專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是大型的平面型顯示器，雖然作為家用的平面電視市場正在擴(kuò)大，要求與CRT同等程度的消耗電力、顯示質(zhì)量、成本。
在下述的專利文獻(xiàn)1中，記載有在覆蓋排列在基板上的電極X、Y，具有在顯示區(qū)域的整個區(qū)域擴(kuò)展的介電體層的玻璃放電顯示器件的制造中，在結(jié)束電極X、Y的排列的階段以后的基板結(jié)構(gòu)體的表面上，作為介電體層通過等離子體氣相生長法形成各向同性地覆蓋成膜的基底面的層的制造方法。
此外，在下述的專利文獻(xiàn)2中，記載有放電氣體的組成比為Xe 2％～20％，He 15％～50％，He組成比大于Xe組成比，放電氣體的全壓力為400Torr～550Torr，而且施加在地址電極上的電壓脈沖的寬度為2μs以下的等離子體顯示面板。
日本專利特開2000-21304號公報[專利文獻(xiàn)2]日本專利特開2003-346660號公報發(fā)明內(nèi)容此外，HDTV(高精細(xì)電視機(jī))的開發(fā)正在進(jìn)行中。因為HDTV像素數(shù)多，故存在每一個像素的發(fā)光面積減小，亮度降低的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種高亮度的等離子體顯示裝置。
本發(fā)明的等離子體顯示裝置包括第一和第二基板；用于在上述第一基板上進(jìn)行維持放電而在上述第一基板上形成的第一和第二電極；用于在與上述第二電極之間進(jìn)行地址放電而在上述第二基板上形成的第三電極；在上述第一基板上以覆蓋上述第一和第二電極的方式由氧化硅膜形成的介電體層；以及存在于上述第一與第二基板之間的Xe濃度為10％±2.5％以內(nèi)的放電氣體，其中上述介電體層厚度為10μm±2.5μm以內(nèi)，上述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
在本發(fā)明的一種優(yōu)選方式中，施加在上述第一與第二電極之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，還包括以由上述第一～第三電極構(gòu)成的顯示單元單位劃分，具有排氣通道的梯形肋，與上述排氣通道平行方向上延伸的行數(shù)為1080行以上，上述行距為380μm以上。
而且，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層通過等離子體CVD法形成。
在本發(fā)明的又一種優(yōu)選方式中，還包括將極性不同的兩個規(guī)定的電壓交互地供給到上述第一和第二電極的開關(guān)元件。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，還包括經(jīng)由線圈將電壓供給到上述第一和第二電極的電力回收電路。
而且，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，供給到上述第一和第二電極的維持放電脈沖的最大值和最小值的絕對值相同且極性相反。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述第一～第三電極構(gòu)成顯示單元，用于復(fù)位上述顯示單元而施加在上述第二電極上的復(fù)位脈沖的振幅絕對值為180～200V，用于在上述第二與第三電極之間進(jìn)行地址放電的、施加在上述第三電極上的地址脈沖的振幅絕對值為60～70V，對應(yīng)于上述地址脈沖，施加在上述第二電極上的掃描脈沖的振幅絕對值為110～130V。
在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層的厚度為32μm以下。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層的厚度為10μm以下。
在本發(fā)明的又一種優(yōu)選方式中，第一和第二基板；用于在上述第一基板上進(jìn)行維持放電而在上述第一基板上形成的第一和第二電極；用于在與上述第二電極之間進(jìn)行地址放電而在上述第二基板上形成的第三電極；以及在上述第一基板上以覆蓋上述第一和第二電極的方式由氧化硅膜形成，厚度為10μm±2.5μm以內(nèi)的介電體層。
而且，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，施加在上述第一與第二電極之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
在本發(fā)明的又一種優(yōu)選方式中，還包括以由上述第一～第三電極構(gòu)成的顯示單元單位劃分，具有排氣通道的梯形肋，與上述排氣通道平行方向上延伸的行數(shù)為1080行以上，上述行距為380μm以上。
而且，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層通過等離子體CVD法形成。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，供給到上述第一和第二電極的維持放電脈沖的最大值和最小值的絕對值相同且極性相反。
在本發(fā)明的又一種優(yōu)選方式中，上述第一～第三電極構(gòu)成顯示單元，用于復(fù)位上述顯示單元而施加在上述第二電極上的復(fù)位脈沖的振幅絕對值為180～200V，用于在上述第二與第三電極之間進(jìn)行地址放電的、施加在上述第三電極上的地址脈沖的振幅絕對值為60～70V，對應(yīng)于上述地址脈沖，施加在上述第二電極上的掃描脈沖的振幅絕對值為110～130V。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層的厚度為32μm以下。
而且，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述介電體層的厚度為10μm以下。
此外，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選方式中，上述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
通過使用氧化硅膜的介電體層，可以增加放電氣體的Xe濃度。由此，發(fā)光效率提高，可以實現(xiàn)高亮度。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)成例的示意圖。
圖2是表示第一實施方式的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)例的分解斜視圖。
圖3是表示X電極驅(qū)動電路和Y電極驅(qū)動電路內(nèi)的各維持電路的構(gòu)成例的電路圖。
圖4是表示由圖3的維持電路發(fā)生的X電極的維持放電脈沖的例子的示意圖。
圖5是表示第一實施方式的一幀圖像的構(gòu)成例的示意圖。
圖6是表示放電氣體的Xe濃度與維持放電電壓的關(guān)系的曲線圖。
圖7是表示介電體層的厚度與維持放電電壓的關(guān)系的曲線圖。
圖8是表示介電體層的厚度與氣體放電電流的關(guān)系的曲線圖。
圖9是表示用于生成圖10的維持放電脈沖的維持電路的構(gòu)成例的電路圖。
圖10是表示本發(fā)明的第二實施方式的一幀圖像的構(gòu)成例的示意圖。
圖11(A)～(C)是表示本發(fā)明的第三實施方式的肋、X電極、Y電極和地址電極的構(gòu)成例的示意圖。
圖12是表示總線電極、透明電極、肋的構(gòu)成例的俯視圖。
標(biāo)號的說明1 前面玻璃基板2 背面玻璃基板3 等離子體顯示面板4 X電極驅(qū)動電路5 Y電極驅(qū)動電路6 地址電極驅(qū)動電路7 驅(qū)動控制電路8 掃描電路9 隔壁(肋)11 總線電極12 透明電極13、16 介電體層14 保護(hù)層15 地址電極
18～20 熒光體21 信號處理電路具體實施方式
(第一實施方式)圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的等離子體顯示裝置的構(gòu)成例的示意圖。信號處理電路21處理從輸入端子IN輸入的信號，輸出至驅(qū)動控制電路7。驅(qū)動控制電路7控制X電極驅(qū)動電路4、Y電極驅(qū)動電路5、掃描電路8和地址電極驅(qū)動電路6。X電極驅(qū)動電路4將規(guī)定的電壓供給到多個X電極X1、X2、……。以下將各個X電極X1、X2、……或其總稱稱為X電極Xi，i表示附加字。Y電極驅(qū)動電路5通過掃描電路8將規(guī)定電壓供給到多個Y電極Y1、Y2、……。以下將各個Y電極Y1、Y2、……或其總稱稱為Y電極Yi，i表示附加字。地址電極驅(qū)動電路6將規(guī)定電壓供給到多個地址電極A1、A2、……。以下，將各個地址電極A1、A2、……或其總稱稱為地址電極Aj，j表示附加字。
在等離子體顯示面板3中，X電極Xi和Y電極Yi形成為與水平方向并行延伸的行，地址電極Aj形成為在垂直方向上延伸的列。Y電極Yi和X電極Xi在垂直方向交互地配置。Y電極Yi和地址電極Aj形成i行j列的二維矩陣。顯示單元Cij由Y電極Yi和地址電極Aj的交點和與它對應(yīng)并相鄰的X電極Xi形成。該顯示單元Cij與像素對應(yīng)，等離子體顯示面板3可以顯示二維圖像。在全標(biāo)準(zhǔn)HDTV中具有1920(水平方向)×1080(垂直方向)個像素。
圖2為表示本實施方式的等離子體顯示面板3的結(jié)構(gòu)例的分解斜視圖?？偩€電極11在透明電極12上形成。電極11和12的組成與圖1的X電極Xi或Y電極Yi對應(yīng)。X電極Xi和Y電極Yi在前面玻璃基板1上交互形成。在其上覆蓋有與放電空間絕緣的介電體層13。介電體13是通過等離子體CVD(化學(xué)氣相堆積)法形成的氧化硅膜(SiO2)，厚度為10μm。另外，再在其上面覆蓋有MgO(氧化鎂)保護(hù)層14。另一方面，地址電極15與圖1的地址電極Aj對應(yīng)，形成在與前面玻璃基板1相對配置的背面玻璃基板2上。在其上覆蓋有介電體層16。再在其上覆蓋有紅色熒光體層18、綠色熒光層19和藍(lán)色熒光體層20。在隔壁(肋)9的內(nèi)面上，以帶狀對各種色中的每一個色配置涂布紅、青、綠色熒光層18～20。利用X電極Xi和Y電極Yi之間的放電，激勵熒光體層18～20，發(fā)出各色光。在前面玻璃基板1和背面玻璃基板2之間的放電空間中封入有Ne+Xe的陰極(Penning)氣體等放電氣體。放電氣體中Xe濃度為10％。
圖5是表示本實施方式的一幀圖像fk的構(gòu)成例的示意圖。圖像由多個幀fk-1、fk、fk+1等構(gòu)成。一幀fk例如由第一子幀sf1、第二子幀sf2、…、第8子幀sf8形成。以下，將子幀sf1、sf2等各個或其總稱稱為子幀sf。各子幀sf具有相當(dāng)于灰度二進(jìn)制位數(shù)的權(quán)重。
各個子幀sf由復(fù)位期間TR、地址期間TA和維持(sustain)放電期間TS構(gòu)成。在復(fù)位期間TR中進(jìn)行顯示單元Cij的初始化。在Y電極Yi上施加正的鈍波(具有正的傾斜的波形)Pr1和負(fù)的鈍波(具有負(fù)的傾斜的波形)Pr2。用于復(fù)位顯示單元Cij而施加在Y電極Yi上的復(fù)位脈沖Pr1的振幅絕對值V1為180～200V。
在地址期間TA中，利用地址電極Aj與Y電極Yi之間的地址放電，可以選擇各個顯示單元Cij的發(fā)光或不發(fā)光。具體而言，通過依次將掃描脈沖Py施加在Y電極Y1、Y2、Y3、Y4、……等之上，與該掃描脈沖Py對應(yīng)，將地址脈沖Pa施加在地址電極Aj上，由此可以選擇期望的顯示元件Cij的發(fā)光或不發(fā)光。
用于在Y電極Yi與地址電極Aj之間進(jìn)行地址放電的、施加在地址電極Aj上的地址脈沖Pa的振幅絕對值V3為60～70V。對應(yīng)于地址脈沖Pa，施加在Y電極Yi上的掃描脈沖Py的振幅絕對值V2為110～130V。
在維持期間TS中，在選擇的顯示單元Cij的X電極Xi與Y電極Yi之間進(jìn)行維持放電，進(jìn)行發(fā)光。在各個子幀sf中，由X電極Xi與Y電極Yi之間的維持放電脈沖Ps產(chǎn)生的發(fā)光次數(shù)(維持期間TS的長度)不同。這樣，可以決定灰度值。維持放電脈沖Ps為0V和電壓Vs的脈沖。
圖3是表示圖1的X電極驅(qū)動電路4和Y電極驅(qū)動電路5內(nèi)的各維持電路的構(gòu)成例的電路圖。維持電路是用于生成圖5的維持放電脈沖Pa的電路。面板電容Cp是X電極Xi與Y電極Yi之間的電容。作為例子，說明X電極驅(qū)動電路4內(nèi)的維持電路的構(gòu)成例。Y電極驅(qū)動電路5內(nèi)的維持電路的構(gòu)成也是同樣的。以下，將MOS電場效應(yīng)晶體管簡稱為晶體管。
N溝道晶體管Q1的漏極連接到電壓Vs，源極連接到面板電容Cp的X電極Xi。N溝道晶體管Q2的漏極連接到面板電容Cp的X電極Xi，源極接地。線圈L1連接到X電極Xi與二極管D1的陰極之間。N溝道晶體管Q3的源極連接到二極管D1的陽極。線圈L2連接到X電極Xi與二極管D2的陽極之間。N溝道晶體管Q4的源極連接到二極管D2的陰極。電容C1連接到晶體管Q3和Q4的漏極的相互連接點與地線之間。該維持電路具有電力回收電路301。電力回收電路301包括線圈L1、L2，二極管D1、D2和晶體管Q3、Q4。
圖4是表示由圖3的維持電路生成的X電極Xi的維持放電脈沖Ps的例子的示意圖。在時刻t1使晶體管Q3接通(ON)。于是，充電到電容C1中的電荷通過LC諧振，供給到面板電容Cp。X電極Xi的電壓從地電平上升。也就是說，釋放回收的電力。接著，在時刻t2，晶體管Q3斷開(OFF)，晶體管Q1接通。于是，X電極Xi被箝位于電壓Vs。在時刻t3以后，X電極Xi維持電壓Vs。接著，在時刻t4，晶體管Q1斷開，晶體管Q4接通。于是，充電到面板電容Cp中的電荷通過LC諧振，供給到電容C1。X電極Xi的電壓從電壓Vs降低。也就是說，電容C1回收面板電容Cp的電力。接著，在時刻t5，晶體管Q4斷開，晶體管Q2接通。于是，X電極Xi被箝位于地電平。在時刻t6以后，X電極Xi維持地電平。然后，重復(fù)時刻t1～t6的動作。
圖6是表示放電氣體的Xe濃度與維持放電電壓的關(guān)系的曲線圖。橫軸表示放電氣體的Xe濃度?？v軸表示維持放電電壓。在維持放電期間TS中，維持放電電壓Vs施加在X電極Xi與Y電極Yi之間，發(fā)生放電。電壓Vs為例如180V。
特性601是本實施方式的特性。圖2的介電體層13是通過等離子體CVD法形成的氧化硅膜。放電氣體是除Xe以外其余由Ne構(gòu)成。
特性602是比較例的特性。圖2的介電體層13是在高溫下燒制鉛玻璃(70％是PbO，其余是SiO2)。放電氣體是除Xe以外是30％的He，其余是Ne。
放電氣體中的Xe濃度越高，則等離子體顯示裝置的發(fā)光效率越高。在維持放電電壓為Vs的情況下，在本實施方式的特性601中Xe的濃度為10％，在比較例的特性602中Xe的濃度為5％。在維持放電電壓相同的情況下，本實施方式的特性601與比較例的特性602相比，Xe濃度提高，發(fā)光效率提高。特別是在HDTV的情況下，由于像素數(shù)多達(dá)1920×1080像素，所以一個像素的發(fā)光面積減小。因而，發(fā)光效率提高，亮度提高的效果是有效的。
本實施方式的等離子體顯示裝置，維持放電電壓在Vs-5％至Vs+5％之間可以保證動作。維持放電電壓為Vs-5％時Xe濃度為7.5％，維持放電電壓為Vs+5％時Xe濃度為12.5％。本實施方式可以使用Xe濃度7.5～12.5％的高濃度范圍603。
在全標(biāo)準(zhǔn)HDTV對應(yīng)的等離子體顯示裝置中，由于像素數(shù)多，故一個像素的開口率小，亮度降低。在比較例的特性602中，在介電體層13中使用鉛玻璃(比介電率13～14)，封入5％的Xe，在將維持放電電壓取為Vs(180V)的情況下，全白亮度為115cd/m2(300W)，全黑時的無效電力也超過200W。
優(yōu)選全白亮度為150cd/m2(300W)以上，全黑時的無效電力為150W以下。但是，在比較例的特性602中，在進(jìn)一步提高5％的Xe濃度，謀求高亮度化的情況下，不得不使維持放電電壓高于Vs(180V)，在該情況下，無效電力進(jìn)一步增加。如果提高維持放電電壓，則產(chǎn)生電路元件的高耐壓化的問題。
與此相反，在本實施方式的特性601中，通過在介電體層13中使用比介電率大約低于4的氧化硅膜，可以既將維持放電電壓取為Vs(180V)，且將Xe濃度增加到10％，又使全黑的無效電力為150W以下。此外，由于提高了Xe濃度，所以發(fā)光效率提高，全白亮度超過150cd/m2。根據(jù)本實施方式，可以適應(yīng)高分辨率的全標(biāo)準(zhǔn)HDTV，可以兼顧亮度的提高和無效電力的削減。
如果在特性602中將Xe濃度取為5％，在特性601中將Xe濃度取為10％，則可以同時使用相同的維持放電電壓Vs，圖1的相同電路4～8，和圖5的相同電壓波形。
在本實施方式中，優(yōu)選存在于前面玻璃基板1與背面玻璃基板2之間的放電氣體的Xe濃度為10％±2.5％以內(nèi)。此外，優(yōu)選施加在X電極Xi與Y電極Yi之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。此外，優(yōu)選本實施方式的等離子體顯示裝置可顯示1920×1080像素。
圖7是表示介電體層13的厚度與維持放電電壓的關(guān)系的曲線圖。橫軸表示介電體層13的厚度。縱軸表示維持放電電壓。特性701表示圖6的本實施方式的特性601的Xe濃度10％的特性。特性702表示圖6的比較例的特性602的Xe濃度10％的特性。特性703表示圖6的比較例的特性602的Xe濃度5％的特性。如圖6中所說明的那樣，特性701和703可以將維持放電電壓取為相同電壓Vs。電壓Vs為例如180V。此時，在特性701中，介電體層13的厚度薄為10μm，在特性703中，介電體層13的厚度厚為30μm。在特性701中，維持放電電壓為Vs-5％和Vs+5％時，介電體層13的厚度分別為5μm和15μm，成為范圍704。特性702與特性703相比，如果介電體層13的厚度相同，則維持放電電壓提高。優(yōu)選本實施方式的介電體層13的厚度在10μm±2.5μm％以內(nèi)。此外，優(yōu)選施加在X電極Xi與Y電極Yi之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。
圖8是表示介電體層13的厚度與氣體放電電流Ig的關(guān)系的曲線圖。橫軸表示介電體層13的厚度?？v軸表示維持放電期間TS中的維持放電時的氣體放電電流Ig。特性801對應(yīng)于圖6的本實施方式的特性601，介電體層13的介電率小。特性802對應(yīng)于圖6的比較例的特性602，介電率大。本實施方式的特性801與比較例的特性802相比，介電體層13的厚度相同時，氣體放電電流Ig減小。由此，本實施方式可以減小消耗電力，抑制發(fā)熱量。如圖7中所示，通過在特性701中將介電體層13的厚度取為10μm，在特性703中將介電體層13的厚度取為30μm，可以實現(xiàn)相同維持放電電壓Vs。同樣，通過在特性801中將介電體層13的厚度取為10μm，在特性802中將介電體層13的厚度取為30μm，可以實現(xiàn)相同氣體放電電流Ig。也就是說，兩者可以使用圖1的相同電路4～8，和圖5的相同電壓波形。
像以上這樣，根據(jù)本實施方式，通過使用氧化硅膜的介電體層13，可以增加放電氣體的Xe濃度。由此，發(fā)光效率提高，可以實現(xiàn)高亮度。此外，可以抑制無效電力。
(第二實施方式)圖10是表示本發(fā)明的第二實施方式的一幀圖像fk的構(gòu)成例的示意圖。圖10與圖5，僅維持放電期間TS的維持放電脈沖Ps不同，其他方面兩者是相同的。以下，說明第二實施方式與第一實施方式不同之處。X電極Xi和Y電極Yi的維持放電脈沖Ps交互地形成Vs/2的脈沖與-Vs/2的脈沖。也就是說，供給到X電極Xi和Y電極Yi的維持放電脈沖Ps的最大值Vs/2和最小值-Vs/2的絕對值是相同的，而且極性是相反的。本實施方式與第一實施方式同樣，電位差Vs施加在X電極Xi與Y電極Yi之間，發(fā)生維持放電。
圖9是表示用于生成圖10的維持放電脈沖Ps的維持電路的構(gòu)成例的電路圖。該維持電路是TERES(Technology of Reciprocal Sustainer倒易維持技術(shù))電路。說明圖9與圖3的不同之處。晶體管Q1的漏極連接到電壓+Vs/2。晶體管Q2的源極連接到電壓-Vs/2。晶體管Q3和Q4的漏極的相互連接點接地。該維持電路的動作與圖3的電路是同樣的，開關(guān)元件Q1～Q4將極性不同的兩個規(guī)定的電壓(Vs/2和-Vs/2)交互地供給到X電極Xi和Y電極Yi。此外，該維持電路與圖3的電路同樣，具有電力回收電路301。由于本實施方式的維持電路，各電路元件的耐壓不是Vs，而可以是Vs/2的低電壓，所以可以降低成本。
(第三實施方式)圖11(B)是表示本發(fā)明的第三實施方式的肋1122的結(jié)構(gòu)例的俯視圖，圖11(C)是其剖視圖，圖11(A)是肋1122、X電極Xi、Y電極Yi和地址電極Aj的俯視圖。在圖2的第一實施方式中，肋9是與地址電極15平行地配置的條紋型肋。本實施方式具有梯形肋1122。梯形肋1122以由X電極Xi、Y電極Yi和地址電極Aj構(gòu)成的顯示單元Cij單位劃分，具有排氣通道1123。以下，說明本實施方式與第一實施方式不同之處。
在圖11(B)中，肋1122例如垂直方向開口1111是390μm，水平方向開口1112是160μm。排氣通道1123例如寬度1113是140μm。經(jīng)由排氣通道1123的肋1122的垂直方向的整個寬度1114例如是240μm。肋1122例如垂直方向頂部寬度1115和水平方向頂部寬度1116都是50μm。
在圖11(C)中，肋高度1120例如是120μm。肋底寬度1117例如是100μm。肋間距離1118例如是110μm。顯示單元Cij之間的間距例如是0.63mm×0.21mm。
在圖11(A)中，X電極Xi和Y電極Yi與圖2同樣，具有透明電極12和總線電極11。透明電極12是梯形透明電極。透明電極12的頭部垂直方向?qū)挾?103例如是95μm。Y電極Y1和Y2間的距離1101例如是80μm?？偩€電極11的寬度1102例如是60μm。X電極X2的透明電極12的頭部和與之鄰接的Y電極Y1的透明電極12的頭部之間的窄縫(放電間隙)1104例如是80μm。
對排氣通道1123進(jìn)行說明。圖2的前面玻璃基板1與背面玻璃基板2之間的空間經(jīng)由排氣通道1123進(jìn)行真空排氣。然后，經(jīng)由排氣通道1123，在前面玻璃基板1與背面玻璃基板2之間的空間中封入放電氣體。
圖12與圖11(A)同樣，是表示總線電極11、透明電極12、肋1122的構(gòu)成例的俯視圖。1201是肋1122的頂部寬度。1202是放電間隙1203的邊緣與肋1122的邊緣的間隔(邊緣間隙)。1203是X電極Xi和Y電極Yi的放電間隙。1204是排氣通道1123的寬度。1205是顯示單元的間距。
在現(xiàn)有的肋的加工精度下，排氣通道寬度1204為100μm以上，肋的頂部寬度1201為50μm以上是必要的。此外，由于如果放電間隙1203過窄，則線間電容加大，所以優(yōu)選放電間隙1203為80μm以上。進(jìn)而，如果考慮到圖2的前面玻璃基板1和背面玻璃基板2的對位精度，則放電間隙1203的邊緣與肋1122的邊緣的間隔(邊緣間隙)1202為50μm以上是必要的。因而，優(yōu)選顯示單元間距1205至少為380μm以上。
本實施方式的等離子體顯示裝置可以適應(yīng)1920×1080像素的全標(biāo)準(zhǔn)HDTV。在該情況下，優(yōu)選在與排氣通道1123平行方向上延伸的行數(shù)為1080以上，其行距1205為380μm以上。此外，優(yōu)選圖2的介電體層13厚度為32μm以下，更優(yōu)選10μm以下。
此外，上述實施方式全都只不過是表示實施本發(fā)明時的具體化的例子，不能由此解釋成本發(fā)明的技術(shù)范圍的限定。也就是說，本發(fā)明只要不脫離其技術(shù)思想，或者其主要特征，可以以各種的方式實施。本發(fā)明的實施方式，例如可以有各種運用。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，其特征在于，包括第一和第二基板；用于在所述第一基板上進(jìn)行維持放電而在所述第一基板上形成的第一和第二電極；用于在與所述第二電極之間進(jìn)行地址放電而在所述第二基板上形成的第三電極；在所述第一基板上以覆蓋所述第一和第二電極的方式由氧化硅膜形成的介電體層；以及存在于所述第一與第二基板之間的Xe濃度為10％±2.5％以內(nèi)的放電氣體，其中所述介電體層厚度為10μm±2.5μm以內(nèi)，所述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于施加在所述第一與第二電極之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于還包括以由所述第一～第三電極構(gòu)成的顯示單元單位劃分，具有排氣通道的梯形肋，與所述排氣通道平行方向上延伸的行數(shù)為1080行以上，所述行距為380μm以上。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層通過等離子體CVD法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于還包括將極性不同的兩個規(guī)定的電壓交互地供給到所述第一和第二電極的開關(guān)元件。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于還包括經(jīng)由線圈將電壓供給到所述第一和第二電極的電力回收電路。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于供給到所述第一和第二電極的維持放電脈沖的最大值和最小值的絕對值相同且極性相反。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述第一～第三電極構(gòu)成顯示單元，用于復(fù)位所述顯示單元而施加在所述第二電極上的復(fù)位脈沖的振幅絕對值為180～200V，用于在所述第二與第三電極之間進(jìn)行地址放電的、施加在所述第三電極上的地址脈沖的振幅絕對值為60～70V，對應(yīng)于所述地址脈沖，施加在所述第二電極上的掃描脈沖的振幅絕對值為110～130V。
9.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層的厚度為32μm以下。
10.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層的厚度為10μm以下。
11.一種等離子體顯示裝置，其特征在于，包括第一和第二基板；用于在所述第一基板上進(jìn)行維持放電而在所述第一基板上形成的第一和第二電極；用于在與所述第二電極之間進(jìn)行地址放電而在所述第二基板上形成的第三電極；以及在所述第一基板上以覆蓋所述第一和第二電極的方式由氧化硅膜形成，厚度為10μm±2.5μm以內(nèi)的介電體層。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于施加在所述第一與第二電極之間的維持放電電壓為180V±5％以內(nèi)。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
14.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于還包括以由所述第一～第三電極構(gòu)成的顯示單元單位劃分，具有排氣通道的梯形肋，與所述排氣通道平行方向上延伸的行數(shù)為1080行以上，所述行距為380μm以上。
15.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層通過等離子體CVD法形成。
16.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于供給到所述第一和第二電極的維持放電脈沖的最大值和最小值的絕對值相同且極性相反。
17.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述第一～第三電極構(gòu)成顯示單元，用于復(fù)位所述顯示單元而施加在所述第二電極上的復(fù)位脈沖的振幅絕對值為180～200V，用于在所述第二與第三電極之間進(jìn)行地址放電的、施加在所述第三電極上的地址脈沖的振幅絕對值為60～70V，對應(yīng)于所述地址脈沖，施加在所述第二電極上的掃描脈沖的振幅絕對值為110～130V。
18.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層的厚度為32μm以下。
19.如權(quán)利要求14所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述介電體層的厚度為10μm以下。
20.如權(quán)利要求12所述的等離子體顯示裝置，其特征在于所述第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于提供一種高亮度的等離子體顯示裝置。提供一種等離子體顯示裝置，包括第一和第二基板(1、2)；用于在所述第一基板上進(jìn)行維持放電而在第一基板上形成的第一和第二電極(11、12)；用于在與第二電極之間進(jìn)行地址放電而在第二基板上形成的第三電極(15)；在所述第一基板上以覆蓋第一和第二電極的方式由氧化硅膜形成的介電體層(13)；以及存在于第一與第二基板之間的Xe濃度10％±2.5％以內(nèi)的放電氣體。介電體層厚度為10μm±2.5μm以內(nèi)。第一～第三電極構(gòu)成一個像素，可顯示1920×1080像素。
文檔編號G09G3/20GK1941260SQ20061014125
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者小野澤誠, 橋本康宣, 岸智勝, 柴田將之 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司