專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，尤其涉及具有可以修正的像素結(jié)構(gòu)的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為使用了電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件的圖像顯示裝置，已知使用了有機(jī)電致發(fā)光元件(以下，記為有機(jī)EL元件)的有機(jī)EL顯示器。該有機(jī)EL顯示器因?yàn)榫哂幸暯翘匦詢?yōu)良、功耗低的優(yōu)點(diǎn)，所以作為下一代的FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)候選而受到關(guān)注。通常，構(gòu)成像素的有機(jī)EL元件配置為矩陣狀。例如，在有源矩陣型的有機(jī) EL顯示器中，在多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)處設(shè)置薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)，在該TFT上連接保持電容元件(電容器)及驅(qū)動(dòng)晶體管的柵。而且，通過所選擇的掃描線使該TFT導(dǎo)通，將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)輸入至驅(qū)動(dòng)晶體管及保持電容元件， 并通過該驅(qū)動(dòng)晶體管及保持電容元件對(duì)有機(jī)EL元件的發(fā)光定時(shí)進(jìn)行控制。通過該像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)，在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器中，因?yàn)榭梢允褂袡C(jī)EL元件發(fā)光至下次掃描 (選擇)，所以即使占空比提高也不會(huì)引起顯示器的輝度降低。但是，在如以有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器為代表地，發(fā)光像素的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)變得越復(fù)雜、此外發(fā)光像素?cái)?shù)越增加， 越需要精細(xì)加工的制造工序中，會(huì)產(chǎn)生電路元件和/或布線的短路和/或開路的電不良狀況。尤其是，在有機(jī)EL面板中，構(gòu)成像素驅(qū)動(dòng)電路的保持電容元件的元件面積相對(duì)寬闊。因而，該保持電容元件，容易受存在于電極間的微粒等的影響，由于發(fā)生短路不良而成為使像素不良率升高的主要原因。另一方面，有人提出在像素驅(qū)動(dòng)電路元件和/或布線的形成之后，對(duì)發(fā)生了不良狀況的發(fā)光像素進(jìn)行修正的方法。在專利文獻(xiàn)1中，為了對(duì)由于電路元件的短路等始終成為發(fā)光狀態(tài)而輝點(diǎn)化的不良發(fā)光像素進(jìn)行修正，在全部發(fā)光像素區(qū)域，設(shè)置與其他導(dǎo)電部及布線分離而連接的非重疊部。關(guān)于不良發(fā)光像素，通過對(duì)該非重疊部照射激光，而切斷該非重疊部。由此，不良像素被切斷電信號(hào)的傳輸，而且，不會(huì)受到由激光照射引起的損傷而滅點(diǎn)化。此外，在專利文獻(xiàn)2中，形成于各發(fā)光像素的發(fā)光區(qū)域的像素電極采取多個(gè)單元連接起來的結(jié)構(gòu)，通過將其連接位置的一部分用激光切斷，僅將不良的發(fā)光單元電絕緣而滅點(diǎn)化。專利文獻(xiàn)1 特開2008-203636號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2007-66904號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
要達(dá)到由發(fā)光像素?cái)?shù)的增加引起的像素電路的高密度化以應(yīng)對(duì)顯示面板的高精細(xì)化，尤其需要在對(duì)面積比例高的保持電容元件的布局設(shè)計(jì)下功夫。對(duì)此，使保持電容元件共用作為原本功能的電容保持功能和對(duì)各電路元件進(jìn)行連接的電路布線功能成為有效的方法。但是，對(duì)于作為像素不良率的主要原因的保持電容元件的短路，在使保持電容元件共有電容保持功能和電路布線功能并且通過專利文獻(xiàn)2所記載的結(jié)構(gòu)對(duì)電流泄漏位置用激光等進(jìn)行修正的情況下，根據(jù)短路發(fā)生位置而切斷電路布線，消除電路布線功能。其結(jié)果，雖然可以將不良發(fā)光像素滅點(diǎn)化，但是無法恢復(fù)作為正常發(fā)光像素的功能。此外，在專利文獻(xiàn)1所記載的結(jié)構(gòu)及方法中，雖然可以使保持電容元件與其他電路元件電絕緣化而無功能化，但是在為了達(dá)到由發(fā)光像素?cái)?shù)的增加引起的像素電路的高密度化而設(shè)計(jì)保持電容元件的布局時(shí)，在將保持電容元件的全部設(shè)為與導(dǎo)電部及布線分離而連接的非重疊部方面存在局限。不論在上述的哪一以往技術(shù)中，都為即使可以使不良發(fā)光像素滅點(diǎn)化或者使發(fā)光元件以與其他正常發(fā)光像素不同的發(fā)光定時(shí)發(fā)光，也無法通過使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光而使發(fā)光面板的顯示質(zhì)量提高。本發(fā)明是鑒于上述的問題而提出的，其目的在于提供一種即使像素電路高密度化也可以使具有短路不良的保持電容元件的不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光的顯示裝置及其制造方法。為了解決上述的問題，本發(fā)明的顯示裝置二維狀地排列有多個(gè)顯示像素，該多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和對(duì)該顯示元件層進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容元件，該平行平板型的電容元件具有配置成在層疊方向?qū)ο虻纳蟼?cè)電極層及下側(cè)電極層；所述上側(cè)電極層具備將第一電路元件與第二電路元件相連接的第一上側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第一可以切斷部與該第一上側(cè)電容電極部相連接的第二上側(cè)電容電極部；所述下側(cè)電極層具備將第三電路元件與第四電路元件相連接的第一下側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第二可以切斷部與該第一下側(cè)電容電極部相連接的第二下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間及所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，對(duì)于共用電路布線和電容元件的2個(gè)相對(duì)電極層，分別通過以預(yù)定的配置設(shè)置可以切斷的電極部，即使對(duì)短路不良位置進(jìn)行修復(fù)切斷也可以維持作為電路布線的導(dǎo)通功能，且確保電容保持功能。因而，即使像素電路高密度化，也可以使具有短路不良的保持電容元件的不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光，可以使發(fā)光面板的顯示質(zhì)量提高。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。圖3A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的顯示裝置所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。圖3B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的顯示裝置所具有的保持電容元件的電極構(gòu)成的立體圖。
圖4A是本發(fā)明的實(shí)施方式1的保持電容元件的等價(jià)電路圖。圖4B是表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的保持電容元件照射激光而切斷預(yù)定的電極塊層的狀況的圖。圖5A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第1變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。圖5B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第1變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第2變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。圖6B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第2變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖7A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第3變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。圖7B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第3變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置的制造方法的工作流程圖。圖9A是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第1布局圖。圖9B是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第2布局圖。圖9C是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第1布局圖。圖IOA是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第3布局圖。圖IOB是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第2布局圖。圖IlA是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第3布局圖。圖IlB是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第4布局圖。圖IlC是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第5布局圖。圖12是內(nèi)置有本發(fā)明的圖像顯示裝置的薄型平板TV的外觀圖。符號(hào)說明1顯示裝置
10顯示面板
11發(fā)光像素
IlA驅(qū)動(dòng)電路層
IlB顯示元件層
12信號(hào)線
13掃描線
14掃描線驅(qū)動(dòng)電路
15信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路
16電源線
20控制電路
21開關(guān)晶體管
22驅(qū)動(dòng)晶體管
23、23A、23B、23C、23D 保持電容元件24 有機(jī)EL元件31、32、33、34、35、36、37、38、39、40、300、303、306 電路布線51、52、53、54 短路231、233、235、237 上側(cè)電極層231a、231b、233a、233b、235a、235b、235c、235d、237a、237b 上側(cè)電容電極部231s、232s、233s、234sl、234s2、235sl、235s2、235s3、235s4、236s、237s、238sl、 238s2、301sl、301s2、302s、304s、305s 可以切斷部232、234、236、238 下側(cè)電極層232a、232b、234a、234b、234c、236a、236b、238a、238b、238c 下側(cè)電容電極部
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一種方式的顯示裝置，二維狀地排列有多個(gè)顯示像素，該多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和對(duì)該顯示元件層進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容元件，該平行平板型的電容元件具有配置成在層疊方向?qū)ο虻纳蟼?cè)電極層及下側(cè)電極層；所述上側(cè)電極層具備將第一電路元件與第二電路元件相連接的第一上側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第一可以切斷部與該第一上側(cè)電容電極部相連接的第二上側(cè)電容電極部；所述下側(cè)電極層具備將第三電路元件與第四電路元件相連接的第一下側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第二可以切斷部與該第一下側(cè)電容電極部相連接的第二下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間及所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。為了實(shí)現(xiàn)像素電路的高密度化，以往，將像素電路內(nèi)的電容元件的單側(cè)電極作為電路布線的一部分而共用。但是，由于為了確保像素功能而必須維持作為電路布線的導(dǎo)通特性，所以在以往的結(jié)構(gòu)中，在電容元件的修復(fù)時(shí)，即使在共用電路布線的電極存在短路缺陷等，也沒法將該不良電極從電路切斷。也就是說，對(duì)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分存在限制。在本發(fā)明中，即使是電路布線共用一部分電容元件的結(jié)構(gòu)，也因?yàn)椴扇?duì)在修復(fù)時(shí)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分沒有限制的結(jié)構(gòu)，所以在修復(fù)后也可始終維持電路布線的特性。例如，當(dāng)存在在第一上側(cè)電容電極部與第二下側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第二可以切斷部。由此，維持第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。此外，當(dāng)存在在第一下側(cè)電容電極部與第二上側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第一可以切斷部。由此，維持第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、 將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，也可以進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備經(jīng)由第三可以切斷部與所述第一上側(cè)電容電極部相連接的第三上側(cè)電容電極部；和/或所述下側(cè)電極層具備經(jīng)由第四可以切斷部與所述第一下側(cè)電容電極部相連接的第三下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第三上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/ 或所述第三下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。根據(jù)本方式，當(dāng)在電容元件發(fā)生了短路不良的情況下，與電容元件的單側(cè)電極被分割為2個(gè)電極部的情況相比較，通過切離所分割的3個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的電容元件所具有的靜電電容相對(duì)于正常像素的電容元件的靜電電容的減少量。例如，當(dāng)存在在第一上側(cè)電容電極部與第三下側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第四可以切斷部。由此，維持第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與所述第三上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。此外，當(dāng)存在在第一下側(cè)電容電極部與第三上側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第三可以切斷部。由此，維持第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與所述第三下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，也可以進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備分別經(jīng)由第五可以切斷部及第六可以切斷部與所述第二上側(cè)電容電極部及所述第三上側(cè)電容電極部相連接的第四上側(cè)電容電極部，和/或所述下側(cè)電極層具備分別經(jīng)由第七可以切斷部及第八可以切斷部與所述第二下側(cè)電容電極部及所述第三下側(cè)電容電極部相連接的第四下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第四上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/或所述第四下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。根據(jù)本方式，當(dāng)在電容元件發(fā)生了短路不良的情況下，與電容元件的單側(cè)電極被分割為3個(gè)電極部的情況相比較，通過切離所分割的4個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的電容元件所具有的靜電電容相對(duì)于不需要修復(fù)的電容元件所具有的靜電電容的減少量。例如，當(dāng)存在在第一上側(cè)電容電極部與第四下側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第七及第八可以切斷部。由此，維持第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與所述第三上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與所述第四上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與第三下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。此外，當(dāng)存在在第一下側(cè)電容電極部與第四上側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第五及第六可以切斷部。由此，維持第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與所述第三下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與所述第四下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與第三上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，也可以進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備經(jīng)由第三可以切斷部與所述第二上側(cè)電容電極部相連接的第三上側(cè)電容電極部，和/或所述下側(cè)電極層具備經(jīng)由第四可以切斷部與所述第二下側(cè)電容電極部相連接的第三下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第三上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/ 或所述第三下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。根據(jù)本方式，當(dāng)在電容元件發(fā)生了短路不良的情況下，與電容元件的單側(cè)電極被分割為2個(gè)電極部的情況相比較，通過切離所分割的3個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的電容元件所具有的靜電電容相對(duì)于不需要修復(fù)的電容元件所具有的靜電電容的減少量。例如，當(dāng)存在在第一上側(cè)電容電極部與第三下側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第四可以切斷部。由此，維持第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與所述第三上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。此外，當(dāng)存在在第一下側(cè)電容電極部與第三上側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的像素的情況下，切斷第三可以切斷部。由此，維持第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一上側(cè)電容電極部與所述第三下側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、第一下側(cè)電容電極部與第二上側(cè)電容電極部之間的靜電電容保持功能、將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能及將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。此外，在本發(fā)明的一方式的顯示裝置中，優(yōu)選所述可以切斷部具有通過激光照射能夠切斷的形狀。由此，可以通過對(duì)適合的可以切斷部進(jìn)行激光照射而切斷該可以切斷部，將發(fā)生電極間短路的電極部從電容元件切除。因而，電容元件可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，優(yōu)選所述上側(cè)電極層所具有的可以切斷部，形成于除了所述下側(cè)電極層所具有的電極部及可以切斷部在層疊方向所投影的區(qū)域之外的區(qū)域；所述下側(cè)電極層所具有的可以切斷部，形成于除了所述上側(cè)電極層所具有的
9電極部及可以切斷部在層疊方向所投影的區(qū)域之外的區(qū)域。根據(jù)本方式，在將被進(jìn)行激光照射的可以切斷部所存在的區(qū)域投影于層疊方向而得到的區(qū)域、也就是說在2片電極層的另一層的平面內(nèi)與被進(jìn)行激光照射的可以切斷部對(duì)向的區(qū)域，不形成其他的可以切斷部及電極部。因而，可以避免由于向可以切斷部的激光照射而使構(gòu)成電容元件的區(qū)域損傷的情況。因而，所述電容元件雖然靜電電容減少所切除的電極部的面積比的量，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。因而，顯示裝置的顯示質(zhì)量得到提高。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，所述多個(gè)顯示像素也可以具備所述第一電路元件、所述第二電路元件、所述第三電路元件及所述第四電路元件；所述第一電路元件、所述第二電路元件、所述第三電路元件及所述第四電路元件也可以分別是驅(qū)動(dòng)元件、開關(guān)元件、電容元件、發(fā)光元件、掃描線、控制線及電源線中的任意一種。根據(jù)本方式，電容元件作為構(gòu)成所述電路元件的導(dǎo)通路徑的電路布線而起作用。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，所述電容元件也可以是保持電容元件， 其將與按每一所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓作為保持電壓而進(jìn)行保持；所述驅(qū)動(dòng)電路層也可以具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵與所述電容元件的一個(gè)端子相連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管通過所述保持電壓施加于柵而將所述保持電壓變換為作為源漏間電流的信號(hào)電流；所述顯示元件層也可以具備通過所述信號(hào)電流的流動(dòng)而發(fā)光的發(fā)光元件。根據(jù)本方式，能夠應(yīng)用于可以對(duì)施加信號(hào)電壓的定時(shí)與發(fā)光定時(shí)獨(dú)立地進(jìn)行控制的有源矩陣型的顯示裝置。此外，在本發(fā)明的一種方式的顯示裝置中，所述發(fā)光元件也可以是有機(jī)EL元件。根據(jù)本方式，可以應(yīng)用于發(fā)光元件具有電流驅(qū)動(dòng)型的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示
直ο此外，本發(fā)明不僅可以作為具備這樣的特征性手段的顯示裝置而實(shí)現(xiàn)，而且也可以作為以包含于顯示裝置的特征性手段為步驟的顯示裝置的制造方法而實(shí)現(xiàn)。以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式參照附圖進(jìn)行說明。另外，在以下的實(shí)施方式及各附圖中，對(duì)相同的構(gòu)成要素附加相同的標(biāo)號(hào)并進(jìn)行說明。此外，雖然在以下，以包括頂面發(fā)光方式的以陽極為底面、此外以陰極為頂面的有機(jī)EL元件的顯示裝置為例進(jìn)行說明，但是并不限于此。(實(shí)施方式1)本實(shí)施方式的顯示裝置，二維狀地排列有多個(gè)顯示像素，該多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和對(duì)該顯示元件層進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路層。驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容元件，該平行平板型的電容元件具有配置成在層疊方向?qū)ο虻纳蟼?cè)電極層及下側(cè)電極層。 所述上側(cè)電極層具備具有將第一電路元件與第二電路元件相連接的電路布線功能的第一上側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第一可以切斷部與該第一上側(cè)電容電極部相連接的第二上側(cè)電容電極部。所述下側(cè)電極層具備具有將第三電路元件與第四電路元件相連接的電路布線功能的第一下側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第二可以切斷部與該第一下側(cè)電容電極部相連接的第二下側(cè)電容電極部。所述電容元件在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間及所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間，分別可以保持預(yù)定的靜電電容。由此，無論在所述電容元件的哪一部位發(fā)生短路不良，都可以進(jìn)行修復(fù)，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高
密度化。以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式1，參照附圖進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。該圖中的顯示裝置1具備顯示面板10和控制電路20。顯示面板10具備多個(gè)發(fā)光像素11、按每發(fā)光像素列而配置的多條信號(hào)線12、按每發(fā)光像素行而配置的多條掃描線13、掃描線驅(qū)動(dòng)電路14和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15。發(fā)光像素11是在顯示面板10上配置為矩陣狀的顯示像素。掃描線驅(qū)動(dòng)電路14通過向各掃描線13輸出掃描信號(hào)，對(duì)發(fā)光像素所具有的電路元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15通過向信號(hào)線12輸出信號(hào)電壓及基準(zhǔn)電壓，實(shí)現(xiàn)與輝度信號(hào)對(duì)應(yīng)的發(fā)光像素的發(fā)光?？刂齐娐?0對(duì)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路14輸出的掃描信號(hào)的輸出定時(shí)進(jìn)行控制。此外， 控制電路20對(duì)輸出從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15輸出的信號(hào)電壓的定時(shí)進(jìn)行控制。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。該圖所記載的發(fā)光像素11由驅(qū)動(dòng)電路層IlA及顯示元件層IlB構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)電路層IlA例如具備開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22和保持電容元件23。而且，開關(guān)晶體管21的漏電極連接于信號(hào)線12， 開關(guān)晶體管21的柵電極連接于掃描線13，進(jìn)而，開關(guān)晶體管21的源電極連接于保持電容元件23及驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏電極連接于電源線16，源電極連接于顯示元件層IlB的陽極。在該結(jié)構(gòu)中，若對(duì)掃描線13輸入掃描信號(hào)、使開關(guān)晶體管21成為導(dǎo)通狀態(tài)，則經(jīng)由信號(hào)線12供給的信號(hào)電壓寫入于保持電容元件23。然后，寫入于保持電容元件23的保持電壓在整1幀期間得到保持，通過該保持電壓，驅(qū)動(dòng)晶體管22的電導(dǎo)模擬性地發(fā)生變化， 與發(fā)光灰度對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流被供給于顯示元件層IlB的陽極。進(jìn)而，供給于顯示元件層IlB 的陽極的驅(qū)動(dòng)電流，向顯示元件層IlB的有機(jī)EL元件24及陰極流動(dòng)。由此，顯示元件層 IlB的有機(jī)EL元件24進(jìn)行發(fā)光并作為圖像而顯示。另外，驅(qū)動(dòng)電路層IlA并非限定于所述的電路結(jié)構(gòu)。也就是說，雖然開關(guān)晶體管 21、驅(qū)動(dòng)晶體管22及保持電容元件23是使與信號(hào)電壓的電壓值相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流流至顯示元件層IlB所需的電路構(gòu)成要素，但是并不限定于所述的方式。此外，對(duì)所述的電路構(gòu)成要素附加其他電路構(gòu)成要素的情況，也包含于本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路層IlA0驅(qū)動(dòng)電路層IlA與顯示元件層IlB例如層疊于玻璃基板上，多個(gè)顯示像素排列為二維狀。顯示裝置1是頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況，也就是若對(duì)顯示元件層IlB施加電壓，則由有機(jī)EL元件24發(fā)光，光通過透明陰極及封裝膜而向上方出射。此外，由有機(jī)EL元件24發(fā)出的光之中朝向下方的光由陽極反射，光通過透明陰極及封裝膜而向上方出射。接下來，關(guān)于作為本發(fā)明的主要構(gòu)成要件的保持電容元件23的結(jié)構(gòu)及功能進(jìn)行說明。驅(qū)動(dòng)電路層IlA具備平行平板型的保持電容元件23，該平行平板型的保持電容元件 23具有配置成在層疊方向?qū)ο虻纳蟼?cè)電極層及下側(cè)電極層。圖3A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的顯示裝置所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。此外，圖3B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的顯示裝置所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖3A及圖:3B所記載的保持電容元件23A是圖2所記載的保持電容元件23的一例，由上側(cè)電極層231、下側(cè)電極層232和形成于它們之間的絕緣層(未圖示) 構(gòu)成。上側(cè)電極層231在同一面內(nèi)具有上側(cè)電容電極部231a及231b和可以切斷部 231s。第一上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部231a與第二上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部231b經(jīng)由第一可以切斷部、即可以切斷部231s相連接。此外，下側(cè)電極層232在同一面內(nèi)具有下側(cè)電容電極部23 及232b和可以切斷部23k。第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部23 與第二下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部232b經(jīng)由第二可以切斷部、 即可以切斷部23 相連接。上側(cè)電容電極部231b不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第一電路元件、即電路元件1與第二電路元件、即電路元件2相連接的電路布線而起作用。此外，下側(cè)電容電極部23 不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第三電路元件、即電路元件 3與第四電路元件、即電路元件4相連接的電路布線而起作用。若將所述的電路元件1 電路元件4與圖2所記載的電路圖相對(duì)應(yīng)，則電路元件3是開關(guān)晶體管21 (的源電極)，電路元件4是驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)，電路元件1是電源線16，電路元件2是驅(qū)動(dòng)晶體管 22(的漏電極)。作為上側(cè)電極層231及下側(cè)電極層232的材料，例如為鉬(Mo)與鎢(W)的合金、 或Mo與W的合金/鋁(Al) /Mo與W的合金的層疊結(jié)構(gòu)，膜厚例如為150nm。在此，所謂可以切斷部，是具有通過切斷該可以切斷部而使由該可以切斷部電連接的2個(gè)電容電極部成為非導(dǎo)通狀態(tài)的功能的部分。從而，可以切斷部231s及23 的平面形狀例如為線寬4 μ m、長(zhǎng)度4 μ m，具有通過激光照射可以切斷的形狀。在此，通過對(duì)可以切斷部231s及23 的一部分照射激光可以切斷的形狀，與所使用的激光器的規(guī)格有密切的關(guān)系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)激光器為光源的激光振蕩器、使用例如以波長(zhǎng)532nm、脈沖寬度10ns、功率0. 5mW為輸出參數(shù)的激光器的情況下， 只要可以切斷部231s及23 的形狀是所述的形狀，便不會(huì)損傷其他正常的電極塊而切斷可以切斷部231s及23k。由此，可以通過對(duì)適合的可以切斷部進(jìn)行激光照射而切斷該可以切斷部，將發(fā)生電極間短路的電極部從保持電容元件切除。此外，上側(cè)電極層231所具有的可以切斷部231s形成于除了下側(cè)電極層232所具有的下側(cè)電容電極部23h、232b及可以切斷部23 在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。 同樣地，下側(cè)電極層232所具有的可以切斷部23 形成于除了上側(cè)電極層所具有的上側(cè)電容電極部231a、231b及可以切斷部231s在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。由此，可以避免由于向可以切斷部231s或23 的激光照射而使構(gòu)成電容元件的上側(cè)電容電極部、下側(cè)電容電極部及未切斷的一方的可以切斷部損傷的情況。因而，保持電容元件23A雖然靜電電容減少所切除的電極部的面積比的量，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。作為形成于上側(cè)電極層231與下側(cè)電極層232之間的絕緣層，例如可舉出氧化硅膜(SiOx)或氮化硅膜(SiN)等。此外，絕緣層的膜厚例如為150nm。另外，為了確保預(yù)期的靜電電容，絕緣層也可以為電介質(zhì)材料。通過所述結(jié)構(gòu)，正常像素所具有的保持電容元件23A如圖3A所示，在上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間及下側(cè)電容電極部232a與上側(cè)電容電極部231a之間，可以分別保持預(yù)定的靜電電容Clb及Cla。進(jìn)而，在圖3A及圖3B，示出發(fā)光像素11所具有的保持電容元件23A在上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間的絕緣層遍及上下電容電極部不均分布有導(dǎo)電性微粒、上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b發(fā)生短路51的例子。由此，通過施加于上側(cè)電極層231與下側(cè)電極層232之間的電壓而應(yīng)該蓄積于保持電容元件23A的電荷，由于所述短路51而未被保持。在該情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件 23A照射激光而切斷可以切斷部231s，來維持上側(cè)電容電極部231a與下側(cè)電容電極部232a 之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。圖4A是本發(fā)明的實(shí)施方式1的保持電容元件的等價(jià)電路圖。在保持電容元件23A 的上側(cè)電容層231與下側(cè)電極層232不短路的情況下，保持電容元件23A的靜電電容為將各電極部的靜電電容相加而得到的值(Cla+Clb)。在此，在本實(shí)施方式中，如該圖所記載的， 在上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間短路的情況下，可以使包含短路位置的電極部的電容元件功能無功能化。具體地，對(duì)于可以切斷部232s，從相對(duì)于膜面基本垂直的方向照射激光。圖4B是表示對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1的保持電容元件照射激光而切斷可以切斷部的狀況的圖。在該圖中，L表示激光光線的軌跡，可以切斷部232s通過激光而切斷。由此，保持電容元件23A雖然在上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間不具有靜電保持電容功能，但是維持將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能，并且在上側(cè)電容電極部231a與下側(cè)電容電極部232a之間具有靜電保持電容功能，且維持將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，如前所述，下側(cè)電極層232所具有的可以切斷部232s形成于除了上側(cè)電極層231所具有的上側(cè)電容電極部231a、231b及可以切斷部231s在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。由此，可以避免由于向232s的激光照射而使構(gòu)成電容元件的上側(cè)電容電極部 231a、下側(cè)電容電極部232a及可以切斷部231s損傷的情況。通過以上，修復(fù)后的保持電容元件23A的靜電電容雖然其靜電電容值從原本應(yīng)該具有的靜電電容(Cla+Clb)減少所切除的電極部的面積比的量而成為靜電電容Cla，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。另外，在代替圖3A及圖3B所記載的短路51，上側(cè)電容電極部231a與下側(cè)電容電極部232a發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23A照射激光而切斷可以切斷部231s，來維持上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3 與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，激光的照射方向也可以不從顯示面板10的頂面而從隔著下部基板的底面。 來自底面的激光照射方式與圖4B所記載的來自頂面的激光照射方式相比較，在顯示元件層IlB形成于驅(qū)動(dòng)電路層IlA上后進(jìn)行的保持電容元件23A的修正方面是有利的。因?yàn)椋?來自底面的激光照射方式以激光不通過顯示元件層IlB這一點(diǎn)，可以排除由于激光的通過而使顯示元件層IlB損傷的可能性。通過以上的結(jié)構(gòu)，在作為像素電路的高密度化的實(shí)現(xiàn)對(duì)策而使電路布線與電容元件共用的情況下，對(duì)于共有電路布線功能和電容保持功能的2個(gè)電極層的各自，可以通過以預(yù)定的配置設(shè)置可以切斷的電極部，而獲得對(duì)在修復(fù)時(shí)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分不存在限制的結(jié)構(gòu)。因而，可以即使對(duì)短路不良位置進(jìn)行修復(fù)切斷也會(huì)維持作為電路布線的導(dǎo)通功能，并且確保電容保持功能。因而，即使像素電路高密度化，也可以使具有短路不良的保持電容元件的不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光，可以使發(fā)光面板的顯示質(zhì)量提高。圖5A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第1變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。此外，圖5B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第1變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖5A及圖5B所記載的保持電容元件23B，與圖3A及圖3B所記載的保持電容元件23A相比較，不具有電路布線功能的一方的電容電極部及可以切斷部的結(jié)構(gòu)不同。以下，與保持電容元件23A相同點(diǎn)省略說明，以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖5A及圖5B所記載的保持電容元件23B，是圖2所記載的保持電容元件23的一例，由上側(cè)電極層233、下側(cè)電極層234和形成于它們之間的絕緣層(未圖示)構(gòu)成。上側(cè)電極層233在同一面內(nèi)具有上側(cè)電容電極部233a及233b和可以切斷部 233s。上側(cè)電容電極部233a與上側(cè)電容電極部233b經(jīng)由第一可以切斷部、即可以切斷部 233s相連接。此外，下側(cè)電極層234在同一面內(nèi)具有下側(cè)電容電極部234a、234b及234c和可以切斷部234sl及234s2。第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部234a與第二下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部234b經(jīng)由第二可以切斷部、即可以切斷部234sl相連接。此外第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部234a與第三下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部234c經(jīng)由第四可以切斷部、即可以切斷部234s2相連接。上側(cè)電容電極部233b不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第一電路元件、即電路元件1與第二電路元件、即電路元件2相連接的電路布線而起作用。此外，下側(cè)電容電極部234a不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第三電路元件、即電路元件 3與第四電路元件、即電路元件4相連接的電路布線而起作用。此外，上側(cè)電極層233所具有的可以切斷部233s形成于除了下側(cè)電極層234所具有的下側(cè)電容電極部234a、234b、234c及可以切斷部234sl、234s2在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。同樣地，下側(cè)電極層234所具有的可以切斷部234sl及234s2形成于除了上側(cè)電極層所具有的上側(cè)電容電極部233a、233b及可以切斷部233s在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。由此，可以避免由于向可以切斷部233s、234sl或234s2的激光照射而使構(gòu)成電容元件的上側(cè)電容電極部、下側(cè)電容電極部及未切斷的可以切斷部損傷的情況。因而， 保持電容元件23B雖然靜電電容減少所切除的電極部的面積比的量，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。通過所述結(jié)構(gòu)，正常像素所具有的保持電容元件23B如圖5A所記載的，在上側(cè)電容電極部233a與下側(cè)電容電極部234a之間、上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234b 之間及上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234c之間，可以分別保持預(yù)定的靜電電容 C2a、C2b 及 C2c。進(jìn)而，在圖5A及圖5B，記載了發(fā)光像素11所具有的保持電容元件23B在上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234b之間發(fā)生短路52的例子。由此，通過施加于上側(cè)電極層233與下側(cè)電極層234之間的電壓而應(yīng)該蓄積于保持電容元件23B的電荷，由于所述短路52而未被保持。在該情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23B照射激光而切斷可以切斷部234sl，來維持上側(cè)電容電極部233a與下側(cè)電容電極部234a之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234c之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。通過以上，修復(fù)后的保持電容元件23B的靜電電容雖然其靜電電容值從原本應(yīng)該具有的靜電電容(C2a+C2b+C2c)減少所切除的電極部的面積比的量而成為靜電電容 (C2a+C2c)，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。也就是說，與電容元件的單側(cè)電極被分割為2個(gè)電極部的保持電容元件 23A相比較，保持電容元件23B通過切離所分割的3個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的保持電容元件23B所具有的靜電電容相對(duì)于無需修復(fù)的保持電容元件23B所具有的靜電電容的減少量。另外，在代替圖5A及圖5B所記載的短路52，上側(cè)電容電極部233a與下側(cè)電容電極部234a發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23B照射激光而切斷可以切斷部233s，來維持上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234b之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234c之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，在上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234c發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23B照射激光而切斷可以切斷部234s2，來維持上側(cè)電容電極部233a與下側(cè)電容電極部234a之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部233b與下側(cè)電容電極部234b之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，即使代替與上側(cè)電容電極部233b相對(duì)的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部234b和234c的結(jié)構(gòu)，而是與下側(cè)電容電極部234a相對(duì)的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)，也可得到與圖5A及圖5B所記載的保持電容元件23B同樣的效果。此外，即使是具有與上側(cè)電容電極部233b相對(duì)的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部234b和234c的結(jié)構(gòu)及與下側(cè)電容電極部234a相對(duì)的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)雙方的結(jié)構(gòu)，也可得到與圖5A及圖5B所記載的保持電容元件23B同樣的效果。也就是說，本發(fā)明的實(shí)施方式的保持電容元件為，與上側(cè)電容電極部233b相對(duì)的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部234b、234c和/或與下側(cè)電容電極部234a相對(duì)的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)。圖6A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第2變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。此外，圖6B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第2變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖6A及圖6B所記載的保持電容元件23C，與圖5A及圖5B所記載的保持電容元件2 相比較，不共用電路布線的一方的電容電極部及可以切斷部的結(jié)構(gòu)不同。以下，與保持電容元件2 相同點(diǎn)省略說明，以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖6A及圖6B所記載的保持電容元件23C，是圖2所記載的保持電容元件23的一例，由上側(cè)電極層235、下側(cè)電極層236和形成于它們之間的絕緣層(未圖示)構(gòu)成。上側(cè)電極層235在同一面內(nèi)具有上側(cè)電容電極部23fe、235b、235c及235d和可以切斷部235sl、235s2、235s3及23k4。第一上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部23 與第二上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部23 經(jīng)由第一可以切斷部、即可以切斷部235s4相連接，上側(cè)電容電極部23 與第三上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部235d經(jīng)由第三可以切斷部、即可以切斷部235s3相連接，上側(cè)電容電極部23 與第四上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部235c經(jīng)由第五可以切斷部、即可以切斷部235sl相連接，上側(cè)電容電極部235d 與上側(cè)電容電極部235c經(jīng)由第六可以切斷部、即可以切斷部235s2相連接。此外，下側(cè)電極層236在同一面內(nèi)具有下側(cè)電容電極部236a及236b和可以切斷部236s。第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部236b與第二下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部236a經(jīng)由第二可以切斷部、即可以切斷部236s相連接。上側(cè)電容電極部23 不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第一電路元件、即電路元件1與第二電路元件、即電路元件2相連接的電路布線而起作用。此外，下側(cè)電容電極部236b不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第三電路元件、即電路元件 3與第四電路元件、即電路元件4相連接的電路布線而起作用。此外，上側(cè)電極層235所具有的可以切斷部 235s4形成于除了下側(cè)電極層236所具有的下側(cè)電容電極部236a、236b及可以切斷部236s在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。同樣地，下側(cè)電極層236所具有的可以切斷部236s形成于除了上側(cè)電極層所具有的上側(cè)電容電極部23 235d及可以切斷部235sl 235s4在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。由此，可以避免由于向可以切斷部235sl 235s4或236s的激光照射而使構(gòu)成電容元件的上側(cè)電容電極部、下側(cè)電容電極部及未切斷的可以切斷部損傷的情況。因而，保持電容元件23C雖然靜電電容減少所切除的電極部的面積比的量，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。通過所述結(jié)構(gòu)，正常像素所具有的保持電容元件23C如圖6A所記載的，在上側(cè)電容電極部23 與下側(cè)電容電極部236a之間、上側(cè)電容電極部23 與下側(cè)電容電極部236b 之間、上側(cè)電容電極部235c與下側(cè)電容電極部236b之間及上側(cè)電容電極部235d與下側(cè)電容電極部236b之間，可以分別保持預(yù)定的靜電電容C3d、C3c、C3a及C3b。進(jìn)而，在圖6A及圖6B，記載了發(fā)光像素11所具有的保持電容元件23C在上側(cè)電容電極部235c與下側(cè)電容電極部236b之間發(fā)生短路53的例子。由此，通過施加于上側(cè)電極層235與下側(cè)電極層236之間的電壓而應(yīng)該蓄積于保持電容元件23C的電荷，由于所述短路53而得不到保持。在該情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23C照射激光而切斷可以切斷部235sl及23k2，來維持上側(cè)電容電極部23 與下側(cè)電容電極部 236a之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部23 與下側(cè)電容電極部236b之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部235d與下側(cè)電容電極部236b之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。通過以上，修復(fù)后的保持電容元件23C的靜電電容雖然其靜電電容值從原本應(yīng)該具有的靜電電容(C3a+C3b+C3c+C3d)減少所切除的電極部的面積比的量而成為 (C3b+C3c+C3d)，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。也就是說，與電容元件的單側(cè)電極被分割為3個(gè)電極部的保持電容元件23B相比較，保持電容元件23C通過切離所分割的4個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的保持電容元件23C所具有的靜電電容相對(duì)于無需修復(fù)的保持電容元件23C所具有的靜電電容的減少量。另外，在代替圖6A及圖6B所記載的短路53，上側(cè)電容電極部235b與下側(cè)電容電極部236b之間發(fā)生短路不良的情況及上側(cè)電容電極部235d與下側(cè)電容電極部236b之間發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23C照射激光而在各個(gè)情況下切斷可以切斷部235s4、235sl以及可以切斷部235s2、235s3，來維持上側(cè)電極層235與下側(cè)電極層236之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，在代替圖6A及圖6B所記載的短路53，上側(cè)電容電極部235a與下側(cè)電容電極部236a之間發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件 23C照射激光而切斷可以切斷部236s，來維持上側(cè)電極層235與下側(cè)電極層236之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，即使代替與下側(cè)電容電極部236b對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備上側(cè)電容電極部235b、235c及235d的結(jié)構(gòu)，而是下側(cè)電容電極部236b具備3個(gè)下側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)，也可起到與圖6A及圖6B所記載的保持電容元件23C同樣的效果。此外，即使是具有與下側(cè)電容電極部236b對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備上側(cè)電容電極部235b、235c及235d的結(jié)構(gòu)及下側(cè)電容電極部236b具備3個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)雙方的結(jié)構(gòu)，也可得到與圖6A及圖6B所記載的保持電容元件23C同樣的效果。也就是說，本發(fā)明的實(shí)施方式的保持電容元件為，與下側(cè)電容電極部236b對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備上側(cè)電容電極部235b、235c、235d和/或下側(cè)電容電極部236b具備3 個(gè)下側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)。圖7A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第3變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的頂面透視圖。此外，圖7B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的第3變形例的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的立體圖。圖7A及圖7B所記載的保持電容元件23D與圖5A及圖5B所記載的保持電容元件23B相比較，可以切斷部的結(jié)構(gòu)不同。以下，與保持電容元件23B相同點(diǎn)省略說明，以不同點(diǎn)為中心進(jìn)行說明。圖7A及圖7B所記載的保持電容元件23D，是圖2所記載的保持電容元件23的一例，由上側(cè)電極層237、下側(cè)電極層238和形成于它們之間的絕緣層(未圖示)構(gòu)成。上側(cè)電極層237在同一面內(nèi)具有上側(cè)電容電極部237a及237b和可以切斷部 237s。上側(cè)電容電極部237a與上側(cè)電容電極部237b經(jīng)由第一可以切斷部、即可以切斷部 237s相連接。此外，下側(cè)電極層238在同一面內(nèi)具有下側(cè)電容電極部238a、238b及238c和可以切斷部238sl及238s2。第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部238a與第二下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部238b經(jīng)由第二可以切斷部、即可以切斷部238sl相連接。此外下側(cè)電容電極部238b與第三下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部238c經(jīng)由第四可以切斷部、即可以切斷部238s2相連接。上側(cè)電容電極部237b不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第一電路元件、即電路元件1與第二電路元件、即電路元件2相連接的電路布線而起作用。此外，下側(cè)電容電極部238a不僅作為電容元件的單側(cè)電極，而且還作為將第三電路元件、即電路元件 3與第四電路元件、即電路元件4相連接的電路布線而起作用。此外，上側(cè)電極層237所具有的可以切斷部237s形成于除了下側(cè)電極層238所具有的下側(cè)電容電極部238a、238b、238c及可以切斷部238sl、234s2在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。同樣地，下側(cè)電極層238所具有的可以切斷部238sl及238s2形成于除了上側(cè)電極層所具有的上側(cè)電容電極部237a、237b及可以切斷部237s在層疊方向所投影的區(qū)域以外的區(qū)域。尤其是，在上側(cè)電容電極部237b，在與可以切斷部238s2對(duì)向的區(qū)域形成有具有預(yù)定大小的開口部。由此，可以避免由于向可以切斷部237s、238sl或238s2的激光照射而使構(gòu)成電容元件的上側(cè)電容電極部、下側(cè)電容電極部及未切斷的可以切斷部損傷的情況。因而，保持電容元件23D雖然靜電電容減少所切除的電極部的面積比的量，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使發(fā)光元件發(fā)光。通過所述結(jié)構(gòu)，正常像素所具有的保持電容元件23D如圖7A所記載的，在上側(cè)電容電極部237a與下側(cè)電容電極部237a之間、上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238b 之間及上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238c之間，可以分別保持預(yù)定的靜電電容 C4a, C4b 及 C4c。進(jìn)而，在圖7A及圖7B，記載了發(fā)光像素11所具有的保持電容元件23D在上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238c之間發(fā)生短路M的例子。由此，通過施加于上側(cè)電極層237與下側(cè)電極層238之間的電壓而應(yīng)該蓄積于保持電容元件23D的電荷，由于所述短路M而未被保持。在該情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23D照射激光而切斷可以切斷部238s2，來維持上側(cè)電容電極部237a與下側(cè)電容電極部238a之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238b之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。因而，可以將電容元件的兩個(gè)電極作為電路布線的一部分而高效地利用，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的進(jìn)一步高密度化。通過以上，修復(fù)后的保持電容元件23D的靜電電容雖然其靜電電容值從原本應(yīng)該具有的靜電電容(C4a+C4b+C4c)減少所切除的電極部的面積比的量而成為(Wa+C4b)，但是可以保持與來自數(shù)據(jù)線的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。也就是說，與電容元件的單側(cè)電極被分割為2個(gè)電極部的保持電容元件23A相比較，保持電容元件23D通過切離所分割的3個(gè)電極部之中的僅1個(gè)電極部，在修復(fù)后也可維持電路布線的特性。因而，可以減小修復(fù)后的保持電容元件23D所具有的靜電電容相對(duì)于無需修復(fù)的保持電容元件23D所具有的靜電電容的減少量。另外，在代替圖7A及圖7B所記載的短路M，上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238b發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23D照射激光而切斷可以切斷部^3sl，來維持上側(cè)電容電極部237a與下側(cè)電容電極部238a之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件 3與電路元件4相連接的電路布線功能。另外，在代替圖7A及圖7B所記載的短路54，上側(cè)電容電極部237a與下側(cè)電容電極部238a發(fā)生短路不良的情況下，對(duì)于這樣的不良發(fā)光像素，通過對(duì)保持電容元件23D照射激光而切斷可以切斷部237s，來維持上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238b之間的靜電電容保持功能、上側(cè)電容電極部237b與下側(cè)電容電極部238c之間的靜電電容保持功能、將電路元件1與電路元件2相連接的電路布線功能及將電路元件3與電路元件4相連接的電路布線功能。此外，即使代替與上側(cè)電容電極部237b對(duì)向的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部238b和238c的結(jié)構(gòu)，而是與下側(cè)電容電極部238a對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)，也可起到與圖7A及圖7B所記載的保持電容元件23D同樣的效果。此外，即使是具有與上側(cè)電容電極部237b對(duì)向的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部238b和238c的結(jié)構(gòu)及與下側(cè)電容電極部238a對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)雙方的結(jié)構(gòu)，也可得到與圖7A及圖7B所記載的保持電容元件23D同樣的效果。也就是說，本實(shí)施方式的保持電容元件為，與上側(cè)電容電極部237b對(duì)向的下側(cè)電容電極部具備下側(cè)電容電極部238b、234c和/或與下側(cè)電容電極部238a對(duì)向的上側(cè)電容電極部具備2個(gè)上側(cè)電容電極部的結(jié)構(gòu)。另外，在實(shí)施方式1中，上側(cè)電極層231、233、235、237及下側(cè)電極層232、234、236、 238所具有的各電容電極部不需要為同一形狀，此外也不需要為相同面積。依顯示像素的布局方面的制約而形狀是任意的。為了達(dá)到由發(fā)光像素?cái)?shù)量的增加引起的像素電路的高密度化以應(yīng)對(duì)近年來所要求的顯示面板的高精細(xì)化，尤其需要對(duì)面積比例高的保持電容元件的布局進(jìn)行設(shè)計(jì)。對(duì)此， 如本實(shí)施方式所示，使保持電容元件共有作為原本功能的電容保持功能和對(duì)各電路元件進(jìn)行連接的電路布線功能成為有效的方法。但是，由于為了確保像素功能而必須維持作為電路布線的導(dǎo)通特性，所以在以往的結(jié)構(gòu)中，在電容元件的修復(fù)時(shí)，即使共用電路布線的電極存在短路缺陷等，也無法將該不良電極從電路切斷。也就是說，對(duì)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分存在限制。在本發(fā)明中，即使是電路布線共用一部分電容元件的結(jié)構(gòu)，也因?yàn)椴扇?duì)在修復(fù)時(shí)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分沒有限制的結(jié)構(gòu)，所以在修復(fù)后也可始終維持電路布線的特性。(實(shí)施方式2)在本實(shí)施方式中，關(guān)于本發(fā)明的顯示裝置的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法包括驅(qū)動(dòng)電路層的形成工序、顯示元件層的形成工序、像素電路的檢查工序及保持電容元件的修復(fù)工序。在此，以與以往的顯示裝置的制造方法不同的工序、即驅(qū)動(dòng)電路層所具有的保持電容元件23A的形成工序及像素電路的檢查工序及修復(fù)工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說明。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的顯示裝置的制造方法的流程圖。首先，形成適宜配置有保持電容元件23A及作為其周邊元件的開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22及電路布線等的驅(qū)動(dòng)電路層IlA(SOl)。具體地，作為圖2所記載的驅(qū)動(dòng)電路層IlA的一層，使用金屬掩模制膜、剝離及蝕刻等方法，將例如包含Mo與W的合金的下側(cè)電極層232形成為圖3B所記載的形狀。此時(shí)， 下側(cè)電極層232形成為，將作為電路元件3的開關(guān)晶體管21 (的源電極)與作為電路元件 4的驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)相連接。接下來，在下側(cè)電極層232上，形成例如包含SiOx 或SiN等的絕緣層以便覆蓋下側(cè)電極層232。此時(shí)，優(yōu)選，根據(jù)需要，將絕緣層的表面平坦化。接下來，在絕緣層上，使用金屬掩模制膜、剝離及蝕刻等方法，將例如包含Mo與W的合金/Al/Mo與W的合金的層疊結(jié)構(gòu)的上側(cè)電極層231形成為圖3B所記載的形狀。此時(shí)，上側(cè)電極層231形成為，將作為電路元件1的電源線16與作為電路元件2的驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極)相連接。上述步驟SOl相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)電路形成步驟。接下來，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA上，在經(jīng)過了驅(qū)動(dòng)電路層IlA的平坦化工序之后，形成具有有機(jī)EL元件24的顯示元件層11B(S02)。具體地，顯示元件層IlB例如具有陽極、空穴注入層、空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層、提欄層、電子注入層及透明陰極。上述步驟S02相當(dāng)于顯示元件形成步驟。接下來，關(guān)于全部發(fā)光像素11，檢查保持電容元件23A的電特性，并確定具有處于短路狀態(tài)的保持電容元件23A的發(fā)光像素11 (S03)。具體地，例如，對(duì)信號(hào)線12連接陣列測(cè)試器(Agilent公司HS100)，經(jīng)由信號(hào)線 12依次向各發(fā)光像素11輸出測(cè)試電壓而對(duì)保持電容元件23A寫入該電壓。其后，陣列測(cè)試器以預(yù)定的定時(shí)經(jīng)由信號(hào)線12讀入寫入到了保持電容元件23A的電壓。由此，確定所讀入的電壓小于預(yù)定的電壓的發(fā)光像素11。由此，完成具有異常的保持電容元件23A的發(fā)光像素的像素限定過程。接下來，觀察所確定的發(fā)光像素11的保持電容元件23A，確定異常位置的區(qū)域 (S04)。具體地，例如，對(duì)形成有保持電容元件23A的區(qū)域的表面凹凸形狀進(jìn)行顯微鏡觀察。不均分布有導(dǎo)電性微粒的區(qū)域大多情況為凸形狀。由此，完成異常的保持電容元件23A 的區(qū)域限定過程，確定異常的電容電極部。另外，該區(qū)域限定過程既可以由檢查人員執(zhí)行， 此外也可以由具有圖像識(shí)別功能的自動(dòng)測(cè)定執(zhí)行。上述步驟S03及S04相當(dāng)于檢查步驟。接下來，對(duì)連接著包含所確定的異常位置的電容電極部的預(yù)定的可以切斷部的一部分照射激光，使該電容電極部與其他電容電極部電絕緣(S05)。另外，包含所確定的異常位置的電容電極部，被從顯示像素切離，以使電路布線不被切斷。具體地，在圖3A及圖3B 所記載的保持電容元件23A中，當(dāng)在第一上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部231b與第二下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部232b之間發(fā)生短路不良的情況下，切斷第二可以切斷部、即可以切斷部232s ；當(dāng)在第一下側(cè)電容電極部、即下側(cè)電容電極部232a與第二上側(cè)電容電極部、即上側(cè)電容電極部231a之間發(fā)生短路不良的情況下，切斷第一可以切斷部、即可以切斷部231s。在此，通過對(duì)預(yù)定的可以切斷部的一部分照射激光而可以切斷的形狀，與所使用的激光器的規(guī)格有密切關(guān)系，在使用例如以YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石) 激光器為光源的激光振蕩器、使用了例如以波長(zhǎng)532nm、脈沖寬度10ns、功率0. 5mff為輸出參數(shù)的激光器的情況下，只要可以切斷部的寬度為4μπκ膜厚為150nm，便不會(huì)使其他正常的電極塊損傷地切斷可以切斷部。此時(shí)，作為可以切斷部的材料，例如可舉出所述的Mo與 W的合金/鋁(Al)/Mo與W的合金的層疊結(jié)構(gòu)。上述步驟S05相當(dāng)于切斷步驟。最后，進(jìn)行實(shí)施了所述激光照射的發(fā)光像素11的工作確認(rèn)(S06)。通過以上的制造方法，在作為像素電路的高密度化的實(shí)現(xiàn)對(duì)策而使電路布線與電容元件共用的情況下，可以在對(duì)可以進(jìn)行電容元件的不良部分的切離的部分沒有限制的狀態(tài)下進(jìn)行修復(fù)。因而，即使對(duì)短路不良位置進(jìn)行修復(fù)切斷也可以維持作為電路布線的導(dǎo)通功能，并且確保電容保持功能。因而，即使像素電路高密度化，也可以使具有短路不良的保持電容元件的不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光，可以使發(fā)光面板的顯示質(zhì)量提高。另外，檢查步驟S03及S04以及切斷步驟S05也可以在顯示元件形成步驟S02之前實(shí)施。也就是說，既可以在形成了上側(cè)電極層231的階段或進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)電路層IlA的平坦化處理的階段實(shí)施，此外也可以在進(jìn)行了顯示元件層IlB及其后的封裝工序的階段實(shí)施。(實(shí)施方式3)在本實(shí)施方式中，關(guān)于配置有實(shí)施方式1的保持電容元件和構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路層IlA 的其他電路元件的發(fā)光像素的布局結(jié)構(gòu)及其效果進(jìn)行說明。圖9A是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第1布局圖。該圖所記載的布局，是一發(fā)光像素的布局，信號(hào)線12、掃描線13、開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、具有靜電電容Cl 的保持電容元件和電路布線被描繪出。此外，開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型， 形成有柵電極的層為下側(cè)電極層，形成有源電極及漏電極的層為上側(cè)電極層。雖然發(fā)光像素中面積比例高、具有靜電電容Cl的保持電容元件共用連接開關(guān)晶體管21與驅(qū)動(dòng)晶體管 22的電路布線300，但是具有靜電電容Cl的保持電容元件的各電極層由1個(gè)電容電極部構(gòu)成。在該布局中，當(dāng)在具有靜電電容Cl的保持電容元件發(fā)生了短路不良的情況下，作為可以切斷位置可舉出可以切斷部301sl、301s2及302s2。但是，不論是哪種情況，具有靜電電容Cl的保持電容元件的電容保持功能都消失，無法使不良發(fā)光像素恢復(fù)為以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光。圖9B是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第2布局圖。該圖所記載的布局與圖9A所記載的布局相比較，保持電容元件23的上側(cè)電極層被分割這一點(diǎn)不同。在該布局中，當(dāng)在具有靜電電容Cl的電容電極部發(fā)生了短路不良的情況下，作為可以切斷位置可舉出可以切斷部304s。此外，當(dāng)在具有靜電電容C2的電容電極部發(fā)生了短路不良的情況下， 作為可以切斷位置可舉出可以切斷部305s。在任一情況下，雖然保持電容元件的靜電電容都減半，但是可以維持電容保持功能，恢復(fù)為使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光。但是， 因?yàn)楸３蛛娙菰南聜?cè)電極層未被分割，所以作為保持電容元件需要連續(xù)的區(qū)域，發(fā)光像素的布局的自由度受到限制。相對(duì)于此，如果將本發(fā)明的保持電容元件的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于發(fā)光像素的布局結(jié)構(gòu)，則因?yàn)榭删S持修復(fù)后的發(fā)光像素的電容保持功能，恢復(fù)為使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光，并且確保發(fā)光像素的布局的自由度，所以可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。以下，對(duì)根據(jù)本發(fā)明，與圖9B所記載的以往的布局相比較，可確保發(fā)光像素的布局的自由度的情況進(jìn)行說明。圖9C是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第1布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，信號(hào)線12、掃描線13、開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件23A和電路布線被描繪出。此外，開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型，形成有柵電極的層為下側(cè)電極層232，形成有源電極及漏電極的層成為上側(cè)電極層231。保持電容元件 23A的上側(cè)電極層231具備上側(cè)電容電極部231a及231b和連接它們的可以切斷部231s。 此外，上側(cè)電容電極部231b共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極)與電源線(未圖示)的電路布線31。另一方面，保持電容元件23A的下側(cè)電極層232具備下側(cè)電容電極部23 及 232b和連接它們的可以切斷部23k。下側(cè)電容電極部23 共用連接開關(guān)晶體管21 (的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)的電路布線32。在該布局中，當(dāng)在上側(cè)電容電極部 231a與下側(cè)電容電極部23 之間發(fā)生了短路不良的情況下，作為可以切斷部位可舉出可以切斷部231s。此外，當(dāng)在上側(cè)電容電極部231b與下側(cè)電容電極部232b之間發(fā)生了短路不良的情況下，作為可以切斷部位可舉出可以切斷部23 。在任一情況下，雖然保持電容元件的靜電電容減半，但是可維持電容保持功能，可以恢復(fù)為使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光。進(jìn)而，因?yàn)楸３蛛娙菰纳蟼?cè)電極層231及下側(cè)電極層232雙方分別保持電路布線功能并被2分割，所以作為保持電容元件不需要連續(xù)的區(qū)域。因此，可以確保發(fā)光像素的布局的自由度，可以相應(yīng)于布局而分離配置構(gòu)成保持電容元件的各電容電極部，如圖9C 所記載的，可以縮小像素電路的所需面積。因而，可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。圖IOA是以往的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第3布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，是顯示裝置高密度化且發(fā)光像素為細(xì)長(zhǎng)形狀的情況下的布局。雖然具有靜電電容Cl保持電容元件的上側(cè)電極層共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22與電源線16的電路布線306，但是具有靜電電容Cl的保持電容元件的各電極層由1個(gè)電容電極部構(gòu)成。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在共用電路布線306的部分發(fā)生了短路不良的情況下，無法進(jìn)行修復(fù)。進(jìn)而，隨著發(fā)光像素的形狀變小且變得細(xì)長(zhǎng)，共用電路布線306的比例變高，不能修復(fù)的概率變高。相對(duì)于此，如果將本發(fā)明的保持電容元件的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于細(xì)長(zhǎng)形狀的發(fā)光像素的布局構(gòu)成，則因?yàn)榭删S持修復(fù)后的發(fā)光像素的電容保持功能，恢復(fù)為使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光，并且確保發(fā)光像素的布局的自由度，所以可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。圖IOB是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第2布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，是顯示裝置高密度化且發(fā)光像素為細(xì)長(zhǎng)形狀的情況下的布局。開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型，形成有柵電極的層為下側(cè)電極層232，形成有源電極及漏電極的層成為上側(cè)電極層231。保持電容元件23A的上側(cè)電極層231具備上側(cè)電容電極部231a及231b和連接它們的可以切斷部231s。此外，上側(cè)電容電極部231b共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極)與電源線(未圖示)的電路布線33。另一方面，保持電容元件 23A的下側(cè)電極層232具備下側(cè)電容電極部23 及232b和連接它們的可以切斷部23k。 下側(cè)電容電極部23 共用連接開關(guān)晶體管21 (的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極) 的電路布線34。在該布局中，當(dāng)在上側(cè)電極層與下側(cè)電極層之間發(fā)生了短路不良的情況下， 與圖9C所記載的保持電容元件同樣地選擇可以切斷部。由此，在顯示裝置高密度化且發(fā)光像素為細(xì)長(zhǎng)形狀的情況下，也可維持電容保持功能，恢復(fù)為使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明，在像素電路的高密度化下，可以應(yīng)對(duì)所有的發(fā)光像素形狀。圖1IA是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第3布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，信號(hào)線12、掃描線13、開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件 23A和電路布線被描繪出。此外，開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型，形成有柵電極的層為下側(cè)電極層232，形成有源電極及漏電極的層成為上側(cè)電極層231。圖IlA所記載的布局圖與圖IOB所記載的布局圖相比較，在下側(cè)電極層232中、在所分割的下側(cè)電容電極部 232a與232b之間介有驅(qū)動(dòng)晶體管22的構(gòu)成電極這一點(diǎn)不同。保持電容元件23A的上側(cè)電極層231具備上側(cè)電容電極部231a及231b和連接它們的可以切斷部231s。此外，上側(cè)電容電極部231b共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極)與電源線(未圖示)的電路布線35。另一方面，保持電容元件23A的下側(cè)電極層232具備下側(cè)電容電極部232a及232b和連接它們的可以切斷部232s。下側(cè)電容電極部232a共用連接開關(guān)晶體管21 (的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)的電路布線36。進(jìn)而，在可以切斷部232s與下側(cè)電容電極部232a之間，介有作為驅(qū)動(dòng)晶體管的構(gòu)成電極的柵金屬層。在該布局中，當(dāng)在上側(cè)電極層與下側(cè)電極層之間發(fā)生了短路不良的情況下，與圖9C所記載的保持電容元件同樣地選擇可以切斷部。根據(jù)圖1IA所記載的布局，不僅保持電容元件的上側(cè)電極層231及下側(cè)電極層232 雙方分別保持電路布線功能并被2分割，而且在2分割而成的電容電極部的連接路徑上進(jìn)一步介有電路元件的構(gòu)成電極。因此，與圖9C及圖IOB所記載的發(fā)光像素的布局相比較， 因?yàn)榭蛇M(jìn)一步確保布局的自由度，所以可以縮小像素電路的所需面積。因而，可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。圖1IB是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第4布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，信號(hào)線12、掃描線13、開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件 23A和電路布線被描繪出。此外，開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型，形成有柵電極的層為下側(cè)電極層232，形成有源電極及漏電極的層成為上側(cè)電極層231。圖IlA所記載的布局圖與圖IOB所記載的布局圖相比較，在上側(cè)電極層231中、在所分割的上側(cè)電容電極部 231a與231b之間介有驅(qū)動(dòng)晶體管22的構(gòu)成電極這一點(diǎn)不同。保持電容元件23A的上側(cè)電極層231具備上側(cè)電容電極部231a及231b和連接它們的可以切斷部231s。此外，上側(cè)電容電極部231b共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極) 與電源線(未圖示)的電路布線37。進(jìn)而，在可以切斷部231s與上側(cè)電容電極部231b之間，介有作為驅(qū)動(dòng)晶體管的構(gòu)成電極的漏金屬層。另一方面，保持電容元件23A的下側(cè)電極層232具備下側(cè)電容電極部232a及232b和連接它們的可以切斷部232s。下側(cè)電容電極部232a共用連接開關(guān)晶體管21 (的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)的電路布線38。 在該布局中，當(dāng)在上側(cè)電極層與下側(cè)電極層之間發(fā)生了短路不良的情況下，與圖9C所記載的保持電容元件同樣地選擇可以切斷部。根據(jù)圖1IB所記載的布局，不僅保持電容元件的上側(cè)電極層231及下側(cè)電極層232 雙方分別保持電路布線功能并被2分割，而且在2分割而成的電容電極部的連接路徑上進(jìn)一步介有電路元件的構(gòu)成電極。因此，與圖9C及圖IOB所記載的發(fā)光像素的布局相比較， 因?yàn)榭蛇M(jìn)一步確保布局的自由度，所以可以縮小像素電路的所需面積。因而，可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。圖IlC是本發(fā)明的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的第5布局圖。該圖所記載的布局， 是一發(fā)光像素的布局，信號(hào)線12、掃描線13、開關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件 23A和電路布線被描繪出。此外，開關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22為底柵型，形成有柵電極的層為下側(cè)電極層232，形成有源電極及漏電極的層成為上側(cè)電極層231。圖IlC所記載的布局圖與圖IOB所記載的布局圖相比較，在上側(cè)電極層231中、在所分割的上側(cè)電容電極部 231a與231b之間介有驅(qū)動(dòng)晶體管22的構(gòu)成電極，進(jìn)而在下側(cè)電極層232中、在所分割的下側(cè)電容電極部23 與232b之間介有驅(qū)動(dòng)晶體管22的構(gòu)成電極這一點(diǎn)不同。保持電容元件23A的上側(cè)電極層231具備上側(cè)電容電極部231a及231b和連接它們的可以切斷部231s。此外，上側(cè)電容電極部231b共用連接驅(qū)動(dòng)晶體管22(的漏電極) 與電源線(未圖示)的電路布線37。進(jìn)而，在可以切斷部231s與上側(cè)電容電極部231b之間，介有作為驅(qū)動(dòng)晶體管的構(gòu)成電極的漏金屬層。另一方面，保持電容元件23A的下側(cè)電極層232具備下側(cè)電容電極部23 及232b和連接它們的可以切斷部23k。下側(cè)電容電極部23 共用連接開關(guān)晶體管21 (的源電極)與驅(qū)動(dòng)晶體管22 (的柵電極)的電路布線38。 進(jìn)而，在可以切斷部23 與下側(cè)電容電極部23 之間，介有作為驅(qū)動(dòng)晶體管的構(gòu)成電極的柵金屬層。在該布局中，當(dāng)在上側(cè)電極層與下側(cè)電極層之間發(fā)生了短路不良的情況下，與圖 9C所記載的保持電容元件同樣地選擇可以切斷部。根據(jù)圖1IC所記載的布局，不僅保持電容元件的上側(cè)電極層231及下側(cè)電極層232 雙方分別保持電路布線功能并被2分割，而且在2分割而成的電容電極部的連接路徑上進(jìn)一步介有電路元件的構(gòu)成電極。因此，與圖9C及圖IOB所記載的發(fā)光像素的布局相比較， 因?yàn)榭蛇M(jìn)一步確保布局的自由度，所以可以縮小像素電路的所需面積。因而，可以應(yīng)對(duì)像素電路的高密度化。以上，雖然關(guān)于本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，基于實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法并非限定于所述實(shí)施方式。使實(shí)施方式1 3中的任意構(gòu)成要件相組合而實(shí)現(xiàn)的其他實(shí)施方式和/或?qū)τ趯?shí)施方式1 3實(shí)施本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍想到的各種變形而得到的變形例和/或內(nèi)置有本發(fā)明的顯示裝置的各種設(shè)備也包含于本發(fā)明。例如，雖然在實(shí)施方式2中，對(duì)具有圖3A及圖:3B所記載的保持電容元件23A的顯示裝置的制造方法進(jìn)行了說明，但是實(shí)施方式2的顯示裝置的制造方法，關(guān)于在實(shí)施方式1 的第1 第3變形例中示出的保持電容元件23B、23C及23D也可應(yīng)用。此外，雖然在實(shí)施方式3中，對(duì)具有圖3A及圖:3B所記載的保持電容元件23A的發(fā)光像素的布局進(jìn)行了說明，但是實(shí)施方式3的發(fā)光像素的布局，對(duì)于在實(shí)施方式1的第1 第3變形例中示出的保持電容元件23B、23C及23D也可應(yīng)用。此外，雖然在實(shí)施方式1中，示出了將構(gòu)成保持電容元件23的上側(cè)電極層和/或下側(cè)電極層最多分割為4個(gè)電容電極部的例子，但是電容電極部的分割數(shù)，根據(jù)發(fā)光像素 11的不良率和/或所需的靜電電容，只要是2以上的任意分割數(shù)即可。此外，雖然在實(shí)施方式1 3中，作為保持電容元件的不良主要原因，舉出了由不均分布于電極間的微粒等引起的電極間短路，但是本實(shí)施方式中的所謂短路并不限定于完全短路。例如，如微粒彼此的點(diǎn)接觸那樣具有微小的電阻值及電容值的情況也包含于短路中。此外，例如，本發(fā)明的圖像顯示裝置可內(nèi)置于圖12所記載的薄型平板TV內(nèi)。由此， 可修正未以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光的發(fā)光像素，實(shí)現(xiàn)顯示面板的質(zhì)量提高了的高精細(xì)的薄型平板TV。本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法在期望大畫面及高分辨率的薄型電視機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)的顯示器等技術(shù)領(lǐng)域有用。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其二維狀地排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和對(duì)所述顯示元件層進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容元件，所述平行平板型的電容元件具有配置成在層疊方向?qū)ο虻纳蟼?cè)電極層及下側(cè)電極層；所述上側(cè)電極層具備將第一電路元件與第二電路元件相連接的第一上側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第一可以切斷部與所述第一上側(cè)電容電極部相連接的第二上側(cè)電容電極部；所述下側(cè)電極層具備將第三電路元件與第四電路元件相連接的第一下側(cè)電容電極部；以及經(jīng)由第二可以切斷部與所述第一下側(cè)電容電極部相連接的第二下側(cè)電容電極部； 所述電容元件在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間及所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。
2.按照權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備經(jīng)由第三可以切斷部與所述第一上側(cè)電容電極部相連接的第三上側(cè)電容電極部；和/或所述下側(cè)電極層具備經(jīng)由第四可以切斷部與所述第一下側(cè)電容電極部相連接的第三下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第三上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/或所述第三下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。
3.按照權(quán)利要求2所述的顯示裝置，進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備分別經(jīng)由第五可以切斷部及第六可以切斷部與所述第二上側(cè)電容電極部及所述第三上側(cè)電容電極部相連接的第四上側(cè)電容電極部，和/或所述下側(cè)電極層具備分別經(jīng)由第七可以切斷部及第八可以切斷部與所述第二下側(cè)電容電極部及所述第三下側(cè)電容電極部相連接的第四下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第四上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/或所述第四下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。
4.按照權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步地，所述上側(cè)電極層具備經(jīng)由第三可以切斷部與所述第二上側(cè)電容電極部相連接的第三上側(cè)電容電極部，和/或所述下側(cè)電極層具備經(jīng)由第四可以切斷部與所述第二下側(cè)電容電極部相連接的第三下側(cè)電容電極部；所述電容元件在所述第三上側(cè)電容電極部與所述第一下側(cè)電容電極部之間和/或所述第三下側(cè)電容電極部與所述第一上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容。
5.按照權(quán)利要求1 4中的任意一項(xiàng)所述的顯示裝置， 所述可以切斷部具有通過激光照射能夠切斷的形狀。
6.按照權(quán)利要求5所述的顯示裝置，所述上側(cè)電極層所具有的可以切斷部，形成于除了所述下側(cè)電極層所具有的電極部及可以切斷部在層疊方向所投影的區(qū)域之外的區(qū)域；所述下側(cè)電極層所具有的可以切斷部，形成于除了所述上側(cè)電極層所具有的電極部及可以切斷部在層疊方向所投影的區(qū)域之外的區(qū)域。
7.按照權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述多個(gè)顯示像素具備所述第一電路元件、所述第二電路元件、所述第三電路元件及所述第四電路元件；所述第一電路元件、所述第二電路元件、所述第三電路元件及所述第四電路元件分別是驅(qū)動(dòng)元件、開關(guān)元件、電容元件、發(fā)光元件、掃描線、控制線及電源線中的任意一種。
8.按照權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述電容元件是保持電容元件，其將與按每一所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓作為保持電壓而進(jìn)行保持；所述驅(qū)動(dòng)電路層具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵與所述電容元件的一個(gè)端子相連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管通過所述保持電壓施加于柵而將所述保持電壓變換為作為源漏間電流的信號(hào)電流；所述顯示元件層具備通過所述信號(hào)電流的流動(dòng)而發(fā)光的發(fā)光元件。
9.按照權(quán)利要求8所述的顯示裝置，所述發(fā)光元件是有機(jī)EL元件。
10.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置二維狀地排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和對(duì)所述顯示元件層進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路層，所述制造方法包括驅(qū)動(dòng)電路形成步驟，形成具備平行平板型的電容元件的驅(qū)動(dòng)電路層，所述平行平板型的電容元件使上側(cè)電極層和下側(cè)電極層配置成在層疊方向?qū)ο?，所述上?cè)電極層具有將第一電路元件與第二電路元件相連接的第一上側(cè)電容電極部和經(jīng)由第一可以切斷部與所述第一上側(cè)電容電極部相連接的第二上側(cè)電容電極部；所述下側(cè)電極層具有將第三電路元件與第四電路元件相連接的第一下側(cè)電容電極部和經(jīng)由第二可以切斷部與所述第一下側(cè)電容電極部相連接的第二下側(cè)電容電極部，在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間及所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間，分別能夠保持預(yù)定的靜電電容；顯示元件形成步驟，形成所述顯示元件層；檢查步驟，對(duì)由所述驅(qū)動(dòng)電路形成步驟形成的所述電容元件進(jìn)行檢查；以及切斷步驟，對(duì)于在所述檢查步驟判斷為對(duì)向的電極部發(fā)生了短路的所述電容元件，將短路的電極部從顯示像素切離，以使所述第一電路元件與所述第二電路元件的連接及所述第三電路元件與所述第四電路元件的連接不被切斷。
11.按照權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制造方法，在所述切斷步驟，當(dāng)在所述第一上側(cè)電容電極部與所述第二下側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的情況下，切斷所述第二可以切斷部；當(dāng)在所述第一下側(cè)電容電極部與所述第二上側(cè)電容電極部之間發(fā)生了短路不良的情況下，切斷所述第一可以切斷部。
12.按照權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制造方法，在所述切斷步驟，通過對(duì)所述可以切斷部進(jìn)行激光照射，將短路的電極部從顯示像素切離，以使所述第一電路元件與所述第二電路元件的連接及所述第三電路元件與所述第四電路元件的連接不被切斷。
全文摘要
提供一種即使像素電路高密度化也可以使不良發(fā)光像素以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光的顯示裝置及其制造方法。顯示裝置層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)電路層，驅(qū)動(dòng)電路層具備保持電容元件(23A)，該保持電容元件(23A)具有在層疊方向相對(duì)的上側(cè)電極層(231)及下側(cè)電極層(232)，上側(cè)電極層(231)具備將2個(gè)電路元件相連接的上側(cè)電容電極部(231b)和經(jīng)由可以切斷部(231s)與該電極部相連接的上側(cè)電容電極部(232a)，下側(cè)電極層(232)具備將2個(gè)電路元件相連接的下側(cè)電容電極部(232a)和經(jīng)由可以切斷部(232s)與該電極部相連接的下側(cè)電容電極部(232b)，保持電容元件(23A)在上側(cè)電容電極部(231b)與下側(cè)電容電極部(232b)之間及下側(cè)電容電極部(232a)與上側(cè)電容電極部(231a)之間分別保持靜電電容。
文檔編號(hào)G09F9/30GK102326193SQ20108000360
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者田鹿健一, 白水博 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社