專利名稱：一種槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種槽型等離子體顯示板，尤其是是槽型等離子體顯示板的電極尋址驅(qū)動(dòng)方法，具體地說是一種利用SMPDP屏在尋址放電過程中有一固定放電延遲時(shí)間的特性，將相鄰尋址行的尋址脈沖進(jìn)行部分重合，從而達(dá)到縮短總尋址時(shí)間、加速尋址速度的目的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
20世紀(jì)90年代初興起的等離子體平板顯示器(PDP)，以其數(shù)字化，大屏幕，高分辨率，高清晰度，寬視角以及厚度薄，重量輕等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。
目前現(xiàn)有的多數(shù)PDP屏都采用三電極交流等離子體平板顯示器(ACC-PDP)，3個(gè)電極呈正交狀分布于前后基板上，放電則在兩個(gè)基板之間進(jìn)行，前基板上水平分布著維持電極(X電極)和掃描電極(Y電極)，兩者一起被稱為顯示電極，在后基板上豎直分布著尋址電極(A電極)，X電極和Y電極相互平行并與A電極正交。在ACC-PDP顯示中，在維持期，X電極和Y電極交替加上高壓，使在尋址期積累了壁電荷的單元產(chǎn)生放電。
槽型等離子體顯示板(SMPDP)采用的具體結(jié)構(gòu)參見附圖1。槽型等離子體顯示板的結(jié)構(gòu)主要由后基板1、柵網(wǎng)板3和前基板2構(gòu)成。后基板1包括后襯底玻璃基板4，在后襯底玻璃基板4上形成的薄膜第一電極5(列電極、尋址電極)，在后襯底玻璃基板4上形成的絕緣層6；前基板2包括前襯底玻璃基板8，在前襯底玻璃基板8下表面上形成與后基板1上的第一電極5成空間垂直正交的第二電極9(行電極、掃描電極)，在第二電極9的下表面上形成的介電層10，在前襯底玻璃基板8和介質(zhì)層10上形成的保護(hù)膜11；行電極和列電極在前、后基板裝配完成后呈垂直分布；夾在前后基板1、2之間的柵網(wǎng)板3是一塊包含網(wǎng)格孔陣列的導(dǎo)電板(公共電極)，它可以是金屬板，亦可以是表面鍍上金屬導(dǎo)電層的介質(zhì)板。柵網(wǎng)板上的網(wǎng)孔與行電極和列電極的交叉點(diǎn)位置一一對(duì)應(yīng)，在網(wǎng)格孔中充以一定氣壓的所需工作氣體，就成為該等離子體顯示屏的放電單元空間。
在槽型等離子體顯示板SMPDP的顯示過程中，一般先由重置期對(duì)全屏所有放電單元進(jìn)行歸一化處理，隨后在尋址期，由行掃描電極9依次發(fā)生行尋址脈沖，與列數(shù)據(jù)電極5上的數(shù)據(jù)脈沖配合實(shí)現(xiàn)對(duì)全屏放電單元?dú)怏w放電初始化程序的建立，即在需要尋址的單元建立壁電荷積累，之后在維持期，由行掃描電極9施加正負(fù)交替的高壓維持脈沖使尋址期積累了壁電荷的單元持續(xù)進(jìn)行氣體放電，產(chǎn)生紫外線激發(fā)熒光粉發(fā)出對(duì)應(yīng)顏色的光，矩陣排列的放電單元的明暗組合實(shí)現(xiàn)圖像顯示。
傳統(tǒng)的SMPDP尋址工作方式都是在前一行尋址脈沖結(jié)束后在下一尋址行對(duì)應(yīng)電極上發(fā)出尋址脈沖，因此行電極尋址脈沖為依次發(fā)生，中間沒有交疊現(xiàn)象，對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)電極的信號(hào)切換與尋址脈沖的上下沿亦保持一致。隨著SMPDP向高分辨率應(yīng)用發(fā)展，尋址的行電極數(shù)量不斷增加，尋址期的時(shí)間也隨之增加，于是在高分辨率應(yīng)用中，SMPDP顯示過程中可以安排的子場(chǎng)數(shù)量和維持期時(shí)間長(zhǎng)度受到限制，直接影響SMPDP顯示畫面質(zhì)量和顯示亮度指標(biāo)。
槽型等離子體顯示板SMPDP在尋址放電過程中有一固定延時(shí)的工作特性，參見圖2，即在尋址脈沖的最初一段時(shí)間內(nèi)，SMPDP的放電單元不會(huì)形成放電，這段時(shí)間可以稱之為固定放電延遲201；隨后SMPDP的尋址放電在一段時(shí)間內(nèi)呈概率性分布，這段時(shí)間可以稱之為統(tǒng)計(jì)放點(diǎn)延遲202。固定放電延遲時(shí)間與統(tǒng)計(jì)放電延遲時(shí)間的和為SMPDP有效放電時(shí)間，作為確定SMPDP尋址脈沖寬度的依據(jù)，稱為槽型等離子體顯示板必需的行尋址脈沖寬度。槽型等離子體顯示板實(shí)際采用的有效行尋址脈沖寬度皆大于該槽型等離子體顯示板必需的行尋址脈沖寬度。
為此急需設(shè)計(jì)一種能在不改變單個(gè)尋址脈沖有效寬度及不增加誤尋址放電幾率的基礎(chǔ)上，使全屏尋址期的時(shí)間縮短的實(shí)現(xiàn)高速尋址方法以解決目前高分辨率等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有的槽型等離子體顯示板尋址驅(qū)動(dòng)過程中存在一固定延遲時(shí)間，從而延長(zhǎng)了尋址時(shí)間，影響到驅(qū)動(dòng)效率提高的問題，提供一種槽型等離子體顯示板適用的在不改變單個(gè)尋址脈沖有效寬度及不增加尋址放電幾率的基礎(chǔ)上縮短尋址時(shí)間的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，包括在槽型等離子體顯示板正常工作過程中的尋址期內(nèi)，由在前基板上的行尋址電極順序發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖和由在后基板上的列數(shù)據(jù)電極對(duì)應(yīng)發(fā)生的正向數(shù)據(jù)脈沖，其特征是使相鄰兩個(gè)行尋址電極發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖產(chǎn)生一固定時(shí)間段的交疊重合期，從而縮短尋址時(shí)間。
其中第一尋址行電極僅與第二尋址行電極的行尋址脈沖有一段時(shí)間的交疊期；最后一個(gè)尋址行電極僅與倒數(shù)第二個(gè)尋址行電極的行尋址脈沖有一段時(shí)間的交疊期；其余所有尋址行電極的行尋址脈沖既與前一尋址行電極的行尋址脈沖交疊，又與后一尋址行電極的行尋址脈沖交疊。
尋址順序非相鄰的任意兩個(gè)尋址行電極的行尋址脈沖沒有交疊期。
任意尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖除了與相鄰行電極的行尋址脈沖交疊期外，都有一段獨(dú)立時(shí)間，沒有與其它任一行電極的行尋址脈沖交疊。
任意尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖寬度大于槽型等離子體顯示板必需的行尋址脈沖寬度；任意兩相鄰尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖的交疊期小于槽型等離子體顯示板在尋址放電時(shí)的固定放電延遲時(shí)間。
列數(shù)據(jù)電極發(fā)生的數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)在行尋址脈沖的交疊期發(fā)生當(dāng)前交疊的兩個(gè)行電極對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的或邏輯輸出；在行尋址脈沖交疊期以外的獨(dú)立時(shí)間段發(fā)生當(dāng)前行電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
相鄰尋址行電極表明其在尋址順序中相鄰，在槽型等離子體顯示板前基板上的空間排列位置方面可以相鄰，也可以不相鄰。
槽型等離子體顯示板在進(jìn)入尋址期后，由前基板上的行電極發(fā)生負(fù)行掃描尋址脈沖，與列數(shù)據(jù)電極上的正數(shù)據(jù)脈沖，兩者的組合實(shí)現(xiàn)對(duì)該行電極和該列電極交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)的放電單元實(shí)現(xiàn)尋址；行電極按照一定順序發(fā)生行尋址脈沖，在單個(gè)尋址期內(nèi)，所有行電極都只發(fā)生過一次行尋址脈沖，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)全屏所有單元的遍歷尋址。
單一行電極發(fā)生的負(fù)掃描尋址脈沖與其相鄰尋址行電極發(fā)生的負(fù)掃描尋址脈沖之間的關(guān)系，以及單一行電極發(fā)生的負(fù)掃描尋址脈沖與列電極發(fā)生的正數(shù)據(jù)脈沖之間的關(guān)系參見附圖3。當(dāng)某一尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖尚未結(jié)束的時(shí)候就在計(jì)劃的下一尋址行電極發(fā)生又一行尋址脈沖，即相鄰兩個(gè)行電極發(fā)生的行尋址脈沖具有一段交疊時(shí)間。原本不交疊的、依次發(fā)生的尋址脈沖經(jīng)過交疊處理后，總尋址期時(shí)間得到了縮短。其中，每個(gè)行尋址脈沖的寬度大于槽型等離子體顯示板必需的有效行尋址脈沖基本寬度，相鄰尋址行脈沖的交疊時(shí)間小于槽型等離子體顯示板的尋址放電固定延遲時(shí)間，每個(gè)行尋址脈沖都留有一段獨(dú)立工作時(shí)間，不與任一其它行電極發(fā)生的行尋址脈沖重合。
本發(fā)明的有益效果由于槽型等離子體顯示板在尋址放電過程中有一固定延遲時(shí)間，即在尋址脈沖的最初一段時(shí)間內(nèi)SMPDP的放電單元不會(huì)形成放電。利用槽型等離子體顯示板的這一特性，本發(fā)明在不改變單個(gè)尋址脈沖有效寬度及不增加誤尋址放電幾率的基礎(chǔ)上，使全屏尋址期的時(shí)間縮短。有利于增加SMPDP子場(chǎng)數(shù)量編排和增加維持時(shí)間，從而提高槽型等離子體顯示板的綜合顯示效果。


圖1是槽型等離子體顯示板放電單元矩陣組成的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是槽型等離子體顯示板尋址放電的延遲時(shí)間特性示意圖。
圖3是槽型等離子體顯示板的一種交疊尋址波形方案示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
如圖1-3所示。
一種槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，包括在槽型等離子體顯示板正常工作過程中的尋址期內(nèi)，由在前基板上的行尋址電極順序發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖和由在后基板上的列數(shù)據(jù)電極對(duì)應(yīng)發(fā)生的正向數(shù)據(jù)脈沖，使相鄰兩個(gè)行尋址電極發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖產(chǎn)生一固定時(shí)間段的交疊重合期，可以達(dá)到縮短尋址時(shí)間，提高顯示效率的目的。
具體實(shí)施方法為槽型等離子體顯示板采用一定數(shù)量的子場(chǎng)在一幀時(shí)間內(nèi)的組合構(gòu)成帶有一定灰度等級(jí)的圖案的顯示機(jī)制。每個(gè)子場(chǎng)內(nèi)都設(shè)定有尋址期，負(fù)責(zé)對(duì)所有槽型等離子體顯示板的放電單元進(jìn)行尋址放電激勵(lì)遍歷。當(dāng)槽型等離子體顯示板進(jìn)入一個(gè)尋址期后，先由第一尋址行電極發(fā)生負(fù)向?qū)ぶ访}沖，相對(duì)應(yīng)在列數(shù)據(jù)電極同時(shí)發(fā)生第一尋址行電極的數(shù)據(jù)脈沖；當(dāng)?shù)谝粚ぶ沸须姌O的行尋址脈沖尚未結(jié)束的時(shí)候，在第二尋址行電極上也發(fā)生了負(fù)向?qū)ぶ访}沖，此時(shí)，列數(shù)據(jù)電極發(fā)生的數(shù)據(jù)信號(hào)變?yōu)榈谝粚ぶ沸须姌O和第二尋址行電極對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的邏輯或；當(dāng)?shù)谝粚ぶ沸须姌O的尋址脈沖結(jié)束后，列數(shù)據(jù)電極的輸出改為第二尋址行電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)；當(dāng)?shù)诙ぶ沸须姌O的尋址脈沖尚未結(jié)束的時(shí)候，在第三尋址行電極上也發(fā)生了負(fù)向?qū)ぶ访}沖，列數(shù)據(jù)電極的輸出變化為第二尋址行電極和第三尋址行電極對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的邏輯或；同理，尋址行電極依次發(fā)生行尋址脈沖，列數(shù)據(jù)電極也不斷變化輸出邏輯；當(dāng)?shù)箶?shù)第二尋址行電極的尋址脈沖尚未結(jié)束的時(shí)候，最后的尋址行電極發(fā)生了負(fù)向?qū)ぶ访}沖，列數(shù)據(jù)電極發(fā)送倒數(shù)第二尋址行電極和最后的尋址行電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的邏輯或；當(dāng)?shù)箶?shù)第二尋址行電極的尋址脈沖結(jié)束后，列數(shù)據(jù)電極的輸出變化為最后的尋址行電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)；當(dāng)最后的行電極的尋址脈沖結(jié)束后，列數(shù)據(jù)電極的輸出變?yōu)榱?等效接地)，尋址期結(jié)束。
如圖3所示，當(dāng)前尋址行電極303與前一尋址行電極302有一段重合時(shí)間305；當(dāng)前尋址行電極303與后一尋址行電極304有一段重合時(shí)間307；重合時(shí)間段305和307都小于槽型等離子體顯示屏在尋址期的固定放電延遲時(shí)間；時(shí)間段305和時(shí)間段307不相互重合，中間有一獨(dú)立時(shí)間段306；數(shù)據(jù)電極301對(duì)應(yīng)輸出脈沖在尋址脈沖重合時(shí)間段305和307遵循兩重合行有效獨(dú)立數(shù)據(jù)輸出相或邏輯；數(shù)據(jù)電極301在行尋址獨(dú)立時(shí)間段306對(duì)應(yīng)輸出脈沖為當(dāng)前行有效獨(dú)立數(shù)據(jù)輸出邏輯。
權(quán)利要求
1.一種槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，包括在槽型等離子體顯示板正常工作過程中的尋址期內(nèi)，由在前基板上的行尋址電極順序發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖和由在后基板上的列數(shù)據(jù)電極對(duì)應(yīng)發(fā)生的正向數(shù)據(jù)脈沖，其特征是使相鄰兩個(gè)行尋址電極發(fā)生的負(fù)向行尋址脈沖產(chǎn)生一固定時(shí)間段的交疊重合期，從而縮短尋址時(shí)間，提高分辨率，改善顯示效果。
2.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，其中第一尋址行電極僅與第二尋址行電極的行尋址脈沖有一段時(shí)間的交疊期；最后一個(gè)尋址行電極僅與倒數(shù)第二個(gè)尋址行電極的行尋址脈沖有一段時(shí)間的交疊期；其余所有尋址行電極的行尋址脈沖既與前一尋址行電極的行尋址脈沖交疊，又與后一尋址行電極的行尋址脈沖交疊。
3.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，其中尋址順序非相鄰的任意兩個(gè)尋址行電極的行尋址脈沖沒有交疊期。
4.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址方法，其中任意尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖除了與相鄰行電極的行尋址脈沖交疊期外，都有一段獨(dú)立時(shí)間，沒有與其它任一行電極的行尋址脈沖交疊。
5.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，其中任意尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖寬度大于槽型等離子體顯示板必需的行尋址脈沖寬度；任意兩相鄰尋址行電極發(fā)生的行尋址脈沖的交疊期小于槽型等離子體顯示板在尋址放電時(shí)的固定放電延遲時(shí)間。
6.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，其中列數(shù)據(jù)電極發(fā)生的數(shù)據(jù)脈沖信號(hào)在行尋址脈沖的交疊期發(fā)生當(dāng)前交疊的兩個(gè)行電極對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)的或邏輯輸出；在行尋址脈沖交疊期以外的獨(dú)立時(shí)間段發(fā)生當(dāng)前行電極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
7.如權(quán)利要求1所述的槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，其中相鄰尋址行電極表明其在尋址順序中相鄰，在槽型等離子體顯示板前基板上的空間排列位置方面可以相鄰，也可以不相鄰。
全文摘要
一種槽型等離子體顯示板的尋址驅(qū)動(dòng)方法，屬于等離子體顯示板技術(shù)領(lǐng)域，它利用相鄰尋址脈沖具有一定的重合時(shí)間的驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，使相鄰尋址脈沖產(chǎn)生一固定時(shí)間段的重疊，從而縮短系統(tǒng)尋址期的時(shí)間。它在保證所有行尋址脈沖有效寬度不變的情況下，既沒有增加尋址錯(cuò)誤幾率，又有效地縮短了整體尋址期時(shí)間，為系統(tǒng)提供更多子場(chǎng)編排機(jī)會(huì)和更多維持發(fā)光時(shí)間，對(duì)于提高槽型等離子體顯示板的綜合顯示質(zhì)量將有很好的幫助。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101067916SQ20071002129
公開日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月26日
發(fā)明者湯勇明, 王保平, 朱立鋒, 張 雄, 鄭姚生 申請(qǐng)人:南京華顯高科有限公司