專利名稱：像素電路及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素電路的電路及其所應(yīng)用的驅(qū)動方法，尤其涉及一種具有五個晶體管及二個電容的像素電路及驅(qū)動像素電路方法的描述。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode, OLED)依驅(qū)動方式可分為無源式矩陣驅(qū)動(Passive Matrix 0LED，PM0LED)與有源式矩陣驅(qū)動(Active Matrix OLED, AM0LED)兩種。PMOLED是當數(shù)據(jù)未寫入時并不發(fā)光，只在數(shù)據(jù)寫入期間發(fā)光。這種驅(qū)動方式結(jié)構(gòu)簡單、成本較低、較容易設(shè)計，早期的技術(shù)人員均朝此技術(shù)發(fā)展。但是因為驅(qū)動方式的原因，當發(fā)展大尺寸顯示器時耗電量大、壽命短的問題相當嚴重。主要應(yīng)用于中小尺寸的顯不器。AMOLED與PMOLED最大的差異在于每一像素均有一電容儲存數(shù)據(jù)，讓每一像素均維持在發(fā)光狀態(tài)。由于AMOLED耗電量明顯小于PM0LED，加上其驅(qū)動方式適合發(fā)展大尺寸與高解析度的顯示器，使得AMOLED成為未來發(fā)展的主要方向。雖然AMOLED具有省電、適合大尺寸與全彩化的應(yīng)用，但是卻也延伸出許多設(shè)計上的問題。例如OLED或作為開關(guān)或驅(qū)動元件之用的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)的材料特性的變異與材料老化程度不同而造成面板顯示的不均勻就是一個相當嚴重的問題。過去也已經(jīng)有許多相關(guān)的文獻提出不同的補償電路來改善這方面的問題，主要分為電壓式與電流式兩種方法。承上所述，以現(xiàn)有的技術(shù)可知，以電壓式方式作為補償電路雖能使TFT的臨界電壓(threshold voltage, Vth)作補償，但仍存有過于復(fù)雜、控制波形制作不易、使用元件偏多的問題。相較之下，電流式方式作為補償電路雖然可以讓流過OLED的電流與元件特性無關(guān)，但以電流作為數(shù)據(jù)輸入的格式精準度不如電壓源，而且在低灰階時會有電容充放電時間過長的問題。況且，不佳地，當面板內(nèi)的像素電路使用時間分割(Temporal Division)的3D顯示時，會需要以高速切換畫面，此時過高的幀率(Frame rate)可能反而限制了上述二種電路的補償效果進而壓縮能用于寫入數(shù)據(jù)電壓的時間，見于圖1所示。其中，IH表示的是一個像素電路每次被使能的時間(也可視為是一條橫向掃描線每次被打開的時間)。依照現(xiàn)有的補償技術(shù)，在IH的時間內(nèi)必須做到重置數(shù)據(jù)、補償臨界電壓(Vth)以及寫入數(shù)據(jù)等三種操作，一旦幀率過高，那么能用在寫入數(shù)據(jù)的時間就會極其有限。然而，一個顯示面板需要維持某個限度的數(shù)據(jù)寫入時間才能正常寫入數(shù)據(jù)并進行顯示，所以上述寫入數(shù)據(jù)時間受限的問題將導(dǎo)致面板的最高幀率受到很大地限制。因此，如何在AMOLED內(nèi)提出一種像素電路來改善上述所提及的缺點應(yīng)是重要的。 發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種對提出五個晶體管及二個電容(簡稱5T2C)的像素電路，除了可補償驅(qū)動OLED的驅(qū)動晶體管的臨界電壓Vth變異以外，同時也適用于高速操作的驅(qū)動方法。本發(fā)明的又一目的是提供一種驅(qū)動方法，適用于具五個晶體管及二個電容的像素電路，驅(qū)動方法為提供多個控制信號及柵極信號至像素電路以對前述晶體管分別地進行導(dǎo)通或關(guān)閉的動作，使得前述晶體管的驅(qū)動晶體管的控制端于數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收數(shù)據(jù)電壓。本發(fā)明的再一目的是提供一種驅(qū)動方法，在此驅(qū)動方法中，提供多個控制信號及柵極信號至像素電路，以使像素電路在柵極信號使能之前進行數(shù)據(jù)重置與電壓補償?shù)确菙?shù)據(jù)寫入的操作。本發(fā)明提出一種像素電路，包含第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第四開關(guān)、驅(qū)動晶體管、第一電容以及第二電容，其中，每一開關(guān)及驅(qū)動晶體管均具有第一端、第二端及決定第一端及第二端是否導(dǎo)通的控制端，且第一開關(guān)的第一端接收一數(shù)據(jù)電壓，第一開關(guān)的第二端、第三開關(guān)的第二端及第一電容的一端與驅(qū)動晶體管的控制端電性連接于一第一節(jié)點，第二開關(guān)的第一端接收第一電源電壓，第四開關(guān)的第一端與第二電容的一端共同地接收第二電源電壓、第四開關(guān)的第二端與驅(qū)動晶體管的第一端電性連接，第二開關(guān)的第二端、 第一電容的另一端及驅(qū)動晶體管的第二端與第二電容的另一端電性連接。本發(fā)明提出一種驅(qū)動方法，適用于上述像素電路。此驅(qū)動方法包含于像素電路處于數(shù)據(jù)寫入期間時，提供第一控制信號至第一開關(guān)的控制端借以導(dǎo)通第一開關(guān)，以及將第二、第三及第四控制信號分別地提供至第二、第三及第四開關(guān)的控制端借以關(guān)閉第二、第三及第四開關(guān)，使得驅(qū)動晶體管的控制端于數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收數(shù)據(jù)電壓。本發(fā)明提出一種驅(qū)動像素電路的方法，適用于驅(qū)動發(fā)光元件的像素電路中，此方法包含將多個控制信號及柵極信號分別地提供至像素電路，調(diào)整控制信號的使能狀態(tài)并保持柵極信號為不使能，使得像素電路的數(shù)據(jù)重置并得到電壓補償效果，以及使能柵極信號以使像素電路處于數(shù)據(jù)寫入期間，并在數(shù)據(jù)寫入期間將數(shù)據(jù)電壓提供至像素電路以改變用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管的端點電壓。本發(fā)明因采用一種具有五個晶體管及二個電容的像素電路及驅(qū)動像素電路方法。 借由將前述像素電路及驅(qū)動方法應(yīng)用于AMOLED時，本發(fā)明的像素電路在數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收數(shù)據(jù)電壓，能提高實現(xiàn)高速的幀率(high frame rate driving)技術(shù)的可行性。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例， 并配合所附附圖，作詳細說明如下。


圖1示出公知像素電路于數(shù)據(jù)寫入期間，像素電路接收數(shù)據(jù)電壓的所需時間的波形圖。圖2A示出為本發(fā)明的像素電路的電路結(jié)構(gòu)。圖2B示出為本發(fā)明的像素電路驅(qū)動OLED的電路結(jié)構(gòu)。圖3示出本發(fā)明的像素電路于重置期間(Reset)的電路狀態(tài)。
圖4示出本發(fā)明的像素電路的控制信號進入重置期間的時序圖。圖5示出本發(fā)明的像素電路于補償期間的電路狀態(tài)。圖6示出本發(fā)明的像素電路的控制信號進入補償期間(Compensation)的時序圖。圖7示出本發(fā)明的像素電路于數(shù)據(jù)寫入的電路狀態(tài)。圖8示出本發(fā)明的像素電路的控制信號進入數(shù)據(jù)寫入時序圖。圖9示出本發(fā)明的像素電路于OLED發(fā)光的電路狀態(tài)。圖10示出本發(fā)明的像素電路的控制信號進入OLED發(fā)光時序圖。圖11示出本發(fā)明的像素電路于數(shù)據(jù)寫入期間，像素電路接收數(shù)據(jù)電壓的所需的時間的波形圖。
其中，附圖標記說明如下 1 像素電路
11:第— 112 第:
12第二 122 第:
13第三 132 第:
端
-開關(guān)111:第一端二端113 控制端 開關(guān)121 第一端二端123 控制端 開關(guān)131 第一端二端133 控制端 14:第四開關(guān)141 第一端 142 第二端143 控制端 15 驅(qū)動晶體管151 第 152 第二端153 控制端 電容161 —端一端
.電容171 —端
一端
DmD^D^D^ 時序期間
E 有機發(fā)光二極管
nl :第一節(jié)點n2 :第二節(jié)點
V1 V3 第一電源電壓至第J
Vdata 數(shù)據(jù)電壓
Vref 參考電壓
Gl [n]第一控制信號G2[n]
G3[n]第三控制信號G4[n]
16第— 162 另-
17第二 172 另-電源電壓第二控制信號 第四控制信號
具體實施例方式
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，0LED)所表現(xiàn)出的亮度是由流過的電流大小所決定的。而對有源式矩陣驅(qū)動(Active Matrix OLED, AM0LED)來說，流過 OLED的電流是由驅(qū)動的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)所決定。因此只要是與 TFT或OLED相關(guān)的因素，都可能會影響到AMOLED的顯示品質(zhì)。
因而，本發(fā)明提供一種像素電路及其驅(qū)動方法以解決上述所提及的缺點。如圖2A，為本發(fā)明的像素電路的內(nèi)部電路，其中像素電路1包含第一開關(guān)11、第二開關(guān)12、第三開關(guān)13、第四開關(guān)14、驅(qū)動晶體管15、第一電容16及第二電容17，其中，每一開關(guān)11 14及驅(qū)動晶體管15均具有第一端、第二端及決定第一端及第二端是否導(dǎo)通的控制端。對于上述像素電路1較詳細的端點連接描述為第一開關(guān)11的第一端111接收數(shù)據(jù)電壓Vdata。第一開關(guān)11的第二端112、第三開關(guān)13的第二端132及第一電容16的一端161與驅(qū)動晶體管15的控制端153電性連接于第一節(jié)點nl。第二開關(guān)12的第一端121接收第一電源電壓義。第四開關(guān)14的第一端141 與第二電容17的一端171共同地接收第二電源電壓V2。第四開關(guān)14的第二端142與驅(qū)動晶體管15的第一端151電性連接。第二開關(guān)12的第二端122、第一電容16的另一端162 及驅(qū)動晶體管15的第二端152與第二電容17的另一端172電性連接第三電源電壓V3。如圖2B，為本發(fā)明中像素電路1如驅(qū)動OLED (其中OLED的元件編號為Ε)此類型的發(fā)光元件的電路結(jié)構(gòu)，其連接方式為OLED E的陽極(anode)與第一電容16的另一端162、 第二電容17的另一端172及驅(qū)動晶體管15的第二端152共同地連接在一起及OLED E的陰極(cathode)連接第三電源電壓V3。而本發(fā)明的像素電路1對于上述第一開關(guān)至第四開關(guān)11 14與驅(qū)動晶體管15較佳的選擇為第一開關(guān)至第四開關(guān)11 14均是P型薄膜晶體管，或是第一開關(guān)至第四開關(guān) 11 14及驅(qū)動晶體管15均是N型薄膜晶體管。且第一電源電壓V1、第二電源電壓V2及第三電源電壓V3的電壓值均不相同。承上所述，作為每一開關(guān)11 14的用的P型薄膜晶體管或是N型薄膜晶體管，以及驅(qū)動晶體管15所采用的N型薄膜晶體管被導(dǎo)通(turn on)或被關(guān)閉(turn off)的條件已為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員均知，故在此不再提及。基于本發(fā)明的像素電路1的電路架構(gòu)，本發(fā)明提出一種驅(qū)動方法描述像素電路1 內(nèi)的第一開關(guān)至第四開關(guān)11 14及驅(qū)動晶體管15被導(dǎo)通或被關(guān)閉的過程。以下為本發(fā)明的驅(qū)動方法的描述，并請一并同時參閱圖3及圖4，其中，圖3為本發(fā)明的像素電路1于重置期間(Reset)的電路狀態(tài)，圖4則為本發(fā)明的像素電路1的控制信號進入重置期間的時序圖。于圖4中在〔Dn_3〕時序期間，提供邏輯為低狀態(tài)的第一控制信號Gl [η]至第一開關(guān) 11的控制端113，并提供邏輯為低狀態(tài)的第四控制信號G4 [η]至第四開關(guān)14的控制端143， 借以分別地關(guān)閉第一開關(guān)11及第四開關(guān)14 ；及提供邏輯為高狀態(tài)的第二控制信號G2[n] 至第二開關(guān)12的控制端123，并提供邏輯為高狀態(tài)的第三控制信號G3 [η]至第三開關(guān)13的控制端133，借以分別地導(dǎo)通第二開關(guān)12及第三開關(guān)13。此時，施加參考電壓Vref至第三開關(guān)13的第一端131之后，以N型薄膜晶體管為例的驅(qū)動晶體管15的控制端(柵極)153 電壓被設(shè)為Vref，及驅(qū)動晶體管15的第二端(源極)152電壓設(shè)被為V3時，使得像素電路1 處于重置期間而讓像素電路1在做下一階段的補償動作時不會受到上一畫面的影響。在像素電路1處于重置期間之后，請一并同時參閱圖5及圖6，其中，圖5為本發(fā)明的像素電路1于補償期間(Compensation)的電路狀態(tài)及圖6為本發(fā)明的像素電路1的控制信號進入補償期間的時序圖。于圖6中在〔Dn_2〕至⑷㈣〕時序期間，將提供邏輯為低狀態(tài)的第一控制信號Gl[n]至第一開關(guān)11的控制端113及將提供邏輯為低狀態(tài)的第二控制信號G2[n]提供至第二開關(guān)12的控制端123，借以分別地關(guān)閉第一開關(guān)11及第二開關(guān)12 ；且，將邏輯為高狀態(tài)的第三控制信號G3[n]提供至第三開關(guān)13的控制端133及將邏輯為高狀態(tài)的第四控制信號 G4[n]至第四開關(guān)14的控制端143，借以分別地導(dǎo)通第三開關(guān)13及第四開關(guān)14。之后，第四開關(guān)14的第一端141與第二電容17的一端171共同地接收第二電源電壓V2以對驅(qū)動晶體管15的第二端(源極)152(此時，源極電壓原為V3)進行充電，直至驅(qū)動晶體管15的控制端153(此時，柵極電壓仍為V,ef)電壓與驅(qū)動晶體管15的第二端(源極)152電壓二者電壓值相差為驅(qū)動晶體管15的臨界電壓(threshold voltage, VTH)而導(dǎo)致驅(qū)動晶體管15 處于截止(cut-off)狀態(tài)。此時，第一電容16用于儲存驅(qū)動晶體管15的臨界電壓Vth，使得像素電路1處于補償期間。在像素電路1處于補償期間之后，請一并同時參閱圖7及圖8，其中，圖7為本發(fā)明的像素電路1于數(shù)據(jù)寫入的電路狀態(tài)及圖8為本發(fā)明的像素電路1的控制信號進入數(shù)據(jù)寫入時序圖。于圖8中在〔DJ時序期間，將提供邏輯為高狀態(tài)的第一控制信號Gl[n]至第一開關(guān)11的控制端113借以導(dǎo)通第一開關(guān)11，并將邏輯為低狀態(tài)的第二控制信號G2[n]、第三控制信號G3[n]及第四控制信號G4[n]分別地提供至第二開關(guān)12的控制端123、第三開關(guān) 13的控制端133及第四開關(guān)14的控制端143，借以關(guān)閉第二開關(guān)12、第三開關(guān)13及第四開關(guān)14。此時，當?shù)诙_關(guān)12至第四開關(guān)14處于關(guān)閉狀態(tài)及第一開關(guān)11處于導(dǎo)通狀態(tài)， 數(shù)據(jù)電壓Vdata被輸入至驅(qū)動晶體管15的控制端(柵極)153，使得驅(qū)動晶體管15的控制端 (柵極)153電壓自原先的VMf改變?yōu)閂data。換言之，于像素電路1于數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段，驅(qū)動晶體管15的控制端153均接收數(shù)據(jù)電壓Vdata。需注意地，由第一電容16的另一端162、第二電容17的另一端172及驅(qū)動晶
體管15的第二端152共同地連接的第二節(jié)點n2的電壓為Vref_VTH+dV，其中前述dV為 Cl
—(Vdata-Vref)，也就是驅(qū)動晶體管15的第二端152(源極)電壓為V,ef_VTH+dV，其中Cl C1+C2
代表第一電容16的電容值，C2則代表第二電容17的電容值。最后，在像素電路1處于數(shù)據(jù)寫入之后，請一并同時參閱圖9及圖10，其中，圖9為本發(fā)明的像素電路1于使OLED發(fā)光的電路狀態(tài)及圖10為本發(fā)明的像素電路1的控制信號進入OLED發(fā)光時序圖。于圖10中在〔0 +1〕至〔Dn+4〕時序期間，提供邏輯為低狀態(tài)的第一控制信號Gl[n]至第一開關(guān)11的控制端113、提供邏輯為低狀態(tài)的第二控制信號G2[n]至第二開關(guān)12的控制端123及提供邏輯為低狀態(tài)的第三控制信號G3[n]至第三開關(guān)13的控制端133，借以關(guān)閉第一開關(guān)11、第二開關(guān)12及第三開關(guān)13。及提供邏輯為高狀態(tài)的第四控制信號G4[n]至第四開關(guān)14的控制端143借以導(dǎo)通第一開關(guān)11。此時，當?shù)谝婚_關(guān)11至第三開關(guān)13處于關(guān)閉狀態(tài)及第四開關(guān)1處于導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動晶體管15的控制端(柵極)153呈浮接(floating) 狀態(tài)。此時，驅(qū)動晶體管15的控制端(柵極)153的電壓為Ve = Vdata+V3+V0LED-Vref+VTH-dV, 其中為OLED元件的兩端點的跨壓。及驅(qū)動晶體管15的第二端(源極)152電壓為Vs =V3+VMD，所以可以推論此時流過OLED的電流值Imd，如式1所示Ioled = K(Vgs-Vth)2 = K (Vdata+V3+V0LED-Vref+VTH-dV-V3-Voled-Vth) 2 =K(Vdata-Vref-dV)2...式 1由式1可知，流過OLED的電流值Imd已與驅(qū)動晶體管15的Vth無關(guān)，且當OLED因長時間操作而發(fā)生跨壓上升、發(fā)光效率下降的情形時，像素電路1會產(chǎn)生較大的電流Imd來補償發(fā)光效率下降的缺點。基于前述像素電路1的驅(qū)動方法的描述，本發(fā)明提出一種驅(qū)動像素電路的方法， 適用于驅(qū)動如OLED此類型的發(fā)光元件。首先，此驅(qū)動像素電路的方法為描述本發(fā)明的圖4 對于像素電路1的控制信號進入重置期間的時序圖。及，描述本發(fā)明的圖6對于像素電路1 的控制信號進入補償期間的時序圖。最后，描述本發(fā)明的圖8對于像素電路1的控制信號進入數(shù)據(jù)寫入時序圖。于圖4中在〔Dn_3〕時序期間，將多個控制信號及柵極信號Gl[n]分別地提供至像素電路1，其中多個控制信號至少包含第一控制信號G2[n]、第二控制信號G3[n]及第三控制信號G4[n]。承上，調(diào)整第一控制信號G2[n]、第二控制信號G3[n]及第三控制信號G4[n]的使能狀態(tài)并保持柵極信號Gl [η]為不使能，使得像素電路1進入重置期間，其中調(diào)整前述控制信號的使能狀態(tài)及保持柵極信號Gl [η]為不使能。也是，設(shè)定第一控制信號G2 [η]及第二控制信號G3[n]在邏輯高狀態(tài)為被使能，且第三控制信號G4[n]及柵極信號Gl [η]在邏輯低狀態(tài)為不使能。于圖6中在〔Dn_2〕至〔Dn_J時序期間，設(shè)定第一控制信號G2[n]在邏輯低狀態(tài)不使能及并保持柵極信號Gl [η]在邏輯低狀態(tài)為不使能，且第二控制信號G3[n]及第三控制信號G4[n]在邏輯高狀態(tài)為被使能，以使得像素電路1處于補償期間。于圖8中在〔1\〕時序期間，設(shè)定第一控制信號G2[n]、第二控制信號G3[n]及第三控制信號G4[n]在邏輯低狀態(tài)不使能，且柵極信號Gl [η]在邏輯高狀態(tài)被使能，以使像素電路1處于數(shù)據(jù)寫入期間，并在數(shù)據(jù)寫入期間將數(shù)據(jù)電壓Vdata提供至像素電路1以改變用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管15的端點電壓。綜上所述，在本發(fā)明提供一種具有五個晶體管及二個電容的像素電路及驅(qū)動像素電路方法的描述。借由前述像素電路及驅(qū)動方法應(yīng)用于AMOLED時，從圖11可知，本發(fā)明的像素電路在數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收數(shù)據(jù)電壓，能提高實現(xiàn)高速的幀率(high frame rate driving)技術(shù)的可行性。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，包含一第一開關(guān)； 一第二開關(guān)； 一第三開關(guān)； 一第四開關(guān)； 一驅(qū)動晶體管； 一第一電容；以及一第二電容，其中，每一所述開關(guān)及該驅(qū)動晶體管均具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導(dǎo)通的控制端，且該第一開關(guān)的第一端接收一數(shù)據(jù)電壓，該第一開關(guān)的第二端、該第三開關(guān)的第二端及該第一電容的一端與該驅(qū)動晶體管的控制端電性連接于一第一節(jié)點，該第二開關(guān)的第一端接收一第一電源電壓，該第四開關(guān)的第一端與該第二電容的一端共同地接收一第二電源電壓、該第四開關(guān)的第二端與該驅(qū)動晶體管的第一端電性連接， 該第二開關(guān)的第二端、該第一電容的另一端及該驅(qū)動晶體管的第二端與該第二電容的另一端電性。
2.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該第一、該第二、該第三及該第四開關(guān)均是P型薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該第一、該第二、該第三、該第四開關(guān)及該驅(qū)動晶體管均是N型薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的像素電路，其中該第一、該第二及該第三電源電壓均不相同。
5.一種驅(qū)動方法，適用如權(quán)利要求1的像素電路，該驅(qū)動方法包含 于該像素電路處于一數(shù)據(jù)寫入期間時，提供一第一控制信號至該第一開關(guān)的控制端借以導(dǎo)通該第一開關(guān)；以及將一第二、一第三及一第四控制信號分別地提供至該第二、該第三及該第四開關(guān)的控制端借以關(guān)閉該第二、該第三及該第四開關(guān)，使得該驅(qū)動晶體管的控制端于該數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收該數(shù)據(jù)電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動方法，其中于該像素電路處于一數(shù)據(jù)寫入期間之前，該驅(qū)動方法進一步包含將該第一及該第四控制信號分別地提供至該第一及該第四開關(guān)的控制端，借以關(guān)閉該第一及該第四開關(guān)；以及將該第二及該第三控制信號分別地提供至該第二及該第三開關(guān)的控制端，借以導(dǎo)通該第二及該第三開關(guān)，使得該像素電路處于一重置期間。
7.如權(quán)利要求6所述的驅(qū)動方法，其中于該像素電路處于該重置期間之后，且處于該數(shù)據(jù)寫入期間之前，該驅(qū)動方法進一步包含將該第一及該第二控制信號分別地提供至該第一及該第二開關(guān)的控制端，借以關(guān)閉該第一及該第二開關(guān)；以及將邏輯為低狀態(tài)的該第三及該第四控制信號分別地提供至該第三及該第四開關(guān)的控制端，借以導(dǎo)通該第三及該第四開關(guān)，使得該像素電路處于一補償期間。
8.—種驅(qū)動像素電路的方法，適用于驅(qū)動一發(fā)光元件的一像素電路中，該方法包含將多個控制信號及一柵極信號分別地提供至該像素電路；調(diào)整所述多個控制信號的使能狀態(tài)并保持該柵極信號為不使能，使得該像素電路的數(shù)據(jù)重置并得到電壓補償效果；以及使能該柵極信號以使該像素電路處于一數(shù)據(jù)寫入期間，并在該數(shù)據(jù)寫入期間將一數(shù)據(jù)電壓提供至該像素電路以改變用于驅(qū)動該發(fā)光元件的一驅(qū)動晶體管的端點電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述多個控制信號至少包含一第一、一第二及一第三控制信號，且該第一、該第二及該第三控制信號在邏輯低狀態(tài)時為使能，而該柵極信號則在邏輯高狀態(tài)時為使能。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中調(diào)整所述多個控制信號的使能狀態(tài)并保持該柵極信號為不使能，使得該像素電路的數(shù)據(jù)重置并得到電壓補償效果時，包含將一第一、一第二、一第三控制信號及該柵極信號分別地提供至該像素電路后，設(shè)定該第一及該第二控制信號為被使能，且該第三控制信號及該柵極信號為不使能，以使得該像素電路處于一重置期間。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中調(diào)整所述多個控制信號的使能狀態(tài)并保持該柵極信號為不使能，使得該像素電路的數(shù)據(jù)重置并得到電壓補償效果時，包含在該重置期間與該數(shù)據(jù)寫入期間之間，設(shè)定該第一控制信號及該柵極信號為不使能， 且該第二及該第三控制信號為被使能，以使得該像素電路處于一補償期間。
全文摘要
一種像素電路及其驅(qū)動方法，此像素電路包含五個晶體管及二個電容。其驅(qū)動方法為將三個控制信號及柵極信號分別地提供至像素電路，并調(diào)整前述控制信號的使能狀態(tài)并保持柵極信號為不使能，使得像素電路的數(shù)據(jù)重置并得到電壓補償效果，以及使能柵極信號以使像素電路處于數(shù)據(jù)寫入期間，并在數(shù)據(jù)寫入期間將數(shù)據(jù)電壓提供至像素電路以改變用于驅(qū)動發(fā)光元件的驅(qū)動晶體管的端點電壓。本發(fā)明的像素電路在數(shù)據(jù)寫入期間的全部時段均接收數(shù)據(jù)電壓，能提高實現(xiàn)高速的幀率技術(shù)的可行性。
文檔編號G09G3/32GK102436793SQ20111039659
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月18日
發(fā)明者李允翔, 蔡宗廷 申請人:友達光電股份有限公司