專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法，具體地講，涉及一種能 夠顯示具有基本均勻的亮度的圖像的有機(jī)發(fā)光顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，已經(jīng)開發(fā)出了重量減輕且體積減小的各種平板顯示裝置，其中， 重量大且體積大是陰極射線管的缺點(diǎn)。平板顯示裝置的類型包括液晶顯示器
(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和有機(jī)發(fā)光顯 示器等。
這些平板顯示裝置中的有機(jī)發(fā)光顯示器利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 來(lái)顯示圖像，所述有機(jī)發(fā)光二極管利用電子和空穴的復(fù)合來(lái)發(fā)光。這樣的有 機(jī)發(fā)光顯示器的優(yōu)點(diǎn)在于其響應(yīng)速度快，并且以低功耗來(lái)驅(qū)動(dòng)。
圖1是示出有機(jī)發(fā)光顯示器的像素的電路圖。參照?qǐng)D1，有機(jī)發(fā)光顯示 器的像素4包括像素電路2，像素電路2連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED、數(shù)據(jù) 線Dm和用于控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED的掃描線Sn。
有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電極連4妄到像素電路2，有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的陰極電極連接到第二電源ELVSS。有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照與像 素電路2供應(yīng)的電流對(duì)應(yīng)的亮度來(lái)發(fā)光。
當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線Sn時(shí)，像素電路2對(duì)應(yīng)于供應(yīng)到數(shù)據(jù)線Dm 的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)控制供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流的量。
為此，像素電路2包括第二晶體管M2，連接在第一電源ELVDD和有 機(jī)發(fā)光二極管OLED之間；第一晶體管Ml,連接在第二晶體管M2、數(shù)據(jù)線 Dm和掃描線Sn之間；存儲(chǔ)電容器Cst,連接在第二晶體管M2的第一電極 和才冊(cè)電4及之間。
第一晶體管Ml的柵電極連接到掃描線Sn，第一晶體管Ml的第一電極 連接到數(shù)據(jù)線Dm。第一晶體管Ml的第二電極連接到存儲(chǔ)電容器Cst的一端。 這里，第一電極是源電極和漏電極中的一個(gè)電極，第二電極是源電極和
漏電極中的另一個(gè)電極。例如，如果第一電極是源電極，則第二電極是漏電
極。當(dāng)從掃描線Sn供應(yīng)掃描信號(hào)時(shí)，連接到掃描線Sn和數(shù)據(jù)線Dm的第一 晶體管Ml導(dǎo)通，從而將由數(shù)據(jù)線Dm供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng)到存儲(chǔ)電容器Cst。 此時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cst充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。
第二晶體管M2的柵電極連接到存儲(chǔ)電容器Cst的一端，第二晶體管M2 的第一電極連接到存儲(chǔ)電容器Cst的另一端和第一電源ELVDD。第二晶體管 M2的第二電極連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電極。
第二晶體管M2控制乂人第一電源ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光二才及管OLED流到 第二電源ELVSS的電流的量，其中，所述電流的量對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器 Cst中的電壓值。此時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED產(chǎn)生與第二晶體管M2供應(yīng)的 電流的量對(duì)應(yīng)的光。
然而，存在這樣的問題因?yàn)楦鶕?jù)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化的效率 變化，所以這樣的有機(jī)發(fā)光顯示器不能顯示具有期望亮度的圖像。
在實(shí)踐中，有機(jī)發(fā)光二極管OLED隨著時(shí)間的過去而劣化，從而產(chǎn)生亮 度逐漸降低的光。此外，該傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器的問題在于因?yàn)橄袼? 中包括的驅(qū)動(dòng)晶體管M2的閾值電壓/遷移率的不均勻性，所以不能顯示具有 均勻亮度的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的 一方面在于提供一種能夠顯示具有基本均勻 的亮度的圖像而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓/遷移率 無(wú)關(guān)的有機(jī)發(fā)光顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器包括多個(gè)像素，位于數(shù)據(jù) 線、掃描線和發(fā)射控制線的交叉部分，多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括用于發(fā)光 的有機(jī)發(fā)光二極管和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管；傳感器，用于 感測(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息；轉(zhuǎn)換器，用于 存儲(chǔ)有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息，并用于通過利 用所述劣化信息和遷移率信息將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，用 于接收從轉(zhuǎn)換器輸出的校正數(shù)據(jù)，并用于利用校正數(shù)據(jù)產(chǎn)生通過數(shù)據(jù)線將被 供應(yīng)到多個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟產(chǎn)生第
一電壓，同時(shí)將第一電流供應(yīng)到多個(gè)像素中包括的有機(jī)發(fā)光二極管；將第一
電壓轉(zhuǎn)換成第一數(shù)字值，并將第一數(shù)字值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；產(chǎn)生第二電壓， 同時(shí)吸收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電流；產(chǎn)生第三電壓，同時(shí)吸 收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第三電流；將與第二電壓和第三電壓之差 對(duì)應(yīng)的信息轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值，并將第二數(shù)字值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；利用存儲(chǔ) 在存儲(chǔ)器中的第 一數(shù)字值和第二數(shù)字值將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)，以顯示 具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷 移率無(wú)關(guān)；將與校正數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)提供到數(shù)據(jù)線。
根據(jù)本發(fā)明另 一 實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟通 過利用第 一 電流測(cè)量多個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光二極管的電壓變化，并存儲(chǔ)所述 電壓變化；順序地吸收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電流和第三電流， 從而測(cè)量對(duì)應(yīng)于第二電流的第二電壓和對(duì)應(yīng)于第三電流的第三電壓，并存儲(chǔ) 第二電壓和第三電壓之差；利用所述電壓變化與第二電壓和第三電壓之差將 輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)，從而補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管中 的遷移率的變化；在顯示時(shí)間段期間，將對(duì)應(yīng)于校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到 多個(gè)像素，并通過初始化過程4卜償多個(gè)像素的相應(yīng)像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管 的閾值電壓。


通過下面結(jié)合附圖對(duì)特定示例性實(shí)施例進(jìn)行描述，本發(fā)明的這些和/或其 它實(shí)施例及特征將變得清楚且更易于理解，在附圖中 圖l是示出像素的電路圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性框圖； 圖3是示出圖2中示出的像素的第一實(shí)施例的電路圖； 圖4是示出圖2中示出的像素的第二實(shí)施例的電路圖； 圖5是示出圖2中示出的開關(guān)單元、傳感器和轉(zhuǎn)換器的框圖； 圖6是示出圖5中示出的感測(cè)電路的示意性框圖； 圖7是示出圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的實(shí)施例的示意性框圖； 圖8A至圖8G是用于示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū) 動(dòng)方法的示意性電^各圖9A至圖9G是用于示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)
動(dòng)方法的示意性電i 各圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例。這里，當(dāng) 第 一元件被描述為連接到第二元件時(shí)，第 一元件不但可以直接連接到第二元 件，而且可以選擇性地通過第三元件間接地連接到第二元件。此外，為了清 楚起見，省略了對(duì)完全理解本發(fā)明不必要的一些元件。此外，相同的標(biāo)號(hào)始 終表示相同的元件。
在下文中，將參照附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的示意性框圖。
參照?qǐng)D2,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器包括顯示區(qū)130,具有 連接到掃描線Sl至Sn、發(fā)射控制線El至En、感測(cè)線CL1至CLn和數(shù)據(jù)線 Dl至Dm的像素140;掃描驅(qū)動(dòng)器110,用于驅(qū)動(dòng)掃描線Sl至Sn和發(fā)射控 制線El至En;感測(cè)線驅(qū)動(dòng)器("感測(cè)驅(qū)動(dòng)器")160，用于驅(qū)動(dòng)感測(cè)線CL1 至CLn;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120,用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線Dl至Dm;時(shí)序控制器150，控 制掃描驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120和感測(cè)線驅(qū)動(dòng)器160。
此外，根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器還包括傳感器180,用 于提取相應(yīng)的像素140中包括的有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的 遷移率信息；開關(guān)單元170,用于選擇性地將傳感器180和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120 連接到數(shù)據(jù)線Dl至Dm;轉(zhuǎn)換器190,用于存儲(chǔ)利用傳感器180感測(cè)的信息 并轉(zhuǎn)換輸入數(shù)據(jù)，從而利用存儲(chǔ)的信息來(lái)顯示具有基本均勻的亮度的圖像， 而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率無(wú)關(guān)。
顯示區(qū)130包括像素140，像素140位于掃描線Sl至Sn、發(fā)射控制線 El至En和數(shù)據(jù)線Dl至Dm的交叉部分("交叉處")。從外部電源將第一電 源ELVDD和第二電源ELVSS供應(yīng)給像素140。像素140根據(jù)數(shù)據(jù)信號(hào)控制 從第一電源ELVDD經(jīng)相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管供應(yīng)到第二電源ELVSS的電流 的量。隨后，由有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)的亮度(例如，預(yù)定亮度)的 光。
掃描驅(qū)動(dòng)器IIO根據(jù)時(shí)序控制器150的控制將掃描信號(hào)供應(yīng)到掃描線Sl 至Sn。此外，掃描驅(qū)動(dòng)器IIO根據(jù)時(shí)序控制器150的控制將發(fā)射控制信號(hào)供 應(yīng)到發(fā)射控制線E1至En。
感測(cè)線驅(qū)動(dòng)器160根據(jù)時(shí)序控制器150的控制將感測(cè)信號(hào)供應(yīng)到感測(cè)線 CX1至CLn。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120根據(jù)時(shí)序控制器150的控制將數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng)到數(shù)據(jù)線D1 至Dm。
開關(guān)單元170選擇性地將傳感器180和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120連接到數(shù)據(jù)線D1 至Dm。為此，開關(guān)單元170包括分別連接到H據(jù)線Dl至Dm的一對(duì)開關(guān)元 件(即，用于每個(gè)通道(channel)的一對(duì)開關(guān)元件)。
傳感器180提取包括在每個(gè)像素140中的有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息， 并將所提取的劣化信息供應(yīng)到轉(zhuǎn)換器190。此外，傳感器180提取包括在每 個(gè)像素140中的驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息，并將所提fU々遷移率信息供應(yīng)到 轉(zhuǎn)換器190。為此，傳感器180包括分別連接到數(shù)據(jù)線Dl至Dm的感測(cè)電路 (即，用于每個(gè)通道的感測(cè)電路)。
根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，在將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器之后且在顯示 圖像之前的第一非顯示時(shí)間段(或第一非顯示時(shí)間)中，執(zhí)行有機(jī)發(fā)光二極 管的劣化信息的提取。換言之，在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，可 執(zhí)行有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息的提取。
在所描述的實(shí)施例中，在將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器之后且在顯示圖 像之前的第二非顯示時(shí)間段(或第二非顯示時(shí)間)中，執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷 移率信息的提取。此外，在有機(jī)發(fā)光顯示器作為產(chǎn)品發(fā)布(distribute)之前， 可執(zhí)行有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息的提取，使得當(dāng)發(fā)布產(chǎn)品時(shí)，遷移率信息 可作為預(yù)先規(guī)定的信息來(lái)提供。換言之，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在每次將電源施 加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息的提取?？蛇x擇地， 在發(fā)布產(chǎn)品之前可以預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果，從而可以使用預(yù)先存儲(chǔ)的信息，而 無(wú)需在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息的提取。
轉(zhuǎn)換器190接收由傳感器180供應(yīng)的劣化信息和遷移率信息，并存儲(chǔ)相 應(yīng)地包括在所有像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息和有機(jī)發(fā)光二極管的劣化 信息。為此，轉(zhuǎn)換器190包括存儲(chǔ)器和轉(zhuǎn)換電路，所述轉(zhuǎn)換電路用于將從時(shí) 序控制器輸入的輸入數(shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)Data',以利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器
中的信息來(lái)顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和 驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率無(wú)關(guān)。
時(shí)序控制器150控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120、掃描驅(qū)動(dòng)器110和感測(cè)線驅(qū)動(dòng)器
160。
此外，利用時(shí)序控制器150的輸出將從外部數(shù)據(jù)源輸入的數(shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換 成校正數(shù)據(jù)Data，，以利用轉(zhuǎn)換器190補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體 管的遷移率的偏移，且校正數(shù)據(jù)Data，被供應(yīng)到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。隨后，數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器120利用被轉(zhuǎn)換的校正數(shù)據(jù)Data，來(lái)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù) 信號(hào)供應(yīng)到像素140。
在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，利用傳感器180和轉(zhuǎn)換器190來(lái)補(bǔ)償有 機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率，且在像素結(jié)構(gòu)內(nèi)自補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶 體管的閾值電壓之間的差，如下面將描述的。
圖3示出了圖2中示出的像素的第一實(shí)施例。為了便于描述，圖3示出 了連接到第m數(shù)據(jù)線(Dm)和第n掃描線(Sn )的像素。
參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素140包括有機(jī)發(fā)光二極管OLED 和用于將電流供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電^各142。
有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電極連接到像素電路142，有機(jī)發(fā)光二極 管OLED的陰極電極連接到第二電源ELVSS。有機(jī)發(fā)光二極管OLED對(duì)應(yīng)于 從像素電路142供應(yīng)的電流來(lái)發(fā)光。
當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線Sn時(shí)，像素電路142供應(yīng)有被供應(yīng)到數(shù)據(jù)線 Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，當(dāng)感測(cè)信號(hào)被供應(yīng)到感測(cè)線CLn時(shí)，像素電路142 將有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息和/或驅(qū)動(dòng)晶體管(即，第二晶體管M2 ) 的遷移率信息提供到傳感器180。為此，像素電路142包括六個(gè)晶體管Ml 至M6與兩個(gè)電容器C1和C2。
第一晶體管Ml的柵電極連接到掃描線Sn,第一晶體管Ml的第一電極 連接到數(shù)據(jù)線Dm。第一晶體管Ml的第二電極連接到第一節(jié)點(diǎn)A。
第二晶體管M2的柵電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B,第二晶體管M2的第一電 極連接到第 一 電源ELVDD。
此外，第一電容器Cl連接在第一電源ELVDD和第二節(jié)點(diǎn)B之間，第 二電容器C2連接在第一節(jié)點(diǎn)A和第二節(jié)點(diǎn)B之間。
第二晶體管M2根據(jù)存儲(chǔ)在第一電容器C1和第二電容器C2中的電壓值 來(lái)控制從第一電源ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED流到第二電源ELVSS的 電流的量。此時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED產(chǎn)生與由第二晶體管M2供應(yīng)的電 流的量對(duì)應(yīng)的光。
第三晶體管M3的柵電極連接到發(fā)射控制線En，第三晶體管M3的第一 電極連接到第二晶體管M2的第二電極。第三晶體管M3的第二電極連接到 有機(jī)發(fā)光二極管OLED。當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線En時(shí)(高電平)， 第三晶體管M3截止；當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)不被供應(yīng)到發(fā)射控制線En時(shí)(低電平)， 第三晶體管M3導(dǎo)通。這里，在與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被充電在第一電容器 Cl和第二電容器C2中的時(shí)間段(編程時(shí)間段)、閾值電壓被存儲(chǔ)的時(shí)間段(Vth 存儲(chǔ)時(shí)間段)以及有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息被感測(cè)的時(shí)間段(OLED 劣化感測(cè)時(shí)間段)期間，供應(yīng)發(fā)射控制信號(hào)(高電平)。
第四晶體管M4的柵電極連接到感測(cè)線CLn,第四晶體管M4的第一電 極連接到第三晶體管M3的第二電極。此外，第四晶體管M4的第二電極連 接到數(shù)據(jù)線Dm。當(dāng)感測(cè)信號(hào)被供應(yīng)到感測(cè)線CLn時(shí)，第四晶體管M4導(dǎo)通； 在其它情況下，第四晶體管M4截止。這里，在有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣 化信息被感測(cè)的時(shí)間段(OLED劣化感測(cè)時(shí)間段)和第二晶體管M2 ("驅(qū)動(dòng) 晶體管")的遷移率信息被感測(cè)的時(shí)間段期間，供應(yīng)感測(cè)信號(hào)。
第五晶體管M5的柵電極連接到前一行像素的掃描線Sn-l ("前一掃描 線")，第五晶體管M5的第一電極連接到第二晶體管M2的柵電極。此外， 第五晶體管M5的第二電極連接到第二晶體管M2的第二電極。換言之，當(dāng) 第五晶體管M5導(dǎo)通時(shí)，第二晶體管M2為二極管接法的(diode-connected)晶 體管。
第六晶體管M6的柵電極連接到前一行像素的掃描線Sn-l ("前一掃描 線")，第六晶體管M6的第一電極連接到參考電壓(Vref),第六晶體管M6 的第二電極連接到第一節(jié)點(diǎn)A。換言之，當(dāng)?shù)诹w管M6導(dǎo)通時(shí)，第二電 容器C2的第一電極被供應(yīng)有參考電壓Vref。
根據(jù)圖3的實(shí)施例，第一晶體管Ml至第六晶體管M6是PMOS晶體管， 但是本發(fā)明不限于此。例如，在其它實(shí)施例中，第一晶體管Ml至第六晶體 管M6可以實(shí)現(xiàn)為NMOS晶體管。
圖4示出了圖2中示出的像素的第二實(shí)施例。為了便于描述，圖4示出 了連接到第m數(shù)據(jù)線(Dm)和第n掃描線(Sn )的像素。
參照?qǐng)D4,根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的像素140，包括有機(jī)發(fā)光二極管OLED 和用于將電流供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電路142，。根據(jù)第二實(shí)施 例的像素140，與圖3中示出的根據(jù)第一實(shí)施例的像素140的不同之處在于
像素電路142，包括七個(gè)晶體管Ml，至M7'、兩個(gè)電容器Cl，和C2，以及一個(gè)開 關(guān)元件Tl。
在像素電路142，中，第一晶體管Ml，的柵電極連接到掃描線Sn,第一晶 體管Ml，的第一電極連接到數(shù)據(jù)線Dm。第一晶體管Ml，的第二電極連接到第 一節(jié)點(diǎn)A。
第二晶體管M2，的柵電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B,第二晶體管M2，的第一電 極連接到第 一 電源ELVDD 。
此外，第一電容器Cl，連接在第一電源ELVDD和第二節(jié)點(diǎn)B之間，第 二電容器C2，連接在第一節(jié)點(diǎn)A和第二節(jié)點(diǎn)B之間。
第二晶體管M2，根據(jù)存儲(chǔ)在第一電容器Cl，和第二電容器C2，中的電壓 值來(lái)控制^v第一電源ELVDD經(jīng)有才幾發(fā)光二極管OLED流到第二電源ELVSS 的電流的量。此時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED產(chǎn)生與由第二晶體管M2，供應(yīng)的 電流的量對(duì)應(yīng)的光。
第三晶體管M3，的柵電極連接到發(fā)射控制線En，第三晶體管M3，的第一 電極連接到第二晶體管M2，的第二電極。第三晶體管M3，的第二電極連接到 有機(jī)發(fā)光二極管OLED。當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線En時(shí)(高電平)， 第三晶體管M3，截止；當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)不被供應(yīng)到發(fā)射控制線En時(shí)(低電平)， 第三晶體管M3，導(dǎo)通。這里，在有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息被感測(cè)的 時(shí)間段(OLED劣化感測(cè)時(shí)間段)、第二晶體管M2，的遷移率信息被感測(cè)的時(shí) 間段(遷移率感測(cè)時(shí)間段)、初始化時(shí)間段、閾值電壓被存儲(chǔ)的時(shí)間段以及與 數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被充電的時(shí)間段(Vth存儲(chǔ)和編程時(shí)間段)期間，供應(yīng) 發(fā)射控制信號(hào)(高電平)。
第四晶體管M4，的柵電極連接到感測(cè)線CLn，第四晶體管M4，的第一電 極連接到第三晶體管M3，的第二電極。此外，第四晶體管M4，的第二電極連 接到數(shù)據(jù)線Dm。當(dāng)感測(cè)信號(hào)被供應(yīng)到感測(cè)線CLn時(shí)，第四晶體管M4，導(dǎo)通； 在其它情況下，第四晶體管M4，截止。這里，在有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣 化信息被感測(cè)的時(shí)間段(OLED劣化感測(cè)時(shí)間段)，供應(yīng)感測(cè)信號(hào)。
第五晶體管M5，的柵電極連接到掃描線Sn,第五晶體管M5，的第一電極 連接到第二晶體管M2，的柵電極。此外，第五晶體管M5，的第二電極連接到 第二晶體管M2，的第二電極。換言之，當(dāng)?shù)谖寰w管M5，導(dǎo)通時(shí)，第二晶體 管M2，為二極管接法的晶體管。
第六晶體管M6，的柵電極連接到發(fā)射控制線En,第六晶體管M6，的第一 電極連接到開關(guān)元件Tl ("開關(guān)")，第六晶體管M6，的第二電極連接到第一 節(jié)點(diǎn)A。
此外，當(dāng)開關(guān)元件T1導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)元件T1連接到傳感器180;當(dāng)開關(guān) 元件T1截止時(shí)，開關(guān)元件Tl連接到參考電壓(Vref)源。換言之，當(dāng)開關(guān) 元件T1導(dǎo)通時(shí)，像素140，通過與數(shù)據(jù)線Dm不同的單獨(dú)的控制線Cm連接到 傳感器180;當(dāng)開關(guān)元件Tl截止時(shí)，像素140，接收參考電壓Vref。
換言之，在作為驅(qū)動(dòng)晶體管的第二晶體管M2，的遷移率信息被感測(cè)的時(shí) 間段中，像素140，通過控制線Cm連接到傳感器180。
第七晶體管M7，連接到前一行像素的掃描線Sn-l ("前一掃描線，，)，第 七晶體管M7，的第一電極連接到第六晶體管M6，的第一電極，第七晶體管M7， 的第二電極連接到第二晶體管M2，的柵電極。
根據(jù)圖4的實(shí)施例，第一晶體管Ml，至第七晶體管M7，為PMOS晶體管， 但是本發(fā)明不限于此。例如，在其它實(shí)施例中，第一晶體管Ml，至第七晶體 管M7，可以實(shí)現(xiàn)為NMOS晶體管。
圖5是示出圖2中示出的開關(guān)單元、傳感器和轉(zhuǎn)換器的框圖。然而，為 了便于描述，圖5示出了這些器件僅連接到與第m數(shù)據(jù)線Dm連接的像素140。
參照?qǐng)D5,開關(guān)單元170中的每個(gè)通道設(shè)置有一對(duì)開關(guān)SW1和SW2。此 外，傳感器180中的每個(gè)通道設(shè)置有感測(cè)電路181和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(在下文中， 稱作"ADC") 182。(這里，可以每一個(gè)通道或多個(gè)通道i殳置一個(gè)ADC,或 者所有的通道共用一個(gè)ADC)。此外，轉(zhuǎn)換器190包括存儲(chǔ)器191和轉(zhuǎn)換電 路192。
開關(guān)單元170的第一開關(guān)swl位于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120和凄史據(jù)線Dm之間。 當(dāng)通過數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，第一開關(guān)swl導(dǎo)通。換言之，在有 機(jī)發(fā)光顯示裝置顯示圖像(例如，預(yù)定圖像)的時(shí)間段期間，第一開關(guān)swl 保持導(dǎo)通狀態(tài)。
此外，開關(guān)單元170的第二開關(guān)sw2位于傳感器180和^t據(jù)線Dm之間。 在通過傳感器180感測(cè)由顯示區(qū)的相應(yīng)像素提供的第二晶體管M2的遷移率 信息和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息的時(shí)間段期間，第二開關(guān)sw2導(dǎo)通。
這里，在從將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器之后到顯示圖像之前的非顯示 時(shí)間段(或非顯示時(shí)間)期間，第二開關(guān)sw2保持導(dǎo)通狀態(tài)；或者在發(fā)布產(chǎn) 品之前的非顯示時(shí)間段(或非顯示時(shí)間)期間，第二開關(guān)SW2保持導(dǎo)通狀態(tài)。 更具體地講，根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例，在從將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示
器之后到顯示圖像之前的非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣 化信息的感測(cè)。換言之，在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，執(zhí)行該實(shí) 施例中的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息的感測(cè)。
根據(jù)另一示例性實(shí)施例，在從將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器之后到顯示 圖像之前的第二非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息的感測(cè)，也 可在有機(jī)發(fā)光顯示器作為產(chǎn)品第 一次發(fā)布之前執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息 的感測(cè)。
換言之，在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，可執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的 遷移率信息的感測(cè)；或者通過在發(fā)布產(chǎn)品之前預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果，可使用預(yù) 先存儲(chǔ)的信息，而無(wú)需在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息的提取。
感測(cè)電路181包括電流源單元("電流源")185、第一電流吸收單元("電 流吸收器")186和第二電流吸收單元187以及開關(guān)元件SW1、 SW2和SW3, 開關(guān)元件SW1、 SW2和SW3分別連接到電流源單元185、第一電流吸收單 元186和第二電流吸收單元187中對(duì)應(yīng)的元件，如圖6中所示。
當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)元件SW1導(dǎo)通時(shí)，電流源單元185將第一電流供應(yīng)到像素 140;當(dāng)供應(yīng)第一電流時(shí)，電流源單元185將數(shù)據(jù)線Dm中產(chǎn)生的電壓(例如， 預(yù)定電壓)供應(yīng)到ADC 182。這里，通過像素140中包括的有機(jī)發(fā)光二極管 OLED供應(yīng)第一電流。因此，由電流源單元185產(chǎn)生的電壓(例如，第一電 壓或第一預(yù)定電壓)具有有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息。
更具體地講，隨著有機(jī)發(fā)光二極管OLED劣化，有機(jī)發(fā)光二極管OLED 的電阻值改變。因此，電壓的電壓值對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化而 改變，從而可以提取有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息。
另一方面，第一電流的電流值可被不同地設(shè)定，以能夠在限定的時(shí)間內(nèi) 被施加有預(yù)定電壓。例如，第一電流可被設(shè)定為當(dāng)像素140以最大亮度發(fā)光 時(shí)流到有機(jī)發(fā)光二4及管OLED的電流值Imax。
當(dāng)?shù)诙_關(guān)元件SW2導(dǎo)通時(shí)，第一電流吸收單元186吸收來(lái)自^象素140 的第二電流；當(dāng)?shù)诙娏?陂吸收時(shí)，第一電流吸收單元186測(cè)量數(shù)據(jù)線Dm 或控制線Cm中產(chǎn)生的電壓(例如，第二電壓或第二預(yù)定電壓)。
換言之，在應(yīng)用圖3中示出的第一實(shí)施例的像素140的情況下，測(cè)量數(shù)
據(jù)線Dm中產(chǎn)生的第二電壓；在應(yīng)用圖4中示出的第二實(shí)施例的像素140，的 情況下，測(cè)量控制線Cm中產(chǎn)生的第二電壓。
此外，當(dāng)?shù)诙_關(guān)元件SW2截止且第三開關(guān)元件SW3導(dǎo)通時(shí)，第二電 流吸收單元187吸收來(lái)自像素140的第三電流；當(dāng)?shù)谌娏鞅晃諘r(shí)，測(cè)量 數(shù)據(jù)線Dm或控制線Cm中產(chǎn)生的預(yù)定電壓(第三電壓)。
換言之，在應(yīng)用圖3中示出的第一實(shí)施例的^^素140的情況下，測(cè)量數(shù) 據(jù)線Dm中產(chǎn)生的第三電壓；在應(yīng)用圖4中示出的第二實(shí)施例的像素140，的 情況下，測(cè)量控制線Cm中產(chǎn)生的第三電壓。
此時(shí)，與第二電壓和第三電壓之間的差對(duì)應(yīng)的信息被供應(yīng)到ADC 182。
這里，通過像素140和140，中包括的第二晶體管M2和M2，來(lái)吸收第二 電流和第三電流。因此，通過第一電流吸收單元186和第二電流吸收單元187 產(chǎn)生的數(shù)據(jù)線Dm或控制線Cm的電壓之間的差的絕對(duì)值(I第二電壓-第三 電壓I )具有第二晶體管M2和M2，的遷移率信息。
換言之，在應(yīng)用圖4中示出的第二實(shí)施例的像素140，的情況下，當(dāng)?shù)诙?電流和第三電流被吸收時(shí)，像素140，內(nèi)的開關(guān)元件Tl導(dǎo)通，使得第二晶體管 M2，的遷移率信息被傳輸?shù)降耐分胁话ㄓ袡C(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電 極。
由此，第二晶體管M2，的遷移率信息不受有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化 程度的影響，從而可以獲得更準(zhǔn)確的信息。
ADC 182將由感測(cè)電路181供應(yīng)的第一電壓轉(zhuǎn)換成第一數(shù)字值，并將第 二電壓和第三電壓之間的差轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值。
此外，轉(zhuǎn)換器l卯包括存儲(chǔ)器191和轉(zhuǎn)換電路192。存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)來(lái) 自ADC 182的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值。實(shí)際上，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū)130 中包括的相應(yīng)像素140或140，中的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息與第二 晶體管M2或M2，的遷移率信息。
轉(zhuǎn)換電路192使用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器191中的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值，以 將由時(shí)序控制器150傳輸?shù)妮斎霐?shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)Data',從而可以 顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化與驅(qū)動(dòng) 晶體管M2或M2，的遷移率無(wú)關(guān)。
例如，隨著有機(jī)發(fā)光二極管OLED劣化，轉(zhuǎn)換電^各192通過參照第一數(shù) 字值來(lái)增大輸入數(shù)據(jù)的Data的比特值，從而產(chǎn)生校正數(shù)據(jù)Data，。所產(chǎn)生的
校正數(shù)據(jù)Data，被傳輸?shù)綌?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120，最終，與校正數(shù)據(jù)Data，一致的數(shù)據(jù) 信號(hào)被供應(yīng)到像素140或140，。因此，隨著有機(jī)發(fā)光二極管劣化，可以減少 或防止產(chǎn)生低亮度的光。
此外，轉(zhuǎn)換電路192參照第二數(shù)字值來(lái)轉(zhuǎn)換輸入數(shù)據(jù)Data，從而可補(bǔ)償 第二晶體管M2或M2，的遷移率。結(jié)果，可以顯示具有基本均勻的亮度的圖 像，而與第二晶體管M2或M2，的遷移率無(wú)關(guān)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120使用校正數(shù)據(jù)Data，來(lái)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，并將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù) 信號(hào)供應(yīng)到像素140或140，。
圖7是示出數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120的實(shí)施例的示意性框圖。
參照?qǐng)D7，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120包括移位寄存單元121、取樣鎖存單元122、 保持鎖存單元123、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(在下文中，稱為"DAC") 124和緩沖單元 125。
移位寄存單元121被供應(yīng)有來(lái)自時(shí)序控制器150的源起始脈沖SSP和源 移位時(shí)鐘SSC。被供應(yīng)有源移位時(shí)鐘SSC和源起始脈沖SSP的移位寄存單元 121將源起始脈沖SSP移位源移位時(shí)鐘SSC的每一周期，同時(shí)順序地產(chǎn)生m 個(gè)取樣信號(hào)。為此，移位寄存單元121包括m個(gè)移位寄存器1211至121m。
取樣鎖存單元122響應(yīng)由移位寄存單元121順序地供應(yīng)的取樣信號(hào)來(lái)順 序地存儲(chǔ)校正數(shù)據(jù)Data，。為此，取樣鎖存單元122包括用于存儲(chǔ)m個(gè)校正 數(shù)據(jù)Data，的m個(gè)取樣鎖存器1221至122m。
保持鎖存單元123被供應(yīng)有來(lái)自時(shí)序控制器150的源輸出使能(SOE) 信號(hào)。被供應(yīng)有源輸出使能(SOE)信號(hào)的保持鎖存單元123從取樣鎖存單 元122接收校正數(shù)據(jù)Data',并存儲(chǔ)校正數(shù)據(jù)Data'。并且，保持鎖存單元123 將存儲(chǔ)在其中的校正數(shù)據(jù)Data，供應(yīng)到數(shù)模轉(zhuǎn)換單元(DAC單元)124。為此， 保持鎖存單元123包括m個(gè)保持鎖存器1231至123m。
DAC單元124從保持鎖存單元123接收校正數(shù)據(jù)Data，，并產(chǎn)生與所輸 入的校正數(shù)據(jù)Data，對(duì)應(yīng)的m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)。為此，DAC單元124包括m個(gè)數(shù) 模轉(zhuǎn)換器(DAC) 1241至124m。換言之，DAC單元124利用位于相應(yīng)通道 的DAC 1241至124m來(lái)產(chǎn)生m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)并將所產(chǎn)生的m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)供應(yīng) 到緩沖單元125。
緩沖單元125將由DAC單元124供應(yīng)的m個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)分別供應(yīng)到m條 數(shù)據(jù)線Dl至Dm。為此，緩沖單元125包括m個(gè)緩沖器1251至125m。
圖8A至圖8G是用于示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)
動(dòng)方法的示意性電路圖。
然而，為了便于描述，圖8A至圖8G將僅參照連接到第n掃描線Sn和 第m數(shù)據(jù)線Dm的像素140 (示出在圖3中)來(lái)說明第一實(shí)施例。
如上所述，在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)可執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的 遷移率信息的感測(cè)，或者在發(fā)布產(chǎn)品之前可執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息的 感測(cè)，從而預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果。利用第二種方法，可以使用驅(qū)動(dòng)晶體管的遷 移率信息的預(yù)先存儲(chǔ)的信息，而無(wú)需在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息的提 取。
圖8A至圖8G示出了在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶 體管的遷移率信息的感測(cè)的示例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，本 發(fā)明不限于此。
在下文中，將參照?qǐng)D8A至圖8G更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的 有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。
首先，圖8A示出了在從將電源施加到有才幾發(fā)光顯示器之后到顯示圖像 之前的第 一 非顯示時(shí)間段期間的操作。
在第一非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行用于感測(cè)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信 息(OLED劣化感測(cè))的操作。
如圖8A所示，在第一非顯示時(shí)間段中，以高電平施加掃描信號(hào)Sn和 Sn-l，以低電平施加感測(cè)信號(hào)CLn，以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,使得僅 有像素140的像素電路內(nèi)的第四晶體管M4導(dǎo)通。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl截止，第二開關(guān)sw2導(dǎo)通，從 而像素140連接到傳感器180。
此外，在感測(cè)電路181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1 導(dǎo)通，連接到第一電流吸收單元186和第二電流吸收單元187的第二開關(guān)元 件SW2和第三開關(guān)元件SW3截止。此時(shí)，例如，由電流源單元185供應(yīng)的 第一電流Iref可被設(shè)定為當(dāng)像素140以最大亮度發(fā)光時(shí)流到有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的電流值Imax。才艮據(jù)上述信號(hào)的施加，由電流源單元185供應(yīng)的第一 電流Iref通過數(shù)據(jù)線Dm和像素140內(nèi)的第四晶體管M4 ^皮施加到有機(jī)發(fā)光 二極管OLED。
因此，施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電極的電壓(預(yù)定電壓或第
一電壓，V0LED )被等同地施加到感測(cè)電路181 ，第 一 電壓V0LED被供應(yīng)到ADC 182。
換言之，通過電流源單元185產(chǎn)生的第一電壓VoLED具有有機(jī)發(fā)光二極
管OLED的劣化信息。
ADC 182將由感測(cè)電路181供應(yīng)的第 一 電壓V0LED轉(zhuǎn)換成第 一數(shù)字值， 存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)由ADC 182供應(yīng)的第一數(shù)字值。在實(shí)踐中，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ) 顯示區(qū)130中包括的所有像素140的相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信 臺(tái)、
心o
接著，圖8B和圖8C示出了從圖8A的第一非顯示時(shí)間段之后至顯示圖 像之前的第二非顯示時(shí)間段的操作。
在第二非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行作為像素140內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二晶體 管M2的遷移率信息的感測(cè)操作。
在本發(fā)明的所描述的實(shí)施例中，為了感測(cè)第二晶體管M2的遷移率信息， 將第二非顯示時(shí)間段劃分為兩個(gè)時(shí)間段，從而獨(dú)立地執(zhí)行吸收電流的操作。
在其它實(shí)施例中，如上所述，在發(fā)布產(chǎn)品之前可以執(zhí)4亍第二晶體管M2 的遷移率信息的感測(cè)，從而預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果。這樣，可以使用驅(qū)動(dòng)晶體管 的遷移率信息的預(yù)先存儲(chǔ)的信息，而不用在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息 的提取。
如圖8B所示，在第二非顯示時(shí)間段的第一時(shí)間段中，以低電平施加前 一行像素的前一掃描信號(hào)Sn-l，以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以低電平施加感 測(cè)信號(hào)CLn，以低電平施加發(fā)射控制信號(hào)En，使得像素140的像素電路內(nèi)的 第三晶體管M3、第四晶體管M4和第五晶體管M5導(dǎo)通。此外，因?yàn)榈谖寰?體管M5導(dǎo)通，所以第二晶體管M2是二極管接法的晶體管并且導(dǎo)通。
此外，因?yàn)橐缘碗娖绞┘忧耙粧呙栊盘?hào)Sn-l，所以第六晶體管M6導(dǎo)通。 因此，施加到第六晶體管M6的第一電極的參考電壓Vref被施加到第一節(jié)點(diǎn) A。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl截止，第二開關(guān)sw2導(dǎo)通，從 而像素140連接到傳感器180。
此外，在感測(cè)電3各181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1 截止，連接到第一電流吸收單元186的第二開關(guān)元件SW2導(dǎo)通，連接到第二 電流吸收單元187的第三開關(guān)元件SW3截止。此時(shí)，作為示例，第一電流吸收單元186中吸收的第二電流可以是(l/4)plmax (|3是常數(shù))，如圖8B所示。 此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極電極被施加有高電平電壓，而不是 第二電壓ELVSS。這是為了防止第一電流吸收單元186中吸收的電流被供應(yīng) 到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
第一電流吸收單元186吸收第二電流，即，根據(jù)上述信號(hào)的施加來(lái)自第 一電源ELVDD并且經(jīng)過第二開關(guān)元件SW2、數(shù)據(jù)線Dm、第四晶體管M4、 第三晶體管M3和第二晶體管M2的(l/4)pimax。當(dāng)?shù)诙娏鞅晃赵诘谝浑?流吸收單元186中時(shí)，第二電壓VG1—!被施加到第 一電流吸收單元186。 即，第二電壓VGI i如下
第二晶體管M2的遷移率，W/L:第二晶體管M2的溝道的寬度與 長(zhǎng)度之比，Vth:第二晶體管M2的閾值電壓)
如以上等式所示，因?yàn)榈诙娏魍ㄟ^第二晶體管M2被吸收，所以第二 電壓VG1—,包括第二晶體管M2的闊值電壓/遷移率信息。
接著，如圖8C所示，在第二非顯示時(shí)間段的第二時(shí)間段中，以低電平 施加前一掃描信號(hào)Sn-l，以高電平施加掃描信號(hào)Sn，以低電平施加感測(cè)信號(hào) CLn,以低電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,使得像素140的像素電路內(nèi)的第三晶 體管M3、第四晶體管M4和第五晶體管M5導(dǎo)通。此外，因?yàn)榈谖寰w管 M5導(dǎo)通，所以第二晶體管M2是二極管接法的晶體管并導(dǎo)通。
此外，因?yàn)橐缘碗娖绞┘忧耙患?jí)的掃描信號(hào)Sn-l,所以第六晶體管M6 導(dǎo)通。因此，施加到第六晶體管M6的第一電極的參考電壓Vref被施加到第 一節(jié)點(diǎn)A。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl截止，第二開關(guān)sw2導(dǎo)通，從 而像素140連接到傳感器180。
此外，在感測(cè)電路181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1 截止，連接到第一電流吸收單元186的第二開關(guān)元件SW2截止，連接到第二 電流吸收單元187的第三開關(guān)元件SW3導(dǎo)通。此時(shí)，作為示例，第二電流吸 收單元187中吸收的第三電流可以是pimax (卩是常數(shù))，如圖8B所示。
換言之，第三電流對(duì)應(yīng)于在第一電流吸收單元186中吸收的電流的四倍。 然而，這僅僅是一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明不限于此。通過示例的方式，第三電流
對(duì)應(yīng)于第二電流的4j (j是整數(shù))倍。
此外，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極電極被施加有高電平電壓，而不是 第二電壓ELVSS。這是為了防止第二電流吸收單元187中吸收的電流被供應(yīng) 到有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
第二電流吸收單元187吸收第三電流，即，4艮據(jù)上述信號(hào)的施加來(lái)自第 一電源ELVDD且經(jīng)過第三開關(guān)元件SW3、數(shù)據(jù)線Dm、第四晶體管M4、第 三晶體管M3和第二晶體管M2的pimax。當(dāng)?shù)谌娏鱚皮吸收在第二電流吸收 單元187中時(shí)，第三電壓VG1—2-故施加到第二電流吸收單元187。 即，第三電壓VGI 2如下
如該等式所示，因?yàn)榈谌娏魍ㄟ^第二晶體管M2被吸收，所以第三電 壓VG1—2包括第二晶體管M2的閾值電壓/遷移率信息。
當(dāng)通過第一電流吸收單元186和第二電流吸收單元187的第二電壓Vcn—i
和第三電壓VG12被測(cè)量時(shí)，與第二電壓VG1—,和第三電壓VG1—2之差對(duì)應(yīng)的信
息被供應(yīng)到ADC 182。
此時(shí)，第二電壓和第三電壓之差的絕對(duì)值(I第二電壓-第三電壓I )為
因此，ADC 182將由感測(cè)電^各181供應(yīng)的第二電壓VG1 j和第三電壓VG1—2 之間的差轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值，并且存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)由ADC 182供應(yīng)的第二數(shù) 字值。在實(shí)踐中，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū)130中包括的所有像素140的相應(yīng) 的驅(qū)動(dòng)晶體管M2的遷移率信息。
換言之，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)通過圖8A至圖8C中示出的^喿作由ADC 182 供應(yīng)的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值。因此，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū)130中包括 的每個(gè)像素140的第二晶體管M2的遷移率信息和有^L發(fā)光二極管OLED的 劣化信息。
轉(zhuǎn)換電路192利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器191中的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值將由 時(shí)序控制器150傳輸?shù)妮斎霐?shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正凄t據(jù)Data，，從而可以顯示 具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體
丄I ，層
。如所示出的，該等式具有第二晶體管M2的遷移
率信息
管M2的遷移率無(wú)關(guān)。
換言之，轉(zhuǎn)換電路192通過參照第一數(shù)字值來(lái)確定每個(gè)像素140中包括 的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化程度，同時(shí)通過參照第二數(shù)字值來(lái)測(cè)量每個(gè) 像素140中包括的第二晶體管M2的遷移率，從而將從時(shí)序控制器150輸入 的數(shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)Data，。隨后，轉(zhuǎn)換電路192將校正數(shù)據(jù)Data，供 應(yīng)到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。這樣，可以顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與第 二晶體管M2的遷移率無(wú)關(guān)，同時(shí)減少或防止隨著有機(jī)發(fā)光二極管OLED的 劣化而產(chǎn)生低亮度的光。
接著，與校正數(shù)據(jù)("轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)")Data，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)被提供到像素140, 最終，像素發(fā)射，從而具有對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的灰度級(jí)。
通過將校正數(shù)據(jù)Data，輸入到像素140來(lái)發(fā)光的過程被劃分成初始化時(shí) 間段、閾值電壓存儲(chǔ)(Vth存儲(chǔ))時(shí)間段、對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓被充電的 時(shí)間段(即，編程時(shí)間段)和發(fā)射時(shí)間段。以下將參照?qǐng)D8D至圖8G來(lái)描述 這些時(shí)間段的操作。
圖8D對(duì)應(yīng)于初始化時(shí)間段。在初始化時(shí)間段中，以低電平施加前一掃 描信號(hào)Sn-l,以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn,以低 電平施加發(fā)射控制信號(hào)En，如圖8D所示。
因此，第六晶體管M6導(dǎo)通，使得參考電壓Vref被施加到第一節(jié)點(diǎn)A, 第五晶體管M5和第三晶體管M3導(dǎo)通，使得第二晶體管M2的柵電極，即， 第二節(jié)點(diǎn)B的電壓纟皮初始化成施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極電極的第 二電壓ELVSS。
此時(shí)，參考電壓Vref為高電平電壓，并可由第一電源ELVDD來(lái)供應(yīng)， 第二電源ELVSS可由地電源(GND， 0V)來(lái)供應(yīng)。換言之，第二節(jié)點(diǎn)B的 電壓可纟皮初始化成0V。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl導(dǎo)通，第二開關(guān)sw2截止，使 得像素140連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感測(cè)電路181內(nèi)的第一開關(guān)元件 SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3全部都截止。
圖8E對(duì)應(yīng)于閾值電壓存儲(chǔ)(Vth存儲(chǔ))時(shí)間段。在Vth存儲(chǔ)時(shí)間段中， 以低電平施加前一掃描信號(hào)Sn-l，以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以高電平施加 感測(cè)信號(hào)CLn,以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,如所示出的，使得像素140 的像素電路內(nèi)的第五晶體管M5和第六晶體管M6導(dǎo)通。因?yàn)榈谖寰w管M5
導(dǎo)通，所以第二晶體管M2是二極管接法的晶體管并導(dǎo)通。
換言之，第一節(jié)點(diǎn)A被施加有與前一時(shí)間l爻相同的參考電壓Vref，第二 節(jié)點(diǎn)B利用第二晶體管M2和第五晶體管M5的導(dǎo)通凈皮施加有與第一電壓 ELVDD和第二晶體管M2的閾值電壓Vth之差對(duì)應(yīng)的電壓ELVDD-Vth。
因此，如上所述，當(dāng)參考電壓Vref等于第一電壓ELVDD時(shí)，連接在第 一節(jié)點(diǎn)A和第二節(jié)點(diǎn)B之間的第二電容器C2存儲(chǔ)有第二晶體管M2的閾值 電壓Vth。
此外，如在初始化時(shí)間—敬中，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl導(dǎo)通， 第二開關(guān)sw2截止，使得像素140連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感測(cè)電路 181中的第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3全部 都截止。
圖8F對(duì)應(yīng)于與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被充電的時(shí)間段，即，編程時(shí)間段。 在編程時(shí)間l殳中，以高電平施加前一掃描信號(hào)Sn-l,以j氐電平施加掃描信號(hào) Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn,以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En，如所示出 的，使得僅有像素140的像素電路內(nèi)的第一晶體管Ml導(dǎo)通。
因此，由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)可被施加到像素140的像素電路。
此時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)是與經(jīng)轉(zhuǎn)換的校正數(shù)據(jù)Data，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)，從而可以 顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化和驅(qū)動(dòng) 晶體管M2的遷移率無(wú)關(guān)。
數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到像素的像素電路，使得第一節(jié)點(diǎn)A的電壓被改變。因 此，第二節(jié)點(diǎn)B的電壓通過第一電容器Cl和第二電容器C2的連接而改變。
因此，作為示例，通過編程時(shí)間段被施加到第二節(jié)點(diǎn)B的電壓如下
腳D —(~^~) _ — k
Cl + C2 ~觸-a 2K—1 //Cox(『/Z)
其中，100/(100-a)是用于補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化程度的電流 比，Data/(2k-l)是被控制成利用第一輸入數(shù)據(jù)Data來(lái)表示灰度級(jí)的值(k是數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的DAC的比特?cái)?shù))，(3是吸收電流((1/4)Imax、 Imax )的電流比。
此外，如在前面的初始化時(shí)間段中，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl 導(dǎo)通，第二開關(guān)sw2截止，使得像素140連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感 測(cè)電路181內(nèi)的第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3
全部都截止。
最后，圖8G對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照與被充電的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì) 應(yīng)的灰度級(jí)發(fā)光的時(shí)間段。在發(fā)光時(shí)間段中，以高電平施加前一掃描信號(hào) Sn-l,以高電平施加掃描信號(hào)Sn，以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn，以^f氐電平施 加發(fā)射控制信號(hào)En，如圖8G所示。因此，第三晶體管M3導(dǎo)通。
換言之，第三晶體管M3導(dǎo)通，使得與編程電壓對(duì)應(yīng)的電流通過第三晶 體管M3被施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED最 終按照與該電流對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)發(fā)光。
此外，如在前面的初始化時(shí)間—敬中，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl 導(dǎo)通，第二開關(guān)sw2截止，使得像素140連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感 測(cè)電路181內(nèi)的第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3 全部都截止。
與編程電壓對(duì)應(yīng)的電流ID可由下面的等式來(lái)表示。<formula>formula see original document page 25</formula>
由以上等式可以理解，被輸入到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流補(bǔ)償有機(jī) 發(fā)光二極管OLED的劣化程度，并不反映驅(qū)動(dòng)晶體管M2的遷移率和閾值電 壓的特性。因此，可以顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極 管OLED的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管M2的遷移率無(wú)關(guān)。
圖9A至圖9G是用于示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū) 動(dòng)方法的示意性電路圖。
為了便于描述，圖9A至圖9G將僅參照連接到第n掃描線Sn和第m數(shù) 據(jù)線Dm的像素140，(示出在圖4中)來(lái)說明第二實(shí)施例。
如上所述，在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)可執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的 遷移率信息的感測(cè)，或者在發(fā)布產(chǎn)品之前可執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息的 感測(cè)，從而預(yù)先存儲(chǔ)性能信息。利用第二種方法，可以使用驅(qū)動(dòng)晶體管的遷 移率信息的預(yù)先存儲(chǔ)的信息，而無(wú)需在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息的提 取。
圖9A至圖9G示出了在每次將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)執(zhí)行驅(qū)動(dòng)晶 體管的遷移率信息的感測(cè)的示例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，本 發(fā)明不限于此。
在下文中，將參照?qǐng)D9A至圖9G更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的 有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法。
首先，圖9A示出了在從將電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器之后到顯示圖像 之前的第 一 非顯示時(shí)間段期間的操作。
在第一非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行用于感測(cè)有機(jī)發(fā)光二才及管OLED的劣化信 息(OLED劣化感測(cè))的操作。
如圖9A所示，在第一非顯示時(shí)間段中，以高電平施加掃描信號(hào)Sn和 Sn-l，以低電平施加感測(cè)信號(hào)CLn，以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,使得僅 有像素140，的像素電路內(nèi)的第四晶體管M4，導(dǎo)通。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl截止，第二開關(guān)sw2導(dǎo)通，從 而像素140，連接到傳感器180。
此外，在感測(cè)電3各181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1 導(dǎo)通，連接到第一電流吸收單元186和第二電流吸收單元187的第二開關(guān)元 件SW2和第三開關(guān)元件SW3截止。此時(shí)，例如，由電流源單元185供應(yīng)的 第一電流Iref可被設(shè)定為當(dāng)像素140，以最大亮度發(fā)光時(shí)流到有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的電流值Imax。才艮據(jù)上述信號(hào)的施加由電流源單元185供應(yīng)的第 一 電 流Iref通過數(shù)據(jù)線Dm和像素140，內(nèi)的第四晶體管M4，凈皮施加到有機(jī)發(fā)光二 極管OLED。
因此，施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極電極的電壓(預(yù)定電壓或第 一電壓)被等同地施加到感測(cè)電路181,第一電壓被供應(yīng)到ADC 182。
換言之，通過電流源單元185產(chǎn)生的第一電壓具有有機(jī)發(fā)光二極管OLED
的劣化信息。
ADC 182將由感測(cè)電路181供應(yīng)的第一電壓轉(zhuǎn)換成第一數(shù)字值，存儲(chǔ)器 191存儲(chǔ)由ADC 182供應(yīng)的第一數(shù)字值。在實(shí)踐中，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū) 中包括的所有像素140，的相應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化信息。
接著，圖9B和圖9C示出了從圖9A的第一非顯示時(shí)間段之后至顯示圖 像之前的第二非顯示時(shí)間段的操作。
在第二非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行作為像素140，內(nèi)的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二晶體
管M2，的遷移率信息的感測(cè)操作。
在本發(fā)明的所描述的實(shí)施例中，為了感測(cè)第二晶體管M2，的遷移率信息，
將第二非顯示時(shí)間段劃分為兩個(gè)時(shí)間段，從而獨(dú)立地執(zhí)行吸收電流的操作。
在其它實(shí)施例中，如上所述，在發(fā)布產(chǎn)品之前可以執(zhí)行第二晶體管M2， 的遷移率信息的感測(cè)，從而預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果。這樣，可以使用驅(qū)動(dòng)晶體管 的遷移率信息的預(yù)先存儲(chǔ)的信息，而不用在每次施加電源時(shí)執(zhí)行遷移率信息 的提取。
如圖9B所示，在第二非顯示時(shí)間段的第一時(shí)間段中，以低電平施加前 一行像素的前一掃描信號(hào)Sn-l,以低電平施加掃描信號(hào)Sn，以高電平施加感 測(cè)信號(hào)CLn,以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,使得像素140，的像素電路內(nèi)的 第一晶體管Ml'、第五晶體管M5，和第七晶體管M7，導(dǎo)通。此外，因?yàn)榈谖?晶體管M5，導(dǎo)通，所以第二晶體管M2，是二極管接法的晶體管并且導(dǎo)通。
此外，高電平信號(hào)被施加到像素140，中包括的開關(guān)元件Tl以導(dǎo)通開關(guān) 元件Tl,使得像素140，通過控制線Cm連4姿到感測(cè)單元180。此時(shí)，在開關(guān) 單元170中，第一開關(guān)swl和第二開關(guān)sw2都截止。
此外，在感測(cè)電3各181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1 截止，連接到第一電流吸收單元186的第二開關(guān)元件SW2導(dǎo)通，連接到第二 電流吸收單元187的第三開關(guān)元件SW3截止。此時(shí)，作為示例，第一電流吸 收單元186中吸收的第二電流可以是(l/4)pimax,如圖9B所示，其中|3是常 數(shù)。
第一電流吸收單元186吸收第二電流，即，根據(jù)上述信號(hào)的施加從第一 電源ELVDD經(jīng)過第二開關(guān)元件SW2、控制線Cm、〗象素中的開關(guān)元件T1、 第七晶體管M7，、第五晶體管M5，和第二晶體管M2，的(l/4)pimax。當(dāng)?shù)诙?流被吸收在第一電流吸收單元186中時(shí)，第二電壓VG1—j皮施加到第一電流吸 收單元186。
即，第二電壓VG1 !如下
(p:第二晶體管M2，的遷移率，W/L:第二晶體管M2，的溝道的寬度與 長(zhǎng)度之比，Vth:第二晶體管M2，的閾值電壓)。
如以上等式所示，因?yàn)榈诙娏魍ㄟ^第二晶體管M2，被吸收，所以第二
電壓VG1J包括第二晶體管M2，的閾值電壓/遷移率信息。
接著，如圖9c所述，在第二非顯示時(shí)間^a的第二時(shí)間段中，以低電平
施加前一掃描信號(hào)Sn-l,以低電平施加掃描信號(hào)Sn，以高電平施加感測(cè)信號(hào) CLn,以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En，使得像素140，的像素電路內(nèi)第一晶體 管M1，、第五晶體管M5，和第七晶體管M7，導(dǎo)通。此外，因?yàn)榈谖寰w管M5， 導(dǎo)通，所以第二晶體管M2，是二極管接法的晶體管并導(dǎo)通。
此外，高電平信號(hào)被施加到像素140，中包括的開關(guān)元件Tl以導(dǎo)通開關(guān) 元件Tl,使得像素140，通過控制線Cm連接到感測(cè)單元180。此時(shí)，在開關(guān) 單元170中，第一開關(guān)swl和第二開關(guān)sw2全部都截止。此外，在感測(cè)電路 181內(nèi)，連接到電流源單元185的第一開關(guān)元件SW1截止，連接到第一電流 吸收單元186的第二開關(guān)元件SW2截止，連接到第二電流吸收單元187的第 三開關(guān)元件SW3導(dǎo)通。此時(shí)，作為示例，第二電流吸收單元187中吸收的第 三電流可以是(3Imax,如圖9B所示，其中卩是常數(shù)。
換言之，第三電流對(duì)應(yīng)于第 一電流吸收單元186中吸收的電流的四倍。 然而，這僅僅是一個(gè)實(shí)施例，本發(fā)明不限于此。通過示例的方式，第三電流 對(duì)應(yīng)于第二電流的4j (j是整數(shù))倍。
第二電流吸收單元187吸收第三電流，即，根據(jù)上述信號(hào)的施加從第一 電源ELVDD經(jīng)過第三開關(guān)元件SW3、控制線Cm、像素140，中的開關(guān)元件 Tl、第七晶體管M7，、第五晶體管M5，和第二晶體管M2，的(3Imax。當(dāng)?shù)谌?電流被吸收在第二電流吸收單元187中時(shí)，第三電壓VG12被施加到第二電流 吸收單元187。
即，第三電壓VG1 2如下
如該等式所示，因?yàn)榈谌娏魍ㄟ^第二晶體管M2，被吸收，所以第三電 壓VG1—2包括第二晶體管M2，的閾值電壓/遷移率信息。
當(dāng)通過第 一 電流吸收單元186和第二電流吸收單元187的第二電壓VG1J 和第三電壓VG1—2被測(cè)量時(shí)，與第二電壓VG1—i和第三電壓VG1—2之差對(duì)應(yīng)的信 息被供應(yīng)到ADC 182。
此時(shí)，第二電壓和第三電壓之差的絕對(duì)值(I第二電壓-第三電壓I )為
KC1 2-rcl 1=丄I，皿。如所示出的，該等式具有第二晶體管M2,的遷移
率信息。
因此，ADC 182將由感測(cè)電路181供應(yīng)的第二電壓VG1—!和第三電壓VG1—2 之間的差轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值，并且存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)由ADC 182供應(yīng)的第二數(shù) 字值。在實(shí)踐中，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū)中包括的所有像素140，的相應(yīng)的驅(qū) 動(dòng)晶體管M2，的遷移率信息。
換言之，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)通過圖9A至圖9C中示出的操作由ADC 182 供應(yīng)的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值。因此，存儲(chǔ)器191存儲(chǔ)顯示區(qū)130中包括 的每個(gè)像素140，的第二晶體管M2，的遷移率信息和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的 劣化信息。
轉(zhuǎn)換電路192利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器191中的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值將由 時(shí)序控制器150傳輸?shù)妮斎霐?shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)Data，，從而可以顯示 具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體 管M2，的遷移率無(wú)關(guān)。
換言之，轉(zhuǎn)換電路192通過參照第一數(shù)字值來(lái)確定每個(gè)像素140，中包括 的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化程度，同時(shí)通過參照第二數(shù)字值來(lái)測(cè)量每個(gè) 像素140，中包括的第二晶體管M2，的遷移率，從而將從時(shí)序控制器150輸入 的數(shù)據(jù)Data轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)Data，。隨后，轉(zhuǎn)換電路192將校正數(shù)據(jù)Data，供 應(yīng)到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。這樣，可以顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與第 二晶體管M2，的遷移率無(wú)關(guān)，同時(shí)減少或防止隨著有機(jī)發(fā)光二4及管OLED的 劣化而產(chǎn)生低亮度的光。
接著，與校正數(shù)據(jù)("轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)")Data，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)被提供到像素 140，，最終，像素發(fā)射，從而具有對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的灰度級(jí)。
通過將校正數(shù)據(jù)Data，輸入到像素140，來(lái)發(fā)光的過程被劃分成初始化時(shí) 間段、閾值電壓存儲(chǔ)時(shí)間段和對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓被充電(編程)的時(shí)間 段(Vth存儲(chǔ)和編程時(shí)間段)、升壓時(shí)間段以及發(fā)射時(shí)間段。以下將參照?qǐng)D9D 至圖9G來(lái)描述這些時(shí)間^:的操作。
圖9D對(duì)應(yīng)于初始化時(shí)間段。在初始化時(shí)間段中，以低電平施加前一掃 描信號(hào)Sn-l,以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn,以低 電平施加發(fā)射控制信號(hào)En,如圖9D所示。
此外，開關(guān)元件T1截止，使得參考電壓Vref被施加到第六晶體管M6， 的第一電極。
此時(shí)，例如，參考電壓Vref為地電壓(GND， 0V )。
因此，第七晶體管M7，導(dǎo)通，使得施加到第七晶體管M7，的第二電極的 電壓，即第二晶體管M2，的柵極電壓被初始化成參考電壓Vref。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl和第二開關(guān)sw2在初始化時(shí)間 段中都截止，使得像素140，不連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120和感測(cè)單元180。
圖9E對(duì)應(yīng)于閾值電壓存儲(chǔ)和編程(Vth存儲(chǔ)和編程)時(shí)間段。在Vth存 儲(chǔ)和編程時(shí)間段中，以高電平施加前一掃描信號(hào)Sn-l，以低電平施加掃描信 號(hào)Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn，以高電平施加發(fā)射控制信號(hào)En，如所示 出的，使得開關(guān)元件T1截止，以將第六晶體管M6，的第一電極連接到參考電 壓(Vref)源。
因此，像素140，的像素電路內(nèi)的第一晶體管Ml，和第五晶體管M5，導(dǎo)通。 此外，因?yàn)榈谖寰w管M5，導(dǎo)通，所以第二晶體管M2，是二極管接法的晶體 管并且導(dǎo)通。
換言之，利用第二晶體管M2，和第二晶體管M5，的導(dǎo)通，第二節(jié)點(diǎn)B被 施加有與第一電壓ELVDD和第二晶體管M2，的閾值電壓Vth之差對(duì)應(yīng)的電 壓ELVDD-Vth。
因此，如上所述，當(dāng)參考電壓Vref等于第一電壓ELVDD時(shí)，連接在第 一節(jié)點(diǎn)A和第二節(jié)點(diǎn)B之間的電容器C2存儲(chǔ)有第二晶體管M2，的閾值電壓。
此外，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl導(dǎo)通，第二開關(guān)sw2截止，使 得像素140，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感測(cè)電路181內(nèi)的第一開關(guān)元件 SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3全部都截止。
換言之，在由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120施加的數(shù)據(jù)信號(hào)(即，與校正數(shù)據(jù)Data， 對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào))被施加到像素140，的時(shí)間段中，該數(shù)據(jù)信號(hào)通過數(shù)據(jù)線Dm 和第一晶體管Ml，被施加到第一節(jié)點(diǎn)A。
此時(shí)，作為示例，利用該數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第一節(jié)點(diǎn)A的電壓如下
<formula>formula see original document page 30</formula>
其中，100/(100-a)是用于補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化程度的電流 比，Data/(2k-l)是被控制成利用第一輸入數(shù)據(jù)Data來(lái)表示灰度級(jí)的值(k是數(shù)
據(jù)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的DAC的比特?cái)?shù))，卩是吸收電流((1/4)Imax、 Imax)的電流比。 圖9F對(duì)應(yīng)于升壓時(shí)間段。在升壓時(shí)間段中，以高電平施加前一掃描信號(hào)， 以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn,發(fā)射控制信號(hào)En 轉(zhuǎn)變成低電平，如所示出的，使得像素140，的像素電路內(nèi)的第六晶體管M6，導(dǎo)通。
因此，供應(yīng)到第六晶體管M6，的第一電極的參考電壓Vref被施加到第一 節(jié)點(diǎn)A,從而利用在前面的編程時(shí)間段施加的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)改變第一節(jié)點(diǎn)A的 電壓。因此，根據(jù)第一電容器C1和第二電容器C2通過升壓來(lái)改變第二節(jié)點(diǎn) B的電壓。
因此，作為示例，通過升壓時(shí)間段被施加到第二節(jié)點(diǎn)B的電壓如下
<formula>formula see original document page 31</formula>
此外，如在前面的編程時(shí)間,殳中，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl導(dǎo) 通，第二開關(guān)sw2截止，使得像素140，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感測(cè) 電路181內(nèi)的第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3
全部都截止。
最后，圖9G對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管OLED按照與被充電的數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì) 應(yīng)的灰度級(jí)發(fā)光的時(shí)間段。在發(fā)光時(shí)間段中，以高電平施加前一掃描信號(hào) Sn-l,以高電平施加掃描信號(hào)Sn,以高電平施加感測(cè)信號(hào)CLn,以j氐電平施 加發(fā)射控制信號(hào)En,如圖9G所示。因此，第三晶體管M3，導(dǎo)通。
換言之，第三晶體管M3，導(dǎo)通，使得與編程電壓對(duì)應(yīng)的電流通過第三晶 體管M3，被施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED最 終按照與該電流對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)發(fā)光。
此外，如在前面的時(shí)間段中，在開關(guān)單元170中，第一開關(guān)swl導(dǎo)通， 第二開關(guān)sw2截止，使得像素140，連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。因此，感測(cè)電路 181內(nèi)的第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2和第三開關(guān)元件SW3全部 都截止。
與編程電壓對(duì)應(yīng)的電流Io可由下面的等式來(lái)表示。
<formula>formula see original document page 31</formula>C2
2風(fēng)
C1 + C2T100-" 2* — 1 ^C(汰(ff/Z)
義
Cl + C2
100
V
訓(xùn)一a
八
細(xì)JT
由以上等式可以理解，被輸入到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流補(bǔ)償有機(jī) 發(fā)光二極管OLED的劣化程度，并不反映驅(qū)動(dòng)晶體管M2，的遷移率和閾值電 壓的特性。因此，可以顯示具有基本均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極 管OLED的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管M2，的遷移率無(wú)關(guān)。
本發(fā)明的實(shí)施例具有這樣的優(yōu)點(diǎn)，即，可以顯示具有基本均勻的亮度的 圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓/遷移率無(wú)關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括:多個(gè)像素，位于數(shù)據(jù)線、掃描線和發(fā)射控制線的交叉部分，多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管；傳感器，用于感測(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息；轉(zhuǎn)換器，用于存儲(chǔ)有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息，并用于通過利用所述劣化信息和遷移率信息將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，用于接收從轉(zhuǎn)換器輸出的校正數(shù)據(jù)，并用于利用校正數(shù)據(jù)產(chǎn)生通過數(shù)據(jù)線將被供應(yīng)到多個(gè)像素的數(shù)據(jù)信號(hào)。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括用于選"^性地將傳感器 或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器連接到數(shù)據(jù)線的開關(guān)單元。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，開關(guān)單元包括用于每個(gè) 通道的一對(duì)開關(guān)，所述一對(duì)開關(guān)包括第一開關(guān)和第二開關(guān)，第一開關(guān)位于數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器和對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線之間并被構(gòu)造成當(dāng)供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，第二 開關(guān)位于傳感器和所述對(duì)應(yīng)的 一條數(shù)據(jù)線之間并被構(gòu)造成當(dāng)感測(cè)所述劣化信 息和遷移率信息時(shí)導(dǎo)通。
4、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，傳感器包括感測(cè)電路， 每個(gè)感測(cè)電路對(duì)應(yīng)于每個(gè)通道。
5、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括至少一個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器， 模數(shù)轉(zhuǎn)換器用于將有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息轉(zhuǎn)換成第一數(shù)字值并將驅(qū)動(dòng)晶 體管的遷移率信息轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值。
6、 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，轉(zhuǎn)換器包括 存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)第一數(shù)字值和第二數(shù)字值；轉(zhuǎn)換電路，用于利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值將輸入 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)，從而顯示具有均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極 管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率無(wú)關(guān)。
7、 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，感測(cè)電路包括 電流源單元，用于將第 一 電流供應(yīng)到多個(gè)像素中對(duì)應(yīng)的^象素； 第 一 電流吸收單元，用于吸收來(lái)自多個(gè)像素中所述對(duì)應(yīng)的像素的第二電、、云 第二電流吸收單元，用于吸收來(lái)自多個(gè)像素中所述對(duì)應(yīng)的像素的第三電流o
8、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，感測(cè)電路還包括連接到 第 一電流吸收單元和第二電流吸收單元的多個(gè)開關(guān)元件。
9、 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第三電流對(duì)應(yīng)于第二電 流的4j倍，j是整數(shù)。
10、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，多個(gè)像素中的每個(gè)像 素還包括第一晶體管，連接在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線和第一節(jié)點(diǎn)之間，第一晶體管的柵電 極連接到對(duì)應(yīng)的掃描線，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管是第二晶體管，第二晶體管具有 連接到第二節(jié)點(diǎn)的柵電極并具有連接到第 一 電源的第 一 電極；第三晶體管，連接在第二晶體管的第二電極和有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電 極之間，第三晶體管的柵電極連接到對(duì)應(yīng)的發(fā)射控制線；第四晶體管，連接在所述對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線和第三晶體管的第二電極之間， 第四晶體管的柵電極連接到感測(cè)線；第五晶體管，連接在第二晶體管的柵電極和第二電極之間，第五晶體管 的柵電極連接到掃描線中的前 一 掃描線；第六晶體管，連接在參考電壓源和第一節(jié)點(diǎn)之間，第六晶體管的柵電極 連接到所述前一掃描線；第一電容器，連接在第一電源和第二節(jié)點(diǎn)之間；第二電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間。
11、 如權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一晶體管、第二晶 體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管包括PMOS晶體管。
12、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示器,其中，在與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào) 對(duì)應(yīng)的電壓被充電在第一電容器和第二電容器中的時(shí)間段、第二晶體管的閾 值電壓被存儲(chǔ)的時(shí)間段以及有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息被感測(cè)的時(shí)間段中， 以高電平施加被供應(yīng)到發(fā)射控制線的發(fā)射控制信號(hào)。
13、 如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在有才幾發(fā)光二極管的 劣化信息;故感測(cè)的時(shí)間-敬和第二晶體管的遷移率信息-故感測(cè)的時(shí)間段中，以 低電平施加#1供應(yīng)到感測(cè)線的感測(cè)信號(hào)。
14、 如權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，參考電壓源的電壓的電壓電平與來(lái)自第一電源的功率的電壓的電壓電平相同。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，多個(gè)像素中的每個(gè)像 素包括第一晶體管，連接在對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線和第一節(jié)點(diǎn)之間，第一晶體管的柵電 極連接到對(duì)應(yīng)的掃描線，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管是第二晶體管，第二晶體管具有 連接到第二節(jié)點(diǎn)的柵電極并具有連接到第 一 電源的第 一 電極；第三晶體管，連接在第二晶體管的第二電極和有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極電 極之間，第三晶體管的柵電極連接到對(duì)應(yīng)的發(fā)射控制線；第四晶體管，連接在所述對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線和第三晶體管的第二電極之間， 第四晶體管的柵電極連接到感測(cè)線；第五晶體管，連接在第二晶體管的柵電極和第二電極之間，第五晶體管 的柵電極連接到所述對(duì)應(yīng)的掃描線；第六晶體管，連接在參考電壓源或控制線和第一節(jié)點(diǎn)之間，第六晶體管 的柵電極連接到所述對(duì)應(yīng)的發(fā)射控制線；開關(guān)元件，用于將第六晶體管的第 一 電極連接到參考電壓源或控制線；第一電容器，連接在第一電源和第二節(jié)點(diǎn)之間；第二電容器，連接在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第七晶體管，連接在第六晶體管的第一電極和第二晶體管的柵電極之間， 第七晶體管的柵電極連接到掃描線中的前 一掃描線。
16、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，第一晶體管、第二晶 體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管和第七晶體管包 括PMOS晶體管。
17、 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在有機(jī)發(fā)光二極管的 劣化信息被感測(cè)的時(shí)間段、第二晶體管的遷移率信息被感測(cè)的時(shí)間段和第二 晶體管的閾值電壓一皮存儲(chǔ)的時(shí)間段中，以高電平施加^皮供應(yīng)到發(fā)射控制線的發(fā)射控制信號(hào)。
18、 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在有機(jī)發(fā)光二極管的 劣化信息被感測(cè)的時(shí)間段中，以低電平施加被供應(yīng)到感測(cè)線的感測(cè)信號(hào)。
19、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在第二晶體管的遷移 率信息被感測(cè)的時(shí)間段中，開關(guān)元件導(dǎo)通，多個(gè)像素中對(duì)應(yīng)的像素通過不同 于數(shù)據(jù)線的單獨(dú)的控制線連接到傳感器。
20、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，參考電壓源的電壓的 電壓電平與地電源的電壓的電壓電平相同。
21、 一種有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括以下步驟a) 產(chǎn)生第一電壓，同時(shí)將第一電流供應(yīng)到多個(gè)像素中包括的有機(jī)發(fā)光二 極管；b) 將第一電壓轉(zhuǎn)換成第一數(shù)字值，并將第一數(shù)字值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；c) 產(chǎn)生第二電壓，同時(shí)吸收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電流；d) 產(chǎn)生第三電壓，同時(shí)吸收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第三電流；e) 將與第二電壓和第三電壓之差對(duì)應(yīng)的信息轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字值，并將第 二數(shù)字值存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中；f) 利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的第一數(shù)字值和第二數(shù)字值將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成 校正數(shù)據(jù)，以顯示具有均勻的亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū) 動(dòng)晶體管的遷移率無(wú)關(guān)；g) 將與校正數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)提供到數(shù)據(jù)線。
22、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，在從將功率從電源施加到有機(jī)發(fā) 光顯示器之后到顯示圖像之前的非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行步驟a)至步驟g)，并 且在每次將功率從電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，執(zhí)行步驟a)至步驟g)。
23、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，在有機(jī)發(fā)光顯示器作為產(chǎn)品發(fā)布 之前執(zhí)行步驟c)至步驟e),從而預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果，并在每次將功率從電源 施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)利用預(yù)先存儲(chǔ)的性能結(jié)果。
24、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，第三電流對(duì)應(yīng)于第二電流的4j 倍，j是整數(shù)。
25、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，第一電壓包括有機(jī)發(fā)光二極管的 劣化信息。
26、 如權(quán)利要求21所述的方法，其中，第二電壓和第三電壓之差包括驅(qū) 動(dòng)晶體管的遷移率信息。
27、 一種有機(jī)發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括以下步驟通過利用第 一 電流測(cè)量多個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光二極管的電壓變化，并存 儲(chǔ)所述電壓變化；順序地吸收通過多個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電流和第三電流，從而 測(cè)量對(duì)應(yīng)于第二電流的第二電壓和對(duì)應(yīng)于第三電流的第三電壓，并存儲(chǔ)第二 電壓和第三電壓之差；利用所述電壓變化與第二電壓和第三電壓之差將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)，從而補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的劣化和驅(qū)動(dòng)晶體管中的遷移率的變化；在顯示時(shí)間段期間，將對(duì)應(yīng)于校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到多個(gè)像素，并 通過初始化過程補(bǔ)償多個(gè)像素的相應(yīng)像素電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓。
28、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，在從將功率/人電源施加到有機(jī)發(fā) 光顯示器之后到顯示圖像之前的非顯示時(shí)間段中，執(zhí)行所述測(cè)量多個(gè)像素中 的有機(jī)發(fā)光二極管的電壓變化并存儲(chǔ)所述電壓變化的步驟，并且在每次將功 率從電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器時(shí)，執(zhí)行所述測(cè)量多個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光二 極管的電壓變化并存儲(chǔ)所述電壓變化的步驟。
29、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，在有機(jī)發(fā)光顯示器作為產(chǎn)品發(fā)布 之前執(zhí)行所述測(cè)量第二電壓和第三電壓并存儲(chǔ)第二電壓和第三電壓之差的步 驟，從而預(yù)先存儲(chǔ)性能結(jié)果，并在每次將功率從電源施加到有機(jī)發(fā)光顯示器 時(shí)利用預(yù)先存儲(chǔ)的性能結(jié)果。
30、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，在初始化過程期間，驅(qū)動(dòng)晶體管 是二極管接法的晶體管，使得驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的電壓與有機(jī)發(fā)光二極管 的陰極電極的電壓相同。
31、 如權(quán)利要求27所述的方法，其中，通過初始化過程，驅(qū)動(dòng)晶體管的 柵電極的電壓與參考電壓相同。
32、 如權(quán)利要求31所述的方法，其中，參考電壓的電壓值與地電源的電 壓值相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)像素，位于數(shù)據(jù)線、掃描線和發(fā)射控制線的交叉部分；傳感器，用于感測(cè)每個(gè)像素中包括的有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息；轉(zhuǎn)換器，用于存儲(chǔ)利用傳感器感測(cè)的有機(jī)發(fā)光二極管的劣化信息和驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率信息，并通過利用所存儲(chǔ)的信息將輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成校正數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，接收校正數(shù)據(jù)，并產(chǎn)生將被供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101373578SQ20081021331
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2008年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者權(quán)五敬 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社;漢陽(yáng)大學(xué)校產(chǎn)業(yè)協(xié)力團(tuán)