專利名稱：驅(qū)動顯示元件的方法和驅(qū)動顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于驅(qū)動顯示元件的方法和用于驅(qū)動顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件的顯示元件和包括這種顯示元件的顯示裝置是公知的。 例如，包括基于有機材料的電致發(fā)光的有機電致發(fā)光(以下，其常常被縮略為EL)發(fā)光部件 的顯示元件(以下，這樣的顯示元件將常常被縮略為有機EL顯示元件)作為能夠在低電壓 DC驅(qū)動下進行高亮度發(fā)光的顯示元件正在引起關(guān)注。與液晶顯示裝置類似，例如對于包括有機EL顯示元件的顯示裝置(以下，這樣的 顯示裝置將常常被縮略為有機EL顯示裝置)，簡單矩陣系統(tǒng)和有源矩陣系統(tǒng)作為驅(qū)動系統(tǒng) 是公知的。有源矩陣系統(tǒng)盡管具有結(jié)構(gòu)復雜的缺點，但是具有能夠提供高的圖像亮度等優(yōu) 點。由有源矩陣系統(tǒng)驅(qū)動的有機EL顯示元件包括由包括發(fā)光層的有機層等構(gòu)成的發(fā)光部 件和用于驅(qū)動發(fā)光部件的驅(qū)動電路。作為用于驅(qū)動有機電致發(fā)光發(fā)光部件的電路(以下，其將常常被簡稱為發(fā)光部 件)，例如從日本專利文獻特開2007-310311號公報中了解到包括兩個晶體管和一個電容 性部件的驅(qū)動電路(稱為2Tr/lC驅(qū)動電路)。如圖2中所示，該2Tr/lC驅(qū)動電路包括兩個 晶體管，即寫晶體管TRw和驅(qū)動晶體管TRD，此外還包括一個電容性部件Q。驅(qū)動晶體管TRd 的另一源區(qū)/漏區(qū)形成第二節(jié)點ND2,并且驅(qū)動晶體管TRd的柵極形成第一節(jié)點ND115發(fā)光部件ELP的陰極連接到公共的第二饋電線PS2。電壓Vcat (例如0伏特)被施 加到的第二饋電線PS2。如圖6的定時圖中所示，用于執(zhí)行閾值電壓消除(cancel)處理的預處理在[時 段-TP(2)1A]中被執(zhí)行。具體而言，第一節(jié)點初始化電壓Vms(例如0伏特)從數(shù)據(jù)線DTL 經(jīng)由被來自掃描線SCL的掃描信號轉(zhuǎn)變至導通狀態(tài)的寫晶體管TRw被施加于第一節(jié)點ND115 從而，第一節(jié)點ND1的電位變成VMs。此外，第二節(jié)點初始化電壓U例如-10伏特)從 電源單元100經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRd被施加于第二節(jié)點ND2。從而，第二節(jié)點ND2的電位變成 Ve“。驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓被表示為電壓Vth(例如3伏特)。驅(qū)動晶體管TRd的柵極 與其另一源區(qū)/漏區(qū)(以下，為了方便，常常稱為源區(qū))之間的電位差等于或大于Vth，并且 驅(qū)動晶體管TRd處于導通狀態(tài)。隨后，閾值電壓消除處理在從[時段_TP(2)1B]至[時段-TP(2)5]的時段中被執(zhí) 行。具體而言，第一閾值電壓消除處理在[時段-TP (2) 1B]中被執(zhí)行。第二閾值電壓消除處 理在[時段-TP (2) 3]中被執(zhí)行。第三閾值電壓消除處理在[時段-TP (2) 5]中被執(zhí)行。在[時段-TP(2)1B]中，寫晶體管TRw保持為導通狀態(tài)，電源單元100的電壓從第 二節(jié)點初始化電壓Vm切換成驅(qū)動電壓(例如20伏特)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位 向通過從第一節(jié)點ND1的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth獲得的電位改變。即，第 二節(jié)點ND2的電位上升。
如果該[時段-TP (2) 1B]充分長，驅(qū)動晶體管TRd的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差達到Vth，并且驅(qū)動晶體管TRd進入截止狀態(tài)。具體而言，第二節(jié)點ND2的電位變得接近(Vws-Vth)并且最終變成(VMs-Vth)。然而，在圖6中的示例中，[時段-TP(2)1B]的長度 不足以充分地改變第二節(jié)點ND2的電位。因此，在[時段_TP(2)1b]的結(jié)束定時，第二節(jié)點 ND2的電位達到滿足關(guān)系< V1 < (V0fs-Vth)的某一電位V1。 在[時段-TP(2)2]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓Vms被切 換成視頻信號VSig—m_2。為了防止視頻信號VSig—m_2被施加于第一節(jié)點ND1，在[時段-TP(2)2] 的開始定時，寫晶體管TRw被來自掃描線SCL的信號轉(zhuǎn)變成截止狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND1 變成浮動狀態(tài)。 由于驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)，所 以，第二節(jié)點ND2的電位從電位V1升至某一電位V2。另一方面，驅(qū)動晶體管TRd的柵極處于浮 動狀態(tài)，并且存在電容性部件C1。因此，在驅(qū)動晶體管TRd的柵極發(fā)生自舉操作(bootstrap operation)。因此，第一節(jié)點ND1的電位隨第二節(jié)點ND2的電位變化而上升。在[時段-TP(2)3]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號Vsig m_2被切換成第 一節(jié)點初始化電壓VMs。在[時段-TP(2)3]的開始定時，寫晶體管TRw被來自掃描線SCL的 信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND1的電位變?yōu)閂Ms。此外，驅(qū)動電壓V。。_HW電源單 元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位向通過從第 一節(jié)點ND1的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vths得的電位改變。S卩，第二節(jié)點ND2的 電位從電位V2上升至某一電位V3。在[時段-TP(2)4]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從第一節(jié)點初始化電壓Vms被切 換成視頻信號Vsigχ。為了防止視頻信號Vsigχ被施加于第一節(jié)點ND1，在[時段-TP (2) 4] 的開始定時，寫晶體管TRw被來自掃描線SCL的信號轉(zhuǎn)變成截止狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND1 變成浮動狀態(tài)。由于驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)， 所以，第二節(jié)點ND2的電位從電位V3上升至某一電位V4。另一方面，驅(qū)動晶體管TRd的柵極 處于浮動狀態(tài)，并且存在電容性部件C1。因此，在驅(qū)動晶體管TRd的柵極發(fā)生自舉操作。因 此，第一節(jié)點ND1的電位隨第二節(jié)點ND2的電位變化而上升。作為[時段-TP(2)5]中的操作的前提，在[時段-了？⑵』的開始定時，第二節(jié)點 ND2的電位V4有必要低于(V0fs-Vth)。從[時段-TP (2) 1B]的開始定時到[時段-TP (2) 5]的 開始定時之間的長度被定義使得滿足V4 < (Vws-Vth)。[時段-TP(2)5]中的操作與[時段-TP(2)3]中的上述操作基本相同。在該[時 段-TP (2) 5]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTL的電壓從視頻信號Vsigχ被切換成第一節(jié)點初始化電 壓VMs。在該[時段-TP(2)5]的開始定時，寫晶體管TRw被來自掃描線SCL的信號轉(zhuǎn)變成導 通狀態(tài)。第一節(jié)點ND1變成被施加第一節(jié)點初始化電壓Vms的狀態(tài)，其中第一節(jié)點初始化電 壓Vms是從數(shù)據(jù)線DTL經(jīng)由寫晶體管TRw被施加于第一節(jié)點ND1的。此外，驅(qū)動電壓從 電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)。與[時段-TP(2)3]中的上述操 作類似，第二節(jié)點ND2的電位向通過從第一節(jié)點ND1的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓 Vth獲得的電位改變。如果驅(qū)動晶體管TRd的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差達到 Vth，則驅(qū)動晶體管TRd變成截止狀態(tài)。在該狀態(tài)中，第二節(jié)點ND2的電位基本為(VMs-Vth)。
之后，在[時段-TP(2)6A]中，寫晶體管TRw被設(shè)置為截止狀態(tài)。此外，數(shù)據(jù)線DTL 的電壓被設(shè)置為與視頻信號[用于控制發(fā)光部件ELP的亮度的視頻信號(驅(qū)動信號，亮度 信號)Vsig m]相對應的電壓。
隨后，寫處理在[時段-TP(2)6B]中被執(zhí)行。具體而言，通過將掃描線SCL切換成 高電平，寫晶體管TRw被轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點ND1的電位向視頻信號Vsigm上升。這里，電容性部件C1的電容被定義為值C1，發(fā)光部件ELP的電容Q的值被定義為 值q。此外，驅(qū)動晶體管TRd的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的寄生電容被定義為cgs。如 果第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電容被表示為符號cA，則Ca = Cl+Cgs成立。如果第 二節(jié)點ND2與第二饋電線PS2之間的電容被表示為符號cB，則cB = cEL成立。當驅(qū)動晶體管TRd的柵極的電位從Vms變至Vsig m( > V0fs)時，第一節(jié)點ND1與第 二節(jié)點ND2之間的電壓改變。具體而言，基于驅(qū)動晶體管TRd的柵極電位(=第一節(jié)點ND1 的電位)的改變(VSig m_VQfs)的電荷根據(jù)第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電容以及第二 節(jié)點ND2與第二饋電線PS2之間的電容來分配。然而，如果值cB( = cJ充分大于值cA( = Cl+cgs)，則第二節(jié)點ND2的電位變化小。一般，發(fā)光部件ELP的電容Ca的值q大于電容性 部件C1的值C1和驅(qū)動晶體管TRd的寄生電容的值cgs。以下，為了方便，將在不考慮因第一 節(jié)點ND1的電位變化而上升的第二節(jié)點ND2的電位變化的情況下進行描述。在上述操作中，在驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個 源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中，視頻信號Vsig m被施加于驅(qū)動晶體管TRd的柵極。因此，如圖6中所 示，第二節(jié)點ND2的電位在[時段-TP(2)6B]中上升。稍后將描述電位上升量Δν(電位校 正值)。如果驅(qū)動晶體管TRd的柵極(第一節(jié)點ND1)的電位被定義為Vg，并且其另一源區(qū)/ 漏區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位被定義為Vs，則Vg的值和Vs的值如下，除非第二節(jié)點ND2的上 述電位上升量Δ V未被考慮。第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差，S卩，驅(qū)動晶體管 TRd的柵極與其用作源區(qū)的另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差Vgs可以用下式(A)來表示。Vg = VsigjlVs ^ V0fs-VthVgs ^ Vsigjl-(V0fs-Vth) (A)S卩，通過針對驅(qū)動晶體管TRd的寫處理獲得的Vgs僅依賴于用于控制發(fā)光部件ELP 的亮度的視頻信號Vsig m、驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth和用于對驅(qū)動晶體管TRd的柵極的 電位進行初始化的電壓VMs。此外，Vgs與發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vthi沒有關(guān)系。接著，關(guān)于遷移率校正處理將被簡單描述。在上述操作中，結(jié)合寫處理，根據(jù)驅(qū)動 晶體管TRd的特性(例如，遷移率μ的大小)來改變驅(qū)動晶體管TRd的另一源區(qū)/漏區(qū)的 電位(即，第二節(jié)點ND2的電位)的遷移率校正處理也被執(zhí)行。如上所述，在驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū) /漏區(qū)的狀態(tài)中，視頻信號Vsig m被施加于驅(qū)動晶體管TRd的柵極。如圖6中所示，第二節(jié)點 ND2的電位在[時段-TP(2)6B]中上升。結(jié)果，如果驅(qū)動晶體管TRd的遷移率μ的值大，則 驅(qū)動晶體管TRd的源區(qū)的電位的上升量AV(電位校正值)大。如果驅(qū)動晶體管TRd的遷移 率μ的值小，則驅(qū)動晶體管TRd的源區(qū)的電位的上升量AV(電位校正值)小。驅(qū)動晶體管 TRd的柵極與其源區(qū)之間的電位差Vgs從通過式㈧得到的值被變換成通過下式⑶得到的 值。
通過上述操作，閾值電壓消除處理、寫處理和遷移率校正處理完成。在隨后的[時 段-TP (2) 6C]的開始定時，通過由來自掃描線SCL的掃描信號將寫晶體管TRw切換成截止狀 態(tài)，第一節(jié)點ND1被轉(zhuǎn)變成浮動狀態(tài)。驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管 TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)(以下，為了方便，其將常常被簡稱為漏區(qū))。作為上述操作的結(jié)果， 第二節(jié)點ND2的電位上升，并且在驅(qū)動晶體管TRd的柵極發(fā)生與所謂的自舉電路中的現(xiàn)象相 類似的現(xiàn)象，這樣，第一節(jié)點ND1的電位也上升。驅(qū)動晶體管TRd的柵極與其源區(qū)之間的電 位差Vgs保持式(B)的值。流經(jīng)發(fā)光部件ELP的電流是從驅(qū)動晶體管TRd的漏區(qū)流向其源 區(qū)的漏電流Ids。如果驅(qū)動晶體管TRd在飽和區(qū)中理想地操作，則漏電流Ids可以用下式(C) 來表示。發(fā)光部件ELP發(fā)出具有依賴于漏電流Ids的值的亮度的光。稍后，將描述系數(shù)k的 細節(jié)。
根據(jù)式(C)，漏電流Ids與遷移率μ成比例。對于具有較高遷移率μ的驅(qū)動晶體 管TRD，電位校正值Δ V較大并且式(C)中(Vsig m-Vws-AV)2的值較小。這允許對由于驅(qū)動 晶體管的遷移率μ的變化引起的漏電流Ids的變化進行校正。稍后，將詳細地描述以上已經(jīng)描述了概略的2Tr/lC驅(qū)動電路的操作。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，第一節(jié)點ND1在[時段-TP(2)6A]和[時段_TP(2)6B]之間的電位變化 是(VSig m-VMs)。在以上描述中，未考慮由于第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點冊2的 電位變化。然而，實際上，在第二節(jié)點ND2發(fā)生基本由(Vsig m-Vws) · cA/(cA+cB)給出的電位 變化，并且第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差減小。結(jié)果，上述式(C)被變換為如 下。 其中 cA/(cA+cB)盡管依賴于顯示元件的規(guī)格，但是有可能采用約0. 1至0. 4范圍內(nèi)的 值。因此，在[時段-TP(2) J和隨后的時段中流至發(fā)光部件ELP的電流減小，因此，發(fā)光部 件ELP的亮度也降低?？梢圆捎妙A先將視頻信號Vsig的振幅設(shè)置為大的對策來掩蓋亮度降 低。然而，該對策導致由視頻信號Vsig的振幅擴大引起功耗增大這一問題。需要本發(fā)明提供能夠抑制由于第一節(jié)點ND1的電位變化而引起第二節(jié)點ND2的電 位變化的用于驅(qū)動顯示元件的方法和用于驅(qū)動顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明第一形式，提供了一種用于驅(qū)動顯示單元的方法，該顯示單元包括電 流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路。 所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件。在該顯示元件中，(A-I)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第一饋電線，(A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極和 所述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，
(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)和所述電容性部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-I)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到數(shù)據(jù)線，(B-2)所述寫晶體管的柵極連接到掃描線，以及(C-I)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到第二饋電線。該方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所 述第一節(jié)點的電壓被保持的狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電 壓減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng) 由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一 節(jié)點施加視頻信號。閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部件中 所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第二參 考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明第二形式，提供了一種用于驅(qū)動顯示裝置的方法，該顯示裝置包括(I)NXM個顯示元件，所述NXM個顯示元件以沿第一方向布置N個顯示元件并且 沿與所述第一方向不同的第二方向布置M個顯示元件這樣的方式以二維矩陣布置，并且每 一個顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，(2)沿所述第一方向延伸的M個掃描線，(3)沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，(4)沿所述第一方向延伸的M個第一饋電線，以及(5)沿所述第一方向延伸的M個第二饋電線，所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件。在第m行(m= 1，2，…，和M)并且第η列(η = 1，2，…，和N)上的顯示元件中，(A-I)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第m個第一饋電線，(A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極和 所述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)和所述電容 性部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-I)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第η個數(shù)據(jù)線，(Β-2)所述寫晶體管的柵極連接到第m個掃描線，以及(C-I)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到第m個第二饋電線。該方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所 述第一節(jié)點的電位被保持的狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電 壓減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng) 由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一 節(jié)點施加視頻信號。所述閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部 件中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第 二參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明第三形式，提供了 一種用于驅(qū)動顯示裝置的方法，該顯示裝置包括(I)NXM個顯示元件，所述NXM個顯示元件以沿第一方向布置N個顯示元件并且 沿與所述第一方向不同的第二方向布置M個顯示元件這樣的方式以二維矩陣布置，并且每 一個顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，(2)沿所述第一方向延伸的M個掃描線，
(3)沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，(4)沿所述第一方向延伸的M個第一饋電線，以及(5)公共的第二饋電線。所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件。在第m行(m= 1，2，…，和M)并且第η列(η = 1，2，…，和N)上的顯示元件中，(A-I)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第m個第一饋電線，(A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極和 所述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)和所述電容 性部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-I)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第η個數(shù)據(jù)線，(Β-2)所述寫晶體管的柵極連接到第m個掃描線，以及(C-I)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到公共的第二饋電線。該方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所 述第一節(jié)點的電位被保持的狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電 壓減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng) 由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一 節(jié)點施加視頻信號。所述閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部 件中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第 二參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。在根據(jù)本發(fā)明第一形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法、根據(jù)本發(fā)明第二形式的用于 驅(qū)動顯示裝置的方法和根據(jù)本發(fā)明第三形式的用于驅(qū)動顯示裝置的方法中，閾值電壓消除 處理在第一參考電壓從第二饋電線被施加于發(fā)光部件中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并 且隨后，寫處理在低于第一參考電壓的第二參考電壓從第二饋電線被施加于所述陰極的狀 態(tài)中被執(zhí)行。該特征可以抑制由于第一節(jié)點ND1的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變 化。因此，例如，預先將視頻信號的振幅設(shè)置為大的對策是不必要的。相反，對于獲取某一 亮度必要的視頻信號的值可以被設(shè)置得相對較小，從而可以抑制功耗。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的概念圖；圖2是包括驅(qū)動電路的顯示元件的等價電路圖；圖3是顯示裝置的一部分的示意性局部剖面圖；圖4是根據(jù)第一實施例的顯示元件的驅(qū)動的定時圖的示意圖5是根據(jù)參考示例的顯示裝置的概念圖；圖6是根據(jù)參考示例的顯示元件的驅(qū)動的定時圖的示意圖；圖7A至圖7F是示意性地示出顯示元件中的驅(qū)動電路中各個晶體管的導通/截止狀態(tài)等的示圖；圖8A至圖8F是示意性地示出隨圖7A至圖7F之后，顯示元件中的驅(qū)動電路中各 個晶體管的導通/截止狀態(tài)等的示圖；圖9是用于說明第二節(jié)點的電位變化的示意電路圖；圖10是用于說明在圖6中所示的水平掃描周期Hm中數(shù)據(jù)線的電位、驅(qū)動晶體管 的狀態(tài)、第二饋電線的電位、第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點的電位之間的關(guān)系的示意圖；圖IlA至圖IlE是示意性地示出顯示元件中的驅(qū)動電路中各個晶體管的導通/截 止狀態(tài)等的示圖；圖12是用于說明第二節(jié)點的電位變化的示意電路圖；圖13是用于說明在圖4中所示的水平掃描周期Hm中數(shù)據(jù)線的電位、驅(qū)動晶體管 的狀態(tài)、第二饋電線的電位、第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點的電位之間的關(guān)系的示意圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的概念圖；圖15是根據(jù)第二實施例的顯示元件的驅(qū)動的定時圖的示意圖；圖16是包括驅(qū)動電路的顯示元件的等價電路圖；圖17是包括驅(qū)動電路的顯示元件的等價電路圖；圖18是包括驅(qū)動電路的顯示元件的等價電路圖。
具體實施例方式以下將參考附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。將按如下順序來進行描述1.有關(guān)根據(jù)本發(fā)明的形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法和用于驅(qū)動顯示裝置的方 法的更詳細描述2.本發(fā)明的各個實施例中所使用的顯示元件和顯示裝置的概要的描述3.第一實施例(2Tr/lC驅(qū)動電路的形式)4.第二實施例(2Tr/lC驅(qū)動電路的形式)〈根據(jù)本發(fā)明的形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法和用于驅(qū)動顯示裝置的方法的更 詳細描述>在根據(jù)本發(fā)明第一形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法、根據(jù)本發(fā)明第二形式的用于 驅(qū)動顯示裝置的方法、根據(jù)本發(fā)明第三形式的用于驅(qū)動顯示裝置的方法(以下，這些方法 將常常被統(tǒng)稱為本發(fā)明)中，第一參考電壓的值和第二參考電壓的值可以基本上根據(jù)顯示 元件和顯示裝置的設(shè)計來確定?？紤]顯示裝置的設(shè)計，優(yōu)選第一參考電壓和第二參考電壓 是對各個顯示元件公共的固定電壓。在這種情況中，可以采用使下式成立的配置。 在該式中，VCat_H表示第一參考電壓，Vcat+表示第二參考電壓，Vsig Max表示視頻信號 有可能取得的最大值，Vsigjlin表示視頻信號有可能取得的最小值，Ca表示第一節(jié)點與第二節(jié) 點之間的電容，CB表示第二節(jié)點與第二饋電線之間的電容，并且Vms表示在閾值電壓消除處 理中被施加于第一節(jié)點以保持第一節(jié)點的電位的電壓。
如果電容 和電容CB根據(jù)顯示元件和顯示裝置的操作而變化，則可以使用閾值電 壓消除處理的結(jié)束定時的電容Ca和電容CB。在包括上述優(yōu)選配置的本發(fā)明中，可以采用以下配置。具體而言，對第一節(jié)點的電位和第二節(jié)點的電位進行初始化的預處理被執(zhí)行，使 得第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差可以超過驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且第二節(jié)點與發(fā) 光部件中所包括的陰極之間的電位差不可以超過發(fā)光部件的閾值電壓。隨后，閾值電壓消除處理被執(zhí)行。之后，寫處理被執(zhí)行。
隨后，通過由來自掃描線的掃描信號將寫晶體管切換成截止狀態(tài)，第一節(jié)點被轉(zhuǎn) 變成浮動狀態(tài)，并且在預定驅(qū)動電壓從第一饋電線被施加于驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū) 的狀態(tài)中，通過使依賴于第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差的電流經(jīng)由驅(qū)動晶體管流經(jīng)發(fā) 光部件，發(fā)光部件被驅(qū)動。在包括上述各種配置的本發(fā)明中，響應于流經(jīng)自身的電流而發(fā)光的電流驅(qū)動型發(fā) 光部件可以廣泛用來作為用作發(fā)光元件的發(fā)光部件。這樣的發(fā)光部件的示例包括有機電致 發(fā)光發(fā)光部件、無機電致發(fā)光發(fā)光部件、LED發(fā)光部件和半導體激光發(fā)光部件。這些發(fā)光部 件可以通過使用已知的材料和方法來形成。考慮形成彩色顯示平板顯示裝置，發(fā)光部件由 這些發(fā)光部件中的有機電致發(fā)光發(fā)光部件形成的配置是。有機電致發(fā)光發(fā)光部件可以是所 謂的頂部發(fā)光(top-emission)型或者是底部發(fā)光(bottom-emission)型。當本說明書中的各種式子算術(shù)上嚴密地成立時以及當這些式子實質(zhì)上成立時，由 這些式子表示的條件滿足。換而言之，關(guān)于式子的成立，允許存在由于顯示元件和顯示裝置 的設(shè)計和制造而出現(xiàn)的各種變化。在本發(fā)明中，如果通過閾值電壓消除處理，第二節(jié)點的電位達到通過從第一節(jié)點 的電位減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位，則驅(qū)動晶體管進入截止狀態(tài)。另一方面，如 果第二節(jié)點的電位沒有達到通過從第一節(jié)點的電位減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電 位，則第一節(jié)點與第二節(jié)點之間的電位差高于驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且驅(qū)動晶體管不 進入截止狀態(tài)。在本發(fā)明的驅(qū)動方法中，作為閾值電壓消除處理的結(jié)果，驅(qū)動晶體管不是必 須進入截止狀態(tài)。寫處理可以緊接在閾值電壓消除處理的結(jié)束之后被執(zhí)行，或以一間隔被執(zhí)行。此 夕卜，寫處理可以在預定驅(qū)動電壓被施加于驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中被執(zhí)行。 可替換地，其可以在預定驅(qū)動電壓未被施加于驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中被執(zhí) 行。在前一配置中，結(jié)合寫處理，根據(jù)驅(qū)動晶體管的特性來改變驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏 區(qū)的電位的遷移率校正處理也被執(zhí)行。顯示裝置可以具有用于所謂的單色顯示的配置，或者具有用于彩色顯示的配置。 例如，可以采用彩色顯示配置，其中，一個像素由多個子像素組成，具體而言，一個像素由紅 光發(fā)射子像素、綠光發(fā)射子像素和藍光發(fā)射子像素這3個子像素組成。此外，一個像素也可 以由通過向這三種子像素添加一種或多種子像素而獲得的子像素群組(例如，為了增強亮 度通過添加發(fā)射白光的子像素而獲得的子像素群組，為了加寬色彩再現(xiàn)范圍通過添加發(fā)射 補色光的子像素而獲得的子像素群組，為了加寬色彩再現(xiàn)范圍通過添加發(fā)射黃光的子像素 而獲得的子像素群組，或為了加寬色彩再現(xiàn)范圍通過添加發(fā)射黃光和青色光的子像素而獲得的子像素群組)組成。作為顯示裝置中的像素的值，例如可以引用以下若干種圖像顯示分辨率 VGA (640, 480)、S-VGA (800, 600)、XGA (1024，768)、APRC (1152，900)、S-XGA (1280,1024)、 U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)、Q-XGA(2048，1536)、(1920,1035)、(720,480)禾口 (1280，960)。然而，顯示裝置中的像素的值不限于這些值。
在顯示元件和顯示裝置中，可以采用已知的配置和結(jié)構(gòu)來作為諸如掃描線、數(shù)據(jù) 線、第一饋電線和第二饋電線之類的各種互連以及發(fā)光部件的配置和結(jié)構(gòu)。例如，如果發(fā)光 部件由有機電致發(fā)光發(fā)光部件形成，則其可以由陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰 極等組成。稍后將描述的諸如電源單元、掃描電路、信號輸出電路和陰極電壓控制電路之類 的各種電路可以利用已知的電路元件等來形成。作為驅(qū)動電路中所包括的晶體管，可以引用η溝道薄膜晶體管(TFT)。驅(qū)動電路 中所包括的晶體管可以是增強型的或者是耗盡型的。在η溝道晶體管中，可以形成輕摻雜 漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。根據(jù)該情況，可以不對稱地形成LDD結(jié)構(gòu)。例如，由于正是在顯示元件發(fā) 射光時，大的電流流經(jīng)驅(qū)動晶體管，所以還可以采用僅在用作光發(fā)射時的漏區(qū)的一個源區(qū)/ 漏區(qū)上形成LDD結(jié)構(gòu)的配置。P溝道薄膜晶體管例如可被用作寫晶體管。驅(qū)動電路中所包括的電容性部件可以由一個電極、另一電極和夾在這些電極之間 的介電層(絕緣層)組成。上述包括在驅(qū)動電路中的晶體管和電容性部件被形成在某一平 板中(例如被形成在支持體上)，并且發(fā)光部件被形成在驅(qū)動電路中所包括的晶體管和電 容性部件上，并在中間例如隔以層間絕緣層。驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)例如經(jīng)由接觸 孔連接到發(fā)光部件中所包括的陽極。可以采用在半導體基板等上形成晶體管的配置。以下，將參考附圖來描述本發(fā)明的實施例。在描述之前，將描述各個實施例中所使 用的顯示元件和顯示裝置的概要。<本發(fā)明的各個實施例中所使用的顯示元件和顯示裝置的概要的描述>適于在各個實施例中使用的顯示裝置是包括多個像素的顯示裝置。一個像素由多 個子像素(在各個實施例中為紅光發(fā)射子像素、綠光發(fā)射子像素和藍光發(fā)射子像素這3個 子像素)組成。電流驅(qū)動型發(fā)光部件由有機電致發(fā)光發(fā)光部件形成。每個子像素由顯示元 件10形成，顯示元件10具有通過堆疊(stack)驅(qū)動電路11和連接到驅(qū)動電路11的發(fā)光 部件(發(fā)光部件ELP)獲得的結(jié)構(gòu)。在圖1中示出本發(fā)明第一實施例中所使用的顯示裝置的概念圖，并且在圖14中示 出本發(fā)明第二實施例中所使用的顯示裝置的概念圖。在圖2中，示出基本上由兩個晶體管/ 一個電容性部件組成的驅(qū)動電路(該驅(qū)動 電路將常常被稱為2Tr/lC驅(qū)動電路)。如圖1中所示，第一實施例中所使用的顯示裝置包括(1)以沿第一方向布置N個顯示元件10并且沿與第一方向不同的第二方向布置的 M個顯示元件10這樣的方式、以二維矩陣布置的NXM個顯示元件10，并且每一個顯示元件 10包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件ELP和驅(qū)動電路11，(2)沿第一方向延伸的M個掃描線SCL，(3)沿第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線DTL，(4)沿第一方向延伸的M個第一饋電線PS1，以及
(5)沿第一方向延伸的M個第二饋電線PS2。第一饋電線PSl連接到電源單元100。數(shù)據(jù)線DTL連接到信號輸出電路102。掃描線SCL連接到掃描電路101。第二饋電線PS2連接到陰極電壓控制電路103。盡管在圖 1和圖14中示出了 3X3個顯示元件10，但這僅僅是示例。如圖14中所示，除了第二饋電線PS2是公共的饋電線以外，第二實施例中所使用 的顯示裝置具有與第一實施例中所使用的顯示裝置相同的配置。公共第二饋電線PS2連接 到陰極電壓控制電路103。在圖14中，為了方便，這樣圖示M個第二饋電線PS2相互連接 來形成公共的第二饋電線PS2。然而，配置不限于此。例如，公共第二饋電線可以由被成形 為平面狀的電極形成。發(fā)光部件ELP具有例如包括陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極的已知 的配置和結(jié)構(gòu)。已知的配置和結(jié)構(gòu)可以被用作掃描電路101、信號輸出電路102、掃描線 SCL、數(shù)據(jù)線DTL和電源單元100的配置和結(jié)構(gòu)。以下，將描述驅(qū)動電路11的最少構(gòu)成元件。驅(qū)動電路11至少包括驅(qū)動晶體管TRd、 寫晶體管TRw和電容性部件Q。驅(qū)動晶體管TRd由包括源區(qū)/漏區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的η 溝道TFT形成。寫晶體管TRw也由包括源區(qū)/漏區(qū)、溝道形成區(qū)和柵極的η溝道TFT形成。 寫晶體管TRw可以由ρ溝道TFT形成。驅(qū)動電路11還可以包括另一晶體管。對于驅(qū)動晶體管TRd，(A-I)驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第一饋電線PS1，(A-2)驅(qū)動晶體管TRd的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到發(fā)光部件ELP中所包括的陽極和 電容性部件C1的一個電極，并且形成第二節(jié)點ND2,并且(A-3)驅(qū)動晶體管TRd的柵極連接到寫晶體管TRw的另一源區(qū)/漏區(qū)和電容性部 件(^的另一電極，并且形成第一節(jié)點ND115更具體而言，在圖1和圖14中所示的顯示裝置中，在第m行(m= 1，2，…，M)并 在第η列(η = 1，2，…，N)上的顯示元件10中，驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到 第m個第一饋電線PSlm。對于寫晶體管TRW，(B-I)寫晶體管TRw的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到數(shù)據(jù)線DTL，并且(B-2)寫晶體管TRw的柵極連接到掃描線SCL。更具體而言，在圖1和圖14中所示的顯示裝置中，在第m行并在第η列上的顯示 元件10中，寫晶體管TRw的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第η個數(shù)據(jù)線DTLn。寫晶體管TRw的柵 極連接到第m個掃描線SCLm。對于發(fā)光部件ELP，(C-I)發(fā)光部件ELP中所包括的陰極連接到第二饋電線PS2。更具體而言，在圖1中所述的顯示裝置中，在第m行并在第η列上的顯示元件10 中，發(fā)光部件ELP中所包括的陰極連接到第m個第二饋電線PS2m。此外，在圖14中所示的 顯示裝置中，在第m行并在第η行上的顯示元件10中，發(fā)光部件ELP中所包括的陰極連接 到公共的第二饋電線PS2。為了方便，以下，圖14中所示的連接到第m行和第η列上的顯示 元件10的公共第二饋電線PS2將常常被表示為公共第二饋電線PS2m。圖3是顯示裝置的一部分的示意性局部剖面圖。驅(qū)動電路11中所包括的晶體管TRd和TRw以及電容性部件C1被形成在支持體20上，并且發(fā)光部件ELP被形成在驅(qū)動電路 11中所包括的晶體管TRd和TRw和電容性部件C1上，中間例如隔以層間絕緣層40。驅(qū)動晶 體管TRd的另一源區(qū)/漏區(qū)經(jīng)由接觸孔連接到發(fā)光部件ELP中所包括的陽極。在圖3中僅 示出驅(qū)動晶體管TRd。其它晶體管被隱藏并不可見。更具體而言，驅(qū)動晶體管TRd由柵極31、柵絕緣層32、半導體層33中所設(shè)置的源區(qū)/漏區(qū)35和與半導體層33中在源區(qū)/漏區(qū)35之間的部分相對應的溝道形成區(qū)34組成。 另一方面，電容性部件C1由另一電極36、由柵絕緣層32的延伸部分形成的介電層和一個電 極37(等同于第二節(jié)點ND2)組成。柵極31、柵絕緣層32的一部分和電容性部件C1的另一 電極36被形成在支持體20上。驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)35連接到互連38，并且 另一源區(qū)/漏區(qū)35連接到一個電極37。驅(qū)動晶體管TRd、電容性部件C1等被層間絕緣層40 覆蓋。在層間絕緣層40上，設(shè)置由陽極51、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極53組成 的發(fā)光部件ELP。在圖中，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層由一個層52表示。在層間絕緣 層40中未提供發(fā)光部件ELP的部分上提供第二層間絕緣層54。透明基板21被配置在第二 層間絕緣層54和陰極53上，并且由發(fā)光層發(fā)射的光通過基板21并被輸出至外部。一個電 極37 (第二節(jié)點ND2)和陽極51經(jīng)由層間絕緣層40中所提供的接觸孔相互連接。陰極53 經(jīng)由第二層間絕緣層54和層間絕緣層40中所提供的接觸孔56和55連接到柵絕緣層32 的延伸部分上所提供的互連39。以下，將描述用于制造圖3等中所示出的顯示裝置的方法。首先，在支持體20上， 通過已知的方法相應地形成諸如掃描線SCL之類的各種互連、電容性部件C1的電極、包括 半導體層的晶體管、層間絕緣層、接觸孔等。隨后，通過已知方法來執(zhí)行膜沉積和圖案化，從 而形成以矩陣布置的發(fā)光部件ELP。此外，使得從上述步驟產(chǎn)生的支持體20和基板21面對 面并且對外圍進行密封，之后，執(zhí)行與外部電路的配線連接，這樣可以獲得顯示裝置。各個實施例中的顯示裝置是包括多個顯示元件10的彩色顯示顯示裝置(例如， NXM= 1920X480)。各個顯示元件10用作子像素。此外，一個像素由包含多個子像素的 群組形成，并且這些像素被沿第一方向和與第一方向不同的第二方向以二維矩陣布置。一 個像素由以下三種沿掃描線SCL的延伸方向布置的子像素組成發(fā)射紅光的紅光發(fā)射子像 素、發(fā)射綠光的綠光發(fā)射子像素和發(fā)射藍光的藍光發(fā)射子像素。該顯示裝置包括以二維矩陣布置的(N/3)XM個像素。形成各個像素的顯示元件 10被按行順次掃描，并且顯示幀率被定義為FR(次/秒)。具體而言，被布置在第m行上的 用作(N/3)個像素的顯示元件10(N個子像素)被同時驅(qū)動。換而言之，在形成一行的各個 顯示元件10中，其發(fā)光定時/不發(fā)光定時是以它們所屬于的行為單位來控制的。針對形成 一行的各個像素來寫視頻信號的處理可以是針對所有像素同時寫視頻信號的處理(以下， 其將常常被簡稱為同時寫處理)，或者是逐像素地順次寫視頻信號的處理(以下，其將常常 被簡稱為順次寫處理)?？梢愿鶕?jù)顯示裝置的配置來相應地選擇采用哪種寫處理。如上所述，從第一行至第M行的各個行上的顯示元件10被按行順次掃描。為了描 述方便，被指派用于掃描每一行上的顯示元件10的時段被表示為水平掃描時段。在稍后要 描述的各個實施例中，在每個水平掃描時段中存在以下時段第一節(jié)點初始化電壓(稍后 要描述的VQfs)從信號輸出電路102被施加于數(shù)據(jù)線DTL的時段(以下，該時段將被稱為初 始化時段)，和視頻信號(隨后要描述的Vsig)從信號輸出電路102被施加于數(shù)據(jù)線DTL的隨后時段(以下，稱為視頻信號時段)。這里，原則上，將描述有關(guān)位于第m行并且第η列的顯示元件10的驅(qū)動和操作，并 且以下，該顯示元件10將被稱為第(n，m)個顯示元件10或第(n，m)個子像素。到被布置 在第m行上的各個顯示元件10的水平掃描時段結(jié)束時為止，各種處理(稍后將描述的閾值 電壓消除處理、寫處理和遷移率校正處理)被執(zhí)行。寫處理和遷移率校正處理在第m個水 平掃描時段內(nèi)被執(zhí)行。另一方面，閾值電壓消除處理和與其相關(guān)聯(lián)的預處理可以比第m個 水平掃描時段更早被執(zhí)行。
在所有上述各種處理結(jié)束之后，第m行上所布置的各個顯示元件10中所包括的發(fā) 光部件ELP被使得發(fā)射光。發(fā)光部件ELP可以被使得緊接在所有上述各種處理結(jié)束之后發(fā) 射光?？商鎿Q地，發(fā)光部件ELP可以被使得在預定時段(例如，與預定數(shù)目的行相對應的水 平掃描時段)過去之后發(fā)射光。該預定時段可以根據(jù)顯示裝置的規(guī)格、驅(qū)動電路的配置等 來相應地設(shè)置。為了便于描述，以下描述基于這樣的假設(shè)發(fā)光部件ELP被使得緊接在各種 處理結(jié)束之后發(fā)射光。被布置在第m行上的各個顯示元件10中所包括的發(fā)光部件ELP的發(fā) 光狀態(tài)一直持續(xù)，直到被布置在第(m+m’ )行上的各個顯示元件10的水平掃描時段的開始 的緊前為止?！癿”是根據(jù)顯示裝置的設(shè)計規(guī)格來確定的。即，被布置某一顯示幀中的第m行 上的各個顯示元件10中所包括的發(fā)光部件ELP的光發(fā)射一直持續(xù)，直到第(m+m’ -1)個水 平掃描時段的結(jié)束為止。另一方面，在下一顯示幀中的第m個水平掃描時段中從第(m+m’) 個水平掃描時段的開始定時到寫處理和遷移率校正處理的完成為止，被布置在第m行上的 各個顯示元件10中所包括的發(fā)光部件ELP原則上保持不發(fā)光狀態(tài)。通過設(shè)置不發(fā)光狀態(tài)的 時段(以下，該時段將常常被簡稱為不發(fā)光時段)，可以減少有源矩陣驅(qū)動附帶的圖像滯后 模糊并可以獲得更好的運動圖像質(zhì)量。然而，各個子像素(顯示元件10)的發(fā)光狀態(tài)/不發(fā) 光狀態(tài)不限于上述狀態(tài)。水平掃描時段的時間長度短于(1/FR) X (1/M)秒。如果(m+m’ ) 的值超過M，則水平掃描時段的超出部分在下一顯示幀中被處理。對于一個晶體管的兩個源區(qū)/漏區(qū)，術(shù)語“一個源區(qū)/漏區(qū)”將常常被用來指代與 電源側(cè)連接的源區(qū)/漏區(qū)。此外，表述“晶體管處于導通狀態(tài)”是指源區(qū)/漏區(qū)之間形成溝 道，而不論電流是否從該晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)流至其另一源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)。另一方 面，表述“晶體管處于截止狀態(tài)”是指在源區(qū)/漏區(qū)之間未形成溝道的狀態(tài)。此外，表述“某 一晶體管的源區(qū)/漏區(qū)連接到另一晶體管的源區(qū)/漏區(qū)”包括該某一晶體管的源區(qū)/漏區(qū) 和另一晶體管的源區(qū)/漏區(qū)占據(jù)相同區(qū)域的形態(tài)。此外，不僅可以從諸如包含雜質(zhì)的多晶 硅或非晶硅之類的導電物質(zhì)形成源區(qū)/漏區(qū)，也可以從由金屬、合金、導電粒子、這些材料 的多層結(jié)構(gòu)或有機材料(導電聚合體)組成的層形成源區(qū)/漏區(qū)。此外，在以下描述中所 使用的定時圖中，指示各個時段的橫坐標的長度(時間長度)是示意性長度并且不指示各 個時段的時間長度之比。這同樣適用于縱坐標。此外，定時圖中波形的形狀也是示意性的 形狀。以下，將描述本發(fā)明的實施例。第一實施例第一實施例涉及根據(jù)本發(fā)明第一形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法以及根據(jù)本發(fā) 明第二形式的用于驅(qū)動顯示裝置的方法。如圖2中所示，顯示元件10中的驅(qū)動電路11包括兩個晶體管，即寫晶體管TRw*驅(qū)動晶體管TRD，并且還包括一個電容性部件CiOTr/lC驅(qū)動電路)。以下，將描述第(n，m)個顯示元件10的配置。[驅(qū)動晶體管TRd]驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第m個第一饋電線PSlm。預定電壓基于 電源單元100的操作從第m個第一饋電線PSlm被供應給驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)。 具體而言，稍后要描述的驅(qū)動電壓V^h和電壓V?！皬碾娫磫卧?00被供應。另一方面，驅(qū) 動晶體管TRd的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到[1]發(fā)光部件ELP的陽極和[2]電容性部件C1的一 個電極，并且形成第二節(jié)點ND2。此外，驅(qū)動晶體管TRd的柵極連接到[1]寫晶體管TRw的另 一源區(qū)/漏區(qū)以及[2]電容性部件C1的另一電極，并形成第一節(jié)點ND115驅(qū)動晶體管TRd被進行電壓設(shè)置，使得在顯示元件10的發(fā)光狀態(tài)中，驅(qū)動晶體管 TRd在飽和區(qū)中工作，并且驅(qū)動晶體管TRd被驅(qū)動使得根據(jù)下式(1)的漏電流Ids流經(jīng)驅(qū)動 晶體管TRd。在顯示元件10的發(fā)光狀態(tài)中，驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)用作漏區(qū)，并 且其另一源區(qū)/漏區(qū)用作源區(qū)。在以下描述中，為了描述方便，驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū) /漏區(qū)將常常被簡稱為漏區(qū)，并且其另一源區(qū)/漏區(qū)將常常被簡稱為源區(qū)。各個參數(shù)被定義 如下μ 有效遷移率L 溝道長度W:溝道寬度Vgs 柵極與源區(qū)之間的電位差Vth:閾值電壓Cox (柵絕緣層的相對介電常數(shù))X (真空的介電常數(shù))/(柵絕緣層的厚度)k = (1/2) ‘ (W/L) ‘ CoxIds = k · μ · (Vgs-VJ2(I)由于該漏電流Ids流經(jīng)顯示元件10中的發(fā)光部件ELP，所以顯示元件10中的發(fā)光 部件ELP發(fā)射光。此外，顯示元件10中的發(fā)光部件ELP的發(fā)光狀態(tài)(亮度)根據(jù)該漏電流 Ids的大小來控制。[寫晶體管TRw]如上所述，寫晶體管TRw的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到驅(qū)動晶體管TRd的柵極。另一方 面，寫晶體管TRw的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第η個數(shù)據(jù)線DTLn。預定電壓基于信號輸出電 路102的操作從第η個數(shù)據(jù)線DTLn被施加于寫晶體管TRw的一個源區(qū)/漏區(qū)。具體而言， 從信號輸出電路102供應用于控制發(fā)光部件ELP的亮度的視頻信號(驅(qū)動信號，亮度信號) Vsig和稍后要描述的第一節(jié)點初始化電壓VMs。由來自連接到寫晶體管TRw的柵極的第m個 掃描線SCLm的掃描信號(具體而言，來自掃描電路101的掃描信號)來控制寫晶體管TRw 的導通/截止操作。[發(fā)光部件ELP]如上所述，發(fā)光部件ELP的陽極連接到驅(qū)動晶體管TRd的源區(qū)。另一方面，發(fā)光部 件ELP的陰極連接到第m個第二饋電線PS2m。基于陰極電壓控制電路103的操作，預定電 壓從第m個第二饋電線PS2m被供應至發(fā)光部件ELP的陰極。具體而言，從陰極電壓控制電 路103供應稍后要描述的第一參考電壓V。at_H和第二參考電壓V。at_p發(fā)光部件ELP的電容用符號Ca表示。發(fā)光部件ELP發(fā)光必需的閾值電壓被定義為Vthi。即，如果等于或高于 Vth_EL的電壓被施加于發(fā)光部件ELP的陽極與陰極之間，則發(fā)光部件ELP發(fā) 光。
以下，將描述根據(jù)第一實施例的顯示裝置及其驅(qū)動方法。在以下描述中，電壓和電位的值被定義如下。然而，這些值僅僅是針對該描述的 值，并且電壓和電位的值不限于此。Vsig 用于控制發(fā)光部件ELP的亮度的視頻信號…1伏特(黑色顯示)至7伏特(白色顯示)VCC_H 針對流經(jīng)發(fā)光部件ELP的電流的驅(qū)動電壓…20伏特VCC_L 第二節(jié)點初始化電壓…-10伏特V0fs 用于對驅(qū)動晶體管TRd的柵極的電位(第一節(jié)點ND1的電位)進行初始化的 第一節(jié)點初始化電壓...0 伏特Vth 驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓"·3 伏特VCat_H:第一參考電壓···()伏特Vcat+:第二參考電壓…-I伏特Vth_EL 發(fā)光部件ELP的閾值電壓"·3 伏特根據(jù)各個實施例的顯示元件和顯示裝置的驅(qū)動方法(以下，縮略為驅(qū)動方法)包 括以下步驟(a)執(zhí)行對第一節(jié)點ND1的電位和第二節(jié)點ND2的電位進行初始化的預處理，使得 第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的電位差能超過驅(qū)動晶體管TRd的閾值并且第二節(jié)點ND2 與發(fā)光部件ELP中所包括的陰極之間的電位差不能超過發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vthi，(b)隨后，執(zhí)行閾值電壓消除處理，(c)之后，執(zhí)行寫處理，以及(d)隨后，通過由來自掃描線SCL的掃描信號將寫晶體管TRw切換成截止狀態(tài)，第 一節(jié)點ND1被轉(zhuǎn)變成浮動狀態(tài)，并且，在預定驅(qū)動電壓V。。_H從第一饋電線PSlm被施加于驅(qū)動 晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中，通過使依賴于第一節(jié)點ND1與第二節(jié)點ND2之間的 電位差的電流經(jīng)由驅(qū)動晶體管TRd流經(jīng)發(fā)光部件ELP，發(fā)光部件ELP被驅(qū)動。在各個實施例的驅(qū)動方法中，閾值電壓消除處理在第一參考電壓V。at_HW第二饋 電線PS2m被施加于發(fā)光部件ELP中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。之后，寫處理在低于第 一參考電壓V。at_H的第二參考電壓V。at<從第二饋電線PS2m被施加于陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。 如稍后所述，在各個實施例中，閾值電壓消除處理在多個掃描時段中被執(zhí)行多次。在該情況 中，在第一參考電壓V。at_H從第二饋電線PS2m被施加于發(fā)光部件ELP中所包括的陰極的狀態(tài) 中，至少執(zhí)行寫處理緊前的閾值電壓消除處理是足夠的。
首先，為了幫助理解本發(fā)明，以下將描述利用根據(jù)參考示例的其中恒定電壓被施 加于第二饋電線PS2的顯示裝置的驅(qū)動方法來作為該參考示例的驅(qū)動方法。在圖4中示意 性地示出根據(jù)第一實施例的顯示元件10的驅(qū)動的定時圖。在圖5中示出根據(jù)參考示例的 顯示裝置的概念圖，并且在圖6中示意性地示出根據(jù)參考示例的顯示元件10的驅(qū)動的定時 圖。在圖7A至圖7F和圖8A至圖8F中示意性地示出參考示例的操作中顯示元件10中的 各個晶體管的導通/截止狀態(tài)等。如圖5中所示，在參考示例的顯示裝置中，M個第二饋電線PS2相互連接來形成公共第二饋電線PS2。恒定電壓被施加于公共第二饋電線PS2。在圖5中所示的示例中，公共 第二饋電線PS2被接地并且其電壓(電位)為VCat( = 0伏特)。除了此差異以外，參考示 例的顯示裝置的配置與圖1中所示的顯示裝置的配置相同。以下，將參考圖6、圖7A至圖7F和圖8A至圖8F來描述參考示例的驅(qū)動方法。 參考示例中的驅(qū)動方法與實施例的不同在于閾值電壓消除處理和寫處理都在恒定電壓 Vcat ( = 0伏特)從第二饋電線PS2被施加于發(fā)光部件ELP中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí) 行。[時段_TP(2)_J(參見圖6和圖7A)[時段_TP(2)_J例如是前一顯示幀中的操作被執(zhí)行并且在之前的各種處理完成 后第(n，m)個顯示元件10處于發(fā)光狀態(tài)的時段。具體而言，基于稍后描述的式(5’ )的漏 電流I’ ds流經(jīng)用作第(n，m)個子像素的顯示元件10中的發(fā)光部件ELP，并且用作第(n，m) 個子像素的顯示元件10中的發(fā)光部件ELP的亮度具有依賴于漏電流I’ ds的值。寫晶體管 TRw處于截止狀態(tài)，并且驅(qū)動晶體管TRd處于導通狀態(tài)。第(n，m)個顯示元件10的發(fā)光狀 態(tài)一直持續(xù)，直到被布置在第(m+m’ )行的顯示元件10的水平掃描時段的開始緊前為止。與各個水平掃描時段相對應，第一節(jié)點初始化電壓Vms和視頻信號Vsig被施加于 數(shù)據(jù)線DTLn。然而，寫晶體管TRw處于截止狀態(tài)。因此，盡管數(shù)據(jù)線DTLn的電位(電壓)在 [時段_TP(2)_J中改變，但是第一節(jié)點ND1和第二節(jié)點ND2的電位不變(實際上，由于寄生 電容的靜電耦合等引起的電位變化有可能發(fā)生，但是這些變化一般可以被忽略)。這也適用 于稍后描述的[時段-TP (2)。]。從[時段_TP(2)J至[時段-TP(2)6A]的時段是從之前的各種處理完成之后發(fā) 光狀態(tài)的結(jié)束開始直到下一寫處理的緊前為止的操作時段。在從[時段-TPOh]到[時 段-TP(2)6B]的時段中，第(n，m)個顯示元件10原則上處于不發(fā)光狀態(tài)。如圖6中所示， 第m個水平掃描時段H中包括[時段-TP⑵5]、[時段-TP⑵6A]、[時段-TP⑵J和[時 段-TP(2)6C]。在參考示例和稍后要描述的各個實施例中，上述步驟(b)(即閾值電壓消除處理) 在多個掃描時段上(更具體而言，在從第(m-2)個水平掃描時段Hm_2至第m個水平掃描時 段Hm的掃描時段上)被執(zhí)行。然而，該配置不限于此。為了描述方便，假定[時段_TP(2)1A]的開始定時對應于第(m-2)個水平掃描時段 Hm_2中初始化時段(在圖6中，數(shù)據(jù)線DTLn的電位為Vms的時段，并且這也適用于其它水平 掃描時段)的開始定時。類似地，假定[時段_TP(2)1B]的結(jié)束定時對應于水平掃描時段 Hm_2中的初始化時段的結(jié)束定時。此外，假定[時段-TP(2)2]的開始定時對應于水平掃描 時段Hm_2中的視頻信號時段(在圖6中，數(shù)據(jù)線DTLn的電位是視頻信號Vsig的時段，并且這也適用于其它水平掃描時段)的開始定時。以下，將描述從[時段-TP(2)J到[時段_TP(2)7]的每一個時段。[時段_TP(2)1b] 的開始定時以及從[時段-TP(2)6A]到[時段-TP(2)6J的每一個時段的長度可以根據(jù)顯示 元件和顯示裝置的設(shè)計來相應地設(shè)置。[時段-TP⑵。](參見圖6和圖7B)在該[時段-TP(2)J中，例如，操作涉及從前一顯示幀向本顯示幀的過渡。具體 而言，該[時段-TPOh]等同于從前一顯示幀中的第(m+m’ )個水平掃描周期的開始定時 到本顯示幀中的第(m-3)個水平掃描時段的結(jié)束定時的時段。在該[時段-TP(2) J中，第 (n,m)個顯示元件10原則上處于不發(fā)光狀態(tài)。在[時段_TP(2)J的開始定時，從電源單元 100供應給第一饋電線PSlm的電壓從驅(qū)動電壓^㈣被切換成第二節(jié)點初始化電壓Ve“。結(jié) 果，第二節(jié)點ND2的電位降低至ve“，并且反向電壓被施加于發(fā)光部件ELP的陽極和陰極之 間，使得發(fā)光部件ELP進入不發(fā)光狀態(tài)。隨第二節(jié)點ND2的電位降低，處于浮動狀態(tài)的第一 節(jié)點冊工(驅(qū)動晶體管TRd的柵極)的電位也降低。[時段_TP(2)1A](參見圖6和圖7C)隨后，本顯示幀中的第(m-2)個水平掃描時段扎_2開始。在該[時段-TP(2) 1A]中， 上述步驟(a)(即，預處理)被執(zhí)行。如上所述，在每個水平掃描時段中，從信號輸出電路102向數(shù)據(jù)線0!1^施加第一 節(jié)點初始化電壓VMS，并且隨后施加視頻信號VSig來替代第一節(jié)點初始化電壓VMs。更具體 而言，與本顯示幀中的第(m-2)個水平掃描時段扎_2相對應，第一節(jié)點初始化電壓VMs被施 加于數(shù)據(jù)線DTLn，并且隨后，與第(n，m-2)個子像素相對應的視頻信號(為了方便，表示為 VSig—m-2，并且這也適用于其它視頻信號)被施加來替代第一節(jié)點初始化電壓VMs。這也適用 于其它水平掃描時段。盡管在圖6中省略了圖示，但是在水平掃描時段Hm_2、Hy、Hm、Hm+1、
，-i和Hm+m，以外的各個水平掃描時段中，第一節(jié)點初始化電壓VMs和視頻信號VSig也被施 加于數(shù)據(jù)線DTLn。具體而言，在[時段_TP(2)1A]的開始，通過將掃描線換成高電平，寫晶體 管TRW被轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。從信號輸出電路102施加于數(shù)據(jù)線DTLn的電壓是VMs(初始時 段)。結(jié)果，第一節(jié)點冊工的電位變成VMs(0伏特)。由于第二節(jié)點初始化電壓Ve“基于電 源單元100的操作從第一饋電線PSlm被施加于第二節(jié)點ND2，所以，Ve“(-10伏特)被保持 作為第二節(jié)點冊2的電位。第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電位差為10伏特，并且驅(qū)動晶體管TRD的閾 值電壓Vth為3伏特。因此，驅(qū)動晶體管TRD處于導通狀態(tài)。第二節(jié)點ND2與發(fā)光部件ELP 中所包括的陰極之間的電位差為-10伏特，并且該電位差不超過發(fā)光部件ELP的閾值電壓 Vthi。通過該操作，對第一節(jié)點NDi的電位和第二節(jié)點ND2的電位進行初始化的預處理完成。針對該預處理，可以采用這樣的配置，其中，在被施加于數(shù)據(jù)線DTLn的電壓被切換 至第一節(jié)點初始化電壓VMs之后，寫晶體管TRW被轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)?？商鎿Q地，可以采用這 樣的配置，其中，在預處理要被執(zhí)行的水平掃描時段的開始定時之前，寫晶體管TRW被來自 掃描線的信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。在后一配置中，當?shù)谝还?jié)點初始化電壓VMs被施加于數(shù)據(jù)線 DTLn時，第一節(jié)點NDi的電位立即被初始化。在寫晶體管TRW在被施加于數(shù)據(jù)線DTLn的電 壓被切換至第一節(jié)點初始化電壓\fs之后被轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的前一配置中，需要向預處理
20分配包括等待切換的時間在內(nèi)的時間。相比之下，在后一配置中，不需要等待切換的時間， 并且能夠以較短的時間來執(zhí)行預處理。隨后，在從[時段-TP (2) 1B]到[時段_TP(2)5]的時段上，上述步驟(b)(即，閾 值電壓消除處理)被執(zhí)行。具體而言，第一閾值電壓消除處理在[時段_TP(2)1B]中被執(zhí) 行。第二閾值電壓消除處理在[時段_TP(2)3]中被執(zhí)行。第三閾值電壓消除處理在[時 段-TP(2)5]中被執(zhí)行。[時段-TP(2) 1B](參見圖6和圖7D)具體而言，從電源單元100供應給第一饋電線PSlm的電壓從電壓被切換成驅(qū) 動電壓Vee_H，并且寫晶體管了 保持導通狀態(tài)。結(jié)果，盡管第一節(jié)點冊工的電位未改變(保 持在VMs = 0伏特)，但是第二節(jié)點ND2的電位朝向通過從第一節(jié)點NDi的電位減去驅(qū)動晶 體管TRd的閾值電壓Vth獲得的電位改變。即，第二節(jié)點ND2的電位上升。如果該[時段-TP (2) 1B]充分長，則驅(qū)動晶體管TRD的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之 間的電位差達到Vth，并且驅(qū)動晶體管TRD進入截止狀態(tài)。具體而言，第二節(jié)點ND2的電位向 (V0fs-Vth)靠近并最終變成(V0fs-Vth)。然而，在圖6中所示的示例中，[時段-TP⑵1B]的長 度不足以充分改變第二節(jié)點冊2的電位。因此，在[時段_TP(2)1B]的結(jié)束定時，第二節(jié)點 ND2的電位達到滿足關(guān)系<\< (V0fs-Vth)的某一電位力。[時段_TP(2)2](參見圖6和圖7E)在[時段-了？⑵』的開始定時，數(shù)據(jù)線DTLJ々電壓從第一節(jié)點初始化電壓13被 切換成視頻信號VSig m_2。為了防止視頻信號VSig m_2被施加于第一節(jié)點NDp在[時段-TP⑵2] 的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm的信號轉(zhuǎn)變成截止狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點冊工 變成浮動狀態(tài)。由于驅(qū)動電壓Vee_H從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)， 第二節(jié)點nd2的電位從電位Vi上升至某一電位v2。另一方面，驅(qū)動晶體管TRd的柵極處于 浮動狀態(tài)，并且存在電容性部件Ci。因此，在驅(qū)動晶體管TRD的柵極發(fā)生自舉操作。結(jié)果， 第一節(jié)點NDi的電位隨第二節(jié)點ND2的電位變化而上升。[時段-TP(2)3](參見圖6和圖7F)在[時段_TP(2)3]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從視頻信號VSig m_2被切換成 第一節(jié)點初始化電壓VMs。在該[時段_TP(2)3]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線 SCLm的信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。結(jié)果，第一節(jié)點冊工的電位變成VMs。驅(qū)動電壓電源單 元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)。結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位朝向通過從 第一節(jié)點觀的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth獲得的電位改變。S卩，第二節(jié)點ND2 的電位從電位V2上升至某一電位V3。[時段-TP⑵4](參見圖6和圖8A)在[時段-TP(2)4]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTLn&電壓從第一節(jié)點初始化電壓VQfs 被切換成視頻信號V& M。為了防止視頻信號M被施加于第一節(jié)點冊工，在該[時 段_TP(2)4]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm的信號轉(zhuǎn)變成截止狀態(tài)。結(jié)果， 第一節(jié)點NDi變成浮動狀態(tài)。由于驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一個源區(qū)/漏區(qū)， 所以，第二節(jié)點nd2的電位從電位v3上升至某一電位v4。另一方面，驅(qū)動晶體管TRd的柵極處于浮動狀態(tài)，并且存在電容性部件q。因此，在驅(qū)動晶體管TRD的柵極發(fā)生自舉操作。因 此，第一節(jié)點NDi的電位隨第二節(jié)點ND2的電位變化而上升。作為[時段_TP(2)5]中的操作的前提，在[時段_TP(2)5]的開始定時，第二節(jié)點 ND2的電位V4有必要低于(VQfs-Vth)。從[時段-TP (2) 1B]的開始定時到[時段-TP (2) 5]的 開始定時的長度被如此確定以使得滿足條件、< (V0fs-Vth)。[時段_TP(2)5](參見圖6和圖8B)[時段-TP(2) 5]中的操作與上述[時段-TP (2)3]中的操作基本相同。在該[時 段-TP⑵5]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從視頻信號VSig —被切換成第一節(jié)點初始化電 壓VMs。在該[時段-TP (2) 5]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm的信號轉(zhuǎn)變成 導通狀態(tài)。第一節(jié)點觀變成第一節(jié)點初始化電壓VMs從數(shù)據(jù)線DTLn經(jīng)由寫晶體管TRW被施 加于第一節(jié)點冊工的狀態(tài)。此外，驅(qū)動電壓Vee_H從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的 一個源區(qū)/漏區(qū)。因此，與上述[時段-TP (2) 3]中的操作類似，第二節(jié)點ND2的電位朝向通 過從第一節(jié)點冊工的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth獲得的電位改變。如果驅(qū)動晶 體管TRd的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差達到Vth，驅(qū)動晶體管TRd變成截止狀態(tài)。 在該狀態(tài)中，第二節(jié)點ND2的電位基本為(VMs-Vth)。此時，如果下式(2)成立，換而言之，如 果按照滿足式(2)來選擇和確定電位，則發(fā)光部件ELP不發(fā)光。(V0fs-Vth) < (Vth_EL+VCat) (2)在該[時段_TP(2)5]中，第二節(jié)點冊2的電位最終變成(VQfs_Vth)。即，第二節(jié)點 ND2的電位是僅根據(jù)驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓vth和用于對驅(qū)動晶體管TRd的柵極的電位 進行初始化的電壓VMs來確定的。第二節(jié)點ND2的電位與發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vthi沒 有關(guān)系。[時段-TP(2) 6A](參見圖6和圖8C)在該[時段_TP(2)6A]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm的掃描信號 轉(zhuǎn)變成截止狀態(tài)。此外，被施加于數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從第一節(jié)點初始化電壓VMs被切換成 視頻信號VSig m(視頻信號時段)。如果驅(qū)動晶體管TRd在閾值電壓消除處理中已經(jīng)變成截 止狀態(tài)，則第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點冊2的電位基本上不改變。如果驅(qū)動晶體管TRD在[時 段-TP(2)5]中所執(zhí)行的閾值電壓消除處理中還未變成截止狀態(tài)，則在[時段_TP(2)6A]中 發(fā)生自舉操作，并且第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2的電位稍微上升。[時段-TP(2) 6B](參見圖6和圖8D)在該時段中，上述步驟(c)(即，寫處理)被執(zhí)行。寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm 的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。視頻信號VSig m從數(shù)據(jù)線DTLn經(jīng)由寫晶體管TRW被施加于第 一節(jié)點NDlt)結(jié)果，第一節(jié)點NDi的電位上升至VSig m。驅(qū)動晶體管TRD處于導通狀態(tài)。根據(jù) 該情況，還可以采用寫晶體管1&在[時段-TP(2)6A]中保持為導通狀態(tài)的配置。在該配置 中，當在[時段-TP⑵6A]中數(shù)據(jù)線DTLJ々電壓從第一節(jié)點初始化電壓VMs被切換成視頻信 號VSig—_ 時，寫處理立即開始。這也適用于稍后要描述的實施例。這里，電容性部件Q的值被定義為值Cl，并且發(fā)光部件ELP的電容的值被定義 為值cELO此外，驅(qū)動晶體管TRd的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的寄生電容的值被定義為 cgs。如果第一節(jié)點觀與第二節(jié)點ND2之間的電容用符號cA來表示，則cA = Cl+Cgs成立。
22如果第二節(jié)點ND2與第二饋電線PS2之間的電容用符號cB來表示，則cB = cEL成立。附加 電容性部件可以并聯(lián)連接到發(fā)光部件ELP的兩端。在該情況中，附加電容性部件的電容還 可以被添加到cB。當驅(qū)動晶體管TRd的柵極的電位從VQfs變成VSig m ( > V0fs)時，第一節(jié)點觀與第二 節(jié)點ND2之間的電壓改變。具體而言，基于驅(qū)動晶體管TRd的柵極的電位(=第一節(jié)點NDi 的電位)的變化(VSig m-VQfs)的電荷根據(jù)第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電容以及第二 節(jié)點ND2與第二饋電線PS2之間的電容來分配。然而，如果值cB( = cJ充分大于值cA( = Cl+cgs)，則第二節(jié)點ND2的電位變化小。一般，發(fā)光部件ELP的電容的值大于電容性 部件q的值Cl和驅(qū)動晶體管TRd的寄生電容的值cgs。為了方便，將在不考慮由第一節(jié)點 ND:的電位變化引起第二節(jié)點ND2的電位變化的情況下進行描述。在圖6中所示的驅(qū)動的 定時圖中，示出電位，除了 [時段-TP⑵6B]以外，都不考慮由第一節(jié)點NDJ々電位變化引起 第二節(jié)點ND2的電位變化。這也適用于圖4。此外，這也適用于稍后將要參考的圖10、圖13 和圖15。在上述寫處理中，在驅(qū)動電壓從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的一 個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中，視頻信號vsig m被施加于驅(qū)動晶體管TRd的柵極。因此，如圖6中所 示，在[時段-TP(2)6B]中，第二節(jié)點ND2的電位上升。稍后將描述電位的上升量(圖6中所 示的AV)。如果驅(qū)動晶體管TRD的柵極(第一節(jié)點NDD的電位被定義為\并且驅(qū)動晶體 管TRD的一個源區(qū)/漏區(qū)(第二節(jié)點ND2)的電位被定義為^，則Vg的值和Vs的值如下，除 非上述第二節(jié)點ND2的電位上升未被考慮。第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電位差，即， 驅(qū)動晶體管TRD的柵極與其用作源區(qū)的另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差Vgs可以用下式(3)來 表不。Vg = VSig_fflVs ^ V0fs-VthVgs U0fs_Vth) (3)S卩，通過針對驅(qū)動晶體管TRd的寫處理獲得的Vgs僅依賴于用于控制發(fā)光部件ELP 的亮度的視頻信號vSig m、驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓vth和用于對驅(qū)動晶體管TRd的柵極的 電位進行初始化的電壓VMs。此外，Vgs與發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vthi沒有關(guān)系。接著，將描述上述[時段_TP(2)6B]中的第二節(jié)點ND2的電位上升。在上述參考示 例的驅(qū)動方法中，結(jié)合寫處理，根據(jù)驅(qū)動晶體管TRD的特性(例如，遷移率y的大小)來使 驅(qū)動晶體管TRD的另一源區(qū)/漏區(qū)的電位(S卩，第二節(jié)點ND2的電位)上升的遷移率校正處 理也被執(zhí)行。如果驅(qū)動晶體管TRD是由多晶硅薄膜晶體管等形成的，則很難避免晶體管間出現(xiàn) 遷移率y變化。因此，即使具有相同值的視頻信號Vsig被施加于遷移率y彼此不同的多 個驅(qū)動晶體管TRD的柵極，在流經(jīng)具有低遷移率y的驅(qū)動晶體管TRD的漏電流1&與流經(jīng)具 有高遷移率y的驅(qū)動晶體管TRD的漏電流4之間產(chǎn)生差異。這樣的差異的發(fā)生破壞顯示 裝置的畫面的均一性(均勻性)。在上述驅(qū)動方法中，在驅(qū)動電壓VCC_H從電源單元100被施加于驅(qū)動晶體管TRd的 一個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中，視頻信號vsig m被施加于驅(qū)動晶體管TRd的柵極。因此，如圖6中 所示，在[時段_TP(2)J中，第二節(jié)點ND2的電位上升。如果驅(qū)動晶體管TRD的遷移率y的值大，則驅(qū)動晶體管TRD的另一源區(qū)/漏區(qū)的電位(即，第二節(jié)點ND2的電位)的上升量 AV(電位校正值)大。相比之下，如果驅(qū)動晶體管TRD的遷移率y小，則驅(qū)動晶體管TRD的 另一源區(qū)/漏區(qū)的電位的上升量AV(電位校正值)小。驅(qū)動晶體管TRD的柵極與其用作 源區(qū)的另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差Vgs從式(3)的值變換成下式(4)的值。 用于執(zhí)行寫處理的預定時段(在圖6中，[時段-TP⑵J)的總時間(、)可以根 據(jù)顯示元件和顯示裝置的設(shè)計來確定。此外，假定[時段-TP(2)6B]的總時間、被如此定義 以使得此時驅(qū)動晶體管TRd的另一源區(qū)/漏區(qū)的電位(VQfs_Vth+A V)滿足下式(2’ )。發(fā)光 部件ELP在[時段_TP(2)6B]中不發(fā)光。通過該遷移率校正處理，對系數(shù)k(E (1/2) (ff/ L) Cox)的變化的校正也同時被執(zhí)行。( [時段-TP(2) 6C](參見圖6和圖8E)通過上述操作，從步驟(a)到步驟(c)的步驟完成。之后，上述步驟(d)在該[時 段-TP(2)6J以及隨后的時段中被執(zhí)行。具體而言，通過從電源單元100對驅(qū)動晶體管TRd 的一個源區(qū)/漏區(qū)持續(xù)施加驅(qū)動電壓Vee-H，掃描線SCLm基于掃描電路101的操作被轉(zhuǎn)變?yōu)?低電平，從而將寫晶體管TRW切換至截止狀態(tài)并且將第一節(jié)點冊工(即，驅(qū)動晶體管TRd的柵 極)設(shè)置為浮動狀態(tài)。因此，作為上述操作的結(jié)果，第二節(jié)點ND2的電位上升。如上所述，驅(qū)動晶體管TRd的柵極處于浮動狀態(tài)，并且存在電容性部件Clt)因此，在 驅(qū)動晶體管TRd的柵極發(fā)生與所謂的自舉電路中的現(xiàn)象類似的現(xiàn)象，使得第一節(jié)點NDi的電 位也上升。結(jié)果，驅(qū)動晶體管TRD的柵極與其用作源區(qū)的另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差Vgs 保持式⑷的值。此外，第二節(jié)點ND2的電位上升超過(Vth_EL+VCat)，并且因此發(fā)光部件ELP開始發(fā)光 (參見圖8F)。此時，流經(jīng)發(fā)光部件ELP的電流是從驅(qū)動晶體管TRd的漏區(qū)流至其源區(qū)的漏 電流Ids，并且因此可以用式⑴來表示。從式⑴和式(4)，式⑴可以被變換成下式(5)。 因此，如果VMs例如被設(shè)置成0伏特，則流經(jīng)發(fā)光部件ELP的電流Ids與通過從用 于控制發(fā)光部件ELP的亮度的視頻信號VSig m的值減去反映驅(qū)動晶體管TRD的遷移率y的 電位校正值A(chǔ)V獲得的值的平方成比例。換而言之，流經(jīng)發(fā)光部件ELP的電流1&不依賴于 發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vth_a和驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth。S卩，發(fā)光部件ELP的發(fā)光 量(亮度)不受發(fā)光部件ELP的閾值電壓Vth_a和驅(qū)動晶體管TRd的閾值電壓Vth影響。第 (n, m)個顯示元件10的亮度具有依賴于該電流Ids的值。此外，當驅(qū)動晶體管TRD的遷移率y越高時，電位校正值A(chǔ) V越大，并且因此， 式⑷的左手側(cè)的Vgs的值越小。因此，在式(5)中，盡管遷移率P的值大，但是(VSig ffl-V0fs-AV)2的值小。結(jié)果，由于驅(qū)動晶體管TRd的遷移率P的變化(此外還有k的變化) 引起的漏電流Ids的變化可以被校正。這允許對由于遷移率的變化(此外還有k的變化) 引起的發(fā)光部件ELP的亮度的變化的校正。發(fā)光部件ELP的發(fā)光狀態(tài)一直持續(xù)，直到第(m+m’_l)個水平掃描時段為止。該第 (m+m’-l)個水平掃描時段的結(jié)束定時等同于[時段_TP(2)_J的結(jié)束定時。符號“m”滿足 關(guān)系l<m’<M，并且在顯示裝置中具有預定值。換而言之，在從[時段-TP (2) 6e]的開始
24定時直到第(m+m’ )個水平掃描時段Hm+m，緊前為止的時段期間，發(fā)光部件ELP被驅(qū)動，并且 該時段用作發(fā)光時段。以上描述了根據(jù)參考示例的驅(qū)動方法中的操作。第一節(jié)點冊:在[時段_TP(2)6A] 與[時段_TP(2)6B]之間的電位變化為(VSig m-VMs)。在以上描述中，未考慮由于第一節(jié)點 ND:的電位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化。然而，實際上，如圖9中所示，在第二節(jié)點 ND2發(fā)生由下式(6)給出的電位變化AVa。 因此，如圖10中所示，第一節(jié)點冊工與第二節(jié)點ND2之間的電位差減小。因此，上 述式(5)被變換成下式。 cA/(cA+cB)盡管依賴于顯示裝置的規(guī)格，但是有可能采用約0. 1至0.4的范圍內(nèi)的 值。因此，在[時段_TP(2)6e]和隨后的時段中流至發(fā)光部件ELP的電流減小，并且因此發(fā) 光部件ELP的亮度也降低?？梢圆捎妙A先將視頻信號Vsig的振幅設(shè)置為大的對策來掩蓋亮 度降低。然而，該對策導致由視頻信號的振幅擴大引起功耗增大這一問題。在第一實施例的驅(qū)動方法中，如圖4等中所示，在除[時段-TP(2)6B]以外的各個 時段中，第一參考電壓VCat_H(0伏特)被施加于第二饋電線PS2m。此外，在[時段-TP⑵6B] 中，第二參考電壓伏特)被施加于第二饋電線PS2m。在這一點上，第一實施例的驅(qū) 動方法與參考示例的驅(qū)動方法不同。在第一實施例的驅(qū)動方法與參考示例的驅(qū)動方法之 間，[時段-TP⑵6B]以外的各個時段中的操作基本相同。并且在第一實施例中，上述步驟(b)(即閾值電壓消除處理)在從[時段-TP (2) 1B] 到[時段-TP⑵』的時段上被執(zhí)行。第一閾值電壓消除處理在[時段-TP (2) 1B]中被執(zhí)行。 第二閾值電壓消除處理在[時段_TP(2)3]中被執(zhí)行。第三閾值消除閾值電壓消除處理在 [時段-TP(2)5]中被執(zhí)行。[時段-TP⑵_J到[時段-TP(2)4](參見圖4)這些時段中的操作與參考示例中從[時段_TP(2)_J到[時段_TP(2)4]的時段中 的操作基本相同，因此，省略對它們的描述。具體而言，用第一參考電壓Veat_H來替換在這些 時段中上述參考示例的操作中的電壓Veat。在用符號veat_H替換符號veat的情況下，驅(qū)動電 路11的操作與圖7A至圖7F和圖8A中所執(zhí)行的操作相同。 在該[時段-TP (2) 5]的開始定時，數(shù)據(jù)線DTLn的電壓從視頻信號M被切換 成第一節(jié)點初始化電壓VMs。在該[時段_TP(2)5]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描 線SCLm的信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。第一節(jié)點冊工變成這樣的狀態(tài)，其中，在第一參考電壓Veat_H 從第二饋電線PS2m被施加于發(fā)光部件ELP中所包括的陰極的情況下，第一節(jié)點初始化電壓 V0fs從數(shù)據(jù)線DTLn經(jīng)由寫晶體管TRW被施加于第一節(jié)點NDlt)從而，第三閾值電壓消除處理 被執(zhí)行。第二節(jié)點ND2的電位朝向通過從第一節(jié)點NDi的電位減去驅(qū)動晶體管TRd的閾值電 壓Vth獲得的電位改變。如果驅(qū)動晶體管TRD的柵極與其另一源區(qū)/漏區(qū)之間的電位差達到 Vth，則驅(qū)動晶體管TRD進入截止狀態(tài)。在該狀態(tài)中，第二節(jié)點ND2的電位基本為(vMs-vth)。該時段中的操作與參考示例的驅(qū)動方法中的操作基本相同。[時段-TP(2) 6A](參見圖 6 和圖 11B)在該[時段-TP (2) 6A]的開始定時，寫晶體管TRW被來自掃描線SCLm的掃描信號轉(zhuǎn) 變成截止狀態(tài)。第一參考電壓Veat_H從第二饋電線PS2m被持續(xù)施加于發(fā)光部件ELP中所包 括的陰極。該時段中的操作與參考示例的驅(qū)動方法中的操作基本相同。[時段-TP(2) 6B](參見圖 6 和圖 11C)在該時段中，在低于第一參考電壓Veat_H的第二參考電壓Veat<從第二饋電線PS2m 被施加于陰極的狀態(tài)中，寫處理被執(zhí)行。具體而言，在該時段的開始定時，被施加于第二饋 電線PS2m的電壓從第一參考電壓Veat_H被切換成第二參考電壓Veat_p此外，寫晶體管1 被 來自掃描線SCLm的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)。經(jīng)由寫晶體管TRW，視頻信號VSig m從數(shù)據(jù)線 DTLn被施加于第一節(jié)點NDlt)結(jié)果，第一節(jié)點NDi的電位上升至VSig m。與參考示例類似，第一節(jié)點ND:在[時段-TP(2)6A]和[時段-TP⑵J之間的電 位變化為(VSig m-VMs)。然而，在第一實施例中，第二饋電線電壓在[時段_TP(2)6A] 和[時段_TP(2)6B]之間也變化。因此，如圖12中所示，在第二節(jié)點ND2發(fā)生由下式(7)給 出的電位變化AVa’。
如果用A V = 0代入式(7)，則得到下式(8)。 如從式(7)顯而易見，AVa，小于AVao此外，根據(jù)式(8)，如果第一參考電壓Veat_H 與第二參考電壓之間的差被設(shè)置為等于(VSig m-VQfs) cA/cB，貝u AV/可以被設(shè)置為0 伏特。然而，第二饋電線PS2m對于形成第m行的N個顯示元件10是公共的，并且被施加于 第m行上的N個顯示元件10的視頻信號VSig對于每個顯示元件10具有個別的值。因此，對 于所有這些顯示元件10，可以將AV/設(shè)置為0伏特。在第一實施例中，第一參考電壓VCat_H 和第二參考電壓是基于視頻信號VSig的中間值來設(shè)置的。具體而言，視頻信號VSig有可能采用的最大值被表示為VSig Max (在第一實施例中， 為7伏特)，并且視頻信號VSig有可能采用的最小值被表示為VSig Min(在第一實施例中，為1 伏特)。如上所述，第一節(jié)點NDi與第二節(jié)點ND2之間的電容被表示為cA，并且第二節(jié)點ND2 與第二饋電線PS2m之間的電容被表示為cB。此外，被施加于第一節(jié)點冊工以用于在閾值電 壓消除處理中保持第一節(jié)點冊工的電位的電壓被表示為VMs。第一參考電壓Veat_H和第二參 考電壓是基于下式(9)來設(shè)置的。在第一實施例中，采用關(guān)系cA cB = 1 4。

cA/cB (9)以上，描述了根據(jù)第一實施例的驅(qū)動方法中的操作。第二節(jié)點冊2在[時 段-TP⑵6A]和[時段-TP⑵6B]之間的電位變化是AVa，，A V小于參考示例中的AVa。 因此，如圖13中所示，由于第一節(jié)點冊:在[時段-TP⑵6A]和[時段-TP⑵6B]之間的電 位變化引起的第二節(jié)點ND2的電位變化可以被抑制。在以上描述中，在[時段-TP(2)6B]以外的各個時段中，第二饋電線PS2m的電 壓被設(shè)置成第一參考電壓Veat_H。然而，例如，還可以采用第二饋電線電壓在[時 段-TP(2)6C]和[時段_TP(2)7]中被保持在第二參考電壓的配置?？商鎿Q地，例如，可以采用第二饋電線PS2_J々電壓在[時段_TP(2)6A]和[時段_TP(2)6B]中被設(shè)置為第二 參考電壓并且第二饋電線PS2m的電壓在其它時段中被設(shè)置為第一參考電壓Veat_H的配 置。基本上，只要在寫處理緊前的閾值電壓消除處理被執(zhí)行的時段期間第二饋電線PS2m的 電壓為第一參考電壓Veat_H并且在寫處理被執(zhí)行的時段期間第二饋電線PS2m的電壓為第二 參考電壓任何配置都是可以的。在其它時段中，只要操作不受阻礙，第二饋電線PS2m 的電壓可以是第一參考電壓Veat_H、第二參考電壓Veat<和任何另一值的電壓中的任一個。第二實施例第二實施例涉及根據(jù)本發(fā)明第一形式的用于驅(qū)動顯示元件的方法和根據(jù)本發(fā)明 第三形式的用于驅(qū)動顯示裝置的方法。圖14示出第二實施例中所使用的顯示裝置。如上所述，除了第二饋電線？52_ 是 公共的饋電線以外，該顯示裝置具有與第一實施例中所使用的顯示裝置相同的配置。公共 的饋電線PS2m連接到陰極電壓控制電路103。在第一實施例中，如圖4中所示，電壓僅需在[時段-TP(2)6B]中改變。因此，第二 饋電線PS2需要被逐行獨立地形成并且所施加的電壓需要單獨控制，這樣被施加于第二饋 電線PS2的電壓可以逐行地單獨控制。在第二實施例中，第二饋電線PS2被形成為公共的饋電線。因此，第二參考電壓 Veat<在等同于每一行的[時段_TP(2)6B]的時段中被施加于公共的第二饋電線PS2，并且第 一參考電壓Veat_H在其它時段中被施加于公共的第二饋電線PS2。在圖15中示意性地示出根據(jù)第二實施例的顯示元件10的驅(qū)動的定時圖。從與圖 4的比較中顯而易見，第二參考電壓Veat<在等同于每一行的其中視頻信號VSig被施加于數(shù) 據(jù)線DTLJ々[時段-TP⑵6B]的時段中被施加于公共的第二饋電線PS2，并且第一參考電壓 VCat_H在其它時段中被施加于公共的第二饋電線PS2。因此，與被施加于公共的第二饋電線PS2的電壓的變化相關(guān)聯(lián)，發(fā)光部件ELP的陽 極的電位在等同于每一行的[時段-TP(2)6B]的時段中也變化。在上述這一點上，第二實施 例的驅(qū)動方法與第一實施例的驅(qū)動方法不同。然而，發(fā)光部件ELP的陽極的電位在不與閾 值電壓消除處理的時段相重疊的定時發(fā)生變化。除了上述這一點以外，圖15中所示的各個 時段中的操作與針對第一實施例描述的操作相同。此外，第一節(jié)點NDi和第二節(jié)點ND2的電 位也以跟隨發(fā)光部件ELP的陽極的電位變化的方式改變。因此，該操作在初始化、閾值電壓 消除處理、寫處理等中不受阻礙。如上，在第二實施例中，第二饋電線PS2可以被形成為公共的饋電線，并且不需要 逐行控制施加第一參考電壓和第二參考電壓的定時。因此，第二實施例優(yōu)于第一實施例的 地方在于顯示裝置的配置可以被更多地簡化。以上基于優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于這些實施例。針對實施 例描述的顯示裝置和顯示元件的配置以及用于驅(qū)動顯示元件和顯示裝置的方法中的步驟 是示例并且可以被相應地改變。例如，在某些情況中，第二節(jié)點與第二饋電線之間的電容由于發(fā)光部件隨時間的 變化而變化。在這樣的情況中，例如，第一參考電壓和第二參考電壓的值根據(jù)顯示裝置的操 作時間等變化的配置使得可以對第二節(jié)點與第二饋電線之間的電容隨時間的變化進行響應。
例如，如圖16中所示，顯示元件10中的驅(qū)動電路11可以包括連接到第二節(jié)點ND2 的晶體管(第一晶體管TRD。對于第一晶體管TRn第二節(jié)點初始化電壓Vss被施加于一個 源區(qū)/漏區(qū)，并且另一源區(qū)/漏區(qū)連接到第二節(jié)點ND2。來自第一晶體管控制電路104的信 號經(jīng)由第一晶體管控制線AZ1被施加于第一晶體管TRi的柵極，并且第一晶體管TRi的導通 /截止狀態(tài)被控制。這允許設(shè)置第二節(jié)點ND2的電位?？商鎿Q地，如圖17中所示，顯示元件10中的驅(qū)動電路11可以包括連接到第一節(jié) 點冊工的晶體管(第二晶體管TR2)。對于第二晶體管TR2，第一節(jié)點初始化電壓VMs被施加于 一個源區(qū)/漏區(qū)，并且另一源區(qū)/漏區(qū)連接到第一節(jié)點NDlt)來自第二晶體管控制電路105 的信號經(jīng)由第二晶體管控制線AZ2被施加于第二晶體管TR2的柵極，并且第二晶體管TR2的 導通/截止狀態(tài)被控制。這允許設(shè)置第一節(jié)點冊工的電位。此外，如圖18中所示，顯示元件10中的驅(qū)動電路11可以既具有上述第一晶體管 TRi又具有第二晶體管TR2。此外，還可以采用除了這些晶體管以外還包括另外的晶體管的配置。本申請包含與2009年4月1日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP 2009-089063中所公開的主題有關(guān)的主題，該申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，根據(jù)設(shè)計要求和其它因素可以進行各種修改、組合、子 組合和更改，只要它們在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
一種用于驅(qū)動顯示元件的方法，所述顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件，在所述顯示元件中，(A-1)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第一饋電線，(A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極以及所述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)以及所述電容性部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-1)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到數(shù)據(jù)線，(B-2)所述寫晶體管的柵極連接到掃描線，以及(C-1)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到第二饋電線，所述方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所述第一節(jié)點的電位被保持的狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電位減去所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng)由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加視頻信號，其中所述閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部件中所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第二參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于驅(qū)動顯示元件的方法，其中如果Veat_H表示所述第一參考電壓，VCat_L表示所述第二參考電壓，VSig Max表示所述視頻 信號有可能采用的最大值，VSig Min表示所述視頻信號有可能采用的最小值，cA表示所述第一 節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電容，cB表示所述第二節(jié)點與所述第二饋電線之間的電容，并 且VMs表示被施加于所述第一節(jié)點以用于在所述閾值電壓消除處理中保持所述第一節(jié)點的 電位的電壓，則等式V
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于驅(qū)動顯示元件的方法，其中用于對所述第一節(jié)點的電位和所述第二節(jié)點的電位進行初始化的預處理被執(zhí)行，使得 所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的電位差超過所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓并且所述第 二節(jié)點與所述發(fā)光部件中所包括的陰極之間的電位差不超過所述發(fā)光部件的閾值電壓， 隨后，所述閾值電壓消除處理被執(zhí)行， 之后，所述寫處理被執(zhí)行，并且隨后，通過由來自所述掃描線的掃描信號將所述寫晶體管切換成截止狀態(tài)，所述第一 節(jié)點被轉(zhuǎn)變成浮動狀態(tài)，并且，通過在預定驅(qū)動電壓從所述第一饋電線被施加于所述驅(qū)動 晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)的狀態(tài)中使得依賴于所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間的電位 差的電流經(jīng)由所述驅(qū)動晶體管流經(jīng)所述發(fā)光部件，所述發(fā)光部件被驅(qū)動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于驅(qū)動顯示元件的方法，其中 所述發(fā)光部件由有機電致發(fā)光發(fā)光部件形成。
5.一種用于驅(qū)動顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括(1)NXM個顯示元件，所述NXM個顯示元件以沿第一方向布置N個顯示元件并且沿與 所述第一方向不同的第二方向布置M個顯示元件這樣的方式以二維矩陣布置，并且每一個 顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，(2)沿所述第一方向延伸的M個掃描線，(3)沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，(4)沿所述第一方向延伸的M個第一饋電線，以及(5)沿所述第一方向延伸的M個第二饋電線，所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件，在第m行(m=l，2，…，和M)并且第n列(n = 1，2，…，和N)上的顯示元件中， (A-1)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第m個第一饋電線， (A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極以及所 述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)以及所述電容性 部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-1)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第n個數(shù)據(jù)線， (B-2)所述寫晶體管的柵極連接到第m個掃描線，以及 (C-1)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到第m個第二饋電線， 所述方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所述第一節(jié)點的電位被保持的 狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電位減去所述驅(qū)動晶體管的閾 值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng)由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫 晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加視頻信號，其中所述閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部件中 所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第二參 考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。
6.一種用于驅(qū)動顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括(1)NXM個顯示元件，所述NXM個顯示元件以沿第一方向布置N個顯示元件并且沿與 所述第一方向不同的第二方向布置M個顯示元件這樣的方式以二維矩陣布置，并且每一個 顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，(2)沿所述第一方向延伸的M個掃描線，(3)沿所述第二方向延伸的N個數(shù)據(jù)線，(4)沿所述第一方向延伸的M個第一饋電線，以及(5)公共的第二饋電線，所述驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件，在第m行(m=l，2，…，和M)并且第n列(n = 1，2，…，和N)上的顯示元件中，(A-1)所述驅(qū)動晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第m個第一饋電線，(A-2)所述驅(qū)動晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)連接到所述發(fā)光部件中所包括的陽極以及所述電容性部件的一個電極，并且形成第二節(jié)點，(A-3)所述驅(qū)動晶體管的柵極連接到所述寫晶體管的另一源區(qū)/漏區(qū)以及所述電容性 部件的另一電極，并且形成第一節(jié)點，(B-1)所述寫晶體管的一個源區(qū)/漏區(qū)連接到第n個數(shù)據(jù)線， (B-2)所述寫晶體管的柵極連接到第m個掃描線，以及 (C-1)所述發(fā)光部件中所包括的陰極連接到所述公共的第二饋電線， 所述方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，所述閾值電壓消除處理用于在所述第一節(jié)點的電位被保持的 狀態(tài)中，將所述第二節(jié)點的電位朝向通過從所述第一節(jié)點的電位減去所述驅(qū)動晶體管的閾 值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，所述寫處理用于經(jīng)由被來自所述掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫 晶體管來從所述數(shù)據(jù)線向所述第一節(jié)點施加視頻信號，其中所述閾值電壓消除處理在第一參考電壓從所述第二饋電線被施加于所述發(fā)光部件中 所包括的陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行，并且隨后，所述寫處理在低于所述第一參考電壓的第二參 考電壓從所述第二饋電線被施加于所述陰極的狀態(tài)中被執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明公開了驅(qū)動顯示元件的方法和驅(qū)動顯示裝置的方法。該顯示元件包括電流驅(qū)動型發(fā)光部件和驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包括寫晶體管、驅(qū)動晶體管和電容性部件。該方法包括以下步驟執(zhí)行閾值電壓消除處理，閾值電壓消除處理用于在第一節(jié)點的電位被保持的狀態(tài)中，將第二節(jié)點的電位朝向通過從第一節(jié)點的電位減去驅(qū)動晶體管的閾值電壓獲得的電位改變；以及執(zhí)行寫處理，寫處理用于經(jīng)由被來自掃描線的掃描信號轉(zhuǎn)變成導通狀態(tài)的寫晶體管來從數(shù)據(jù)線向第一節(jié)點施加視頻信號。
文檔編號G09G3/32GK101859537SQ20101014115
公開日2010年10月13日 申請日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月1日
發(fā)明者內(nèi)野勝秀, 杉本秀樹 申請人:索尼公司