專利名稱：電光學(xué)裝置及其驅(qū)動方法、電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用了電光學(xué)元件的電光學(xué)裝置及其驅(qū)動方法、電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，提出了各種使用有機(jī)EL (Electroluminescent)元件或被 稱為發(fā)光聚合物元件等的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,以下稱為"OLED")元件等電光學(xué)元件的圖像顯示裝置。
圖31是表示專利文獻(xiàn)1所公開的圖像顯示裝置中的單位電路P的 結(jié)構(gòu)的圖。在專利文獻(xiàn)l所公開的圖像顯示裝置中，多個單位電路P對 應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置，在圖31中，舉例表示了其 中的1個單位電路P的結(jié)構(gòu)。如圖31所示，N溝道型晶體管Ts的漏極 與數(shù)據(jù)線連接，并且其源極與OLED元件的陽極及電容元件Co的一方 電極連接。晶體管Ts的柵極與掃描線連接。并且，如圖29所示，OLED 元件與電容元件Co并聯(lián)連接，OLED元件的陰極及電容元件Co的另 一方電極共同與固定電位連接。
在上述的結(jié)構(gòu)中，第1、當(dāng)向掃描線供給的掃描信號遷移到激活狀 態(tài)時，晶體管Ts成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，被供給到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電位通 過晶體管Ts被供給到OLED元件，并被寫入到電容元件Co。第2、當(dāng) 掃描信號遷移到非激活狀態(tài)時，晶體管Ts成為截止?fàn)顟B(tài)，但在蓄積于 電容元件Co中的電荷所殘留的期間，持續(xù)OLED元件的發(fā)光狀態(tài)。
專利文獻(xiàn)1特開加00-l22608號z〉才艮
但是，在上述專利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)中，為了使OLED元件的發(fā)光量(發(fā) 光亮度的時間積分值)成為充分的值，需要充分確保OLED元件的發(fā) 光時間。因此，需要將電容元件Co的容量設(shè)定為非常大的值。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于這樣的問題而提出的，其目的在于，在減少各個單 位電路中的電容元件的容量的同時，可獲得充分的發(fā)光量。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電光學(xué)裝置具有多個單位電路，其 對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置；掃描線驅(qū)動電路，其在各 單位期間內(nèi)的每個驅(qū)動期間依次選擇1條掃描線；和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路， 其在各單位期間內(nèi)的期間的驅(qū)動期間開始之前的每個寫入期間，向各數(shù)
據(jù)線輸出與單位電路的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位，上述單位電路是與在 該單位期間內(nèi)的驅(qū)動期間中被選擇的掃描線對應(yīng)的單位電路，多個單位 電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度；電容元件， 其具有與電容線連接的第i電極、和與數(shù)據(jù)線連接的第2電極；和開關(guān)
元件，其被配置在第2電極與電光學(xué)元件之間，在掃描線驅(qū)動電路進(jìn)行 掃描線的選擇時，通過導(dǎo)通將第2電極與上述電光學(xué)元件連通。上述結(jié) 構(gòu)中，在寫入期間與從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的電荷被充 電到各個單位電路的電容元件中，在驅(qū)動期間，從與該單位電路對應(yīng)的
數(shù)據(jù)線所連接的多個電容元件，向與掃描線驅(qū)動電路所選擇的掃描線對 應(yīng)的單位電路各個中的電光學(xué)元件，供給在寫入期間被充電的電荷。
根據(jù)該方式，由于在各單位期間內(nèi)的驅(qū)動期間，從與該單位電路對 應(yīng)的數(shù)據(jù)線所連接的多個電容元件，向與掃描線驅(qū)動電路所選擇的掃描 線對應(yīng)的單位電路， 一 齊供給在該單位期間內(nèi)的寫入期間被充電的電 荷，所以可充分確保該單位電路中的電光學(xué)元件的發(fā)光時間。因此，可 以確保電光學(xué)元件的發(fā)光量具有充分的值，并且相比圖31所示的結(jié)構(gòu) (以下稱為"以往例，，)，可減少各單位電路中的電容元件的必要容量。
在本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，多個單位電路各個中的電光學(xué)元件具有 與開關(guān)元件連接的第3電極、與被供給固定電位的固定電位線連接的第 4電極、和設(shè)在第3電極及第4電極之間的電光學(xué)層，電容線是固定電 位線。根據(jù)該方式，由于不需要與固定電位線獨立地設(shè)置電容線，所以 可簡化電光學(xué)裝置的構(gòu)成。
在本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，與各單位電路中的上述電容元件獨立地 另外設(shè)有一方電極與數(shù)據(jù)線連接的輔助用電容元件。根據(jù)該方式，即使相對為了確保與所選擇的掃描線對應(yīng)的單位電路中的電光學(xué)元件的發(fā) 光量具有充分的值而必要的容量，與該單位電路對應(yīng)的數(shù)據(jù)線所連接的 各個電容元件的合計容量少時，也可以利用輔助用電容元件的容量來補 充不足的部分。
作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置的優(yōu)選方式，設(shè)有將各條數(shù)據(jù)線分別與數(shù) 據(jù)線驅(qū)動電路連接的開關(guān)。而且，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置的優(yōu)選方式， 輔助用電容元件包括各自的容量不同的多個電容元件，在多個電容元件 的一方電極與數(shù)據(jù)線之間，設(shè)有使多個電容元件中的任意電容元件與數(shù)
據(jù)線導(dǎo)通的第2開關(guān)元件。該方式中，通過在寫入期間使多個電容元件 的任意電容元件選擇性地與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，可調(diào)節(jié)電光學(xué)元件的發(fā)光時 間。因此，能夠以多等級調(diào)節(jié)電光學(xué)元件的發(fā)光量。
在本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，各條數(shù)據(jù)線由第l部分和第2部分構(gòu)成， 該第l部分與對應(yīng)的多個單位電路連接，且在各條數(shù)據(jù)線中長度相等， 該第2部分與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路連接，且在各條數(shù)據(jù)線中長度不同，并且 在第1部分與第2部分之間設(shè)有用于切換兩者的導(dǎo)通和非導(dǎo)通的第3開 關(guān)元件，第3開關(guān)元件按每個單位期間在寫入期間成為導(dǎo)通狀態(tài)，在驅(qū) 動期間成為截止?fàn)顟B(tài)。該方式中，在各單位期間的驅(qū)動期間中各條數(shù)據(jù) 線的第2部分被切斷。由于各條數(shù)據(jù)線的第l部分的長度相等，所以可 抑制各條數(shù)據(jù)線中的電容值產(chǎn)生差異。因此，可抑制在每條數(shù)據(jù)線中電 光學(xué)元件的發(fā)光量不同的情況。
另外，本發(fā)明的電光學(xué)裝置具有多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線；對應(yīng) 多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位電路；和沿著多條數(shù)
據(jù)線分別設(shè)置的多個電容元件；多個單位電路分別具有電光學(xué)元件和開 關(guān)元件，該開關(guān)元件在被供給到多條掃描線中的l條掃描線的掃描信號 的控制下，控制多個電容元件與電光學(xué)元件之間的導(dǎo)通。
而且，在本發(fā)明的電光學(xué)裝置中，多個單位電路具有由與多條數(shù)據(jù) 線中的l條數(shù)據(jù)線連接的2個以上單位電路構(gòu)成的單位電路組，多個電 容元件分別對應(yīng)屬于單位電路組的各個單位電路而被分割設(shè)置。
并且，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置，也可以采用以下的方式，即具有 多個單位電路，其對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置；掃描線驅(qū)動電路，其在各單位期間內(nèi)的每個驅(qū)動期間，依次選擇l條上述掃描
線；數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其在各單位期間內(nèi)的期間的驅(qū)動期間開始之前的 每個寫入期間，向各數(shù)據(jù)線輸出與單位電路的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電 位，所述單位電路是與在該單位期間內(nèi)的驅(qū)動期間被選擇的掃描線對應(yīng) 的單位電路；和第1開關(guān)元件(例如圖10所示的開關(guān)Sw)，其對應(yīng)多 條數(shù)據(jù)線的各條而配置，在每個寫入期間通過導(dǎo)通使該數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線 驅(qū)動電路連通，在每個驅(qū)動期間通過成為非導(dǎo)通而使該數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線 驅(qū)動電路為非導(dǎo)通；多個單位電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與數(shù) 據(jù)電位對應(yīng)的灰度；和第2開關(guān)元件(例如圖10所示的晶體管Tr)， 其被配置在數(shù)據(jù)線與電光學(xué)元件之間，在掃描線驅(qū)動電路進(jìn)行掃描線的 選擇時通過導(dǎo)通將兩者連通；在寫入期間，與從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路輸出的 數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的電荷被充電到付隨于各條數(shù)據(jù)線(例如相當(dāng)于圖10所 示的各第一部分Zl)的電容中，在驅(qū)動期間，各條數(shù)據(jù)線與數(shù)據(jù)線驅(qū) 動電路電分離，從付隨于與該單位電路對應(yīng)的數(shù)據(jù)線的電容，向與掃描 線驅(qū)動電路所選擇的掃描線對應(yīng)的單位電路各自中的電光學(xué)元件，供給 在寫入期間被充電的電荷。
根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于能夠?qū)⒃趯懭肫陂g被充電到付隨于l條數(shù)據(jù) 線的電容中的電荷，用于驅(qū)動期間中的l個電光學(xué)元件的發(fā)光，所以， 不需要在每個單位電路中設(shè)置電容元件。因此，相比在每個單位電路中 設(shè)置電容元件的結(jié)構(gòu)，具有可實現(xiàn)高精細(xì)化的優(yōu)點。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置可利用在各種電子設(shè)備中。該電子設(shè)備的典型 例是把發(fā)光裝置作為顯示裝置利用的設(shè)備。作為這種設(shè)備，有個人計算 機(jī)和移動電話機(jī)等。并且，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的用途不限于圖像的顯 示。例如，在利用光線的照射而在感光體鼓等像擔(dān)承體上形成潛像的結(jié) 構(gòu)的圖像形成裝置(印刷裝置)中，作為對像擔(dān)承體進(jìn)行曝光的裝置(所 謂的曝光頭)，也可以采用本發(fā)明的電光學(xué)裝置。
本發(fā)明的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法用于驅(qū)動電光學(xué)裝置，該電光學(xué)裝 置具有對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位電路，多 個單位電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度；電 容元件，其具有與電容線連接的第1電極、和與數(shù)據(jù)線連接的第2電極； 和開關(guān)元件，其被配置在第2電極與電光學(xué)元件之間，在掃描線被選擇時通過導(dǎo)通將第2電極與電光學(xué)元件導(dǎo)通，所述驅(qū)動方法在各單位期間 內(nèi)的每個驅(qū)動期間依次選擇1條掃描線，在各單位期間內(nèi)的期間的驅(qū)動 期間開始之前的每個寫入期間，向各條數(shù)據(jù)線輸出與單位電路的灰度數(shù) 據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位，該單位電路是與在該單位期間內(nèi)的驅(qū)動期間被選擇 的掃描線對應(yīng)的單位電路。采用上述的驅(qū)動方法也可以獲得與本發(fā)明的 電光學(xué)裝置相同的效果。
另外，作為本發(fā)明的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，也可以是用于驅(qū)動具 備對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位電路，多個單 位電路分別具有成為與數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度的電光學(xué)元件的電光學(xué)裝 置的驅(qū)動方法，該方法在各單位期間內(nèi)的期間的驅(qū)動期間開始之前的每 個寫入期間，將與在該單位期間內(nèi)的驅(qū)動期間被選擇的掃描線對應(yīng)的單 位電路的灰度數(shù)據(jù)所對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位輸出給各條數(shù)據(jù)線，將與數(shù)據(jù)電位 對應(yīng)的電荷充電到付隨于各條數(shù)據(jù)線的電容中，在各單位期間內(nèi)的每個 驅(qū)動期間，依次選擇l條掃描線，從付隨于與屬于所選擇的掃描線的單 位電路對應(yīng)的數(shù)據(jù)線的電容，將在該單位期間內(nèi)的寫入期間被充電的電 荷，向該單位電路中的上述電光學(xué)元件供給。


圖l是表示本發(fā)明第1實施方式的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是表示關(guān)于各個單位電路的詳細(xì)電氣結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖3是表示用于驅(qū)動電光學(xué)元件的動作的圖。
圖4是用于說明驅(qū)動期間中的單位電路的動作的圖。
圖5是表示本發(fā)明第2實施方式的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示本發(fā)明第3實施方式的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖7是表示本發(fā)明第4實施方式的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖8是表示該實施方式的電光學(xué)裝置的動作的時序(timing )的圖。
圖9是表示對比例的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖IO是表示本發(fā)明第5實施方式的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖ll是第1實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖12是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖13是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖14是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖15是從圖10至圖13中的A-A線觀察的剖面圖。
圖16是第1實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖17是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖18是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖19是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖20是從圖15至圖18中的B-B線觀察的剖面圖。
圖21是第2實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖22是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖23是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖24是該實施方式的單位電路的制造階段中的俯視圖。
圖25是從圖21至圖24中的C-C線觀察的剖面圖。
圖26是表示本發(fā)明的變形例2的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖27是表示本發(fā)明的變形例6的電光學(xué)裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖28是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的具體形態(tài)的立體圖。
圖29是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的具體形態(tài)的立體圖。
圖30是表示本發(fā)明的電子設(shè)備的具體形態(tài)的立體圖。圖31是表示以往的單位電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖中10-電光學(xué)裝置；12-電光學(xué)元件；20-掃描線驅(qū)動電路； 30-數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路；102-掃描線；104-數(shù)據(jù)線；106-電容線；108 -固定電位線；C-電容元件；Cs-輔助用電容元件；Cx-電容元件； El-第l電極；E2-第2電極；Pw-寫入期間；Pd-驅(qū)動期間；Sw -開關(guān)；1T-單位期間；Tr-晶體管；U-單位電路；Zl -第1部分；Z2 -第2部分。
具體實施例方式
<A:第1實施方式>
圖l是表示本發(fā)明的第1實施方式的電光學(xué)裝置IO的結(jié)構(gòu)的框圖。 該電光學(xué)裝置10是作為用于顯示圖像的裝置而在各種電子設(shè)備中釆用 的裝置，其具有多個單位電路U被面狀配置的像素陣列部100、掃描 線驅(qū)動電路20、和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30。另外，在圖1中，掃描線驅(qū)動 電路20和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30分別被圖示為獨立的電路，但也可以釆用 由單一的電路構(gòu)成這些電路的一部分或全部的結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，在像素陣列部100中，設(shè)有沿X方向延伸的m條掃 描線102、和沿與X方向正交的Y方向延伸的n條數(shù)據(jù)線104 ( m和n 是自然數(shù))。各單位電路U被配置在與掃描線102和數(shù)據(jù)線104的交叉 對應(yīng)的位置。因此，這些單位電路U被配置成縱m行x橫n列的矩陣 狀。
圖1所示的掃描線驅(qū)動電路20是用于以行單位選擇多個單位電路U 的電路。掃描線驅(qū)動電路20順序生成成為激活的掃描信號G[l]至G[m， 并向m條掃描線102的各個輸出。被供給第i行(i是滿足1《i《m的 整數(shù))的掃描線102的掃描信號G[il向激活狀態(tài)的遷移，表示選擇了屬 于第i行的n個單位電路U。
圖1所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30生成與由掃描線驅(qū)動電路20選擇的 掃描線102對應(yīng)的1行量的n個單位電路U的各個灰度數(shù)據(jù)所對應(yīng)的數(shù) 據(jù)電位VD[1至VD[n，并向各條數(shù)據(jù)線104輸出。以下，把被輸出到 第j列(j是滿足1《j《n的整數(shù))數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)電位VD表示為VD[j。
圖2是表示關(guān)于各個單位電路U的詳細(xì)電路結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖2 所示，各個單位電路U具有電光學(xué)元件12、電容元件C、和晶體管Tr。 電光學(xué)元件12是在陽極與陰極之間夾設(shè)了有機(jī)EL材料的發(fā)光層的 OLED元件，如圖2所示，其被配置在晶體管Tr與供給固定電位的固 定電位線(接地線)之間。這里，陽極是按每個單位電路U設(shè)置、按每 個單位電路被控制的獨立電極，陰極成為單位電路U公共設(shè)置的公共電 極。而且，陰極與供給固定電位的固定電位線連接。另外，也可以構(gòu)成 為陽極是公共電極，陰極是獨立電極的結(jié)構(gòu)。
圖2所示的電容元件C用于保持從數(shù)據(jù)線104供給的數(shù)據(jù)電位 VD[j。如圖2所示，電容元件C具有與電容線106連接的第1電極E1、 和與數(shù)據(jù)線104連接的第2電極E2。被供給固定電位的電容線106與 各個單位電路U公共連接。另外，雖然向固定電位線供給接地電位，但 也可以構(gòu)成為例如向固定電位線供給負(fù)電位，使得數(shù)據(jù)電位VD[j中表 示最高亮度的數(shù)據(jù)電位VD[N為正電位，數(shù)據(jù)電位VD[j中表示最低亮 度的數(shù)據(jù)電位VD[1是負(fù)電位的結(jié)構(gòu)。即，也可以在數(shù)據(jù)電位VD[N]與 數(shù)據(jù)電位VD[1]之間有接地電位。這樣，可減小數(shù)據(jù)電位VD[j相對接 地電位的振幅，降低電力消耗。
圖2所示的N溝道型晶體管Tr是通過在掃描線102的選擇時導(dǎo)通 而使電容元件C的第2電極E2與電光學(xué)元件12導(dǎo)通的開關(guān)元件。如 圖2所示，晶體管Tr的源極與電光學(xué)元件12的陽極連接，并且，其漏 極與數(shù)據(jù)線104及電容元件C的第2電極E2連接。晶體管Tr的柵極 與掃描線102連接，當(dāng)掃描信號G[i遷移到激活狀態(tài)時，晶體管Tr成 為導(dǎo)通狀態(tài)，使第電極E2和電光學(xué)元件12導(dǎo)通。另一方面，當(dāng)掃描信 號G[il遷移到非導(dǎo)通狀態(tài)時，晶體管Tr成為截止?fàn)顟B(tài)，使第2電極E2 與電光學(xué)元件12成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
下面，對電光學(xué)裝置10的動作進(jìn)行說明。如圖3所示，l個垂直掃 描期間(IV)內(nèi)的各個單位期間1T具有從該單位期間1T的開始時 刻到經(jīng)過規(guī)定期間的寫入期間Pw、和寫入期間Pw經(jīng)過后的驅(qū)動期間 Pd。在本實施方式中，驅(qū)動期間Pd被設(shè)定為從寫入期間Pw的結(jié)束時 刻到該單位期間1T的結(jié)束時刻的期間。圖l所示的掃描線驅(qū)動電路20在各個單位期間1T內(nèi)的每個驅(qū)動期 間Pd,順序選擇1條掃描線102。例如，在1個垂直掃描期間(IV) 內(nèi)的第i個單位期間1T中，通過把掃描信號G[i設(shè)定為激活電平，來 選擇第i行的掃描線102。
圖l所示的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30在各個單位期間1T內(nèi)的每個寫入期 間Pw，向各條數(shù)據(jù)線104輸出與電光學(xué)元件12的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù) 電位VD，該電光學(xué)元件12是與在該單位期間1T內(nèi)的驅(qū)動期間Pd中 由掃描線驅(qū)動電路20選擇的掃描線102對應(yīng)的各個單位電路U中的電 光學(xué)元件。例如，在1個垂直掃描期間(IV)內(nèi)的第i個單位期間1T 內(nèi)的寫入期間Pw中，向各條數(shù)據(jù)線104輸出與第i行的n個單位電路 U的各個灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位VD[1至VD[n。下面，關(guān)注第i行 的各個單位電路U，分寫入期間Pw和驅(qū)動期間Pd，對用于驅(qū)動電光學(xué) 元件12的動作進(jìn)行說明。
(a) 寫入期間Pw
在寫入期間Pw中，與屬于第i行的單位電路U的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的 數(shù)據(jù)電位VD所對應(yīng)的電荷，被充電(蓄積)到各個單位電路U中的電 容元件C中。例如，與第i行第j列的單位電路U的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù) 據(jù)電位VD[j]所對應(yīng)的電荷，被并行充電到與第j列的數(shù)據(jù)線104連接 的m個電容元件C中。
(b) 驅(qū)動期間Pd
在驅(qū)動期間Pd中，在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30的各個輸出端被設(shè)定為高 阻抗?fàn)顟B(tài)的基礎(chǔ)上，如圖3所示那樣掃描信號G[i遷移到高電平。因此， 如圖4所示，屬于第i行的單位電路U的各自的晶體管Tr成為導(dǎo)通狀 態(tài)。由此，從與該單位電路U對應(yīng)的數(shù)據(jù)線104所連接的多個電容元件 C,向?qū)儆诘趇行的各個單位電路U供給在寫入期間Pw被充電的電荷。 例如，從與第j列的數(shù)據(jù)線104連接的m個電容元件C， 一齊向第i行 第j列的單位電路U中的電光學(xué)元件12供給在寫入期間Pw被充電的 電荷。由此，屬于第i行的各個單位電路U中的電光學(xué)元件12，以與數(shù) 據(jù)電位VD對應(yīng)的灰度進(jìn)行發(fā)光。根據(jù)本方式的構(gòu)成，在各單位期間IT內(nèi)的驅(qū)動期間Pd中，從與該 單位電路U對應(yīng)的數(shù)據(jù)線104所連接的各個電容元件C， 一齊向與掃描 線驅(qū)動電路20所選擇的掃描線102對應(yīng)的各個單位電路U，供給在該 單位期間IT內(nèi)的寫入期間Pw被充電的電荷。即，由于能夠把并行充 電到m個電容元件C中的電荷用于1個電光學(xué)元件12的發(fā)光，所以可 充分確保電光學(xué)元件12的發(fā)光時間。因此，根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)， 可以使各電光學(xué)元件12的發(fā)光量具有充分的值，并且，相比以往例， 可減小各單位電路U中的電容元件C所必要的容量。
<B:第2實施方式>
圖5是表示本發(fā)明的第2實施方式的電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)的電路 圖。在本實施方式中，與上述的第1實施方式的結(jié)構(gòu)不同點在于，固定 電位線還作為電容線106發(fā)揮功能。具體如圖5所示，與各個單位電路 U共通連接的固定電位線108和各個單位電路U中的電光學(xué)元件12的 陰極共通連接，并且與各個單位電路U中的電容元件C的第1電極E1 共通連接。根據(jù)本方式的構(gòu)成，由于不需要獨立于固定電位線108另外 設(shè)置電容線106，所以可簡化電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)。
<C:第3實施方式>
圖6是表示本發(fā)明的第3實施方式的電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)的電路 圖。在本實施方式中，與上述的各個實施方式的結(jié)構(gòu)的不同點是，與各 個單位電路U中的電容元件C獨立地設(shè)置了一方電極與數(shù)據(jù)線104連 接的輔助用電容元件Cs。由于其他結(jié)構(gòu)與上述的各個實施方式相同， 所以省略對相同部分的重復(fù)說明。
如圖6所示，輔助用電容元件Cs的一方電極E3與數(shù)據(jù)線104連接， 并且，另一方電極E4與供給固定電位的電位線連接。本實施方式中， 在各個單位期間1T內(nèi)的寫入期間Pw中，輔助用電容元件Cs也被充電。 而且，在各個單位期間1T內(nèi)的驅(qū)動期間Pd中，來自輔助用電容元件 Cs的電荷被提供給與該輔助用電容元件Cs對應(yīng)的單位電路U。另外， 電位線例如可以是圖2所示的電容線106，也可以是圖5所示的固定電 位線108。根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，即使在與1個電光學(xué)元件12對應(yīng)的數(shù)據(jù) 線104所連接的m個電容元件C的容量合計值不能充分地使該電光學(xué) 元件12的發(fā)光量達(dá)到充分值的情況下，通過利用與該數(shù)據(jù)線104連接 的輔助用電容元件Cs的容量，也能對不充分的部分進(jìn)行補償。
<D:第4實施方式>
圖7是表示本發(fā)明的第4實施方式的電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)的電路 圖。如圖7所示，在本實施方式中，各條數(shù)據(jù)線104分別由與m個單 位電路U連接且在各條數(shù)據(jù)線104上長度相等的第1部分Zl、和與數(shù) 據(jù)線驅(qū)動電路30連接的第2部分Z2構(gòu)成。在本實施方式中，數(shù)據(jù)線驅(qū) 動電路30被配置在^f象素陣列部100中的X方向中央，各條數(shù)據(jù)線104 曲折而與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30連接。由于在像素陣列部100的X方向上 各條數(shù)據(jù)線104分布的范圍比數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30中各條數(shù)據(jù)線104的 輸出端分布的范圍寬，所以各條數(shù)據(jù)線104的長度不同。由于各條數(shù)據(jù) 線104中的第1部分Zl在各條數(shù)據(jù)線104中長度相等，所以各條數(shù)據(jù) 線104中的第2部分Z2在各條數(shù)據(jù)線104中長度不同。
而且，如圖7所示，各條數(shù)據(jù)線104中，在第1部分Zl和第2部 分Z2之間設(shè)有用于切換兩者的導(dǎo)通和非導(dǎo)通的開關(guān)Sw。各個開關(guān)Sw 由未圖示的控制電路一齊控制成導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)。其他的結(jié)構(gòu)與上 述各個實施方式的結(jié)構(gòu)相同。
如圖8所示，開關(guān)Sw在各個單位期間1T內(nèi)的每個寫入期間Pw成 為導(dǎo)通狀態(tài)，而在各個單位期間1T內(nèi)的每個驅(qū)動期間Pd成為截止?fàn)?態(tài)。更具體而言，在寫入期間Pw中，各個開關(guān)Sw—齊成為導(dǎo)通狀態(tài)， 使各條數(shù)據(jù)線104與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30導(dǎo)通，向各條數(shù)據(jù)線104供給 與從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30輸出的數(shù)據(jù)電位VD對應(yīng)的電荷。另一方面， 在驅(qū)動期間Pd中，各個開關(guān)Sw —齊成為截止?fàn)顟B(tài)，各條數(shù)據(jù)線104 與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30成為非導(dǎo)通狀態(tài)，因此，停止從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路 30向各條數(shù)據(jù)線104供給與數(shù)據(jù)電位VD對應(yīng)的電荷。
圖9是表示在各條數(shù)據(jù)線104中不設(shè)置開關(guān)Sw，第1部分Zl與第 2部分Z2直接連接的結(jié)構(gòu)(以下稱為"對比例")的電路圖。 一般在各 條數(shù)據(jù)線104中包含未圖示的寄生電容。如上所述，由于各條數(shù)據(jù)線104中的第2部分Z2的長度在各條數(shù)據(jù)線104中不同，所以在對比例的結(jié) 構(gòu)中，各條數(shù)據(jù)線104中的寄生電容值產(chǎn)生差異，因此，存在著電光學(xué) 元件12的發(fā)光量對應(yīng)每條數(shù)據(jù)線104而不同的問題。對此，在本實施 方式中，各條數(shù)據(jù)線104中長度不同的第2部分Z2在驅(qū)動期間Pd被 從各條數(shù)據(jù)線104斷開。由于第1部分Zl的長度在各條數(shù)據(jù)線104中 相等，所以，例如當(dāng)屬于在驅(qū)動期間Pd中被選擇的行的各個單位電路 U的灰度數(shù)據(jù)相等時，被供給到屬于該行的各個單位電路U的電光學(xué)元 件12的電荷被均勻化。即，具有可抑制電光學(xué)元件12的發(fā)光量按每條 數(shù)據(jù)線104而不同的情況的優(yōu)點。
<E:第5實施方式>
圖IO是表示本發(fā)明的第5實施方式的電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)的電路 圖。在本實施方式中，與上述各個實施方式的不同點是在各個單位電路 U中未設(shè)置電容元件C。
如圖10所示，各單位電路U具有電光學(xué)元件12和晶體管Tr。晶 體管Tr被配置在數(shù)據(jù)線104與電光學(xué)元件12之間，通過在掃描線102 的選擇時通過導(dǎo)通而將兩者導(dǎo)通。另外，如圖10所示，n條數(shù)據(jù)線分 別具有與m個單位電路U連接的第1部分Zl、與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30 連接的第2部分Z2、和設(shè)置在第1部分Z1與第2部分Z2之間的開關(guān) Sw。各開關(guān)Sw通過在每個寫入期間Pw導(dǎo)通而將第1部分Zl與第2 部分Z2導(dǎo)通，通過在每個驅(qū)動期間Pd成為非導(dǎo)通而使第1部分Zl與 第2部分非導(dǎo)通。各開關(guān)Sw與上述的第4實施方式同樣，由未圖示的 控制電路控制成一齊導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)。
本實施方式的電光學(xué)裝置10的動作與上述的第4實施方式相同。 如圖8所示，在各個單位期間1T內(nèi)的寫入期間Pw中，各開關(guān)Sw—齊 成為導(dǎo)通狀態(tài)，使各條數(shù)據(jù)線104與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30導(dǎo)通，從數(shù)據(jù) 線驅(qū)動電路30輸出的數(shù)據(jù)電位VDl
VD[n被供給到各條數(shù)據(jù)線104。 例如，在l個垂直掃描期間(IV)內(nèi)的第i個單位期間1T內(nèi)的寫入期 間Pw中，與在該第i個單位期間1T內(nèi)的驅(qū)動期間Pd中被選擇的第i 行的n個單位電路U的各個灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位VD[l
VD[n， 被提供給各條數(shù)據(jù)線104，與數(shù)據(jù)電位VD[ll VD[nl對應(yīng)的電荷被充電 到付隨于各條數(shù)據(jù)線104的電容(寄生電容)中。這里，由于各條數(shù)據(jù)線104中的第1部分Z1的長度遠(yuǎn)大于第2部 分Z2的長度，所以，第1部分Z1與其他要素(掃描線102、電源線、 相鄰的數(shù)據(jù)線104等)之間產(chǎn)生的寄生電容的值，遠(yuǎn)大于第2部分Z2 與其他要素之間所產(chǎn)生的寄生電容的值。因此，在各單位期間1T內(nèi)的
寫入期間Pw中，與從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30輸出的數(shù)據(jù)電位VD[l
VD[n
對應(yīng)的電荷的大部分，被充電到付隨于各條數(shù)據(jù)線104中的第1部分 Zl的電容中。
如圖8所示，在驅(qū)動期間Pd中，各開關(guān)Sw—齊成為導(dǎo)通狀態(tài)，使 各條數(shù)據(jù)線104中的第1部分Z1與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30電分離，并且， 從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路30向各條數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)電位VD[l
VD[n的供 給也停止。另外，由掃描線驅(qū)動電路20選擇1條掃描線102。對與所選 擇的掃描線102對應(yīng)的單位電路U的各個中的電光學(xué)元件12,從付隨 于與該單位電路U對應(yīng)的數(shù)據(jù)線104中的第1部分Z1的電容，供給在 寫入期間Pw中被充電的電荷。
根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，由于可以將被充電到付隨于1條數(shù)據(jù)線104 的電容中的電荷用于1個電光學(xué)元件12的發(fā)光，所以，與上述各實施 方式不同，在各單位電路U內(nèi)不需設(shè)置電容元件。由此，與在各單位電 路U中設(shè)置電容元件的結(jié)構(gòu)相比，具有可實現(xiàn)高精細(xì)化的優(yōu)點。
另外，在本實施方式中，與上述的第4實施方式同樣，也可將各條 數(shù)據(jù)線104中的第1部分Z1設(shè)為相等長度。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，由于可使付 隨于各條數(shù)據(jù)線104中的第1部分Z1的電容的值均等化，所以當(dāng)屬于 在驅(qū)動期間Pd中被選擇的行的各個單位電路U的灰度數(shù)據(jù)相等時，可 將向?qū)儆谠撔械母鱾€單位電路U的電光學(xué)元件12供給的電荷均等化。 即，具有可抑制電光學(xué)元件12的發(fā)光量按每條數(shù)據(jù)線104而不同的優(yōu)
<F:電光學(xué)裝置中的單位電路11的具體結(jié)構(gòu)>
下面，參照附圖，對以上說明的電光學(xué)裝置10中的單位電路U的 具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。另外，在以下說明的各個附圖中，為了便于說明， 相比實際的裝置，對各個要素的尺寸和比例進(jìn)行了適宜改變。
18<F-1:第1實施方式的各單位電路U的構(gòu)造>
圖11至圖14是表示形成第1實施方式的電光學(xué)裝置10中的單位 電路U時的各個階段的狀態(tài)的俯視圖。在圖11至圖14的俯視圖中，處 于各個階段的6個單位電路U被沿著X方向和Y方向配置。圖15是從 圖11到圖14中的A-A線觀察的剖面圖。其中，雖然圖11至圖14是俯 視圖，但為了容易了解各個要素，對于與圖15相同的要素，適宜地畫 出了與圖15同樣的陰影線。
如圖11和圖15所示，在基板40的面上，由硅等半導(dǎo)體材料形成半 導(dǎo)體層41。如圖11所示，半導(dǎo)體層41具有沿Y方向延伸的第1部分 41a及第2部分41b、和沿X方向延伸而將兩者連接的連接部41c。第1 部分41a作為漏極區(qū)域發(fā)揮功能，并且還作為各個單位電路U中的電容 元件C的第2電極E2發(fā)揮功能。第2部分41b作為源極區(qū)域發(fā)揮功能。 連接部41c作為溝道區(qū)域發(fā)揮功能。如圖15所示，形成了半導(dǎo)體層41 的基板40的表面，被第l絕緣層Fal覆蓋其全體區(qū)域。
如圖12和圖15所示，在第1絕緣層Fal的面上，形成晶體管Tr 的柵電極43 (掃描線102)和電容線106。柵電極43和電容線106,通 過對在第1絕緣層Fal整個區(qū)域上連續(xù)形成的導(dǎo)電膜(例如鋁薄膜)進(jìn) 行構(gòu)圖，由同一工序一次形成。如圖12所示，柵電極43在X方向上延 伸，隔著第l絕緣層Fal (在圖12中未圖示)與半導(dǎo)體層41中的連接 部41c (柵極區(qū)域)重合。
電容線106作為各單位電路U中的電容元件C的第1電極E1發(fā)揮 功能。如圖12所示，電容線106在X方向上延伸，隔著第l絕緣層Fal (在圖12中未圖示)與半導(dǎo)體層41中的第l部分41a重合。如圖15 所示，電容線106(第1電極E1)與半導(dǎo)體層41中的第l部分41a(第 2電極E2)夾著第l絕緣層Fal對置，由此形成電容C1。
另外，如柵電極43與電容線106的關(guān)系那樣，以下，將通過公共 膜體(無論是單層還是多層)的選擇性除去，在同一工序中形成多個要 素的情況，簡單地表述為"基于同層形成"?；谕瑢有纬傻母鱾€要素 當(dāng)然由同一材料構(gòu)成，并且各個的膜厚近似一致。根據(jù)基于同層來形成 多個要素的結(jié)構(gòu)，相比分別基于不同層形成的結(jié)構(gòu)，具有可簡化制造工序、降低制造成本的優(yōu)點。
如圖15所示，形成了柵電極43和電容線106的第l絕緣層Fal的 表面，其全體區(qū)域由第2絕緣層Fa2覆蓋。如圖13和圖15所示，在第 2絕緣層Fa2的面上形成有數(shù)據(jù)線104。數(shù)據(jù)線104通過對在第2絕緣 層Fa2的整個區(qū)域連續(xù)形成的導(dǎo)電膜(例如鋁薄膜)進(jìn)行構(gòu)圖而形成。 如圖13所示，數(shù)據(jù)線104在Y方向上延伸，隔著第2絕緣層Fa2(在 圖13中未圖示)與電容線106重合。
如圖15所示，通過數(shù)據(jù)線104與電容線106夾著第2絕緣層Fa2 對置而形成電容C2。如圖15所示，由通過半導(dǎo)體層41中的第l部分 41a (第2電極E2 )與電容線106 (第1電極El)夾著第1絕緣層Fal 對置而形成的電容Cl、和通過電容線106與數(shù)據(jù)線104夾著第2絕緣 層Fa2對置而形成的電容C2,形成了各個單位電路U中的電容元件C。 根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，由于在各單位電路U內(nèi)由在疊層方向形成的多 個電容形成電容元件C ，所以可充分確保各個單位電路U中的電容元件 C的電容值。該結(jié)構(gòu)在像素的高精細(xì)化發(fā)展、各個單位電路U內(nèi)的平面 部分的面積減小的情況下尤其有效。
數(shù)據(jù)線104還作為各個單位電路U中的晶體管Tr的漏電極發(fā)揮功 能。如圖13和圖15所示，數(shù)據(jù)線104通過接觸孔CH與半導(dǎo)體層41 中的第l部分41a (漏極區(qū)域)導(dǎo)通。
另外，如圖13所示，晶體管Tr的源電極45與數(shù)據(jù)線104基于同 層形成，并通過接觸孔CH2與半導(dǎo)體層41中的第2部分41b (源極區(qū) 域)導(dǎo)通。
如圖15所示，形成了數(shù)據(jù)線104的第2絕緣層Fa2的表面，其整 個區(qū)域由笫3絕緣層Fa3覆蓋。如圖14和圖15所示，在第3絕緣層 Fa3的面上形成有電光學(xué)元件12的陽極13。如圖14所示，晶體管Tr 的源電極45和陽極13通過接觸孔CH3而導(dǎo)通。作為陽極13的材料， 可采用鋁或銀等金屬以及以這些金屬為主成分的合金等各種光反射性 導(dǎo)電材料。
如圖14和圖15所示，在形成了陽極13的第3絕緣層Fa3的面上，形成有用于分隔各個單位電路U的隔壁14。各個電光學(xué)元件12的發(fā)光 層15，至少形成在被隔壁14的內(nèi)周面包圍、將陽極13作為底面的凹部 中。發(fā)光元件15也可以形成在隔壁14上。另外，也可以采用把用于促 進(jìn)發(fā)光層15的發(fā)光或提高其發(fā)光效率的各種功能層(空穴注入層、空 穴輸送層、電子注入層、電子輸送層、空穴阻擋層、電子阻擋層)疊層 在發(fā)光層15上的結(jié)構(gòu)。
如圖15所示，以覆蓋各單位電路U中的發(fā)光層15及隔壁14的方 式形成陰極16。陰極16遍及各單位電路U中的電光學(xué)元件12地連續(xù) 形成。P月極16由ITO (Indium Tin Oxide)或IZO (Indium Zinc Oxide ) 等透光性導(dǎo)電材料形成。另外，陰極16也可以包含Mg和Ag的合金那 樣功函數(shù)小的材料，且形成為可透光程度的厚度。在本實施方式中，從 發(fā)光層15向電光學(xué)元件12的陰極16側(cè)發(fā)出的光、和從發(fā)光層15向陰 極16的反對側(cè)射出并被陽極13反射而朝向陰極16的光，通過陰極16 向外部射出(頂發(fā)光)。
第1實施方式的電光學(xué)裝置10也可以采用底發(fā)光型的構(gòu)造。圖16 至圖19是表示在以底發(fā)光型構(gòu)成了電光學(xué)裝置IO的情況下，形成各個 單位電路U時的各階段的樣子的俯視圖。圖20是從圖16至圖19中的 B-B線觀察的剖面圖。
如圖16和圖20所示，在基板50的面上，由硅等半導(dǎo)體材料形成 有半導(dǎo)體層51。如圖16所示，半導(dǎo)體層51具有沿Y方向延伸的第1 部分51a和沿X方向延伸的第2部分51b。第1部分51a作為晶體管 Tr的漏極區(qū)域發(fā)揮功能，并且還作為電容元件C的第2電極E2發(fā)揮功 能。第2部分51b作為溝道區(qū)域及源極區(qū)域發(fā)揮功能。如圖20所示， 形成了半導(dǎo)體層51的基板50的表面，被第1絕緣層Fbl覆蓋其整體區(qū) 域。
如圖17和圖20所示，在第1絕緣層Fbl的面上，形成有晶體管 Tr的柵電極53 (掃描線102 )和電容線106。柵電極53和電容線106 基于同層構(gòu)成。如圖17所示，柵電極53具有沿X方向延伸的第l部分 53a、和沿Y方向延伸的第2部分53b。第1部分53a作為掃描線102 發(fā)揮功能。第2部分53b隔著第1絕緣層Fbl (在圖17中未圖示)，與 半導(dǎo)體層51中的第2部分51b (溝道區(qū)域)重合。如圖17所示，電容線106具有沿X方向延伸的第l部分106a、和 沿Y方向延伸的第2部分106b。如圖17所示，電容線106中的第2部 分106b，隔著第1絕緣層Fbl (在圖17中未圖示)與半導(dǎo)體層51中的 第l部分51a重合。如圖20所示，電容線106中的第2部分106b (第 1電極E1)與半導(dǎo)體層51中的第l部分51a (第2電極E2)夾著第1 絕緣層Fbl對置，由此形成電容Cll。
如圖20所示，形成了柵電極53和電容線106的第1絕緣層Fbl的 表面，其整體區(qū)域由第2絕緣層Fb2覆蓋。如圖18和圖20所示，在第 2絕緣層Fb2的面上，形成有數(shù)據(jù)線104。如圖18所示，數(shù)據(jù)線104沿 Y方向延伸，隔著第2絕緣層Fb2 (在圖18中未圖示)與電容線106 中的第2部分106b重合。如圖20所示，通過數(shù)據(jù)線104與電容線106 中的第2部分106b夾著第2絕緣層Fb2對置而形成電容C22。如圖20 所示，由通過半導(dǎo)體層51中的第l部分51a (第1電極E1)與電容線 106中的第2部分106b (第2電極E2 )夾著第1絕緣層Fbl對置而形 成的電容Cll、和通過電容線106中的第2部分106b與數(shù)據(jù)線104夾 著第2絕緣層Fb2對置而形成的電容C22,形成各個單位電路U中的 電容元件C。
如圖18和圖20所示，數(shù)據(jù)線104通過接觸孔CH與半導(dǎo)體層51 中的第l部分51a (漏極區(qū)域)導(dǎo)通。另外，如圖18所示，晶體管Tr 的源極55與數(shù)據(jù)線104基于同層形成，并通過接觸孔CH2與半導(dǎo)體層 51中的第2部分51b (源極區(qū)域)導(dǎo)通。
如圖20所示，形成了數(shù)據(jù)線104的第2絕緣層Fb2的表面，其整 個區(qū)域由第3絕緣層Fb3覆蓋。如圖19和圖20所示，在第3絕緣層 Fb3的面上，形成有電光學(xué)元件12的陽極13。如圖19所示，晶體管 Tr的源電極55與陽極13通過接觸孔CH3導(dǎo)通。陽極13由透光性導(dǎo)電 材料構(gòu)成。
如圖19和圖20所示，在形成了陽極13的第3絕緣層Fb3的面上， 形成有隔壁14。各電光學(xué)元件12的發(fā)光層15至少形成在由隔壁14的 內(nèi)周面包圍、將陽極13作為底面的凹部中。
如圖20所示，以覆蓋各單位電路U中的發(fā)光層15及隔壁14的方式形成陰極16。陰極16由光反射性的導(dǎo)電材料構(gòu)成。這里，陰極16 也可以構(gòu)成為包含鋁或銀等具有光反射性的材料、和錳或鈣等功函數(shù)小 的材料。在本實施方式中，從發(fā)光層15向電光學(xué)元件12的陽極13側(cè) 發(fā)出的光、和從發(fā)光層15向陰極16側(cè)射出并被陰極16反射而朝向陽 極13的光，通過陽極13向外部射出(底發(fā)光)。
<F-2:第2實施方式的各個單位電路U的結(jié)構(gòu)>
圖21至圖24是表示形成第2實施方式的電光學(xué)裝置10中的單位 電路U時的各個階段的狀態(tài)的俯視圖。在圖21至圖24的俯視圖中，處 于各階段的4個單位電路U被沿著X方向和Y方向配置。圖25是從圖 21到圖24中的C-C線觀察的剖面圖。另外，圖21至圖24是俯視圖， 但為了容易了解各個要素，對于與圖25相同的要素，適宜地畫出了與 圖25同樣的陰影線。
如圖21和圖25所示，在基板60的面上，形成由硅等半導(dǎo)體材料 形成的半導(dǎo)體層61和71。半導(dǎo)體層61沿X方向延伸，作為晶體管Tr 的溝道區(qū)域發(fā)揮功能。半導(dǎo)體層71作為電容元件C的第1電極E1發(fā) 揮功能。如圖25所示，形成了半導(dǎo)體層61和半導(dǎo)體層71的基板60的 表面，被第1絕緣層Fcl覆蓋其全體區(qū)域。
如圖22和圖25所示，在第1絕緣層Fcl的面上，形成有晶體管Tr 的柵電極63 (掃描線102 )和由導(dǎo)電材料構(gòu)成的布線80。柵電極63和 布線80基于同層構(gòu)成。如圖22所示，柵電極63具有沿X方向延伸的 第l部分63a、和沿Y方向延伸的第2部分63b。柵電極63中的第l部 分63a作為掃描線102發(fā)揮功能。如圖22所示，柵電極63中的第2部 分63b隔著第1絕緣層Fcl (在圖22中未圖示)，與半導(dǎo)體層61 (溝道 區(qū)域)重合。
如圖22所示，布線80具有矩形的第l部分80a、和從第1部分 80a的緣部分別向Y方向的正方向及負(fù)方向延伸的第2部分80b。布線 80中的第l部分80a還作為電容元件C的第2電極E2發(fā)揮功能。如圖 22所示，布線80中的第l部分80a與半導(dǎo)體層71 (第1電極El)重 合。如圖25所示，半導(dǎo)體層71 (第1電極E1)與布線80中的第l部 分80a (第2電極E2 )夾著第1絕緣層Fcl對置，由此形成電容Clll。
23如圖23和圖25所示，形成了柵極63和布線80的第1絕緣層Fcl 的表面，其全體區(qū)域由第2絕緣層Fc2覆蓋。如圖23和圖25所示，在 第2絕緣層Fc2的面上，形成有漏電極65、源電極67和固定電位線108。 漏電極65、源電極67和固定電位線108基于同層形成。
如圖23所示，漏電極65具有沿Y方向延伸的第l部分65a、和沿 X方向延伸的第2部分65b。如圖23所示，漏電極65中的第1部分65a 通過接觸孔CH與布線80中的第2部分80b連接(導(dǎo)通)，由此形成數(shù) 據(jù)線104。另外，如圖23所示，漏電極65中的第2部分65b通過接觸 孔CH2與半導(dǎo)體層61 (漏極區(qū)域)導(dǎo)通。
如圖23所示，源電極67沿X方向延伸，通過接觸孔CH3與半導(dǎo) 體層61 (源極區(qū)域)導(dǎo)通。
如圖23和圖25所示，由低電阻金屬形成的固定電位線108沿X方 向延伸，并與布線80中的第l部分80a重合。如圖25所示，通過固定 電位線108和布線80中的第1部分80a夾著第2絕緣層Fc2對置而形 成電容C222。如圖25所示，由通過半導(dǎo)體層71 (第1電極El)與布 線80中的第1部分80a (第2電極E2 )夾著第1絕緣層Fcl對置而形 成的電容Clll、和通過固定電位線108與布線80中的第l部分80a夾 著第2絕緣層Fc2對置而形成的電容C222,形成各個單位電路U中的 電容元件C。另外，如圖23所示，固定電位線108通過接觸孔CH4與 半導(dǎo)體層71 (第1電極El)連接。
如圖24和圖25所示，形成了漏電極65、源電極67和固定電位線 108的第2絕緣層Fc2的表面，其整個區(qū)域由第3絕緣層Fc3覆蓋。如 圖24和圖25所示，在第3絕緣層Fc3的面上，形成有電光學(xué)元件12 的陽極13和中間導(dǎo)電層90。陽極13和中間導(dǎo)電層卯基于同層形成。 如圖24所示，晶體管Tr的源電極67與陽極13通過接觸孔CH5導(dǎo)通。 在本實施方式中，陽極13由光反射性導(dǎo)電材料構(gòu)成。另外，如圖24和 圖25所示，固定電位線108與中間導(dǎo)電層90通過接觸孔CH6導(dǎo)通。
如圖24和圖25所示，在形成了陽極13和中間導(dǎo)電層卯的第3絕 緣層Fc3的面上，形成有隔壁14。各個電光學(xué)元件12的發(fā)光層15形 成在由隔壁14的內(nèi)周面包圍、將陽極13作為底面的凹部中。如圖25所示，以覆蓋各個單位電路U中的陽極13(在圖25中未圖 示)、隔壁14和中間導(dǎo)電層卯的方式形成陰極16。陰極16遍及各個單 位電路U中的電光學(xué)元件12地連續(xù)形成。如圖24和圖25所示，陰極 16通過接觸孔CH7與中間導(dǎo)電層卯導(dǎo)通。
因此，固定電位線108不僅作為電容元件C的一方電極發(fā)揮功能， 而且還作為用于減少陰極16的電阻的輔助電極發(fā)揮功能。
在本方式中，陰極16由ITO (Indium Tin Oxide)或IZO (Indium Zinc Oxide)等透光性導(dǎo)電材料形成。即，在本方式中，從發(fā)光層15 向電光學(xué)元件12中的陰極16側(cè)放射的光、和從發(fā)光層15向陰極16的 相反側(cè)放射并被陽極13反射而朝向陰極16的光，通過陰極16向外部 射出(頂發(fā)光)。另外，不限于此，也可以采用底發(fā)光型的構(gòu)造。
在本實施方式中，雖然陰極16由ITO等高電阻材料形成，但通過 使由比陰極16的電阻低的金屬材料形成的固定電位線108與陰極16通 過接觸孔CH6和CH7導(dǎo)通，可降低陰極16的電阻。由此，可抑制陰 極16上的電壓下降。即，固定電位線108不僅作為電容線106發(fā)揮功 能，而且還作為輔助布線發(fā)揮功能。
<G:變形例>
本發(fā)明不限于上述的各實施方式，例如可進(jìn)行以下的變形。而且， 也可以將以下所示的變形例中的2個以上變形例組合。
(1)變形例1
在上述的各實施方式中，如圖3所示那樣，舉例說明了驅(qū)動期間 Pd的結(jié)束時刻和單位期間1T的結(jié)束時刻是同時的情況，但不限于此， 例如也可以是在單位期間1T的結(jié)束時刻之前結(jié)束驅(qū)動期間Pd的方式。 另外，在圖3中，舉例說明了各單位期間1T的開始時刻與各單位期間 T中的寫入期間Pw的開始時刻是同時的情況，但不限于此，例如也可 以是在從單位期間1T的開始時刻經(jīng)過了規(guī)定的時間后，開始寫入期間 Pw的方式。此外，在圖3中，舉例說明了各單位期間1T內(nèi)的寫入期間 Pw的結(jié)束時刻與驅(qū)動期間Pd的開始時刻是同時的情況，但不限于此， 例如也可以是在寫入期間Pw的結(jié)束之前開始驅(qū)動期間Pd的方式。(2) 變形例2
在上述的第3實施方式中，說明了與各單位電路U中的電容元件C 獨立地設(shè)置了 一方電極與數(shù)據(jù)線104連接的輔助用電容元件Cs的方式， 但也可以釆用例如輔助用電容元件Cs包括各容量不同的多個電容元 件，在多個電容元件中的一方電極與數(shù)據(jù)線104之間，設(shè)置使多個電容 元件中的任意電容元件與數(shù)據(jù)線104導(dǎo)通的開關(guān)元件的方式。
圖26是表示變形例2的電光學(xué)裝置10的結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖26 所示，輔助用電容元件Cs由各自的容量不同的第1電容元件Csl和第 2電容元件Cs2構(gòu)成(例如Csl的容量〉Cs2的容量)。如圖26所示， 第1電容元件Csl中的一方電極E30和第2電容元件Cs2中的一方電 極E300與數(shù)據(jù)線104之間，設(shè)置有使第1電容元件Csl及第2電容元 件Cs2中任意一個電容元件與數(shù)據(jù)線104導(dǎo)通的開關(guān)元件，即開關(guān)Sw2。 另外，如圖26所示，第1電容元件Csl中的另一方電極E40及第2電 容元件Cs2中的另一方電極E400，與供給固定電位的固定電位線共通 連接。固定電位線例如可以采用圖2所示的電容線106，也可以采用圖 5所示的固定電位線108。
開關(guān)Sw2由未圖示的控制電路控制。在各單位期間1T內(nèi)的寫入期 間Pw中，由開關(guān)Sw2選擇第1電容元件Csl及第2電容元件Cs2中 的任意一個，使其與數(shù)據(jù)線104導(dǎo)通，并且對該被選擇的電容元件進(jìn)行 充電。然后，在各單位期間1T內(nèi)的驅(qū)動期間Pd中，來自該電容元件 的電荷被供給到對應(yīng)的單位電路U。圖26所示的結(jié)構(gòu)中，在寫入期間 Pw通過將多個電容元件的任意一個選擇性地與數(shù)據(jù)線104導(dǎo)通，可調(diào) 節(jié)電光學(xué)元件12的發(fā)光時間。因此，能夠以多個等級調(diào)節(jié)電光學(xué)元件 12的發(fā)光量。
在圖26所示的結(jié)構(gòu)中，說明了輔助用電容元件Cs由第1電容元件 Csl和第2電容元件Cs2構(gòu)成方式，但不限于此，輔助用電容元件Cs 只要包括各自的容量不同的多個電容元件即可。例如，也可以采用輔助 用電容元件Cs由各自的容量不同的3個電容元件構(gòu)成的方式。各自的 容量不同的電容元件的數(shù)量越多，越具有可微細(xì)調(diào)整電容值的優(yōu)點。
(3) 變形例3在上述的各實施方式中，各單位電路U中的晶體管Tr是N溝道型 晶體管，但不限于此，也可以采用P溝道型構(gòu)成。總之，晶體管Tr只 要是在掃描線102被選擇時導(dǎo)通，使電容元件C的第2電極E2與電光 學(xué)元件12導(dǎo)通的開關(guān)元件即可。
(4) 變形例4
上述的第4實施方式中，在各條數(shù)據(jù)線104中分別在第1部分Zl 和第2部分Z2之間設(shè)置了用于切換兩者的導(dǎo)通和非導(dǎo)通的開關(guān)Sw。例 如，該開關(guān)Sw可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可以采用N溝道型晶體管，還 可以采用P溝道型晶體管。
(5) 變形例5
在上述的各個實施方式中，作為電光學(xué)元件12的一例，舉例說明 了 OLED元件，但也可以是無機(jī)發(fā)光二極管或LED (Light Emitting Diode)。總之，只要能夠以與電能對應(yīng)的發(fā)光亮度發(fā)光，則可以是任意 的元件。
(6) 變形例6
在上述的第5實施方式中，舉例說明了與數(shù)據(jù)電位VD對應(yīng)的電荷 向付隨于數(shù)據(jù)線104的電容(寄生電容)充電的方式，但也可以如圖27 所示那樣，采用在各條數(shù)據(jù)線104(第1部分Z1)上設(shè)置用于充電與數(shù) 據(jù)電位VD對應(yīng)的電荷的電容元件Cx。這樣的方式也和上述的第5實 施方式同樣，由于在各個單位電路U內(nèi)不需要設(shè)置電容元件，所以具有 可實現(xiàn)高精細(xì)化的優(yōu)點。另外，設(shè)在各條數(shù)據(jù)線104上的電容元件Cx 的數(shù)量可以是l個，也可以是2個以上。此外，對于各條數(shù)據(jù)線104中 的電容元件Cx的位置，可任意設(shè)定。
<H:應(yīng)用例>
下面，對利用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置10的電子設(shè)備進(jìn)行說明。圖 28是表示將以上說明的任意一種方式的電光學(xué)裝置IO作為顯示裝置而 采用的便攜式個人計算機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。個人計算機(jī)2000具有作為 顯示裝置的發(fā)光裝置10和主體部2010。主體部2010上設(shè)有電源開關(guān)2001和鍵盤2002。該電光學(xué)裝置10由于使用了 OLED元件作為電光 學(xué)元件12,所以可顯示視角寬、且明亮清晰的畫面。
圖29表示應(yīng)用了實施方式的電光學(xué)裝置10的移動電話機(jī)的結(jié)構(gòu)。 移動電話機(jī)3000具有多個操作鍵3001和滾動按鈕3002、以及作為顯示 裝置的電光學(xué)裝置10。通過操作滾動按鈕3002,來滾動顯示電光學(xué)裝 置IO所顯示的畫面。
圖30表示應(yīng)用了實施方式的電光學(xué)裝置10的便攜信息終端(PDA: Personal Digital Assistants )的結(jié)構(gòu)。信息便攜終端4000具有多個操作 鍵4001和電源開關(guān)4002、以及作為顯示裝置的電光學(xué)裝置10。在打開 電源開關(guān)4002后，地址表或日程表等各種信息被顯示于電光學(xué)裝置10。
另外，作為可應(yīng)用本發(fā)明的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備，除了從圖28 到圖30所示的設(shè)備以外，還可舉出數(shù)字固態(tài)照相機(jī)、電視機(jī)、錄像機(jī)、 汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、電子書、計算器、文字處理機(jī)、 工作站、可視電話、POS終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、視頻播放器、 以及具備了觸摸屏的設(shè)備等。此外，本發(fā)明的電光學(xué)裝置的用途不限于 圖像的顯示。例如，在光寫入型的打印機(jī)和電子復(fù)印機(jī)等圖像形成裝置 中，雖然可使用對應(yīng)將要形成在紙等記錄材料上的圖像而對感光體進(jìn)行 曝光的寫入頭，但作為這種寫入頭，也可以利用本發(fā)明的電光學(xué)裝置。 本發(fā)明中所說的電子電路的概念不僅包括在各實施方式中說明的構(gòu)成 顯示裝置的像素的像素電路，還包括圖像形成裝置中的成為膝光得單位 的電路。
權(quán)利要求
1. 一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具備多個單位電路，其對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置；掃描線驅(qū)動電路，其在各單位期間內(nèi)的每個驅(qū)動期間中，依次選擇1條所述掃描線；和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其在所述各單位期間內(nèi)的期間的所述驅(qū)動期間開始之前的每個寫入期間，向所述各數(shù)據(jù)線輸出與所述單位電路的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位，所述單位電路是與在該單位期間內(nèi)的所述驅(qū)動期間被選擇的所述掃描線對應(yīng)的單位電路；所述多個單位電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與所述數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度；電容元件，其具有與電容線連接的第1電極、和與所述數(shù)據(jù)線連接的第2電極；和開關(guān)元件，其被配置在所述第2電極與所述電光學(xué)元件之間，在所述掃描線驅(qū)動電路進(jìn)行所述掃描線的選擇時，通過導(dǎo)通將所述第2電極與所述電光學(xué)元件導(dǎo)通。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，在所述寫入期間，與從所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路輸出的所述數(shù)據(jù)電位對 應(yīng)的電荷被充電到所述各單位電路中的所述電容元件中，在所述驅(qū)動期間，從與該單位電路對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線所連接的多個 所述電容元件，向與所述掃描線驅(qū)動電路所選擇的所述掃描線對應(yīng)的各 個所述單位電路中的所述電光學(xué)元件，供給在所述寫入期間被充電的電荷o
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述多個單位電路各自中的所述電光學(xué)元件具有與所述開關(guān)元件連接的第3電極、與被供給固定電位的固定電位線連接的第4電極、和 設(shè)在所述第3電極與所述第4電極之間的電光學(xué)層，所述電容線是所述固定電位線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，設(shè)有分別將各條所述數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路連接的開關(guān)元件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，與所述各單位電路中的所述電容元件獨立地另外設(shè)有一方電極與 所述數(shù)據(jù)線連接的輔助用電容元件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述輔助用電容元件包括各自的容量不同的多個電容元件，在所述多個電容元件的一方電極與所述數(shù)據(jù)線之間，設(shè)有使所述多 個電容元件中的任意所述電容元件與所述數(shù)據(jù)線導(dǎo)通的第2開關(guān)元件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述各條數(shù)據(jù)線由第l部分和第2部分構(gòu)成，該第l部分與對應(yīng)的 多個所述單位電路連接，且在所述各條數(shù)據(jù)線中長度相等，該第2部分 與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路連接，且在所述各條數(shù)據(jù)線中長度不同，而且在 所述第1部分與所述第2部分之間設(shè)有用于切換兩者的導(dǎo)通和非導(dǎo)通的 第3開關(guān)元件，所述第3開關(guān)元件在所述各單位期間內(nèi)的每個所述寫入期間成為導(dǎo) 通狀態(tài)，而在所述各單位期間內(nèi)的每個所述驅(qū)動期間成為截止?fàn)顟B(tài)。
8. —種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有 多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線；對應(yīng)所述多條掃描線與所述多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位 電路；和沿著所述多條數(shù)據(jù)線的各個而設(shè)置的多個電容元件，所述多個單位電路分別具有電光學(xué)元件和開關(guān)元件，該開關(guān)元件在被供給到所述多條掃描線中的l條掃描線的掃描信號 的控制下，控制所述多個電容元件與所述電光學(xué)元件之間的導(dǎo)通。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述多個單位電路具有由與所述多條數(shù)據(jù)線中的1條數(shù)據(jù)線連接的 2個以上單位電路構(gòu)成的單位電路組，所述多個電容元件分別對應(yīng)屬于所述單位電路組的各個單位電路 而分割設(shè)置。
10. —種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有多個單位電路，其對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置；掃描線驅(qū)動電路，其在各單位期間內(nèi)的每個驅(qū)動期間，依次選擇l 條所述掃描線；數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，其在所述各單位期間內(nèi)的期間的所述驅(qū)動期間開 始之前的每個寫入期間，向所述各數(shù)據(jù)線輸出與所述單位電路的灰度數(shù) 據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位，所述單位電路是與在該單位期間內(nèi)的所述驅(qū)動期間 被選擇的所述掃描線對應(yīng)的單位電路；和笫l開關(guān)元件，其對應(yīng)所述多條數(shù)據(jù)線的各條而配置，在每個所述 寫入期間通過導(dǎo)通使該數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路導(dǎo)通，而在每個所導(dǎo)通，所述多個單位電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與所述數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度；和第2開關(guān)元件，其被配置在所述數(shù)據(jù)線與所述電光學(xué)元件之間，在 所述掃描線驅(qū)動電路進(jìn)行所述掃描線的選擇時，通過導(dǎo)通使兩者導(dǎo)通，在所述寫入期間，與從所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路輸出的所述數(shù)據(jù)電位對 應(yīng)的電荷被充電到付隨于所述各條數(shù)據(jù)線的電容中，在所述驅(qū)動期間，所述各條數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路電分離， 從付隨于與該單位電路對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線的電容，向與所述掃描線驅(qū)動件，供給在所述寫入期間被充電的電荷。
11. 一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1至10中任意一項所述的電光學(xué) 裝置。
12. —種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，該電光學(xué)裝置具有對應(yīng)多條掃描 線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位電路，所述多個單位電路分別具有電光學(xué)元件，其成為與所述數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度；電容元件，其具有與電容線連接的第1電極、和與所述數(shù)據(jù)線連接的第2電極；和開關(guān)元件，其被配置在所述第2電極與所述電光學(xué)元件之間，在所 述掃描線被選擇時通過導(dǎo)通使所述第2電極與所述電光學(xué)元件導(dǎo)通；所述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法的特征在于，在各單位期間內(nèi)的每個驅(qū)動期間依次選擇l條所述掃描線，在所述各單位期間內(nèi)的期間的所述驅(qū)動期間開始之前的每個寫入 期間，向所述各條數(shù)據(jù)線輸出與所述單位電路的灰度數(shù)據(jù)對應(yīng)的數(shù)據(jù)電 位，所述單位電路是與在該單位期間內(nèi)的所述驅(qū)動期間被選擇的所述掃 描線對應(yīng)的單位電路。
13. —種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，該電光學(xué)裝置具有對應(yīng)多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交叉而配置的多個單位電路，所述多個單位電路分別具有成為與所述數(shù)據(jù)電位對應(yīng)的灰度的電 光學(xué)元件，所述電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法的特征在于，在各單位期間內(nèi)的期間的驅(qū)動期間開始之前的每個寫入期間，將與電路的灰度數(shù)據(jù)所對應(yīng)的數(shù)據(jù)電位輸出到所述各條數(shù)據(jù)線，將與所述數(shù) 據(jù)電位對應(yīng)的電荷充電到付隨于所述各條數(shù)據(jù)線的電容中，在所述各單位期間內(nèi)的每個所述驅(qū)動期間中，依次選擇1個所述掃 描線，從付隨于與屬于所選擇的所述掃描線的所述單位電路對應(yīng)的所述 數(shù)據(jù)線的電容，將在該單位期間內(nèi)的所述寫入期間被充電的電荷，向該 單位電路中的所述電光學(xué)元件供給。
全文摘要
本發(fā)明涉及在減少各單位電路中的電容元件的容量的同時可獲得充分的發(fā)光量的電光學(xué)裝置、其驅(qū)動方法及電子設(shè)備。電光學(xué)裝置(10)具有多個單位電路(U)；在各單位期間(1T)內(nèi)的每個驅(qū)動期間(Pd)依次選擇1條掃描線(104)的掃描線驅(qū)動電路(20)；和在各單位期間內(nèi)的每個寫入期間(Pw)向各條數(shù)據(jù)線(104)輸出與在驅(qū)動期間(Pd)被選擇的掃描線(102)對應(yīng)的單位電路的數(shù)據(jù)電位(VD)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(30)；單位電路分別具有電光學(xué)元件(12)；具有與電容線(106)連接的第一電極(E1)和與數(shù)據(jù)線連接的第二電極(E2)的電容元件；和在掃描線被選擇時通過導(dǎo)通將第2電極與電光學(xué)元件導(dǎo)通的晶體管。
文檔編號G09G3/30GK101504820SQ20091000652
公開日2009年8月12日 申請日期2009年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月6日
發(fā)明者河西利幸 申請人:精工愛普生株式會社