專利名稱：顯示裝置、光檢測(cè)方法和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及其中在像素電路中使用如例如有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)EL器件)的 自發(fā)光器件的顯示裝置和電子裝置，以及用于在像素電路中提供的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在其中有機(jī)電致發(fā)光(EL 電致發(fā)光)發(fā)光元件用作像素的有源矩陣型的顯示裝 置中，流到每個(gè)像素電路中的發(fā)光元件的電流通過(guò)有源器件(通常，在每個(gè)像素電路中提 供的薄膜晶體管(TFT))控制。由于有機(jī)EL器件是電流發(fā)光元件，因此通過(guò)控制流到EL器 件的電流量來(lái)獲得色彩形成的灰度。具體地，在包括有機(jī)EL器件的像素電路中，對(duì)應(yīng)于施加的信號(hào)值電壓的電流提供 到有機(jī)EL器件，以根據(jù)信號(hào)值執(zhí)行灰度的發(fā)光。在使用自發(fā)光器件的顯示裝置(如使用如上所述的這種有機(jī)EL器件的顯示裝置) 中，抵消像素之間的發(fā)光亮度的分散以消除屏幕上出現(xiàn)的不一致是重要的。盡管像素之間的發(fā)光亮度的分散在面板制造時(shí)的初始狀態(tài)下也出現(xiàn)，但是該分散 由依賴于時(shí)間的變化導(dǎo)致。隨時(shí)間經(jīng)過(guò)，有機(jī)EL器件的發(fā)光效率劣化。具體地，即使相同電流流動(dòng)，發(fā)光亮度 也隨時(shí)間經(jīng)過(guò)一起劣化。結(jié)果，如果在黑色背景上顯示白色窗口圖案、然后在全屏上顯示白色，例如如圖 37A所示，則屏幕燒壞，然后顯示窗口圖案的部分的亮度降低。針對(duì)如上所述的這種情況的對(duì)策在JP-T-2007-501953或JP-T-2008-518263 (此 后分別稱為專利文獻(xiàn)1和2)中公開。具體地，專利文獻(xiàn)1公開了一種裝置，其中在每個(gè)像 素電路中布置光傳感器，并且將光傳感器的檢測(cè)值反饋到該系統(tǒng)以校正發(fā)光亮度。專利文 獻(xiàn)2公開了一種裝置，其中檢測(cè)值從光傳感器反饋到系統(tǒng)，以執(zhí)行發(fā)光亮度的校正。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明貫注于這樣的顯示裝置，其中對(duì)像素電路提供用于檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā) 光元件的光的光檢測(cè)部分。實(shí)現(xiàn)該顯示裝置，其中根據(jù)由光檢測(cè)部分檢測(cè)的光量信息校正 信號(hào)值，以防止如上所述的這種屏幕燒壞。本發(fā)明還提供了一種光檢測(cè)部分，其可以以高精 度執(zhí)行檢測(cè)，并且可以從少量元件和少量控制線來(lái)配置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，包括多個(gè)像素電路，其以矩陣布置在多個(gè)信號(hào)線和多個(gè)掃描線相互交叉的位置，并分 別包括發(fā)光元件；發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分，用來(lái)將信號(hào)值施加到每個(gè)所述像素電路，以使得像素電路發(fā)出對(duì) 應(yīng)于信號(hào)值的亮度的光；以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)元件，其通過(guò)將光檢測(cè)元件在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件的光 的光傳感器，所述光檢測(cè)部分還包括在光檢測(cè)部分中形成的檢測(cè)信號(hào)輸出電路，用于輸出 來(lái)自光檢測(cè)元件的光檢測(cè)信息。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供了一種用于顯示裝置的光檢測(cè)方法，該顯示裝置包 括具有發(fā)光元件的像素電路、和用于檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件的光并輸出光檢測(cè)信息 的光檢測(cè)部分，所述方法包括步驟在所述傳感器_開關(guān)兼用元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，輸出對(duì) 應(yīng)于流到傳感器_開關(guān)兼用元件的電流的變化量的光檢測(cè)信息，所述傳感器_開關(guān)兼用元 件通過(guò)在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為 檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，并且所述傳感器-開關(guān)兼用元件提供在光 檢測(cè)部分中。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供了一種電子裝置，包括多個(gè)像素電路，其以矩陣布 置在多個(gè)信號(hào)線和多個(gè)掃描線相互交叉的位置，并分別包括發(fā)光元件；發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分，用來(lái) 將信號(hào)值施加到每個(gè)所述像素電路，以使得像素電路發(fā)出對(duì)應(yīng)于信號(hào)值的亮度的光；以及 光檢測(cè)部分，包括傳感器_開關(guān)兼用元件，其通過(guò)將傳感器_開關(guān)兼用元件在導(dǎo)通狀態(tài)和 截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)光的光傳感器， 所述光檢測(cè)部分還包括在光檢測(cè)部分中形成的檢測(cè)信號(hào)輸出電路，用于輸出來(lái)自所述傳感 器_開關(guān)兼用元件的光檢測(cè)信息。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，包括像素電路，包括發(fā)光元件； 以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)晶體管、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管和電源線。所述光檢測(cè)晶體管連 接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極和所述電源線之間。所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù)到 柵極的電勢(shì)，變化在漏極和源極之間流動(dòng)的電流。第一電勢(shì)提供到所述電源線，并且還通過(guò) 所述光檢測(cè)晶體管提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極。在所述光檢測(cè)晶體管置于第二 狀態(tài)內(nèi)的檢測(cè)時(shí)段內(nèi)，第二電勢(shì)提供到所述電源線，同時(shí)所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極 電勢(shì)響應(yīng)于所述發(fā)光元件的光朝向第二電勢(shì)變化。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，包括像素電路，包括發(fā)光元件； 以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)晶體管、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管、電源線和電容元件。所述光檢 測(cè)晶體管連接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極和所述電源線之間。所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管根據(jù)到柵極的電勢(shì)，變化在漏極和源極之間流動(dòng)的電流。所述電容元件連接在所述光 檢測(cè)晶體管的柵極和所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極之間。預(yù)定電勢(shì)提供到所述電源線。 在所述光檢測(cè)晶體管置于第一狀態(tài)內(nèi)的檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)，預(yù)定電勢(shì)通過(guò)所述光檢測(cè)晶體管 提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極。所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)通過(guò)所述光 檢測(cè)晶體管從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)換而變化。在所述光檢測(cè)晶體管置于第二狀態(tài)內(nèi)的 檢測(cè)時(shí)段內(nèi)，所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)響應(yīng)于所述發(fā)光元件的光而朝向預(yù)定電 勢(shì)變化。在該顯示裝置、光檢測(cè)方法和電子裝置中，下述傳感器-開關(guān)兼用元件用作光檢 測(cè)部分的光檢測(cè)元件，該傳感器_開關(guān)兼用元件通過(guò)將其在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換 而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)來(lái)自發(fā)光元件的光的光傳感器。因 此，可以通過(guò)單個(gè)元件實(shí)現(xiàn)用于光檢測(cè)部分中的檢測(cè)信號(hào)輸出電路的預(yù)定檢測(cè)的準(zhǔn)備操作 和檢測(cè)操作。
利用該顯示裝置、光檢測(cè)方法和電子裝置，可通過(guò)使用傳感器-開關(guān)兼用元件作 為光檢測(cè)元件，簡(jiǎn)化檢測(cè)信號(hào)輸出電路的配置，使得當(dāng)傳感器_開關(guān)兼用元件處于導(dǎo)通狀 態(tài)時(shí)，其用作切換器件，而當(dāng)其處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其用作光檢測(cè)元件。例如，可以減少組成檢 測(cè)信號(hào)輸出電路的晶體管的數(shù)量。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量的提高，并且可以實(shí)現(xiàn)具有高精度的檢 測(cè)操作。此外，通過(guò)使用光檢測(cè)的結(jié)果執(zhí)行信號(hào)校正等，可實(shí)現(xiàn)針對(duì)由發(fā)光元件的效率劣化 導(dǎo)致的畫面質(zhì)量的缺陷(如屏幕燒壞)的對(duì)策。本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的描述和權(quán)利要求 變得明顯，在附圖中，相同的部分或元件由相同的參考符號(hào)表示。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的框圖；圖2是示出圖1的顯示裝置中的光檢測(cè)部分的布置的示例的示意圖；圖3是示出在到達(dá)本發(fā)明的過(guò)程中(in the course to the present invention) 已經(jīng)考慮的配置的電路圖；圖4是圖示圖3的電路的操作的波形圖；圖5是示出在到達(dá)本發(fā)明的過(guò)程中已經(jīng)考慮的另一配置的電路圖；圖6是圖示圖5的電路的操作的波形圖；圖7到9是圖示圖5的電路的操作的等效電路圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素電路和光檢測(cè)部分的電路圖；圖11A、11B、12A和12B是圖示通過(guò)圖10所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)操作時(shí)段的 示意圖；圖13是圖示通過(guò)圖10所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)時(shí)的操作的波形圖；圖14到17是圖示通過(guò)圖10所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)時(shí)的操作的等效電路圖；圖18是示出對(duì)圖10所示的像素電路和光檢測(cè)部分的修改的電路圖；圖19是圖示通過(guò)圖18所示的修改的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)操作的波形圖；圖20是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的框圖；圖21是示出圖20所示的像素電路和光檢測(cè)部分的電路圖；圖22是圖示通過(guò)圖20所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)時(shí)段的波形圖；圖23是圖示通過(guò)圖20所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)操作的波形圖；圖24到28是圖示通過(guò)圖20所示的光檢測(cè)部分的光檢測(cè)時(shí)的操作的等效電路圖；圖29是圖示通過(guò)對(duì)第二實(shí)施例的修改I的光檢測(cè)時(shí)段的波形圖；圖30是圖示對(duì)第二實(shí)施例的修改I的光檢測(cè)操作的波形圖；圖31是示出對(duì)第二實(shí)施例的修改II的電路圖；圖32是圖示通過(guò)對(duì)第二實(shí)施例的修改II的光檢測(cè)時(shí)段的波形圖；圖33是圖示對(duì)第二實(shí)施例的修改II的光檢測(cè)操作的波形圖；圖34是示出對(duì)第二實(shí)施例的修改III的電路圖；圖35A和35B是圖示對(duì)第二實(shí)施例的修改IV的光檢測(cè)操作的波形圖；圖36A和36B是示出本發(fā)明的應(yīng)用的示例的示意圖；以及圖37A和37B是圖示針對(duì)屏幕燒壞的校正的示意圖。
具體實(shí)施例方式在下面，以下述順序描述本發(fā)明實(shí)施例。<1.顯示裝置的配置><2.在到達(dá)本發(fā)明的過(guò)程中所考慮的〉<3.第一實(shí)施例〉[3-1.電路配置][3-2.光檢測(cè)操作時(shí)段][3-3.光檢測(cè)操作][3-4.對(duì)第一實(shí)施例的修改]<4.第二實(shí)施例>[4-1.電路配置][4-2.光檢測(cè)操作][4-3.對(duì)第二實(shí)施例的修改]<5.應(yīng)用 ><1.顯示裝置的配置〉圖1中示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的配置。有機(jī)EL顯示裝置包括多個(gè)像素電路10，其每個(gè)包括有機(jī)EL器件作為用于根據(jù)有 源矩陣方法執(zhí)行發(fā)光驅(qū)動(dòng)的發(fā)光元件。有機(jī)EL顯示裝置作為顯示設(shè)備并入各種電子裝置 中。具體地，有機(jī)EL顯示裝置并入如例如電視接收器、監(jiān)視器裝置、記錄和再現(xiàn)裝置、通信 裝置、計(jì)算機(jī)裝置、音頻裝置、視頻裝置、游戲機(jī)和家庭電子裝置的各種電子裝置中。參照?qǐng)D1，有機(jī)EL顯示裝置包括像素陣列20，其中大量像素電路10在行方向和列 方向(即，以m行Xn列)以矩陣排列。注意到，每個(gè)像素電路10起作用為R(紅)、G(綠) 和B (藍(lán))的發(fā)光像素之一，并且彩色顯示裝置通過(guò)根據(jù)預(yù)定規(guī)則排列各個(gè)顏色的像素電路 10來(lái)配置。作為用于驅(qū)動(dòng)像素電路10發(fā)光的組件，提供水平選擇器11和寫入掃描器12。在像素陣列20上，在列方向上排列信號(hào)線DTL(具體地，DTL1、DTL2、...)，其通過(guò) 水平選擇器11來(lái)選擇，用于將根據(jù)亮度信號(hào)的信號(hào)值(即，灰度值)的電壓作為顯示數(shù)據(jù) 提供到像素電路10。信號(hào)線DTL1、DTL2、...的數(shù)量等于像素陣列20中的矩陣中布置的像 素電路10的列數(shù)。此外，在像素陣列20上，在行方向上排列寫入控制線WSL，即WSL1、WSL2、...。寫 入控制線WSL的數(shù)量等于在像素陣列20上的行方向上矩陣中布置的像素電路10的數(shù)量。寫入控制線WSL(即WSL1、WSL2、...)由寫入掃描器12驅(qū)動(dòng)。寫入掃描器12將掃 描脈沖WS連續(xù)提供到各行中布置的寫入控制線WSL1、WSL2、...，以便以行為單位線序掃描 像素電路10。水平選擇器11以與通過(guò)寫入掃描器12的線序掃描的定時(shí)關(guān)系，將信號(hào)值電勢(shì) Vsig作為到像素電路10的輸入信號(hào)提供到在列方向中布置的信號(hào)線DTL1、DTL2、...。對(duì)應(yīng)于每個(gè)像素電路10提供光檢測(cè)部分30。光檢測(cè)部分30在其內(nèi)部包括作為此 后描述的傳感器兼用晶體管TlO的起作用為光傳感器的元件、以及包括該元件的檢測(cè)信號(hào)輸出電路。光檢測(cè)部分30輸出對(duì)應(yīng)像素電路10的發(fā)光元件的發(fā)光量的檢測(cè)信息。此外，提供用于控制光檢測(cè)部分30的操作的檢測(cè)操作控制部分21。控制線 TLa (即，TLal、TLa2、...)和控制線TLb (即，TLb 1、TLb2、...)從檢測(cè)操作控制部分21延 伸到光檢測(cè)部分30。盡管此后描述光檢測(cè)部分30的檢測(cè)信號(hào)輸出電路的配置，但是控制線TLa起作用 為將用于光檢測(cè)部分30中的切換晶體管T3的導(dǎo)通/截止控制的控制脈沖pT3提供到切換 晶體管Τ3。同時(shí)，控制線TLb起作用為將用于光檢測(cè)部分30中的傳感器兼用晶體管TlO的 導(dǎo)通/截止控制的控制脈沖PTlO提供到傳感器兼用晶體管T10。此外，對(duì)光檢測(cè)部分30排列用于提供光檢測(cè)部分30的操作電源電壓的電源線 VL( S卩，VLl, VL2，...)。檢測(cè)操作控制部分21將從操作電源電壓Vcc和參考電勢(shì)Vini形 成的脈沖電壓施加到電源線VL，S卩，VLl，VL2，...。此外，對(duì)光檢測(cè)部分30例如在列方向布置光檢測(cè)線DETL，即DETLl, DETL2，· · ·。 光檢測(cè)線DETL用作用于輸出電壓作為通過(guò)光檢測(cè)部分30的檢測(cè)信息的線。光檢測(cè)線DETL (即DETLl，DETL2，···)連接到光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22 執(zhí)行關(guān)于光檢測(cè)線DETL的電壓檢測(cè)，以通過(guò)光檢測(cè)部分30檢測(cè)光量檢測(cè)信息。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22將通過(guò)光檢測(cè)部分30關(guān)于像素電路10的光量檢測(cè)信息施加到 水平選擇器11中的信號(hào)值校正部分11a。信號(hào)值校正部分Ila基于光量檢測(cè)信息，判斷像素電路10中的有機(jī)EL器件的發(fā) 光效率的劣化度，并根據(jù)判斷的結(jié)果執(zhí)行要施加到像素電路10的信號(hào)值Vsig的校正處理。有機(jī)EL器件的發(fā)光效率隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而劣化。具體地，即使提供相同電流，隨時(shí)間 經(jīng)過(guò)，發(fā)光亮度也降低。因此，在根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置中，檢測(cè)每個(gè)像素電路10的發(fā)光 量，并基于檢測(cè)的結(jié)果判斷發(fā)光亮度的劣化。因此，響應(yīng)于劣化度校正信號(hào)值Vsig自身。例 如，在要施加作為一定電壓值Vl的信號(hào)值Vsig的情況下，執(zhí)行校正，使得設(shè)置基于發(fā)光亮 度的劣化度確定的校正值α，并施加作為電壓值Vl+α的信號(hào)值Vsig。通過(guò)將以如上所述這種方式檢測(cè)的每個(gè)像素電路10的發(fā)光亮度的劣化反饋到信 號(hào)值Vsig，補(bǔ)償該劣化，以減少屏幕燒壞。具體地，例如，在如圖37A所示出現(xiàn)屏幕燒壞的情況下，如圖37B所示減少屏幕燒壞。注意到，盡管圖1中沒(méi)有示出，但是用于提供作為要求的固定電勢(shì)的陰極電勢(shì) Vcat的電勢(shì)線連接到像素電路10和光檢測(cè)部分30 (圖10所示)。此外，圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的配置，并且此后參照?qǐng)D20描 述根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置。順便提及，雖然對(duì)每個(gè)像素電路10提供單個(gè)光檢測(cè)部分30，但是不必對(duì)每個(gè)像素 電路10提供一個(gè)光檢測(cè)部分30。換句話說(shuō)，可應(yīng)用另一配置，其中一個(gè)光檢測(cè)部分30對(duì)多個(gè)像素電路10執(zhí)行光檢 測(cè)，例如，類似圖2所示的配置，其中對(duì)四個(gè)像素電路10布置一個(gè)光檢測(cè)部分30。例如，可 采用這樣的技術(shù)，其中執(zhí)行如圖2所示的關(guān)于四個(gè)像素電路10a、10b、10c和IOd的光檢測(cè)， 同時(shí)按順序連續(xù)驅(qū)動(dòng)像素電路10a、IObUOc和IOd發(fā)光，通過(guò)布置在像素電路10a、IObUOc 和IOd之間的中心位置的光檢測(cè)部分30a連續(xù)執(zhí)行光檢測(cè)?；蚩刹捎昧硪患夹g(shù)，其中盡管同時(shí)驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素電路10發(fā)光，但是以例如包括像素電路10a、10b、10c和IOd的像素塊為
單位檢測(cè)光量。<2.在到達(dá)本發(fā)明的過(guò)程中已經(jīng)考慮到的配置〉這里，在描述本發(fā)明實(shí)施例的電路配置和操作之前，描述在到達(dá)本發(fā)明的過(guò)程中 已經(jīng)考慮的光檢測(cè)部分，以便利本實(shí)施例的理解。圖3示出為減少屏幕燒壞而設(shè)計(jì)的像素電路10和光檢測(cè)部分100。參照?qǐng)D3，像素電路10包括驅(qū)動(dòng)晶體管Td、采樣晶體管Ts、保持電容器Cs和有機(jī) EL元件1。以下更具體地描述具有該配置的像素電路10。為了補(bǔ)償像素電路10的有機(jī)EL元件1的發(fā)光效率的下降，提供光檢測(cè)部分100， 其包括光檢測(cè)元件或光傳感器Sl、以及插入在電源電壓Vcc和固定光檢測(cè)線DETL之間的切 換晶體管Tl。在該實(shí)例中，例如光電二極管形式的光傳感器Sl提供對(duì)應(yīng)于來(lái)自有機(jī)EL元件1 的發(fā)光量的漏電流。通常，當(dāng)二極管檢測(cè)光時(shí)，其電流增加。此外，電流的增加量依賴于入射到二極管 的光量而變化。具體地，如果光量大，則電流的增加量大，并且如果光量小，則電流的增加量 小。如果使得切換晶體管Tl導(dǎo)通，則流過(guò)光傳感器Sl的電流流到光檢測(cè)線DETL。連接到光檢測(cè)線DETL的外部驅(qū)動(dòng)器101檢測(cè)從光傳感器Sl提供到光檢測(cè)線DETL 的電流量。通過(guò)外部驅(qū)動(dòng)器101檢測(cè)的電流值轉(zhuǎn)換為檢測(cè)信息信號(hào)，并且提供到水平選擇器 11。水平選擇器11從檢測(cè)信息信號(hào)判斷檢測(cè)電流值是否對(duì)應(yīng)于提供到像素電路10的信號(hào) 值Vsig。如果有機(jī)EL元件1的發(fā)光亮度指示劣化級(jí)別，則檢測(cè)電流量指示降低級(jí)別。在此 實(shí)例中，校正信號(hào)值Vsig。圖4中圖示光檢測(cè)操作波形。這里，光檢測(cè)部分100輸出檢測(cè)電流到外部驅(qū)動(dòng)器 101的時(shí)段被確定為一幀。在圖4所示的信號(hào)寫入時(shí)段內(nèi)，像素電路10中的采樣晶體管Ts利用掃描脈沖WS 展現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，并且從水平選擇器11施加到信號(hào)線DTL的信號(hào)值Vsig輸入到像素電路10。 信號(hào)值Vsig輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極，并保持在保持電容器Cs中。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管 Td將對(duì)應(yīng)于其柵極-源極電壓的電流提供到有機(jī)EL元件1，使得有機(jī)EL元件1發(fā)光。例 如，如果在當(dāng)前幀內(nèi)對(duì)于白色顯示提供信號(hào)值Vsig，則有機(jī)EL元件1在當(dāng)前幀內(nèi)發(fā)出白電 平的光。在發(fā)出白電平的光的幀內(nèi)，利用控制脈沖pTl使得光檢測(cè)部分100中的切換晶體 管Tl導(dǎo)通。因此，接收有機(jī)EL元件1的光的光傳感器Sl的電流的變化反映在光檢測(cè)線 DETL 上。例如，如果流過(guò)光傳感器Sl其上的電流量等于最初應(yīng)當(dāng)發(fā)出的光量，并通過(guò)如圖 4中的實(shí)線指示，則如果通過(guò)有機(jī)EL元件1的劣化減少了發(fā)光量，則其如通過(guò)圖4中的虛線 指示。由于對(duì)應(yīng)于發(fā)光亮度的劣化的電流的變化出現(xiàn)在光檢測(cè)線DETL上，因此外部驅(qū) 動(dòng)器101可以檢測(cè)電流量，并獲得劣化度的信息。然后，信息反饋到水平選擇器11，以校正信號(hào)值Vsig來(lái)執(zhí)行亮度劣化的補(bǔ)償。因此，可以降低屏幕燒壞。然而，如上所述的這種光檢測(cè)系統(tǒng)導(dǎo)致下面的缺點(diǎn)。具體地，光傳感器Sl接收有機(jī)EL元件1的發(fā)出的光，并增加其電流。對(duì)于如光傳 感器Sl的二極管，優(yōu)選地，使用其截止區(qū)域，其中展現(xiàn)大電流變化，即，施加的負(fù)值的電壓 逼近零。這是因?yàn)榭上鄬?duì)精確地檢測(cè)電流變化。然而，即使此時(shí)的電流值指示增加，由于其關(guān)于導(dǎo)通電流非常低，因此如果意圖以 高精度檢測(cè)亮度變化，則為充電光檢測(cè)線DETL的寄生電容可能需要長(zhǎng)時(shí)間段。例如，難以 在一幀中以高精度檢測(cè)電流變化。作為對(duì)策，增加光傳感器Sl的大小以增加電流量是可能的構(gòu)思。然而，隨著大小 增加，光檢測(cè)部分100在像素陣列20中占據(jù)的面積的比增加。因此，已經(jīng)設(shè)計(jì)了如圖5所示的這種光檢測(cè)部分200。參照?qǐng)D5，作為光檢測(cè)部分200的檢測(cè)信號(hào)輸出電路包括光傳感器Si、電容器Cl、 η溝道TFT形式的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5、切換晶體管Τ3和Τ4、以及晶體管的二極管連接 形式的二極管Dl。光傳感器Sl連接在電源電壓Vcc和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極之間。光傳感器Sl使用PIN 二極管或非晶硅產(chǎn)生。布置光傳感器Si，以便檢測(cè)從有機(jī)EL元件1發(fā)出的光。光傳感器Sl的電流響應(yīng) 于檢測(cè)光量增加或減少。具體地，如果有機(jī)EL元件1的發(fā)光量大，則電流增加量大，但是如 果有機(jī)EL元件1的發(fā)光量小，則電流增加量小。電容器Cl連接在電源電壓Vcc和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極之間。檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5在其漏極連接到電源電壓Vcc，并且在其源極連接到切換 晶體管T3。切換晶體管T3連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極和光檢測(cè)線DETL之間。利 用從控制線TLx提供到其柵極的控制脈沖pT3，導(dǎo)通/截止切換晶體管Τ3。當(dāng)切換晶體管 Τ3導(dǎo)通時(shí)，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的源極電勢(shì)輸出到光檢測(cè)線DETL。二極管Dl連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的源極和陰極電勢(shì)Vcat之間。切換晶體管Τ4在其漏極和源極連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極和參考電勢(shì) Vini之間。利用從控制線TLy提供到其柵極的控制脈沖ρΤ4，導(dǎo)通/截止切換晶體管Τ4。當(dāng)切換晶體管Τ4導(dǎo)通時(shí)，參考電勢(shì)Vini輸入到切換晶體管Τ5的柵極。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器201包括電壓檢測(cè)部分201a，用于檢測(cè)每個(gè)光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)。 電壓檢測(cè)部分201a檢測(cè)從光檢測(cè)部分200輸出的檢測(cè)信號(hào)電壓，并將檢測(cè)的檢測(cè)信號(hào)電壓 作為有機(jī)EL元件1的發(fā)光量信息(其是亮度劣化的信息)提供到水平選擇器11。圖6圖示在光檢測(cè)操作時(shí)的操作波形。具體地，圖6圖示用于將信號(hào)值Vsig寫入到像素電路10的掃描脈沖WS、用于光檢 測(cè)部分200的控制脈沖pT4和pT3、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓、和出現(xiàn)在光檢測(cè)線 DETL上的電壓。在光檢測(cè)部分200中，首先作為檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段，分別用控制脈沖ρΤ4和ρΤ3導(dǎo)通切 換晶體管Τ3和Τ4。圖7中圖示此時(shí)的狀態(tài)。當(dāng)切換晶體管Τ4導(dǎo)通時(shí)，參考電勢(shì)Vini輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極。
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參考電勢(shì)Vini設(shè)置為利用其導(dǎo)通檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5和二極管Dl的電平。具 體地，參考電勢(shì)Vini高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的閾值電壓VthT5、二極管Dl的閾值電 壓VthDl和陰極電勢(shì)Vcat的和，即，VthT5+VthDl+Vcat。因此，由于電流Iini如圖7所示 流動(dòng)，此外切換晶體管T3導(dǎo)通，因此電勢(shì)Vx輸出到光檢測(cè)線DETL。在檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)，如圖6所示，獲得檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)=Vini、 和光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)=Vx。對(duì)于一幀的時(shí)段內(nèi)的顯示，在像素電路10中執(zhí)行信號(hào)寫入。具體地，在圖6的信 號(hào)寫入時(shí)段內(nèi)，掃描脈沖WS置為H(高)電平，以使得采樣晶體管Ts導(dǎo)通。此時(shí)，水平選擇 器11將用于白色顯示的灰度的信號(hào)值Vsig提供到信號(hào)線DTL。因此，在像素電路10中，有 機(jī)EL元件1根據(jù)信號(hào)值Vsig發(fā)光。此時(shí)的狀態(tài)在圖8中圖示。此時(shí)，光傳感器Sl接收從有機(jī)EL元件1發(fā)出的光，并且其漏電流變化。然而，由于 切換晶體管T4處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓保持參考電勢(shì)Vini。在信號(hào)寫入結(jié)束后，像素電路10中的采樣晶體管Ts截止。同時(shí)，在光檢測(cè)部分200中，控制脈沖pT4置為L(zhǎng)(低)電平以截止切換晶體管Τ4。 該狀態(tài)在圖9中圖示。當(dāng)切換晶體管Τ4截止時(shí)，光傳感器Sl接收從有機(jī)EL元件1發(fā)出的光，并將漏電 流從電源電壓Vcc提供到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極。通過(guò)該操作，如圖6所示，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電壓從參考電勢(shì)Vini逐 漸上升，并且與此同時(shí)，光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)也從電勢(shì)Vx上升。光檢測(cè)線DETL的這種電 勢(shì)變化通過(guò)電壓檢測(cè)部分201a檢測(cè)。檢測(cè)的電勢(shì)對(duì)應(yīng)于有機(jī)EL元件1的發(fā)光量。換句話 說(shuō)，如果通過(guò)像素電路10執(zhí)行如例如白色顯示的特定灰度顯示，則檢測(cè)的電勢(shì)表示有機(jī)EL 元件1的劣化度。例如，通過(guò)圖6中的實(shí)線表示的光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)差表示當(dāng)有機(jī)EL 元件1完全不劣化時(shí)的電勢(shì)差，而通過(guò)圖6中的虛線表示的電勢(shì)差表示當(dāng)有機(jī)EL元件1遭 受劣化時(shí)的電勢(shì)差。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間段之后，控制脈沖pT3置入L電平，以由此截止切換晶體管Τ3來(lái) 終止檢測(cè)操作。例如，以如上所述的這種方式執(zhí)行關(guān)于一幀內(nèi)的有關(guān)的線中的像素電路10的檢 測(cè)。光檢測(cè)部分200的檢測(cè)信號(hào)輸出電路具有源極跟隨器電路的配置，并且如果檢測(cè) 信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電壓變化，則該變化從檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的源極輸出。換 句話說(shuō)，通過(guò)光傳感器Sl的漏電流的變化的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電壓的變化從 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的源極輸出到光檢測(cè)線DETL。同時(shí)，設(shè)置檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極-源極電壓Vgs，以便高于檢測(cè)信號(hào)輸出 晶體管T5的閾值電壓Vth。因此，從檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5輸出的電流值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于參照 圖3在上面描述的電路配置的電流值，并且即使光傳感器Sl的電流值低，由于其經(jīng)過(guò)檢測(cè) 信號(hào)輸出晶體管T5，因此發(fā)光量的檢測(cè)信息也可輸出到光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器201。因此，盡管高精度的光檢測(cè)操作是可能的，但是從增加數(shù)量的元件形成光檢測(cè)部 分200。具體地，光檢測(cè)部分200可能需要光傳感器Si、四個(gè)晶體管T3、T4、T5和Dl以及電 容器Cl，并且這造成了每個(gè)像素的元件的數(shù)量的增加和包括像素電路10的晶體管的比率的增加。這成為了低產(chǎn)量的原因。因此，考慮到上述，本實(shí)施例簡(jiǎn)化了光檢測(cè)部分的配置，以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量，同時(shí)維持 如光檢測(cè)部分200的好的光檢測(cè)。<3.第一實(shí)施例〉[3-1.電路配置]圖10中示出圖1所示的實(shí)施例的像素電路10和光檢測(cè)部分30的配置。參照?qǐng)D10，所示的像素電路10包括η溝道TFT形式的采樣晶體管Ts、保持電容器 Cs、ρ溝通TFT形式的驅(qū)動(dòng)晶體管Td和有機(jī)EL元件1。如圖1所示，在信號(hào)線DTL和寫入控制線WSL之間的交叉點(diǎn)布置像素電路10。信 號(hào)線DTL連接到采樣晶體管Ts的漏極，并且寫入控制線WSL連接到采樣晶體管Ts的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管Td和有機(jī)EL元件1串聯(lián)連接在電源電壓Vcc和陰極電勢(shì)Vcat之間。采樣晶體管Ts和保持電容器Cs連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管Td的 柵極_源極電壓通過(guò)Vgs表示。在像素電路10中，當(dāng)水平選擇器11施加對(duì)應(yīng)于亮度信號(hào)的信號(hào)值到信號(hào)線DTL 時(shí)，如果寫入掃描器12將寫入控制線WSL的掃描脈沖WS置為H電平，則使得采樣晶體管Ts 導(dǎo)通，并且信號(hào)值寫入到保持電容器Cs。寫入保持電容器Cs的信號(hào)值電勢(shì)變?yōu)轵?qū)動(dòng)晶體管 Td的柵極電勢(shì)。如果寫入掃描器12將寫入控制線WSL的掃描脈沖WS置為L(zhǎng)電平，則盡管信號(hào)線 DTL和驅(qū)動(dòng)晶體管Td彼此電斷開，驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極電勢(shì)也通過(guò)保持電容器Cs穩(wěn)定保持。然后，驅(qū)動(dòng)電流Ids流到驅(qū)動(dòng)晶體管Td和有機(jī)EL元件1，以便從電源電壓Vcc導(dǎo) 向陰極電勢(shì)Vcat。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流Ids展現(xiàn)對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極_源極電壓Vgs的值，并且 有機(jī)EL元件1以對(duì)應(yīng)于電流值的亮度發(fā)光。簡(jiǎn)而言之，在像素電路10中，信號(hào)值電勢(shì)從信號(hào)線DTL寫到保持電容器Cs中，以 變化驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極施加電壓，從而控制流到有機(jī)EL元件1的電流的值，以便獲得色 彩形成的灰度。由于設(shè)計(jì)ρ溝道TFT形式的驅(qū)動(dòng)晶體管Td使得其在其源極連接到電源電壓Vcc， 使得驅(qū)動(dòng)晶體管Td通常工作在其飽和區(qū)內(nèi)，因此驅(qū)動(dòng)晶體管Td用作具有通過(guò)如下表達(dá)式 (1)給出的值的恒流源Ids = (1/2) · μ · (ff/L) · Cox · (Vgs-Vth)2 (1)其中，Ids是工作在其飽和區(qū)的晶體管的漏極和源極之間流動(dòng)的電流，μ是遷移 率，W是溝道寬度，L是溝道長(zhǎng)度，Cox是柵極電容，并且Vth是驅(qū)動(dòng)晶體管Td的閾值電壓。如從上面的表達(dá)式(1)顯而易見的，在飽和區(qū)內(nèi)，通過(guò)柵極-源極電壓Vgs控制驅(qū) 動(dòng)晶體管Td的漏極電流Ids。由于驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs保持固定，因此驅(qū) 動(dòng)晶體管Td操作為恒流源，并且可使得有機(jī)EL元件1以固定亮度發(fā)光。通常，有機(jī)EL元件1的電流-電壓特性隨時(shí)間經(jīng)過(guò)劣化。因此，在像素電路10中， 驅(qū)動(dòng)晶體管Td的漏極電壓與有機(jī)EL元件1的依賴于時(shí)間的變化一起變化。然而，由于在 像素電路10中驅(qū)動(dòng)晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs是固定的，因此固定電流量流到有機(jī)EL元件1，并且發(fā)光亮度不變化。簡(jiǎn)而言之，可預(yù)期穩(wěn)定化的灰度控制。然而，隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)，不僅驅(qū)動(dòng)電壓、而且有機(jī)EL元件1的發(fā)光效率劣化。換句話 說(shuō)，即使相同電流提供到有機(jī)EL元件1，有機(jī)EL元件1的發(fā)光亮度也隨時(shí)間一起下降。結(jié) 果，出現(xiàn)如參照?qǐng)D37A在上面描述的這種屏幕燒壞。因此，提供光檢測(cè)部分30，使得執(zhí)行對(duì)應(yīng)于發(fā)光亮度的劣化的校正或補(bǔ)償。作為本實(shí)施例中的光檢測(cè)部分30的檢測(cè)信號(hào)輸出電路包括傳感器兼用晶體管 T10、電容器C2、n溝道TFT形式的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5、和切換晶體管T3，如圖10所示。傳感器兼用晶體管TlO連接在電源線VL和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極之間。提供傳感器兼用晶體管TlO替代參照?qǐng)D5在上面描述的配置中的二極管形式的光 傳感器Si，并且在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間轉(zhuǎn)換，以便起作用為切換元件，此外，在其截止 狀態(tài)下起作用為光傳感器。TFT具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中通過(guò)在溝道層上布置柵極金屬、源極金屬等來(lái)形成。形 成傳感器兼用晶體管T10，以便具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中例如在溝道層之上，形成源極和漏極 的金屬層不相對(duì)地截?cái)嗟綔系缹拥墓狻Q句話說(shuō)，應(yīng)當(dāng)形成TFT，使得可允許外部光進(jìn)入溝道層。布置傳感器兼用晶體管TlO以便檢測(cè)從有機(jī)EL元件1發(fā)出的光。然后，在傳感器 兼用晶體管TlO的截止?fàn)顟B(tài)下，其漏電流響應(yīng)于發(fā)光量而增加或減少。具體地，如果有機(jī)EL 元件1的發(fā)光量大，則漏電流的增加量大，而如果發(fā)光量小，則漏電流的增加量小。傳感器兼用晶體管TlO在其柵極連接到控制線TLb。因此，利用上面參照?qǐng)D1所述 的檢測(cè)操作控制部分21的控制脈沖pTIO，導(dǎo)通/截止傳感器兼用晶體管T10。當(dāng)傳感器兼 用晶體管TlO導(dǎo)通時(shí)，電源線VL的電勢(shì)輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。注意到，如上所述，可采取電源電壓Vcc和參考電勢(shì)Vini的兩個(gè)值的脈沖電壓從 檢測(cè)操作控制部分21提供到電源線VL。電容器C2連接在陰極電勢(shì)Vcat和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極之間。提供電 容器C2，以保持檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓。 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5在其漏極連接到電源線VL。檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5在其 源極連接到切換晶體管T3。切換晶體管T3連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極和光檢測(cè)線DETL之間。切 換晶體管T3在其柵極連接到控制線TLa，并因此用上面參照?qǐng)D1所述的檢測(cè)操作控制部分 21的控制脈沖pT3導(dǎo)通/截止。當(dāng)切換晶體管Τ3導(dǎo)通時(shí)，流到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的 電流輸出到光檢測(cè)線DETL。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22包括電壓檢測(cè)部分22a，用于檢測(cè)每個(gè)光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)。電 壓檢測(cè)部分22a檢測(cè)從光檢測(cè)部分30輸出的檢測(cè)信號(hào)電壓，并且將檢測(cè)信號(hào)電壓作為有機(jī) EL元件1的發(fā)光量信息(即，作為有機(jī)EL元件1的亮度劣化的信息)提供到上面參照?qǐng)D1 描述的水平選擇器11，具體地，提供到信號(hào)值校正部分11a。注意到，例如二極管連接的晶體管的形式的二極管Dl連接到光檢測(cè)線DETL，以便 為電流路徑提供例如陰極電勢(shì)Vcat的固定值。據(jù)此，圖5所示的光檢測(cè)部分200中的二極管Dl布置在像素陣列20之外，即，在 光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22 —側(cè)，并且這成為減少本示例的光檢測(cè)部分30的元件的數(shù)量的因素。
以此方式，通過(guò)提供傳感器兼用晶體管TlO和通過(guò)外部布置二極管D1，本示例的 光檢測(cè)部分30從三個(gè)晶體管T3、T5和TlO和電容器C2配置。[3-2.光檢測(cè)操作時(shí)段]盡管通過(guò)上面參照?qǐng)D10描述的光檢測(cè)部分30執(zhí)行檢測(cè)像素電路10的有機(jī)EL元 件1的發(fā)光量的光檢測(cè)操作，但是這里描述光檢測(cè)部分30的光檢測(cè)操作等的執(zhí)行時(shí)段。圖IlA圖示在普通圖像顯示后執(zhí)行的光檢測(cè)操作。注意到，下面使用的術(shù)語(yǔ)“普通圖像顯示”表示這樣的狀態(tài)，其中基于提供到顯示 裝置的圖像信號(hào)的信號(hào)值Vsig提供到每個(gè)像素電路10，以執(zhí)行通常的動(dòng)態(tài)圖像或靜態(tài)圖 像的圖像顯示。假設(shè)在圖IlA中，在時(shí)間t0接通到顯示裝置的電源。這里，在時(shí)間tl之前，執(zhí)行接通電源時(shí)的各種初始化操作，并且在時(shí)間tl開始普 通圖像顯示。然后，在時(shí)間tl之后，執(zhí)行視頻圖像的幀F(xiàn)1、F2...的顯示，作為普通圖像顯
7J\ ο在此時(shí)段中，光檢測(cè)部分30不執(zhí)行光檢測(cè)操作。在時(shí)間t2，普通圖像顯示結(jié)束。這例如對(duì)應(yīng)于這樣的情況執(zhí)行電源的關(guān)斷操作。在圖IlA的示例中，光檢測(cè)部分30在時(shí)間t2之后執(zhí)行光檢測(cè)操作。在該實(shí)例中，例如在一幀的時(shí)段內(nèi)，對(duì)于一行的像素執(zhí)行光檢測(cè)操作。例如，當(dāng)開始光檢測(cè)操作時(shí)，水平選擇器11使得第一幀F(xiàn)a內(nèi)的像素電路10執(zhí)行 這樣的顯示第一行通過(guò)白色顯示顯示，如圖IlB所示。簡(jiǎn)而言之，信號(hào)值Vsig施加到像素 電路10，使得第一行中的像素電路10執(zhí)行白色顯示，即，高亮度灰度顯示，同時(shí)所有其他像 素電路10執(zhí)行黑色顯示。在幀F(xiàn)a的時(shí)段內(nèi)，對(duì)應(yīng)于第一行中的像素的光檢測(cè)部分30檢測(cè)對(duì)應(yīng)像素的發(fā)光 量。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22執(zhí)行各列的光檢測(cè)線DETL的電壓檢測(cè)，以獲得第一行中的像素的發(fā) 光亮度信息。然后，發(fā)光亮度信息反饋到水平選擇器11。在下一幀F(xiàn)b中，水平選擇器11使得像素電路10執(zhí)行如圖IlB所示在第二行中執(zhí) 行白色顯示的這種顯示。換句話說(shuō)，水平選擇器11使得第二行中的像素電路10執(zhí)行白色 顯示，即高亮度灰度顯示，但是使得所有其他像素電路10執(zhí)行黑色顯示。在幀F(xiàn)b的時(shí)段內(nèi)，對(duì)應(yīng)于第二行中的像素的光檢測(cè)部分30檢測(cè)對(duì)應(yīng)像素的發(fā)光 量。光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22執(zhí)行各列的光檢測(cè)線DETL的電壓檢測(cè)，以獲得第二行中的像素的發(fā) 光亮度信息。然后，發(fā)光亮度信息反饋到水平選擇器11。如上所述的這種操作序列重復(fù)直到最后行。在最后行的像素的發(fā)光亮度信息被檢 測(cè)并反饋到水平選擇器11的階段，光檢測(cè)操作結(jié)束。水平選擇器11基于像素的發(fā)光亮度信息，執(zhí)行信號(hào)值校正處理。當(dāng)在時(shí)間t3完成上述光檢測(cè)操作時(shí)，執(zhí)行需要的處理，如例如關(guān)斷到顯示裝置的 電源。注意到，在對(duì)每行的光檢測(cè)操作中選擇對(duì)應(yīng)于該行中的像素的光檢測(cè)部分30的 同時(shí)，用檢測(cè)操作控制部分21的控制脈沖pT3執(zhí)行選擇。具體地，由于在對(duì)應(yīng)于相關(guān)行的像素的光檢測(cè)部分30中導(dǎo)通晶體管Τ3，因此其他 行中的光檢測(cè)部分30的信息不輸出到光檢測(cè)線DETL，因此，可執(zhí)行相關(guān)行的像素的光量檢測(cè)。圖12A圖示在普通圖像顯示的執(zhí)行期間的一定時(shí)段內(nèi)執(zhí)行的光檢測(cè)操作。假設(shè)例如在時(shí)間tlO開始普通圖像顯示。在開始普通圖像顯示之后，在一幀的時(shí) 段內(nèi)，對(duì)于一行執(zhí)行通過(guò)光檢測(cè)部分30的光檢測(cè)操作。換句話說(shuō)，執(zhí)行類似于在從圖IlA 的時(shí)間t2到時(shí)間t3的時(shí)段內(nèi)執(zhí)行的檢測(cè)操作的檢測(cè)操作。然而，每個(gè)像素電路10中的顯 示是通常情況下的圖像顯示，而不是對(duì)于圖IlB的光檢測(cè)操作的顯示。當(dāng)對(duì)第一行到最后一行結(jié)束光檢測(cè)操作時(shí)，光檢測(cè)部分30結(jié)束光檢測(cè)操作一次。在每個(gè)預(yù)定時(shí)段之后執(zhí)行光檢測(cè)操作，并且如果假設(shè)檢測(cè)操作時(shí)段的定時(shí)到達(dá)一 定時(shí)間tl2，則類似執(zhí)行從第一行到最后行的光檢測(cè)操作。然后，在光檢測(cè)操作完成后，在預(yù) 定時(shí)間段內(nèi)不執(zhí)行光檢測(cè)操作。例如，在普通圖像顯示的執(zhí)行期間，可在預(yù)定時(shí)段內(nèi)并行執(zhí)行光檢測(cè)操作。圖12B圖示當(dāng)電源接通時(shí)執(zhí)行的光檢測(cè)操作。假設(shè)在時(shí)間t20接通到顯示裝置的電源。這里，緊接在當(dāng)使得電源可用時(shí)執(zhí)行的 各種初始化操作(如啟動(dòng))之后，從時(shí)間t21起執(zhí)行光檢測(cè)操作。具體地，執(zhí)行類似于在從 圖11的時(shí)間t2到時(shí)間t3的時(shí)段內(nèi)執(zhí)行的操作的檢測(cè)操作。此外，每個(gè)像素電路10執(zhí)行 光檢測(cè)操作的顯示，用于對(duì)于每一幀，通過(guò)白色顯示顯示一行。在完成第一行到最后一行的光檢測(cè)操作后，水平選擇器11使得像素電路10在時(shí) 間t22開始普通圖像顯示。光檢測(cè)部分30不執(zhí)行光檢測(cè)操作。例如，如果在普通圖像顯示到達(dá)結(jié)束之后、在普通圖像顯示的執(zhí)行期間、在開始通 常圖像顯示之前或在如上所述的一些其他定時(shí)，執(zhí)行光檢測(cè)操作，并且執(zhí)行基于檢測(cè)的信 號(hào)值校正處理，則可處理發(fā)光亮度的劣化。注意到，可例如在普通圖像顯示結(jié)束之后和開始通常圖像顯示之前的兩個(gè)定時(shí)執(zhí) 行光檢測(cè)操作。在普通圖像顯示結(jié)束之后和開始通常圖像顯示之前的定時(shí)之一或兩者執(zhí)行光檢 測(cè)操作的情況下，由于可執(zhí)行如圖IlB所示對(duì)于光檢測(cè)操作的這種顯示，因此存在可用如 白色顯示的情況下的高灰度的發(fā)光執(zhí)行檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)。此外，可執(zhí)行任意灰度的顯示，以檢測(cè) 每個(gè)灰度的劣化度。另一方面，在普通圖像顯示的執(zhí)行期間執(zhí)行光檢測(cè)操作的情況下，由于實(shí)際顯示 的圖像的實(shí)質(zhì)是無(wú)窮的，因此不可能指定執(zhí)行光檢測(cè)操作的灰度。因此，需要判斷檢測(cè)值作 為采取發(fā)光灰度確定的值(即，然后施加到考慮的檢測(cè)對(duì)象的像素的信號(hào)值Vsig)并執(zhí)行 信號(hào)值校正處理。注意到，由于在普通圖像顯示的執(zhí)行期間可重復(fù)執(zhí)行光檢測(cè)操作和校正 處理，因此存在可基本正常地處理有機(jī)EL元件1的亮度劣化的優(yōu)點(diǎn)。[3-3.光檢測(cè)操作]參照?qǐng)D13到17描述通過(guò)本實(shí)施例的光檢測(cè)部分30的光檢測(cè)操作。在圖IlA和 IlB的普通圖像顯示到達(dá)結(jié)束之后執(zhí)行光檢測(cè)操作。圖13示出關(guān)于光檢測(cè)部分30的操作的波形。具體地，圖13示出要從寫入掃描器 12施加到像素電路10 (具體地，施加到采樣晶體管Ts)的掃描脈沖WS。圖13還分別圖示要從檢測(cè)操作控制部分21施加到控制線TLb和TLa的控制脈沖 pTIO和pT3。光檢測(cè)部分30的傳感器兼用晶體管TlO響應(yīng)于控制脈沖pTIO導(dǎo)通/截止。此外，光檢測(cè)部分30的切換晶體管T3響應(yīng)于控制脈沖pT3導(dǎo)通/截止。圖13還圖示電源線VL的電源脈沖。如圖13所示，檢測(cè)操作控制部分21在光檢 測(cè)時(shí)段之前的檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)施加參考電勢(shì)Vini到電源線VL，但在執(zhí)行光檢測(cè)的時(shí)段內(nèi) 施加電源電壓Vcc到電源線VL。圖13還圖示檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電壓和光檢測(cè)線DETL上出現(xiàn)的電壓。假設(shè)一個(gè)光檢測(cè)部分30在圖13所示的一幀的時(shí)段內(nèi)，執(zhí)行關(guān)于對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素 電路10的光量檢測(cè)。對(duì)于光檢測(cè)部分30，在包括檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段的從時(shí)間tmO到時(shí)間tm6的時(shí)段內(nèi)，檢測(cè) 操作控制部分21首先將電源線VL設(shè)置為參考電勢(shì)Vini。然后，在從時(shí)間tml到時(shí)間tm5的時(shí)段內(nèi)執(zhí)行檢測(cè)準(zhǔn)備。檢測(cè)操作控制部分21在 時(shí)間tml，首先將控制脈沖ρΤΙΟ設(shè)置為H電平，以導(dǎo)通傳感器兼用晶體管T10。此外，在時(shí) 間tm2，檢測(cè)操作控制部分21將控制脈沖pT3設(shè)置為H電平，以導(dǎo)通切換晶體管Τ3。該實(shí) 例下的狀態(tài)在圖14中圖示。在電源線VL設(shè)置為參考電勢(shì)Vini的時(shí)間tml導(dǎo)通傳感器兼用晶體管TlO的情況 下，參考電勢(shì)Vini輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。然后，當(dāng)切換晶體管T3導(dǎo)通時(shí)， 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極連接到光檢測(cè)線DETL。這里，參考電勢(shì)Vini具有利用其導(dǎo)通檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的電平。具體地，參 考電勢(shì)Vini高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的閾值電壓VthT5、連接到光檢測(cè)線DETL的二極 管Dl的閾值電壓VthDl和二極管Dl的源極電勢(shì)(其是例如陰極電勢(shì)Vcat)的和。S卩，參 考電勢(shì) Vini 是 Vini > VthT5+VthDl+Vcat。此后，如圖14所示，電流Iini流動(dòng)，并且光檢測(cè)線DETL具有一定電勢(shì)Vx。由于在 檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)執(zhí)行如上所述的這種操作，因此檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)變?yōu)?等于參考電勢(shì)Vini，并且光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)變?yōu)榈扔陔妱?shì)Vx，如圖13所示。在從圖13的時(shí)間tm3到時(shí)間tm4的時(shí)段內(nèi)，對(duì)一幀時(shí)段的顯示執(zhí)行將信號(hào)值Vsig 寫入到像素電路10中。具體地，在圖13的信號(hào)寫入時(shí)段內(nèi)，掃描脈沖WS設(shè)置為H電平，以使得采樣晶體 管Ts導(dǎo)通。此時(shí)，水平選擇器11將例如白色顯示灰度的信號(hào)值Vsig施加到信號(hào)線DTL。 因此，在像素電路10中，有機(jī)EL元件1根據(jù)信號(hào)值Vsig發(fā)光。在此實(shí)例下的狀態(tài)在圖15 中圖示。此時(shí)，由于傳感器兼用晶體管TlO導(dǎo)通，因此檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓 保持等于參考電勢(shì)Vini。在信號(hào)寫入結(jié)束之后，在時(shí)間tm4，像素電路10中的采樣晶體管Ts截止。同時(shí)，在光檢測(cè)部分30中，在時(shí)間tm5，控制脈沖ρΤΙΟ置為L(zhǎng)電平，以截止傳感器 兼用晶體管T10。該狀態(tài)在圖16中圖示。在傳感器兼用晶體管TlO截止的情況下，對(duì)應(yīng)于電容器C2和傳感器兼用晶體管 TlO的寄生電容之間的電容比的耦合量W輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。因 此，光檢測(cè)線DETL的電壓也變化為由Vx- Δ Va給出的電勢(shì)。通過(guò)該耦合，電勢(shì)差出現(xiàn)在傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間，并且依賴 于接收的光量變化傳感器兼用晶體管TlO的泄漏量。然而，此時(shí)的漏電流很少使檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓變化。這源自于傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電 勢(shì)差小、以及在將電源線VL從參考電勢(shì)Vini變化到電源電壓Vcc的下一操作之前的時(shí)間 短的事實(shí)。在固定時(shí)間段經(jīng)過(guò)之后的時(shí)間tm6，檢測(cè)操作控制部分21將電源線VL的電勢(shì)從參 考電勢(shì)Vini改變到電源電壓Vcc。通過(guò)該操作，來(lái)自電源線VL的耦合輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極，因此， 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)上升。由于電源線VL的電勢(shì)變化為高電勢(shì)，因此傳感 器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的大電勢(shì)差出現(xiàn)，并且響應(yīng)于接收的光量，漏電流從 電源線VL流到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。該狀態(tài)在圖17中圖示。通過(guò)所述操作，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓從 Vini-ΔVa，變化到Vini-ΔVa，+ΔV，。圖13圖示了在時(shí)間tm6之后、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管 T5的柵極電勢(shì)從Vini-Δ Va，逐漸上升到Vini-Δ Va，+ Δ V，的方式。與此同時(shí)，光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)也從電勢(shì)Vx-Δ Va上升到VO+Δ V。注意到，電勢(shì) VO是低灰度顯示狀態(tài)(即，黑色顯示狀態(tài))下的光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)。由于隨著由傳感器 兼用晶體管TlO接收的光量增加、流到傳感器兼用晶體管TlO的電流量增加，因此在高灰度 顯示時(shí)的光檢測(cè)線DETL的電壓高于低灰度顯示時(shí)的電壓。 光檢測(cè)線DETL的這種電勢(shì)變化由電壓檢測(cè)部分22a檢測(cè)。該檢測(cè)電壓對(duì)應(yīng)于有 機(jī)EL元件1的發(fā)光量。換句話說(shuō)，如果像素電路10正執(zhí)行如例如白色顯示的特定灰度顯 示，則檢測(cè)電勢(shì)代表有機(jī)EL元件1的劣化度。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間間隔之后，在時(shí)間tm7，控制脈沖pT3設(shè)為L(zhǎng)電平，以截止切換晶 體管Τ3，從而結(jié)束檢測(cè)操作。因此，沒(méi)有更多電流提供到光檢測(cè)線DETL，并且電勢(shì)變?yōu)榈扔?Vcat+VthDl。注意到，VthDl表示二極管Dl的閾值電壓。例如，以下述方式執(zhí)行關(guān)于一幀內(nèi)的相關(guān)行的像素電路10的檢測(cè)。執(zhí)行如上所述這種光檢測(cè)操作的本實(shí)施例中的光檢測(cè)部分30可以類似于上面參 照?qǐng)D5描述的光檢測(cè)部分200，以高精度執(zhí)行光檢測(cè)操作。具體地，光檢測(cè)部分30的檢測(cè)信號(hào)輸出電路配置為源極跟隨器電路，并且如果檢 測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓變化，則該變化從檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極輸出。因 此，通過(guò)傳感器兼用晶體管TlO的漏電流的變化的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓的變 化從傳感器兼用晶體管TlO的源極輸出到光檢測(cè)線DETL。此外，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極_源極電壓Vgs設(shè)置為高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管T5的閾值電壓Vth。因此，從檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5輸出的電流值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于參照?qǐng)D3 在上面描述的電路配置的電流值。因此，即使傳感器兼用晶體管TlO的電流值低，在電流流 過(guò)檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的情況下，發(fā)光量的檢測(cè)信息也可適當(dāng)?shù)剌敵龅焦鈾z測(cè)驅(qū)動(dòng)器 22。此外，可減少形成光檢測(cè)部分30的晶體管的數(shù)量，并可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量。此外，還為像素陣列20上的元件的安排提供了空間，并且這對(duì)于設(shè)計(jì)是適當(dāng)?shù)?。此外，在光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22將檢測(cè)光量信息作為用于信號(hào)值Vsig的校正的信息反 饋到水平選擇器11的情況下，可采取針對(duì)如屏幕燒壞的畫面質(zhì)量的缺陷的對(duì)策。[3-4.對(duì)第一實(shí)施例的修改]
盡管作為第一實(shí)施例在上面描述了使用傳感器兼用晶體管TlO的配置，但是描述 了對(duì)本第一實(shí)施例的修改。圖18中示出修改的配置。在圖18所示的修改中，連接到光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22中的光 檢測(cè)線DETL的二極管Dl用開關(guān)SW和固定電源(如例如陰極電勢(shì)Vcat)替代。開關(guān)SW用來(lái)自檢測(cè)操作控制部分21的控制信號(hào)pSW接通/關(guān)斷。此外，在本配置的情況下，可類似地執(zhí)行光量檢測(cè)。參照?qǐng)D19描述通過(guò)圖18中所示的配置的操作的示例。首先，在從時(shí)間tmlO到時(shí)間tmll的檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)，用控制脈沖pTIO導(dǎo)通傳感 器兼用晶體管T10，以在電源線VL設(shè)置為參考電勢(shì)Vini的狀態(tài)下，將參考電勢(shì)Vini輸入到 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。此外，在時(shí)間tmll，用控制脈沖pTIO導(dǎo)通切換晶體管T3，并且用控制信號(hào)pSW接 通開關(guān)SW。通過(guò)到目前為止的操作，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)初始化為參考電勢(shì) Vini，并且光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)初始化為陰極電勢(shì)Vcat。然后，在時(shí)間tml2，截止傳感器兼用晶體管T10，并且在時(shí)間tl3，光檢測(cè)線DETL的 電勢(shì)從參考電勢(shì)Vini改變?yōu)殡娫措妷篤cc，以執(zhí)行光檢測(cè)。然后，在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間段之后的時(shí)間tml4設(shè)為光檢測(cè)時(shí)段開始時(shí)間，并且關(guān)斷開 關(guān)SW，使得電壓檢測(cè)部分22a開始光檢測(cè)。在圖18所示的配置中，通過(guò)導(dǎo)通傳感器兼用晶體管T10，固定電勢(shì)(S卩，參考電勢(shì) Vini)輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極以執(zhí)行閾值電壓校正操作。此外，通過(guò)本系統(tǒng)，對(duì)應(yīng)于有機(jī)EL元件1的發(fā)光的電壓輸出到光檢測(cè)線DETL。作為另一修改，可應(yīng)用下面的示例。此外，變化光檢測(cè)部分30中的傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度，以便將要從檢測(cè) 不同波長(zhǎng)的光的光檢測(cè)部分30輸出到光檢測(cè)線DETL的電壓電平固定是適當(dāng)?shù)?。具體地，用于檢測(cè)具有高能量的光的傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度設(shè)為低，而 用于檢測(cè)具有低能量的光的另一傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度設(shè)為高。作為示例，為了 改變光的靈敏度，應(yīng)當(dāng)改變通過(guò)作為傳感器兼用晶體管Tio的晶體管的溝道長(zhǎng)度或溝道寬 度或溝道材料的膜厚度確定的晶體管大小。具體地，檢測(cè)具有較高能量的光(如B光)的光檢測(cè)部分30的傳感器兼用晶體管 TlO的溝道膜厚度設(shè)置為薄，而傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設(shè)為小。相反，檢測(cè)具有 低能量的光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道膜厚度設(shè)為薄，而傳感器兼用晶體管TlO的溝 道寬度設(shè)為大。例如，在對(duì)應(yīng)于B光像素、G光像素和R光像素的光檢測(cè)部分30中，用于檢測(cè)B光 的傳感器兼用晶體管TlO的溝道膜厚度設(shè)為最薄，而用于檢測(cè)R光的傳感器兼用晶體管TlO 的溝道膜厚度設(shè)為最厚?；蛘?，用于檢測(cè)B光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設(shè)為最 小，而用于檢測(cè)R光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設(shè)為最大。或者采用兩個(gè)對(duì)策。通常，隨著要接收的光的波長(zhǎng)變得更短，即，隨著光的能量增加，光檢測(cè)元件提供 更大量的漏電流。因此，通過(guò)響應(yīng)于要接收的光的波長(zhǎng)設(shè)置每個(gè)傳感器兼用晶體管Tio的 靈敏度，可以使得每個(gè)光檢測(cè)部分30中的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)的變化為固
19定值，而無(wú)論要接收的光的能量。結(jié)果，要輸出到光檢測(cè)線DETL的電壓可設(shè)置為不依賴于 發(fā)光波長(zhǎng)而變化的相等電壓。因此，可預(yù)期光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22的簡(jiǎn)化。注意到，如上所述的這種觀點(diǎn)可類似地應(yīng)用到此后描述的本發(fā)明的第二實(shí)施例。此外，像素電路10的配置完全不限于上面描述的示例，并且可采用各種其他配 置。具體地，上面描述的第一實(shí)施例可廣泛應(yīng)用到采用執(zhí)行發(fā)光操作的像素電路的顯示裝 置，而不管上面參照?qǐng)D10描述的像素電路的配置，并且包括用于檢測(cè)像素電路的發(fā)光量 的、在像素電路外提供的光檢測(cè)部分。這點(diǎn)也與第二實(shí)施例相同。<4.第二實(shí)施例〉[4-1.電路配置]描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。根據(jù)第二實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的配置在圖20中 示出，并且下面描述與參照?qǐng)D1在上面描述的有機(jī)EL顯示裝置的配置的不同。注意到，本 實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置包括若干與第一實(shí)施例的組件共同的組件，并且這里省略共同 組件的重復(fù)描述以避免冗余。圖20的裝置與圖1的裝置的不同在于，其不包括從檢測(cè)操作控制部分2延伸到光 檢測(cè)部分30的電源線VL。在上述第一實(shí)施例中，檢測(cè)操作控制部分21將作為電源電壓Vcc的脈沖電壓和參 考電勢(shì)Vini通過(guò)電源線VL施加到光檢測(cè)部分30。相反，在第二實(shí)施例中，下面參照?qǐng)D21 描述的具有固定電勢(shì)的電源線引入到每個(gè)光檢測(cè)部分30中。簡(jiǎn)而言之，沒(méi)有從檢測(cè)操作控 制部分21提供脈沖功率作為電源。這意味著在檢測(cè)操作控制部分21中不需要用于生成電 源脈沖的驅(qū)動(dòng)器。圖21示出像素電路10和光檢測(cè)部分30的配置。注意到，圖21示出連接到相同信號(hào)線DTL的兩個(gè)像素電路10 ( S卩，10_1和10_2)、 以及分別對(duì)應(yīng)于像素電路10-1和10-2并且連接到相同光檢測(cè)線DETL的兩個(gè)光檢測(cè)部分 30(即，30-1和30-2)。在下面的描述中，除了需要具體區(qū)分的情況，它們統(tǒng)稱為“像素電路 10”和“光檢測(cè)部分30”。像素電路10的電路配置與上面參照?qǐng)D3描述的電路配置類似。如上所述，像素電 路10的配置不限于附圖中所示。第二實(shí)施例中，作為光檢測(cè)部分30的檢測(cè)信號(hào)輸出電路包括傳感器兼用晶體管 T10、電容器C2和C3、n溝道TFT形式的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5、以及切換晶體管T3。簡(jiǎn)而 言之，作為組件，電容器C3額外提供到上述第一實(shí)施例中的組件。傳感器兼用晶體管TlO連接在具有固定參考電勢(shì)Vini的電源線(以下簡(jiǎn)稱為“參 考電勢(shì)Vini”)和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極之間。傳感器兼用晶體管TlO不僅在導(dǎo)通 和截止?fàn)顟B(tài)之間切換以便用作切換元件，而且在其截止?fàn)顟B(tài)起作用為光傳感器，類似于上 述第一實(shí)施例。布置傳感器兼用晶體管T10，以便檢測(cè)從有機(jī)EL元件1發(fā)出的光。然后，在截止?fàn)?態(tài)，響應(yīng)于通過(guò)傳感器兼用晶體管TlO的接收光量，傳感器兼用晶體管TlO的漏電流增加或 減小。具體地，如果有機(jī)EL元件1的發(fā)光量大，則漏電流的增加量大，而如果有機(jī)EL元件 1的發(fā)光量小，則漏電流的增加量小。此外，傳感器兼用晶體管TlO在其柵極連接到控制線TLb (在圖21中，傳感器兼用晶體管TlO在其柵極連接到控制線TLbl和TLb2)。因此，傳感器兼用晶體管TlO用圖20所 示的檢測(cè)操作控制部分21的控制脈沖ρΤΙΟ導(dǎo)通/截止。當(dāng)傳感器兼用晶體管TlO導(dǎo)通時(shí)， 參考電勢(shì)Vini輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。電容器C2連接在陰極電勢(shì)Vcat和檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極之間。電容器C3連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極和傳感器兼用晶體管TlO的柵極 之間。檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5在其漏極連接到參考電勢(shì)Vini，并且在其源極連接到切 換晶體管T3。切換晶體管T3連接在檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極和光檢測(cè)線DETL之間。切 換晶體管T3在其柵極連接到控制線TL2，在圖21中，連接到控制線TLal或TLa2，因此，用 圖20所示的檢測(cè)操作控制部分21的控制脈沖pT3接通/截止。當(dāng)切換晶體管Τ3導(dǎo)通時(shí)，流到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的電流輸出到光檢測(cè)線 DETL0光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22包括電壓檢測(cè)部分22a，用于檢測(cè)每個(gè)光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)。電 壓檢測(cè)部分22a檢測(cè)從光檢測(cè)部分30輸出的檢測(cè)信號(hào)電壓，并且將檢測(cè)信號(hào)電壓作為有機(jī) EL元件1的發(fā)光量信息(S卩，亮度劣化的信息)提供到圖20所示的水平選擇器11，具體地， 提供到信號(hào)值校正部分11a。此外，類似于參照?qǐng)D10在上面描述的情況，例如具有二極管連接的晶體管的形 式的二極管Dl連接到光檢測(cè)線DETL，以便將電流路徑提供到固定電勢(shì)，如例如陰極電勢(shì) Vcat0[4-2.光檢測(cè)操作]描述第二實(shí)施例的光檢測(cè)操作。注意到，檢測(cè)時(shí)段可以是如參照?qǐng)DIlA和IlB或 12A和12B在上面描述的。圖22圖示到像素電路10-1和10_2的掃描脈沖WS、到光檢測(cè)部分30_1的控制脈 沖pT3和ρΤΙΟ、以及到光檢測(cè)部分30-2的控制脈沖pT3和ρΤΙΟ。例如，如圖IlA和IlB所 示，在普通圖像顯示結(jié)束后或在一些其他定時(shí)，對(duì)每一行執(zhí)行光檢測(cè)，并且在一幀內(nèi)執(zhí)行單 個(gè)檢測(cè)操作。具體地，在像素電路10-1中，執(zhí)行信號(hào)值Vsig的寫入，以便在一定定時(shí)執(zhí)行一幀 的發(fā)光，此時(shí)，在光檢測(cè)部分30-1中，用控制脈沖pT3和ρΤΙΟ執(zhí)行檢測(cè)準(zhǔn)備和光檢測(cè)。在下一幀時(shí)段內(nèi)，通過(guò)像素電路10-2在一定定時(shí)對(duì)一幀執(zhí)行信號(hào)值Vsig的寫入， 以執(zhí)行發(fā)光，并且此時(shí)，光檢測(cè)部分30-2分別用控制脈沖pT3和ρΤΙΟ執(zhí)行檢測(cè)準(zhǔn)備和光檢 測(cè)?？紤]到像素電路10-1和光檢測(cè)部分30-1參照?qǐng)D23到28描述了光檢測(cè)操作。圖23圖示作為關(guān)于光檢測(cè)部分30-1的操作的波形的、從寫入掃描器12提供到像 素電路10-1 (具體地，提供到采樣晶體管Ts)的掃描脈沖WS。圖23還圖示要分別施加到控制線TLbl和TLal的控制脈沖ρΤΙΟ和pT3。光檢測(cè) 部分30的傳感器兼用晶體管TlO用控制脈沖ρΤΙΟ導(dǎo)通/截止。同時(shí)，光檢測(cè)部分30的切 換晶體管T3用控制脈沖pT3導(dǎo)通/截止。此外，圖23還圖示檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電壓和光檢測(cè)線DETL上出現(xiàn)的電壓。對(duì)于光檢測(cè)部分30-1，在時(shí)間tm20，檢測(cè)操作控制部分21將控制脈沖pTIO設(shè)為 H電平，以導(dǎo)通傳感器兼用晶體管T10。此外，在時(shí)間tm21，控制脈沖pT3設(shè)為高電平，以導(dǎo) 通切換晶體管Τ3。此時(shí)的狀態(tài)在圖24中圖示。由于傳感器兼用晶體管TlO連接到參考電勢(shì)Vini，因此當(dāng)在時(shí)間tm20傳感器兼用 晶體管TlO導(dǎo)通時(shí)，參考電勢(shì)Vini輸入到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極。然后，當(dāng)切換晶 體管T3導(dǎo)通時(shí)，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的源極連接到光檢測(cè)線DETL。此時(shí)，如果參考電勢(shì)Vini具有用于提供電流到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的值，則電 流Iini流動(dòng)，如圖24所示，并且光檢測(cè)線DETL具有一定電勢(shì)Vx。具體地，確定參考電勢(shì)Vini以便滿足其高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的閾值 電壓VthT5、連接到光檢測(cè)線DETL的二極管Dl的閾值電壓VthDl、和連接到二極管Dl 的源極的電源(如，例如陰極電勢(shì)Vcat)的和的條件。簡(jiǎn)而言之，電流Iini在Vini > VthT5+VthDl+Vcat的條件下流動(dòng)。在從圖23的時(shí)間tm22到時(shí)間tm23的時(shí)段內(nèi)，對(duì)于一幀時(shí)段的顯示執(zhí)行將信號(hào)值 Vsig寫入到像素電路10-1。具體地，在圖23的信號(hào)寫入時(shí)段內(nèi)，掃描脈沖WS設(shè)為H電平，以使得采樣晶體管 Ts導(dǎo)通。此時(shí)，水平選擇器11將例如白色顯示灰度的信號(hào)值Vsig提供到信號(hào)線DTL。因 此，像素電路10中的有機(jī)EL元件1響應(yīng)于信號(hào)值Vsig發(fā)光。此時(shí)的狀態(tài)在圖25中圖示。此時(shí)，由于傳感器兼用晶體管TlO導(dǎo)通，因此檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓 保持參考電勢(shì)Vini。光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)也保持電勢(shì)Vx，并且不變。在信號(hào)寫入結(jié)束之后，在時(shí)間tm23，像素電路10-1中的采樣晶體管Ts截止。在光檢測(cè)部分30-1中，在時(shí)間tm24，控制脈沖pTIO設(shè)為L(zhǎng)電平，以截止傳感器兼 用晶體管T10。此時(shí)的狀態(tài)在圖26中圖示。在此實(shí)例中，施加到傳感器兼用晶體管TlO的柵極的控制脈沖PTlO的電壓從高電 勢(shì)(H)變?yōu)榈碗妱?shì)(L)，并且該電壓變化通過(guò)電容器C3施加到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的 柵極。因此，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)從參考電勢(shì)Vini變化為Vini- Δ Va'的電 勢(shì)。這里，“-Δ va”是由從控制脈沖pTIO的H電平到L電平的電壓變化和電容器C3和C2 之間的電容比提供的柵極電壓下降量。設(shè)置電勢(shì)Vini- AVa',使得如上所述其高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的閾值電壓 VthT5、二極管Dl的閾值電壓VthDl和連接到二極管Dl的源極的電源(Vcat)之和。換句 話說(shuō)，設(shè)計(jì)參考電勢(shì)Vini、電容器C2和C3等以便滿足Vini-Δ Va，> VthT5+VthDl+Vcat。 因此，電流Iini流動(dòng)，并且光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)從Vx變?yōu)閂x-Δ Va。這里，“-Δ Va”是對(duì) 應(yīng)于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓的變化“-Δ Va’ ”的光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)變化量。如上所述，通過(guò)當(dāng)傳感器兼用晶體管TlO截止時(shí)的這種耦合，在傳感器兼用晶體 管TlO的漏極和源極之間出現(xiàn)電勢(shì)差A(yù)Va’。如果該電勢(shì)差A(yù)Va’大，則傳感器兼用晶體管TlO依賴于從而接收的光量變化其 漏電流，并且變化檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)。通過(guò)上述操作，在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間間隔之后，如圖27所示，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5 的柵極電勢(shì)變?yōu)閂ini- Δ Va’ + Δ V’。該“+ Δ ψ ”是由流到截止?fàn)顟B(tài)下的傳感器兼用晶體管TlO的漏電流導(dǎo)致的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)的變化量。通過(guò)檢測(cè)信號(hào)輸出晶體 管T5的柵極電勢(shì)的變化，光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)也變?yōu)閂x-Δ Va+Δ V。圖23圖示其中在時(shí)間tm24之后、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的柵極電勢(shì)從 Vini-AVa'上升到Vini-AVa，+ Δ V，、并且光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)從Vx-Δ Va上升到 Vx-Δ Va+Δ V 的方式。在低灰度顯示狀態(tài)(S卩，黑色顯示狀態(tài))下的光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)由VO表示的情 況下，電勢(shì)VO通過(guò)VO = Vx- Δ Va給出。因此，由于隨著傳感器兼用晶體管TlO接收的光量 增加、流到傳感器兼用晶體管TlO的電流量增加，因此高灰度顯示狀態(tài)下的光檢測(cè)線DETL 的電壓高于低灰度顯示狀態(tài)下的電壓，其是VO+ Δ V0光檢測(cè)線DETL的這種電勢(shì)變化由電壓檢測(cè)部分22a檢測(cè)。檢測(cè)電壓對(duì)應(yīng)于從有 機(jī)EL元件1發(fā)出的光量。換句話說(shuō)，發(fā)光亮度可從電勢(shì)AV檢測(cè)。此外，如果通過(guò)像素電路10執(zhí)行如例如 白色灰度的特定灰度的顯示，則檢測(cè)電勢(shì)表示有機(jī)EL元件1的劣化度。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間段之后，在時(shí)間tm25，控制脈沖pT3設(shè)為L(zhǎng)電平，并且切換晶體管 Τ3截止，以結(jié)束檢測(cè)操作，如圖28所示。因此，停止提供電流到光檢測(cè)線，并且光檢測(cè)線的 電勢(shì)變化為Vcat+VthDl。注意到，VthDl是二極管Dl的閾值電壓。以如上所述的方式執(zhí)行關(guān)于例如一幀內(nèi)的相關(guān)行的像素電路10的檢測(cè)。此外，在切換晶體管T3截止之后，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)逐漸上升， 并且最終變?yōu)榈扔趨⒖茧妱?shì)Vini。在具有如上所述配置的第二實(shí)施例中，光檢測(cè)部分30可從三個(gè)晶體管(T3、T5和 T10)以及兩個(gè)電容器(C2和C3)以及兩個(gè)控制線(TLa和TLb)和一個(gè)固定電源(參考電勢(shì) Vini)形成。具體地，配置電源線，使得其不提供參考電勢(shì)Vini的脈沖功率/電源電壓Vcc而 提供固定參考電勢(shì)Vini到傳感器兼用晶體管T10。在第一實(shí)施例中，電源線VL提供參考電勢(shì)Vini的脈沖功率/電源電壓Vcc，使得 當(dāng)傳感器兼用晶體管TlO截止時(shí)，在傳感器兼用晶體管TlO的漏極和源極之間出現(xiàn)電勢(shì)差 以便生成漏電流。相反，在第二實(shí)施例中，上述電勢(shì)變化“-δ Va' ”通過(guò)電容器C2和C3生 成，使得可在傳感器兼用晶體管TlO的漏極和源極之間出現(xiàn)電勢(shì)差，從而生成漏電流。在本第二實(shí)施例中，不僅可類似于第一實(shí)施例的情況采用針對(duì)如屏幕燒壞的畫面 質(zhì)量的缺陷的對(duì)策，而且可減少到光檢測(cè)部分30的控制線的數(shù)量。簡(jiǎn)而言之，在參考電勢(shì) Vini提供為電源時(shí)，不需要提供脈沖電源電壓。因此，檢測(cè)操作控制部分21需要包括用于 到控制線TLa和TLb的控制脈沖ρΤ3和pTIO的驅(qū)動(dòng)器，但是不需要第一實(shí)施例中的電源線 VL的驅(qū)動(dòng)器。因此，可實(shí)現(xiàn)配置的簡(jiǎn)化和成本的減少。此外，光檢測(cè)部分30中的兩個(gè)電容器C2和C3具有類似于第一實(shí)施例中的電容器 C2的保持檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)的作用。因此，電容器C2和C3不必具有增加 的電容，但是電容器C2和C3的和值可設(shè)為基本等于第一實(shí)施例中的電容器C2。因此，即使 電容器的數(shù)量增加，產(chǎn)量也不顯著下降。注意到，盡管本發(fā)明應(yīng)用到其中有機(jī)EL元件1與圖像信號(hào)寫入同時(shí)發(fā)光的像素電 路10，但是其可應(yīng)用到其中通過(guò)開關(guān)或電源線控制發(fā)光和不發(fā)光的像素電路。在此實(shí)例下，即使當(dāng)不發(fā)光時(shí)，也執(zhí)行光檢測(cè)準(zhǔn)備操作，并且在傳感器兼用晶體管TlO截止后，發(fā)光操作 開始執(zhí)行光檢測(cè)操作，可沒(méi)有任何問(wèn)題地執(zhí)行光檢測(cè)。[4-3.對(duì)第二實(shí)施例的修改]下面描述對(duì)第二實(shí)施例的若干修改。首先，參照?qǐng)D29和30描述修改I。注意到，本修改I具有類似于參照?qǐng)D21在上面 描述的電路配置，但是在控制定時(shí)上不同。圖29和30圖示類似于圖21和22的信號(hào)波形。在圖22的信號(hào)波形中，控制脈沖pT3具有H電平的時(shí)段的一部分與控制脈沖pTIO 具有H電平的時(shí)段的一部分重疊。相反，在圖29的信號(hào)波形中，控制脈沖pT3具有H電平 的時(shí)段在時(shí)間上不與控制脈沖PTlO具有H電平的時(shí)段重疊。換句話說(shuō)，傳感器兼用晶體管TlO導(dǎo)通的時(shí)段(S卩，檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段)與切換晶體管 T3導(dǎo)通的時(shí)段(即，光檢測(cè)時(shí)段)是彼此不同的時(shí)段，彼此在時(shí)間上沒(méi)有重疊。參照?qǐng)D30描述光檢測(cè)操作。在時(shí)間tm20，控制脈沖pTIO置為H電平，以導(dǎo)通傳感器兼用晶體管T10，因此，檢 測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓變?yōu)榈扔趨⒖茧妱?shì)Vini。在從時(shí)間tm22到tm23的時(shí)段內(nèi)，掃描脈沖WS接通，并且信號(hào)值Vsig寫入像素電 路10。此后，在時(shí)間tm24，控制脈沖pTIO置為L(zhǎng)電平，以截止傳感器兼用晶體管T10。從 而，通過(guò)在傳感器兼用晶體管TlO截止的定時(shí)出現(xiàn)的通過(guò)電容器C3的耦合，檢測(cè)信號(hào)輸出 晶體管T5的柵極電壓下降到參考電勢(shì)Vini-AVa’。通過(guò)由此出現(xiàn)的傳感器兼用晶體管TlO的漏極和源極之間的電勢(shì)差A(yù)Va’，光漏 電流從參考電勢(shì)Vini線流過(guò)傳感器兼用晶體管T10。因此，響應(yīng)于由傳感器兼用晶體管TlO 接收的光量，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓變化。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間間隔之后的時(shí)間t26，控制脈沖pT3置為H電平，以導(dǎo)通切換晶體
管Τ3。隨著切換晶體管Τ3導(dǎo)通，響應(yīng)于流到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管Τ5的電流，光檢測(cè)線 DETL的電勢(shì)變化。具體地，如圖30所示，在時(shí)間tm26之后，光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)響應(yīng)于檢 測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)而上升。由于此時(shí)的檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)的值展現(xiàn)依賴于傳感器兼用晶體 管TlO接收的光量的變化，如上所述，因此從參考電勢(shì)Vini線流過(guò)檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5 的電流也受檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)的值的變化影響。具體地，當(dāng)有機(jī)EL元件 1的光的亮度高時(shí)的檢測(cè)電壓高于當(dāng)有機(jī)EL元件1的光的亮度低時(shí)的檢測(cè)電壓。因此，電壓檢測(cè)部分22a可從來(lái)自電勢(shì)VO的變化量Δ V來(lái)檢測(cè)有機(jī)EL元件1的 發(fā)光量，該電勢(shì)VO是低灰度顯示狀態(tài)下的光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)。此后，在時(shí)間tm27，控制脈沖pT3置為L(zhǎng)電平，以截止切換晶體管Τ3，從而結(jié)束光 檢測(cè)。在本修改I中，直通電流從參考電勢(shì)Vini線通過(guò)光檢測(cè)線DETL流到二極管Dl的 源極電勢(shì)(例如，流到陰極電勢(shì)Vcat線)的時(shí)段可減少為從時(shí)間tm26到時(shí)間tm27的光檢 測(cè)時(shí)段。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)光檢測(cè)部分30的功耗的減少。
圖31示出修改II的配置。在圖31所示的修改II中，連接到光檢測(cè)驅(qū)動(dòng)器22中的光檢測(cè)線DETL的二極管 Dl用開關(guān)SW和固定電源(如例如陰極電勢(shì)Vcat)替代。開關(guān)SW用例如來(lái)自檢測(cè)操作控制部分21的控制信號(hào)pSW控制接通/關(guān)斷。此外， 利用所述配置，可類似地執(zhí)行光量檢測(cè)。圖32和33圖示類似于圖22和23中的那些的信號(hào)波形，并且還圖示了控制信號(hào) pSW。此外，作為示例，光檢測(cè)操作時(shí)段設(shè)為一幀(IF)。如圖32所示，如圖32中所示的 一幀的時(shí)段內(nèi)對(duì)每行執(zhí)行光檢測(cè)操作。參照?qǐng)D33描述光檢測(cè)操作。在時(shí)間tm30，傳感器兼用晶體管TlO用控制脈沖pTIO導(dǎo)通，使得檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管T5的柵極電壓變?yōu)榈扔趨⒖茧妱?shì)Vini。在時(shí)間tm31，用控制脈沖pT3導(dǎo)通切換晶體管T3。此外，接通控制信號(hào)pSW，以將 光檢測(cè)線DETL充電到陰極電勢(shì)Vcat0假設(shè)在此實(shí)例下的開關(guān)SW的接通電阻低到可以忽 略。此外，盡管作為示例光檢測(cè)線DETL的初始化電勢(shì)是有機(jī)EL元件1的陰極電勢(shì)VcatJfi 是初始化電壓不限于此，并且例如，可對(duì)初始化電勢(shì)準(zhǔn)備分開的電源。 在從時(shí)間tm32到tm33的時(shí)段內(nèi)，執(zhí)行將信號(hào)值Vsig寫入像素電路10，然后，執(zhí)行 通過(guò)像素電路10的發(fā)光。此時(shí)，設(shè)置檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極-源極電壓，以便高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管T5的閾值電壓。在此狀態(tài)下，在時(shí)間tm34，用控制脈沖pTIO截止傳感器兼用晶體管T10。因此， 檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓變?yōu)閂ini-AVa’。此外，傳感器兼用晶體管TlO的源 極-漏極電壓變?yōu)榈扔贏Va’。由于傳感器兼用晶體管TlO截止，因此光漏電流從參考電勢(shì)Vini線流過(guò)傳感器 兼用晶體管T10，并且檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電勢(shì)開始響應(yīng)于由傳感器兼用晶體管 TlO接收的光量而變化。此后，在時(shí)間tm35，用控制信號(hào)pSW關(guān)斷開關(guān)SW。此時(shí)，如果檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs高于檢測(cè)信號(hào)輸出晶體 管T5的閾值電壓，則光檢測(cè)線DETL的電勢(shì)在執(zhí)行檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的閾值校正的方 向上逐漸增加。在經(jīng)過(guò)固定時(shí)間段之后，檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極電壓從Vini-AVa’變化 為Vini- Δ Va’ + Δ V’，并且與此同時(shí)，檢測(cè)線的電勢(shì)也變?yōu)榈扔赩O+ Δ V。此時(shí)，由于隨著傳 感器兼用晶體管TlO接收的光量增加、流到作為光檢測(cè)元件的傳感器兼用晶體管TlO的電 流量增加，因此高灰度顯示狀態(tài)下的檢測(cè)電壓高于低灰度顯示狀態(tài)下的電壓。該電壓變化 通過(guò)電壓檢測(cè)部分22a檢測(cè)。在時(shí)間tm36，控制脈沖pT3設(shè)為L(zhǎng)電平，以截止切換晶體管Τ3，從而結(jié)束光檢測(cè)時(shí)段。圖34中示出修改III。修改III的配置與上面參照?qǐng)D21所示的不同僅在于相互 獨(dú)立地形成電源。
檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5在其漏極連接到第一電源VI，并且在其柵極通過(guò)電容器 C2連接到第二電源V2。傳感器兼用晶體管TlO在其漏極連接到第三電源V3。以此方式，電源VI、V2和V3可形成為相互獨(dú)立的不同固定電源?？稍O(shè)計(jì)電源電 勢(shì)，使得上述光檢測(cè)操作可執(zhí)行到結(jié)束。注意到，在如上參照?qǐng)D21到28作為第二實(shí)施例描述的示例中，可以考慮設(shè)置電源 Vl、V2 禾口 V3 以便滿足 Vl = V3 以及 Vini 禾口 V2 = Vcat。簡(jiǎn)而言之，第一和第三電源都設(shè)置為固定參考電勢(shì)Vini，使得當(dāng)傳感器兼用晶體 管TlO置為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，參考電勢(shì)Vini提供到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極節(jié)點(diǎn)。此外，盡管未示出，但是第一電源VI、第二電源V2和第三電源V3可以是相等的固 定參考電勢(shì)。此外在此實(shí)例中，當(dāng)傳感器兼用晶體管Tio置為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，作為參考電勢(shì)的 第三電源V3提供到檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管T5的柵極節(jié)點(diǎn)。作為修改IV，關(guān)于多行的光檢測(cè)可在相同定時(shí)執(zhí)行，或?qū)τ诓煌械亩鄠€(gè)光檢測(cè) 時(shí)段可相互重疊。由于通過(guò)采用這種定時(shí)關(guān)系的任一可增加光檢測(cè)元件的數(shù)量，因此可以 增加光檢測(cè)精度并進(jìn)一步減少光檢測(cè)時(shí)段。圖35A圖示用于兩行的控制脈沖pT3和pTIO。例如，通過(guò)將如圖35A所示的這種 控制脈沖PT3和pTIO施加到光檢測(cè)部分30-1和30-2，通過(guò)光檢測(cè)部分30_1和30_2同時(shí) 執(zhí)行光檢測(cè)操作。例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)像素電路10-1發(fā)光時(shí)，通過(guò)光檢測(cè)部分30-1和30-2同時(shí) 執(zhí)行關(guān)于發(fā)光亮度的檢測(cè)操作。通過(guò)以此方式使用多個(gè)光檢測(cè)部分30執(zhí)行檢測(cè)，可增加光檢測(cè)精度。此外，由于 可以用電流Iini加速光檢測(cè)線DETL的充電操作以減少充電時(shí)間，因此還可以減少光檢測(cè) 時(shí)段。圖35B圖示其中光檢測(cè)時(shí)段相互重疊的示例。在光檢測(cè)時(shí)段相互重疊而不使得它 們完全相互重疊的情況下，可實(shí)現(xiàn)檢測(cè)精度的改進(jìn)和檢測(cè)時(shí)段的減少。這種修改自然可應(yīng)用到三行或更多行的光檢測(cè)部分30，其中多個(gè)光檢測(cè)部分如上 所述同時(shí)地或以彼此在時(shí)間上重疊的關(guān)系輸出光檢測(cè)信息。其中，在當(dāng)對(duì)特定行檢測(cè)EL元件的發(fā)光亮度時(shí)，在多行的光檢測(cè)時(shí)段相互重疊的 情況下，可以提高光檢測(cè)靈敏度或減少光檢測(cè)時(shí)段或減少光檢測(cè)元件的大小。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn) 產(chǎn)量的提高，此外，可采用針對(duì)由于發(fā)光元件的效率的劣化的畫面質(zhì)量的缺陷(如屏幕燒 壞)的對(duì)策。<5.應(yīng)用 >現(xiàn)在，描述本發(fā)明的應(yīng)用。本發(fā)明可應(yīng)用到這樣的電子裝置，其中光從外部照射到屏幕上以執(zhí)行信息輸入。例如，圖36A圖示其中用戶操作激光指示器1000以將激光光束導(dǎo)引向顯示面板 1001的狀態(tài)。顯示面板1001可以是上面參照?qǐng)D1和20所述的任何有機(jī)EL顯示面板。例如，當(dāng)整個(gè)屏幕顯示黑色時(shí)，使用激光指示器1000的光在顯示面板1001上繪制 圓圈。因此，在顯示面板1001的屏幕上顯示圓圈。具體地，通過(guò)像素陣列20上的光檢測(cè)部分30檢測(cè)激光指示器1000的光。然后，光檢測(cè)部分30將激光的檢測(cè)信息傳輸?shù)剿竭x擇器11，具體地，傳輸?shù)叫盘?hào)值校正部分11a。水平選擇器11將預(yù)定亮度的信號(hào)值Vsig施加到與通過(guò)其檢測(cè)激光的光檢測(cè)部分 30對(duì)應(yīng)的像素電路10。因此，在激光的照射位置，可從顯示面板1001的屏幕生成高亮度的光。簡(jiǎn)而言之， 通過(guò)激光照射可執(zhí)行如在面板上繪制圖形畫面、字符、符號(hào)等的顯示。圖36B圖示其中檢測(cè)通過(guò)激光指示器1000的輸入方向的示例。參照?qǐng)D36B，激光光束從激光指示器1000照射，使得其例如從右邊移動(dòng)到左邊。由 于作為顯示面板1001上的光檢測(cè)部分30的檢測(cè)結(jié)果，可檢測(cè)屏幕上的激光照射位置的變 化，因此可檢測(cè)通過(guò)用戶導(dǎo)引激光的方向。例如，執(zhí)行顯示內(nèi)容等的轉(zhuǎn)換，使得該方向可識(shí)別為操作輸入。自然地，可以通過(guò)將激光光束導(dǎo)引到屏幕上顯示的操作圖標(biāo)等來(lái)識(shí)別操作內(nèi)容。以此方式，可以將來(lái)自外部的光識(shí)別為顯示面板1001上輸入的坐標(biāo)，以便應(yīng)用到 各種操作和應(yīng)用。此外，在如上所述的畫面繪制或操作輸入的這種應(yīng)用中，如果多個(gè)光檢測(cè)部分30 同時(shí)或以相互在時(shí)間上重疊的關(guān)系輸出光檢測(cè)信息，如上述修改IV，則可有利地改進(jìn)外部 光的檢測(cè)能力。例如，當(dāng)檢測(cè)到從外部提供的光時(shí)，可通過(guò)對(duì)相互重疊的多行形成光檢測(cè)時(shí)段來(lái) 提高光檢測(cè)靈敏度，并且可以減少光檢測(cè)時(shí)段或減少光檢測(cè)元件的大小。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量 的提高，此外，可采用針對(duì)由于發(fā)光元件的效率的劣化的畫面質(zhì)量的缺陷(如屏幕燒壞)的 對(duì)策。本申請(qǐng)包含涉及于2009年5月12日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申 請(qǐng)JP 2009-115192、和2010年1月7日向日本專利局提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2010-001879中公開的主題，在此通過(guò)引用并入其全部?jī)?nèi)容。盡管已經(jīng)使用具體術(shù)語(yǔ)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是這樣的描述僅是用于說(shuō) 明目的，并且要理解，可以進(jìn)行改變和變化，而不背離權(quán)利要求的精神或范圍。
權(quán)利要求
一種顯示裝置，包括多個(gè)像素電路，其以矩陣布置在多個(gè)信號(hào)線和多個(gè)掃描線相互交叉的位置，并分別包括發(fā)光元件；發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分，用來(lái)將信號(hào)值施加到每個(gè)所述像素電路，以使得像素電路發(fā)出對(duì)應(yīng)于信號(hào)值的亮度的光；以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)元件，其通過(guò)將光檢測(cè)元件在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，所述光檢測(cè)部分還包括在光檢測(cè)部分中形成的檢測(cè)信號(hào)輸出電路，用于輸出來(lái)自光檢測(cè)元件的光檢測(cè)信息。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中組成所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電路 包括檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管，用于輸出對(duì)應(yīng)于在截止?fàn)顟B(tài)下的所述光檢測(cè)元件的電流變化量 的光檢測(cè)信息。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中組成所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電路 通過(guò)將所述光檢測(cè)元件切換到導(dǎo)通狀態(tài)，將預(yù)定參考電勢(shì)提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管 的柵極節(jié)點(diǎn)；以及當(dāng)所述光檢測(cè)元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，將根據(jù)從發(fā)光元件接收的光的電流提供到所述檢 測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)，以變化所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)，使得所述檢 測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù)柵極電勢(shì)的變化輸出光檢測(cè)信息。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中用于可切換地提供預(yù)定操作電源電勢(shì)和參考電 勢(shì)的電源線連接到組成所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電路，所述光檢測(cè)元件和所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管連接到所述電源線，當(dāng)所述電源線提供參考電勢(shì)時(shí)，當(dāng)所述光檢測(cè)元件置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，參考電勢(shì)提供到 所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)，并且當(dāng)所述光檢測(cè)元件置于截止?fàn)顟B(tài)并且所述電源線提供操作電源電勢(shì)時(shí)，在接收到來(lái)自 所述發(fā)光元件的光時(shí)由所述光檢測(cè)元件生成的電流提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵 極節(jié)點(diǎn)，以變化所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)，使得所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù) 柵極電勢(shì)的變化輸出光檢測(cè)信息。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中配置所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電路 還包括切換晶體管，用于將所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的輸出端子連接到光檢測(cè)線；以及所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管在所述切換晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)段內(nèi)，輸出光檢測(cè)信息 到光檢測(cè)線。
6.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中組成所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電路 配置為使得所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管連接到第一電源；第一電容器連接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極和第二電源之間；所述光檢測(cè)部分還包括傳感器_開關(guān)兼用元件，其連接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的 柵極和第三電源之間；第二電容器連接在所述傳感器-開關(guān)兼用元件的柵極和所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的 柵極之間；當(dāng)所述傳感器_開關(guān)兼用元件處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，所述第三電源的電壓提供到所述檢測(cè) 信號(hào)輸出晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)；以及當(dāng)所述傳感器_開關(guān)兼用元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，響應(yīng)于從所述發(fā)光元件接收的光而生 成的電流提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極節(jié)點(diǎn)，以變化所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的 柵極電勢(shì)，使得所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù)柵極電勢(shì)的變化輸出光檢測(cè)信息。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中組成所述光檢測(cè)部分的所述檢測(cè)信號(hào)輸出電 路還包括切換晶體管，用于將所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的檢測(cè)信號(hào)輸出端子連接到光檢測(cè) 線；并且在所述切換晶體管置于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)段內(nèi)，所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管輸出光檢測(cè)信息 到所述光檢測(cè)線。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中當(dāng)所述傳感器-開關(guān)兼用元件置于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)， 通過(guò)所述第二電容器，在作為所述傳感器_開關(guān)兼用元件的晶體管的源極和漏極之間生成 電勢(shì)差。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述第一電源和所述第三電源形成為固定參考 電勢(shì)；以及當(dāng)所述傳感器_開關(guān)兼用元件置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，參考電勢(shì)提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管的柵極節(jié)點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述第一、第二和第三電源確定為相同固定參 考電勢(shì)，并且當(dāng)所述傳感器_開關(guān)兼用元件置于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，參考電勢(shì)提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶 體管的柵極節(jié)點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中所述傳感器-開關(guān)兼用元件置于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí) 段和所述切換晶體管置于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)段相互不同，并且在時(shí)間上不相互重疊。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述光檢測(cè)部分對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述像素電路，并 且配置為使得形成所述傳感器-開關(guān)兼用元件的晶體管的溝道膜厚度或晶體管大小響應(yīng) 于由對(duì)應(yīng)像素電路發(fā)出的光的波長(zhǎng)而設(shè)置。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括校正信息產(chǎn)生部分，用于將從所述光檢測(cè)部 分輸出的光檢測(cè)信息作為用于校正信號(hào)值的信息提供到所述發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分。
14.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在通過(guò)像素電路開始普通圖像顯示之前或結(jié) 束普通圖像顯示之后，所述光檢測(cè)部分執(zhí)行光檢測(cè)操作。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述光檢測(cè)部分在普通圖像顯示時(shí)段內(nèi)的斷 續(xù)時(shí)段內(nèi)執(zhí)行光檢測(cè)操作。
16.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中提供并分別驅(qū)動(dòng)和控制多個(gè)這種光檢測(cè)部分， 以便同時(shí)或以時(shí)間上相互重疊的關(guān)系輸出光檢測(cè)信息。
17.一種用于顯示裝置的光檢測(cè)方法，該顯示裝置包括具有發(fā)光元件的像素電路、和 用于檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件的光并輸出光檢測(cè)信息的光檢測(cè)部分，所述方法包括步 驟在傳感器_開關(guān)兼用元件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，輸出對(duì)應(yīng)于流到所述傳感器_開關(guān)兼用元 件的電流的變化量的光檢測(cè)信息，所述傳感器_開關(guān)兼用元件通過(guò)在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)來(lái)自像素電路的發(fā)光元件 的光的光傳感器，并且所述傳感器_開關(guān)兼用元件提供在光檢測(cè)部分中。
18.一種電子裝置，包括多個(gè)像素電路，其以矩陣布置在多個(gè)信號(hào)線和多個(gè)掃描線相互交叉的位置，并分別包 括發(fā)光元件；發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分，用來(lái)將信號(hào)值施加到每個(gè)所述像素電路，以使得像素電路發(fā)出對(duì)應(yīng)于 信號(hào)值的亮度的光；以及光檢測(cè)部分，包括傳感器_開關(guān)兼用元件，其通過(guò)將傳感器_開關(guān)兼用元件在導(dǎo)通狀 態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)光的光傳感 器，所述光檢測(cè)部分還包括在光檢測(cè)部分中形成的檢測(cè)信號(hào)輸出電路，用于輸出來(lái)自所述 傳感器_開關(guān)兼用元件的光檢測(cè)信息。
19.一種顯示裝置，包括 像素電路，包括發(fā)光元件；以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)晶體管、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管和電源線； 所述光檢測(cè)晶體管連接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極和所述電源線之間； 所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù)到柵極的電勢(shì)，變化在漏極和源極之間流動(dòng)的電流； 第一電勢(shì)提供到所述電源線，并且還通過(guò)所述光檢測(cè)晶體管提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出 晶體管的柵極；并且在所述光檢測(cè)晶體管置于第二狀態(tài)的檢測(cè)時(shí)段內(nèi)，第二電勢(shì)提供到所述電源線，同時(shí) 所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)響應(yīng)于所述發(fā)光元件的光朝向第二電勢(shì)變化。
20.—種顯示裝置，包括 像素電路，包括發(fā)光元件；以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)晶體管、檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管、電源線和電容元件； 所述光檢測(cè)晶體管連接在所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極和所述電源線之間； 所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管根據(jù)到柵極的電勢(shì)，變化在漏極和源極之間流動(dòng)的電流； 所述電容元件連接在所述光檢測(cè)晶體管的柵極和所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極之間；預(yù)定電勢(shì)提供到所述電源線；在所述光檢測(cè)晶體管置于第一狀態(tài)的檢測(cè)準(zhǔn)備時(shí)段內(nèi)，預(yù)定電勢(shì)通過(guò)所述光檢測(cè)晶體 管提供到所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極；所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電勢(shì)通過(guò)所述光檢測(cè)晶體管從第一狀態(tài)到第二狀態(tài) 的轉(zhuǎn)換而變化；以及在所述光檢測(cè)晶體管置于第二狀態(tài)的檢測(cè)時(shí)段內(nèi)，所述檢測(cè)信號(hào)輸出晶體管的柵極電 勢(shì)響應(yīng)于所述發(fā)光元件的光而朝向預(yù)定電勢(shì)變化。
全文摘要
這里公開了一種顯示裝置，包括多個(gè)像素電路，其以矩陣布置在多個(gè)信號(hào)線和多個(gè)掃描線相互交叉的位置，并分別包括發(fā)光元件；發(fā)光驅(qū)動(dòng)部分，用來(lái)將信號(hào)值施加到每個(gè)所述像素電路，以使得像素電路發(fā)出對(duì)應(yīng)于信號(hào)值的亮度的光；以及光檢測(cè)部分，包括光檢測(cè)元件，其通過(guò)將光檢測(cè)元件在導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)之間切換而起作用為切換元件，并且在截止?fàn)顟B(tài)下起作用為檢測(cè)來(lái)自發(fā)光元件的光的光傳感器，所述光檢測(cè)部分還包括在光檢測(cè)部分中形成的檢測(cè)信號(hào)輸出電路，用于輸出來(lái)自光檢測(cè)元件的光檢測(cè)信息。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101887688SQ201010175688
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 山本哲郎 申請(qǐng)人:索尼公司