專利名稱：等離子體顯示器及其驅(qū)動器和驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器、等離子體顯示器驅(qū)動器、以及驅(qū)動等離子體顯示器的方法，尤其涉及用于驅(qū)動等離子體顯示器的掃描電極的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器是使用放電室中的氣體放電所生成的等離子體來顯示字符或者圖像的顯示設(shè)備。取決于其大小，等離子體顯示器的等離子顯示面板(PDP)包括超過數(shù)十到數(shù)百萬個以矩陣模式布置的像素。
等離子體顯示器中的一幀被分成多個子場。每個子場具有亮度權(quán)重并且包括重置周期、尋址周期、和維持周期。重置周期用于初始化每個放電室的狀態(tài)。尋址周期用于選擇放電室當(dāng)中導(dǎo)通/斷開的放電室，而維持周期用于使得導(dǎo)通的放電室繼續(xù)放電以便顯示圖像。
在等離子體顯示器中，當(dāng)兩個電極之間的電壓差大于預(yù)定電壓時，可以在這兩個電極之間產(chǎn)生放電。近來，已經(jīng)有通過使用負(fù)電壓來降低放電電壓的趨勢，這是因為如果將全部放電電壓都設(shè)置為正電壓，則放電電壓太高了。然后，可以通過使用負(fù)電壓降低放電電壓，但是因為重置周期、尋址周期、和維持周期的電壓是不同的，所以電壓源的數(shù)目增加了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了減少電壓源數(shù)目的等離子體顯示器和等離子體顯示器驅(qū)動器以及驅(qū)動該等離子體顯示器的方法。
本發(fā)明的示范實施例為等離子體顯示器，其包括多個掃描電極；多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路適于將第一節(jié)點的電壓和第二節(jié)點的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極；電容器，其耦接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間；第一晶體管，其耦接在第二節(jié)點和適于提供第一電壓的第一電壓源之間；第二晶體管，其耦接在適于提供第二電壓的第二電壓源和第一節(jié)點之間，并且具有電壓由第一節(jié)點確定的源極；第一電阻器，其耦接在第二電壓源和第二晶體管的柵極之間；以及第二電阻器，其耦接到第二晶體管的柵極，并且適于與第一電阻器一起對第二電壓進行分壓。
第二電阻器優(yōu)選為耦接在第二晶體管的柵極和第三電壓源之間。
第三電壓源優(yōu)選為包括第一電壓源。
第二電阻器優(yōu)選為耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的源極之間。
第二晶體管優(yōu)選為N溝道晶體管，而且第二電壓優(yōu)選為高于第一電壓。
第一電壓優(yōu)選為負(fù)電壓，而且第二電壓優(yōu)選為地電壓。
第一電阻器和第二電阻器中的至少一個優(yōu)選為包括可變電阻器。
該等離子體顯示器優(yōu)選為還包括串聯(lián)連接在第二電壓源和第二晶體管的漏極之間的二極管和第三電阻器；第一電阻器耦接在二極管和第三電阻器的接點與第二晶體管的柵極之間。
每個掃描電路優(yōu)選為包括第三晶體管，其耦接在第一節(jié)點和相應(yīng)的掃描電極之間；以及第四晶體管，其耦接在相應(yīng)掃描電極和第二節(jié)點之間。
在尋址周期期間，優(yōu)選為導(dǎo)通第一晶體管，優(yōu)選為有選擇地導(dǎo)通多個掃描電路中的第四晶體管，以及優(yōu)選為導(dǎo)通具有截止的第四晶體管的掃描電路中的第三晶體管。
多個掃描電路中的至少一部分優(yōu)選為包括集成電路。
本發(fā)明的另一個示范實施例是一種驅(qū)動等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包括多個掃描電極、多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路、以及耦接在第一端子和第二端子之間的電容器，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該驅(qū)動方法包括向第二端子提供第一電壓；向第一端子提供高于第一電壓的第二電壓，來對該電容器充電；當(dāng)對電容器充電時使第二電壓與電容器電隔離，從而第一端子的電壓是第三電壓；以及通過多個掃描電路中的第一端子和第二端子將第三電壓和第一電壓有選擇地提供給多個掃描電極。
第二電壓優(yōu)選為高于第三電壓。第一電壓優(yōu)選為負(fù)電壓，而且第二電壓優(yōu)選為地電壓。
將第三電壓和第一電壓提供給多個掃描電極優(yōu)選為包括順序地將第一電壓提供給多個掃描電極；以及將第三電壓提供給還未提供有第一電壓的那些掃描電極。
向第二端子提供第一電壓優(yōu)選為包括將在對應(yīng)于第二電壓的第四電壓和第一電壓之間分壓的電壓提供給其源極耦接到第一端子的晶體管的柵極；向第一端子提供第二電壓優(yōu)選為包括導(dǎo)通該晶體管；以及使第二電壓與電容器電隔離優(yōu)選為包括截止該晶體管。
向第二端子提供第一電壓優(yōu)選為包括將在對應(yīng)于第二電壓的第四電壓和第一端子的電壓之間分壓的電壓提供給其源極耦接到第一端子的晶體管的柵極；向第一端子提供第二電壓優(yōu)選為包括導(dǎo)通該晶體管；以及使第二電壓與電容電隔離優(yōu)選為包括截止該晶體管。
本發(fā)明的另一個示范實施例是用于等離子體顯示器的等離子體顯示器驅(qū)動器，該等離子體顯示器包括多個掃描電極以及多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該等離子體顯示器驅(qū)動器包括電容器，其耦接在第一端子和第二端子之間；第一晶體管，其耦接在第二端子和第一電壓源之間，并且適于提供第一電壓；以及分壓器，其耦接在第一電壓源和第二電壓源之間，并且適于提供第二電壓，以及將低于第二電壓的第三電壓輸出到第一端子。
該分壓器優(yōu)選為包括第二晶體管，其源極耦接到第一端子而且其漏極耦接到第二電壓源；第一電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的漏極之間；以及第二電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第一晶體管的源極之間。
第一晶體管優(yōu)選為在尋址周期期間導(dǎo)通。
第一電壓優(yōu)選為負(fù)電壓，而且第二電壓優(yōu)選為地電壓。
本發(fā)明的又一個示范實施例是用于等離子體顯示器的等離子體顯示器驅(qū)動器，該等離子體顯示器包括多個掃描電極以及多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該等離子體顯示器驅(qū)動器包括電容器，其耦接在第一端子和第二端子之間；第一晶體管，其耦接在第二端子和第一電壓源之間，并且適于提供第一電壓；以及線性調(diào)節(jié)器，其耦接在第一端子和第二電壓源之間，并且適于提供第二電壓，以及將低于第二電壓的第三電壓輸出到第一端子。
該線性調(diào)節(jié)器優(yōu)選為包括第二晶體管，其源極耦接到第一端子而且其漏極耦接到第二電壓源；第一電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的漏極之間；以及第二電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的源極之間。
第一晶體管優(yōu)選為在尋址周期期間導(dǎo)通。
第一電壓優(yōu)選為負(fù)電壓，而且第二電壓優(yōu)選為地電壓。


通過結(jié)合附圖考慮以下的詳細(xì)說明，本發(fā)明變得更容易理解，因此本發(fā)明的更完整評價及其許多附加優(yōu)點將變得更為明顯，在附圖中類似的參考符號指示相同或者類似的部件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示范實施例的等離子體顯示器的視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示范實施例的等離子體顯示器的驅(qū)動波形。
圖3、4、6、和7是根據(jù)本發(fā)明第一到第四示范實施例的Y電極驅(qū)動器的相應(yīng)電路圖。
圖5和8是圖4和7中的驅(qū)動電路的相應(yīng)波形。
具體實施例方式
在以下詳細(xì)說明中，僅僅通過說明而示出和描述了本發(fā)明中的某些示范實施例。本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員將意識到，能夠以各種不同的方式修改所描述的實施例，而全部沒有背離本發(fā)明的精神或者范圍。
因此，附圖和描述將被認(rèn)為本質(zhì)上是說明性的，而不是限制性的?？梢源嬖谟懈綀D中示出的部分，或者未在附圖中示出的部分，因為它們不是對本發(fā)明的完整理解所必需的，所以沒有在本說明書中進行論述。類似的附圖標(biāo)記指定類似的單元。諸如“一個東西耦接到另一個”之類的語句可以指的是“第一個直接耦接到第二個”或者“第一個利用在它們之間提供的第三個而耦接到第二個”。
在本發(fā)明中描述的壁電荷是指在接近每個電極的放電室的壁上形成并且在該電極上累積的電荷。雖然壁電荷不與電極實際接觸，但是該壁電荷被描述為在電極上“形成”或者“累積”。此外，壁電壓是由壁電荷在放電室的壁之間形成的勢差。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示范實施例的等離子體顯示器的視圖。
如圖1所示，等離子體顯示器包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動器(以下稱為“A電極驅(qū)動器”)300、維持電極驅(qū)動器(以下稱為“X電極驅(qū)動器”)400、和掃描電極驅(qū)動器(以下稱為“Y電極驅(qū)動器”)500。
PDP100包括沿列方向延伸的多個尋址電極A1到Am(以下稱為“A電極”)、以及多個掃描電極Y1到Y(jié)n和多個維持電極X1到Xn(在下文中分別稱為“Y電極”和“X電極”)，其中每個掃描電極和維持電極沿行方向延伸。通常，相應(yīng)的X電極X1到Xn對應(yīng)于相應(yīng)的Y電極Y1到Y(jié)n。描繪其中A電極與Y和X電極交叉的放電空間的子像素區(qū)域形成了放電室(以下稱為“室”)110。
控制器200接收外部圖像信號并且輸出驅(qū)動控制信號?？刂破?00將幀劃分為多個具有亮度權(quán)重的子場。A電極驅(qū)動器300、X電極驅(qū)動器400、和Y電極驅(qū)動器500根據(jù)驅(qū)動控制信號將驅(qū)動電壓分別提供給A電極A1到Am、X電極X1到Xn、和Y電極Y1到Y(jié)n。
圖2是根據(jù)本發(fā)明示范實施例的等離子體顯示器的驅(qū)動波形。圖2中，示范性地描述了多個子場中的一個子場。為了方便起見，僅僅結(jié)合一個室110(圖1)示范地描述了提供給Y電極、X電極、和A電極的驅(qū)動波形。
如所示，一個子場被分成重置周期、尋址周期、和維持周期。在重置周期期間，Y電極驅(qū)動器500將Y電極電壓從電壓Vs逐步增加到電壓Vset，而A和X電極驅(qū)動器300和400將地電壓0V分別提供給A和X電極。隨著Y電極電壓的增加，在Y和X電極之間以及在Y和A電極之間產(chǎn)生弱放電，并且在Y電極上形成(-)壁電荷且在X和A電極上形成(+)壁電荷。
隨后，Y電極驅(qū)動器500將Y電極電壓從電壓Vs逐步減少到電壓Vnf，同時X電極驅(qū)動器400將電壓Ve提供給X電極，并且將A電極電壓保持在地電壓0V處。然后，在Y電極的電壓減少的同時，在Y和X電極之間以及在Y和A電極之間產(chǎn)生弱放電，并且因此消除了在Y電極上形成的(-)壁電荷以及在X和A電極上形成的(+)壁電荷。因此，可以初始化在室上形成的壁電荷。
雖然已經(jīng)描述了在圖2的重置周期中，通過在逐步增加Y電極電壓之后逐步減少Y電極電壓來初始化該室，但是該室可以由其它重置方法初始化。
在尋址周期期間，Y和A電極驅(qū)動器500和300將電壓VscL的掃描脈沖和電壓Va的尋址脈沖分別提供給Y電極和A電極以選擇導(dǎo)通的室。然后，在接收掃描脈沖和尋址脈沖的室中產(chǎn)生放電，并且因此，該室累積要向?qū)ǖ氖以O(shè)置的壁電荷。此外，Y電極驅(qū)動器500將高于電壓VscL的電壓VscH提供給未掃描的Y電極，而且A電極驅(qū)動器300將地電壓0V提供給未選擇的A電極。電壓VscH和電壓VscL可以是負(fù)電壓。
更詳細(xì)而言，Y電極驅(qū)動器500將掃描脈沖提供給第一行中的Y電極(圖1中的Y1)。同時，A電極驅(qū)動器300將尋址脈沖提供給沿著第一行要被導(dǎo)通的室上的A電極。然后，在第一行中的Y電極(Y1)和接收尋址脈沖的A電極之間產(chǎn)生放電之后，在Y電極和X電極之間產(chǎn)生放電。因此，在Y電極上形成(+)壁電荷，并且在A和X電極上形成(-)壁電荷。隨后，在Y電極驅(qū)動器500將掃描脈沖提供給第二行上的Y電極(圖1中的Y2)的同時，A電極驅(qū)動器300將尋址脈沖提供給沿著第二行要被導(dǎo)通的室上的A電極。然后，在由接收該尋址脈沖的A電極和第二行中的Y電極(Y2)交叉的室中生成尋址放電，并且因此以如上所述的方式在那些室中形成壁電荷。關(guān)于其它行中的Y電極，以與上述相同的方式，即從第一行(圖1中的Y1)到最后一行(圖1中的Yn)順序地將掃描脈沖提供給Y電極的同時，通過將尋址脈沖提供給要被導(dǎo)通的室上的A電極，在要被導(dǎo)通的室中形成壁電荷。
在維持周期期間，因為尋址周期中已經(jīng)經(jīng)歷了尋址放電的室(導(dǎo)通的室)中，Y電極的壁電勢高于X電極的壁電勢，所以Y和X電極驅(qū)動器500和400將電壓Vs的脈沖和地電壓0V分別提供給Y和X電極。因此，在已導(dǎo)通的室的Y和X電極之間產(chǎn)生維持放電。通過維持放電，在Y電極上形成(-)壁電荷且在X和A電極上形成(+)壁電荷，以致X電極的壁電勢高于Y電極的壁電勢。
隨后，Y和X電極驅(qū)動器500和400將地電壓0V和電壓Vs的脈沖分別提供給Y和X電極，從而產(chǎn)生后續(xù)的維持放電。作為這個放電的結(jié)果，再次在Y電極上形成(+)壁電荷，并且再次在X和A電極上形成(-)壁電荷，從而可以通過將電壓Vs提供給Y電極而產(chǎn)生另一維持放電。
對交替地將電壓Vs的脈沖提供給Y電極以及提供電壓Vs的脈沖的處理重復(fù)一個與相應(yīng)子場的權(quán)重相對應(yīng)的次數(shù)。
雖然上述示范實施例已經(jīng)描述了將電壓Vs的維持脈沖依次提供給Y電極和X電極，但是可以將導(dǎo)致在Y和X電極之間的電壓差依次為電壓Vs和電壓-Vs的脈沖提供給Y電極和/或X電極。
此外，雖然上述示范實施例已經(jīng)描述了在重置周期中清除壁電荷來初始化室之后、通過尋址周期中的尋址放電將該室設(shè)置為導(dǎo)通的室，但是可以在重置周期中該室累積要設(shè)置到該導(dǎo)通的室中的壁電荷之后、通過尋址周期中的尋址放電將該室設(shè)置為斷開的室。
接下來，參考圖3到8描述用于生成從圖2的驅(qū)動波形當(dāng)中選擇出來的驅(qū)動波形的驅(qū)動電路，該驅(qū)動波形在尋址周期期間被提供給Y電極。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第一示范實施例的Y電極驅(qū)動器500的電路圖。圖3中，將開關(guān)描述為N溝道場效應(yīng)晶體管，但是可以使用任何其它執(zhí)行與如下所述功能相似的開關(guān)來代替N溝道場效應(yīng)晶體管。此外，未在圖3中示出驅(qū)動晶體管的柵極的柵極驅(qū)動器。此外，未示出用于在重置周期中將重置波形提供給Y電極的電路，以及用于在維持周期中將維持脈沖提供給Y電極的電路，而且這些電路通常耦接到圖3中的節(jié)點N2。
如圖3所示，Y電極驅(qū)動器500包括多個掃描電路5101到510n和掃描驅(qū)動電路520，其中多個掃描電路5101到510n分別耦接到多個Y電極Y1到Y(jié)n。為了便于說明，圖3中僅僅示出了耦接到第i個Y電極的第i個掃描電路510i。
每個掃描電路510i耦接在第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2之間，并且包括兩個晶體管M1和M2。兩個晶體管M1和M2的接點耦接到相應(yīng)的Y電極Yi。更詳細(xì)而言，未掃描晶體管M1的源極和掃描晶體管M2的漏極耦接到Y(jié)電極Yi。掃描電路510i中的未掃描晶體管M1的漏極耦接到第一節(jié)點N1，而掃描電路510i中的掃描晶體管M2的源極耦接到第二節(jié)點N2。通常，將與多個Y電極Y1到Y(jié)n中的k個Y電極對應(yīng)的k個掃描電路制造為掃描集成電路(其中‘k’小于‘n’)，而且掃描集成電路的輸出端分別耦接到k個Y電極。如果掃描集成電路的輸出端子的數(shù)目小于‘n’，則可以在并聯(lián)耦接多個掃描集成電路的同時使用它們。第一節(jié)點N1和第二節(jié)點N2變?yōu)閽呙杓呻娐返妮斎攵恕?br> 掃描驅(qū)動電路520包括電容器C1、晶體管YscL、和分壓器521。詳細(xì)而言，電容器C1的第一端耦接到掃描電路5101到510n的第一節(jié)點N1，而且電容器C1的第二端耦接到掃描電路5101到510n的第二節(jié)點N2。晶體管YscL的漏極耦接到掃描電路5101到510n的第二節(jié)點N2，而且晶體管YscL的源極耦接到用于提供電壓VscL的電壓源。
分壓器521具有耦接到電容器的第一端N1的輸出端，并且對電壓源Vsc的電壓和電壓源VscL的電壓進行分壓，從而將所分壓的電壓輸出到該輸出端。電壓源Vsc的電壓高于電壓VscL。二極管D1可以耦接在電壓源Vsc和分壓器521之間，以阻擋從分壓器521到電壓源Vsc形成的電流通路。
下面參考圖4和圖5描述根據(jù)本發(fā)明第二示范實施例的Y電極驅(qū)動器500。
圖4是根據(jù)第二示范實施例的Y電極驅(qū)動器500的電路圖，而且圖5是圖4中的驅(qū)動電路的波形。圖4中，接地端0用作電壓源Vsc。圖5中，高電平對應(yīng)于晶體管的的導(dǎo)通狀態(tài)，而低電平對應(yīng)于晶體管的截止?fàn)顟B(tài)。
如圖4所示，在第二示范實施例中，分壓器521′包括電阻器R1和R2、以及晶體管M3。晶體管M3的源極耦接到電容器C1的第一端N1，而且晶體管M3的漏極耦接到接地端0。電阻器R1耦接在晶體管M3的柵極和晶體管M3的漏極之間，而且電阻器R2耦接在晶體管YscL的源極和晶體管M3的柵極之間。此外，電阻器R3可以耦接在接地端0和晶體管M3的漏極之間，從而限制從晶體管M3的漏極流向源極的電流。
參見圖5，首先，在尋址周期期間導(dǎo)通晶體管YscL，從而電容器C1的第二端N2的電壓變?yōu)殡妷篤scL。如以下的方程1所表達的，地電壓0V和電壓VscL由電阻器R1和R2分壓為晶體管M3的柵極電壓Vg。此外，因為當(dāng)沒有將電壓充入到電容器C1時，電容器C1的第一端子N1的電壓變?yōu)殡妷篤scL，所以晶體管M3的源電壓變?yōu)殡妷篤scL。因此，晶體管M3的柵極-源極電壓Vgs如下面的方程2所表達。然后，因為晶體管M3是N溝道晶體管，所以由正的柵極-源極電壓Vgs來導(dǎo)通晶體管M3。因此，通過接地端0、二極管D1、電阻器R3、晶體管M3、電容器C1、晶體管YscL、和電壓源VscL的路徑對電容器C1充電。
方程1Vg=R2R1+R2|VscL|]]>方程2Vgs=(1+R2R1+R2)|VscL|]]>
當(dāng)對電容器C1充電從而晶體管M3的柵極-源極電壓Vgs如方程3所表達地小于晶體管M3的閾值電壓VTH時，晶體管M3截止。因此，電容器C1的第一端N1的電壓VN1如方程4所表達，而且這個電壓VN1變?yōu)殡妷篤scH。如果通過電容器C1的放電，電容器C1的第一端N1的電壓VN1降低，則再次導(dǎo)通晶體管M3。因此，在其中晶體管YscL被導(dǎo)通的尋址周期期間，充入到電容器C1的電壓可以維持在期望的電壓處。
方程3Vgs=R2R1+R2|VscL|-VN1<VTH]]>方程4VN1=VscH≈R2R1+R2|VscL|-VTH]]>通過控制電阻器R3的大小，可以確定其中對電容器C1充電的時間。此外，可以通過讓電阻器R1和R2中的至少一個為可變電阻器并且控制該可變電阻器的大小，來確定該電壓VscH的大小。
如上所述，雖然第一和第二示范實施例已經(jīng)描述為通過對電壓Vsc和電壓VscL分壓來生成電壓VscH，但是可以使用其它電路代替分壓器來生成電壓VscH。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第三示范實施例的Y電極驅(qū)動器500′的電路圖。
如圖6所示，根據(jù)第三示范實施例的Y電極驅(qū)動器500′的掃描驅(qū)動電路520′通過使用線性調(diào)節(jié)器522生成電壓VscH。
詳細(xì)而言，線性調(diào)節(jié)器522耦接在第一端N1即掃描電路510i的第一節(jié)點N1與電壓源Vsc之間。此外，二極管D1可以耦接在電壓源Vsc和線性調(diào)節(jié)器522之間，以阻擋從線性調(diào)節(jié)器522到電壓源Vsc形成的電流通路。線性調(diào)節(jié)器522降低電壓Vsc，并且當(dāng)電容器C1的第一端N1的電壓低于電壓Vsc時輸出電壓VscH。
圖7是根據(jù)第四示范實施例的Y電極驅(qū)動器500′的電路圖，而且圖8是圖7中的驅(qū)動電路的波形。圖7中，接地端0用作電壓源Vsc。
如圖7所示，線性調(diào)節(jié)器522′包括電阻器R1′和R2′、以及晶體管M3′。晶體管M3′的源極耦接到電容器C1的第一端N1，而且晶體管M3′的漏極耦接到接地端0。電阻器R1′耦接在晶體管M3′的柵極和晶體管M3′的漏極之間，而且電阻器R2′耦接在晶體管M3′的源極和晶體管M3′的柵極之間。此外，電阻器R3′可以耦接在接地端0和晶體管M3′的漏極之間，從而限制從晶體管M3′的漏極流向晶體管M3′的源極的電流。
參見圖8，首先，在尋址周期期間導(dǎo)通晶體管YscL，從而電容器C1的第二端N2的電壓變?yōu)殡妷篤scL。此外，因為如果還沒有將電壓充入電容器C1，則電容器C1的第一端N1的電壓為電壓VscL，所以由電阻器R1′和R2′分壓的電壓變?yōu)榫€性調(diào)節(jié)器522′中的晶體管M3′的源電壓。因此，晶體管M3′的柵極-源極電壓Vgs′由方程5給出。然后，因為晶體管M3′是N溝道晶體管，所以由正的柵極-源極電壓Vgs′導(dǎo)通晶體管M3′。因此，通過接地端0、二極管D1、電阻器R3′、晶體管M3′、電容器C1、晶體管YscL、和電壓源VscL的路徑對電容器C1充電。
方程5Vgs′=R2′R1′+R2′|VscL|]]>當(dāng)對電容器C1充電從而晶體管M3′的柵極-源極電壓Vgs′如方程6所表達地小于晶體管M3′的閾值電壓VTH′時，晶體管M3′截止。結(jié)果，電容器C1的第一端N1的電壓VN1在方程7中給出，而且這個電壓VN1變?yōu)殡妷篤scH。如果通過電容器C1的放電，電容器C1的第一端N1的電壓VN1降低，則再次導(dǎo)通晶體管M3′。因此，在其中晶體管YscL被導(dǎo)通的尋址周期期間，充入電容器C1的電壓可以維持在期望的電壓處。
方程6Vgs′=R2′R1′+R2′|VN1|<VTH′]]>方程7VN1=VscH≈-VTH′(1+R1′R2′)]]>通過控制電阻器R3′的大小，可以確定其中對電容器C1充電的時間。此外，可以通過讓電阻器R1′和R2′中的至少一個為可變電阻器并且控制該可變電阻器的大小，來確定該電壓VscH的大小。
雖然第一到第四示范實施例已經(jīng)描述了將電壓VscH設(shè)置為負(fù)電壓，但是通過將從電壓源Vsc提供的電壓設(shè)置為正電壓，可以將電壓VscH設(shè)置為正電壓。提供圖2中的電壓Va、Ve、或者Vs的電壓源可以用作這個電壓源Vsc。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示范實施例，可以通過使用諸如分壓器和線性調(diào)節(jié)器之類的電壓生成器、電壓源Vsc(接地端0)、和電壓源VscL來生成電壓VscH。通過使用充入到電容器C1的電壓來控制晶體管M3或者M3′的源電壓，電壓生成器生成電壓VscH。因此，在尋址周期期間可以將電壓VscH提供給Y電極，而不需要用于提供電壓VscH的單獨電壓源。
雖然已經(jīng)結(jié)合當(dāng)前所認(rèn)為的實際示范實施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不局限于所公開的示范實施例，而是相反，意圖涵蓋包括在附加權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等效布置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器，包含多個掃描電極；多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路適于將第一節(jié)點的電壓和第二節(jié)點的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極；電容器，其耦接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間；第一晶體管，其耦接在第二節(jié)點和適于提供第一電壓的第一電壓源之間；第二晶體管，其耦接在適于提供第二電壓的第二電壓源和第一節(jié)點之間，并且其源極的電壓由第一節(jié)點確定；第一電阻器，其耦接在第二電壓源和第二晶體管的柵極之間；以及第二電阻器，其耦接到第二晶體管的柵極，并且適于與第一電阻器一起對第二電壓分壓。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，第二電阻器耦接在第二晶體管的柵極和第三電壓源之間。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器，其中，第三電壓源包括第一電壓源。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，第二電阻器耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的源極之間。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，第二晶體管包含N溝道晶體管，而且其中第二電壓高于第一電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示器，其中，第一電壓包含負(fù)電壓，而且其中第二電壓包含地電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中，第一電阻器和第二電阻器中的至少一個包含可變電阻器。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，還包含串聯(lián)連接在第二電壓源和第二晶體管的漏極之間的二極管和第三電阻器；其中第一電阻器耦接在二極管和第三電阻器的接點與第二晶體管的柵極之間。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器，其中每個掃描電路包含第三晶體管，其耦接在第一節(jié)點和相應(yīng)的掃描電極之間；以及第四晶體管，其耦接在相應(yīng)掃描電極和第二節(jié)點之間。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示器，其中，在尋址周期期間，導(dǎo)通第一晶體管，有選擇地導(dǎo)通多個掃描電路中的第四晶體管，以及導(dǎo)通具有截止的第四晶體管的掃描電路中的第三晶體管。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子體顯示器，其中，多個掃描電路中的至少一部分包含集成電路。
12.一種驅(qū)動等離子體顯示器的方法，該等離子體顯示器包含多個掃描電極、多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路、以及耦接在第一端子和第二端子之間的電容器，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該驅(qū)動方法包含向第二端子提供第一電壓；向第一端子提供高于第一電壓的第二電壓，來對該電容器充電；當(dāng)對電容器充電時使第二電壓與電容器電隔離，從而第一端子的電壓為第三電壓；以及通過多個掃描電路中的第一端子和第二端子將第三電壓和第一電壓有選擇地提供給多個掃描電極。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二電壓高于第三電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第一電壓包含負(fù)電壓，而且第二電壓包含地電壓。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，將第三電壓和第一電壓提供給多個掃描電極包含順序地將第一電壓提供給多個掃描電極；以及將第三電壓提供給還未提供有第一電壓的那些掃描電極。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，向第二端子提供第一電壓包含將在對應(yīng)于第二電壓的第四電壓和第一電壓之間分壓的電壓提供給其源極耦接到第一端子的晶體管的柵極；向第一端子提供第二電壓包含導(dǎo)通晶體管；以及使第二電壓與電容電隔離包含截止該晶體管。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中向第二端子提供第一電壓包含將在對應(yīng)于第二電壓的第四電壓和第一端子的電壓之間分壓的電壓提供給其源極耦接到第一端子的晶體管的柵極；向第一端子提供第二電壓包含導(dǎo)通該晶體管；以及使第二電壓與電容電隔離包含截止該晶體管。
18.一種用于等離子體顯示器的等離子體顯示器驅(qū)動器，該等離子體顯示器包含多個掃描電極以及多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該等離子體顯示器驅(qū)動器包含電容器，其耦接在第一端子和第二端子之間；第一晶體管，其耦接在第二端子和第一電壓源之間，并且適于提供第一電壓；以及分壓器，其耦接在第一電壓源和第二電壓源之間，并且適于提供第二電壓，以及將低于第二電壓的第三電壓輸出到第一端子。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中該分壓器包含第二晶體管，其源極耦接到第一端子而且其漏極耦接到第二電壓源；第一電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的漏極之間；以及第二電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第一晶體管的源極之間。
20.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中，第一晶體管適于在尋址周期期間導(dǎo)通。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中，第一電壓包含負(fù)電壓，而且第二電壓包含地電壓。
22.一種用于等離子體顯示器的等離子體顯示器驅(qū)動器，該等離子體顯示器包含多個掃描電極以及多個分別耦接到多個掃描電極的掃描電路，每個掃描電路將第一端子的電壓和第二端子的電壓有選擇地提供給多個掃描電極中的相應(yīng)掃描電極，該等離子體顯示器驅(qū)動器包含電容器，其耦接在第一端子和第二端子之間；第一晶體管，其耦接在第二端子和第一電壓源之間，并且適于提供第一電壓；以及線性調(diào)節(jié)器，其耦接在第一端子和第二電壓源之間，并且適于提供第二電壓，以及將低于第二電壓的第三電壓輸出到第一端子。
23.如權(quán)利要求22所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中該線性調(diào)節(jié)器包含第二晶體管，其源極耦接到第一端子而且其漏極耦接到第二電壓源；第一電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的漏極之間；以及第二電阻器，其耦接在第二晶體管的柵極和第二晶體管的源極之間。
24.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中，第一晶體管適于在尋址周期期間導(dǎo)通。
25.如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示器驅(qū)動器，其中，第一電壓包含負(fù)電壓，而且第二電壓包含地電壓。
全文摘要
等離子體顯示器包括多個掃描電極。將掃描電壓順序地提供給多個掃描電極，并且將高于掃描電壓的非掃描電壓提供給向其提供了掃描電壓的掃描電極。通過劃分高于非掃描電壓和掃描電壓的電壓來生成非掃描電壓。因此可以消除用于提供非掃描電壓的電壓源。
文檔編號G09F9/313GK1909037SQ20061010843
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月2日
發(fā)明者鄭成俊, 梁振豪, 鄭宇埈, 金泰城, 樸奭裁, 金承珉 申請人:三星Sdi株式會社