專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備是使用由氣體放電過(guò)程所產(chǎn)生的等離子體來(lái)顯示字符或者圖像的平板顯示器。其包括多個(gè)以矩陣圖案排列的放電室。
將等離子顯示設(shè)備的一幀分為每個(gè)都具有對(duì)應(yīng)權(quán)重的多個(gè)子場(chǎng)。每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。復(fù)位周期用于對(duì)每個(gè)放電室的狀態(tài)進(jìn)行初始化，從而幫助在放電室上的尋址操作。尋址周期用于選擇導(dǎo)通/截止放電室(即，要被導(dǎo)通或者截止的放電室)。此外，維持周期導(dǎo)致放電室或者繼續(xù)放電以在所尋找到的放電室上顯示圖像或者保持不活動(dòng)(inactive)。
圖1示出了傳統(tǒng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。在尋址周期期間，將電壓VscL順序施加到掃描電極Y，而且通過(guò)施加尋址電壓Va到一尋址電極A來(lái)選擇導(dǎo)通的放電室，該尋址電極A通過(guò)由被施加電壓VscL的掃描電極所形成的放電室之中要被選擇的導(dǎo)通放電室。但是，因?yàn)樵趯ぶ分芷谄陂g在所有放電室中順序執(zhí)行尋址操作，所以由于在正在被尋址的放電室中缺乏引火粒子(primingparticle)因此不能適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生尋址放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于穩(wěn)定地執(zhí)行尋址放電的等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)從幀中分割的多個(gè)子場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備，該等離子體顯示設(shè)備具有多個(gè)第一電極、第二電極和在第一和第二電極之上或者之下交叉的多個(gè)第三電極。在示例驅(qū)動(dòng)方法中，將多個(gè)第一電極分為具有第一和第二組的多個(gè)組，而將多個(gè)子場(chǎng)分為具有第一和第二組的多個(gè)組。此外，在第一組子場(chǎng)中，在第一復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化，在第一尋址周期期間在第一組放電室之中選擇導(dǎo)通的放電室，在第二復(fù)位周期期間將第二組放電室初始化，在第二尋址周期期間在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室，以及在維持周期期間對(duì)所選擇的第一和第二組放電室維持放電。此外，在第一尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通放電室的第一和第二電極的電壓之間的電壓差不同于在第二尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通放電室的第一和第二電極之間的另一個(gè)電壓差。
第一和第二復(fù)位周期之一是輔助復(fù)位周期，用于將第二電極的電壓從第一電壓逐漸減低到第二電壓，而第一和第二復(fù)位周期的另一個(gè)是主復(fù)位周期，用于在將第二電極的電壓從第三電壓降低到第四電壓之后，將第二電極的電壓從第五電壓逐漸降低到第六電壓。
此外，在第一和第二尋址周期期間將第八電壓施加到導(dǎo)通的放電室的第二電極，同時(shí)將第一電極維持在第七電壓，而且在輔助復(fù)位周期之后的第一或者第二尋址周期期間的第七和第八電壓之間的電壓差大于在主復(fù)位周期之后的第一或者第二尋址周期期間的第七和第八電壓之間的電壓差。第一復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，而第二復(fù)位周期是主復(fù)位周期。在第一尋址周期期間的第七電壓高于第二尋址周期期間的第七電壓。在第一尋址周期期間的第八電壓高于在第二尋址周期期間的第八電壓。
此外，在第二組的子場(chǎng)中，在第三復(fù)位周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行初始化，在第三尋址周期期間在第二組放電室中選擇導(dǎo)通放電室，在第四復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化，在第四尋址周期期間在第一組放電室中選擇導(dǎo)通的放電室，以及在維持周期期間將所選擇的第一和第二組放電室進(jìn)行維持放電。在第三尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通的放電室的第一和第二電極的電壓之間的電壓差不同于在第四尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通的放電室的第一和第二電極的電壓之間的電壓差。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板、控制器和驅(qū)動(dòng)電路。等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和與第一和第二電極交叉的多個(gè)第三電極。控制器將多個(gè)第一電極分為具有第一和第二組的多個(gè)組，而且將一幀分為具有第一和第二組的多個(gè)子場(chǎng)。在第一組的子場(chǎng)中，驅(qū)動(dòng)電路在第一復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室初始化，在第一尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電，在第二復(fù)位周期期間初始化第二組放電室，以及在第二尋址周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址放電。
此外，驅(qū)動(dòng)電路在第一和第二周期期間將電壓施加到導(dǎo)通的放電室的第一和第二電極，從而在第一尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通的放電室的第一和第二電極的電壓之間的電壓差可以不同于在第二尋址周期期間被分別施加到導(dǎo)通的放電室的第一和第二電極的電壓之間的電壓差


圖1示出了傳統(tǒng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備的示意圖；圖3到圖6分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第一到第四示例實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在下面描述中所提及的壁電荷表示在靠近放電室電極的壁(即介電層)上所形成和積累的電荷。雖然壁電荷實(shí)際上并不接觸電極，但是還將會(huì)將壁電荷描述為“形成”或者“積累”在電極上。進(jìn)而，壁電壓表示由壁電荷在放電室的壁上所形成的電勢(shì)差。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備的示意圖。根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。
PDP100包括沿列方向延伸的多個(gè)尋址電極A1-An，和沿行方向延伸的多個(gè)維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n。維持和掃描電極結(jié)成對(duì)子。分別與掃描電極Y1到Y(jié)n對(duì)應(yīng)地形成維持電極X1到Xn，而且將維持電極X1到Xn的末端共同連接在一起。此外，PDP100包括具有維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n的基底(未示出)，以及具有尋址電極A1到Am的另一個(gè)基底。將兩個(gè)基底彼此相對(duì)放置并且在它們之間有放電空間，從而掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極X1到Xn的共同方向與尋址電極A1到Am的方向交叉。在尋址電極A1到Am在維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n上交叉的區(qū)域中所形成的放電空間形成放電室?？梢詫⒕S持、掃描、和尋址電極分別稱(chēng)為X、Y和A。PDP 100示出了一種示例實(shí)施方式，但是本發(fā)明還包括可以將隨后的驅(qū)動(dòng)波形施加到其上的其他等效面板。
控制器200接收外部視頻信號(hào)并且輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)310、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)510、和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)410。此外，控制器200將幀分為多個(gè)子場(chǎng)，將多個(gè)維持電極X分為多個(gè)組，并且對(duì)它們進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。每個(gè)子場(chǎng)的持續(xù)時(shí)間包括復(fù)位周期、尋址周期、和維持周期。
在從控制器200接收尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)310之后，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將用于選擇要被顯示的放電室的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到尋址電極A1到Am。
在從控制器200接收掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)410之后，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Y。類(lèi)似地，在從控制器200接收到維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)510之后，維持電極驅(qū)動(dòng)器500將驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電極X。
將參照?qǐng)D3來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施方式的用于圖2的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形。為了便于描述，將描述施加到形成一個(gè)放電室的掃描、維持和尋址電極X、Y和A的驅(qū)動(dòng)波形。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形的示例實(shí)施方式的示意圖。
根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施方式的等離子體顯示設(shè)備驅(qū)動(dòng)波形將多個(gè)X電極分為X電極組。在圖3中，將多個(gè)X電極X1到Xn分為兩個(gè)組，包括奇數(shù)X電極的第一組Xo，和包括偶數(shù)X電極的第二組Xe。之后，將由第一組Xo的X電極和A電極和Y電極所形成的放電室稱(chēng)為奇數(shù)或者第一組放電室，而將由第二組Xe的X電極和A電極和Y電極所形成的放電室稱(chēng)為偶數(shù)或者第二組放電室。
如圖3中所示，在一個(gè)子場(chǎng)期間，在執(zhí)行輔助復(fù)位之后針對(duì)第一組放電室Xo執(zhí)行尋址放電，而在執(zhí)行主復(fù)位之后針對(duì)第二組放電室Xe執(zhí)行尋址放電。輔助復(fù)位是在僅僅包括下降周期的復(fù)位周期期間所執(zhí)行的復(fù)位操作，而主復(fù)位是在包括上升周期和下降周期的復(fù)位周期期間所執(zhí)行的復(fù)位操作。輔助復(fù)位用于對(duì)在之前子場(chǎng)期間已經(jīng)在其上產(chǎn)生了維持放電的放電室進(jìn)行初始化，而主復(fù)位用于對(duì)所有放電室進(jìn)行初始化。
如上所述，在由輔助復(fù)位針對(duì)第一組放電室Xo執(zhí)行尋址操作之后，針對(duì)由主復(fù)位所復(fù)位的第二組放電室Xe執(zhí)行尋址操作。因此，與其中在復(fù)位操作之后順序地執(zhí)行對(duì)于放電室的尋址操作的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方法相比，在執(zhí)行復(fù)位操作后用于執(zhí)行從第一放電室到最后放電室的尋址操作的時(shí)間減少一半。因此，可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
雖然在圖3中在主復(fù)位之前執(zhí)行輔助復(fù)位，但是可以不同地執(zhí)行復(fù)位操作。例如，可以在輔助復(fù)位之前執(zhí)行主復(fù)位，也可以僅僅執(zhí)行輔助和主復(fù)位之一。如上所述，輔助復(fù)位當(dāng)在之前子場(chǎng)中產(chǎn)生維持放電時(shí)導(dǎo)致復(fù)位放電，但是當(dāng)在之前子場(chǎng)中沒(méi)有產(chǎn)生維持放電時(shí)不導(dǎo)致復(fù)位放電。因此，當(dāng)在主復(fù)位之后執(zhí)行輔助復(fù)位時(shí)，在之前子場(chǎng)中的維持放電結(jié)束和輔助復(fù)位的開(kāi)始之間的時(shí)間間隔增加。在這種情況中，因?yàn)榭赡芟鹆Ｗ?，所以輔助復(fù)位可能不當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生壁電荷，而且當(dāng)僅僅執(zhí)行主復(fù)位時(shí)可能增加用于執(zhí)行復(fù)位操作的時(shí)間。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一示例實(shí)施方式，在每個(gè)子場(chǎng)中，在主復(fù)位之前執(zhí)行輔助復(fù)位。
首先，將描述在奇數(shù)子場(chǎng)期間施加到電極X、Y和A上的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖3中所示，在奇數(shù)子場(chǎng)期間，在維持周期期間當(dāng)將電壓Vs施加到Y(jié)電極并且將參考電壓(圖3中的0V)施加到X電極Xo時(shí)，在第一組Xo的X電極和Y電極之間產(chǎn)生最后維持放電。由于所示電壓，因?yàn)樵陔妷篤s處還對(duì)第二組Xe的X電極進(jìn)行偏置，所以在第二組Xe的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生維持放電。如果將參考電壓而不是Vs施加到Y(jié)電極，則當(dāng)將電壓Vs施加到第二組Xe的X電極時(shí)，在第二組Xe的X電極和Y電極之間產(chǎn)生最后維持放電。
對(duì)于復(fù)位周期R11的下降周期，將Y電極處的電壓從在之前子場(chǎng)的維持周期期間施加到Y(jié)電極的最后維持脈沖Vs逐漸降低到電壓Vnf。此時(shí)，正在將參考電壓施加到第二組Xe的X電極，而且在電壓Ve處偏置第一組Xo的X電極。然后，因?yàn)殡m然在Y電極處的電壓正在下降，但是在第一組Xo的X電極和Y電極之間以及在Y電極和A電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電，所以消除了在Y電極上所形成的負(fù)(-)壁電荷以及在第一組Xo的X電極上所形成的正(+)壁電荷。
因此，如圖3中所示，因?yàn)楫?dāng)逐漸改變?cè)陔姌O上的電壓電平時(shí)產(chǎn)生弱放電，所以形成壁電荷從而放電室的外電壓和壁電壓之和可以保持在放電點(diǎn)火電壓狀態(tài)。
通常，將(Ve-Vnf)的電壓設(shè)置到接近與Y和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓。然后，在維持周期期間，因?yàn)樵赮和X電極之間的壁電壓到達(dá)0V，所以在尋址周期期間在不產(chǎn)生尋址放電的放電室中防止誤點(diǎn)火。
此外，在最后維持放電之后，在第二組Xe的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在Y電極上形成正(+)壁電荷，而當(dāng)Y電極處的電壓下降到電壓Vnf時(shí)在第二組Xe的X電極和Y電極之間的電勢(shì)差降低。因此，在復(fù)位周期R11期間在第二組Xe的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生復(fù)位放電。
隨后，為了在尋址周期A11期間選擇放電室，將具有電壓Vscl的掃描脈沖順序地施加到Y(jié)電極，而在電壓VscH處偏置不將電壓VscL施加到其上的Y電極。此外，經(jīng)過(guò)由其上施加有電壓VscL的Y電極所形成的多個(gè)放電室中要被選擇的放電室，將具有電壓Va的尋址脈沖施加到A電極。在參考電壓處偏置與沒(méi)有被選擇的放電室對(duì)應(yīng)的A電極。將電壓VscL稱(chēng)為掃描電壓，而將電壓VscH稱(chēng)為非掃描電壓。
然后，因?yàn)樵谟山邮针妷篤a的A電極和接收電壓VscL的Y電極所形成的放電室中產(chǎn)生尋址放電，所以在Y電極上形成正(+)壁電荷而在第一組Xo的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷。此外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
在這種情況中，應(yīng)用在Y電極上形成正(+)壁電荷，所以在尋址周期A11期間在第二組放電室中不產(chǎn)生尋址放電。
在圖3中，在復(fù)位周期R11的下降周期期間和在尋址周期A11期間將電壓Ve施加到第一組Xo的X電極。但是在相同的周期中，替代地，可以將與施加到第二組Xe的X電極的電壓相等的參考電壓施加到第一組Xo的X電極。
因此，在針對(duì)第一組放電室完成了尋址放電之后，針對(duì)第二組放電室執(zhí)行復(fù)位放電。
在復(fù)位周期R12的上升周期期間，將Y電極處的電壓逐漸從參考電壓增加到電壓Vs2，同時(shí)將第一組Xo的X電極和A電極分別維持在電壓Vs1和參考電壓。將作為負(fù)電壓的電壓Vn施加到第二組Xe的X電極。然后，當(dāng)在第二組Xe的X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電而同時(shí)Y電極上的電壓正在增加時(shí)，在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在第二組Xe的X電極上形成正(+)壁電荷。因?yàn)樾枰趶?fù)位周期R12期間將所有放電室進(jìn)行初始化，所以在被施加到第一組Xo的電壓Vs1和在被施加到第二組Xe的電壓Vn之間的差高到足以在它們相應(yīng)的放電室中、每個(gè)都在它們自己的相應(yīng)條件下產(chǎn)生放電。例如，在復(fù)位周期R12的上升周期期間，施加到第一組Xo的X電極的電壓Vs1高到足以防止在這些放電室中的復(fù)位放電，同時(shí)施加到第二組Xe的X電極的電壓Vn低到足以促使在對(duì)應(yīng)放電室中的復(fù)位放電。
當(dāng)將電壓Vs1和Vs2分別設(shè)置到等于施加到X和Y電極以在維持周期中產(chǎn)生維持放電的維持放電電壓Vs時(shí)，可以減少額外電源的數(shù)量。
在復(fù)位周期R12的下降周期期間，將Y電極處的電壓逐漸從參考電壓降低到電壓Vnf，同時(shí)將第一組Xo的X電極和第二組Xe的X電極分為維持在參考電壓和電壓Ve。然后，當(dāng)在第二組Xe的X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電而同時(shí)正在降低Y電極處的電壓時(shí)，消除在Y和X電極之間形成的壁電荷。
此外，即使在復(fù)位周期R12的下降周期期間，在第一組Xo的X電極和Y電極之間也不產(chǎn)生復(fù)位放電。當(dāng)將Y電極處的電壓增加到電壓Vs2時(shí)，在電壓Vs1處偏置第一組Xo的X電極。因此，在上升周期后的壁電荷狀態(tài)基本上等效于在尋址周期后的壁電荷狀態(tài)。然后，在復(fù)位周期R12的下降周期期間，當(dāng)在Y電極處的電壓下降到電壓Vnf從而促使要在Y電極上形成正(+)壁電荷而要在X電極上形成負(fù)(-)壁電荷時(shí)，在參考電壓處偏置第一組Xo的X電壓。在這種情況中，降低了第一組Xo的X電極和Y電極之間的電勢(shì)差，因此在第一組Xo的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生復(fù)位放電。
隨后，在尋址周期R12期間，為了選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序地施加到Y(jié)電極，而在電壓VscH處偏置不將電壓VscL施加到其上的Y電極。如上所述，將電壓VscL稱(chēng)為掃描電壓，而將電壓VscH稱(chēng)為非掃描電壓。此外，經(jīng)過(guò)由將電壓VscL施加到其上的Y電極所形成的多個(gè)放電室之中要被選擇的放電室，將具有電壓Va的尋址脈沖施加到A電極，而且在參考電壓處偏置未被選擇的A電極。然后，當(dāng)在由接收電壓VscL的Y電極和接收電壓Va的A電極所形成的放電室上產(chǎn)生尋址放電時(shí)，在Y電極上形成正(+)壁電荷而在第二組Xe的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷。此外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
隨后，在維持周期S1，將具有電壓Vs的維持脈沖順序地施加到第一和第二組Xo、Xe的X電極和Y電極。然后，由之前尋址周期期間在Y和X電極之間的尋址放電所形成的壁電荷和電壓Vs在Y和X電極上產(chǎn)生放電。此外，將電壓Vs施加到第一組Xo的的X電極，而當(dāng)將最后維持脈沖施加到Y(jié)電極時(shí)將參考電壓施加到第二組Xe的X電極。
現(xiàn)在將描述在偶數(shù)子場(chǎng)期間所施加的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖3中所示，在偶數(shù)子場(chǎng)期間，因?yàn)樵谥白訄?chǎng)的維持周期期間，例如在奇數(shù)子場(chǎng)的維持周期S1期間，將電壓Vs施加到Y(jié)電極而將參考電壓施加到第二組Xe的X電極，所以在第二組Xe的X電極和Y電極之間產(chǎn)生最后維持放電。因?yàn)橐苍陔妷篤s處偏置第一組Xo的X電極，所以在第一組Xo的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生維持放電。相反地，當(dāng)將電壓Vs施加到第一組Xo的X電極并且將參考電壓施加到Y(jié)電極時(shí)，在第一組Xo的X電極和Y電極之間產(chǎn)生最后維持放電。
當(dāng)在之前子場(chǎng)的維持周期期間將最后維持脈沖施加到Y(jié)電極時(shí)，在復(fù)位周期R21的下降周期期間，將Y電極上的電壓逐漸降低到電壓Vnf。在這種情況中，將參考電壓施加到第一組Xo的X電極和A電極，并且在電壓Ve處偏置第二組Xe的X電極。然后，當(dāng)在第二組Xe的X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱放電而同時(shí)在Y電極處的電壓下降時(shí)，消除在Y電極上形成的負(fù)(-)壁電荷以及在第二組Xe的X電極和A電極上形成的正(+)壁電荷。在這種情況中，如上所述，因?yàn)樵谧詈缶S持放電后在第一組Xo的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在Y電極上形成正(+)壁電荷，所以在第一組Xo的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生復(fù)位放電。
為了在尋址周期A21期間選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序地施加到Y(jié)電極，在電壓VscH處偏置不將電壓VscL實(shí)際到其上的Y電極。此外，經(jīng)過(guò)由將電壓VscL施加到其上的Y電極所形成的多個(gè)放電室之中所要被選擇的放電室，將尋址電壓Va施加到A電極，而且在參考電壓處偏置未被選擇的A電極。當(dāng)在由接收電壓Va的A電極和接收電壓VscL的Y電極所形成的放電室中產(chǎn)生尋址放電時(shí)，在第二組Xe的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷而且Y電極上形成正(+)壁電荷。此外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
此時(shí)，因?yàn)樵赮電極上形成正(+)壁電荷，在尋址周期期間在第一組放電室中不產(chǎn)生放電。因此，在第二組放電室上完成尋址放電操作之后對(duì)于第一組放電室執(zhí)行復(fù)位放電。
在復(fù)位周期R22的上升周期期間，將Y電極上的電壓逐漸從參考電壓降低到電壓Vs2，同時(shí)將第二組Xe的X電極和A電極分別維持在電壓Vs1和參考電壓。在這種情況中，將作為負(fù)電壓的電壓Vn施加到第一組Xo的X電極。然后，當(dāng)在第一組Xo的X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱復(fù)位放電而同時(shí)在Y電極上的電壓增加時(shí)，在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在第二組Xe的X電極上形成正(+)壁電荷。
此外，在復(fù)位周期R22的下降周期期間，將Y電極上的電壓逐漸從參考電壓降低到電壓Vnf，同時(shí)將第一和第二組Xo、Xe的X電極分別維持在電壓Ve和參考電壓。然后，當(dāng)在第一組Xo的X電極和Y電極之間產(chǎn)生弱放電而同時(shí)在Y電極上的電壓下降時(shí)，消除在Y和X電極上所形成的壁電壓。
此外，在上升復(fù)位周期R22期間在第二組Xe的X電極和Y電極之間不產(chǎn)生復(fù)位放電。
隨后，為了在尋址周期A22期間選擇放電室，將具有電壓Vscl的掃描脈沖順序地施加到Y(jié)電極，而在電壓VscH處偏置未將電壓VscL施加到其上的Y電極。此外，經(jīng)過(guò)由將電壓VscL施加到其上的Y電極所形成的多個(gè)放電室之中要選擇的放電室，將具有電壓Va的尋址脈沖施加到A電極，而且在參考電壓處偏置未被選擇的A電極。然后，當(dāng)在由接收電壓Va的A電極和接收電壓VscL的Y電極所形成的放電室中產(chǎn)生尋址放電時(shí)，在第一組Xo的X電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在Y電極上形成正(+)壁電荷。此外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
隨后，在維持周期S2期間，將具有電壓Vs的維持脈沖順序地施加到第一和第二組Xo、Xe的X電極和Y電極。然后，由之前尋址周期的尋址放電形成的壁電壓和電壓Vs產(chǎn)生Y和X電極Xo、Xe之間的放電。
因此，在本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)方法的第一示例實(shí)施方式中，因?yàn)樵诒怀跏蓟髮?duì)第一組放電室進(jìn)行尋址而在被初始化之后對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址，所以可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
輔助復(fù)位R11、R12在放電空間中形成引火粒子到比由主復(fù)位R12、R22所形成的引火粒子少的程度，這是因?yàn)橹鲝?fù)位用于初始化所有放電室而輔助復(fù)位用于對(duì)之前子場(chǎng)中已經(jīng)經(jīng)歷了維持放電的放電室進(jìn)行初始化(如上所述)。因此，在輔助復(fù)位之后可能不產(chǎn)生尋址放電。所以，現(xiàn)在將參照?qǐng)D4和圖5來(lái)描述在根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式的輔助復(fù)位之后適當(dāng)產(chǎn)生尋址放電的方法。
圖4和圖5分別示出了用于驅(qū)動(dòng)圖2的等離子體顯示設(shè)備的本發(fā)明的第二和第三示例實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)波形。在圖5中，VscL1的電平等于圖3中所示的電壓VscL的電平。
如圖4中所示，在奇數(shù)子場(chǎng)中，在輔助復(fù)位R11之后的尋址周期A11期間，將高于電壓Ve的電壓Ve1施加到第一組Xo的X電極以第一組放電室中產(chǎn)生尋址放電。
類(lèi)似地，在偶數(shù)子場(chǎng)中，在輔助復(fù)位R21之后的尋址周期A21期間，將高于電壓Ve的電壓Ve1施加到第二組Xe的X電極以第二組放電室中產(chǎn)生尋址放電。
因此，因?yàn)樵谳o助復(fù)位之后的尋址周期期間在X和Y電極之間的電壓差變得比主復(fù)位之后的尋址周期期間中X和Y電極之間的電壓差高，所以當(dāng)執(zhí)行輔助復(fù)位時(shí)可以穩(wěn)定地產(chǎn)生放電。
此外，如圖5中所示，與本發(fā)明的第二示例實(shí)施方式不同，可以在輔助復(fù)位之后的尋址周期A11和A21期間，將具有低于電壓VscL1的電壓VscL2的掃描脈沖施加到導(dǎo)通放電室的Y電極。然后，因?yàn)樵谳o助復(fù)位之后的尋址周期期間施加到A電極的電壓Va和施加到Y(jié)電極的電壓VscL2之間的差變得大于在主復(fù)位之后的尋址周期期間施加到這些電極上的電壓Va、VscL1，所以當(dāng)執(zhí)行輔助復(fù)位時(shí)可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
在本發(fā)明的第一到第三實(shí)施方式中，在主復(fù)位R12、R22的上升周期期間Y電極上的電壓接近電壓Vs。在這些實(shí)施方式中，因?yàn)閷⒌陀趨⒖茧妷旱碾妷篤n施加到X電極，所以在Y和X電極之間的電壓差增加，因此在Y和X電極之間形成足夠的壁電荷。但是，因?yàn)閅和A電極之間的電壓差沒(méi)有高到足以形成壁電荷的程度，所以不足以在Y和A電極之間形成壁電荷。因此，可以適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生后續(xù)放電?，F(xiàn)在參照?qǐng)D6描述根據(jù)本發(fā)明的第四示例實(shí)施方式的用于在Y和A電極之間形成壁電荷的方法。
圖6示出了根據(jù)用于圖2的等離子體顯示設(shè)備的本發(fā)明的第四示例實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)波形。用于X和Y電極的驅(qū)動(dòng)波形類(lèi)似于圖4中所示的波形。用于A電極的驅(qū)動(dòng)波形不同。
如圖6中所示，在順序上接在用于執(zhí)行輔助復(fù)位的復(fù)位周期R11和R21之后的尋址周期A11和A21之后的周期A11′和A21′期間，在將電壓Va施加到A電極。在周期A11′和A21′期間，將Y電極上的電壓從電壓VscH逐漸降低到電壓VscL，同時(shí)在參考電壓處偏置第一和第二組Xo、Xe的X電極。因此，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷而在Y電極上形成正(+)壁電荷。也就是，因?yàn)閷電極的壁電荷所導(dǎo)致的電勢(shì)增加得高于由A電極的壁電荷所導(dǎo)致的電勢(shì)，所以后續(xù)復(fù)位周期R12、R22的上升周期期間在Y和A電極之間迅速產(chǎn)生放電。因此，在Y和A電極之間足夠形成壁電荷。
如果在相應(yīng)A、X和Y電極之間的電壓差與根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的那些相似，則在本發(fā)明的第一到第四示例實(shí)施方式中所描述的相應(yīng)電極上的電壓電平可以變化。
根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式，因?yàn)樵诒怀跏蓟髮?duì)第一組放電室進(jìn)行尋址而在被初始化之后對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址，所以可以產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電。在這種情況中，當(dāng)輔助復(fù)位之后的尋址周期期間增加導(dǎo)通放電室的維持和掃描電極之間的電壓差時(shí)，可以執(zhí)行更加穩(wěn)定的尋址放電。
雖然已經(jīng)結(jié)合現(xiàn)在被認(rèn)為是實(shí)際示例實(shí)施方式描述了本發(fā)明，應(yīng)該理解本發(fā)明并不限于所公開(kāi)的實(shí)施方式，但是相反地，本發(fā)明試圖覆蓋在所附權(quán)利要求及其等效物的精神和范圍之內(nèi)所包括的各種修改和等效結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種用于通過(guò)從幀中分割出來(lái)的多個(gè)子場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，該等離子體顯示設(shè)備具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極和與第一電極和第二電極的方向交叉的多個(gè)第三電極，在第三電極與第一電極和第二電極上交叉之處形成有放電室，多個(gè)第一電極分劃為包括第一電極的第一組和第一電極的第二組的多個(gè)組，第一組放電室與第一電極的第一組對(duì)應(yīng)而第二組放電室與第一電極的第二組對(duì)應(yīng)，多個(gè)子場(chǎng)劃分為包括第一子場(chǎng)組和第二子場(chǎng)組的多個(gè)組，該驅(qū)動(dòng)方法包括在第一子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間，在第一復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化；在第一尋址周期期間在第一組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；在第二復(fù)位周期期間將第二組放電室初始化；在第二尋址周期期間在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；以及在維持周期期間對(duì)所選擇的導(dǎo)通放電室進(jìn)行維持放電，其中在第一尋址周期期間所選擇的導(dǎo)通放電室的第一電極和第二電極之間的電壓差不同于在第二尋址周期期間所選擇的導(dǎo)通放電室的第一電極和第二電極之間的電壓差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中第一復(fù)位周期或者第二復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，用于將第二電極的電壓從第一電壓逐漸減低到第二電壓，而第一復(fù)位周期和第二復(fù)位周期中的另一個(gè)是主復(fù)位周期，用于將第二電極的電壓從第三電壓逐漸增加到第四電壓之后，將第二電極的電壓從第五電壓逐漸降低到第六電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中在第一尋址周期期間將第一組放電室的導(dǎo)通放電室的第一電極維持在第七電壓，同時(shí)將第八電壓施加到第一組放電室的導(dǎo)通放電室的第二電極，其中在第二尋址周期期間將第二組放電室的導(dǎo)通放電室的第一電極維持在第七電壓，同時(shí)將第八電壓施加到第二組放電室的導(dǎo)通放電室的第二電極，和其中在輔助復(fù)位周期之后的第一尋址周期或者第二尋址周期期間的第七和第八電壓之間的電壓差大于在主復(fù)位周期之后的第一尋址周期或者第二尋址周期期間的第七和第八電壓之間的電壓差。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中第一復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，而第二復(fù)位周期是主復(fù)位周期。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中在第二尋址周期期間將第九電壓施加到第一組放電室的導(dǎo)通放電室的第一電極，和其中在第一尋址周期期間施加的第七電壓高于第二尋址周期期間施加的第九電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中在第一尋址周期期間，將第九電壓施加到第二組放電室的導(dǎo)通放電室的第一電極，和其中第二尋址周期期間所施加的第八電壓高于在第二尋址周期期間的第九電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括在輔助復(fù)位周期之后的第二尋址周期的最后一部分或者第一尋址周期的最后一部分期間，將第九電壓施加到第三電極，和在輔助復(fù)位周期之后的第二尋址周期的最后一部分或者第一尋址周期的最后一部分期間將第二電極處的電壓逐漸從第十電壓降低到第十一電壓，其中當(dāng)輔助復(fù)位期間將第二電壓施加到第二電極時(shí)，在第九電壓和第十一電壓之間的差大于施加到第二電極和第三電極的電壓之間的差。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括在第二組的子場(chǎng)期間，在第三復(fù)位周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行初始化，在第三尋址周期期間在第二組放電室中選擇導(dǎo)通放電室，在第四復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化，在第四尋址周期期間在第一組放電室中選擇導(dǎo)通放電室，以及在維持周期期間將所選擇的放電室進(jìn)行維持放電，其中在第三尋址周期期間所選擇的導(dǎo)通放電室的第一電極和第二電極的電壓之間的電壓差不同于在第四尋址周期期間所選擇的導(dǎo)通放電室的第一電極和第二電極的電壓之間的電壓差。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中第三復(fù)位周期和第四復(fù)位周期之一是輔助復(fù)位周期，而第三復(fù)位周期和第四復(fù)位周期中的另一個(gè)是主復(fù)位周期。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中第三復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，而第四復(fù)位周期是主復(fù)位周期。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中或者第一子場(chǎng)組包括奇數(shù)子場(chǎng)而第二子場(chǎng)組包括偶數(shù)子場(chǎng)，或者第一子場(chǎng)組包括偶數(shù)子場(chǎng)而第二子場(chǎng)組包括奇數(shù)子場(chǎng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中或者第一電極的第一組包括奇數(shù)第一電極而第一電極的第二組包括偶數(shù)第一電極，或者第一電極的第一組包括偶數(shù)第一電極而第一電極的第二組包括奇數(shù)第一電極。
13.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示板，包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和與第一電極和第二電極上交叉的多個(gè)第三電極；控制器，該控制器以包括第一電極的第一組和第一電極的第二組的多個(gè)組驅(qū)動(dòng)多個(gè)第一電極，該控制器在包括第一子場(chǎng)組和第二子場(chǎng)組的多個(gè)子場(chǎng)期間驅(qū)動(dòng)多個(gè)第一電極；和驅(qū)動(dòng)電路，其在第一復(fù)位周期期間將與第一電極的第一組對(duì)應(yīng)的第一組放電室初始化，在第一尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電，在第二復(fù)位周期期間對(duì)第二組放電室初始化，而且在第二尋址周期期間、第一復(fù)位周期期間、第一尋址周期期間和第二復(fù)位周期期間對(duì)與第一電極的第二組對(duì)應(yīng)的第二組放電室進(jìn)行尋址放電，和第二尋址周期期間出現(xiàn)在第一子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間，其中在第一尋址周期和第二尋址周期期間，驅(qū)動(dòng)電路將電壓施加到第一組放電室的第一電極和第二電極，和其中在第一尋址周期期間，第一組放電室的第一電極和第二電極之間的電壓差不同于第二組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第一復(fù)位周期或者第二復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，用于初始化在之前子場(chǎng)中已經(jīng)進(jìn)行了維持放電的放電室，而另一個(gè)復(fù)位周期是用于初始化所有放電室的主復(fù)位周期。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在第一尋址周期和第二尋址周期期間，驅(qū)動(dòng)電路將第二電壓施加到第一組放電室的第二電極，同時(shí)在第一電壓處維持第一電極，以及其中在輔助復(fù)位周期之后的第一尋址周期或者第二尋址周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差，大于在主復(fù)位周期之后的第二尋址周期或者第一尋址周期期間第一電極和第二電極之間的電壓差。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第一復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，而第二復(fù)位周期是主復(fù)位周期。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備其中在第二子場(chǎng)組的子場(chǎng)中的驅(qū)動(dòng)電路，在第三復(fù)位周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行初始化，在第三復(fù)位周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址放電，在第四復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化，以及在第四尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電；其中，在第三尋址周期和第四尋址周期期間，驅(qū)動(dòng)電路將電壓施加到第一組放電室和第二組放電室的第一電極和第二電極，以及其中在第三尋址周期期間，在第一組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差，不同于在第二組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，其中第三復(fù)位周期或者第四復(fù)位周期是輔助復(fù)位周期，而另一個(gè)是主復(fù)位周期。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在第二尋址周期期間，在第一組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差，不同于第二組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體顯示設(shè)備，其中在第四尋址周期期間，在第一組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差，不同于在第二組放電室的第二電極和第一電極之間的電壓差。
全文摘要
在等離子體顯示設(shè)備中，將形成一幀的子場(chǎng)和維持電極分為包括第一和第二組的多個(gè)組。在第一組的第一子場(chǎng)中，在第一復(fù)位周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行初始化，而且在第一尋址周期期間將第一組的放電室進(jìn)行尋址放電，之后，在第二復(fù)位周期期間將第二組放電室初始化，而且在第二尋址周期期間將第二組放電室進(jìn)行尋址放電。在輔助復(fù)位周期后的第一或者第二尋址周期期間施加到導(dǎo)通放電室的第一和第二電極的電壓之間的差，被設(shè)置成大于在主復(fù)位周期后的第一或者第二尋址周期期間施加到導(dǎo)通放電室的第一和第二電極的電壓之間的差。
文檔編號(hào)G09G3/298GK1904985SQ200610108138
公開(kāi)日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2006年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者蔡升勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社