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顯示裝置用基板及其制造方法

文檔序號:2582031閱讀:163來源:國知局
專利名稱:顯示裝置用基板及其制造方法
技術領域
本發(fā)明涉及顯示裝置用基板、顯示裝置用基板的制造方法、使顯示裝置用基板和驅動用基板貼合后的顯示面板、以及具有顯示面板的顯示裝置。
背景技術
作為像素的光源具有多個有機電致發(fā)光元件(以下有將電致發(fā)光僅稱為“EL”的情況)的顯示裝置(以下有稱為有機EL顯示裝置的情況)中,通過選擇性地驅動各有機EL 元件而顯示規(guī)定的圖像信息。有機EL顯示裝置是將顯示面板與揚聲器、調諧器、驅動器等共同地封裝在框體中而實現的,所述顯示面板是通過使顯示裝置用基板和驅動用基板貼合而構成的,所述顯示裝置用基板中形成有多個有機EL元件;所述驅動用基板中形成有選擇性地驅動各有機EL元件的驅動電路(例如參照專利文獻1)。在顯示裝置用基板和驅動用基板被貼合的構成的顯示面板中,在顯示裝置用基板上設有突起狀的第一連接電極,使該第一連接電極與設于驅動用基板上的第二連接電極抵接,由此確保形成于顯示裝置用基板上的有機EL元件與形成于驅動用基板上的驅動電路的電連接。在現有的技術中,在顯示裝置用基板上設有突起狀的臺座,且在該臺座上形成從有機EL元件的電極引出的第一連接電極,由此形成突起狀的第一連接電極(例如參照特開 2005-353600 號公報)。為了確保有機EL元件和驅動電路的電連接,需要在使顯示裝置用基板和驅動用基板貼合的狀態(tài)下,設于顯示裝置用基板的第一連接電極與設于驅動用基板的第二連接電極被抵接。為此,在其上形成有第一連接電極的臺座,在現有技術中按照比在顯示裝置用基板所設置的其他結構物更突出的方式形成。臺座通過蒸鍍法和光刻法形成,但在這些方法中,以同一工序形成高度不同的結構物有困難,因此,難以將比其他結構物突出的臺座與其他結構物在相同的工序中形成。因此需要只用于形成臺座的工序,而使得用于制造顯示裝置用基板的工序簡單化變得困難。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于,提供一種以簡易的工序能夠制作的結構的顯示裝置用基板及其制造方法。本發(fā)明涉及一種顯示裝置用基板,被貼合在設有驅動多個有機電致發(fā)光元件的驅動電路的驅動用基板上,其中,所述顯示裝置用基板具有基板主體;多個有機電致發(fā)光元件,其設置在該基板主體上;隔提(〃>々),其在所述基板主體上將所述多個有機EL元件分別劃分開;突起狀的臺座,其設置在所述基板主體上;第一連接電極,其以從所述有機電致發(fā)光元件延伸到所述臺座上的方式配置,并且,所述臺座被配置在在與所述驅動用基板貼合的狀態(tài)下該臺座上所配置的第一連接電極與所述驅動電路具有的第二電極相連接的位置,另外,所述隔提和所述臺座的高度相同。本發(fā)明涉及一種顯示裝置用基板,所述臺座是沿著從所述基板主體遠離的方向漸縮的正錐形,所述隔提是沿著從所述基板主體遠離的方向反向漸縮的倒錐形。本發(fā)明涉及一種顯示面板,其含有所述顯示裝置用基板;驅動用基板,其配置有對在該顯示裝置用基板上所設置的多個有機電致發(fā)光元件進行驅動的驅動電路,按照使所述第一連接電極與所述驅動電路具有的第二連接電極相連接的方式,使所述顯示裝置用基板和驅動用基板貼合。本發(fā)明涉及一種具有所述顯示面板的顯示裝置。本發(fā)明涉及一種顯示裝置用基板的制造方法,該顯示裝置用基板被貼合在設有驅動多個有機電致發(fā)光元件的驅動電路的驅動用基板上,其中,所述顯示裝置用基板的制造方法包括如下工序隔提和臺座形成工序,在基板主體上形成隔提和突起狀的臺座,所述隔提在基板主體上將所述多個有機電致發(fā)光元件分別劃分開;將多個有機電致發(fā)光元件在所述基板主體上形成的工序;形成第一連接電極的工序,該第一連接電極從所述有機電致發(fā)光元件延伸到所述臺座上,并且,在隔提和臺座形成工序中,在與所述驅動用基板貼合的狀態(tài)下,在該臺座上所配置的第一電極與所述驅動電路具有的第二連接電極相連接的位置,形成臺座;并且形成高度與所述臺座相同的隔提,且這些隔提和臺座通過一次光蝕刻形成。本發(fā)明涉及顯示裝置用基板的制造方法,在所述隔提和臺座形成工序中,將臺座形成為沿著從所述基板主體遠離的方向漸縮的正錐形,并且將隔提形成為沿著從所述基板主體遠離的方向反向漸縮的倒錐形。本發(fā)明涉及顯示裝置用基板的制造方法,所述一次光蝕刻包括如下工序成膜工序,在所述基板主體上涂布負型光敏樹脂組成物且使之成膜;曝光工序,在由該成膜工序成膜的薄膜中,對形成所述隔提的部分和形成所述臺座的部位照射光的工序;和顯影工序,在所述曝光工序,與形成所述隔提的部位相比,在形成所述臺座的部位照射更多的光。


圖1是模式化地表示本發(fā)明的個實施方式的顯示面板1的一部分的剖面圖。圖2是模式化地表示顯示裝置用基板30的一部分的俯視圖。符號說明1 表示面板20驅動用基板21 晶體管23 配線
24第二連接電極30顯示裝置用基板31有機EL元件32隔提33第一連接電極34臺座35基板主體36陽極37陰極38發(fā)光層39空穴注入層40像素區(qū)域41導電膜
具體實施例方式圖1是模式化地表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示面板1的一部分的剖面圖。顯示面析1按照含有驅動用基板20和顯示裝置用基板30的方式構成,且是通過使這些驅動用基板20和顯示裝置用基板30貼合來實現的。驅動用基板20是設有驅動有機EL元件31的驅動電路的基板,且由TFT (薄膜晶體管thin film transistor)基板實現。TFT基板例如使用a-Si (非晶硅)、p_Si (多晶硅), μ-Si (微晶硅)等的硅半導體和氧化物半導體等形成。在驅動用基板20上形成有晶體管 21、電容器和配線等作為驅動電路。在本實施方式中,作為驅動電路,在驅動用基板20上形成將多個有機EL元件按每個單元進行驅動的有源矩陣型的驅動電路。在驅動用基板20的表面部中,在一面形成有示出電絕緣性的絕緣膜22。在該絕緣膜22的表面形成有第二連接電極Μ。該第二連接電極M被設置在在驅動用基板20和顯示裝置用基板30貼合的狀態(tài)下與從有機EL元件引出的第一連接電極 33抵接的位置。在絕緣膜22上,穿設有貫通厚度方向的通孔。在該通孔中,形成有連接晶體管21的輸出電極和第二連接電極M的配線23。因此,在驅動用基板20和顯示裝置用基板30貼合的狀態(tài)下,經由配線23、第二連接電極M和第一連接電極Μ,使得晶體管21的輸出電極和有機EL元件31被電連接。第二連接電極M被配置在在驅動用基板20和顯示裝置用基板30貼合的狀態(tài)下與后述的臺座34重疊的位置。顯示裝置用基板30含有如下部件構成基板主體35 ;設于該基板主體35上的多個有機EL元件31 ;將多個有機EL元件分別劃分開的隔提32 ;基板主體35上所設置的突起狀的臺座;34 ;從有機EL元件31延伸到臺座34上所配置的第一連接電極33。圖2是模式化地表示顯示裝置用基板30的一部分的俯視圖。在本實施方式中,隔提32在俯視下設為網格狀,將各有機EL元件31劃分成網格狀。有機EL元件31被分別設于由隔提32所包圍的區(qū)域(以下有稱為像素區(qū)域的情況)40,且在俯視下被配置為矩陣狀。 圖2中表示排列成3行3列的9個有機EL元件31。隔提32在基板主體35的一面所形成的有機EL元件31的電極(本實施方式中為陽極36)上形成。隔提32在本實施方式中被形成為沿著從基板主體35遠離的方向反向漸縮的倒錐形。即,隔提32越遠離基板主體35,越形成得寬(參照圖1)。在與驅動用基板20貼合的狀態(tài)下在配置于臺座34上的第一連接電極33和所述驅動電路具有的第二連接電極M相抵接的位置,配置有臺座34。臺座34在與形成有隔提 32的面的同一面上形成。S卩,臺座34在形成于基板主體35的一面的有機EL元件31的電極(本實施方式中為陽極36)上形成。臺座34分別設置在由隔提32劃分的每個區(qū)域(像素區(qū)域)40中,并呈一個一個的島狀,且距隔提32保持規(guī)定的間隔地配置。臺座34在本實施方式中形成為沿著從基板主體35遠離的方向漸縮的正錐形。即,臺座34越遠離基板主體35,其前端越形成得細。隔提32和臺座34距基板主體35的高度形成得大致相同。在本實施方式中,隔提 32和臺座34分別形成在同一面上,因此隔提32和臺座34形成得厚度相同。有機EL元件31含有一對電極及在該電極間所設置的發(fā)光層38而被構成。一對電極由陽極36和陰極37構成。在電極間,可以設置與發(fā)光層38不同的層,也可以設置多個發(fā)光層。例如,作為在發(fā)光層和陽極之間所設置的層,能夠列舉空穴注入層、空穴傳輸層、 電子阻擋層等,作為在發(fā)光層和陰極之間所設置的層,能夠列舉電子注入層、電子傳輸層、 空穴阻擋層等。本實施方式中,在陽極36和發(fā)光層38之間設有空穴注入層39。S卩,就本實施方式的有機EL元件31而言,從基板主體35起順次層疊有陽極36、空穴注入層39、發(fā)光
38、陰極37而被構成。陽極36由形成于基板主35的一面的導電膜實現。即在本實施方式中,利用由形成于基板主體35的一面的導電膜所形成的共通電極,構成多個有機EL元件31的各陽極36。 因此,各有機EL元件31的陽極36電接通。在從有機EL元件31射出的光通過基板主體35 引出的這一結構的有機EL元件31中,陽極36由示出透光性的導電膜構成。例如能夠利用由氧化銦、氧化鋅,氧化錫,ΙΤ0,銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide 簡稱IZO)、金、鉬、銀和銅等構成的薄膜,構成示出透光性陽極36??昭ㄗ⑷雽?9被形成在陽極36的表面上除去隔提32和臺座34的區(qū)域??昭ㄗ⑷雽?9由無機物或有機物構成。具體來說,能夠由氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁等的氧化物,和苯胺系、星型胺系、酞菁系、無定形碳、聚苯胺和聚噻吩衍生物等形成空穴注入層39。發(fā)光層38形成于空穴注入層39上。發(fā)光層38含有低分子和/或高分子的有機物而構成。使用涂布法形成發(fā)光層38時,作為發(fā)光層38的材料,從對溶劑的溶解性的觀點出發(fā),優(yōu)選使用高分子化合物,更優(yōu)選使用聚苯乙烯換算的數均分子量為IO3 IO8的高分子化合物。作為發(fā)光層38的材料,能夠列舉以下的顏料系材料、金屬絡合物系材料和高分子系材料等。(顏料系材料)作為顏料系材料,例如能夠列舉環(huán)戊丙甲胺衍生物(〉々π《 > 夕‘S >誘導體)、四苯基丁二烯衍生化合物(〒卜,7 - 二 X夕0 - >誘導體化合物)、三苯胺衍生物(卜1J 7工二 A 7 $ >誘導體)、惡二唑衍生物(才*寸夕7、/一 A誘導體)、吡唑喹啉衍生物(C 7、f 口 # 7 U >誘導體)、二苯乙烯基衍生物D、午'J ^《 > 七 > 誘導體)、 聯(lián)苯乙烯衍生物(夕^ ^」A U — l· >誘導體)、吡咯衍生物(口一 A誘導體)、噻吩環(huán)化合物(★力7工 >環(huán)化合物)、吡啶環(huán)化合物(e ν y >環(huán)化合物)、芘酮衍生物(乂 ‘)) >誘導體)、茈衍生物( 1j ^ >誘導體)、寡聚噻吩衍生物(才1J 子才7工 >誘導體)、惡二唑二聚物(才*寸夕τ夕· ^ 一)、吡唑啉雙聚物(匕。7、/ ν y -i -r
一)、喹吖啶酮衍生物(#少夕1J κ >誘導體)、香豆素衍生物(夕1J >誘導體)等。(金屬絡合物系材料)作為金屬絡合物系材料,能夠列舉例如在中心金屬具有Tb、Eu、Dy等的稀土類金屬或Al、Zn、Be、Ir、Pt等,且在配位體具有惡二唑(才—寸夕7、/一 A )、噻重氮、午7 ” 7 ’/一義)、苯基吡啶(7工二 > 丨J ”、y、、苯基苯并咪唑(7工二 >《> yM ^ ψ、/一 > )、喹啉(# 7 U > )構造等的金屬絡合物,能夠列舉例如銥絡化物、鉬絡化物等具有從三重激態(tài)發(fā)光的金屬絡合物;羥基喹啉鋁絡合物(7 > S 7 U 7 錯體);羥基苯并喹啉鈹絡合物(乂 y、, # y >j y —>>j >j々Λ錯體);苯并噁唑鋅絡合物(《y、/才今寸 ”‘V >亜鉛錯體);苯并噻唑鋅絡合物(《> T /一&亜鉛錯體);偶氮甲烷鋅絡合物 (7、B f >亜鉛錯體);卟啉鋅絡合物(y ^ 'J >亜鉛錯體);菲咯啉銪絡合物(7
工于 > 卜口丨J > 二一口 if々A錯體)等。(高分子系材料)作為高分子系材料,能夠例舉如下等聚亞苯基乙烯衍生物(f U ^,7 - 二 ^ >匕‘二 ^ >誘導體)、聚噻吩衍生物(水。1J子才7工 > 誘導體)、聚對苯衍生物(水。'J “ 7 7工二 k >誘導體)、聚硅烷衍生物(水。-J ν 7 >誘導體)、聚乙炔衍生物(水?!ぁ?七子k >誘導體)、聚芴衍生物(水。丨J 7義才^ >誘導體)、聚乙烯咔唑衍生物(水。'J匕‘二義力^ K /一 >誘導體)、使上述顏料系材料和金屬絡合物系發(fā)光材料高分子化的材料。陰極37形成于發(fā)光層38上,陰極37例如由堿金屬、堿土類金屬、.過渡金屬和 III-B族金屬等形成,在陰極的材料中,能夠使用如下鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、 鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬,前述金屬之中的兩種以上的合金,前述金屬之中的一種以上和金、銀、鉬、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中的一種以上的合金,或者石墨或石墨層間化合物等。第一連接電極33形成于臺座34上,在本實施方式中,第一連接電極33以與陰極 37連綿的方式覆蓋臺座34而形成。S卩,第一電極33和陰極37被形成為一體。如圖1所示,在隔提32的表面設有導電極41,但其在本實施方式的制造工序中只是附屬性地設置,在顯示面板1中不是必須的構件。設于隔提32表面上的導電膜41和陰極37被電絕緣,因此陰極37按每個有機EL元件31被電隔離。顯示面板1還具有使驅動用基板20和顯示裝置用基板30粘貼的粘貼機構。在驅動用基板20和顯示裝置用30之間,借助以包圍形成有多個有機EL元件31的區(qū)域(顯示區(qū)域)的方式而配置的粘貼材,使驅動用基板20和顯示裝置用30被貼合。粘貼材例如由樹脂或玻璃等構成。作為粘貼機構,也可以使用將驅動用基板20和顯示裝置用30壓接的虎頭鉗和夾鉗等。接著,對于顯示面板1的制造方法進行說明。首先,準備驅動用基板20。驅動用基板20能夠采用公知的半導體制造技術來制作,能夠通過在與臺座34對應的位置配置前述的第二連接電極M來進行制作。驅動用基板20也可以從市場購買。
其次,準備顯示裝置用基板30。本實施方式的顯示裝置用基板30的制造方法,包括如下工序隔提和臺座形成工序,將基板主體35上將多個有機EL元件31分別劃分開的隔提32形成在基板主體35上,并且在所述基板主體35上形成突起狀的臺座34 ;將多個有機EL元件31形成于所述基板主體35上的工序;形成第一連接電極33的工序,該第一連接電極33從所述有機EL元件延伸至所述臺座34上。首先,準備基板主體35。基板主體35適用的是,在制造有機EL元件31的工序中不會發(fā)生變化的,例如玻璃基板、塑料基板等。其次,在基板主體35的一面形成陽極36。陽極36能夠由真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法和鍍敷法等形成。(隔提和臺座形成工序)在隔提和臺座形成工序中,通過一次光蝕刻形成隔提和電極臺座。具體來說,首先在基板主體上的一面(本實施方式中是陽極36的表面一面)涂布負型光敏樹脂組成物,在陽極36的整個表面形成由負型光敏樹脂組成物構成的薄膜。薄膜通過例如旋涂法、狹縫涂布法等形成。作為負型光敏樹脂組成物,例如能夠使用酚醛樹脂、 丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等。薄膜形成后,通常實施預烘干。其次,進行曝光工序,即在所形成的薄膜中對形成隔提32的部位和形成臺座34的部位進行光照射。具體來說,在形成隔提32的部位,以網格狀進行第一曝光;在形成有臺座 34的部位,以島狀進行第二曝光。在第一曝光和第二曝光中,因為照射光的部位不同,所以使掩模不同而進行曝光。在曝光工序中,相對于形成隔提32的部位,在形成臺座34的部位照射更多的光。更具體地說,使第一曝光中的每單位面積的光的照射量比第二曝光中的每單位面積的光的照射量少。光的照射量能夠通過調節(jié)照射時間和照射強度來進行調整。第一曝光和第二曝光也可以交換進行的順序。在曝光工序中,因為從薄膜的一方的表面?zhèn)日丈涔?,所以從薄膜的一方的表面?zhèn)嚷馗泄?,硬化。因此若曝光的照射量少,則主要使表面部硬化,且顯影時,沿著從基板主體35遠離的方向形成反向漸縮的倒錐形的結構物。另一方面,若曝光的照射量多,則薄膜從一方的表面硬化到另一方的表面,因此顯影時,沿著從基板主體35遠離的方向形成漸縮的正錐形的結構物。在本實施方式中,因為第一曝光的照射量少,所以由負型光敏樹脂構成的薄膜的表面部主要發(fā)生硬化,在顯影時,隔提32就沿著從基板主體35遠離的方向形成為反向漸縮的倒錐形。另一方面,在第二曝光中,因為照射量多,所以由負型光敏樹脂構成的薄膜的厚度方向的整體區(qū)域被曝光、硬化,因此在顯影時,臺座34沿著從基板主體35遠離的方向形成為漸縮的正錐形。曝光后,通常在曝光后進行曝光后烘烤(Post Exposure Bake)、顯影。作為顯影用的蝕刻劑,例如能夠使用TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液、氫氧化鉀水溶液等。顯影后,實施沖洗、后烘。由此,能夠將距基板主體35的高度相同的隔提32和臺座34分別形成為倒錐形、正錐形。因為能夠這樣通過一次光蝕刻就形成隔提32和臺座34,所以與通過各自不同的工序形成隔提和臺座的情況相比,能夠削減工序數量。通過涂布法形成配置在有機EL元件31的電極間的層(在本實施方式中為空穴注入層39和發(fā)光層38)時,涂布液被供給到由隔提32區(qū)分出的規(guī)定的區(qū)域(圖像區(qū)域)40內。隔提32作為將所供給的涂布液保持在像素區(qū)域40內的隔壁發(fā)揮功能。為了將涂布液確實地保持在像素區(qū)域40內,還優(yōu)選的是,隔提32對于涂布液示出疏液性。作為對隔提32 附加疏液性的方法,例如可列舉的方法是,實施使有機物疏液化的CF4等離子體處理。實施 CF4等離子體處理時,與隔提32同樣,也向臺座34賦予疏液性。(空穴注入層的形成方法)空穴注入層39,通過涂布法、真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等形成。作為涂布法, 能夠列舉旋涂法、鑄涂法、微凹印涂布法、凹印涂布法,刮棒涂布法、輥涂法,線棒涂布法,浸漬涂布法,噴涂法,絲網印刷法,柔版印刷法,膠版印刷法,噴墨印刷法等。具體來說,將含有構成前述的空穴注入層的材料的涂布液,涂布在陽極36的表面上,再使之干燥,由此能夠得到空穴注入層39。因為隔提32和臺座34對于涂布液顯示出疏液性,所以涂布液從隔提 32和臺座34彈開。因此在隔提32和臺座34上不會涂布上涂布液,結果是在隔提32和臺座34上不會形成空穴注入層39 (參照圖1)。(發(fā)光層的形成方法)發(fā)光層38能夠以前述的空穴注入層39同樣的方式形成。(陰極的形成方法)陰極37能夠通過例如直空蒸鍍法,濺射法和疊層法等形成。在本實施方式中,從基板主體35的厚度方向的一側,以覆蓋基板主體35的一側的表面的方式,在一面層疊陰極 37的材料。因此,在隔提32的表面也形成有導電膜,但因為隔提32是倒錐形,所以隔提32 上的導電膜和陰極37如圖1所示會被切斷而被電絕緣。因此,各有機EL元件31的陰極 37彼此被隔提32絕緣。另一方面,在形成陰極37時,作為第一連接電極33發(fā)揮功能的導電極也被形成在臺座34上,但因為臺座34是正錐形,所以在其側面也形成有導電極,第一連接電極33與陰極37連續(xù)而被一體地形成。由此,第一連接電極33和陰極37被電連接。 通過如此形成陰極37,有機EL元件31被形成,能夠制作顯示裝置用基板30。(貼合工序)接著,使驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30貼合。貼合例如通過如下方式進行在驅動裝置用基板20或顯示裝置用基板30的表面的周邊部配置粘貼材,再按照使顯示裝置用基板30的臺座34與驅動裝置用基板20的第二連接電極M重合的方式,使驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30對向,使驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30壓接,其后根據需要使粘貼材硬化。作為粘貼材,能夠使用光敏樹脂、熱硬化性樹脂和含有低熔點玻璃粉末的玻璃料等。作為粘貼材使用光敏樹脂時,通過在壓接后進行光照射就能夠使兩基板粘貼;作為粘貼材使用熱硬化性樹脂時,在壓接后進行加熱,能夠使兩基板粘貼;使用玻璃料時,例如通過照射激光等而使玻璃熔融,其后冷卻,由此能夠使兩基板粘貼,并且由于與樹脂相比,玻璃阻氣性高,所以為了將驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30之間的空間密封地封裝,作為粘貼材優(yōu)選使用玻璃料。驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30的壓接,優(yōu)選在真空氣氛或氮氣氛中進行。若在真空氣氛或氮氣氛中進行壓接,則由驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30和封裝材所包圍的空間成為真空氣氛或氮氣氛,因此能夠抑制驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30上所形成的元件劣化。另外,例如若在真空氣氛中壓接驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30,則壓接后有來自大氣壓壓力施加,而使第一連接電極33和第二連接電極M的連接更加確實,因此優(yōu)選在真空氣氛中進行壓接。在氮氣氛中壓接時,優(yōu)選在驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30接近的方向上施加壓力,且在該狀態(tài)下使粘貼材硬化, 由此能夠更確實地進行第一連接電極33和第二連接電極M的連接。也可以不使用粘貼材,而使用夾持驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30的夾具等夾持體來壓接驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30。在本實施方式中,因為隔提32和臺座34高度相同,所以在壓接驅動裝置用基板20 和顯示裝置用基板30時,不僅在臺座34上所形成的第一連接電極33與驅動用基板20抵接,并且在隔提32上所形成的導電膜41也與驅動用基板20抵接,這樣的情況存在。但是在隔提32上所形成的導電膜41與陰極37電絕緣,另外在隔提32上所形成的導電膜41抵接的部位形成有絕緣膜22,因此,盡管在隔提32上所形成的導電膜41與驅動用基板20抵接,也不會對顯示面板1的電氣的構成造成影響。為了降低第一連接電極33和第二連接電極M的接觸電阻,優(yōu)選第一連接電極33 和第二連接電極M在承受規(guī)定的壓力的狀態(tài)下接觸,優(yōu)選在臺座縮短規(guī)定的高度這一程度的壓力下,壓接驅動裝置用基板20和顯示裝置用基板30。將如此制作的顯示面板1與揚聲器、調諧器、驅動器等一起封裝在框體,由此能夠制作顯示裝置。以上,對于從基板主體側按順序層疊有陽極、空穴注入層、發(fā)光層、陰極的結構的有機EL元件進行了說明,但如前述,有機EL元件的層結構不限于此,有機EL元件也可以是頂發(fā)射型或底發(fā)射型,以下,展示關于可適用于本發(fā)明的有機EL元件的層結構和各層的一例。作為設于陰極和發(fā)光層之間的層,能夠列舉電子注入層,電子傳輸層,空穴阻擋層等。在陰和發(fā)光層之間只設有一層時,該層稱為電子注入層。另外,在陰極和發(fā)光層之間設有電子注入層和電子傳輸層兩個層時,與陰極接觸的層稱為電子注入層,該電子注入層以外的層稱為電子傳輸層。電子注入層是具有改善來自陰極的電子注入效率這一功能的層。電子傳輸層是具有改善來自陰極、電子注入層或比陰極近的電子傳輸層的電子注入這一功能的層。空穴阻擋層是具有攔阻空穴的傳輸這一功能的層。電子注入層和/或電子傳輸層具有攔阻空穴的傳輸這一功能時,這些層兼任空穴阻擋層??昭ㄗ钃鯇泳哂袛r阻空穴的傳輸的功能,例如可以制作只流通霍爾電流的元件, 根據該電流值的減少確認攔阻的效果。作為設于陽極和發(fā)光層之間的層,能夠列舉空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層等。在陽極和發(fā)光層之間設有空穴注入層和空穴傳輸層兩個層時,與陽極接觸的層稱為空穴注入層,該空穴注入層以外的層稱為空穴傳輸層??昭ㄗ⑷雽邮蔷哂懈纳苼碜躁枠O的空穴注入效率這一功能的層??昭▊鬏攲邮蔷哂懈纳苼碜躁枠O、空穴注入層或比陽極近的空穴傳輸層的空穴注入這一功能的層。電子阻擋層是具有攔阻電子的傳輸這一功能的層??昭ㄗ⑷雽雍?或空穴傳輸層具有攔阻電子的傳輸這一功能時,這些層兼任電子阻擋層。電子阻擋層具有攔阻電子的傳輸的功能,例如可以制作只流通電子流的元件,根據該電流值的減少確認攔阻的效果。 有將電子注入層和空穴注入層統(tǒng)稱為電荷注入層的情況,有將電子傳輸層和空穴傳輸層統(tǒng)稱為電荷傳輸層的情況。以下表示有機EL元件所采取的層結構的一例。
a)陽極/ζ發(fā)光層/陰極
b)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/‘陰極
C)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/丨電子注入層/陰極
e)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/丨電子傳輸層/陰極
f)陽極/丨空穴注入層/發(fā)光層/1電子傳輸層/電子注入層/陰極
d)陽極/丨空穴傳輸層/發(fā)光層/‘陰極
e)陽極/1空穴傳輸層/發(fā)光層/丨電子注入層/陰極
f)陽極/1空穴傳輸層/發(fā)光層/丨電子傳輸層/陰極
g)陽極/1空穴傳輸層/發(fā)光層/丨電子傳輸層/電子注入層/陰極
h)陽極/1空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/陰極
i)陽極/丨空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子注入層/陰極
j)陽極/丨空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/陰極
k)陽極/‘空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極
1)陽極/丨發(fā)光層/電子注入層/‘陰極
m)陽極/丨發(fā)光層/電子傳輸層/‘陰極
η)陽極/1發(fā)光層/電子傳輸層/1電子注入層/陰極
(在此,符號“/”表示夾著符號“7”的各層相鄰接地層疊。_下同。)
本實施方式的有機EL元件,也可以具有兩層以上的發(fā)光層,在上述a) η)的層
結構之中的任意一種中,若設被陽極和陽極夾持的層疊體為“重復單位A”,則作為具有兩層發(fā)光層的有機EL元件能夠列舉以下的ο)所示的層結構。ο)陽極/(重復單位A)/電荷發(fā)生層/(重復單位A)/陰極另外,若設“(重復單位A)/電荷發(fā)生層”為“重復單位B”,則作為具有三層以上的發(fā)光層的有機EL元件,能夠列舉以下的ρ)所示的層結構。ρ)陽極/(重復單位B) χ/(重復單位A)/陰極符號“X”表示2以上的整數,(重復單位B) χ表示重復單位B被疊層χ段的層疊體。所謂電荷發(fā)生層,就是通過外加電場,而使空穴和電子發(fā)生的層。作為電荷發(fā)生層,例如能夠列舉由氧化釩、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide 簡稱ITO)、氧化鉬等構成的薄膜。在前述的實施方式中,相對于陰極將陽極配置在基板主體35側,但層結構也可以顛倒順序,相對于陽極將陰極配置在基板主體35側。另外在前述的實施方式中,說明的是通過涂布法形成設于電極間的層(空穴注入層和發(fā)光層)的方法,但是例如也可以通過蒸鍍等,形成由低分子的有機物或無機物構成的薄膜。這時,還要考慮在臺座34上也會形成空穴注入層和發(fā)光層等,但這些層與前述的陰極37同樣被隔提32分離,因此不會對各有機EL元件的驅動造成影響。
另外在前述的實施方式中,形成的是沿著從基板主體35遠離的方向反向漸縮的倒錐形的隔提32,但在其他的實施方式中,也可以使隔提和臺座雙方,都形成為沿著從基板主體35遠離的方向漸縮的正錐形,如此使隔提形成為正錐形時,若在一面形成陰極37,則各有機EL元件31的陰極接通,因此只要不是在一面形成陰極,而是例如通過使用規(guī)定的掩模,除去隔提的表面而選擇性地將陰極37形成在各有機EL元件31上即可。使隔提和臺座雙方都形成為沿著從基板主體35遠離的方向漸縮的正錐形時,則不需要如前述的實施方式那樣將曝光工序分成兩次,進行一次曝光工序即可。產業(yè)上的可利用性根據本發(fā)明,設置高度相同的隔提和臺座。雖然以同一工序形成構造不同的構件存在困難,構造差異越大,其困難程度越大,但在本發(fā)明中,通過使隔提和臺座的高度一致, 能夠減少構造的差異,因此容易以同一工序形成隔提和臺座。如此,通過使隔提和臺座的高度一致,能夠實現以簡單的工序能夠制作的這種結構的顯示裝置用基板。
權利要求
1.一種顯示裝置用基板,被貼合在設有驅動多個有機電致發(fā)光元件的驅動電路的驅動用基板上,其中,所述顯示裝置用基板具有 基板主體;多個有機電致發(fā)光元件,其設置在該基板主體上; 隔提,其在所述基板主體上將所述多個有機EL元件分別劃分開; 突起狀的臺座,其設置在所述基板主體上;第一連接電極,其以從所述有機電致發(fā)光元件延伸到所述臺座上的方式配置, 并且,所述臺座被配置在在與所述驅動用基板貼合的狀態(tài)下該臺座上所配置的第一連接電極與所述驅動電路具有的第二電極相連接的位置, 所述隔提和所述臺座的高度相同。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置用基板,其中,所述臺座是沿著從所述基板主體遠離的方向漸縮的正錐形, 所述隔提是沿著從所述基板主體遠離的方向反向漸縮的倒錐形。
3.—種顯示面板,其中,含有權利要求1或2所述的顯示裝置用基板;驅動用基板,其配置有對在該顯示裝置用基板上所設置的多個有機電致發(fā)光元件進行驅動的驅動電路,按照使所述第一連接電極與所述驅動電路具有的第二連接電極相連接的方式,使所述顯示裝置用基板和驅動用基板貼合。
4.一種顯示裝置,其具有權利要求3所述的顯示面板。
5.一種顯示裝置用基板的制造方法,該顯示裝置用基板被貼合在設有驅動多個有機電致發(fā)光元件的驅動電路的驅動用基板上,其中,所述顯示裝置用基板的制造方法包括如下工序隔提和臺座形成工序,在基板主體上形成隔提和突起狀的臺座,所述隔提在基板主體上將所述多個有機電致發(fā)光元件分別劃分開;將多個有機電致發(fā)光元件在所述基板主體上形成的工序;形成第一連接電極的工序,該第一連接電極從所述有機電致發(fā)光元件延伸到所述臺座上,并且,在隔提和臺座形成工序中,在與所述驅動用基板貼合的狀態(tài)下,在該臺座上所配置的第一電極與所述驅動電路具有的第二連接電極相連接的位置,形成臺座;并且形成高度與所述臺座相同的隔提,且這些隔提和臺座通過一次光蝕刻形成。
6.根據權利要求5所示的顯示裝置用基板的制造方法,其中,在所述隔提和臺座形成工序中,將臺座形成為沿著從所述基板主體遠離的方向漸縮的正錐形;并且將隔提形成為沿著從所述基板主體遠離的方向反向漸縮的倒錐形。
7.根據權利要求6所示的顯示裝置用基板的制造方法,其中,所述一次光蝕刻包括如下工序成膜工序,在所述基板主體上涂布負型光敏樹脂組成物且使之成膜;曝光工序,在由該成膜工序成膜的薄膜中,對形成所述隔提的部分和形成所述臺座的部位進行光照射;和顯影工序,在所述曝光工序,與形成所述隔提的部位相比,對形成所述臺座的部位照射更多的光。
全文摘要
一種被貼合在設有驅動多個有機電致發(fā)光元件的驅動電路的驅動用基板上的顯示裝置用基板,具有基板主體;在該基板主體上所設置的多個有機電致發(fā)光元件;隔堤,其在所述基板主體上將所述多個有機EL元件分別劃分開;突起狀的臺座,其設置在所述基板主體上;第一連接電極,其以從所述有機電致發(fā)光元件延伸到所述臺座上的方式配置,并且,所述臺座被配置在在與所述驅動用基板貼合的狀態(tài)下該臺座上所配置的第一連接電極與所述驅動電路具有的第二電極相連接的位置,且所述隔堤和所述臺座的高度相同。
文檔編號G09F9/30GK102301501SQ20108000635
公開日2011年12月28日 申請日期2010年2月2日 優(yōu)先權日2009年2月4日
發(fā)明者栗原直, 梶谷優(yōu), 西岡幸也 申請人:住友化學株式會社
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