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有機發(fā)光顯示器及驅(qū)動方法

文檔序號:2569517閱讀:215來源:國知局
專利名稱:有機發(fā)光顯示器及驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及有機發(fā)光顯示器及驅(qū)動方法。
技術(shù)背景
有機發(fā)光顯示器(OLED)相比現(xiàn)在的主流顯示技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器 (TFT-LCD),具有廣視角、高亮度、高對比度、低能耗、體積更輕薄等優(yōu)點,是目前平板顯示技 術(shù)關(guān)注的焦點。
有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法分為被動矩陣式(PM)和主動矩陣式(AM)兩種。相比 被動矩陣式驅(qū)動,主動矩陣式驅(qū)動具有顯示信息大、功耗低、器件壽命長、畫面對比度高等 優(yōu)點。
參照圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)的一種主動矩陣式有機發(fā)光顯示器的像素單元的等效電 路包括開關(guān)管Tl、驅(qū)動管T2、存儲電容Cst以及有機發(fā)光二極管D1。其中,開關(guān)管Tl在 柵極被掃描信號Vsel選通時打開,引入數(shù)據(jù)信號Vdata。驅(qū)動管T2 —般工作在飽和區(qū),其 柵源電壓Vgs決定了流過其電流的大小,進而提供有機發(fā)光二極管Dl穩(wěn)定的電流。Vdd為 穩(wěn)壓或者穩(wěn)流電源,提供有機發(fā)光二極管Dl發(fā)光需要的能源。存儲電容Cst的作用是在一 幀時間內(nèi)維持驅(qū)動管T2柵電壓的穩(wěn)定。
圖2為對具有圖1所示像素單元的有機發(fā)光顯示器進行驅(qū)動時的掃描信號Vsel 及驅(qū)動數(shù)據(jù)信號Vdata的部分波形簡易示意圖。結(jié)合圖1和圖2所示,當掃描信號Vsel 的第一個高電平開始時,假定第η行像素單元被選通,將該行像素單元中的開關(guān)管Tl打開 (通常一行像素單元中的開關(guān)管Tl的柵極都接收同一個掃描信號Vsel),引入數(shù)據(jù)信號驅(qū) 動Vdata。通過驅(qū)動數(shù)據(jù)信號Vdata的高電平,將該行的像素單元所需的電壓充電到驅(qū)動管 T2的柵極和存儲電容Cst。當該行像素單元充電完成后,通過掃描信號Vsel的第一個低電 平關(guān)閉該行像素單元的開關(guān)管Tl。此時,存儲電容Cst維持充電時的電壓,維持該行像素單 元的驅(qū)動管T2輸出穩(wěn)定的電流,使得該行像素單元的有機發(fā)光二極管Dl持續(xù)發(fā)光直到一 幀時間結(jié)束。所述一幀時間通常為同一行像素單元連續(xù)兩次被掃描信號選通的時間間隔, 也即圖2中掃描信號Vsel的一個完整周期(一個連續(xù)的高電平+低電平)。
在第η行像素單元的充電完成后,掃描信號選通第η+1行像素單元,將第η+1行像 素單元的開關(guān)管Tl打開,引入驅(qū)動數(shù)據(jù)信號進行同樣的充電過程,充電完成后通過像素單 元中的存儲電容Cst維持充電時的電壓,維持驅(qū)動管輸出穩(wěn)定電流,使得第η+1行像素單元 的有機發(fā)光二極管Dl持續(xù)發(fā)光直到一幀時間結(jié)束。如此依序下去,當對于最后一行像素單 元充電完成后,便又從第一行像素單元開始按行重新充電。當對第η行像素單元重新充電 時,也就是圖2中掃描信號Vsel的第二個高電平開始的時間。
上述現(xiàn)有技術(shù)像素單元的缺點在于,驅(qū)動管Τ2有時由于例如閾值漂移等原因引 起電流不穩(wěn)定,因而不能向有機發(fā)光二極管Dl提供足夠穩(wěn)定的電流如此,將影響整個有機 發(fā)光顯示器的發(fā)光質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)有機發(fā)光顯示器的像素單元中,驅(qū)動管由于閾值漂 移而不能提供穩(wěn)定電流。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示器,包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線 以及電源線,所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉排列,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義出多個像素單元,所 述像素單元包括驅(qū)動MOS管、第一開關(guān)MOS管、存儲電容有機發(fā)光二極管及閾值補償電路, 其中,
第一開關(guān)MOS管,根據(jù)像素單元所在行的掃描線掃描信號,引入像素單元所在列 的數(shù)據(jù)線的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;
存儲電容,存儲由該第一開關(guān)MOS管引入的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;
驅(qū)動MOS管,根據(jù)該存儲于存儲電容中的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,控制該電源線驅(qū)動該發(fā) 光二極管;
閾值補償電路,用于補償驅(qū)動MOS管的閾值漂移。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種上述有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,包括在電源線上施 加穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源,通過掃描信號逐行選通像素單元,其中,在通過掃描信號打開像素單元 中的第一開關(guān)MOS管維持選通期間,根據(jù)該行像素單元的顯示需要,經(jīng)由該行像素單元中 的第一開關(guān)MOS管向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信號開始衰減的 時間晚于該行像素單元對應(yīng)的掃描信號選通結(jié)束時間。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述方案有機發(fā)光顯示器及驅(qū)動方法具有以下優(yōu)點上述有機 發(fā)光顯示器的閾值補償電路與驅(qū)動MOS管的柵極相連。在對所述有機發(fā)光顯示器驅(qū)動時, 所述閾值補償電路補償驅(qū)動MOS管的閾值漂移,使得流過驅(qū)動MOS管的電流不受驅(qū)動MOS 管的閾值漂移的影響,從而驅(qū)動MOS管提供給有機發(fā)光二極管的電流保持穩(wěn)定。相應(yīng)地,整 個有機發(fā)光顯示器的發(fā)光質(zhì)量得到了提高。
并且,上述有機發(fā)光顯示器由于無需借助外部補償電路來進行閾值補償,因而也 相應(yīng)簡化了外圍驅(qū)動電路的設(shè)計復雜度,降低了研發(fā)及制造成本。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種主動矩陣式有機發(fā)光顯示器的像素單元的等效電路示意 圖2是對具有圖1所示像素單元的有機發(fā)光顯示器進行驅(qū)動時的掃描信號及驅(qū)動 數(shù)據(jù)信號的波形示意圖3是本發(fā)明有機發(fā)光顯示器中像素單元的一種實施例的等效電路示意圖4是對具有圖3所示像素單元的有機發(fā)光顯示器進行驅(qū)動時的掃描信號及數(shù)據(jù) 信號的波形示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明有機發(fā)光顯示器的一種實施方式包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及電源 線,所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉排列,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義出多個像素單元,所述像素單 元包括驅(qū)動MOS管、第一開關(guān)MOS管、存儲電容有機發(fā)光二極管及閾值補償電路,其中,
第一開關(guān)MOS管,根據(jù)像素單元所在行的掃描線掃描信號,引入像素單元所在列 的數(shù)據(jù)線的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;
存儲電容,存儲由該第一開關(guān)MOS管引入的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;
驅(qū)動MOS管,根據(jù)該存儲于存儲電容中的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,控制該電源線驅(qū)動該發(fā) 光二極管;
閾值補償電路,用于補償驅(qū)動MOS管的閾值漂移。
上述有機發(fā)光顯示器的實施方式中,通過設(shè)置于像素單元中的閾值補償電路補償 驅(qū)動MOS管的閾值漂移,使得流過驅(qū)動MOS管的電流不受驅(qū)動MOS管的閾值漂移的影響,從 而驅(qū)動MOS管提供給有機發(fā)光二極管的電流保持穩(wěn)定。
以下通過具體實例對上述有機發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)及工作過程進一步說明。
本發(fā)明有機發(fā)光顯示器的一種實施例包括掃描信號控制單元及與其電連接的M 條掃描線、數(shù)據(jù)信號控制單元及與其電連接的N條數(shù)據(jù)線、以及1條或N條電源線,所述掃 描線和數(shù)據(jù)線交叉排列,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義多個像素單元,所述多個像素單元形成M (M=l,2,3......)行N (N = 1,2,3......)列的像素單元陣列,其中第一行像素單元為冗余像素單元。參照圖3所示,第2 M行的像素單元的等效電路包括驅(qū)動MOS管T11、第 一開關(guān)MOS管T12、鏡像MOS管T13、第二開關(guān)MOS管T14、存儲電容C11、耦合電容C12以及 有機發(fā)光二極管D11,其中,
第一開關(guān)MOS管T12,其柵極與像素單元所在行的掃描線相連,接收所述行像素單 元對應(yīng)的掃描信號vn(n ^ 2),漏極與像素單元所在列的數(shù)據(jù)線相連,接收所述列的驅(qū)動數(shù) 據(jù)信號Vdata,并在所述行像素單元被掃描信號Vn選通時打開,引入驅(qū)動數(shù)據(jù)信號Vdata ;
存儲電容Cl 1,其兩端分別連接于第一開關(guān)MOS管T12的源極以及驅(qū)動MOS管Tll 的漏極;
耦合電容C12,其兩端分別連接于第一開關(guān)MOS管T12的源極以及驅(qū)動MOS管Tll 的柵極;
鏡像MOS管T13,其柵極和漏極共同連接于驅(qū)動MOS管Tll的柵極,源極連接于第 一開關(guān)MOS管T12的源極,其具有與驅(qū)動MOS管Tll相同的閾值漂移特性;
第二開關(guān)MOS管T14,其柵極與像素單元所在行的上一行掃描線相連,接收所述上 一行的掃描信號Vlri,漏極接于第一開關(guān)MOS管T12的源極,源極接于公共電極電壓,并在所 述上一行像素單元被掃描信號Vlri選通時,形成鏡像MOS管T13對公共電極電壓的通路;
驅(qū)動MOS管Tll,其漏極接于電源線Vdd,源極接于有機發(fā)光二極管Dll的正極;
有機發(fā)光二極管D11,其負極接于公共電極電壓。
上述第2 M行像素單元的等效電路中,公共電極電壓通常為接地電壓,或者根據(jù) 電路工作要求而設(shè)置的低電壓。穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源線Vdd用于通過驅(qū)動MOS管Tll提供有機 發(fā)光二極管Dll發(fā)光所需能源。
第一行像素單元的等效電路與第2 M行像素單元的等效電路基本相同,區(qū)別僅 在于第一開關(guān)MOS管T12的柵極和漏極空置,第二開關(guān)MOS管T14的柵極空置。由于所述 空置的設(shè)置,第一行像素單元除了穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源外,無任何外接信號,因此形成冗余像素 單元。
優(yōu)選的,所述驅(qū)動MOS管T11、第一開關(guān)MOS管T12、鏡像MOS管T13及第二開關(guān)MOS管T14均為NMOS管。
優(yōu)選的,所述電源線被配置為施加穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源。
優(yōu)選的,所述數(shù)據(jù)信號控制單元包括鎖存器,用于鎖存驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,并在一行像 素單元被選通時,向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動數(shù)據(jù)信號。
以下結(jié)合附圖對上述等效電路的工作過程進行舉例說明。需要說明的是,以下所 涉及的高電平及低電平僅為示例性地表示邏輯上的選通及關(guān)閉,并非用以限制對應(yīng)的電壓 的高低。并且,以下對各行像素單元的掃描仍如現(xiàn)有技術(shù)一樣按行進行。此外為方便說明, 定義各MOS管均為NMOS管,所述公共電極電壓為接地電壓。
結(jié)合圖3和圖4所示,在掃描信號選通第n-1行像素單元時,第n_l行像素單元對 應(yīng)的掃描信號Vlri為高電平,第二開關(guān)MOS管T14保持開啟,而第η行像素單元對應(yīng)的掃描 信號\為低電平,第一開關(guān)MOS管Τ12關(guān)閉。
此時,驅(qū)動MOS管Tll的柵極處A的電壓,以及第一開關(guān)MOS管Τ12的源極處B的 電壓均開始下降,耦合電容C12兩端的電壓也隨著變化。A點電壓下降到鏡像MOS管Τ13的 閾值電壓Vth_T13,或者可以描述成Vtcht13+ Δ Vth_T13 (VTQ_T13為不考慮閾值變化時鏡像MOS管T13 的閾值初始值,AVth_T13為鏡像MOS管T13的閾值電壓變化值),從而鏡像MOS管T13關(guān)閉, 耦合電容C12兩端的電壓的大小也變化為鏡像MOS管T13的閾值電壓Vth_T13。而B點電壓 下降至接地電壓。
在掃描信號選通第η行像素單元時,第n-1行像素單元對應(yīng)的掃描信號Vlri為低 電平,第二開關(guān)MOS管T14關(guān)閉。而第η行像素單元對應(yīng)的掃描信號Vn為高電平,第一開 關(guān)MOS管Τ12開啟,引入數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號Vdata,對該存儲電容Cll充電以存儲該 驅(qū)動數(shù)據(jù)信號Vdata。
隨后,數(shù)據(jù)信號Vdata使得B點電壓抬升到Vdata,由于耦合電容C12的作用,A點 電壓也抬升Vdata。此時,A點電壓變成Vdata+VTO_T13+ Δ Vth_T13。
此時,若A點電壓大于驅(qū)動MOS管Tll的閾值電壓,驅(qū)動MOS管Tll開啟,電源線通 過驅(qū)動MOS管Tll向該發(fā)光二極管輸出電流以驅(qū)動該發(fā)光二極管發(fā)光。流過所述驅(qū)動MOS 管Tll的電流可以下述公式表達
I = k (Vgs-Vth)2(1)
此處,k為一常數(shù),而驅(qū)動MOS管Tll的柵源電壓Vgs = Vg-Vs。驅(qū)動MOS管Tll的 柵極電壓Vg就是A點電壓,而驅(qū)動MOS管Tll的源極電壓Vs為有機發(fā)光二極管Dll的開啟 電壓Vdii。因此,驅(qū)動MOS管Tll的柵源電壓Vgs為
Vgs = Vdata+VT0_T13+AVth_T13-VD11 (2)
而驅(qū)動MOS管Tll的閾值電壓Vth_T11可以表示為
Vth_T11 = VTO-Tll + AVth-T11(3)
其中Vtchtii為不考慮閾值變化時驅(qū)動MOS管Tll的閾值初始值,Δ Vth_T11為驅(qū)動MOS 管Tll的閾值電壓變化值。
將公式(2)、(3)代入(1)得,
I = k (Vgs-Vth)2 = k (Vdata+VT0_T13+ Δ Vth_T13-VD11-VT0_T「Δ Vth_T1)2 (4)
由于驅(qū)動MOS管Tll的柵極與鏡像MOS管Τ13的柵極連接在一起,因此可以認為驅(qū) 動MOS管Tll和鏡像MOS管T13的柵電壓始終相同。由于MOS管的閾值漂移受其柵電壓影響,且由于驅(qū)動MOS管Tll和鏡像MOS管T13的閾值漂移特性相同,因此在相同柵電壓下, 驅(qū)動MOS管Tll和鏡像MOS管T13閾值漂移情況,即閾值電壓的變化一致,即,
AVth_T13 = AVth_T11(5)
將公式(5)代入公式⑷可得,
I = k(Vdata+VT0_T3-VD11-VT0_T1)2(6)
從公式(6)可以看到,流過驅(qū)動MOS管Tll的電流與閾值電壓的變化無關(guān)。也就 是說,當驅(qū)動MOS管Tll出現(xiàn)閾值漂移,即閾值電壓發(fā)生變化時,流過驅(qū)動MOS管Tll的電 流也不會受到閾值漂移的影響,因此實現(xiàn)了閾值補償作用。由于流過驅(qū)動MOS管Tll的電 流不會受到閾值漂移的影響,所述驅(qū)動MOS管Tll提供給有機發(fā)光二極管Dll的電流就較 穩(wěn)定,也保證了有機發(fā)光二極管Dll的發(fā)光質(zhì)量。相應(yīng)地,由于單個像素單元中發(fā)光二極管 Dll的發(fā)光質(zhì)量得到了保證,整個有機發(fā)光顯示器的發(fā)光質(zhì)量也獲得了提高。
從上述說明可以看到,對于第η行像素單元,其實質(zhì)上通過耦合電容C12、鏡像MOS 管Τ13、第二開關(guān)MOS管Τ14構(gòu)成閾值補償結(jié)構(gòu),利用了第η-1行像素單元對應(yīng)的掃描信號, 將鏡像MOS管Τ13的閾值寫入驅(qū)動MOS管Τ11,以協(xié)助實現(xiàn)最終的閾值補償。由于上述像素 單元的實施例無需借助外部補償電路來進行閾值補償,因而也相應(yīng)簡化了外圍驅(qū)動電路的 設(shè)計復雜度,降低了研發(fā)及制造成本。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法。根據(jù)所述驅(qū)動方法的一 種實施方式,其包括對驅(qū)動MOS管的漏極提供穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源,通過掃描信號逐行選通像 素單元,其中,在通過掃描信號打開像素單元中的第一開關(guān)MOS管維持選通期間,根據(jù)該行 像素單元的顯示需要,經(jīng)由該行像素單元中的第一開關(guān)MOS管向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū) 動數(shù)據(jù)信號,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信號開始衰減的時間晚于該行像素單元對應(yīng)的掃描信號選通結(jié) 束時間。
在對應(yīng)具有圖3所示像素單元的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動過程中,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信 號對應(yīng)的電壓值與鏡像MOS管的閾值電壓的和大于驅(qū)動MOS管的閾值電壓。
上述驅(qū)動方法中,各行像素單元對應(yīng)的掃描信號的一個周期的時間均相同,即前 述的一幀時間。
上述驅(qū)動方法中,對應(yīng)一行像素單元的數(shù)據(jù)信號被預(yù)先鎖存,在該行像素單元被 選通時,所述數(shù)據(jù)信號同時經(jīng)由第一開關(guān)MOS管輸入該行像素單元。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng) 當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器,包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及電源線,所述掃描線和數(shù)據(jù) 線交叉排列,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義出多個像素單元,所述像素單元包括驅(qū)動MOS管、 第一開關(guān)MOS管、存儲電容、有機發(fā)光二極管及閾值補償電路,其中,第一開關(guān)MOS管,根據(jù)像素單元所在行的掃描線掃描信號,引入像素單元所在列的數(shù) 據(jù)線的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;存儲電容,存儲由該第一開關(guān)MOS管引入的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號;驅(qū)動MOS管,根據(jù)該存儲于存儲電容中的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,控制該電源線驅(qū)動該發(fā)光二 極管;閾值補償電路,用于補償驅(qū)動MOS管的閾值漂移。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述閾值補償電路包括一耦合 電容和一鏡像MOS管,所述鏡像MOS管具有與所述驅(qū)動MOS管相同的閾值漂移特性,所述耦 合電容存儲該鏡像MOS管的閾值,并將所述閾值耦合所述存儲電容的驅(qū)動數(shù)據(jù)信號以補償 驅(qū)動MOS管的閾值漂移。
3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述第一開關(guān)MOS管,其柵極與像素單元所在行的掃描線相連,源極與像素單元所在 列的數(shù)據(jù)線相連;所述存儲電容,其兩端分別連接于所述第一開關(guān)MOS管的漏極以及所述驅(qū)動MOS管的 漏極;所述驅(qū)動MOS管,其漏極接于電源線,源極接于所述有機發(fā)光二極管的正極;所述有機發(fā)光二極管,其負極接于公共電極電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述耦合電容,其兩端分別連接于所述第一開關(guān)MOS管的漏極以及所述驅(qū)動MOS管的 柵極;所述鏡像MOS管,其柵極和漏極共同連接于所述驅(qū)動MOS管的柵極,源極連接于所述第 一開關(guān)MOS管的漏極。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,第1行像素單元的閾值補償電路 還包括第二開關(guān)MOS管,其柵極空置,漏極接于第一開關(guān)MOS管的漏極,源極接于公共電極 電壓,以及,所述第1行像素單元的第一開關(guān)MOS管的柵極和漏極空置。
6.如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,第η(η ^ 2)行像素單元的閾值 補償電路還包括第二開關(guān)MOS管,其柵極與第η-1行像素單元所在行的掃描線相連,接收所述第η-1行 像素單元對應(yīng)的掃描信號,漏極接于第一開關(guān)MOS管的漏極,源極接于公共電極電壓,并在 所述第η-1行像素單元被掃描信號選通時打開,形成鏡像MOS管對公共電極電壓的通路。
7.如權(quán)利要求1至6任一項所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述驅(qū)動MOS管、第 一開關(guān)MOS管、鏡像MOS管及第二開關(guān)MOS管均為NMOS管。
8.如權(quán)利要求1至6任一項所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述電源線被配置為 施加穩(wěn)壓或穩(wěn)流電源。
9.如權(quán)利要求1至6任一項所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,還包括掃描信號控制單元,與所述多條掃描線電連接,控制施加于掃描線上的掃描信號以逐 行選通像素單元;以及數(shù)據(jù)信號控制單元,與所述多條數(shù)據(jù)線電連接,在一行像素單元被選通期間,向該 行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動數(shù)據(jù)信號。
10.如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器,其特征在于,所述數(shù)據(jù)信號控制單元包括鎖 存器,用于鎖存驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,并在一行像素單元被選通時,向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動 數(shù)據(jù)信號。
11.一種如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,包括在電源線上施加穩(wěn)壓 或穩(wěn)流電源,通過掃描信號逐行選通像素單元,其中,在通過掃描信號打開像素單元中的第 一開關(guān)MOS管維持選通期間,根據(jù)該行像素單元的顯示需要,經(jīng)由該行像素單元中的第一 開關(guān)MOS管向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信號開始衰減的時間晚 于該行像素單元對應(yīng)的掃描信號選通結(jié)束時間。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,其特征在于,對應(yīng)一行像素單 元的數(shù)據(jù)信號被預(yù)先鎖存,在該行像素單元被選通時,所述數(shù)據(jù)信號同時經(jīng)由第一開關(guān)MOS 管輸入該行像素單元。
13.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,其特征在于,各行像素單元對 應(yīng)的掃描信號的一個周期的時間均相同,為一幀的時間。
14.一種如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,包括在電源線上施加穩(wěn)壓 或穩(wěn)流電源,通過掃描信號逐行選通像素單元,其中,在通過掃描信號打開第η行像素單元 中的第一開關(guān)MOS管維持選通期間,根據(jù)該行像素單元的顯示需要,經(jīng)由該行像素單元中 的第一開關(guān)MOS管向該行像素單元輸入對應(yīng)驅(qū)動數(shù)據(jù)信號,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓 值與鏡像MOS管的閾值電壓的和大于驅(qū)動MOS管的閾值電壓,所述驅(qū)動數(shù)據(jù)信號開始衰減 的時間晚于該行像素單元對應(yīng)的掃描信號選通結(jié)束時間。
15.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,其特征在于,對應(yīng)一行像素單 元的數(shù)據(jù)信號被預(yù)先鎖存,在該行像素單元被選通時,所述數(shù)據(jù)信號同時經(jīng)由第一開關(guān)MOS 管輸入該行像素單元。
16.如權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器的驅(qū)動方法,其特征在于,各行像素單元對 應(yīng)的掃描信號的一個周期的時間均相同,為一幀的時間。
全文摘要
一種有機發(fā)光顯示器及驅(qū)動方法。有機發(fā)光顯示器包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及電源線,所述掃描線和數(shù)據(jù)線交叉排列,所述掃描線和數(shù)據(jù)線定義出多個像素單元,所述像素單元包括驅(qū)動MOS管、第一開關(guān)MOS管、存儲電容、有機發(fā)光二極管及閾值補償電路,其中,所述閾值補償電路用于補償驅(qū)動MOS管的閾值漂移,使得流過驅(qū)動MOS管的電流不受驅(qū)動MOS管的閾值漂移的影響。所述有機發(fā)光顯示器的發(fā)光質(zhì)量得到了提高,且無需借助外部補償電路來進行閾值補償,因而也相應(yīng)簡化了外圍驅(qū)動電路的設(shè)計復雜度,降低了研發(fā)及制造成本。
文檔編號G09G3/32GK102034426SQ20091019688
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月28日
發(fā)明者何為, 凌志華, 吳勇, 李忠麗, 霍思濤, 黃文 申請人:上海天馬微電子有限公司
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