電路動(dòng)作。在圖 12A到13D中，要注意為了簡化圖示寫入晶體管23由開關(guān)的符號(hào)指示。在圖11中，圖示掃描線31的電勢DS ( S卩，寫入掃描信號(hào)WS)的變化、電源線32的電勢DS( S卩，電源電勢)、信號(hào)線33的電勢(Vsig/V。fs)、以及驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢\和源極電勢Vs。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg的波形由交替長短虛線指示，而源極電勢 Vs的波形由虛線指示，使得它們可以相互區(qū)分。顯示前幀的發(fā)光時(shí)段在圖11中，時(shí)間tn之前的時(shí)段是之前顯示幀中有機(jī)EL元件21的發(fā)光時(shí)段。在顯示前幀的發(fā)光時(shí)段內(nèi)，電源線32的電源電勢DS展現(xiàn)第一電源電勢(下文中稱為“高電勢”)V。。p，同時(shí)寫入晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)。設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)晶體管32，使得此時(shí)其運(yùn)行在飽和區(qū)。結(jié)果，對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs的驅(qū)動(dòng)電流或漏極-源極電流Ids通過驅(qū)動(dòng)晶體管22從電源線32提供到有機(jī)EL元件21，如圖12A所見。結(jié)果，有機(jī)EL元件21以對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流Ids的電流值的亮度發(fā)光。閾值校正準(zhǔn)備時(shí)段當(dāng)時(shí)間tn到來時(shí)，進(jìn)入線順序掃描的新的顯示幀(電流顯示幀)。然后，電源線 32的電源電勢DS從高電勢V。。p改變?yōu)榈诙娫措妱軻ini (下文中稱為“低電勢”)，其對(duì)于來自信號(hào)線33的參考電勢V-充分低于V。fs-Vth，如圖12B所見。這里，有機(jī)EL元件21的閾值電壓由VthelR表，并且公共電源線34的電勢(S卩，陰極電勢)由V。ath代表。此時(shí)，如果低電勢Vini滿足Vini < Vthel+Vcath,那么因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22 的源極電勢Vs變得基本等于低電勢Vini，所以有機(jī)EL元件21置于方向偏壓狀態(tài)并且截止。然后，因?yàn)閽呙杈€31的寫入掃描信號(hào)WS在時(shí)間t12從低電勢側(cè)轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妱輦?cè)， 則寫入晶體管23置于導(dǎo)通狀態(tài)，如圖12C所見。此時(shí)，因?yàn)閰⒖茧妱軻-從信號(hào)輸出電路 60提供到信號(hào)線33，所以驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg變?yōu)閰⒖茧妱軻。ft。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs是充分低于參考電勢V。fs的Vini。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)閂。fs_Vini。這里，如果V。fs_Vini不高于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth，那么因?yàn)椴荒軋?zhí)行下文中描述的閾值校正處理，所以需要設(shè)置v。fs-vini為Vofs-Vlnl > Vth的電勢關(guān)系。將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg固定為參考電勢Vrfs并且將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs固定為低電勢Vini以將它們初始化的處理是下文中描述的閾值校正處理或閾值校正操作之前的準(zhǔn)備處理(即，閾值校正準(zhǔn)備處理)。因此，參考電勢v。fs和低電勢Vini分別是用于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg和源極電勢Vs的初始化電勢。閾值校正時(shí)段然后，在電源線32的電源電勢DS在時(shí)間t13從低電勢Vini改變?yōu)楦唠妱軳ccp之后， 如圖12D所見，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg保持在參考電勢V。fs的狀態(tài)下開始閾值校正處理。特別地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs開始其向作為閾值電壓Vth與柵極電勢Vg的差的電勢的上升。這里，為了描述方便，對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg確定作為參考的參考電勢 v。fs，并且向作為閾值電壓Vth與參考電勢V。fs的差別的電勢改變源極電勢Vs的處理稱為閾值校正處理。如果進(jìn)行該閾值校正處理，那么驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs很快會(huì)聚到驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的這個(gè)電壓保持在保持電容器M 中。要注意，在其中執(zhí)行閾值校正處理的時(shí)段中(即，在閾值校正時(shí)段中)，為了允許電流整體流向保持電容器M側(cè)而避免電流流到有機(jī)EL元件21側(cè)，設(shè)置公共電源線34的電勢V。ath，使得有機(jī)EL元件21置于截止?fàn)顟B(tài)。然后，掃描線31的寫入掃描信號(hào)WS在時(shí)間t14轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妱輦?cè)，并且因此寫入晶體管23置于非導(dǎo)通狀態(tài)，如圖13A所見。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極通過與信號(hào)線33 電斷開進(jìn)入浮置狀態(tài)。然而，因?yàn)闁艠O-源極電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth， 所以驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。因此，漏極-源極電流Ids不流動(dòng)到驅(qū)動(dòng)晶體管22。信號(hào)寫入和遷移率校正時(shí)段然后在時(shí)間t15，信號(hào)線33的電勢從參考電勢Vrfs改變?yōu)橐曨l信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。 然后在時(shí)間t16，掃描線31的寫入掃描信號(hào)WS轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妱輦?cè)，因此寫入晶體管23進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，并且采樣和寫入視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig到像素20中。通過由寫入晶體管23寫入信號(hào)電壓Vsig，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg變?yōu)樾盘?hào)電壓vsig。然后，當(dāng)通過視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)晶體管22時(shí)，通過對(duì)應(yīng)于保持在保持電容器M中的閾值電壓Vth的電壓抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。下文中將描述閾值抵消的原理的細(xì)節(jié)。此時(shí)，有機(jī)EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)，也就是說，處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，響應(yīng)于視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig從電源線32流到驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(即，漏極-源極電流Ids) 流到有機(jī)EL元件21的等效電容器和輔助電容器25中，從而開始電容器的充電。隨著有機(jī)EL元件21的等效電容器和輔助電容器25充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs隨著時(shí)間經(jīng)過逐漸上升。此時(shí)，像素之間驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值Vth的離散已經(jīng)抵消， 并且結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ。要注意，驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ是配置驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率。這里，假設(shè)保持電容器M的保持電壓Vgs與視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的比率(艮口， 寫入增益G)是1(理想值)。因此，如果驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電勢Vs上升到V。fs_Vth+AV的電勢，那么驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)閂sig-V。fs+Vth- Δ V。特別地，驅(qū)動(dòng)晶體管22源極電勢Vs的上升量Δ V起作用，以便從保持電容器M中保持的電壓vsig-v。fs+vth減去，換句話說，以便放電保持電容器M的光電荷，并且這意味著負(fù)反饋施加到保持電容器對(duì)。因此，源極電勢Vs的上升量Δ V是負(fù)反饋中的反饋量。通過以此方式由對(duì)應(yīng)于流到驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids的反饋量AV施加負(fù)反饋到柵極-源極電壓Vgs，可以抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids對(duì)于遷移率 μ的依賴。該抵消處理是用于校正各像素之間驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ的離散的遷移率校正處理。更具體地，因?yàn)殡S著視頻信號(hào)的信號(hào)幅值Vin( = Vsig-Vofs)寫入驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，漏極-源極電流Ids增加，負(fù)反饋中的反饋量ΔΥ的絕對(duì)值也增加。因此，執(zhí)行根據(jù)發(fā)光亮度水平的遷移率校正處理。此外，如果假設(shè)視頻信號(hào)的信號(hào)幅值Vin固定，那么因?yàn)榉答伭喀?V的絕對(duì)值隨著驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ增加而增加，可以移除各像素之間遷移率μ的離散。因此，負(fù)反饋中的反饋量AV也可以視為遷移率校正處理的校正量。下文中描述遷移率校正的原理的細(xì)節(jié)。發(fā)光時(shí)段然后，掃描線31的寫入掃描信號(hào)WS在時(shí)間tl7轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妱輦?cè)，因此寫入晶體管 23置于非導(dǎo)通狀態(tài)，如圖13D所見。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與信號(hào)線33電斷開， 并且結(jié)果置于浮置狀態(tài)。這里，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時(shí)，因?yàn)楸３蛛娙萜鱉連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極和源極之間，所以柵極電勢Vg也以與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs的變化互鎖的關(guān)系變化。其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg以與源極電勢Vs的變化互鎖的關(guān)系變化的操作是通過保持晶體管M的自舉操作。然后，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極置于浮置狀態(tài)，并且同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids開始流到有機(jī)EL元件21，所以有機(jī)EL元件21的陽極電勢響應(yīng)于電流Ids 上升。然后，如果有機(jī)EL元件21的陽極電勢超過Vthel+V。ath，那么因?yàn)轵?qū)動(dòng)電流開始流到有機(jī)EL元件21，所以有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。有機(jī)EL元件21的陽極電勢的上升不超過驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs的上升。然后，隨著驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電勢Vs上升，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電勢Vg也通過保持電容器M的自舉操作以互鎖的方式上升。此時(shí)，如果假設(shè)自舉增益是1 (理想值)，那么柵極電勢Vg的上升量等于源極電勢Vs的上升量。因此，在發(fā)光時(shí)段期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs保持固定在 Vsig_V。fs+Vth- Δ V0然后，在時(shí)間tl8，信號(hào)線33的電勢從視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig改變?yōu)閰⒖茧妱軻rfs。在上述一系列電路操作中，在一個(gè)水平掃描時(shí)段(IH)中執(zhí)行閾值校正準(zhǔn)備、閾值校正、信號(hào)電壓Vsig的寫入(即，信號(hào)寫入)、以及遷移率校正的處理操作。此外，在從、到時(shí)間t7的時(shí)段內(nèi)并行執(zhí)行信號(hào)寫入和遷移率校正的處理操作。分割的閾值校正這里要注意，盡管采用其中僅執(zhí)行一次閾值校正處理的驅(qū)動(dòng)方法的情況作為示例給出前面的描述，但是該驅(qū)動(dòng)方法僅僅示例，并且驅(qū)動(dòng)方法不限于該特定方法。例如，除了其中與遷移率校正和信號(hào)寫入處理一起執(zhí)行閾值校正處理的IH時(shí)段外，還在IH時(shí)段內(nèi)執(zhí)行的多個(gè)水平掃描時(shí)段上將閾值校正處理分割執(zhí)行多次。因此，也可能采用涉及分割的閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法。在涉及分割的閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法的情況下，即使分配為一個(gè)水平掃描時(shí)段的時(shí)間段由于清晰度的增強(qiáng)所涉及的像素?cái)?shù)目的增加而縮短，也可以在多個(gè)水平掃描時(shí)段上確保足夠的時(shí)間用于閾值校正時(shí)段。因此，即使分配為一個(gè)水平掃描時(shí)段的時(shí)間變短，也可以確定地執(zhí)行閾值校正處理。閾值抵消的原理這里，描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值抵消或閾值校正的原理。因?yàn)樵O(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)晶體管22 以便運(yùn)行在其飽和區(qū)，所以其運(yùn)行為恒流源。結(jié)果，由以下表達(dá)式給出的固定的漏極-源極電流或驅(qū)動(dòng)電流Ids從驅(qū)動(dòng)晶體管22提供到有機(jī)EL元件21 Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vgs-Vth)2 . · · (1)其中W是驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度，L是溝道長度，并且Cra是每單位面積的柵極電容。圖14A圖示漏極-源極電流Ids相對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs的特性。如從圖14A的特性圖可見，如果不執(zhí)行各像素之間對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth 的離散的抵消處理或校正處理，那么當(dāng)閾值電壓Vth是Vthl時(shí)，對(duì)應(yīng)于柵極-源極電壓Vgs的漏極-源極電流Ids變?yōu)镮dsl。然而，當(dāng)閾值電壓Vth是Vthl時(shí)(Vth2 > Vthl)，對(duì)應(yīng)于柵極-源極電壓Vgs的漏極-源極電流Ids變?yōu)镮ds2 (Ids2 < Idsl)。特別地，如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth變化，那么即使柵極-源極電壓Vgs固定，漏極-源極電流Ids也變化。另一方面，在具有上述配置的像素或像素電路20中，發(fā)光時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs是Vsig-Vof s+Vth-Δ V。因此，如果將其帶入表達(dá)式(1)，那么由以下表達(dá)式⑵代表漏極-源極電流Ids Ids = (1/2) · μ (ff/L) Cox (Vsig-Vofs-Δ V)2 . . . (2)特別地，抵消驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth項(xiàng)，并且從驅(qū)動(dòng)晶體管22提供到有機(jī) EL元件21的漏極-源極電流Ids不依賴于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，即使各像素之間驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的制造工藝的離散、依賴時(shí)間的變化等而變化，因?yàn)槁O-源極電流Ids不變化，所以有機(jī)EL元件21的發(fā)光亮度也可以保持固定。
遷移率校正的原理現(xiàn)在，描述驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率校正的原理。圖14B圖示用于像素A和像素B 的比較的特性曲線，在像素A中驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ相對(duì)高，而在像素B中驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率μ相對(duì)低。在從多晶硅薄膜晶體管等配置驅(qū)動(dòng)晶體管22的情況下，不能避免像素A和像素B之間的各像素間遷移率μ離散。例如，考慮這樣的情況，其中相等電平的信號(hào)電壓Vin( = Vsig-Vofs)寫入像素A和B 的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，而像素A和像素B之間具有遷移率μ的離散。在此情況下， 如果不執(zhí)行遷移率μ的校正，那么在流過具有高遷移率μ的像素A的漏極-源極電流Idsl， 和流過具有低遷移率μ的像素B的漏極-源極電流Ids2，之間出現(xiàn)大差別。如果以此方式出現(xiàn)源自各像素之間遷移率μ的離散的各像素之間漏極-源極電流Ids的大差別，那么損害屏幕圖像的均勻性。如從上面給出的表達(dá)式(1)的特性表示顯而易見的，隨著遷移率μ增加，漏極-源極電流Ids增加。因此，負(fù)反饋中的反饋量Δν隨著遷移率μ增加而增加。如從圖 14Β可見，其遷移率μ高的像素A的反饋量AV1高于其遷移率μ低的像素B的反饋量AV2。因此，通過遷移率校正處理施加對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids的反饋量ΔΥ的負(fù)反饋到柵極-源極電壓Vgs，負(fù)反饋的施加量隨著遷移率μ增加而增加。結(jié)果，可以校正各像素之間遷移率μ的離散。特別地，如果通過反饋量AV1施加校正到其遷移率μ高的像素Α，那么漏極-源極電流IdsW Idsl，到Idsl減少更大量。另一方面，因?yàn)榈狡溥w移率低的像素B的反饋量AV2 小，所以漏極-源極電流Ids Wlds2,下降到Ids2，并且不下降大的量。結(jié)果，像素A的漏極-源極電流Idsl和像素B的漏極-源極電流Ids2變?yōu)榛鞠嗷ハ嗟?，并且結(jié)果校正像素之間遷移率μ的離散?？傊谄渲羞w移率μ相互不同的像素A和像素B可用的情況下，其遷移率μ高的像素A的反饋量AV1大于其遷移率μ低的像素B的反饋量AV2。換句話說，隨著遷移率μ增加，反饋量ΔΥ增加并且漏極-源極電流IdsW減少量增加。結(jié)果，通過施加對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids的反饋量Δ V的負(fù)反饋到柵極-源極電壓Vgs，使具有不同遷移率μ值的像素之間的漏極-源極電流Ids的電流值均勻化。結(jié)果，可以校正各像素之間遷移率μ的離散。因此，施加對(duì)應(yīng)于流過驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流(S卩，對(duì)應(yīng)于柵極-源極電壓Vgs)的反饋量或校正量ΔΥ的負(fù)反饋到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs ( S卩，到保持晶體管24)的處理是遷移率校正處理。2-3.驅(qū)動(dòng)電路部分的配置示例這里，描述圍繞像素陣列部分30布置的電路部分(即，用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分30 的像素20的驅(qū)動(dòng)電路)的配置示例。Α.寫入掃描電路首先，作為驅(qū)動(dòng)電路部分之一，作為示例描述寫入掃描電路40，其用于在將信號(hào)電壓Vsig/參考電勢Vrfs寫入像素20時(shí)，以行為單位執(zhí)行像素陣列部分30的像素20的順序選擇掃描。圖15Α和15Β示出寫入掃描電路40的配置示例，并且具體地圖15Α示出寫入掃描電路40的配置示例，而圖15Β示出配置寫入掃描電路40的移位寄存器的電路示例。
首先參照?qǐng)D15A，寫入掃描電路40基本包括用于與未示出的時(shí)鐘脈沖ck同步地連續(xù)偏移或傳送開始脈沖sp的移位寄存器電路41。此外，寫入掃描電路40包括用于對(duì)應(yīng)于像素陣列部分30的各行的移位寄存器電路41的單個(gè)傳送級(jí)或單位電路...，41i;41i+1，...的緩沖電路...,42i 42i+1,...。這里，盡管配置示出的移位寄存器電路41，使得第i和第i+Ι行的兩個(gè)傳送級(jí)4込和41i+1包括等于以級(jí)聯(lián)連接來連接的像素陣列部分30的行數(shù)的傳送級(jí)M1到41m的數(shù)目。 移位寄存器電路41的每個(gè)傳送級(jí)(例如，第i行的傳送級(jí)41D包括以級(jí)聯(lián)連接來連接的移位寄存器(SR)411、反相器(INV)412、另一移位寄存器413和另一反相器414以形成單位電路。下文中描述反相器412和414的特定電路示例。參照?qǐng)D15B，從用時(shí)鐘脈沖ck運(yùn)行的晶體管A、用另一時(shí)鐘脈沖xck運(yùn)行的晶體管％以及電容器C1配置移位寄存器413。 在移位寄存器413和反相器414的輸入端子之間存在寄生電容C2。返回參照?qǐng)D15A，從以級(jí)聯(lián)連接來連接的反相器421、邏輯電路422和另一反相器 423配置緩沖器電路42”以此方式，使用反相器電路配置移位寄存器41的傳送級(jí)4込和 41i+1和緩沖器電路42他和42i+1)的每個(gè)。B.單側(cè)溝道晶體管的反相器電路順便提及，在制造如寫入掃描電路40的驅(qū)動(dòng)晶體管部分時(shí)，如果使用單側(cè)溝道 (僅N溝道或P溝道)的晶體管配置驅(qū)動(dòng)電路部分，那么與其中使用雙側(cè)溝道配置它們的替代情況相比可以減少制造成本。因此，為了減少顯示裝置10的成本，例如，在寫入掃描電路 40中，配置移位寄存器電路41或緩沖器電路42的反相器電路優(yōu)選地使用單側(cè)溝道的晶體
管配置。在使用單側(cè)溝道的晶體管配置反相器電路的情況下，為了使得反相器電路的電路操作確定，采用基于單側(cè)溝道的晶體管和電容元件的組合的電路配置。在以下，例如，描述從單側(cè)溝道的晶體管和電容元件的組合形成的反相器電路，其用作配置移位寄存器電路41 的反相器412和414。電路配置圖16A和16B示出從單側(cè)溝道的晶體管和電容元件的組合形成的反相器電路，并且具體地圖16A示出電路配置的示例，而圖16B圖示輸入脈沖信號(hào)INVil^P輸出脈沖信號(hào) INVout的波形。本電路示例中的反相器電路90將通過輸入端子91輸入到其的輸入脈沖信號(hào) INVin充分反相，并且從輸出端子92輸出與輸入脈沖信號(hào)INVin的相位相反相位的脈沖信號(hào) INV。ut。該反相器電路90使用例如用于正側(cè)的四個(gè)電源電壓Nccl、Vcc2, Vcc3和V。。4以及例如用于負(fù)側(cè)的四個(gè)電源電壓Vssl、Vss2、Vss3和Vss4作為電源電壓。然而，這里提及的電源電壓僅是示例，并且電源電壓不限于它們。可以使用更小數(shù)目的電源電壓，或者可能使用一個(gè)電源電壓用于正和負(fù)側(cè)的每個(gè)。配置反相器電路90，使得其包括例如七個(gè)晶體管Tr1到Tr7、五個(gè)電容元件C1到 C5以及延遲電路93。七個(gè)晶體管1^到1^7是相同溝道或單側(cè)溝道(如例如N溝道)的 MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)薄膜晶體管(即，TFT)。盡管這里描述僅使用N溝道的晶體管作為晶體管Tr1到Tr7，但是也可能僅使用P溝道的晶體管。
晶體管Tr1在其漏極電極連接到正側(cè)電源電壓V。。2的電源線L12，并且在其源極電極連接到節(jié)點(diǎn)Ni，并且接收對(duì)應(yīng)于通過輸入端子91輸入的輸入電壓(即，輸入脈沖信號(hào) INVin)的電壓作為柵極輸入。晶體管Tr2在其漏極電極連接到正側(cè)電源電壓V。。3&電源線 L13，在其源極電極連接到節(jié)點(diǎn)隊(duì)，并且在其柵極電極連接到節(jié)點(diǎn)K。晶體管Tr3在其漏極電極連接到正側(cè)電源電壓V。。4的電源線L14，在其源極電極連接到輸入端子92，并且在其柵極電極連接到節(jié)點(diǎn)N2。例如，從相互并聯(lián)連接的兩個(gè)晶體管Tr91和Tr92配置延遲電路93。自然地，兩個(gè)晶體管Tr91和Tr92是類似于Tr1到Tr7的N溝道MOS晶體管。晶體管Tr91和Tr92在電極之一(即，在其源極電極或漏極電極)共同連接，并且一個(gè)電極用作延遲電路93的電路輸入端子，而另一電極(即，漏極電極或源極電極)用作延遲電路93的電路輸出端子。在延遲電路93中，電路輸入端子連接到輸入端子91。晶體管Τι·91也在其柵極電極連接到輸入端子91。晶體管Tr91在其柵極電極連接到正側(cè)電源電壓Veel的電源線Ln。晶體管Tr4在其漏極電極連接到晶體管Tr1的柵極電極，在其源極電極連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21，并且在其柵極電極連接到延遲電路93的電路輸出端子。晶體管 Tr5在其漏極電極連接到節(jié)點(diǎn)N1，并且在其源極電極連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vss2的電源線L22。 換句話說，晶體管Tr5串聯(lián)連接到晶體管Tr1,并且在其柵極電極連接到輸入端子91。晶體管Tr6在其漏極電極連接到節(jié)點(diǎn)N2,并且在其源極電極連接到負(fù)側(cè)電源電壓 Vss3的電源線L23。換句話說，晶體管Tr6串聯(lián)連接到晶體管Tr2,并且在其柵極電極連接到輸入端子91。晶體管Tr7在其漏極電極連接到輸出端子92，在其源極電極連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vss4的電源線L24，并且在其柵極電極連接到輸入端子91。電容器C1在其一個(gè)端子連接到晶體管Tr1的柵極電極，并且在其另一端子連接到節(jié)點(diǎn)隊(duì)。換句話說，電容器C1連接在晶體管Tr1的柵極和源極之間。寄生電容器C2在其一個(gè)電極連接到節(jié)點(diǎn)N1,并且在其另一電極連接到輸入端子91。節(jié)點(diǎn)N1是晶體管Tr1和晶體管Tr2的公共連接節(jié)點(diǎn)。電容器C3在其一個(gè)電極連接到晶體管Tr2的柵極電極，并且在其另一電極連接到節(jié)點(diǎn)隊(duì)。電容器C4在其一個(gè)端子連接到晶體管Tr3的柵極電極，并且在其另一端子連接到輸出端子92。電容器C5在其一個(gè)電極連接到晶體管Tr4的柵極電極，并且在其另一電極連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21。這里，從晶體管Tr91和Τι·92配置的延遲電路具有將輸入端子91和晶體管Tr4的柵極電極互連的高阻抗元件的作用。結(jié)果，通過輸入端子91輸入的輸入脈沖信號(hào)INVin通過延遲電路93，因此在時(shí)間上延遲之后輸入脈沖信號(hào)INVin的電勢的變化傳輸?shù)骄w管Tr4的柵極電極。延遲電路93的延遲量可以通過改變正側(cè)電源電壓Vcxl的電壓值和電容元件C5 的電容值來控制。響應(yīng)于跨越電容器C1的電壓，晶體管Tr1將正側(cè)電源電壓V。。2的電源線L12電連接到節(jié)點(diǎn)N1，或從節(jié)點(diǎn)N1電斷開正側(cè)電源電壓V。。2的電源線L12。響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)N1的電勢和節(jié)點(diǎn)N2的電勢之間的電勢差(即，響應(yīng)于跨越電容器C3的電壓)，晶體管Tr2將正側(cè)電源電壓 Vcc3的電源線L13和節(jié)點(diǎn)N2電連接或斷開。響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)N2的電勢和輸入端子92的電勢之間的電勢差(S卩，響應(yīng)于跨越電容器C4的電壓)，晶體管Tr3將正側(cè)電源電壓V。。4的電源線 L14連接到輸出端子92，或從輸出端子92電斷開正側(cè)電源電壓V。。4的電源線L14。
響應(yīng)于延遲電路93的輸出端子的電勢和負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的電勢之間的電勢差 (艮P，響應(yīng)于跨越電容器C5的電壓)，晶體管Tr4將晶體管Tr1的柵極電極電連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21，或從負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的電源線L21電斷開晶體管Tr1的柵極電極。響應(yīng)于輸入端子91的電勢和負(fù)側(cè)電源電壓Vss2的電勢之間的電勢差，晶體管Tr5將節(jié)點(diǎn)N1電連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vss2的電源線L22，或從負(fù)側(cè)電源電壓Vss2的電源線L22電斷開節(jié)點(diǎn)K。響應(yīng)于輸入端子91的電勢和負(fù)側(cè)電源電壓Vss3的電勢之間的電勢差，晶體管Tr6 將節(jié)點(diǎn)N2電連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vss3的電源線L23，或從負(fù)側(cè)電源電壓Vss3的電源線L23電斷開節(jié)點(diǎn)N2。響應(yīng)于輸入端子91的電勢和負(fù)側(cè)電源電壓Vss4的電勢之間的電勢差，晶體管 Tr7將輸出端子92電連接到負(fù)側(cè)電源電壓Vss4的電源線L24，或從負(fù)側(cè)電源電壓Vss4的電源線L24電斷開輸出端子92。電路操作現(xiàn)在，描述通過輸入端子91輸入到具有上述配置的反相器電路90的輸入脈沖信號(hào)INVin置于有效狀態(tài)或高電勢狀態(tài)和置于無效狀態(tài)或低電勢狀態(tài)時(shí)的電路操作。當(dāng)輸入脈沖信號(hào)INVin置于有效狀態(tài)時(shí)如果輸入脈沖信號(hào)INVin置于有效狀態(tài)，那么晶體管Tr7的柵極電勢置于高電勢狀態(tài)，并且晶體管Tr7置于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，負(fù)側(cè)電源電壓Vss4導(dǎo)出為來自輸出端子92的輸出脈沖信號(hào)INV。ut的低電勢。同時(shí)，晶體管Tr5和Tr6也置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且結(jié)果節(jié)點(diǎn)N1和N2 的電勢分別固定為負(fù)側(cè)電勢Vss4和Vss3。結(jié)果，晶體管Tr2和Tr3兩者置于非導(dǎo)通狀態(tài)。此外，響應(yīng)于延遲電路93的延遲輸出，晶體管Tr4置于導(dǎo)通狀態(tài)，并且結(jié)果，晶體管Tr1的柵極電勢固定為負(fù)側(cè)電源電壓Vssl。 結(jié)果，晶體管Tr1也置于非導(dǎo)通狀態(tài)。換句話說，當(dāng)輸入脈沖信號(hào)INVin置于有效狀態(tài)時(shí)，那么所有的正側(cè)晶體管Ta、Tr2和Tr3置于非導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)輸入脈沖信號(hào)INVin置于無效狀態(tài)時(shí)如果當(dāng)輸入脈沖信號(hào)INVin置于有效狀態(tài)，那么負(fù)電勢側(cè)的所有晶體管Tr5、Tr6和 Tr7同時(shí)置于非導(dǎo)通狀態(tài)。此外，根據(jù)當(dāng)輸入脈沖信號(hào)INVinW高電勢轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妱輹r(shí)的變化量，節(jié)點(diǎn)N1的電勢(S卩，晶體管Tr2的柵極電勢)通過寄生電容器C2的電容耦合下降。在通過電容耦合電勢下降的時(shí)刻，晶體管Tr4的柵極電勢由于延遲電路93的延遲保持高電勢狀態(tài)，并且因此，晶體管Tr1W柵極電勢處于負(fù)側(cè)電源電壓Vssl的狀態(tài)。因此，晶體管Tr1的柵極-源極電壓Vgs響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)N1的電勢下降而增加，直到其超過閾值電壓，因此晶體管Tr1置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，節(jié)點(diǎn)N1的電勢上升為正側(cè)電源電壓火…結(jié)果，因?yàn)榫w管Tr2的柵極-源極電壓Vgs也增加，所以晶體管Tr2也置于導(dǎo)通狀態(tài)。結(jié)果，節(jié)點(diǎn)N2的電勢上升為正側(cè)電源電壓V。。2，并且晶體管Tr2的柵極-源極電壓Vgs也增加，并且結(jié)果，晶體管Tr3在晶體管Tr2之后置于導(dǎo)通狀態(tài)。然后，當(dāng)晶體管Tr3置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從輸出端子92導(dǎo)出正側(cè)電源電壓V。。4作為脈沖信號(hào)INV。ut的正電勢。這里，為了允許晶體管Tr1通過寄生電容器C2的電容耦合，響應(yīng)于晶體管Tr2的柵極電勢的下降更迅速地置于導(dǎo)通狀態(tài)，寄生電容器(2的電容值設(shè)為相當(dāng)高電平。然后，如果晶體管Tr1迅速進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，那么脈沖信號(hào)INV。ut的轉(zhuǎn)變時(shí)刻(即，上升/下降時(shí)刻)可以更精確地限定。輸出脈沖信號(hào)INV。ut的轉(zhuǎn)變時(shí)刻定義輸出脈沖信號(hào)INV。ut的脈沖寬度。然后，在驅(qū)動(dòng)電路部分是寫入掃描電路40的情況下，輸出脈沖信號(hào)INV。ut用作用于生成寫入掃描信號(hào) WS的參考信號(hào)。因此，輸出脈沖信號(hào)INV。ut的脈沖寬度對(duì)于寫入掃描信號(hào)WS的脈沖寬度的確定進(jìn)行參考，并且對(duì)于上述遷移率校正處理的操作時(shí)間(即，遷移率校正時(shí)間)的確定進(jìn)行參考。這里，即使當(dāng)最佳遷移率校正時(shí)間長時(shí)的寫入掃描信號(hào)WS的脈沖寬度以及當(dāng)最佳遷移率校正時(shí)間短時(shí)的寫入掃描信號(hào)WS的脈沖寬度展現(xiàn)相等量或離散的時(shí)間段，當(dāng)最佳遷移率校正時(shí)間短時(shí)的寫入掃描信號(hào)WS的脈沖寬度的離散也相對(duì)大。那么，寫入掃描信號(hào)WS的脈沖寬度的離散使得亮度離散，并且導(dǎo)致畫面質(zhì)量的劣化。同樣從這樣的視點(diǎn)來看，重要的是設(shè)置寄生電容器C2的電容值為高電平，以允許晶體管Tr1迅速進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)， 從而精確限定對(duì)于遷移率校正時(shí)間的確定進(jìn)行參考的輸出脈沖信號(hào)INVout的轉(zhuǎn)變時(shí)刻。如從電路操作的前述描述顯而易見的，在從單側(cè)溝道的晶體管配置的反相器電路 90中，為了使得電路操作確定，使用用于通過電容耦合降低節(jié)點(diǎn)N1的電勢的寄生電容器C2。 除了寄生電容器C2夕卜，還使用用于保持晶體管Tr1Jr2和Tr3的柵極-源極電壓Vgs的電容元件Cp C2和C4。在從單側(cè)溝道的晶體管配置的反相器電路中使用電容元件C1到C4。從單側(cè)溝道的晶體管與電容元件的組合配置的上述反相器電路90不僅可以用作配置圖15A所示的寫入掃描電路40的移位寄存器電路41的反相器412和414，而且可以用作配置緩沖器電路42的反相器421、423等。因?yàn)殡娫磼呙桦娐?0也基本類似于寫入掃描電路40配置，所以反相器電路90還可以用作配置電源掃描電路50的反相器。C.信號(hào)輸出電路現(xiàn)在，描述作為驅(qū)動(dòng)電路部分之一的信號(hào)輸出電路60，信號(hào)輸出電路60根據(jù)亮度信息選擇性輸出信號(hào)電壓Vsig/參考電勢V。fs到通過寫入掃描電路40選擇性掃描的像素行的像素20。圖17示出信號(hào)輸出電路60的配置示例。本示例的信號(hào)輸出電路60采用時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法或選擇器方法，其中通過數(shù)據(jù)線以時(shí)間序列提供的視頻信號(hào)DTA以多個(gè)像素列為單位時(shí)分地提供。這里，描述其中RGB的視頻信號(hào)DATA以三個(gè)像素列或?qū)?yīng)于R、G和B的信號(hào)線為單位時(shí)分提供的時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法作為示例。參照?qǐng)D17，兩個(gè)選擇開關(guān)61κ和6 在其輸出端子共同連接到R的信號(hào)線33^的一端。兩個(gè)選擇開關(guān)6 在其輸出端子共同連接到G的信號(hào)線3 的一端。兩個(gè)選擇開關(guān)61b和62b在其輸出端子共同連接到B的信號(hào)線33i+1的一端。例如，從N溝道MOS晶體管配置選擇開關(guān)61K、61e和61B以及選擇開關(guān)62κ、6&和 62β。然而，選擇開關(guān)61k、61g和61b和選擇開關(guān)62e,62g和62B可以另外從P溝道MOS晶體管配置，或者另外從并聯(lián)連接的N溝道MOS晶體管和P溝道MOS晶體管配置。視頻信號(hào)DATA是時(shí)間順序信號(hào)，例如通過其以R、G和B的順序提供RGB的視頻電壓，并且視頻信號(hào)通過數(shù)據(jù)線63從未示出的驅(qū)動(dòng)器IC或信號(hào)生成部分共同施加到選擇開關(guān)61K、61e和61b的輸入端子。參考電勢Vofs通過信號(hào)線645從未示出的參考電勢生成部分共同施加到選擇開關(guān)62κ、64和6 的輸入端子。選擇開關(guān)61Κ、61<^Π61Β在其柵極分別連接到控制線64^44^64。選擇開關(guān)62κ、 62g和6 在其柵極共同連接到控制線644。開關(guān)控制信號(hào)SELK、SELg, SELb和GATE。fs從未示出的時(shí)序生成部分分別施加到控制線64ρ642、643和644。
與來自時(shí)序信號(hào)內(nèi)的R的信號(hào)電壓同步，使得開關(guān)控制信號(hào)SELk有效(S卩，置于高電平)。與來自時(shí)序信號(hào)內(nèi)的G的信號(hào)電壓同步，使得開關(guān)控制信號(hào)SELe有效。與來自時(shí)序信號(hào)內(nèi)的B的信號(hào)電壓同步，使得開關(guān)控制信號(hào)SELb有效。在上述參考電勢V。fs的寫入時(shí)序使得開關(guān)控制信號(hào)GATE。fs有效。在上述配置中，響應(yīng)于開關(guān)控制信號(hào)SELk將選擇開關(guān)61k置于導(dǎo)通狀態(tài)，以便選擇 R的信號(hào)電壓，并且將R的信號(hào)電壓輸出到信號(hào)線33η。響應(yīng)于開關(guān)控制信號(hào)SELe將選擇開關(guān)61e置于導(dǎo)通狀態(tài)，以便選擇G的信號(hào)電壓，并且將G的信號(hào)電壓輸出到信號(hào)線33”響應(yīng)于開關(guān)控制信號(hào)SELb將選擇開關(guān)61b置于導(dǎo)通狀態(tài)，以便選擇B的信號(hào)電壓，并且將B的信號(hào)電壓輸出到信號(hào)線33w。響應(yīng)于開關(guān)控制信號(hào)GATE。fs將選擇開關(guān)62κ、64和62Β置于導(dǎo)通狀態(tài)，以便選擇并且分別輸出參考電勢Vrfs到33^,3 和33w。在根據(jù)上述本應(yīng)用的有機(jī)EL顯示裝置IOa中，寫入掃描電路40、電源掃描電路50 和信號(hào)輸出電路60分別對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施例中的顯示裝置10的外圍驅(qū)動(dòng)部分80a到80c (參照?qǐng)D1、4A、4B和7)。然后，例如，在圖7中，為了將外圍驅(qū)動(dòng)部分SOa到80。和基底的外部相互電連接，使用焊盤部分84a和84B、焊盤部分組84e和焊盤84b和84E。特別地，參照?qǐng)D18，安放在基底端部70b的外圍驅(qū)動(dòng)部分80A對(duì)應(yīng)于寫入掃描電路 40 ；安放在板端部70。的外圍驅(qū)動(dòng)部分80b對(duì)應(yīng)于電源掃描電路50 ；并且安放在基底端部 70d的外圍驅(qū)動(dòng)部分80。對(duì)應(yīng)于信號(hào)輸出電路60。圖18對(duì)應(yīng)于圖7。例如，通過柔性板87a，作為外圍驅(qū)動(dòng)部分80a的寫入掃描電路40例如在基底端部 70b的上端部70B(i處提供的焊盤部分84a電連接到基底的外部。然后，上述電源電壓和時(shí)鐘脈沖ck、開始脈沖sp等通過柔性板87a和焊盤部分84a從基底的外部輸入到寫入掃描電路 40。例如，通過柔性板87B，作為外圍驅(qū)動(dòng)部分80B的電源掃描電路50例如在基底端部 70c的上端部70ra處提供的焊盤部分84b電連接到基底的外部。然后，類似于寫入掃描電路 40，上述電源電壓和時(shí)鐘脈沖ck、開始脈沖sp等通過柔性板87b和焊盤部分84b從基底的外部輸入到電源掃描電路50。例如，通過柔性板87。，作為外圍驅(qū)動(dòng)部分80。的信號(hào)輸出電路60例如在基底端部了…提供的焊盤部分84。電連接到作為在基底的外部提供的信號(hào)源的驅(qū)動(dòng)器IC 88。然后， 視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig通過柔性板87。和焊盤部分84。從驅(qū)動(dòng)器IC 88輸入到信號(hào)輸出電路60。此外，例如通過柔性板87d和87e，信號(hào)輸出電路60在基底端部70D的相對(duì)端部70D1 和70D2處提供的焊盤部分84d和84e分別電連接到基底的外部。然后，用于控制信號(hào)輸出電路60的信號(hào)通過柔性板87d和87e和焊盤部分84d和84E從基底的外部輸入到信號(hào)輸出電路60。特別地，如果假設(shè)信號(hào)輸出電路60采用如圖17所見的時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法，那么輸入用于控制配置選擇開關(guān)61K、61e和61b和選擇開關(guān)62κ、64和6 的晶體管的柵極控制信號(hào)。 這里，柵極控制信號(hào)是上述開關(guān)控制信號(hào)SELK、SELe、SELB和GATE-。除了柵極控制信號(hào)，參考電勢V。fs通過柔性板87d和87e和焊盤部分84d和84e從基底的外部輸入到信號(hào)輸出電路 60。這里，在外圍驅(qū)動(dòng)部分80。具體地是信號(hào)輸出電路60的情況下，在水平方向上的像素陣列部分30的寬度上，在基本對(duì)應(yīng)于像素列的基底端部70d的下端提供用于對(duì)于像素陣列部分30的每個(gè)像素列從基底的外部提取視頻信號(hào)的焊盤部分組84。。此外，因?yàn)檎郫B區(qū)域和信號(hào)輸出部分60之間的距離小，所以不能布置外圍電路部分的布線。由于上述這種原因，不能在基底端部70D確保其中提供焊盤部分的空間，焊盤部分用于從基底的外部提取柵極控制信號(hào)(即，開關(guān)控制信號(hào)SELK、SELg, SELb和GATE。fs)和參考電勢V。fs。因此，在遠(yuǎn)離彎曲部分的基底端部70D上的基底端部的位置(S卩，在相對(duì)端部70D1和70D2)提供焊盤部分84d和84E，用于從基底的外部提取柵極控制信號(hào)和參考電勢Vrfs到信號(hào)輸出電路60。換句話說，通過在基底端部70d的相對(duì)端部70D1和70D2提供焊盤部分84d和84e，即使折疊區(qū)域和信號(hào)輸出電路60之間的距離小，也可以確定地從基底的外部提供柵極控制信號(hào)和參考電勢Vrfs到信號(hào)輸出電路60。<3.修改〉在上述應(yīng)用中，公開的技術(shù)應(yīng)用到有機(jī)EL顯示裝置IOa，配置有機(jī)EL顯示裝置IOa 使得在顯示面板70中提供掃描電路部分(即，寫入掃描電路40和電源掃描電路50)，具體地安放在基底端部70b和70。。然而，公開的技術(shù)不限于上述應(yīng)用示例。特別地，公開的技術(shù)還可以類似地應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置10B，配置有機(jī)EL顯示裝置10B，使得如圖10所見，不是在其中內(nèi)置寫入掃描電路40和電源掃描電路50而是使用外部驅(qū)動(dòng)器。在此情況下，焊盤部分組8知和84e可以布置在基底端部7 和70c上，使得通過焊盤部分組84f和84e電連接像素陣列部分30和基底的外部。此外，盡管在上述應(yīng)用示例中，公開的技術(shù)應(yīng)用于使用有機(jī)EL元件作為像素20的電光元件的有機(jī)EL顯示裝置，但是公開的技術(shù)不限于該應(yīng)用示例。特別地，公開的技術(shù)可以應(yīng)用于各種顯示裝置，其中使用如無機(jī)EL元件、LED元件或半導(dǎo)體激光元件的電光元件或發(fā)光元件。<4.電子裝置〉上述公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置可以應(yīng)用為各種領(lǐng)域中的電子裝置的顯示裝置，其中輸入到電子裝置的視頻信號(hào)或在電子裝置中生成的視頻信號(hào)顯示為圖像或畫面。例如，公開的技術(shù)可以應(yīng)用到這樣的各種電子裝置，如圖20到24A到24G所示，例如應(yīng)用到數(shù)字相機(jī)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式終端裝置(如便攜式電話機(jī))和攝像機(jī)。以此方式，根據(jù)公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置可以用作各種領(lǐng)域中的電子裝置中的顯示裝置。如從實(shí)施例的前述描述顯而易見的，根據(jù)公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置可以實(shí)現(xiàn)顯示面板的框架外框的寬度的進(jìn)一步減小，而不限制用于驅(qū)動(dòng)像素陣列部分的像素的外圍電路部分的功能。因此，如果公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置用作各種電子裝置中的顯示裝置，那么可以實(shí)現(xiàn)顯示裝置的緊湊形式，同時(shí)維持畫面質(zhì)量。公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置可以形成為其中封裝顯示裝置的模塊類型。例如，顯示裝置可以具有顯示模塊的形式，其中例如玻璃等的透明相對(duì)部件粘帖到像素陣列部分30?？梢栽谕该飨鄬?duì)部件上提供濾色鏡、保護(hù)膜等。要注意，在顯示模塊上，提供用于從外部到像素陣列部分以及從像素陣列部分到外部輸入和輸出信號(hào)等的電路部分、FPC(柔性印刷電路)等。以下，描述對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的電子裝置的具體示例。圖20示出對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的電視接收機(jī)的外觀。參照?qǐng)D20，電視接收機(jī)包括從前面板102、濾色鏡玻璃板103等配置的視頻信號(hào)顯示面部分101，并且使用公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置作為視頻信號(hào)顯示面部分101生產(chǎn)電視接收機(jī)。圖21A和21B示出如分別從前側(cè)和后側(cè)觀看的對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的數(shù)字相機(jī)的外觀。參照?qǐng)D21A和21B，數(shù)字相機(jī)包括閃光發(fā)射部分111、顯示部分112、菜單開關(guān)113、快門114等。使用公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部分112生產(chǎn)數(shù)字相機(jī)。圖22示出對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的筆記本型的個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。參照?qǐng)D22，示出的筆記本型的個(gè)人計(jì)算機(jī)包括主體121、用于操作以便輸入字符等的鍵盤122、用于顯示圖像等的顯示部分123。使用公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部分123生產(chǎn)筆記本型的個(gè)人計(jì)算機(jī)。圖23示出對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的攝像機(jī)的外觀。參照?qǐng)D23，示出的攝像機(jī)包括主體部分131、以及在指向前的端面提供的用于拾取圖像拾取對(duì)象的圖像的鏡頭132。攝像機(jī)還包括用于圖像拾取的開始/停止開關(guān)133、顯示部分134等。使用公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部分134生產(chǎn)攝像機(jī)。圖24A到24G示出例如對(duì)其應(yīng)用公開的技術(shù)的便攜式終端裝置(如便攜式電話機(jī))。參照?qǐng)D24A到MG，便攜式終端裝置包括上端外殼141、下端外殼142、以鉸鏈部分的形式的連接部分143、顯示部分144、子顯示部分145、畫面燈146、相機(jī)147等。使用公開的技術(shù)的實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部分144和/或子顯示部分145生產(chǎn)便攜式電話機(jī)。本公開包含涉及于2010年12月13日向日本專利局提交的日本優(yōu)先級(jí)專利申請(qǐng) JP 2010-276940中公開的主題，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依賴于設(shè)計(jì)需求和其他因素可以出現(xiàn)各種修改、組合、 子組合和更改，只要它們在權(quán)利要求或其等效物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 可折疊基底；像素陣列部分，包括布置在所述基底上并且每個(gè)包括電光器件的多個(gè)像素； 所述可折疊基底至少在其一側(cè)的基底端部圍繞所述像素陣列部分折疊； 外圍電路部分，布置在所述基底端部并且適于驅(qū)動(dòng)所述像素陣列部分的像素；以及焊盤部分，提供在其上提供所述外圍電路部分的所述基底端部上，并且適于將所述外圍電路部分電連接到所述基底的外部。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述焊盤部分提供在其上提供所述外圍電路部分的所述基底端部上、遠(yuǎn)離所述基底端部中的折疊部分的位置。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中以這樣的方式在所述基底上相對(duì)于折疊部分在像素陣列部分側(cè)形成防水侵槽，以便包圍所述像素陣列部分。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中以這樣的方式在所述基底端部上相對(duì)于折疊部分在外圍電路部分側(cè)形成防水侵槽，以便包圍所述外圍電路部分。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括電路元件，形成在所述基底上并且適于配置電路部分，所述電路部分配置來驅(qū)動(dòng)電光器件；在電路元件上層壓的展平膜和窗口絕緣膜；以及第二基底，布置在不同于所述基底端部和所述基底端部的折疊部分的所述基底的區(qū)域中的層壓膜上。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中通過切割展平膜和窗口絕緣膜形成所述防水侵槽。
7.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述外圍電路部分是用于對(duì)于每個(gè)像素列輸出視頻信號(hào)到所述像素陣列部分的像素的信號(hào)輸出電路；其上提供信號(hào)輸出電路的所述基底端部在其相對(duì)端部折疊；所述焊盤部分提取用于控制所述信號(hào)輸出電路的控制信號(hào)，所述焊盤部分提供在遠(yuǎn)離折疊部分的、其上提供所述信號(hào)輸出電路的所述基底端部的相對(duì)端部。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述信號(hào)輸出電路采用時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法，用于以多個(gè)像素列為單位時(shí)分地提供通過一條數(shù)據(jù)線以時(shí)間順序提供的視頻信號(hào)。
9.一種裝置，包括 可折疊基底；像素陣列部分，包括布置在所述基底上并且每個(gè)包括電光器件的多個(gè)像素； 所述可折疊基底至少在其一側(cè)的基底端部圍繞所述像素陣列部分折疊； 外圍電路部分，布置在所述基底端部并且適于驅(qū)動(dòng)所述像素陣列部分的像素；以及在所述像素陣列部分和所述基底端部切除的展平膜和絕緣膜。
10.一種電子裝置，包括 顯示裝置，包括可折疊基底；像素陣列部分，包括布置在所述基底上并且每個(gè)包括電光器件的多個(gè)像素； 所述可折疊基底至少在其一側(cè)的基底端部圍繞所述像素陣列部分折疊；外圍電路部分，布置在所述基底端部并且適于驅(qū)動(dòng)所述像素陣列部分的像素；以及焊盤部分，提供在其上提供所述外圍電路部分的所述基底端部上，并且適于將所述外圍電路部分電連接到所述基底的外部。
全文摘要
在此公開了一種顯示裝置，包括可折疊基底；像素陣列部分，包括布置在所述基底上并且每個(gè)包括電光器件的多個(gè)像素；所述可折疊基底至少在其圍繞所述像素陣列部分的一側(cè)、在基底端部折疊；外圍電路部分，布置在所述基底端部并且適于驅(qū)動(dòng)所述像素陣列部分的像素；以及焊盤部分，提供在其上提供所述外圍電路部分的所述基底端部上，并且適于將外圍電路部分電連接到所述基底的外部。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102568377SQ20111041441
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
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