專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
一種等離子體顯示面板包括形成在由障壁分隔的放電單元中的熒光體，以及多個(gè)電極，驅(qū)動信號通過這些電極供應(yīng)給放電單元。
當(dāng)向放電單元供應(yīng)驅(qū)動信號給時(shí)，放電單元中填充的放電氣體產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線激發(fā)形成在放電單元中的熒光體，使得圖像顯示在等離子體顯示面板上。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種等離子體顯示面板，其通過減少等離子體顯示面板的電容在驅(qū)動等離子體顯示面板時(shí)能減少無功功率。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極，形成在后基板上與第一電極和第二電極交叉的第三電極，以及相互交叉在前基板和后基板之間形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線對準(zhǔn)，或其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為位于與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線相距預(yù)定距離處，其中第一電極和第二電極之間的距離為100μm到200μm。
實(shí)現(xiàn)形式可包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)。例如，可在前基板的對應(yīng)于第二障壁的頂部部分的一部分上形成第一黑層。第一黑層形成在與第一電極和第二電極相距預(yù)定距離處。
第一電極和第二電極每個(gè)可包括透明電極和匯流電極。第二黑層可形成在透明電極和匯流電極之間。
第一電極和第二電極與第一障壁交叉的部分的寬度可小于第一電極和第二電極位于放電單元中的部分的寬度。
另一方面，提供了一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極，形成在后基板上與第一電極和第二電極交叉的第三電極，用于在前基板和后基板之間分隔放電單元的第一障壁，每個(gè)放電單元具有不同的熒光體，以及用于在前基板和后基板之間分隔放電單元的第二障壁，每個(gè)放電單元具有相同的熒光體，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線對準(zhǔn)， 或其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為位于與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線相距預(yù)定距離處，其中第二障壁的頂部部分的寬度等于或小于第一障壁的頂部部分的寬度。
實(shí)現(xiàn)形式可包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)。例如，第一電極和第二電極中每一個(gè)可由匯流電極組成。
另一方面，提供了一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極，形成在后基板上與第一電極和第二電極交叉的第三電極，以及相互交叉在前基板和后基板之間形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)之間的距離小于或等于兩個(gè)相鄰的第二障壁頂部部分之間的距離，且其中第一電極和第二電極之間的距離為100μm到200μm。
實(shí)施可包括以下特征中的一個(gè)或多個(gè)。例如，第一電極和第二電極中每一個(gè)的距第二障壁最近的一側(cè)之間的距離可小于或等于兩個(gè)相鄰的第二障壁頂部部分之間的距離。
可以理解，前述簡要說明和以下詳細(xì)說明視示例和解釋性的，且意欲為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明，其中相同標(biāo)號表示相同元件。
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖2a和2b所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的黑層的設(shè)置結(jié)構(gòu)；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的第一黑層的形成位置；圖5a和5b所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的黑層的另一設(shè)置結(jié)構(gòu)；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)；圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的電極的結(jié)構(gòu)；以及圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動方法。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板包括前面板100和后面板110，以間隔給定距離相互平行接合。前面板100包括前基板101，其上形成第一電極102和第二電極103。后面板110包括后基板111，其上形成與第一電極102和第二電極103交叉的第三電極113。
第一電極102和第二電極103相互平行形成在前基板101上。第一電極102和第二電極103在放電單元中產(chǎn)生放電并保持放電單元的放電。
需要考慮第一電極102和第二電極103的光透射率和導(dǎo)電率，以將放電單元中產(chǎn)生的光發(fā)射到外面并保證驅(qū)動效率。因此，優(yōu)選地第一電極102和第二電極103每個(gè)包括由透明銦錫氧化物(ITO)材料制成的透明電極102a和103a和由不透明銀制成的匯流電極102b和103b。
因?yàn)榈谝浑姌O102和第二電極103每個(gè)包括透明電極102a和103a，所以放電單元中產(chǎn)生的可見光被有效地發(fā)射到等離子體顯示面板的外面。
因?yàn)榈谝浑姌O102和第二電極103每個(gè)包括匯流電極102b和103b，匯流電極102b和103b防止由具有低導(dǎo)電率的透明電極102a和103a導(dǎo)致的驅(qū)動效率降低。換言之，匯流電極102b和103b補(bǔ)償透明電極102a和103a的低導(dǎo)電率。
第一電極102和第二電極103可由匯流電極102b和103b組成。換言之，第一電極102和第二電極103可形成為單層的形式，其中省略透明電極102a和103a。
當(dāng)?shù)谝浑姌O102和第二電極103每個(gè)由匯流電極102b和103b組成時(shí)，等離子體面板的制造成本下降?？紤]到當(dāng)驅(qū)動等離子體面板時(shí)，第一電極102和第二電極103之間的點(diǎn)火電壓或第一電極102和第三電極113之間的點(diǎn)火電壓，可對第一電極102和第二電極103之間的距離進(jìn)行調(diào)節(jié)。
第一電極102和第二電極103的線寬r1可相互不同，以在第一電極102或第二電極103和第三電極113之間產(chǎn)生尋址放電期間改進(jìn)抖動特性。但是，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，第一電極102和第二電極103的線寬r1相互相等，使得易于制造電極。
第一電極102和第二電極103中每個(gè)的線寬r1為180μm到210μm。第一電極102和第二電極103中每個(gè)的線寬r1可與放電單元的間距R1成正比增加。
第一黑層102c和103c可形成在前基板111上，與第一電極102和第二電極103平行。第一黑層102c和103c防止外部的光反射。第一電極102、第二電極103以及第一黑層102c和103c將在下面詳細(xì)說明。
上電介質(zhì)層104可形成在前基板101上，其上形成第一電極102、第二電極103以及第一黑層102c和103c，以覆蓋第一電極102和第二電極103。
上電介質(zhì)層104限制第一電極102和第二電極103的放電電流，且在第一電極102和第二電極103之間提供絕緣。
可在上電介質(zhì)層104的上表面上形成保護(hù)層105以促進(jìn)放電條件。保護(hù)層105可由具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的材料制成，例如，氧化鎂(MgO)。保護(hù)層105可使用沉積方法形成。
在圖1所示的等離子體顯示面板中，上電介質(zhì)層104和下電介質(zhì)層115每個(gè)形成為單層形式。但是，上電介質(zhì)層104和下電介質(zhì)層115中至少一個(gè)可包括多個(gè)層。
形成在后基板111上的第三電極113向放電單元供應(yīng)數(shù)據(jù)信號。第三電極113在后基板111上具有相等的線寬r2，使得易于制造電極。
在這種情況下，第三電極113的線寬r2范圍可從60μm到80μm。第三電極113的線寬r2可與放電單元的間距R2成正比增加。
雖然圖中未示出，第三電極113在后基板111上可具有不同的線寬r2，以在第一電極102或第二電極103和第三電極113之間產(chǎn)生尋址放電期間改進(jìn)抖動特性。換言之，第三電極113在對應(yīng)于第一電極102或第二電極103的位置可具有最寬的線寬。
在后基板111上可形成下電介質(zhì)層115以覆蓋第三電極113。
在下電介質(zhì)層115上形成第一障壁112a和第二障壁112b以分隔放電空間(即，放電單元)。第一障壁112a平行于第三電極113形成。第二障壁112b形成為與第三電極113交叉。
由第一障壁112a和第二障壁112b形成的放電單元可具有各種結(jié)構(gòu)，如井型、△型、蜂窩型。
由第一障壁112a和第二障壁112b形成的放電單元填充有預(yù)定的放電氣體。
優(yōu)選地，放電單元中氙(Xe)含量為放電單元中總放電氣體的10％到20％。當(dāng)氙含量在以上范圍中時(shí)，紫外線發(fā)射量與點(diǎn)火電壓成正比增加，使得從紫外線到可見光的轉(zhuǎn)換效率增加。
當(dāng)尋址放電發(fā)生時(shí)，用于為圖像顯示發(fā)射可見光的熒光體114形成在放電單元中。例如，可形成紅(R)熒光體、綠(G)熒光體和藍(lán)(B)熒光體。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板通過這樣做來顯示圖像向第一電極102、第二電極103和第三電極113供應(yīng)驅(qū)動信號，然后在由第一障壁112a和第二障壁112b分隔的放電單元中產(chǎn)生放電。
以圖1中根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板為例給出說明。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板不限于圖1所示的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。例如，用于吸收外部的光的黑層(未示出)可形成在第二障壁112b上以防止由第一障壁112a或第二障壁112b導(dǎo)致的外部的光的反射。
圖2a和2b所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)。
如圖2a所示，形成在前基板101上的第一電極102和第二電極103中每一個(gè)可形成為與位于第二障壁112頂部部分的基準(zhǔn)線L1對準(zhǔn)。而且，如圖2b所示，第一電極102和第二電極103中每一個(gè)形成為位于與基準(zhǔn)線L1相距預(yù)定距離處。
第一電極102的一側(cè)與第二電極103的一側(cè)之間的距離可等于或小于兩個(gè)第二障壁112b的對應(yīng)于第一電極102和第二電極103中每一個(gè)的頂部部分之間的距離。
在這種情況下，第一電極102的一側(cè)與第二電極103的一側(cè)是指離基準(zhǔn)線L1最近的側(cè)。
當(dāng)放電發(fā)生在其中設(shè)置第一電極102和第二電極103的放電單元中時(shí)，這防止了該放電對相鄰放電單元的影響。
在這種情況下，第一電極102和第二電極103之間的距離d1可根據(jù)等離子體顯示面板的放電單元的尺寸而改變。第一電極102和第二電極103之間的距離d1范圍可從約100μm到約200μm。優(yōu)選地，第一電極102和第二電極103之間的距離d1范圍從約100μm到約150μm。
由于第一電極102和第二電極103之間的電壓差，這保證了放電發(fā)生在的單元中時(shí)產(chǎn)生的離子和電子之間足夠的移動距離，于是提高了光發(fā)射的效率。
在圖2a和2b中，基于位于第二障壁112b頂部部分的基準(zhǔn)線L1說明了第一電極102和第二電極103的形成位置。但是，第一電極102和第二電極103可基于位于第二障壁112b基部部分的基準(zhǔn)線(未示出)而設(shè)置。因?yàn)榛谖挥诘诙媳?12b基部部分的基準(zhǔn)線的第一電極102和第二電極103的形成位置與圖2a和2b所示的第一電極102和第二電極103的形成位置相同，所以省略其說明。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的黑層的設(shè)置結(jié)構(gòu)。
參見圖3，第一黑層102c和103c形成在前基板101的對應(yīng)于第二障壁112b的部分上。
在這種情況下，第一黑層102c與第一電極102分開預(yù)定距離d2，且第一黑層103c與第二電極103分開預(yù)定距離d2。
這使放電發(fā)生時(shí)產(chǎn)生的可見光的孔徑比增加，于是改進(jìn)了亮度特性。
第一黑層102c和103c的寬度w1等于第二障壁112b的頂部部分寬度w2的9/10，使得第一黑層102c和103c分別與第一電極102和第二電極103分開預(yù)定距離d2。第一黑層102c和103c的寬度w1可根據(jù)第二障壁112b的頂部部分寬度w2而變化。但是，優(yōu)選地，第一黑層102c和103c的寬度w1為70μm到90μm。
圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的第一黑層的形成位置。
參見圖4，第一黑層102c和103c不是形成在前基板101上而是形成在上電介質(zhì)層104和保護(hù)層105之間。
雖然圖中未示出，當(dāng)前面板包括多個(gè)電介質(zhì)層時(shí)，第一黑層102c和103c可形成在多個(gè)電介質(zhì)層之間。例如，電介質(zhì)材料以糊狀涂在前基板上以覆蓋第一電極和第二電極，于是形成第一電介質(zhì)層。然后，包括該電介質(zhì)材料的生片(green sheet)層壓在前基板上以形成第二電介質(zhì)層。第一黑層形成在第一電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層之間。
在這種情況下，優(yōu)選地，如圖3所示，第一黑層形成在對應(yīng)于第二障壁的位置。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的前面板除了第一黑層還可包括第二黑層。
圖5a和5b所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的黑層的另一設(shè)置結(jié)構(gòu)。
參見圖5a，當(dāng)?shù)谝浑姌O102和第二電極103每個(gè)包括透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b時(shí)，第二黑層102c′和103c′分別形成在透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b之間。
在圖5a中，第一黑層102c和103c形成在前基板101上，前基板101上形成透明電極102a和103a，與圖3中相同。可在透明電極102a和103a的線寬范圍內(nèi)在透明電極102a和103a的任何部分上形成匯流電極102b和103b。優(yōu)選地，匯流電極102b和103b形成在透明電極102a和103a中每個(gè)的線寬的中部。
而且，優(yōu)選地，第二黑層102c′和103c′的線寬基本等于匯流電極102b和103b的線寬。這防止了由匯流電極102b和103b導(dǎo)致的外部的光的反射。
參見圖5b，與圖5a相同，當(dāng)?shù)谝浑姌O102和第二電極103每個(gè)包括透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b時(shí)，第二黑層102c′和103c′分別形成在透明電極102a和103a以及匯流電極102b和103b之間。在圖5b中，第一黑層102c和103c形成在上電介質(zhì)層104和保護(hù)層105之間，與圖4相同。
與相關(guān)技術(shù)的等離子體顯示面板中的總電容相比，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板減小了總電容。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)。
參見圖6，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)大致與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板的結(jié)構(gòu)相同。因此，相同或等效于第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和組件用相同的標(biāo)號指明，且省略其說明。
形成在前基板101和后基板111之間的第一障壁112a分隔包括不同類型熒光體的放電單元。另一方面，形成在前基板101和后基板111之間的第二障壁112b分隔包括相同類型熒光體的放電單元。
在這種情況下，第一障壁112a的頂部部分的寬度n1可與第二障壁112b的頂部部分的寬度w2相同或不同。
通常，在驅(qū)動等離子體顯示面板時(shí)，存在于放電單元中的起動(priming)微粒移動到相鄰的放電單元，因此導(dǎo)致錯(cuò)誤的放電。該錯(cuò)誤的放電是由起動微粒的串?dāng)_導(dǎo)致的。
包括相同類型的熒光體的放電單元中的串?dāng)_導(dǎo)致的錯(cuò)誤的放電量值相對小于包括不同類型的熒光體的放電單元中的串?dāng)_導(dǎo)致的錯(cuò)誤的放電量值。包括相同類型的熒光體的放電單元中的串?dāng)_導(dǎo)致的錯(cuò)誤的放電輕微地影響等離子體顯示面板的限定。包括不同類型的熒光體的放電單元中的串?dāng)_導(dǎo)致的錯(cuò)誤的放電不利地影響等離子體顯示面板的清晰度。
因此，優(yōu)選地，用于分隔包括不同類型的熒光體的放電單元的第一障壁112a的頂部部分的寬度n1大于用于分隔包括相同類型的熒光體的放電單元的第二障壁112b的頂部部分的寬度w2。
第一障壁112a的頂部部分的寬度n1和基部部分的寬度n2可等于第二障壁112b的頂部部分的寬度w2和基部部分的寬度w3，于是障壁易于制造。
第二障壁112b的基部部分的寬度w3為第二障壁112b的頂部部分的寬度w2的1.2倍到2.0倍。
當(dāng)?shù)诙媳?12b的基部部分的寬度w3大于第二障壁112b的頂部部分的寬度w2時(shí)，障壁具有穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。
另外，在等離子體顯示面板的制造過程中，第二障壁112b與第一黑層102c和103c之間的對準(zhǔn)容限減少。
雖然圖中未示出，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示面板中，第一電極和第二電極的位置、第一電極和第二電極之間的距離、第一黑層和第二黑層的設(shè)置結(jié)構(gòu)可與根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體顯示面板中的相同。
因此，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的總電容小于相關(guān)技術(shù)的等離子體顯示面板中的總電容，于是，當(dāng)驅(qū)動等離子體顯示面板時(shí)減少了無功功率。
圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的電極的結(jié)構(gòu)。
如圖7所示，在根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板中，平行于第二障壁112b形成在前基板上的第一電極102和第二電極103在前基板上不具有相等的線寬。換言之，第一電極102的一部分和第二電極103的一部分分別與第一電極102的剩余部分和第二電極103的剩余部分具有不同的線寬。
通常，障壁由電介質(zhì)材料制成，這樣當(dāng)驅(qū)動等離子體顯示面板時(shí)，障壁產(chǎn)生電介質(zhì)極化。由于障壁的電介質(zhì)極化，大多數(shù)電荷聚集在障壁附近，于是不利地影響實(shí)際放電區(qū)中電極之間的點(diǎn)火電壓。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的電極的結(jié)構(gòu)中，在對應(yīng)于第一障壁112a的位置的第一電極102和第二電極103的部分的線寬r1′小于第一電極102和第二電極103的剩余部分的線寬r1。
上述第一電極102和第二電極103的結(jié)構(gòu)防止大多數(shù)電荷聚集在第一障壁112a上，因此導(dǎo)致等離子體顯示面板的穩(wěn)定放電。
圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動方法。
雖然圖中未示出，一幀包括多個(gè)子場，且每個(gè)子場包括復(fù)位時(shí)段、尋址時(shí)段和維持時(shí)段。在這種情況下，如圖8所示，子場還包括先于復(fù)位時(shí)段的預(yù)復(fù)位時(shí)段，這樣在復(fù)位時(shí)段中供應(yīng)的第二上升信號的最大電壓降低。
更具體地，在預(yù)復(fù)位時(shí)段中，第一下降信號供應(yīng)給第一電極Y。在向第一電極Y供應(yīng)第一下降信號時(shí)，與第一下降信號極性方向相反的極性方向的的第一維持偏置信號供應(yīng)給第二電極Z。
優(yōu)選地，第一下降信號逐漸下降到電壓-Vpr。而且，第一下降信號可從地電平電壓GND逐漸下降。
優(yōu)選地，第一維持偏置信號基本保持在維持偏置電壓V3。維持偏置電壓V3可基本等于在維持時(shí)段中要供應(yīng)的維持信號SUS的維持電壓Vs。
在預(yù)復(fù)位時(shí)段中，第一下降信號供應(yīng)給第一電極Y，且第一維持偏置信號供應(yīng)給第二電極Z。這導(dǎo)致預(yù)定極性的壁電荷聚集在第一電極Y上，且極性與預(yù)定極性相反的壁電荷聚集在第二電極Z上。
因此，在復(fù)位時(shí)段中，可發(fā)生具有足夠強(qiáng)度的設(shè)置上(setup)放電，使得放電單元的初始化穩(wěn)定進(jìn)行。
雖然放電單元中壁電荷的量不充足，但是在復(fù)位時(shí)段中，可發(fā)生具有足夠強(qiáng)度的設(shè)置上放電。
幀的所有子場包括上述先于復(fù)位時(shí)段的預(yù)復(fù)位時(shí)段。
考慮到足夠的驅(qū)動時(shí)間，在幀的子場中具有最低水平權(quán)重的子場可包括復(fù)位時(shí)段之前的預(yù)復(fù)位時(shí)段。而且，考慮到足夠的驅(qū)動時(shí)間，幀的子場中兩個(gè)或三個(gè)子場可包括先于復(fù)位時(shí)段的預(yù)復(fù)位時(shí)段。
另外，在幀的所有子場中可省略上述預(yù)復(fù)位時(shí)段。
預(yù)復(fù)位時(shí)段之后的復(fù)位時(shí)段包括設(shè)置上(setup)時(shí)段和設(shè)置下(set-down)時(shí)段。在設(shè)置上時(shí)段中，極性方向與第一下降信號極性方向相反的上升信號供應(yīng)給第一電極Y。
優(yōu)選地，上升信號包括急劇上升到約V1電壓的第一上升信號和逐漸從約V1電壓上升到約V2電壓的第二上升信號。更優(yōu)選地，電壓V1等于電壓Vsc，且電壓V2等于電壓Vsc+Vs。
優(yōu)選地，驅(qū)動器(未示出)將具有低于第一維持偏置信號的維持偏置電壓V3的電壓的第二維持偏置信號供應(yīng)給第二電極Z。
優(yōu)選地，第二維持偏置信號基本保持在第二維持偏置電壓V4。第二維持偏置信號的第二維持偏置電壓V4可等于地電平電壓GND。
在設(shè)置上時(shí)段中，上升信號在放電單元中產(chǎn)生弱的暗放電(即，設(shè)置上放電)。壁電荷通過設(shè)置上放電聚集在放電單元中。
優(yōu)選地，第二上升信號的斜率小于第一上升信號的斜率。在這種情況下，供應(yīng)給第一電極的上升信號的電壓在產(chǎn)生設(shè)置上放電之前快速上升，以及上升信號的電壓在產(chǎn)生設(shè)置上放電期間緩慢上升，因此減少由設(shè)置上放電產(chǎn)生的光的量。于是，對比度增加。
在設(shè)置上時(shí)段中，驅(qū)動器將上升到電壓Va的正極性方向的信號供應(yīng)給第三電極X。
在設(shè)置下時(shí)段中，驅(qū)動器將在供應(yīng)上升信號之后的第二下降信號供應(yīng)給第一電極Y。第二下降信號的極性方向與上升信號的極性方向相反。
優(yōu)選地，第二下降信號從電壓V2逐漸下降。而且，優(yōu)選地，掃描偏置信號的電壓量值等于電壓Vsc。
在向第一電極Y供應(yīng)第二下降信號的某個(gè)時(shí)段中，驅(qū)動器向第二電極Z供應(yīng)第三維持偏置信號。第三維持偏置信號保持在維持偏置電壓V5。第三維持偏置信號的維持偏置電壓V5基本等于維持電壓Vs的一半。
這防止了由第一電極Y和第二電極Z之間的電壓差導(dǎo)致的錯(cuò)誤的放電。
因此，在放電單元中發(fā)生弱的擦除放電(即，設(shè)置下放電)。而且，通過進(jìn)行設(shè)置下放電，剩余的壁電荷在放電單元中是均勻的，使得尋址放電可以穩(wěn)定地進(jìn)行。
在尋址時(shí)段中，負(fù)掃描電壓-Vy的掃描偏置信號順序地供應(yīng)給第一電極Y，同時(shí)，與掃描偏置信號同步的正數(shù)據(jù)電壓供應(yīng)給第三電極X。
優(yōu)選地，第一下降信號的電壓-Vpr的量值是掃描偏置信號的負(fù)掃描電壓的量值的三倍。換言之，滿足關(guān)系Vy＜Vpr≤3Vy。
由于掃描偏置信號的負(fù)掃描電壓和數(shù)據(jù)電壓之間的電壓差被加到在復(fù)位時(shí)段產(chǎn)生的壁電壓上，在被供應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的放電單元中產(chǎn)生尋址放電。壁電荷形成在通過進(jìn)行尋址放電所選的單元中，使得當(dāng)供應(yīng)維持信號SUS的維持電壓Vs時(shí)發(fā)生維持放電。第四維持偏置信號的維持偏置電壓V6在設(shè)置下時(shí)段和尋址時(shí)段中供應(yīng)給第二電極Z，這樣，通過減少第一電極Y和第二電極Z之間的電壓差，在維持電極Z和掃描電極Y之間不發(fā)生錯(cuò)誤的放電。優(yōu)選地，第四維持偏置信號的維持電壓基本等于維持電壓Vs。
在維持時(shí)段中，維持電壓Vs的維持信號SUS交替供應(yīng)給第一電極Y和第二電極Z。由于通過進(jìn)行尋址放電所選的單元中形成的壁電壓被加到維持信號SUS的維持電壓Vs上，當(dāng)供應(yīng)維持信號SUS時(shí)，在掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生維持放電(即，顯示放電)。
等離子體顯示面板的驅(qū)動方法由圖8所示的方法所限定，且可以根據(jù)等離子體顯示面板的性質(zhì)而變化。本發(fā)明如此說明，顯然可以以各種方式對其變更。這些變更不應(yīng)看作背離本發(fā)明的精神和范圍，且顯然對本領(lǐng)域技術(shù)人員，這些修改應(yīng)包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極；形成在后基板上與第一電極和第二電極交叉的第三電極；以及相互交叉用于在前基板和后基板之間形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極中的每一個(gè)的一側(cè)形成為與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線對準(zhǔn)，或其中第一電極和第二電極中的每一個(gè)的一側(cè)形成為位于與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線相距預(yù)定距離處，其中第一電極和第二電極之間的距離為從100μm到200μm。
2.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中所述第一黑層形成在對應(yīng)于第二障壁的頂部部分的前基板的一部分上，以及其中所述第一黑層形成為與第一電極和第二電極相距預(yù)定距離。
3.如權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極每個(gè)包括透明電極和匯流電極，以及其中第二黑層形成在透明電極和匯流電極之間。
4.如權(quán)利要求2的等離子體顯示面板，其中所述第一黑層的寬度小于第二障壁的頂部部分的寬度。
5.如權(quán)利要求4的等離子體顯示面板，其中所述第一黑層的寬度為70μm到90μm。
6.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極每個(gè)包括匯流電極。
7.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中放電單元中氙(Xe)含量范圍為放電單元中總放電氣體的10％到20％。
8.如權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極與第一障壁交叉的部分的寬度小于第一電極和第二電極位于放電單元中的部分的寬度。
9.一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極；形成在后基板上以與第一電極和第二電極交叉的第三電極；用于在前基板和后基板之間分隔放電單元的第一障壁，每個(gè)放電單元具有不同的熒光體；以及用于在前基板和后基板之間分隔放電單元的第二障壁，每個(gè)放電單元具有相同的熒光體，其中第二障壁與第一電極和第二電極平行而形成，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線對準(zhǔn)，或其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為位于與位于第二障壁頂部部分的基準(zhǔn)線相距預(yù)定距離處，其中第二障壁的頂部部分的寬度等于或小于第一障壁的頂部部分的寬度。
10.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中第二障壁的基部部分的寬度是第二障壁的頂部部分的寬度的1.2倍到2.0倍。
11.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極之間的距離為從100μm到200μm。
12.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中第一黑層形成在對應(yīng)于第二障壁的頂部部分的前基板的一部分上，以及其中第一黑層形成為與第一電極和第二電極相距預(yù)定距離。
13.如權(quán)利要求12的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極每個(gè)包括透明電極和匯流電極，以及其中第二黑層形成在透明電極和匯流電極之間。
14.如權(quán)利要求12的等離子體顯示面板，其中第一黑層的寬度小于第二障壁的頂部部分的寬度。
15.如權(quán)利要求14的等離子體顯示面板，其中第一黑層的寬度為70μm到90μm。
16.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極與第一障壁交叉的部分的寬度小于第一電極和第二電極位于放電單元中的部分的寬度。
17.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極每個(gè)由匯流電極組成。
18.如權(quán)利要求9的等離子體顯示面板，其中放電單元中氙(Xe)含量為放電單元中總放電氣體的10％到20％。
19.一種等離子體顯示面板，包括相互平行形成在前基板上的第一電極和第二電極；形成在后基板上與第一電極和第二電極交叉的第三電極；以及相互交叉在前基板和后基板之間形成放電單元的第一障壁和第二障壁，其中平行于第一電極和第二電極形成第二障壁，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)之間的距離小于或等于兩個(gè)相鄰的第二障壁頂部部分之間的距離，以及其中第一電極和第二電極之間的距離為100μm到200μm。
20.如權(quán)利要求19的等離子體顯示面板，其中第一電極和第二電極中每一個(gè)的、距第二障壁最近的一側(cè)之間的距離小于或等于兩個(gè)相鄰的第二障壁頂部部分之間的距離。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示面板。所述等離子體顯示面板包括第一電極，第二電極，第三電極，第一障壁和第二障壁。第三電極形成在后基板上與第一和第二電極交叉。相互交叉的第一和第二障壁在前基板和后基板之間形成放電單元。第二障壁平行于第一和第二電極而形成。第一和第二電極中每一個(gè)的一側(cè)形成為與位于第二障壁的頂部部分的基準(zhǔn)線對準(zhǔn)，或形成為位于與所述基準(zhǔn)線相距預(yù)定距離處。
文檔編號G09G3/28GK101086942SQ200610140728
公開日2007年12月12日 申請日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月9日
發(fā)明者裵鐘運(yùn) 申請人:Lg電子株式會社