專利名稱：等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是利用由氣體放電過程產(chǎn)生的等離子體顯示字符或者圖像的平板顯示器。它包括多個以矩陣形式排列的放電單元。
在等離子體顯示裝置的面板上，場(例如1電視場)被分為多個子場，多個子場分別具有一定的權(quán)重?；叶燃売勺訄鲋g的權(quán)重的組合來表示，灰度級用于執(zhí)行顯示操作。各子場具有尋址周期，其中執(zhí)行用于在多個放電單元中選擇發(fā)光的放電單元和不發(fā)光的放電單元的尋址操作。各子場還包括維持周期，其中維持放電發(fā)生在所選擇的放電單元中用于在對應(yīng)于該子場的權(quán)重的周期中執(zhí)行顯示操作。
這種等離子體顯示裝置利用分別具有不同權(quán)重的子場來表示各自的灰度級?；叶燃売啥鄠€子場中發(fā)光的放電單元的子場的權(quán)重值的總和來表示。例如，當(dāng)子場分別具有2的冪的格式的權(quán)重值時，且127灰度級和128灰度級分別表示一個放電單元的兩個連續(xù)的幀動態(tài)錯誤的輪廓線可能發(fā)生。
當(dāng)尋址周期和維持周期關(guān)于時間被分開時，由于除了維持放電的維持周期之外，尋址所有放電單元的尋址周期在各自的子場中形成，一個子場的長度可能增加。由于子場的長度被增加，因此一個子場中所用的子場數(shù)目是有限的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明已經(jīng)致力于提供一種等離子體顯示裝置及其驅(qū)動方法，該等離子體顯示裝置用于減少錯誤的輪廓以及子場的長度。
本發(fā)明的這些和其它目的可以通過提供一種通過一個場劃分的多個子場驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法而獲得，該等離子體顯示裝置包括多個行電極，多個列電極，由多個行電極和多個列電極分別定義的多個放電單元，該方法包括將多個行電極分為第一行電極組和第二行電極組，將第一行電極組分為多個第一子組，將第二行電極組分為多個第二子組；在多個子場中選擇的第一子場組的各個第一子場中，當(dāng)從多個第一子組中選出的一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元時，在分別對應(yīng)于至少一個第二子組的第一周期期間，維持放電從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組的發(fā)光單元；在各個第一子場中，當(dāng)從多個第二子組中選出的一個第二子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元時，在分別對應(yīng)于至少一個第一子組的第二周期期間，維持放電從多個第一子組中選擇的至少一個第一子組的發(fā)光單元；至少一個第二子組的發(fā)光單元的維持放電還包括至少施加一次分別具有反相的高電平電壓和低電平電壓的第一維持脈沖和第二維持脈沖到至少一個第二子組的發(fā)光單元的第一電極和第二電極；且當(dāng)或者將高電平電壓或者將低電平電壓施加于第一和第二電極時，從一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元還包括將第一尋址脈沖提供給一個子組的第三電極。
在至少一個周期期間優(yōu)選不施加第一尋址脈沖，該周期或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從低電平電壓增加到高電平電壓的周期，或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從高電平電壓減小到低電平電壓的周期。
在從第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，多個第二子組的發(fā)光單元優(yōu)選在第一周期期間被維持放電，且多個第一子組的發(fā)光單元優(yōu)選在第二周期期間被維持放電。
在第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，第一周期優(yōu)選對應(yīng)于從該一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期。
在第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，除第一周期之外，在一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期期間，至少一個第二子組的發(fā)光單元優(yōu)選不被維持放電，且除第二周期之外，在一個第二子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期期間，至少一個第一子組的發(fā)光單元優(yōu)選不被維持放電。
在第一子場組的至少一個第一子場中，除了從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組之外的第二子組在從一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元的周期中優(yōu)選不被維持放電。
第一子場組的各個第一子場優(yōu)選分別具有相同的權(quán)重值。
可替換地，從第一子場組之中選擇的部分第一子場優(yōu)選分別具有相同的權(quán)重值，其余的第一子場優(yōu)選分別具有一個權(quán)重值，該權(quán)重值低于該部分第一子場的權(quán)重值。
第一行電極組優(yōu)選包括提供在等離子體顯示裝置上部上并從多個第一電極中選擇的第一電極，且第二行電極組優(yōu)選包括提供在等離子體顯示裝置的下部上并從多個第一電極中選擇的第一電極。
本發(fā)明的這些和其它目的還通過提供一種等離子體顯示裝置而獲得，該等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板(PDP)，其包括多個第一電極，多個第二電極，以與第一電極和第二電極交叉方向排列的多個第三電極，以及由第一電極、第二電極和第三電極定義的多個單元；控制器，其用于將一個場分為多個子場，將多個第一電極分為第一組和第二組，將第一組的第一電極分為多個第一子組，并將第二組的第一電極分為多個第二子組；以及驅(qū)動器，其用于驅(qū)動多個第一電極，多個第二電極，以及多個第三電極；在從多個子場中選擇的各個連續(xù)的第一子場中，驅(qū)動器用于在對于各個第一子組的第一周期期間，從各個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元，并在第二周期期間，維持放電從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組的發(fā)光單元，該第二周期是第一周期的至少一部分；在對于各個第二子組的第三周期期間，從各個第二子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元，第三周期位于鄰近的第一周期之間，用于在第四周期期間將分別具有反相的高電平電壓和低電平電壓的第一維持脈沖和第二維持脈沖提供給至少一個第一子組的發(fā)光單元的第一和第二電極，該第一子組選自于多個第一子組，第四周期是第三周期的至少一部分，并維持放電第一和第二電極；以及當(dāng)或者高電平電壓或者低電平電壓被提供給第一和第二電極時，通過將第一尋址脈沖提供給一個子組的第三電極，從一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元。
驅(qū)動器在至少一個周期期間優(yōu)選不提供第一尋址脈沖，該周期或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從低電平電壓增加到高電平電壓的周期，或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從高電平電壓減小到低電平電壓的周期。
在多個第一子場之前提供的第二子場中，驅(qū)動器優(yōu)選用于從第一組的放電單元中選擇發(fā)光單元，用于維持放電第一組的發(fā)光單元，從第二組的放電單元中選擇發(fā)光單元，并維持放電第二組的發(fā)光單元。
在第二子場中選擇發(fā)光單元之前，驅(qū)動器優(yōu)選用于將多個放電單元設(shè)置為不發(fā)光單元狀態(tài)。
第二周期比第一周期短，且第四周期比第三周期短?？商鎿Q地，第二周期優(yōu)選等于第一周期，且第四周期等于第三周期。
當(dāng)考慮到結(jié)合附圖參考下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明變得更容易理解，因而本發(fā)明的更完整的評價，以及其伴隨的諸多優(yōu)勢將顯而易見，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的元件。其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的方框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例應(yīng)用于等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的電極劃分配置的圖表；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置驅(qū)動方法的圖；圖4是表示描述圖3的驅(qū)動方法的子場的視圖；圖5是施加于圖3的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形；圖6和圖7是表示根據(jù)本發(fā)明的第一和第二示例性實(shí)施例的圖3的驅(qū)動方法中表示灰度級的方法的相應(yīng)的視圖；圖8A和圖8B是實(shí)現(xiàn)子場SF1至SF6的權(quán)重值的各自的波形圖；圖9和圖10是根據(jù)本發(fā)明第三和第四示例性實(shí)施例表示等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的相應(yīng)的圖；圖11A和圖11B是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的波形圖。
具體實(shí)施例方式
在下面詳細(xì)的描述中，簡單地通過說明的方式僅示出和描述本發(fā)明特定的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識到描述的實(shí)施例可以以不同的方式進(jìn)行修改，都不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，附圖和說明實(shí)際上被看作是說明性的而不是限制性的。在整篇說明書中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
此外，下面說明中提到的壁電荷是形成并累積在放電單元電極附近的壁(例如介電層)上的電荷。盡管壁電荷并不實(shí)際接觸電極，但是壁電荷被描述為“形成”或“累積”在電極上。此外，壁電壓是壁電荷形成在放電單元的壁上的電勢差。
下面參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的方框圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置包括等離子體顯示板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器300、掃描電極驅(qū)動器400以及維持電極驅(qū)動器500。
PDP 100包括沿列方向延伸的多個尋址電極A1至Am，沿行方向延伸的成對的多個維持電極X1至Xn和多個掃描電極Y1至Yn。通常，X電極的X1至Xn分別對應(yīng)于Y電極的Y1至Yn，且顯示操作受到維持周期期間X和Y電極的影響，Y和X電極Y1至Yn和X1至Xn垂直于A電極A1至Am排列。形成在尋址電極A1至Am與維持和掃描電極X1至Xn以及Y1至Yn交叉的區(qū)域的放電空間形成放電單元12。圖1的PDP 100的結(jié)構(gòu)是一種示例性結(jié)構(gòu)，且其它示例性結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于本發(fā)明。成對沿行方向延伸的X和Y電極在下文中將稱為行電極，沿列方向延伸的A電極在下文將稱為列電極。
控制器200接收外部視頻信號并輸出A電極驅(qū)動控制信號、X電極驅(qū)動控制信號和Y電極驅(qū)動控制信號。此外，控制器200將幀分為分別具有亮度權(quán)重值的多個子場，并驅(qū)動它們。此外，控制器200輸出控制信號，從而多個行電極被分為第一行電極組和第二行電極組，且第一和第二行電極組能分別分為多個子組。
尋址驅(qū)動器300從控制器200接收A電極驅(qū)動控制信號，并將顯示數(shù)據(jù)信號提供給各A電極以選擇要顯示的放電單元。
掃描電極驅(qū)動器400從控制器200接收Y電極驅(qū)動控制信號并將驅(qū)動電壓提供給Y電極。
維持電極驅(qū)動器500從控制器200接收X電極驅(qū)動控制信號并將驅(qū)動電壓提供給X電極。
下面將參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例應(yīng)用于等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的電極劃分配置的圖表。
如圖2所示，多個行電極X1至Xn以及Y1至Yn被分為兩個行電極組G1和G2。第一行電極組G1包括提供在PDP 100上部上的多個行電極X1至Xn/2以及Y1至Yn/2，第二行電極組包括提供在PDP 100下部上的多個行電極X(n/2)+1至Xn以及Y(n/2)+1至Yn。此外，各第一和第二行電極組G1和G2之中的多個Y電極被分成多個子組G11至G18以及G21至G28。在圖2中，各個第一和第二行電極組G1和G2被分為八個子組G11至G18和G21至G28。
此外，在第一行電極組G1之中，第一至第j Y電極Y1至Yj被設(shè)置為第一子組G11，第j+1至第2j Y電極Yj+1至Y2j被設(shè)置為第二子組G12。如上所述，第八子組G8包括第(7j+1)至第(n/2)Y電極Y7j+1至Yn/2(這里，j是1至n/16之間的整數(shù))。在以第一行電極組G1相同的方式下，在第二行電極組G2之中，第(8j+1)至第9j Y電極Y8j+1至Y9j被設(shè)置為第一子組G21，第(9j+1)至第10j Y電極Y9j+1至Y10j被設(shè)置為第二子組G22。因此，第八子組G28包括第(15j+1)至第n Y電極Y15j+1至Yn。與上述不同，在第一和第二行電極組G1和G2之中，相互分開預(yù)定間隔的Y電極能形成一子組，且如果必要的話，Y電極能被不規(guī)則地分組。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的視圖。在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，假定尋址周期和維持周期的長度相同，且在所有子場中尋址周期具有相同的長度。
如圖3所示，一個場包括多個子場SF1至SFL。第一至第L子場SF1至SFL分別包括尋址周期EA111至EAL18和EA121至EAL28以及維持周期S111至SL18和S121至SL28，且第一至第L子場SF1至SFL的尋址周期EA111至EAL18形成在選擇性擦除尋址方法中。如參考圖2所述的，多個行電極X1至Xn和Y1至Yn被分成第一和第二行電極組G1和G2，且第一和第二行電極組G1和G2分別分為多個子組G11至G18和G21至G28。
選擇性寫方法和選擇性擦除方法能用于在多個放電單元之中選擇用于發(fā)光的放電單元(下文稱為“發(fā)光單元”)和不發(fā)光的放電單元(下文稱為“不發(fā)光單元”)。在選擇性寫方法中，選擇發(fā)光單元并形成預(yù)定的壁電壓，且在選擇性擦除方法中，選擇不發(fā)光單元并擦除先前形成的壁電壓。也就是，在選擇性寫方法中，通過尋址放電在非寫發(fā)光單元狀態(tài)中的單元，非寫發(fā)光單元狀態(tài)中的單元被設(shè)置為處于發(fā)光單元狀態(tài)并形成壁電荷，且在選擇性擦除方法中，通過尋址放電發(fā)光單元狀態(tài)中的單元，發(fā)光單元狀態(tài)中的單元被設(shè)置為處于不發(fā)光單元狀態(tài)并擦除壁電荷。在下文中，選擇性寫方法中形成壁電荷的尋址放電將被稱為“寫放電”，在選擇性擦除方法中擦除壁電荷的尋址放電將被稱為“擦除放電”。
回過頭來參考圖3，在選擇性擦除方法中，恰好在具有尋址周期EA111至EAL18和EA121至EAL28的第一至第L子場SF1至SFL之中的第一子場SF1的尋址周期EA111之前提供通過初始化所有放電單元將所有放電單元設(shè)置處于發(fā)光單元狀態(tài)的復(fù)位周期R。在復(fù)位周期R期間，所有的放電單元被初始化為處于發(fā)光單元狀態(tài)，從而放電單元在尋址周期EA1期間能被擦除放電。
隨后，在第一子場SF1中順序執(zhí)行第一和第二行電極組G1和G2的第一至第八子組G11至G18和G21至G28的尋址周期EA111至EAL18和EA121至EAL28和維持周期S111至SL18和S121至SL28的操作。在這種情況下，在第一行電極組G1各子場SF1至SFL中從第一子組G11至第八子組G18順序執(zhí)行尋址周期EA111至EAL18和維持周期S111至SL18的操作，在第二行電極組G2各子場SF1至SFL中從第八子組G28至第一子組G21順序執(zhí)行尋址周期EA128至EAL21和維持周期S128至SL21的操作。也就是，在第一行電極組G1的第k子場SFk中，執(zhí)行第i子組G1i的尋址周期EAk1i的操作之后，執(zhí)行第i子組的維持周期Sk1i的操作(這里，k是1和L之間的整數(shù)，i是1和8之間的整數(shù))。隨后，執(zhí)行第(i+1)子組G1(i+1)的尋址周期EAk1(i+1)和維持周期Sk1(i+1)的操作。在第二行電極組G2的第k子場SFk中，執(zhí)行第(i+1)子組G2(i+1)的尋址周期EAk2i的操作，然后執(zhí)行第(i+1)子組G2(i+1)的維持周期Sk2(i+1)的操作。隨后，執(zhí)行第i子組G2i的尋址周期EAk2i和維持周期Sk2i的操作。
當(dāng)在第k子場SFk中執(zhí)行第一行電極組G1的第i子組G1i的維持周期Sk1i的操作時，執(zhí)行第二行電極組G2的第(8-(i-1))子組G2(8-(i-1))的尋址周期EAk2(8-(i-1))的操作。以同樣的方式，當(dāng)在第k子場SFk中執(zhí)行第二行電極組G2的第(8-(i-1))子組G2(8-(i-1))的維持周期Sk2(8-(i-1))的操作時，在第一行電極組G1中執(zhí)行第(i+1)子組G1(i+1)的尋址周期EAk1(i+1)的操作。
然而，如圖3所示，當(dāng)在第k個子場中執(zhí)行第二行電極組G2的第一子組G21的維持周期Sk21的操作時，在第一行電極組G1中執(zhí)行第一子組G11的第(k+1)子場的尋址周期EA(k+1)11的操作。
雖然已經(jīng)說明在圖3中的第二行電極組G2中從第八子組G28至第一子組G21順序執(zhí)行尋址周期EA128至EAL21和維持周期S128至SL21的操作，但可以以與第一行電極組G1相同的方式，在第二行電極組G2中從第一子組G21至第八子組G28順序執(zhí)行尋址周期EA121至EAL28和維持周期S121至SL28的操作。此外，可以以不同于圖3所示的順序在第一和第二行電極組G1和G2中執(zhí)行尋址和維持周期的操作。
現(xiàn)在將描述第一行電極組G1的各個子場SF1至SFL。各個子場SF1至SFL中的尋址周期和維持周期的操作基本上是相同的，因此將描述第k子場SFk的操作(這里，k是1和L之間的整數(shù))。
在第k子場SFk中，在尋址周期EAk11期間第一行電極組G1的第一子組G11的發(fā)光單元之中被設(shè)置為不發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元被擦除放電且其壁電荷被擦除，且第一子組G11的其余的發(fā)光單元在維持周期Sk11期間被維持放電。隨后，在尋址周期EAk12期間第二子組G12的發(fā)光單元之中被設(shè)置為不發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元被擦除放電且其壁電荷被擦除，且第二子組G12的其余的發(fā)光單元在維持周期Sk12期間被維持放電。在這種情況下，在第一子組G11的發(fā)光單元上產(chǎn)生維持放電。
以類似的方式，對于其余的子組G13至G18執(zhí)行尋址周期EAk13至EAk18和維持周期Sk13至Sk18的操作。在這種情況下，在維持周期Sk1i期間，在第i子組G1i的發(fā)光單元和第一至第(i-1)子組G11至G1(i-1)以及第(i+1)至第八子組G1(i+1)至G18的發(fā)光單元上產(chǎn)生維持放電。第一至第(i-1)子組G11至G1(i-1)的發(fā)光單元在第k子場SFk的各尋址周期EAk11至EAk1(i-1)期間沒有被擦除放電，且第(i+1)至第八子組G1(i+1)至G18的發(fā)光單元在第k-1子場SF(k-1)的各尋址周期EA(k-1)1(i+1)至EA(k-1)18期間沒有被擦除放電。此外，第i子組G1i的發(fā)光單元在第(k+1)子場SF(k+1)中第i子組G1i的尋址周期EA31i之前(也就是直到維持周期Sk(i-1))被維持放電。也就是，在第i子組G1i的發(fā)光單元中的八個維持周期期間產(chǎn)生維持放電。
如所述的，對于子場SF1至SFL的各個子組G11至G18執(zhí)行尋址周期EA211至EA218，...，以及EAL11至EAL18和維持周期S211至S218，...以及SL11至SL18的操作。因此，在復(fù)位周期R期間被設(shè)置為發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元在它們在各自的子場SF1-SFL中被擦除放電之前連續(xù)地被維持放電，因此它們被設(shè)置為處于不發(fā)光單元狀態(tài)，且從相應(yīng)的子場所述放電單元不被維持放電，在相應(yīng)的子場中放電單元被擦除放電且被設(shè)置為處于不發(fā)光單元狀態(tài)。在這種情況下，各個子場SF1至SFL的權(quán)重值對應(yīng)于各個子場SF1至SFL的八個維持周期的長度的總和。
對于在最后子場SFL的第一行電極組G1的第二至第八子組G12至G18的每一個可以額外地執(zhí)行一至七次維持周期SA112至SA118的操作，從而使各個子組G11至G18中維持放電的數(shù)目相等。
因此，可以將額外的維持周期SA12至SA18分別提供給最后子場SFL中的第二至第八子組G12至G18。為了防止行電極組維持放電，在該行電極組上在額外的維持周期SA12至SA18期間執(zhí)行八次維持周期的操作，在各個子組G12至G18的額外的維持周期SA12至SA18之前提供用于擦除在前一子組G11-G17中形成的壁電荷的擦除周期ER11至ER17。
此外，可以在第八個子組G18的額外的維持周期SA18之后提供用于擦除第八子組G18的壁電荷的擦除周期ER18。由于在隨后場的第一子場SF1中執(zhí)行復(fù)位周期R的操作，因此可能不提供第八子組G18的擦除周期ER18。而且，以和尋址周期相同的方式，對于各個子組的各個行電極可以順序執(zhí)行擦除周期ER11至ER18的操作，且該操作可以對于各個行電極組的所有行電極被同時執(zhí)行。
更詳細(xì)地，在最后子場SFL中執(zhí)行第一行電極組G1的第八子組G18的維持周期SL18的操作，然后形成在第一子組G11的所有放電單元中的壁電荷在擦除周期ER11期間被擦除。隨后，在額外的維持周期SA12期間維持放電第二至第八子組G12至G18的發(fā)光單元。這一點(diǎn)之后，形成在第二子組G12的所有放電單元中的壁電荷在擦除周期ER12期間被擦除，然后在額外的維持周期SA13期間維持放電第三至第八子組G13至G18的發(fā)光單元。上述過程被連續(xù)地執(zhí)行至額外的維持周期SA18。因此，在各個子組G11至G18的發(fā)光單元中產(chǎn)生的維持放電的數(shù)目是相同的。
第二行電極組G2的各個子場SF1至SFL的結(jié)構(gòu)與第一行電極組G1的各個子場SF1至SFL的結(jié)構(gòu)是相同的。然而，如上所述，在第二行電極組G2的各個子場SF1至SFL中從第八子組G28至第一子組G21順序執(zhí)行尋址周期EA128至EA121，...以及EAL28至EAL21的操作，以及在第二行電極組G2的最后子場SFL中從第八子組G28至第一子組G21順序執(zhí)行擦除周期ER21至ER128的操作。
圖4是表示用來描述圖3的驅(qū)動方法的子場的圖表。在圖4中一個子場包括19個子場SF1至SF19。如圖4所示，形成一個場的多個子場SF1至SF19在各個子組G11至G18和G28至G21中偏移預(yù)定的間隔。在這種情況下，預(yù)定的間隔對應(yīng)于一個子組G1i或G2i的一個尋址周期EAi1i或EAk2i以及一個子組G1i或G2i的一個維持周期Ski1i或Sk2i的長度。當(dāng)假定一個子組G1i或G2i的一個維持周期Si1i或G2i的長度以及對于一個子組G1i或G2i的一個尋址周期EAk1i或EAk2i的長度相同，第二行電極組G2的各個子場SF1至SF19的起始點(diǎn)從第一行電極組G1的各個子場SF1至SF19的起始點(diǎn)偏移尋址周期EAk1i或EAk2i的長度。
因此，在第一行電極組G1的尋址周期期間對于第二行電極組G2可以執(zhí)行維持周期的操作，且在第二行電極組G2的尋址周期期間對于第一行電極組G1可以執(zhí)行維持周期的操作。也就是，由于在尋址周期期間而沒有劃分尋址周期和維持周期的情況下可以執(zhí)行維持周期的操作，因此可以減小一個子場的長度。
下面將參考圖5描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的方法的驅(qū)動波形。
圖5是圖3的等離子體顯示裝置的驅(qū)動方法的驅(qū)動波形圖。為了更好的理解并簡化描述，在圖5中，示出了一個子場SFk中第一行電極組G1的第一和第二子組G11和G12以及第二行電極組G2的第七和第八子組G27和G28，而施加于A電極的驅(qū)動波形的描述被省略。
如圖5所示，在第一行電極組G1中的第k子場SFk的尋址周期EAk11期間，當(dāng)參考電壓(圖5中0V電壓)被施加于第一行電極組G1的X電極時，VscL電壓的掃描脈沖順序地施加于第一子組G11的多個Y電極。在該情況下，具有正電壓的尋址脈沖(未示出)被施加于從由施加掃描脈沖的Y電極形成的發(fā)光單元之中被選擇為不發(fā)光單元的單元的A電極。高于VscL電壓的VscH電壓施加于未施加掃描電壓的Y電極，且參考電壓被施加于施加了尋址脈沖的A電極。然后，在施加掃描脈沖的VscL電壓和尋址脈沖的正電壓的發(fā)光單元中產(chǎn)生擦除放電，形成在X和Y電極中的壁電荷被擦除，且其單元被設(shè)置處于不發(fā)光單元狀態(tài)。
如圖5所示，維持脈沖具有高電平電壓(圖5中的Vs電壓)和低電平電壓(圖5中的0V電壓)，反相的維持脈沖在維持周期Sk11期間分別施加于第一行電極組G1的多個X電極和第一至第八子組G11至G18的Y電極，且第一子組G11的發(fā)光單元被維持放電。也就是，當(dāng)Vs電壓施加于X電極時0V電壓施加于Y電極，當(dāng)0V電壓施加于X電極時Vs電壓施加于Y電極。在這種情況下，在前一子場SF(k-1)中處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元之中，在尋址周期EAk11期間不產(chǎn)生擦除放電的單元處于發(fā)光單元狀態(tài)，且處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元被維持放電。
隨后，在第二子組G12的尋址周期EAk12期間，當(dāng)參考電壓施加于第一行電極組G1的X電極時，VscL的掃描脈沖順序地施加于第二子組G12的多個Y電極，且具有正電壓的尋址脈沖(未示出)施加于從由施加掃描脈沖的Y電極形成的發(fā)光單元之中被選擇為不發(fā)光單元的單元的A電極。
在維持周期Sk12期間，反相的維持脈沖施加于第一行電極組G1的多個X電極和第一至第八子組G11至G18的Y電極，且發(fā)光單元被維持放電。以同樣的方式，對于其余的子組G13至G14執(zhí)行尋址周期EAk13至EAk18和維持周期Sk13至Sk18的操作。
隨后，當(dāng)在第一行電極組G1中執(zhí)行第k子場SFk的第一子組G11的維持周期Sk11的操作時，在第二行電極組G2中執(zhí)行第k子場SFk的第八子組G28的尋址周期EAk28的操作。當(dāng)在第二行電極組G2的第k子組SFk的尋址周期EAk28期間將參考電壓施加于X電極時，VscL的掃描脈沖順序地施加于第八子組G28的多個Y電極，且具有正電壓的尋址脈沖(未示出)施加于該電極從由施加掃描脈沖的Y電極形成的發(fā)光單元之中被選擇為不發(fā)光單元的A電極。
然后，在掃描周期Sk28期間，反相的維持脈沖被施加于第二行電極組G2的多個X電極和第一至第八子組G21至G28的Y電極，且發(fā)光單元被維持放電。此外，當(dāng)執(zhí)行第二行電極組G2的第k子場SFk的維持周期Sk28的操作時，在第一行電極組G1中執(zhí)行第k子場SFk的第二子組G12的尋址周期EAk12的操作。以相同的方式，對于剩余的子組G27至G21執(zhí)行尋址周期EAk27至EAk21和維持周期Sk27至Sk21的操作。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的圖3的驅(qū)動方法中表示灰度級的方法的視圖。在圖6中，一個場包括19個子場，且各個子場的權(quán)重值是32。此外，SE表示在相應(yīng)的子場中的產(chǎn)生擦除放電之后，被設(shè)置為從發(fā)光單元狀態(tài)中處于不發(fā)光單元狀態(tài)的單元，且°表示相應(yīng)子場中處于發(fā)光單元狀態(tài)中的單元。
如圖6所示，當(dāng)在第一子場SF1的尋址周期期間產(chǎn)生擦除放電且處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元變?yōu)椴话l(fā)光單元狀態(tài)的單元時，在維持周期期間不產(chǎn)生維持放電，且在隨后的子場SF2至SFL中不產(chǎn)生維持放電，且因此表示0級灰度級。當(dāng)在第二子場SF2的尋址周期期間產(chǎn)生擦除放電且處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元變?yōu)椴话l(fā)光單元狀態(tài)的單元時，從第二子場SF2至第十九子場SF19中不產(chǎn)生維持放電，因此表示32級灰度級。當(dāng)在第二子場SF2的尋址周期期間不產(chǎn)生擦除放電，在第三子場SF3的尋址周期期間產(chǎn)生擦除放電，且處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元變?yōu)椴话l(fā)光單元狀態(tài)的單元時，表示64級灰度級。也就是，由于當(dāng)在第k子場中產(chǎn)生擦除放電，且處于發(fā)光單元狀態(tài)的單元變?yōu)椴话l(fā)光單元狀態(tài)的單元時，在第一子場至第(k-1)子場中的發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元上連續(xù)產(chǎn)生維持放電，最終表示32×(k-1)級灰度級。也就是，對應(yīng)于32的倍數(shù)的灰度級可以表示為從0級灰度級至628(＝32×19)級灰度級。此外，不對應(yīng)于32的倍數(shù)的灰度級以抖動(dithering)方法表示。在抖動方法中，結(jié)合預(yù)定的灰度級表示在預(yù)定區(qū)域之內(nèi)的期望的灰度級附近的灰度級。因此，從0級灰度級和32級灰度級之間的灰度級可以通過利用0級灰度級和32級灰度級在預(yù)定區(qū)域中被表示。
在第一子場SF1中，在執(zhí)行對應(yīng)子組的尋址周期的操作之前，各個子組G11至G18和G21至G28的放電單元處于發(fā)光單元狀態(tài)。然后，在執(zhí)行尋址周期EA1i的操作之前在維持周期S111至S11(i-1)期間的第一組G1的第i子組中的放電單元上產(chǎn)生不必要的維持放電(這里，i是2和8之間的整數(shù))。因此，在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，第i子組G1i可設(shè)置為處于下述狀態(tài)其中在第一子場中第一至第(i-1)子組G11至G1(i-1)的維持周期S111至S11(i-1)期間不產(chǎn)生維持放電。以相同的方式，第二組G2的第(8-(i-1))子組G2(8-(i-1))的放電單元可設(shè)置為處于下述狀態(tài)其中第八至第(8-(i-2))子組G28至G2(8-(i-2))的維持周期S128至S12(8-(i-2))期間不產(chǎn)生維持放電。
如所述的，在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，由于在多個子場SF1至SF19之中對應(yīng)的子場中產(chǎn)生擦除放電以及處于發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元變?yōu)樘幱诓话l(fā)光單元狀態(tài)的放電單元之前由隨后的子場表示灰度級，因此不產(chǎn)生錯誤的輪廓線。此外，由于在產(chǎn)生擦除放電以及各個子場SF1至SF19中的放電單元被設(shè)置為處于不發(fā)光單元狀態(tài)之前，在復(fù)位周期R期間被設(shè)置為處于發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元上連續(xù)產(chǎn)生維持放電，因此一旦當(dāng)表示任何灰度級時產(chǎn)生放電。因此，由擦除放電導(dǎo)致的能耗被減小。然而，當(dāng)利用抖動而不利用子場的結(jié)合來表示低灰度級時，可以減小低灰度級表示。也就是，由于相比于覺察出高灰度級中灰度級的差別，人們更容易覺察出低灰度級中灰度級的差別，當(dāng)以抖動方法，而不利用子場的結(jié)合，來表示低灰度級時能減小低灰度級表示。下面將參考圖7描述增加低灰度級表示的方法。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例圖3的驅(qū)動方法中表示灰度級的方法的視圖。
如圖7所示，子場SF1至SFL被分為第一子場組和第二子場組。此外，為了增加表示低灰度級的性能，第一子場組的子場SF1、SF2、SF3、SF4、SF5和SF6的權(quán)重值分別設(shè)置為1、2、4、8、16和24。因此，在圖6的抖動方法表示的低灰度級之中，通過組合第一子場組的子場SF1至SF6可以精確地表示出1、3、7、15、31和55級灰度級。此外，當(dāng)抖動方法用于灰度級時，相比于本發(fā)明的第一實(shí)施例，可以增加1和55級灰度級之間的表示。
下面將參考圖8A和圖8B描述實(shí)現(xiàn)第一組的子場SF1至SF6的權(quán)重值的方法。
圖8A和圖8B分別是實(shí)現(xiàn)第一組的子場SF1至SF6的權(quán)重值的波形圖。在圖8A和圖8B中，為了更好地理解并簡化描述，說明第一行電極組G1的第一和第二子組G11和G12。
當(dāng)?shù)谝缓偷诙须姌O組G1和G2分別分為八個子組G11至G18和G21至G28，各個子場SF1至SFL的權(quán)重值對應(yīng)于各個子場SF1至SFL的八個維持周期的長度的總和。例如，當(dāng)圖5中示出的子場SFk的權(quán)重值是32時，在子場SFk中各個維持周期Sk11至Sk18和Sk21和Sk28的長度是權(quán)重值4。此外，在各個維持周期Sk11至Sk18和Sk21至Sk28期間四個維持脈沖分別施加于X和Y電極。
因此，權(quán)重值1對應(yīng)于一行電極組G1或G2的各個子組G11至G18或G21至G28的維持周期Sk1j的1/4長度(這里，j是1和8之間的整數(shù))。如圖8A所示，在第一行電極組G1的第k子場SFk中，當(dāng)在第一子組G11的維持周期Sk11期間，一個維持脈沖施加于第一子組G11的Y電極之后，維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，對應(yīng)于VscH電壓和VscL電壓之間的差值的(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。此外，在第一子組G11的其余的維持周期Sk12至Sk18期間，當(dāng)維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于第一子組G11的Y電極。當(dāng)在第二子組G12的維持周期Sk12期間，一個維持脈沖施加于第二子組G12的Y電極之后，維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，對應(yīng)于VscH電壓和VscL電壓之間的差值的(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于第二子組G12的Y電極。此外，在第二子組G12的其余的維持周期Sk13至Sk18和第(k+1)子場SF(k+1)的第一子組G11的維持周期S(k+1)11期間，電壓(VscH-VscL)作為維持脈沖的低電平電壓施加于第二子組G12的Y電極。
在本發(fā)明第二示例性實(shí)施例中，由于在復(fù)位周期R之后順序提供具有權(quán)重值1的子場SF1，各個子組G1i或G2(8-(i-1))如此設(shè)置，使得在相應(yīng)的尋址周期EA1i或EA2(8-(i-1))之前的維持周期S11至S1(i-1)或S28至S2(8-(i-2))期間不產(chǎn)生維持放電。因此，在相應(yīng)的尋址周期EA1i或EA2(8-(i-1))之前在維持周期S11-S1(i-1)或S28-S2(8-(i-2))期間，電壓(VscH-VscL)可作為低電平電壓施加于各個子組G1i或G2(8-(i-1))的Y電極。也就是，如圖8A所示，由于第二子組G12的復(fù)位周期R期間多個放電單元被設(shè)置為處于發(fā)光單元狀態(tài)，當(dāng)在第一子組G11的維持周期Sk11期間，具有Vs和0V電壓的維持脈沖施加于第二至第八子組G12至G18的Y電極時產(chǎn)生維持放電。因此，在第一子組G11的維持周期Sk11期間將(VscH-VscL)電壓施加于第二至第八子組G12至G18的Y電極。在這種情況下，Vs電壓和(VscH-VscL)電壓之間的差值不足以產(chǎn)生X和Y電極之間的維持放電。然后，當(dāng)(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極時，在X和Y電極之間不產(chǎn)生維持放電。當(dāng)X和Y電極之間不產(chǎn)生維持放電時，這時Vs電壓施加于X電極，X電極的壁電勢被保持高于Y電極的壁電勢，因此當(dāng)Vs電壓施加于Y電極，且0V電壓施加于X電極時不產(chǎn)生維持放電。從而可以實(shí)現(xiàn)具有權(quán)重值1的子場。此外，第二行電極組G2基本上等于第一行電極組G1。也就是，在第二行電極組G2的第八子組G28的維持周期Sk28期間，一個維持脈沖分別施加于X和Y電極之后，當(dāng)維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。在這種情況下，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于第二行電極組的第七至第一子組G27至G21的Y電極。此外，在其余的維持周期Sk27至Sk21期間，當(dāng)維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。以與上述相同的方式，在第七至第一子組G27至G21的發(fā)光單元中產(chǎn)生維持放電。下面將關(guān)于第一行電極組G1的第一子組G11描述權(quán)重值。
由于權(quán)重值2對應(yīng)于一個行電極組G1或G2的各個子組G11至G18或G21至G28的維持周期之中一個維持周期Sk1的1/2長度，因此在第一子組G11的維持周期Sk11期間兩個維持脈沖分別施加于X和Y電極，如圖8B所示，然后，當(dāng)維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。此外，在第一子組G11其余的維持周期Sk12至Sk18期間，當(dāng)維持脈沖的Vs電壓施加于X電極時，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電乎電壓施加于Y電極。在這種情況下，(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于第二至第八子組G12至G18的Y電極。從而實(shí)現(xiàn)了具有權(quán)重值2的子場。
當(dāng)?shù)谝蛔咏MG11的維持周期Sk11期間，四個維持脈沖分別施加于X和Y電極時可以實(shí)現(xiàn)權(quán)重值4，在第一子組G11的其余的維持周期Sk12至Sk18期間將Vs電壓的維持脈沖施加于X電極，且(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。此外，當(dāng)在第一子組G11的維持周期Sk11和Sk12期間，四個維持脈沖分別施加于X和Y電極時可實(shí)現(xiàn)權(quán)重值8，在維持周期Sk13至Sk18期間(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓施加于Y電極。
當(dāng)圖5中所示的子場SFk的權(quán)重值是32，且在第二行電極組G2之中的一個子組的尋址周期的操作發(fā)生時，在第一行電極組G1的所有子組G11至G18期間產(chǎn)生維持放電。當(dāng)執(zhí)行第二行電極組G2的第一子組G21的尋址周期的操作時，在第一行電極組G1的子組G11至G18之中的六個子組G11至G16中產(chǎn)生維持放電的子場中實(shí)現(xiàn)24的權(quán)重值，并在四個子組G11至G14中產(chǎn)生維持放電的子場中實(shí)現(xiàn)16的權(quán)重值。在兩個子組G11和G12中產(chǎn)生維持放電的子場中實(shí)現(xiàn)8的權(quán)重值。在一個子組G11中產(chǎn)生維持放電的子場中實(shí)現(xiàn)4的權(quán)重值。低于4的權(quán)重值可以在一個子組G11的部分維持周期中產(chǎn)生維持放電的子場中實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)圖8A和8B中示出(VscH-VscL)電壓作為維持脈沖的低電平電壓被施加，因此在X和Y電極中不能產(chǎn)生維持放電時，Y電極可以被漂移。由于當(dāng)Y電極漂移時，Y電極的電壓隨著X電極的電壓而改變，發(fā)光單元中不產(chǎn)生X和Y電極之間的電壓差值且不產(chǎn)生維持放電。此外，高電平電壓Vs或低電平電壓0V可以連續(xù)地施加于X和Y電極兩者之一。
在根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法中，為了在第一子場SF1的尋址周期之前的復(fù)位周期R期間將所有放電單元初始化為處于發(fā)光單元狀態(tài)，對于復(fù)位放電必須產(chǎn)生較強(qiáng)的放電。在這種情況下，然而，由于黑屏變得太亮可以有疑問地減小對比度。此外，僅通過復(fù)位周期R很難形成足夠的壁電荷用于設(shè)置所有的放電單元使之處于發(fā)光單元狀態(tài)。下面將參考圖9和圖10描述增加對比度和穩(wěn)定地產(chǎn)生擦除放電的方法。
圖9和圖10是根據(jù)本發(fā)明的第三和第四示例性實(shí)施例驅(qū)動等離子體顯示裝置各自的方法。
如圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的驅(qū)動方法與本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的方法相同。然而，與本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的方法不同的是，在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中，選擇性寫方法用于第一子場SF1’的尋址周期WA11和WA12。在第一子場SF1’中，多個行電極在各個行電極組G1和G2中沒有分成子組，且發(fā)光單元在一個尋址周期WA11和WA12期間分別從多個行電極形成的放電單元之中選擇出來。因此，在選擇性寫方法中在具有尋址周期WA11和WA12的子場SF1’中，將發(fā)光單元初始化為不發(fā)光單元的復(fù)位周期R’形成在尋址周期WA11和WA12之前。也就是，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的選擇性擦除方法中的尋址周期EA111至EAL18和EA121至EAL28之前的復(fù)位周期R期間將放電單元初始化為處于發(fā)光單元狀態(tài)時，在選擇性寫方法中的尋址周期WA11和WA12之前的復(fù)位周期R’期間將發(fā)光單元初始化為不發(fā)光單元。
更詳細(xì)地，在第一子場SF1’的復(fù)位周期R’期間將第一和第二行電極組G1和G2中的放電單元初始化為處于不發(fā)光單元狀態(tài)，且該放電單元被設(shè)置為在尋址周期WA11和WA12期間執(zhí)行寫放電的狀態(tài)。在第一行電極組G1的放電單元之中為發(fā)光單元的放電單元被寫放電以在尋址周期WA11期間形成壁電荷，且第一行電極組G1的發(fā)光單元在維持周期S11期間維持放電。隨后，形成在第一行電極組G1的發(fā)光單元中的壁電荷被擦除。然后，第一行電極組G1的發(fā)光單元在第一行電極組G1的維持周期S211期間發(fā)光。
在第二行電極組的放電單元之中處于發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元被寫放電以在尋址周期WA12期間形成壁電荷，第二行電極組G12的發(fā)光單元在維持周期S12期間維持放電，并且形成在第二行電極組G2的發(fā)光單元中的壁電荷被擦除。
如所述的，根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例，第一和第二行電極組G1和G2的多個行電極在尋址周期WA11和WA12期間順序地被寫放電以選擇發(fā)光單元，執(zhí)行維持周期S11和S12的操作以產(chǎn)生維持放電。因此，在執(zhí)行選擇性擦除方法中分別具有尋址周期的子場SF2至SFL的操作之前，在發(fā)光單元各自的電極上形成足夠的壁電荷。
此外，在第一子場SF1’中各個組G1和G2的維持周期S11和S12之后，為了擦除形成在各個組G1和G2的發(fā)光單元上的壁電荷，在各個組G1和G2的維持周期S11和S12期間較窄地形成維持脈沖的最后脈寬，從而不能形成壁電荷。在最后維持脈沖之后利用波形(例如以斜坡方式改變的波形)逐漸地改變行電極的電壓能夠擦除由維持放電形成的壁電荷。
此外，為了在選擇性寫方法中的尋址周期WA11至WA12之前的復(fù)位周期R’期間將放電單元初始化為不發(fā)光單元狀態(tài)，通過逐漸增加和減小電壓實(shí)現(xiàn)復(fù)位周期。也就是，多個Y電極的電壓逐漸增加，在復(fù)位周期R’期間多個Y電極的電壓逐漸減小。換句話說，當(dāng)在Y和X電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電時，在放電單元上形成壁電荷之后，這時Y電極的電壓增加，當(dāng)Y和X電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電時，形成在放電單元上的壁電荷被擦除，且被初始化為處于不發(fā)光單元狀態(tài)，這時Y電極的電壓減小。因此，由于在復(fù)位周期R1期間不產(chǎn)生強(qiáng)的放電，因此能增加對比度。
然而，以與本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例相同的方式，如圖9所示，在各個行電極組G1和G2的維持周期S11和S12之后不能執(zhí)行擦除各個行電極組G1和G2的放電單元上形成的壁電荷的擦除操作。
更詳細(xì)地，如圖10所示，第一行電極組G1的放電單元之中的處于發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元被寫放電，使得在第一子場SF”的尋址周期WA11期間形成壁電荷，且第一行電極組G1的發(fā)光單元在維持周期S11期間被維持放電。在這種情況下，在維持周期S1期間，維持放電被設(shè)置為發(fā)生最少的次數(shù)(例如一次或兩次)。
隨后，在第一子場SF”的尋址周期WA12期間第二行電極組G2的放電單元之中的處于發(fā)光單元狀態(tài)的放電單元被寫放電，以形成壁電荷，且第一和第二行電極組G1和G2的發(fā)光單元在維特周期S12之中的部分周期S121期間被維持放電。此外，當(dāng)?shù)谝恍须姌O組G1的發(fā)光單元被設(shè)置，從而在維持周期S12之中的部分周期S122期間不產(chǎn)生維持放電時，第二行電極組G2的發(fā)光單元被維持放電，且第一行電極組G1的發(fā)光單元不被維持放電。在這種情況下，在維持周期S12之中的部分周期S122期間，第二行電極組G2的發(fā)光單元中產(chǎn)生的維持放電的數(shù)目被設(shè)置為等于在維持周期S12期間第一行電極組G1的發(fā)光單元中產(chǎn)生的維持放電的數(shù)目。
此外，當(dāng)兩個維持周期S11和S12不滿足第一子場SF”的權(quán)重值時，第一和第二行電極組G1和G2的發(fā)光單元在維持周期S12的部分周期S122期間額外地被維持放電。
根據(jù)本發(fā)明第一至第三示例性實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝缓偷诙须姌O組G1和G2的擦除周期ER112至ER118和ER122至ER128以及額外的維持周期SA12至SA18和SA22至SA28形成在一個場的最后子場SFL中時，它們可以被省略。當(dāng)擦除周期ER112至ER118和ER122至ER128以及額外的維持周期SA12至SA18和SA22至SA28被省略時，在各個行電極組中通過多個場尋址各個子組G11至G18和G21至G28的順序被改變。然后，各個行電極組中維持放電的數(shù)目可能變得相同。
根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例，當(dāng)假定掃描脈沖寬度是0.7μs，一個維持周期包括八個維持脈沖，提供一個維持脈沖(具有高電平電壓和低電平電壓的脈沖)的時間為5.6μs，且1024個行電極以選擇性擦除方法被驅(qū)動，維持周期的長度是44.8μs(＝5.6μs×8)，且尋址周期的長度是44.8μs(＝0.7μs×64行)。因此，一個子場的長度是716.8μs(＝44.8μs×16)。當(dāng)選擇性寫方法使用具有寬度為1.3μs的掃描脈沖以及具有長度為350μs的復(fù)位周期時，尋址周期的長度是665.6μs(1.3μs×512行)。在這種情況下，當(dāng)權(quán)重值是1時，在維持周期S11期間提供一個維持脈沖，在維持周期S12期間提供一個半維持脈沖，維持周期(S11+S12)的長度為14μs(＝5.6μs×2.5)。因此，子場SF1的長度為1695.2μs(＝350μs+665.6μs×2+14μs)。
也就是，根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例，由于在一個場中施加于選擇性擦除方法的子場的時間為14970.8μs(＝16666-1695.2)，選擇性擦除方法的20(14970.8/716.8)個子場可以用在一個場中。
現(xiàn)在將參考圖11A和圖11B描述施加于A電極的尋址脈沖和施加于Y電極的掃描脈沖。
圖11A和圖11B是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的波形圖。在圖11A中，為了更好的理解以及簡化說明，描述了第k個子場SFk中第一行電極組G1的第一子組G11的部分維持周期Sk11，X和Y電極的數(shù)目分別是128行。因此，子組分別包括八個Y電極。
如圖11A所示，第一行電極組G1的第一子組G11的維持周期Sk11對應(yīng)于第二行電極組G2的第八子組G28的尋址周期EAk28。因此，當(dāng)維持脈沖交替施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極和Y電極Y1-Y8時，掃描脈沖VSCL順序地施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y121至Y128，且尋址脈沖Va施加于第二行電極組G2的第八子組G28的A電極。直到掃描脈沖施加于第二行電極組G2的第八子組G28的所有Y電極Y121至Y128之后完成維持周期Sk11，Y電極Y121至Y128的電壓保持在掃描脈沖的高電平電壓VSCH，A電極的電壓保持在參考電壓(圖11A中為0V)。此外，盡管圖11A中沒有描述，參考電壓施加于第二行電極組G2的第八子組G28的X電極。
在這種情況下，當(dāng)施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X或Y電極的維持脈沖被增加或減小時，尋址脈沖可以施加于第二行電極組G2的第八子組G28的A電極。如圖11A所示，掃描脈沖施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y121，且尋址脈沖Va施加于A電極，這時施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極的維持脈沖被增加，而掃描脈沖施加于Y電極Y123，且尋址脈沖Va施加于A電極，這時維持脈沖被減小。以同樣的方式，掃描脈沖施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y125，且尋址脈沖Va施加于A電極，這時施加于第一行電極組G1的第一子組G11的Y電極的維持脈沖被增加，而掃描脈沖施加于Y電極的Y127，且尋址脈沖Va施加于A電極，這時維持脈沖被減小。
因此，瞬間涌入電流可以流入第一行電極組G1的第一子組G11的X電極或Y電極驅(qū)動器以及第二行電極組G2的第八子組G28的A電極驅(qū)動器，因此可能發(fā)生電磁干擾(EMI)。以同樣的方式，當(dāng)尋址脈沖施加于第一行電極組G1的A電極時，這時施加于第二行電極組G2的X電極或Y電極的維持脈沖被增加或減小，發(fā)生電磁干擾。
因此，將參考圖11B描述根據(jù)本發(fā)明第六示例性實(shí)施例，用于減小等離子體顯示裝置中的EMI的驅(qū)動波形。
圖11A和圖11B是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的波形圖。在圖11B中，為了更好的理解以及簡化說明，描述了第k個子場SFk中第一行電極組G1的第一子組G11的部分維持周期Sk11。
根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例，尋址脈沖不施加于第二行電極組G2的第八子組G28的A電極，這時施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極或Y電極的維持脈沖被增加和減小。也就是，在施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極和Y電極的維持脈沖之間，或當(dāng)維持脈沖的維持放電電壓被保持時，尋址脈沖被施加于第二行電極組G2的第八子組G28的A電極。
更詳細(xì)地，如圖11B所示，在維持脈沖施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極之前，尋址脈沖Va被施加于A電極，而掃描脈沖被施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y121，并且在施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極的維持脈沖從0V增加到Vs電壓的同時，掃描脈沖不施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極，且尋址脈沖Va不施加于A電極。掃描脈沖順序地施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y122至Y123，且尋址脈沖Va施加于A電極，這時維持脈沖被保持在Vs電壓，且掃描脈沖不施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極，且尋址脈沖Va不施加于A電極，這時維持脈沖從Vs電壓減小到0V。
以同樣的方式，在維持脈沖施加于第一行電極組G1的第一子組G11的X電極和Y電極(也就是，這時X電極和Y電極的電壓保持在0V)之前，掃描脈沖施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y124和Y125，且尋址脈沖施加于A電極，在施加于第一行電極組G1的第一子組G11的Y電極的維持脈沖從0V增加到Vs電壓的同時，掃描脈沖不施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極，且尋址脈沖不施加于A電極。此外，在維持脈沖被保持在Vs電壓的同時，掃描脈沖順序地施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y126至Y127且尋址脈沖Va施加于A電極，并且在維持脈沖從Vs電壓減小到0V的同時，掃描脈沖不施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極且尋址脈沖Va不施加于A電極。當(dāng)?shù)谝恍须姌O組G1的第一子組G11的X和Y電極電壓保持在0V時，掃描脈沖施加于第二行電極組G2的第八子組G28的Y電極Y128，且尋址脈沖Va被施加于A電極。
如所述的，因?yàn)楫?dāng)用于增加或減小施加于一個行電極組的X電極或Y電極的時間和用于將尋址脈沖提供給另一行電極組的A電極的時間不交迭時不產(chǎn)生涌入電流，因此可能減小EMI。
盡管圖5、圖11A和圖11B中已經(jīng)描述了維持脈沖交替具有Vs電壓和0V電壓，且反相的維持脈沖施加于Y電極和X電極，但是其它類型的維持脈沖可應(yīng)用于本發(fā)明的示例性實(shí)施例中。也就是，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，當(dāng)X電壓被偏置為0V電壓時，具有Vs電壓和-Vs電壓的維持脈沖可以施加于Y電極。
盡管已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，可以理解本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，但是，相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括在所附的權(quán)利要求的精神和范圍之內(nèi)的各種修改及等價設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，多個行電極被分組為第一和第二行電極組，且各個行電極組被分組為多個子組。此外，在一個場的各個子場中，對于第一和第二行電極組的各個子組執(zhí)行尋址周期的操作，且在各個子組的尋址周期之間執(zhí)行維持周期的操作。而且，當(dāng)執(zhí)行第一行電極組的各個子組的維持周期的操作時執(zhí)行第二行電極組的各個子組的尋址周期的操作，且當(dāng)執(zhí)行第二行電極組的各個子組的尋址周期的操作時執(zhí)行第一行電極組的各個子組的維持周期的操作。如上所述，在維持周期期間形成的最初粒子在尋址周期期間被適當(dāng)?shù)厥褂?，因?yàn)閷ぶ分芷谛纬稍诟鱾€子組的維持周期之間。因此，掃描操作可以通過縮短掃描脈沖的寬度被快速地執(zhí)行，并且由于在尋址周期期間執(zhí)行維持周期的操作，從而可以減小一個子場的長度。
此外，各個子場的尋址周期通過選擇性擦除方法形成，在相應(yīng)的子場形成擦除放電操作之前由隨后的子場表示灰度級，因此不產(chǎn)生錯誤的輪廓線。由于當(dāng)表示任何級灰度級時產(chǎn)生一個擦除放電，因此可以減小功耗。
由于在各個子場中首先被定位的子場中的尋址周期期間使用選擇性寫方法而形成足夠的壁電荷，因此利用選擇性擦除方法在隨后的子場中可以穩(wěn)定地執(zhí)行擦除放電。由于利用選擇性寫方法在子場的復(fù)位周期期間使用逐漸增加的電壓以及逐漸減小的電壓，因此在復(fù)位周期期間沒有強(qiáng)放電產(chǎn)生，且可以增加對比度。
當(dāng)用于增加或減小施加于一個行電極組的X和Y電極的維持脈沖的時間和用于將尋址脈沖提供給另一行電極組的A電極的時間不交迭時，EMI被減小，且放電被更穩(wěn)定地執(zhí)行。
權(quán)利要求
1.一種通過由一個場劃分的多個子場驅(qū)動等離子體顯示裝置的方法，該等離子體顯示裝置包括多個行電極、多個列電極、由多個行電極和多個列電極分別定義的多個放電單元，該方法包括將多個行電極分為第一行電極組和第二行電極組，將第一行電極組分為多個第一子組，將第二行電極組分為多個第二子組；在多個子場中選擇的第一子場組的各個第一子場中，當(dāng)從多個第一子組中選出的一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元時，在分別對應(yīng)于至少一個第二子組的第一周期期間，維持放電從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組的發(fā)光單元；在各個第一子場中，當(dāng)從多個第二子組中選出的一個第二子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元時，在分別對應(yīng)于至少一個第一子組的第二周期期間，維持放電從多個第一子組中選擇的至少一個第一子組的發(fā)光單元；其中至少一個第二子組的發(fā)光單元的維持放電還包括至少施加一次分別具有反相的高電平電壓和低電平電壓的第一維持脈沖和第二維持脈沖到至少一個第二子組的發(fā)光單元的第一電極和第二電極；且其中當(dāng)或者將高電平電壓或者低電平電壓施加于第一和第二電極時，從一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元還包括將第一尋址脈沖提供給一個子組的第三電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在至少一個周期期間不施加第一尋址脈沖，該周期或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從低電平電壓增加到高電平電壓的周期，或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從高電平電壓減小到低電平電壓的周期。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在從第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，多個第二子組的發(fā)光單元在第一周期期間被維持放電，且多個第一子組的發(fā)光單元在第二周期期間被維持放電。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，第一周期對應(yīng)于從該一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一子場組中選擇的至少一個第一子場中，除第一周期之外，在一個第一子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期期間，至少一個第二子組的發(fā)光單元不被維持放電，且除第二周期之外，在一個第二子組的發(fā)光單元之中選擇不發(fā)光單元的周期期間，至少一個第一子組的發(fā)光單元不被維持放電。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在第一子場組的至少一個第一子場中，除了從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組之外，其它的第二子組在從一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元的周期中不被維持放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一子場組的各個第一子場分別具有相同的權(quán)重值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中從第一子場組之中選擇的部分第一子場分別具有相同的權(quán)重值，其余的第一子場分別具有一個權(quán)重值，該權(quán)重值低于該部分第一子場的權(quán)重值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第一行電極組包括提供在等離子體顯示裝置上部上并從多個第一電極中選擇的第一電極，且第二行電極組包括提供在等離子體顯示裝置的下部上并從多個第一電極中選擇的第一電極。
10.一種等離子體顯示裝置，包括等離子體顯示板(PDP)，其包括多個第一電極，多個第二電極，以與第一電極和第二電極交叉方向排列的多個第三電極，以及由第一電極、第二電極和第三電極定義的多個單元；控制器，其用于將一個場分為多個子場，將多個第一電極分為第一組和第二組，將第一組的第一電極分為多個第一子組，并將第二組的第一電極分為多個第二子組；驅(qū)動器，其用于驅(qū)動多個第一電極、多個第二電極、以及多個第三電極；其中，在從多個子場中選擇的各個隨后第一子場中，驅(qū)動器用于在各個第一子組的第一周期期間，從各個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元，并在第二周期期間，維持放電從多個第二子組中選擇的至少一個第二子組的發(fā)光單元，該第二周期是第一周期的至少一部分；在各個第二子組的第三周期期間，從各個第二子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元，第三周期位于鄰近的第一周期之間，用于在第四周期期間將分別具有反相的高電平電壓和低電平電壓的第一維持脈沖和第二維持脈沖提供給至少一個第一子組的發(fā)光單元的第一和第二電極，該第一子組選自于多個第一子組，第四周期是第三周期的至少一部分，并維持放電第一和第二電極；以及當(dāng)或者高電平電壓或者低電平電壓被提供給第一和第二電極時，通過將第一尋址脈沖提供給一個子組的第三電極，從一個第一子組的發(fā)光單元中選擇不發(fā)光單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中驅(qū)動器在至少一個周期期間不提供第一尋址脈沖，該周期或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從低電平電壓增加到高電平電壓的周期，或者選自于第一維持脈沖和第二維持脈沖從高電平電壓減小到低電平電壓的周期。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置，其中，在多個第一子場之前提供的第二子場中，驅(qū)動器用于從第一組的放電單元中選擇發(fā)光單元，用于維持放電第一組的發(fā)光單元，從第二組的放電單元中選擇發(fā)光單元，以維持放電第二組的發(fā)光單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示裝置，其中在第二子場中選擇發(fā)光單元之前，驅(qū)動器用于將多個放電單元設(shè)置為不發(fā)光單元狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示裝置，其中第二周期比第一周期短，且第四周期比第三周期短。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體顯示裝置，其中第二周期等于第一周期，且第四周期等于第三周期。
全文摘要
在等離子體顯示裝置中，多個行電極被分為第一和第二行電極組，且各個第一和第二行電極組被分為多個子組。在一個場的各個子場中，對于第一和第二行電極組的各個子組執(zhí)行尋址周期的操作，且在各個子組的尋址周期之間執(zhí)行維持周期的操作。此外，當(dāng)對于第一行電極組的各個子組執(zhí)行維持周期的操作時，對于第二行電極組的各個子組執(zhí)行尋址周期的操作，并且當(dāng)對于第二行電極組的各個子組執(zhí)行尋址周期的操作時，對于第一行電極組的各個子組執(zhí)行維持周期的操作。
文檔編號G09G3/288GK1956042SQ20061016462
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月6日
發(fā)明者韓斗淵, 丁南聲 申請人:三星Sdi株式會社