專利名稱：有機電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術：
因為便攜式顯示器的需求(例如移動電話、筆記本電腦和個人數(shù)字助理(PDA))增力口，所以需要發(fā)展平板顯示器(FPD)。在平板顯示器中，使用有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光顯示裝置發(fā)展特別活躍。有機電致發(fā)光元件是通過自身發(fā)光的自發(fā)光元件。因此，使 用有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光顯示裝置能夠更加容易地制作得較薄，因為它們不需要液晶顯示器(LCD)中用于發(fā)光的必不可少的背光源。此外，使用有機電致發(fā)光元件的有機電致發(fā)光顯示裝置展示出寬視角特性和高響應速度特性。
發(fā)明內容
根據本發(fā)明實施例的方面提供一種具有減小的電阻-電容(RC)延遲的有機電致發(fā)光顯示裝置。然而，根據本發(fā)明實施例的方面并不局限于這里所記載的方面。通過參考以下給出的對本發(fā)明的詳細描述，本發(fā)明的以上和其他方面對于本發(fā)明所屬領域的普通技術人員來說將變得更加明顯。根據本發(fā)明實施例的一個方面，提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，其包括多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線；在位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素；以及用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個薄膜晶體管(TFT)，其中所述多條數(shù)據線連續(xù)位于所述多個像素的一側，并且所述一個或多個TFT中的第一 TFT至少部分位于與所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，所述第n數(shù)據線和所述第n-1數(shù)據線連續(xù)放置，其中n是等于或大于2的整數(shù)。所述多個像素中的至少一個可以通過所述第一 TFT聯(lián)接到所述第n數(shù)據線。所述多個像素在行方向上的寬度可以大于所述多個像素在列方向上的長度。所述多條數(shù)據線可以在所述列方向上延伸。顯示相同顏色的像素可以被布置在第一方向上，并且所述多條數(shù)據線可以沿所述第一方向延伸，其中所述多個像素中的每一個可以聯(lián)接到所述多條數(shù)據線之一。所述多條數(shù)據線可以包括第一數(shù)據線和第二數(shù)據線，并且所述多個像素中的連續(xù)像素可以交替聯(lián)接到所述第一數(shù)據線和所述第二數(shù)據線。所述第一 TFT可以是用于響應于傳輸?shù)剿龆鄺l掃描線之一的選擇信號而施加向所述多條數(shù)據線之一施加的數(shù)據電壓的開關元件。所述第一 TFT可以包括兩個柵電極，并且所述第n-1數(shù)據線可以位于與所述兩個柵電極之間的區(qū)域相對應的區(qū)域處。根據本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，其包括多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線；位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素；以及用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個TFT ;其中顯示k種不同顏色的像素交替布置在第一方向上，k條數(shù)據線連續(xù)位于顯示k種不同顏色的像素的一側以沿著所述第一方向延伸，并且所述一個或多個TFT中的第一TFT的至少一部分位于與所述k條數(shù)據線中的連續(xù)數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，其中k是等于或大于2的整數(shù)。 與聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線的像素相對應的第一 TFT可以位于與所述第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，其中n是等于或大于2并且等于或小于k的整數(shù)。紅色像素、綠色像素以及藍色像素可以連續(xù)布置在所述第一方向上，并且可以分別聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的不同數(shù)據線。所述多個像素在行方向上的寬度可以大于所述多個像素在列方向上的長度。所述第一方向可以是列方向。所述多個像素中的每一個可以包括兩個或更多個TFT以及電聯(lián)接到所述兩個或更多個TFT中的相應TFT的兩個或更多個電容器。所述第一 TFT可以是用于響應于傳輸?shù)剿龆鄺l掃描線之一的選擇信號而施加向所述多條數(shù)據線之一施加的數(shù)據電壓的開關元件。根據本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置，其包括多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線；位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素；用于提供公共電源到所述多個像素的公共電源線；以及用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個TFT，其中所述多條數(shù)據線和所述公共電源線從最遠離所述多個像素處到最靠近所述多個像素處連續(xù)且順序定位，并且所述一個或多個TFT中的第一 TFT至少部分位于與所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，所述第n數(shù)據線和所述第n-1數(shù)據線連續(xù)定位，其中n是等于或大于2的整數(shù)。所述第一 TFT可以聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的第一數(shù)據線，所述第一數(shù)據線最靠近所述多個像素，并且所述第一 TFT可以至少部分地位于所述第一數(shù)據線和所述公共電源線之間。所述第一 TFT可以包括兩個柵電極，并且所述第n-1數(shù)據線可以位于與所述兩個柵電極之間的區(qū)域相對應的區(qū)域處。
通過以下結合附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細描述，本發(fā)明實施例的以上及其它方面和特征將變得更加明顯，附圖中圖I是根據本發(fā)明示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖2是圖I中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第一數(shù)據線的像素的等效電路圖；圖3是圖I中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第二數(shù)據線的像素的等效電路圖；圖4是圖I中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第三數(shù)據線的像素的等效電路圖；
圖5是沿圖I的線1-1’截取的截面圖；圖6是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖7是圖6中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第一數(shù)據線的像素的等效電路圖；圖8是圖6中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第二數(shù)據線的像素的等效電路圖；圖9是圖6中所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置中聯(lián)接到第三數(shù)據線的像素的等效電路圖；圖10是沿圖6的線11-11’截取的截面圖；圖11是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖；以及圖12是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置的平面圖。
具體實施例方式隨著顯示器面板的尺寸變大并且要求提供更高的圖像質量，數(shù)據寫入時間減少。因此，通過最小化或減小數(shù)據線的電阻-電容(RC)延遲來確保數(shù)據寫入時間是有益的。相應地，提出了各種結構來減小有機電致發(fā)光顯示裝置的RC延遲。為了減小RC延遲，多條數(shù)據線可以被布置為從單個像素旁邊經過。然而，在該結構中，在數(shù)據線聯(lián)接到晶體管的區(qū)域處會產生寄生電容，并且所產生的寄生電容增大了數(shù)據線的RC值。本發(fā)明實施例的各方面及其實施方法，可以通過參考示例性實施例以及附圖的以下詳細描述而更容易理解。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式具體實現(xiàn)，并且不應該被解釋為限于這里記載的實施例。相反，提供這些實施例的目的在于使該公開內容全面完整，并且向本領域技術人員充分地傳達本發(fā)明的構思，并且本發(fā)明僅由所附權利要求及其等同物來限定。在附圖中，為了清晰起見，放大了層和區(qū)域的相對尺寸。還可以理解，當提及一元件或層位于另一元件或層“上”時，該元件或層可以直接位于另一元件或層上，也可以存在中間元件或層。相比之下，當提及一元件直接位于另一元件或層上時，就不存在中間元件或層。這里所使用的詞語“和/或”包括所列出的相關聯(lián)項目中的一個或多個的任意或所有組合。這里使用的與空間相關的詞語，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上面”等，是
為了便于描述如附圖所示的一元件或者特征與另一元件或特征的關系?？梢岳斫猓c空間相關的詞語旨在包括除了附圖中描述的定向之外，還包括使用或工作過程中裝置的不同定向。在整個說明書中，相同的附圖標記指代相同的元件。這里結合作為本發(fā)明理想實施例的示意性圖示的平面圖和截面圖來描述本發(fā)明的實施例。這樣，由于例如制造技術和/或誤差而導致的圖示形狀的改變是可以預期的。因此，本發(fā)明的實施例不應該被解釋為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而應該被解釋為包括例如因制造過程而導致的形狀改變。因此，附圖中示出的區(qū)域實質上是示意性的，并且它們的形狀并不意在示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意在限制本發(fā)明的范圍。在下文中，將會結合附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。根據示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置將結合圖I至圖5而描述。圖I是根據本發(fā)明示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100的平面圖。圖2至圖4是圖I所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100的像素的等效電路圖。圖5是沿圖I的線1-1’截取的截面圖。參見圖I至圖5，根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100包括多條掃描線S1至S3、多條數(shù)據線D1至D3以及公共電源線150。多個像素形成在由掃描線S1至S3和數(shù)據線D1至D3所限定的區(qū)域中。為了描述方便，在圖I中示出由三條數(shù)據線D1至D3、三 條掃描線S1至S3以及一條公共電源線150驅動的三個像素。掃描線S1至S3在第一方向上延伸并且傳輸掃描信號。數(shù)據線D1至D3在與掃描線S1至S3延伸的第一方向交叉的第二方向上延伸并且傳輸數(shù)據信號。數(shù)據線D1至D3連續(xù)位于像素的一側。也就是說，多條數(shù)據線D1至D3鄰近像素中的每一個而布置。顯示k種不同顏色的像素可以在第二方向上交替布置。這里，像素中的每一個可以聯(lián)接到連續(xù)位于其一側的k條數(shù)據線中的任意一條。k是等于或大于2的整數(shù)。像素中的每一個可以根據其顯示的顏色而聯(lián)接到不同的數(shù)據線。在圖l(k = 3)中，分別顯示紅色、綠色和藍色的三個像素在第二方向上交替布置，并且分別對應于紅色、綠色和藍色像素的三條數(shù)據線以第二方向連續(xù)位于紅色、綠色和藍色像素的一側。這里，第一方向可以是行方向，并且第二方向可以是列方向。像素在行方向上的長度大于在列方向上的長度。當像素在行方向上的長度大于在列方向上的長度時，如果掃描線在列方向上延伸同時數(shù)據線在行方向上延伸，則會增加掃描線的條數(shù)。所增加的掃描線的條數(shù)減小了 IH時間，因此減小了數(shù)據充電時間。然而，如圖I所示，當掃描線在行方向上延伸同時數(shù)據線在列方向上延伸時，增大了 IH時間，因此確保了數(shù)據充電時間。參見圖1，根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100在像素中包括第一薄膜晶體管(TFT) 110、第二 TFT 120、第一電容器130以及有機發(fā)光元件140。第一 TFT 110充當開關元件，其通過響應于傳輸?shù)綊呙杈€S1至S3之一的選擇信號而開關(例如施加到所選擇的像素)施加到數(shù)據線D1至D3之一的數(shù)據電壓，來選擇發(fā)光的像素。參見圖5,第一TFT 110包括第一柵電極115、第一源電極117b、第一漏電極118以及第一有源層113。在基板111上形成緩沖層112。基板111可以由絕緣材料制成，例如由玻璃、石英或者塑料或者金屬制成。緩沖層112防止或減少雜質滲入基板111，并且還平坦化基板111的表面。緩沖層112可以由任何材料制成，只要其能夠執(zhí)行這些功能。緩沖層112不是必不可少的，并且可以依賴于基板111的類型和工藝條件而省略。
在緩沖層112上形成第一有源層113。第一有源層113可以由非晶硅或多晶硅制成。當由多晶硅制成時，第一有源層113可以具有高于由非晶硅制成時的電荷遷移率。第一有源層113包括第一溝道區(qū)113b，并且還包括位于第一溝道區(qū)113b兩側的第一源區(qū)113a和第一漏區(qū)113c。第一溝道區(qū)113b未摻雜,而第一源區(qū)113a和第一漏區(qū)113c摻有p型雜質或n型雜質。雜質的類型可以根據第一 TFT 110的類型而改變。
在第一有源層113上形成柵絕緣膜114。柵絕緣膜114可以由氮化硅或氧化硅制成。第一柵電極115形成在柵絕緣膜114上并且與第一溝道區(qū)113b重疊。第一柵電極115電聯(lián)接到掃描線S1至S3之一。在圖I中，示出了一個第一柵電極115。然而，當前示例性實施例并不局限于此，并且兩個或更多個第一柵電極可以如本領域普通技術人員所期望的那樣而形成。在柵絕緣膜114上形成覆蓋第一柵電極115的層間絕緣膜116。第一源電極117b和第一漏電極118形成在層間絕緣膜116上，并且通過形成在層間絕緣膜116中的接觸孔116a和116b分別電聯(lián)接到第一有源層113的第一源區(qū)113a和第一漏區(qū)113c。形成在層間絕緣膜116上的布線117a和117c是數(shù)據線。第一源電極117b可以電聯(lián)接到數(shù)據線D1至D3之一。在圖5中，數(shù)據線D2通過接觸孔116a電聯(lián)接到第一有源層113的第一源區(qū)113a。也就是說，數(shù)據線D2是第一源電極117b (例如聯(lián)接到第一源電極117b)。第一漏電極118通過接觸孔116c電聯(lián)接到第一電容器130的第一下電極132。在該結構中，像素通過第一 TFT 110電聯(lián)接到連續(xù)位于像素一側的數(shù)據線D1至D3中的任一條。另外，第一 TFT 110由施加到掃描線S2的柵電壓驅動，并且將施加到數(shù)據線D2的數(shù)據電壓傳遞到第二 TFT 120。第一 TFT 110形成在連續(xù)位于像素一側的第n數(shù)據線和第n_l數(shù)據線之間。在這種情況下，像素通過第一 TFT 110聯(lián)接到第n數(shù)據線。此處，n是等于或大于2并且等于或小于k的整數(shù)。聯(lián)接到第一數(shù)據線D1的第一 TFT 110形成在像素區(qū)域中。當形成兩個柵電極時，如果第一 TFT 110聯(lián)接到第n數(shù)據線，那么第n-1數(shù)據線就位于兩個柵電極之間。在圖I中，作為實例示出k等于3的情況。更具體地，紅色像素、綠色像素以及藍色像素在第二方向上交替布置，并且第三數(shù)據線D3、第二數(shù)據線D2以及第一數(shù)據線D1連續(xù)位于紅色像素、綠色像素和藍色像素的一側。聯(lián)接到第一數(shù)據線D1的第一 TFT 110可以形成在像素區(qū)域中，聯(lián)接到第二數(shù)據線D2的第一 TFT 110可以形成在第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1之間，并且聯(lián)接到第三數(shù)據線D3的第一 TFT 110可以形成在第三數(shù)據線D3和第二數(shù)據線D2之間。圖2是聯(lián)接到第一數(shù)據線D1的像素的等效電路圖。圖3是聯(lián)接到第二數(shù)據線D2的像素的等效電路圖。圖4是聯(lián)接到第三數(shù)據線D3的像素的等效電路圖。當k條數(shù)據線連續(xù)布置在像素的一側時，如果聯(lián)接到第n數(shù)據線的第一 TFT 110形成在像素區(qū)域中，那么第一 TFT 110的第一有源層113和n-1條數(shù)據線就會彼此重疊，其中絕緣層介于第一 TFT 110的第一有源層113和n-1條數(shù)據線之間。因此，在第一 TFT 110的第一有源層113和n-1條數(shù)據線之間可能會產生不希望的寄生電容。寄生電容增大了數(shù)據電阻-電容(RC)值并且使數(shù)據值失真。然而，在根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100中，聯(lián)接到第n數(shù)據線的第一 TFT 110形成在第n數(shù)據線和第n_l數(shù)據線之間(例如在第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線之間區(qū)域的下面)。因此，可以防止或減小第一 TFT110和第I到第n-1數(shù)據線之間的寄生電容的產生。因此，減小了由于數(shù)據RC值的增加而產生的RC延遲。 回過來參見圖1，第二 TFT 120充當驅動所選擇的有機發(fā)光元件140的驅動晶體管。第二 TFT 120包括第二柵電極125、第二源電極127、第二漏電極128以及第二有源層123。第二 TFT 120的結構與上述第一 TFT 110的結構相同，因此省略其詳細描述。第二柵電極125聯(lián)接到第一電容130的第一下電極132，第二源電極127通過接觸孔聯(lián)接到公共電源線150，并且第二漏電極128通過接觸孔聯(lián)接到有機發(fā)光元件140的像素電極142。在該結構中，當?shù)谝?TFT 110由選擇信號導通時，數(shù)據電壓被施加到第二 TFT120的第二柵電極125，并且電流(例如預定電流)被提供給像素電極142。第一電容器130包括第一下電極132和第一上電極131,在第一下電極132和第一上電極131之間布置有層間絕緣膜116。第一下電極132通過接觸孔116c聯(lián)接到第一 TFT110的第一漏電極118，并且第一上電極131聯(lián)接到公共電源線150。在該結構中，與從第一TFT 110施加的數(shù)據電壓和從公共電源線150施加到第二 TFT 120的公共電壓之間的差值相對應的電壓存儲在第一電容器130中，并且與存儲在第一電容器130中的電壓相對應的電流經由第二 TFT 120流到有機發(fā)光元件140。因此，有機發(fā)光元件140發(fā)光。有機發(fā)光元件140包括對應于陽極(例如空穴注入電極)的像素電極(未示出)、對應于陰極(例如電子注入電極)的像素電極142以及設置在陽極和陰極之間的有機發(fā)光層141。空穴和電子自陽極和陰極注入到有機發(fā)光層141中，并且所注入的空穴和電子復合以形成激子。當激子從激發(fā)態(tài)回到其基態(tài)時發(fā)光。像素電極142可以由例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(IZO)、ZnO或In2O3的透明導電材料制成。以下結合附圖6至圖10描述根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置。圖6是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200的平面圖。圖7至圖9是圖6所示實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200的一個像素的等效電路圖。圖10是沿圖6的線11-11’截取的截面圖。參見圖6，根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200包括在第一方向上延伸的多條掃描線S1至S3、在與第一方向交叉的第二方向上延伸的多條數(shù)據線D1至D3、公共電源線270以及電壓源線280。在由掃描線S1至S3和數(shù)據線D1至D3限定的區(qū)域中形成多個像素。為了描述方便，圖6中示出由三條數(shù)據線D1至D3、三條掃描線S1至S3、一條公共電源線270以及一條電壓源線280驅動的三個像素。掃描線S1至S3、數(shù)據線D1至D3以及公共電源線270與根據先前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100相同，因此省略其描述。顯示不同顏色的像素可以在第二方向上交替布置。在圖6中，紅色像素、綠色像素以及藍色像素在第二方向上交替布置。參見圖6，在根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200中，數(shù)據線D1至D3連續(xù)位于像素的一側。也就是說，對應于布置在第二方向上的多個像素的數(shù)據線D1至D3同時且連續(xù)位于像素的一側。像素中的每一個通過第一 TFT 210聯(lián)接到數(shù)據線D1至D3中的任意一條。這里，第二方向可以是列方向。根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置200的像素包括第一 TFT 210、第二 TFT 220、第三TFT 230、第一電容器240、第二電容器250以及有機發(fā)光元件260。第一 TFT 210可以形成在連續(xù)位于像素一側的數(shù)據線D1至D3之間。也就是說，如果像素聯(lián)接到第n數(shù)據線，那么第一 TFT 210(例如第一 TFT 210的柵極)可以形成在第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線之間(例如在第n數(shù)據線下面的區(qū)域和第n-1數(shù)據線下面的區(qū)域之間)。更具體地，如果像素聯(lián)接到第一數(shù)據線D1，那么第一 TFT 210形成在像素內，并且如果像素聯(lián)接到第二數(shù)據線D2,那么第一 TFT 210形成在第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1之間(例如第一 TFT 210的一個柵極形成在第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1之間，同時第一 TFT210的另一個柵極形成在數(shù)據線D1的面對數(shù)據線D2的一側)。另外，如果像素聯(lián)接到第三數(shù)據線D3,那么第一 TFT 210形成在第三數(shù)據線D3和第二數(shù)據線D2之間(例如第一 TFT 210的一個柵極形成在第三數(shù)據線D3和第二數(shù)據線D2之間，同時第一 TFT 210的另一個柵極形成在第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1之間)。在圖6中，紅色像素、綠色像素以及藍色像素順序形成在列方向上，并且分別聯(lián)接到連續(xù)形成的第一至第三數(shù)據線D1至D3。參見圖10,第一 TFT 210包括第一有源層213、第一柵電極215a和215b、第一源電 極217b以及第一漏電極218。第一源電極217b和第一漏電極218與根據先前不例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100的第一 TFT 110相同，因此省略其描述。此外，形成在層間絕緣膜216上的布線217c是數(shù)據線?？梢孕纬蓛蓚€或更多個第一柵電極215a和215b。在圖6中，示出具有兩個第一柵電極215a和215b的雙柵結構。然而，單個第一柵電極也可以如本領域普通技術人員所期望的那樣形成。當?shù)谝?TFT 210聯(lián)接到第n數(shù)據線時，第n-1數(shù)據線可以位于兩個第一柵電極215a和215b之間(例如兩個第一柵電極215a和215b之間區(qū)域的上方的區(qū)域)。該雙柵結構不僅減小了漏電流，而且防止或者減小由未被選擇的數(shù)據線引起的寄生電容的產生。第一有源層213可以由非晶硅或多晶硅制成。第一有源層213可以包括第一溝道區(qū)213b和213d、第一源區(qū)213a以及第一漏區(qū)213e。第一溝道區(qū)213b和213d未摻雜，并且第一源區(qū)213a和第一漏區(qū)213e位于第一溝道區(qū)213b和213d的兩側，并且摻有p型雜質或n型雜質。另外，摻雜的區(qū)213c可以進一步形成在第一溝道區(qū)213b和213d之間。參見圖6，第二 TFT 220包括第二有源層223、第二柵電極225、第二源電極227以及第二漏電極228。第二柵電極225通過接觸孔電聯(lián)接到第二電容器250的第二下電極252，第二源電極227通過接觸孔聯(lián)接到公共電源線270，并且第二漏電極228通過接觸孔聯(lián)接到有機發(fā)光元件260。第二有源層223聯(lián)接到第一電容器240的第一下電極242。在該結構中，施加數(shù)據電壓和公共電壓到第二 TFT 220，并且與數(shù)據電壓和公共電壓之間的差值相對應的電流流到像素電極262。第三TFT 230包括第三有源層233、第三柵電極235、第三源電極237以及第三漏電極228。第三柵電極235通過接觸孔聯(lián)接到電壓源線280，并且第三源電極237通過接觸孔聯(lián)接到第二電容器250的第二下電極252。第三漏電極228與第二漏電極228重疊。也就是說，第三漏電極228與第二漏電極228是同一電極，并且通過接觸孔聯(lián)接到有機發(fā)光元件260。在該結構中，第三TFT 230由傳輸?shù)诫妷涸淳€280的信號開關，并且檢測第二 TFT220的閾值電壓。所檢測的閾值電壓存儲在第二電容器250中。第二 TFT 220和第三TFT 230的結構與第一 TFT 110相同，因此省略其詳細描述。
第一電容器240由彼此重疊的第一上電極241和第一下電極242形成，其中柵絕緣膜214介于第一上電極241和第一下電極242之間。第一上電極241可以由與第一至第三柵電極215a、215b、225以及235相同的材料形成并且形成于同一層上。第一下電極142可以通過對非晶硅或多晶硅進行摻雜而形成。這里，雜質可以以高濃度被摻入從而降低電阻。第一下電極242可以與第一至第三有源層213、223和233形成在相同的層上。第一下電極242中雜質的濃度可以高于第一至第三有源層213、223和233中的雜質濃度。第二電容器250由彼此重疊的第一上電極241和第二下電極252形成，其中柵絕緣膜214介于第一上電極241和第二下電極252之間。第二電容器250和第一電容器240可以共享同一上電極241。然而，獨立的下電極可以形成以將第一電容器240與第二電容器250分開。第二下電極252可以由摻雜的非晶硅或多晶硅形成。有機發(fā)光元件260包括對應于陽極的像素電極(未示出)、對應于陰極的像素電極262以及設置在陽極和陰極之間的有機發(fā)光層261。以下將結合圖11描述根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置。 圖11是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置300的平面圖。參見圖11，根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置300包括在第一方向上延伸的多條掃描線SJP S2、在與第一方向交叉的第二方向上延伸的多條數(shù)據線DJP D2以及公共電源線350。在由掃描線S1和S2與數(shù)據線D1和D2限定的區(qū)域中形成多個像素。為了描述方便，圖11中示出由兩條數(shù)據線D1和D2、兩條掃描線S1和S2以及一條公共電源線350驅動的兩個像素。數(shù)據線D1和D2連續(xù)位于像素的一側，并且像素中的每一個通過第一 TFT310電聯(lián)接到數(shù)據線D1和D2中的任意一條。顯示相同顏色的像素可以在第二方向上連續(xù)布置。這里，兩條或更多條數(shù)據線可以連續(xù)位于像素的一側。也就是說，兩條或更多條數(shù)據線可以并列地從像素中的每一個旁邊經過。第二方向可以是列方向。像素可以交替聯(lián)接到n條數(shù)據線。具體來說，如果奇數(shù)行或者奇數(shù)列中的像素聯(lián)接到第n數(shù)據線，那么偶數(shù)行或者偶數(shù)列中的像素聯(lián)接到第n-1數(shù)據線。在圖11中，兩個或更多個紅色像素連續(xù)位于列方向上。奇數(shù)行中的紅色像素聯(lián)接到第一數(shù)據線D1，并且偶數(shù)行中的紅色像素聯(lián)接到第二數(shù)據線D2。如上所述，如果兩條或更多條數(shù)據線并列布置到相同顏色的像素，則減小了數(shù)據充電時間。參見圖11，根據當前示例性實施例的像素包括第一 TFT 310、第二 TFT320、第一電容器330以及有機發(fā)光元件340。第一 TFT 310、第二 TFT 320、第一電容器330以及有機發(fā)光元件340與上述根據圖I的先前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置100相同，因此省略其詳細描述。第一 TFT 310包括第一有源層313以及第一柵電極315。在圖11中，示出了一個第一柵電極315。然而，當前示例性實施例并不限于此，并且也可以形成兩個或更多個第一柵電極。如果顯示紅色的像素聯(lián)接到第n數(shù)據線，那么第一 TFT 310就形成在第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線之間(例如至少部分在與第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間)。更具體地，如果紅色像素聯(lián)接到第一數(shù)據線D1，那么第一 TFT 310形成在紅色像素內，并且第一數(shù)據線D1通過接觸孔聯(lián)接到第一有源層313的源區(qū)(未示出)。如果紅色像素聯(lián)接到第二數(shù)據線D2，那么第一 TFT 310形成在第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1之間(例如至少部分在與第二數(shù)據線D2和第一數(shù)據線D1相對應的區(qū)域之間)。另外，當形成兩個第一柵電極時，如果像素聯(lián)接到第n數(shù)據線，那么第n-1數(shù)據線可以位于兩個第一柵電極之間(例如在兩個柵電極之間區(qū)域的上方)該結構可以防止第一 TFT 310的第一有源層313和第一至第n_l數(shù)據線在第n數(shù)據線和第一 TFT 310之間(其中絕緣膜介于第n數(shù)據線和第一 TFT310之間)彼此重疊，因此防止產生寄生電阻。以下將結合圖12描述根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置。圖12是根據本發(fā)明另一示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置400的平面圖。參見圖12，根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置400包括在第一方向上延伸的多條掃描線S1至S3、在與第一方向交叉的第二方向上延伸的多條數(shù)據線D1至03以及公共電源線450。在由掃描線S1至S3和數(shù)據線D1至D3限定的區(qū)域中形成多個像素。為了描述方便，圖12中示出由三條數(shù)據線D1至D3、三條掃描線S1至S3以及一條公共電源線450驅動的三個像素。數(shù)據線D3至D1和公共電源線450可以連續(xù)位于像素的一側。數(shù)據線D3至D1和公共電源線450可以從最遠離像素處到最靠近像素處順序定位。像素可以顯示不同顏色，并且可以在第二方向上交替布置。根據當前示例性實施例的有機電致發(fā)光顯示裝置400的像素包括第一 TFT 410、第二 TFT 420、第一電容器430以及有機發(fā)光元件440。第一 TFT 410可以形成在第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線之間(例如第一 TFT410的柵極可以形成在第n數(shù)據線和第n-1數(shù)據線之間)以聯(lián)接第n數(shù)據線和像素。這里，因為公共電源線450形成在第一數(shù)據線D1和像素之間，所以聯(lián)接到第一數(shù)據線D1的第一 TFT 410形成在第一數(shù)據線D1和公共電源線450之間(例如在與第一數(shù)據線D1和公共電源線450相對應的區(qū)域之間)。如上所述，當?shù)谝?TFT 410形成在第n數(shù)據線和第n_l數(shù)據線之間時，可以防止第n-1數(shù)據線和公共電源線450與第一 TFT 410的第一有源層重疊，因此防止產生寄生電容(例如防止產生過多的寄生電容)，與當?shù)谝?TFT 410形成在像素內時不同。第一 TFT 410與根據圖6的示例性實施例的上述有機電致發(fā)光顯示裝置200的第一 TFT相同，因此省略其詳細描述。另外，第二 TFT 420、第一電容器430以及有機發(fā)光元件440與根據圖I的示例性實施例的有機電致發(fā)光裝置相同，因此省略其詳細描述。在圖12中，示出了有源矩陣有機電致發(fā)光顯示裝置具有2Tr_lCap結構，其中在一個像素中包括兩個TFT和一個電容器。然而，本發(fā)明不限于此結構。根據本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置在一個像素中可以包括三個或更多個TFT以及兩個或更多個電容器。此外，附加的布線可以形成為使有機電致發(fā)光顯示裝置具有各種結構。例如，電壓源線可以形成在像素和公共電源線450之間。盡管結合本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領域普通技術人員會理解，可以在不超出所附權利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，進行形式上和細節(jié)上的各種改變。應該以描述的意義理解示例性實施例，而并不用于限定的目的。權利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括 多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線； 位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素；以及 用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個薄膜晶體管， 其中所述多條數(shù)據線連續(xù)位于所述多個像素的一側，并且所述一個或多個薄膜晶體管中的第一薄膜晶體管至少部分位于與所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，所述第n數(shù)據線和所述第n-1數(shù)據線連續(xù)放置，其中n是等于或大于2的整數(shù)。
2.根據權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素中的至少一個通過所述第一薄膜晶體管聯(lián)接到所述第n數(shù)據線。
3.根據權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素在行方向上的寬度大于所述多個像素在列方向上的長度。
4.根據權利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多條數(shù)據線在所述列方向上延伸。
5.根據權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中顯示相同顏色的像素被布置在第一方向上，并且所述多條數(shù)據線沿所述第一方向延伸，其中所述多個像素中的每一個聯(lián)接到所述多條數(shù)據線之一。
6.根據權利要求5所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多條數(shù)據線包括第一數(shù)據線和第二數(shù)據線，并且所述多個像素中的連續(xù)像素交替聯(lián)接到所述第一數(shù)據線和所述第二數(shù)據線。
7.根據權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管是用于響應于傳輸?shù)剿龆鄺l掃描線之一的選擇信號而施加向所述多條數(shù)據線之一施加的數(shù)據電壓的開關元件。
8.根據權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管包括兩個柵電極，并且所述第n-1數(shù)據線位于與所述兩個柵電極之間的區(qū)域相對應的區(qū)域處。
9.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括 多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線； 位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素；以及 用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個薄膜晶體管， 其中顯示k種不同顏色的像素交替布置在第一方向上，k條數(shù)據線連續(xù)位于顯示k種不同顏色的像素的一側以沿著所述第一方向延伸，并且所述一個或多個薄膜晶體管中的第一薄膜晶體管的至少一部分位于與所述k條數(shù)據線中的連續(xù)數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，其中k是等于或大于2的整數(shù)。
10.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中與聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線的像素相對應的第一薄膜晶體管位于與所述第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，其中n是等于或大于2并且等于或小于k的整數(shù)。
11.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中紅色像素、綠色像素以及藍色像素連續(xù)布置在所述第一方向上，并且分別聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的不同數(shù)據線。
12.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素在行方向上的寬度大于所述多個像素在列方向上的長度。
13.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一方向是列方向。
14.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述多個像素中的每一個包括兩個或更多個薄膜晶體管以及電聯(lián)接到所述兩個或更多個薄膜晶體管中的相應薄膜晶體管的兩個或更多個電容器。
15.根據權利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管是用于響應于傳輸?shù)剿龆鄺l掃描線之一的選擇信號而施加向所述多條數(shù)據線之一施加的數(shù)據電壓的開關元件。
16.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括 多條掃描線和與所述多條掃描線交叉的多條數(shù)據線； 位于由所述多條掃描線和所述多條數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素； 用于提供公共電源到所述多個像素的公共電源線；以及 用于選擇性施加電壓到所述多個像素中的每一個的一個或多個薄膜晶體管， 其中所述多條數(shù)據線和所述公共電源線從最遠離所述多個像素處到最靠近所述多個像素處連續(xù)且順序定位，并且所述一個或多個薄膜晶體管中的第一薄膜晶體管至少部分位于與所述多條數(shù)據線中的第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述多條數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，所述第n數(shù)據線和所述第n-1數(shù)據線連續(xù)定位，其中n是等于或大于2的整數(shù)。
17.根據權利要求16所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管聯(lián)接到所述多條數(shù)據線中的第一數(shù)據線，所述第一數(shù)據線最靠近所述多個像素，并且所述第一薄膜晶體管至少部分地位于所述第一數(shù)據線和所述公共電源線之間。
18.根據權利要求16所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其中所述第一薄膜晶體管包括兩個柵電極，并且所述第n-1數(shù)據線位于與所述兩個柵電極之間的區(qū)域相對應的區(qū)域處。
全文摘要
一種有機電致發(fā)光顯示裝置，包括多條掃描線和與所述掃描線交叉的多條數(shù)據線、位于由所述掃描線和所述數(shù)據線限定的區(qū)域處的多個像素以及用于選擇性施加電壓到所述像素中的每一個的一個或多個薄膜晶體管(TFT)，其中所述數(shù)據線連續(xù)位于所述像素的一側，并且所述TFT中的第一TFT至少部分位于與所述數(shù)據線中的第n數(shù)據線相對應的區(qū)域和與所述數(shù)據線中的第n-1數(shù)據線相對應的區(qū)域之間，所述第n數(shù)據線和所述第n-1數(shù)據線連續(xù)放置。
文檔編號G09G3/32GK102646390SQ20111039707
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月2日 優(yōu)先權日2011年2月17日
發(fā)明者吳真坤, 崔仁豪, 康起寧, 李王棗, 金那英 申請人:三星移動顯示器株式會社