專利名稱：有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施方式涉及一種能夠通過監(jiān)控反饋方法來調(diào)節(jié)施加到像素的高電勢 驅(qū)動電壓的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
本申請要求2008年10月10日提交的韓國專利申請No. 10-2008-099802的優(yōu)先 權(quán)，此處以引證的方式并入其全部內(nèi)容，就像在此進行了完整闡述一樣。
重量和尺寸小于陰極射線管的各種平板顯示器近來已得到發(fā)展。平板顯示器的示 例包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和電致發(fā)光設(shè)備。
因為PDP具有簡單的結(jié)構(gòu)且通過簡單的工藝制造，所以PDP已被認為是具有諸如 重量輕、外形薄的特性且提供大尺寸屏幕的顯示設(shè)備。然而，PDP具有諸如低發(fā)光效率、低 亮度和高功耗的缺點。使用TFT作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)LCD是被最廣泛使用的 平板顯示器。然而，因為TFT LCD不是自發(fā)射顯示器，TFT LCD具有窄視角和低響應(yīng)速度。 電致發(fā)光設(shè)備根據(jù)發(fā)光層的材料被分成無機發(fā)光二極管顯示器和有機發(fā)光二極管(OLED) 顯示器。具體而言，因為OLED顯示器是自發(fā)光顯示器，所以O(shè)LED顯示器具有諸如快響應(yīng)速 度、高發(fā)光效率、高亮度以及寬視角的特性。 如圖1所示，0LED顯示器包括有機發(fā)光二極管。有機發(fā)光二極管包括陽極電極和 陰極電極之間的有機化合物層。 有機化合物層包括空穴注入層HIL、空穴輸運層HTL、發(fā)射層EML、電子輸運層ETL 和電子注入層EIL。 當驅(qū)動電壓施加到陽極電極和陰極電極時，經(jīng)過空穴輸運層HTL的空穴和經(jīng)過電 子輸運層ETL的電子移動到發(fā)射層EML且形成激子。因此，發(fā)射層EML產(chǎn)生可見光。
在OLED顯示器中，各包括上述有機發(fā)光二極管的像素以矩陣格式布置，且根據(jù)視 頻數(shù)據(jù)的灰度級來控制由掃描脈沖選擇的像素的亮度。在OLED顯示器中，通過選擇性地導(dǎo) 通用作有源元件的TFT來選擇像素，且該像素通過充入到存儲電容器的電壓而保持在發(fā)光 狀態(tài)。 OLED顯示器通過數(shù)字方法或模擬方法來驅(qū)動。數(shù)字方法根據(jù)施加到像素的數(shù)據(jù)電 壓或數(shù)據(jù)電流的強度而顯示灰度。另一方面，模擬方法根據(jù)以恒定強度施加到像素的數(shù)據(jù) 電壓或數(shù)據(jù)電流的提供時間而顯示灰度。采用模擬方法的OLED顯示器不能正確地顯示灰 度，因為各個像素中驅(qū)動薄膜晶體管的電學(xué)特性(閾值、電子遷移率等)依賴于施加到像素 的數(shù)據(jù)電壓或數(shù)據(jù)電流的強度而變化。因此，驅(qū)動TFT根據(jù)施加到像素的數(shù)據(jù)電壓或數(shù)據(jù) 電流的強度來控制流經(jīng)OLED的電流量。然而，采用數(shù)字方法的OLED顯示器能夠顯示正確 的灰度，因為驅(qū)動TFT僅用作開關(guān)元件。近來，已存在很多通過數(shù)字方法驅(qū)動OLED顯示器 的技術(shù)。 —般地，采用數(shù)字方法的OLED顯示器使用監(jiān)控反饋方法來補償由于外部溫度變 化導(dǎo)致包括在OLED中的有機材料的特性變化而產(chǎn)生的畫面質(zhì)量的惡化。參考圖2，監(jiān)控反饋方法包括以下步驟在顯示板的一側(cè)形成像素監(jiān)控部MP以預(yù)測像素的惡化程度；在向像素監(jiān)控部MP施加恒定監(jiān)控電流之后對反饋的電壓進行采樣；以及基于采樣電壓調(diào)節(jié)施加
到像素的高電勢驅(qū)動電壓。像素監(jiān)控部MP包括被提供有第一監(jiān)控電流Ir的R監(jiān)控OLEDMR、被提供有第二監(jiān)控電流Ig的G監(jiān)控OLED MG以及被提供有第三監(jiān)控電流lb的B監(jiān)控OLED MB。如果外部溫度變化，則包括在OLED MR、MG和MB中的有機材料的特性變化。因而，0LEDMR、MG和MB的電阻成份變化。結(jié)果，具有變化電壓電平的反饋電壓Vrf 、Vgf和Vbf被提供到功率IC。功率IC使用R反饋電壓Vrf調(diào)節(jié)提供到顯示板的R像素的第一高電勢驅(qū)動電壓VOR，使用G反饋電壓Vgf調(diào)節(jié)提供到顯示板的G像素的第二高電勢驅(qū)動電壓VOG，且使用B反饋電壓Vbf調(diào)節(jié)提供到顯示板的B像素的第三高電勢驅(qū)動電壓VOB。 OLE匿R、MG和MB的電阻成份增加得越多，反饋電壓Vrf、Vgf和Vbf也增加得越多。 一般地，如果外部溫度降低，則流經(jīng)像素的電流量減少，由此降低了亮度。為了補償降低的亮度，如圖3所示，通過分別使用反饋電壓Vrf 、 Vgf和Vbf來逐漸增加高電勢驅(qū)動電壓VOR、 VOG和VOB。
然而，如圖3所示，在采用監(jiān)控反饋方法的OLED顯示器中，存在的問題是要求輸出電壓超過功率IC的最大輸出電壓，因為外部溫度降低得越多，輸出電壓VOR、 VOG和VOB逐漸增加得越多，從而防止由外部溫度的變化而導(dǎo)致的亮度降低。在要求輸出電壓功率超過功率IC的最大輸出電壓的情況下，存在的缺陷是因為功率IC的輸出電壓不穩(wěn)定而導(dǎo)致的諸如閃爍現(xiàn)象的畫面質(zhì)量的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式提供一種能夠防止由于低溫環(huán)境中功率IC的輸出電壓不穩(wěn)定而導(dǎo)致畫面質(zhì)量缺陷的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。 在一個方面，所述OLED顯示器包括顯示板，其具有其中形成顯示灰度的像素的有效顯示區(qū)域和其中形成監(jiān)控像素的惡化程度的像素監(jiān)控部的非顯示區(qū)域，其中各個像素包括有機發(fā)光二極管和驅(qū)動元件；功率IC，其將驅(qū)動電壓提供到所述顯示板；以及電壓限制部，其連接在所述像素監(jiān)控部和所述功率IC之間以約束從所述像素監(jiān)控部提供的反饋電壓的電壓電平。 而且，所述功率IC包括電流源部，其向所述像素監(jiān)控部提供恒定監(jiān)控電流；采樣開關(guān)部，其連接在所述電流源部和所述像素監(jiān)控部之間以對施加到所述像素監(jiān)控部的電壓進行采樣；驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部，其接收被提供到所述像素監(jiān)控部的電壓作為反饋電壓，并且使用所述反饋電壓來調(diào)節(jié)提供到所述像素的高電勢驅(qū)動電壓的電平；以及檢測開關(guān)部，其連接在節(jié)點和所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部之間以檢測所述反饋電壓，其中所述節(jié)點位于所述采樣開關(guān)部和所述像素監(jiān)控部之間，其中所述電壓限制部將所述節(jié)點處的電壓電平約束為低于所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部的最大輸出值的值。 而且，所述節(jié)點包括第一節(jié)點、第二節(jié)點和第三節(jié)點，且其中所述像素監(jiān)控部包括具有連接到所述第一節(jié)點的陽極電極和連接到接地電壓源的陰極電極的R監(jiān)控OLED、具有連接到所述第二節(jié)點的陽極電極和連接到所述接地電壓源的陰極電極的G監(jiān)控OLED、以及具有連接到所述第三節(jié)點的陽極電極和連接到所述接地電壓源的陰極電極的B監(jiān)控OLED。
而且，所述電壓限制部包括用于約束施加到所述第一節(jié)點的電壓電平的第一限制元件、用于約束施加到所述第二節(jié)點的電壓電平的第二限制元件以及用于約束施加到所述
4第三節(jié)點的電壓電平的第三限制元件。 而且，所述第一至第三限制元件各包括齊納二極管，該齊納二極管的擊穿電壓低于所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部的最大輸出電壓。 而且，所述第一至第三限制元件的陰極電極分別連接到所述第一至第三節(jié)點，且所述第一至第三限制元件的陽極電極共同連接到所述接地電壓源。 而且，所述第二限制元件的擊穿電壓與所述第三限制元件的擊穿電壓相同，所述第一限制元件的擊穿電壓低于所述第二和第三限制元件的擊穿電壓。 而且，所述檢測開關(guān)部在一個幀周期中在所述采樣開關(guān)部的導(dǎo)通周期中導(dǎo)通，且
在一個幀周期中在所述采樣開關(guān)部的截止周期中截止。 而且，所述像素監(jiān)控部形成在所述非顯示區(qū)域的至少一側(cè)上。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合到本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中 圖1是示出普通有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器的發(fā)光原理的圖； 圖2是示出采用監(jiān)控反饋方法的OLED顯示器中的高電勢驅(qū)動電壓的調(diào)節(jié)的圖； 圖3是示出OLED顯示器中的功率IC的經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓超過功率IC的最大輸
出電壓的圖表； 圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的OLED顯示器的框 圖5是示出圖4中所示的定時控制器的框圖； 圖6是示出像素監(jiān)控部、功率IC和電壓限制部的連接關(guān)系的電路 圖7是示出采樣控制信號和檢測控制信號的波形圖；以及 圖8是示出通過約束反饋電壓的上限，OLED顯示器的功率IC的經(jīng)調(diào)節(jié)的輸出電壓被限制在功率IC的最大輸出電壓的范圍內(nèi)的圖表。
具體實施例方式
以下，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，使得本公開充分、完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全地傳達本發(fā)明的原理。 以下，將參考圖4至8詳細描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的OLED顯示器的框圖，圖5是示出圖4中所示的定時控制器的框圖，且圖6是示出像素監(jiān)控部、功率IC和電壓限制部的連接關(guān)系的電路圖。 參考圖4，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的OLED顯示器包括顯示板IO，該顯示板10具有其中形成像素的有效顯示區(qū)域11和其中形成驅(qū)動器IC 12、掃描驅(qū)動器15和像素監(jiān)控部16的非顯示區(qū)域；功率IC 17，其將驅(qū)動電壓提供到顯示版10 ;以及電壓限制部18，其連接在像素監(jiān)控部16和功率IC 17之間以限制從像素監(jiān)控部16反饋的反饋電壓的電平。
在顯示板10的有效顯示區(qū)域中，多條數(shù)據(jù)線DL和多條選通線GL交叉，且像素以 矩陣形式布置在數(shù)據(jù)線DL和選通線GL交叉的位置。像素包括多個顯示紅色的R像素、多 個顯示綠色的G像素和多個顯示藍色的B像素。第一高電勢驅(qū)動電壓V0R提供到R像素、 第二高電勢驅(qū)動電壓VOG提供到G像素，且第三高電勢驅(qū)動電壓VOB提供到B像素。第一 至第三高電勢驅(qū)動電壓VOR、VOG和VOB根據(jù)環(huán)境溫度而變化。各個像素包括有機發(fā)光二極 管(OLED)、驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)、多個開關(guān)TFT以及存儲電容器，且根據(jù)數(shù)字驅(qū)動方法來 顯示灰度。 驅(qū)動器IC 12包括定時控制器13、源驅(qū)動器14和電平轉(zhuǎn)換器(未示出)，且安裝 在玻上芯片(COG)型的顯示板10的非顯示區(qū)域。 如圖5所示，定時控制器13包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器131和控制信號產(chǎn)生器132。
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器131將輸入視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換成適合于數(shù)字驅(qū)動類型的數(shù)字數(shù)據(jù)類 型。為此，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器131包括主存儲器131a、數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)部131b和顯示存儲器131c。主存 儲器131a存儲通過一個幀單元從外部提供的視頻數(shù)據(jù)RGB。數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)部131b將對應(yīng)于一 幀的視頻數(shù)據(jù)RGB分割成j個位平面(bit plane)(此處，j是2或者是大于2的自然數(shù))， 且將視頻數(shù)據(jù)RGB時分為k個子幀(此處，k是2或者是大于2的自然數(shù))以在一幀中顯 示視頻數(shù)據(jù)RGB。而且，數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)部131b通過使用時間映射表將位平面映射到相應(yīng)的子幀 而在顯示存儲器131c中存儲待顯示在特定子幀上的位平面，使得各個分割的位平面在一 個子幀或多個子幀上顯示。而且，數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)部131b向源驅(qū)動器14提供以時間映射表類型 被時分的數(shù)據(jù)DATA。 控制信號產(chǎn)生器132基于包括垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、點時鐘 信號DCLK、數(shù)據(jù)使能信號DE等的定時信號，產(chǎn)生用于控制源驅(qū)動器14的操作定時的控制信 號DDC、用于控制掃描驅(qū)動器15的操作定時的控制信號GDC以及用于控制功率IC 17的采 樣和檢測操作的控制信號SAMP和DET。用于控制源驅(qū)動器14的操作定時的控制信號DDC 包括根據(jù)上升沿或下降沿指示源驅(qū)動器14中數(shù)據(jù)的鎖存操作的源采樣時鐘信號、指示源 驅(qū)動器14的輸出的源使能信號等。用于控制掃描驅(qū)動器15的操作定時的控制信號GDC包 括指示掃描開始的起始水平線的選通起始脈沖、作為用于順序移位選通起始脈沖的定時控 制信號而被輸入到掃描驅(qū)動器15中的移位寄存器且具有對應(yīng)于TFT的ON周期的脈沖寬度 的選通移位時鐘信號、指示掃描驅(qū)動器15的輸出的選通使能信號等。用于控制功率IC 17 的采樣操作的采樣控制信號SAMP將恒定監(jiān)控電流提供到像素監(jiān)控部16，且指示對施加到 像素監(jiān)控部16的電壓進行采樣的時間。用于控制功率IC 17的檢測操作的檢測控制信號 DET指示用于接收采樣電壓的時間。 源驅(qū)動器14將輸入數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)電壓且響應(yīng)于來自定時控制器13 的控制信號DDC而將其提供到數(shù)據(jù)線DL。 電平轉(zhuǎn)換器參考來自功率IC 17的驅(qū)動電壓VGP，產(chǎn)生適合于TFT的操作的電壓電 平，即，掃描高電壓VGH和掃描低電壓VGL，且將它們提供到掃描驅(qū)動器15。
掃描驅(qū)動器15包括通過使用像素中的TFT的制作工藝在板內(nèi)柵極(GIP)型的顯 示板10的非顯示區(qū)域上形成的移位寄存器陣列。掃描驅(qū)動器15響應(yīng)于來自定時控制器13 的控制信號GDC順序移位掃描高電壓VGH和掃描低電壓VGL且產(chǎn)生掃描脈沖。掃描驅(qū)動器 15還選擇通過將掃描脈沖順序提供到選通線而寫入數(shù)據(jù)的水平線。
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像素監(jiān)控部16形成于顯示板10的非顯示區(qū)域上。如圖6所示，像素監(jiān)控部16包 括被提供有第一監(jiān)控電流Ir的R監(jiān)控OLED MR、被提供有第二監(jiān)控電流Ig的G監(jiān)控OLED MG以及被提供有第三監(jiān)控電流lb的B監(jiān)控OLED MB。 R監(jiān)控OLED MR具有連接到第一節(jié)點 nl的陽極電極和連接到接地電壓源GND的陰極電極。G監(jiān)控OLED MG具有連接到第二節(jié)點 n2的陽極電極和連接到接地電壓源GND的陰極電極。B監(jiān)控OLED MB具有連接到第三節(jié)點 n3的陽極電極和連接到接地電壓源GND的陰極電極。像素監(jiān)控部16可以形成在顯示板10 的非顯示區(qū)域的兩側(cè)。例如，R監(jiān)控OLED MR和G像素監(jiān)控MG可以形成在顯示板10的非 顯示區(qū)域的左側(cè)，且B像素監(jiān)控MB形成在顯示板10的非顯示區(qū)域的右側(cè)。另一方面，像素 監(jiān)控部16可以僅形成在顯示板10的非顯示區(qū)域的一側(cè)。 功率IC 17使用輸入電壓源VCC產(chǎn)生用于驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電壓VGP以及用 于驅(qū)動像素的高電勢驅(qū)動電壓VOR、 VOG和V0B。而且，功率IC 17使用來自像素監(jiān)控部16 的反饋電壓Vrf 、 Vgf和Vbf來調(diào)節(jié)高電勢驅(qū)動電壓VOR、 VOG和VOB的電平。
為此，如圖6所示，功率IC 17包括用于提供恒定監(jiān)控電流Ir、 Ig和lb的電流源 部17a，用于在電流源部17a和像素監(jiān)控部16之間切換電流路徑的采樣開關(guān)部17b，用于調(diào) 節(jié)高電勢驅(qū)動電壓VOR、 VOG和VOB的電平的驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部17d，以及用于在節(jié)點nl、 n2 和n3以及驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部17d之間切換電流路徑的檢測開關(guān)部17c。 電流源部17a包括用于產(chǎn)生第一監(jiān)控電流Ir的第一電流源DAC1 、用于產(chǎn)生第二監(jiān) 控電流Ig的第二電流源DAC2以及用于產(chǎn)生第三監(jiān)控電流lb的第三電流源DAC3。此處，如 果第一至第三監(jiān)控電流Ir、 Ig和lb具有相同值，則第一至第三電流源DAC1至DAC3可以用 一個電流源來替代。 采樣開關(guān)部17b包括用于根據(jù)采樣控制信號SAMP切換第一電流源DAC 1和第一 節(jié)點nl之間的電流路徑的第一采樣開關(guān)SI，根據(jù)采樣控制信號SAMP切換第二電流源DAC2 和第二節(jié)點n2之間的電流路徑的第二采樣開關(guān)S2，根據(jù)采樣控制信號SAMP切換第三電流 源DAC3和第三節(jié)點n3之間的電流路徑的第三采樣開關(guān)S3。第一至第三采樣開關(guān)Sl、 S2、 和S3中的每一個均包括P型MOS晶體管。 檢測開關(guān)部17c包括用于根據(jù)檢測控制信號DET切換第一節(jié)點nl和驅(qū)動電壓調(diào) 節(jié)部17d之間的電流路徑的第一檢測開關(guān)Dl，根據(jù)檢測控制信號DET切換第二節(jié)點n2和驅(qū) 動電壓調(diào)節(jié)部17d之間的電流路徑的第二檢測開關(guān)D2，以及根據(jù)檢測控制信號DET切換第 三節(jié)點n3和驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部17d之間的電流路徑的第三檢測開關(guān)D3。第一至第三檢測開 關(guān)Dl、 D2和D3中的每一個均包括P型MOS晶體管。 驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部17d使用反饋電壓Vrf 、 Vgf和Vbf調(diào)節(jié)提供到顯示板10的像素 的高電勢驅(qū)動電壓VOR、 VOG和VOB的電平。 電壓限制部18包括并聯(lián)到R監(jiān)控0LED MR的第一限制元件ZR、并聯(lián)到G監(jiān)控OLED MG的第二限制元件ZG和并聯(lián)到B監(jiān)控OLED MB的第三限制元件ZB。第一至第三限制元件 ZR、ZG和ZB中的每一個都包括擊穿電壓低于功率IC 17的最大輸出電壓的齊納二極管。第 一限制元件ZR包括連接到第一節(jié)點nl的陰極電極和連接到接地電壓源GND的陽極電極。 當大于其擊穿 壓的電壓施加到第一節(jié)點nl時，第一限制元件ZR形成從陰極電極到陽極 電極流動的反向電流路徑。第二限制元件ZG包括連接到第二節(jié)點n2的陰極電極和連接到 接地電壓源GND的陽極電極。當大于其擊穿電壓的電壓施加到第二節(jié)點n2時，第二限制元件ZG形成從陰極電極到陽極電極流動的反向電流路徑。第三限制元件ZB包括連接到第三 節(jié)點n3的陰極電極和連接到接地電壓源GND的陽極電極。當大于其擊穿電壓的電壓施加 到第三節(jié)點n3時，第三限制元件ZB形成從陰極電極到陽極電極流動的反向電流路徑。第 一至第三限制元件ZR、ZG和ZB中的每一個均將第一至第三節(jié)點nl、n2和n3的電勢水平約 束為其擊穿電壓的電平。因此，可以解決反饋電壓Vrf、 Vgf和Vbf的電平在低溫環(huán)境下逐 漸增加的技術(shù)問題。另一方面，第一至第三限制元件ZR、ZG和ZB可以具有另一擊穿電壓值 以防止顯示視頻的色度坐標處于基準范圍之外。例如，第一限制元件ZR的擊穿電壓可以低 于第二和第三限制元件ZG和ZB的擊穿電壓。發(fā)明人從實驗已獲知，在功率IC 17的最大 輸出電壓被設(shè)置為12伏特的情況下，當?shù)谝幌拗圃R的擊穿電壓為8. 2伏特、第二和第 三限制元件ZG和ZB的擊穿電壓為9. 1伏特時，顯示視頻的色度坐標很好。
圖7示出了采樣控制信號SAMP和檢測控制信號DET 。
以下，將參考圖7詳細描述采樣和檢測反饋電壓Vrf、Vgf和Vbf的操作。
在采樣周期Ps，采樣控制信號SAMP作為低邏輯電平產(chǎn)生且使得采樣開關(guān)Sl至S3 導(dǎo)通。而且，檢測控制信號DET作為高邏輯電平產(chǎn)生且使得檢測開關(guān)D1至D3截止。因此， 第一至第三監(jiān)控電流Ir、Ig和Ib流經(jīng)連接在第一至第三電流源DAC1、DAC2和DAC3與接地 電壓源GND之間的監(jiān)控OLED MR、MG和MB。此時，外部溫度降低得越多，節(jié)點nl、n2和n3的 電勢水平增加得越多，因為當外部溫度降低時，OLED MR、MG和MB的電阻成份增加。根據(jù)本 發(fā)明的實施方式，盡管外部溫度降低，節(jié)點nl至n3的電勢水平被第一和第三限制元件ZR、 ZG和ZB約束為第一至第三限制元件ZR、 ZG和ZB的擊穿電壓的電平。
在檢測周期Pd，采樣控制信號SAMP被反轉(zhuǎn)為高邏輯電平以使得采樣開關(guān)Sl至S3 截止，檢測控制信號DET被反轉(zhuǎn)為低邏輯電平以使得檢測開關(guān)Dl至D3導(dǎo)通。因此，節(jié)點nl 至n3的電壓作為反饋電壓Vrf、Vgf和Vbf被提供到功率IC 17。此處，節(jié)點nl至n3的最 大電壓分別被約束為第一至第三限制元件ZR、ZG和ZB的擊穿電壓的電平。
上述采樣和檢測操作在每幀中執(zhí)行。然而，為了簡化驅(qū)動方法，采樣和檢測操作可 以在幾個幀中執(zhí)行一次。 圖8示出了高電勢驅(qū)動電壓V0R、V0G和V0B的最大調(diào)節(jié)值通過反饋電壓Vrf、Vgf 和Vbf的約束而被約束為功率IC 17的最大輸出電壓值Max。在圖8中，Y軸表示功率IC 的輸出電壓且X軸表示外部溫度。 參考圖8，高電勢驅(qū)動電壓V0R、V0G和V0B被調(diào)節(jié)為使得外部溫度降低得越多，高 電勢驅(qū)動電壓V0R、 V0G和V0B增加得越多。然而，高電勢驅(qū)動電壓V0R、 V0G和V0B不超過 功率IC 17的最大輸出電壓。例如，在第一限制元件Zr的擊穿電壓為8.2伏特的情況中， 第一高電勢驅(qū)動電壓V0R的最大值被調(diào)節(jié)為8. 2伏特，且第二高電勢驅(qū)動電壓V0G和第三 高電勢驅(qū)動電壓V0B的最大值被調(diào)節(jié)為9. 1伏特，因為功率IC 17基于反饋電壓Vrf、Vgf、 和Vbf來調(diào)節(jié)高電勢驅(qū)動電壓V0R、 V0G和V0B，使得最大電壓被設(shè)置為限制元件ZR、 ZG和 ZB的擊穿電壓。 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的0LED顯示器能夠防止由于低溫環(huán)境中的功 率IC的輸出電壓的不穩(wěn)定而導(dǎo)致的畫面質(zhì)量的缺陷，因為當基于從像素監(jiān)控部提供的反 饋電壓的電壓值來調(diào)節(jié)施加到像素的高電勢驅(qū)動電壓時，可以通過使用與像素監(jiān)控部并聯(lián) 的限制元件約束反饋電壓的最大值來在功率IC的最大輸出電壓的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)高電勢驅(qū)動
8電壓。 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，可以對本發(fā)明的實施方式做出各種修改和變型 而不偏離本發(fā)明的精神或范圍。例如，本發(fā)明的實施方式是參考通過數(shù)字方法驅(qū)動的OLED 顯示器予以描述的，但是也可應(yīng)用到通過模擬方法驅(qū)動的OLED顯示器上。因而，本發(fā)明的 實施方式旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求和它們的等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
權(quán)利要求
一種有機發(fā)光二極管OLED顯示器，該OLED顯示器包括顯示板，其具有其中形成顯示灰度的像素的有效顯示區(qū)域和其中形成監(jiān)控像素的惡化程度的像素監(jiān)控部的非顯示區(qū)域，其中各個像素包括有機發(fā)光二極管和驅(qū)動元件；功率IC，其將驅(qū)動電壓提供到所述顯示板；以及電壓限制部，其連接在所述像素監(jiān)控部和所述功率IC之間以約束從所述像素監(jiān)控部提供的反饋電壓的電壓電平。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其中所述功率IC包括電流源部，其向所述像素監(jiān)控部提供恒定監(jiān)控電流；采樣開關(guān)部，其連接在所述電流源部和所述像素監(jiān)控部之間以對施加到所述像素監(jiān)控部的電壓進行采樣；驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部，其接收被提供到所述像素監(jiān)控部的電壓作為反饋電壓，并且使用所述反饋電壓來調(diào)節(jié)提供到所述像素的高電勢驅(qū)動電壓的電平；以及檢測開關(guān)部，其連接在節(jié)點和所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部之間以檢測所述反饋電壓，其中所述節(jié)點位于所述采樣開關(guān)部和所述像素監(jiān)控部之間，其中所述電壓限制部將所述節(jié)點處的電壓電平約束為低于所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部的最大輸出值的值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示器，其中所述節(jié)點包括第一節(jié)點、第二節(jié)點和第三節(jié)點，且其中所述像素監(jiān)控部包括具有連接到所述第一節(jié)點的陽極電極和連接到接地電壓源的陰極電極的R監(jiān)控OLED、具有連接到所述第二節(jié)點的陽極電極和連接到所述接地電壓源的陰極電極的G監(jiān)控0LED、以及具有連接到所述第三節(jié)點的陽極電極和連接到所述接地電壓源的陰極電極的B監(jiān)控OLED。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的0LED顯示器，其中所述電壓限制部包括用于約束施加到所述第一節(jié)點的電壓電平的第一限制元件、用于約束施加到所述第二節(jié)點的電壓電平的第二限制元件以及用于約束施加到所述第三節(jié)點的電壓電平的第三限制元件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的0LED顯示器，其中所述第一至第三限制元件各包括齊納二極管，該齊納二極管的擊穿電壓低于所述驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)部的最大輸出電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的0LED顯示器，其中所述第一至第三限制元件的陰極電極分別連接到所述第一至第三節(jié)點，且所述第一至第三限制元件的陽極電極共同連接到所述接地電壓源。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的0LED顯示器，其中所述第二限制元件的擊穿電壓與所述第三限制元件的擊穿電壓相同，所述第一限制元件的擊穿電壓低于所述第二和第三限制元件的擊穿電壓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的0LED顯示器，其中所述檢測開關(guān)部在一個幀周期中在所述采樣開關(guān)部的導(dǎo)通周期中導(dǎo)通，且在一個幀周期中在所述采樣開關(guān)部的截止周期中截止。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的0LED顯示器，其中所述像素監(jiān)控部形成在所述非顯示區(qū)域的至少一側(cè)上。
全文摘要
有機發(fā)光二極管顯示器。本發(fā)明的實施方式提供一種能夠防止低溫環(huán)境中由功率IC的輸出電壓的不穩(wěn)定而導(dǎo)致畫面質(zhì)量缺陷的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。該OLED顯示器包括顯示板，該顯示板具有其中形成顯示灰度的像素的有效顯示區(qū)域和其中形成監(jiān)控像素的惡化程度的像素監(jiān)控部的非顯示區(qū)域，其中各個像素包括有機發(fā)光二極管和驅(qū)動元件；功率IC，其將驅(qū)動電壓提供到該顯示板；以及電壓限制部，其連接在該像素監(jiān)控部和該功率IC之間以約束從該像素監(jiān)控部提供的反饋電壓的電壓電平。
文檔編號G09G3/32GK101727827SQ20091017070
公開日2010年6月9日 申請日期2009年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月10日
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