專利名稱：數(shù)據(jù)驅(qū)動電路及使用其的有機發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、采用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器和驅(qū)動所述發(fā)光顯示器的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種能夠顯示亮度均勻的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、一種使用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器和一種驅(qū)動該發(fā)光顯示器以顯示亮度均勻的圖像的方法。
背景技術(shù)：
正在開發(fā)通常比陰極射線管(CRT)更輕且更加緊湊的平板顯示器(FPD)。FPD包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和發(fā)光顯示器。
發(fā)光顯示器可利用電子和空穴復合時產(chǎn)生光的有機發(fā)光二極管(OLED)來顯示圖像。通常發(fā)光顯示器的響應時間快且其功耗較低。
圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖1中所示，發(fā)光顯示器可包括像素單元30、掃描驅(qū)動器10、數(shù)據(jù)驅(qū)動器20和時序控制器50。像素單元30可包括多個像素40，像素40與掃描線S1至Sn和數(shù)據(jù)線D1至Dm連接。掃描驅(qū)動器10可驅(qū)動掃描線S1至Sn。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1至Dm。時序控制器50可控制掃描驅(qū)動器10和數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。
時序控制器50可基于外部提供的同步信號(未示出)產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS可提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器20，掃描驅(qū)動控制信號SCS可提供給掃描驅(qū)動器10。時序控制器50可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)向數(shù)據(jù)驅(qū)動器20提供數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動器10可從時序控制器50接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器10可基于所接收的掃描驅(qū)動控制信號SCS產(chǎn)生掃描信號(未示出)。可通過掃描線S1至Sn將所產(chǎn)生的掃描信號順序地提供給像素單元30。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可從時序控制器50接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可基于所接收的數(shù)據(jù)DATA和數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(未示出)。與提供給掃描線S1至Sn的掃描信號中的各個信號同步，所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號中相應的一個可被施加到數(shù)據(jù)線D1至Dm。
像素單元30可與對像素40提供第一電壓VDD的第一電源ELVDD和對像素40提供第二電壓VSS的第二電源ELVSS連接。像素40可根據(jù)相應的數(shù)據(jù)信號與第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號一起控制流經(jīng)各個OLED的電流。從而，像素40可基于第一電壓VDD信號、第二電壓VSS信號和數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生光。
在公知的發(fā)光顯示器中，像素40中的每個可包括像素電路，像素電路包括至少一個晶體管，用來選擇性地提供各自的數(shù)據(jù)信號和各自的掃描信號，從而選擇性地導通和截止發(fā)光顯示器的各自的像素40。
發(fā)光顯示器的每個像素40將響應各自的數(shù)據(jù)信號的不同值產(chǎn)生預定亮度的光。例如，當向顯示器的所有像素40施加相同的數(shù)據(jù)信號時，通常期望顯示器的所有像素40產(chǎn)生相同的亮度。然而，由各像素40產(chǎn)生的亮度不僅取決于數(shù)據(jù)信號，而且還取決于各像素40的特性，例如還取決于像素電路的各晶體管的閾值電壓。
通常，晶體管之間的閾值電壓和/或電子遷移率有所變化，從而，不同的晶體管具有不同的閾值電壓和電子遷移率。晶體管的特性還會隨著時間過長和/或過度使用而改變。例如，晶體管的閾值電壓和電子遷移率可取決于晶體管的導通/截止歷史。
因此，在發(fā)光顯示器中，由各像素響應各自的數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生的亮度取決于可包括在各自的像素電路中的晶體管的特性。閾值電壓和電子遷移率的這些變化會妨礙和/或阻止所顯示的圖像的均勻性。因而，閾值電壓和電子遷移率的這些變化也會妨礙具有期望亮度的圖像的顯示。
雖然有可能通過控制像素40的像素電路的結(jié)構(gòu)來至少部分地補償包括在像素中的晶體管的閾值電壓之間的差，但是仍然需要能夠補償電子遷移率的變化的電路和方法。也期望有不管電子遷移率的變化而能夠顯示亮度均勻的圖像的發(fā)光器件，例如OLED。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和一種使用其的發(fā)光顯示器，從而基本克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點引起的一個或多個問題。
因此，本發(fā)明實施例的一方面提供一種能夠驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素而顯示亮度均勻的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、一種使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器和一種驅(qū)動該發(fā)光顯示器的方法。
本發(fā)明的上述和其它特點及優(yōu)點中的至少一個可通過提供一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來實現(xiàn)，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括解碼器，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)來產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存器，用于存儲第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)；伽瑪電壓單元，用于產(chǎn)生多個灰階電壓；數(shù)模轉(zhuǎn)換器，基于第一數(shù)據(jù)在多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流吸收單元，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所選擇的灰階電壓接收來自像素的預定電流；電壓控制器，根據(jù)基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓和第二數(shù)據(jù)來控制數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給像素，第二部分時間段不同于第一部分時間段，并且第二部分時間段在第一部分時間段之后消逝。
解碼器可將第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為二進制權(quán)值，以產(chǎn)生第二數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路還可包括第一晶體管，位于數(shù)模轉(zhuǎn)換器和開關(guān)單元之間，在第一部分時間段的預定時間期間數(shù)模轉(zhuǎn)換器被導通以將數(shù)據(jù)信號與所控制的電壓值傳輸給開關(guān)單元；第一緩沖器，連接在第一晶體管和開關(guān)單元之間。伽瑪電壓單元可包括多個分布電阻器，產(chǎn)生灰階電壓并分配參考電源電壓和第一電源電壓；第二緩沖器，將第一電源電壓提供給電壓控制器。
電壓控制器可包括p個電容器，具有與第一晶體管和第一緩沖器之間的電路連接的第一端；第二晶體管，分別連接在p個電容器中的每個的第二端和第二緩沖器之間；第三晶體管，分別連接在p個電容器的第二端和電流吸收單元之間，并具有與第二晶體管的導電類型不同的導電類型；第四晶體管，連接在第二晶體管和預定的電壓源之間，并具有與第二晶體管的導電類型相同的導電類型；第五晶體管，具有與第三晶體管的導電類型相同的導電類型，第五晶體管將第二數(shù)據(jù)提供給第二晶體管。
第四晶體管可在第一時間段期間導通，從而，可導通第二晶體管以將預定電壓源的電壓提供給第二晶體管的柵電極。預定電壓源可以是地電壓源。第三晶體管可在第一部分時間段期間選擇性地導通，從而電容器的第二端被設置成具有預定電壓源的電壓。第五晶體管可由p個晶體管組成，對應于第二數(shù)據(jù)的位數(shù)，第五晶體管可分別將所述p位第二數(shù)據(jù)的不同位提供給第二晶體管。
第三晶體管中的接收值為1的位的每個可被導通，以將各自的補償電壓提供給各自的p個電容器的第二端。p個電容器的電容可被設置成二進制權(quán)值。電流吸收單元可包括電流源，提供預定的電流；第一晶體管，設置在與像素連接的數(shù)據(jù)線和電壓控制器之間，第一晶體管在第一部分時間段期間被導通；第二晶體管，設置在數(shù)據(jù)線和電流源之間，第二晶體管在第一部分時間段內(nèi)被導通；電容器，用于充補償電壓；緩沖器，設置在第一晶體管和電壓控制器之間，以選擇性地將補償電壓傳輸?shù)诫妷嚎刂破鳌?br> 預定的電流可等于像素發(fā)射最大亮度的光時流經(jīng)像素的最小電流的電流值，最大亮度可對應于多個重置的灰階電壓中的最高的一個施加到像素時像素的亮度。開關(guān)單元可包括至少一個在第二部分時間段期間導通的晶體管。開關(guān)單元可包括兩個相連接以形成傳輸門的晶體管。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路還可包括移位寄存單元，移位寄存單元包括至少一個移位寄存器，以順序地產(chǎn)生采樣脈沖并將采樣脈沖提供給鎖存單元。
鎖存單元可包括采樣鎖存單元，包括至少一個采樣鎖存器，用于響應采樣脈沖來接收第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)；保持鎖存單元，包括至少一個保持鎖存器，用于接收存儲在采樣鎖存單元內(nèi)的第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，以將其內(nèi)存儲的第一數(shù)據(jù)提供給數(shù)模轉(zhuǎn)換器，并將第二數(shù)據(jù)提供給電壓控制器。
采樣鎖存器和保持鎖存器中的每個可具有k+p位的大小。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路還可包括電平移位單元，用來升高存儲在保持鎖存器內(nèi)的第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)的電壓電平，以分別將存儲的第一數(shù)據(jù)的調(diào)整后的電壓電平提供給數(shù)模轉(zhuǎn)換器并將存儲的第二數(shù)據(jù)的調(diào)整后的電壓電平提供給電壓控制器。
本發(fā)明的上述和其它特點和優(yōu)點中的至少一個可通過提供一種發(fā)光顯示器來實現(xiàn)，該發(fā)光顯示器包括像素單元，包括與n條掃描線、多條數(shù)據(jù)線和多條發(fā)射控制線連接的多個像素；掃描驅(qū)動器，在各掃描周期期間分別順序地將n個掃描信號提供給n條掃描線，并順序地將發(fā)射控制信號提供給多條發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，具有至少一個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，用于分別將數(shù)據(jù)信號提供給數(shù)據(jù)線，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括解碼器，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)來產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存器，用于存儲第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)；伽瑪電壓單元，用于產(chǎn)生多個灰階電壓；數(shù)模轉(zhuǎn)換器，基于第一數(shù)據(jù)在多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流吸收單元，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所選擇的灰階電壓接收來自像素的預定電流；電壓控制器，根據(jù)基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓和第二數(shù)據(jù)來控制數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給像素，第二部分時間段不同于第一部分時間段，并且第二部分時間段在第一部分時間段之后消逝。
像素中的每個可與n條掃描線中的兩條連接，在每個掃描周期期間，在這兩條掃描線中的第二掃描線接收n個掃描信號中的對應的一個信號之前，這兩條掃描線中的第一掃描線接收n個掃描信號中的對應的一個，像素中的每個可包括第一電源；發(fā)光器，接收來自第一電源的電流；第一晶體管和第二晶體管，均具有連接到數(shù)據(jù)線的與像素相關(guān)聯(lián)的各自的一條數(shù)據(jù)線的第一電極，當提供兩個掃描信號中的第一掃描信號時，第一晶體管和第二晶體管被導通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當提供兩個掃描信號中的第一掃描信號時，第三晶體管被導通；第四晶體管，控制施加到發(fā)光器的電流量，第四晶體管的第一端與第一電源連接；第五晶體管，具有與第四晶體管的柵電極連接的第一電極、與第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當提供兩個掃描信號中的第一掃描信號時，第五晶體管被導通，從而第四晶體管作為二極管來操作。
像素中的每個可包括第一電容器，具有與第一晶體管的第二電極或第四晶體管的柵電極中的一個連接的第一電極、與第一電源連接的第二電極；第二電容器，具有與第一晶體管的第二電極連接的第一電極和與第四晶體管的柵電極連接的第二電極。像素中的每個還可包括第六晶體管，其具有與第四晶體管的第二電極連接的第一端和與發(fā)光器連接的第二端，當提供各自的發(fā)射控制信號時，第六晶體管被截止，其中，在一個完整的用于驅(qū)動像素的時間段的第一部分時間段期間，電流吸收單元可接收來自像素的預定電流，用于驅(qū)動像素的完整的周期的第一部分時間段發(fā)生在第二部分時間段之前，在用于驅(qū)動像素的完整的周期的第二部分時間段期間，第六晶體管可被導通。
本發(fā)明的上述和其它特點及優(yōu)點中的至少一個可單獨地通過提供一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來實現(xiàn)，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括轉(zhuǎn)換單元，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存單元，用于存儲第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，鎖存單元具有k+p位的大小；選擇單元，基于第一數(shù)據(jù)在多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流接收單元，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所選擇的灰階電壓接收來自像素的預定電流；控制單元，根據(jù)基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓和第二數(shù)據(jù)來控制數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給像素，第二部分時間段不同于第一部分時間段，并且第二部分時間段在第一部分時間段之后消逝。


通過參照附圖來詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，本發(fā)明的這些和其他特點及優(yōu)點將會變得更加清楚，附圖中圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的示意圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖；圖3示出了可用于圖2中示出的發(fā)光顯示器的示例性像素的電路圖；圖4示出了可用于驅(qū)動圖3中示出的像素的示例性波形；圖5示出了可用于圖2中示出的發(fā)光顯示器的另一示例性像素的電路圖；圖6是示出圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一實施例的框圖；圖7示出了圖6中示出的采樣鎖存單元和保持鎖存單元的實施例；圖8示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第二實施例的框圖；圖9示出了連接圖6中示出的伽瑪電壓單元、數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、開關(guān)單元、電壓控制單元和電流吸收單元(current sink unit)與圖3中示出的像素的連接方案的第一實施例的示意圖；圖10示出了可用于驅(qū)動圖9中示出的開關(guān)單元和電流吸收單元的示例性波形；圖11示出了采用開關(guān)單元的另一實施例的圖9中示出的連接方案；圖12示出了連接圖6中示出的伽瑪電壓單元、數(shù)模轉(zhuǎn)換單元、開關(guān)單元、電壓控制單元和電流吸收單元及圖5中示出的像素的連接方案的第二實施例的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將在下文參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來實施，而不應被解釋為局限于在此闡述的實施例。當然，提供的這些實施例使得說明書完整且完全，而且會將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標號始終表示相同的元件。
在下文中，將參照圖2至圖12來描述本發(fā)明的示例性實施例。在采用本發(fā)明的一個或多個方面的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和發(fā)光顯示器中，因為利用電流從各自的像素吸收時產(chǎn)生的補償電壓而重置數(shù)據(jù)信號的電壓值，所以不管晶體管的電子遷移率、閾值電壓等為何，可顯示均勻的圖像。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖。
如圖2中所示，發(fā)光顯示器可包括掃描驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120、像素單元130和時序控制器150。像素單元130可包括多個像素140。像素單元130可包括例如以n行和m列排列的n×m個像素140，其中，n和m可分別為整數(shù)。像素140可連接到掃描線S1至Sn、發(fā)射控制線E1至En和數(shù)據(jù)線D1至Dm。像素140可分別形成在被發(fā)射控制線E1至En和數(shù)據(jù)線D1至Dm分割的區(qū)域內(nèi)。掃描驅(qū)動器110可驅(qū)動掃描線S1至Sn和發(fā)射控制線E1至En。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1至Dm。時序控制器150可控制掃描驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括一個或多個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。
時序控制器150可響應外部提供的同步信號(未示出)產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。由時序控制器150產(chǎn)生的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS可提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。由時序控制器150產(chǎn)生的掃描驅(qū)動控制信號SCS可提供給掃描驅(qū)動器110。時序控制器150可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)將第一數(shù)據(jù)DATA1提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。
掃描驅(qū)動器110可從時序控制器150接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器110可基于所接收的掃描驅(qū)動控制信號SCS產(chǎn)生掃描信號SS1至SSn和發(fā)射控制信號ES1至ESn，并可分別順序地將掃描信號SS1至SSn提供給掃描線S1至Sn。掃描驅(qū)動器110可順序地將發(fā)射控制信號ES1至ESn提供給發(fā)射控制線E1至En?？商峁┌l(fā)射控制信號ES1至ESn中的每個，例如提供從低電壓信號變?yōu)楦唠妷盒盘柕陌l(fā)射控制信號，使得“導通”發(fā)射控制信號例如高電壓信號與掃描信號SS1至SSn中的至少兩個至少部分疊置。因此，在本發(fā)明的實施例中，發(fā)射控制信號ES1至ESn的脈沖寬度可等于或大于掃描信號SS1至SSn的脈沖寬度。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可從時序控制器150接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和第一數(shù)據(jù)DATA1。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可基于所接收的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和第一數(shù)據(jù)DATA1產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS1至DSm。與提供給掃描線S1至Sn的掃描信號SS1至SSn同步，所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm可提供給數(shù)據(jù)線D1至Dm。例如，當提供第一掃描信號SS1時，可通過數(shù)據(jù)線D1至Dm將所產(chǎn)生的與像素140(1)(1至m)對應的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm同步地提供給第一行中的第一個至第m個像素；當提供第n個掃描信號SSn時，可通過數(shù)據(jù)線D1至Dm將所產(chǎn)生的與像素140(n)(1至m)對應的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm同步地提供給第n行中的第一個至第m個像素。
在用于驅(qū)動像素140的一個或多個的一個水平周期1H的第一時間段期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1至Dm提供預定的電流。例如，為了驅(qū)動各自的像素140，一個水平周期1H可對應于完整的周期，該完整的周期與提供給各自的像素140的掃描信號SS1至SSn中的一個和數(shù)據(jù)信號DS1至DSm中對應的一個相關(guān)聯(lián)。在這個水平周期1H的第二時間段期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1至Dm提供預定的電壓。例如，為了驅(qū)動各自的像素140，一個水平周期1H可對應于完整的周期，該完整的周期與提供給各自的像素140的掃描信號SS1至SSn中的一個和數(shù)據(jù)信號DS1至DSm中對應的一個相關(guān)聯(lián)。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括至少一個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200用于在一個水平周期1H的第一時間段期間提供預定的電流和在一個水平周期1H的第二時間段期間提供預定的電壓。在下面的描述中，可在第二時間段期間提供給數(shù)據(jù)線D1至Dm的預定的電壓將被稱作數(shù)據(jù)信號DS1至DSm。
像素單元130可連接到向像素140提供第一電壓VDD的第一電源ELVDD、向像素140提供第二電壓VSS的第二電源ELVSS和向像素140提供參考電壓的參考電源ELVref(未示出)?？捎赏獠刻峁┑谝浑娫碋LVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref。根據(jù)可由數(shù)據(jù)驅(qū)動器120向像素140提供的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm，像素140可接收第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號，并可控制流經(jīng)各自的發(fā)光器件/材料(例如，OLED)的電流。從而，像素140可產(chǎn)生與所接收的第一數(shù)據(jù)DATA1對應的光分量。
一些像素140或所有像素140可分別從第一電源ELVDD接收第一電壓VDD信號、從第二電源ELVSS接收第二電壓VSS信號和從參考電源ELVref接收參考電壓Vref信號。像素140可利用參考電壓Vref信號補償?shù)谝浑妷篤DD信號的電壓降和/或閾值電壓導致的電壓降。補償?shù)牧靠扇Q于分別由參考電源ELVref提供的參考電壓Vref信號和由第一電源ELVDD提供的第一電壓VDD信號的電壓值之間的差。像素140響應各自的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm，可提供從第一電源ELVDD經(jīng)過例如OLED到第二電源ELVSS的各自的電流。在本發(fā)明的實施例中，像素140中的每個可具有例如圖3或圖5中示出的結(jié)構(gòu)。
圖3示出了可用于在圖2中示出的發(fā)光顯示器的第nm個示例性像素140nm的電路圖。為了簡單起見，圖3示出了第nm個像素，第nm個像素可以是在第n行掃描線Sn和第m列數(shù)據(jù)線Dm的交叉處設置的像素。第nm個像素140nm可以連接到第m條數(shù)據(jù)線Dm、第n-1條掃描線Sn-1、第n條掃描線Sn和第n條發(fā)射控制線En。為了簡單起見，圖3僅示出了一個示例性像素140nm。在本發(fā)明的實施例中，示例性像素140nm的結(jié)構(gòu)可應用于發(fā)光顯示器的所有像素140或一些像素140。
參照圖3，第nm個像素140nm可包括發(fā)光材料/器件，例如OLEDnm；第nm個像素電路142nm，用來向關(guān)聯(lián)的發(fā)光材料/器件提供電流。
第nm個OLEDnm可響應來自第nm個像素電路142nm的電流產(chǎn)生預定顏色的光。第nm個OLEDnm可由例如有機材料、磷光體材料和/或無機材料形成。
在本發(fā)明的實施例中，第nm個像素電路142nm可產(chǎn)生補償電壓，用于補償像素140內(nèi)和/或像素140之間的變化，從而像素140nm可顯示亮度均勻的圖像。在各掃描周期期間，第nm個像素電路142nm可利用先前提供的掃描信號SS1至SSn產(chǎn)生補償電壓。在本發(fā)明的實施例中，一個掃描周期可對應于順序提供的掃描信號SS1至SSn。因而，在本發(fā)明的實施例中，在每個周期期間，可在第n個掃描信號SSn之前提供第n-1個掃描信號SSn-1，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供給發(fā)光顯示器的第n-1條掃描線時，第nm個像素電路142nm可利用第n-1個掃描信號SSn-1產(chǎn)生補償電壓。例如，第二列中的第二個像素，即像素14022，可利用第一掃描信號SS1產(chǎn)生補償電壓。
補償電壓可補償源電壓信號中的電壓降和/或由第nm個像素電路142nm的晶體管的閾值電壓造成的電壓降。例如，第nm個像素電路142nm可基于補償電壓來補償?shù)谝浑妷篤DD信號的電壓降和/或晶體管的閾值電壓(例如，像素電路142nm的第四晶體管M4nm的閾值電壓)造成的電壓降，在同一掃描周期期間可利用先前提供的掃描信號產(chǎn)生該補償電壓。
在本發(fā)明的實施例中，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，像素電路142nm可補償?shù)谝浑娫碋LVDD的電壓的降低和第四晶體管M4nm的閾值電壓造成的電壓的降低；當?shù)趎個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn時，像素電路142nm可充以對應于數(shù)據(jù)信號DSm的電壓。在本發(fā)明的實施例中，像素電路142nm可包括第一晶體管M1nm至第六晶體管M6nm、第一電容器C1nm和第二電容器C2nm，用于產(chǎn)生補償電壓并驅(qū)動發(fā)光材料/器件。
第一晶體管M1nm的第一電極可連接到數(shù)據(jù)線Dm，第一晶體管M1nm的第二電極可連接到第一節(jié)點N1nm。第一晶體管M1nm的柵電極可連接到第n條掃描線Sn。當?shù)趎個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn時，可導通第一晶體管M1nm。當導通第一晶體管M1nm時，數(shù)據(jù)線Dm可電連接到第一節(jié)點N1nm。
第一電容器C1nm的第一電極可連接到第一節(jié)點N1nm，第一電容器C1nm的第二電極可連接到第二電源ELVDD。
第二晶體管M2nm的第一電極可連接到數(shù)據(jù)線Dm，第二晶體管M2nm的第二電極可連接到第四晶體管M4nm的第二電極。第二晶體管M2nm的柵電極可連接到第n條掃描線Sn。當?shù)趎個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn時，可導通第二晶體管M2nm。當導通第二晶體管M2nm時，數(shù)據(jù)線Dm可電連接到第四晶體管M4nm的第二電極。
第三晶體管M3nm的第一電極可連接到參考電源ELVref，第三晶體管M3nm的第二電極可連接到第一節(jié)點N1nm。第三晶體管M3nm的柵電極可連接到第n-1條掃描線Sn-1。當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，可導通第三晶體管M3nm。當導通第三晶體管M3nm時，參考電源ELVref可電連接到第一節(jié)點N1nm。
第四晶體管M4nm的第一電極可連接到第一電源ELVDD，第四晶體管M4nm的第二電極可連接到第六晶體管M6nm的第一電極。第四晶體管M4nm的柵電極可連接到第二節(jié)點N2nm。
第二電容器C2nm的第一電極可連接到第一節(jié)點N1nm，第二電容器C2nm的第二電極可連接到第二節(jié)點N2nm。
在本發(fā)明的實施例中，當提供第n-1個掃描信號SSn-1時，第一電容器C1nm和第二電容器C2nm可被充電。具體地講，第一電容器C1nm和第二電容器C2nm可被充電，第四晶體管M4nm可將與第二節(jié)點N2nm處的電壓對應的電流提供給第六晶體管M6nm的第一電極。
第五晶體管M5nm的第二電極可連接到第二節(jié)點N2nm，第五晶體管M5nm的第一電極可連接到第四晶體管M4nm的第二電極。第五晶體管M5nm的柵電極可連接到第n-1條掃描線Sn-1。當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，可導通第五晶體管M5nm，從而，電流流經(jīng)第四晶體管M4nm。因此，第四晶體管M4nm可作為二極管來操作。
第六晶體管M6nm的第一電極可連接到第四晶體管M4nm的第二電極，第六晶體管M6nm的第二電極可連接到第nm個OLEDnm的陽極。第六晶體管M6nm的柵電極可連接到第n條發(fā)射控制線En。當發(fā)射控制信號ESn例如高電壓信號被提供給第n條發(fā)射控制線En時，可截止第六晶體管M6nm；當沒有發(fā)射控制信號被提供給第n條發(fā)射控制線En時，例如，當?shù)碗妷盒盘柋惶峁┙o第n條發(fā)射控制線En時，可導通第六晶體管M6nm。
在本發(fā)明的實施例中，被提供給第n條發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號ESn可以以這樣一種方式提供發(fā)射控制信號ESn可與可被提供給第n-1條掃描線Sn-1的第n-1個掃描信號SSn-1和可被提供給第n條掃描線Sn的第n個掃描信號SSn至少部分地疊置。因此，當?shù)趎-1個掃描信號SSn-1例如低電壓信號被提供給第n-1條掃描線Sn-1和第n個掃描信號SSn例如低電壓信號被提供給第n條掃描線Sn時，可截止第六晶體管M6nm，從而在第一電容器C1nm和第二電容器C2nm中可被充以預定的電壓。在其它時間期間可導通第六晶體管M6nm，以使第四晶體管M4nm和第nm個OLEDnm相互電連接。在圖3中示出的示例性實施例中，晶體管M1nm至M6nm為PMOS晶體管，當向各自的柵電極提供低電壓信號時，這些晶體管可導通，當向各自的柵電極提供高電壓信號時，這些晶體管可截止。然而，本發(fā)明不局限于PMOS器件。
在圖3中示出的像素中，因為參考電源ELVref沒有向像素140提供電流，所以不會發(fā)生參考電壓Vref的電壓降。因此，不管像素140的位置在哪兒，能夠保持參考電壓Vref信號的電壓值一致。在本發(fā)明的實施例中，參考電壓Vref的電壓值可等于或不同于第一電壓ELVDD。
圖4示出了可用于驅(qū)動圖3中示出的第nm個示例性像素140nm的示例性波形。如圖4中所示，每個用于驅(qū)動第nm個像素140nm的水平周期1H可劃分為第一時間段和第二時間段。在第一時間段期間，預定的電流(PC)可分別流經(jīng)數(shù)據(jù)線D1至Dm。在第二時間段期間，可通過數(shù)據(jù)線D1至Dm向各自的像素140提供數(shù)據(jù)信號DS1至DSm。在第一時間段期間，各自的PC可從各像素140提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200能夠至少部分起到電流吸收(current sink)的作用。在第二時間段期間，數(shù)據(jù)信號DS1可從數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200提供給像素140。為了簡單起見，在下面的描述中，將假設至少在開始，即可在像素140的操作期間造成任何電壓降之前，參考電壓Vref信號的電壓值等于第一電壓VDD信號的電壓值。
將參照圖3和圖4來詳細描述操作像素140的第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm的示例性方法。首先，可向第n-1條掃描線Sn-1提供第n-1個掃描信號SSn-1，以控制可連接到第n-1條掃描線Sn-1的m個像素的導通/截止操作。當向第n-1條掃描線Sn-1提供掃描信號SSn-1時，可導通第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm。當?shù)谖寰w管M5nm導通時，電流可流經(jīng)第四晶體管M4nm，從而第四晶體管M4nm可作為二極管來操作。當?shù)谒木w管M4nm作為二極管來操作時，第二節(jié)點N2nm的電壓值可對應于由第一電源ELVDD提供的第一電壓VDD信號的電壓和第四晶體管和M4nm的閾值電壓之間的差。
更具體地講，當?shù)谌w管M3nm導通時，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號可施加到第一節(jié)點N1nm。第二晶體管C2nm可被充以與第一節(jié)點N1nm和第二節(jié)點N2nm之間的差對應的電壓。在本發(fā)明的實施例中，其中，至少在開始，即可在像素140的操作期間造成任何電壓降之前，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD可相等，與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應的電壓可充在第二電容器C2nm中。在本發(fā)明的實施例中，其中，第一電壓VDD信號的電壓出現(xiàn)預定的降低，第四晶體管M4nm的閾值電壓和與第一電源ELVDD的電壓降的大小對應的電壓可充在第二電容器C2nm中。
在本發(fā)明的實施例中，在第n-1個掃描信號SSn-1可被提供給第n-1條掃描線Sn-1的時間段期間，與對應于第一電壓VDD信號的電壓降的電壓和第四晶體管M4nm的閾值電壓之和對應的預定的電壓可充在第二電容器C2nm中。通過在第m列的第(n-1)個像素的操作期間，存儲與來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的電壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓之和對應的電壓，能夠隨后在第nm個像素140nm的操作期間利用所存儲的電壓來補償?shù)谝浑妷篤DD信號的電壓降和閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第n個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn之前，在第二電容器C2nm中可充以這樣的電壓，該電壓對應于第四晶體管M4nm的閾值電壓與參考電壓Vref信號和第一電壓VDD信號之間的差的和。當?shù)趎個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn時，可導通第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm。在一個水平周期的第一時間段期間，當?shù)趎m個像素140nm的像素電路142nm的第二晶體管M2nm導通時，通過數(shù)據(jù)線Dm可將PC從第nm個像素140nm提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。在本發(fā)明的實施例中，可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm將PC提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。然后，響應被提供的PC，在第一電容器C1nm和第二電容器C2nm中可充以預定的電壓。
基于預定的電壓值，即基于如上所述的PC吸收時可產(chǎn)生的補償電壓，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可重置伽瑪電壓單元(未示出)的電壓。來自伽瑪電壓單元(未示出)的重置電壓可用于產(chǎn)生將分別提供給數(shù)據(jù)線D1至Dm的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm。
在本發(fā)明的實施例中，在一個水平周期的第二時間段期間，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm可分別提供給各自的數(shù)據(jù)線D1至Dm。更具體地講，例如，在一個水平周期的第二時間段期間，可通過第一晶體管M1nm將各自產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DSm提供給各自的第一節(jié)點N1nm。然后，在第一電容器C1nm中可充以對應于與數(shù)據(jù)信號DSm和第一電源ELVDD之間的差的電壓。然后，第二節(jié)點N2nm可浮置，第二電容器C2nm可保持先前所充的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在當控制第m列中的n-1個像素且掃描信號SSn-1被提供給前一掃描線Sn-1時的這個時間段期間，在第nm個像素140nm的第二電容器C2nm中可被充以對應于第四晶體管M4nm的閾值電壓和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的電壓降的電壓，以補償來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的電壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在當?shù)趎個掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Sn時的這個時間段期間，可重置伽瑪電壓單元(未示出)的電壓，從而，利用各自的重置伽瑪電壓可補償包括在與各數(shù)據(jù)線D1至Dm相關(guān)聯(lián)的各自的第n個像素140n中的晶體管的電子遷移率，并且可向第n個像素140n提供各自產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1至DSm。因此，在本發(fā)明的實施例中，可補償晶體管的閾值電壓的不均勻性和電子遷移率的不一致性，因而可顯示亮度均勻的圖像。下面將描述用于重置伽瑪電壓單元的電壓的過程。
圖5示出了可用于圖2中示出的發(fā)光顯示器的第nm個像素140nm′的另一示例性實施例。除了第一電容器C1nm′在像素電路142nm′中的布置及與第一節(jié)點N1nm′和第二節(jié)點N2nm′的連接之外，圖5中示出的第nm個像素140nm的結(jié)構(gòu)與圖3中示出的第nm個像素140nm的結(jié)構(gòu)基本相同。在圖5中示出的示例性實施例中，第一電容器C1nm′的第一電極可連接到第二節(jié)點N2nm′，第一電容器C1nm′的第二電極可連接到第一電源ELVDD。第二電容器C2nm的第一電極可連接到第一節(jié)點N1nm′，第二電容器C2nm的第二電極可連接到第二節(jié)點N2nm′。第一節(jié)點N1nm′可連接到第一晶體管M1nm的第二電極、第三晶體管M3nm的二電極和第二電容器C2nm的第一電極。第二節(jié)點N2nm′可連接到第四晶體管M4nm的柵電極、第五晶體管M5nm的第二電極、第一電容器C1nm′的第一電極和第二電容器C2nm的第二電極。
在下面的描述中，上面在圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中使用的相同的標號將用來描述在圖5中示出的第nm個像素140nm′的示例性實施例中的相同的部件。
將參照圖4和圖5來詳細描述用于操作像素140的第nm個像素140nm′的第nm個像素電路142nm′的示例性方法。首先，在用于驅(qū)動第(n-1)像素140(n-1)(1至m)的水平周期期間，即在驅(qū)動排列在第(n-1)行的像素的水平周期期間，當向第n-1條掃描線Sn-1提供第n-1個掃描信號SSn-1時，可導通第n像素140(n)(1至m)即排列在第n行上的像素的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm。
當?shù)谖寰w管M5nm導通時，電流可流經(jīng)第四晶體管M4nm，從而第四晶體管M4nm可作為二極管來操作。當?shù)谒木w管M4nm作為二極管來操作時，可向第二節(jié)點N2nm′施加與第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號減去第四晶體管M4nm的閾值電壓所得到的值對應的電壓?？稍诘谝浑娙萜鰿1nm′中充以與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應的電壓。如圖5中所示，第一電容器C1nm′可設置在第二節(jié)點N2nm′和第一電源ELVDD之間。
當?shù)谌w管M3nm導通時，參考電源ELVref的電壓可施加到第一節(jié)點N1nm′。然后，第二晶體管C2nm可被充以與第一節(jié)點N1nm′和第二節(jié)點N2nm′之間的差對應的電壓。在向第n-1條掃描線Sn-1提供第n-1個掃描信號SSn-1且第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm截止的這個時間段期間，數(shù)據(jù)信號DSm不會被提供到第nm個像素140nm′。
然后，在用于驅(qū)動第nm個像素140nm′的一個水平周期1H的第一時間段期間，掃描信號SSn可被提供給第n條掃描線Sn，并且可導通第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm。當?shù)诙w管M2nm導通時，在一個水平周期的第一時間段期間，可通過數(shù)據(jù)線Dm將各自的PC從第nm個像素140nm′提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200?？赏ㄟ^第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm將PC提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。響應于PC，可在第一電容器C1nm′和第二電容器C2nm中充以預定的電壓。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200利用響應于PC而施加的補償電壓可重置伽瑪電壓單元的電壓，從而利用伽瑪電壓單元各自的重置電壓來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS。
然后，在一個用于驅(qū)動第nm個像素140nm′的水平周期的第二時間段期間，數(shù)據(jù)信號DSm可被提供給第一節(jié)點N1nm′。在第一電容器C1nm′和第二電容器C2nm中可充以與數(shù)據(jù)信號DSm對應的預定電壓。
當提供數(shù)據(jù)信號DSm時，第一節(jié)點N1nm′的電壓可從參考電源ELVref的參考電壓Vref降至數(shù)據(jù)信號DSm的電壓。此時，由于第二節(jié)點N2nm′可正被浮置，所以第二節(jié)點N2nm′的電壓值可響應第一節(jié)點N1nm′的電壓降的量而減小。可通過第一電容器C1nm′和第二電容器C2nm的電容來確定會發(fā)生在第二節(jié)點N2nm′處的電壓的減小量。
當?shù)诙?jié)點N2nm′的電壓降低時，在第一電容器C1nm′中可充以與第二節(jié)點N2nm′的電壓值對應的預定電壓。當固定參考電源ELVref的電壓值時，可通過數(shù)據(jù)信號DSm來確定充在第一電容器C1nm′中的電壓的量。即，在圖5中示出的第nm個像素140nm′中，因為可通過參考電源ELVref和數(shù)據(jù)信號DSm來確定充在第一電容器C1nm′和第二電容器C2nm中的電壓值，所以會有可能不管第一電源ELVDD的電壓降為何而充以期望的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，可重置伽瑪電壓單元的電壓，從而，利用重置伽瑪電壓，可補償包括在與各像素140中的晶體管的電子遷移率，并且可提供各自產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號。在本發(fā)明的實施例中，可補償晶體管的閾值電壓的不均勻性和晶體管的電子遷移率中的偏差，從而能夠顯示亮度均勻的圖像。
圖6示出了在圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一示例性實施例的框圖。為了簡單起見，在圖6中，假設數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200具有j個通道，其中，j為等于或大于2的自然數(shù)。
如圖6中所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可包括移位寄存單元210、采樣鎖存單元220、保持鎖存單元230、解碼單元240、數(shù)模轉(zhuǎn)換單元(在下文中，稱作DAC)250、電壓控制單元260、第一緩沖單元270、電流提供單元280、選擇器290和伽瑪電壓單元300。
移位寄存單元210可從時序控制器150接收源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP。移位寄存單元210可利用源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP，在源移位時鐘SSC的每一個周期使源起始脈沖SSP移位的同時順序地產(chǎn)生j個采樣信號。移位寄存單元210可包括j個移位寄存器2101至210j。
解碼單元240可包括j個解碼器2401至240j。解碼器2401至240j中的每個可接收k位各自的第一數(shù)據(jù)DATA1，并將這k位的第一數(shù)據(jù)DATA1轉(zhuǎn)換為p(p為自然數(shù))位第二數(shù)據(jù)DATA2。在本發(fā)明的實施例中，解碼器2401至240j中的每個可利用二進制權(quán)值產(chǎn)生p位第二數(shù)據(jù)DATA2。
在本發(fā)明的實施例中，可確定外部接收的第一數(shù)據(jù)DATA1的權(quán)值，從而允許伽瑪電壓單元300設置成預定的電壓。例如，可確定允許從多個灰階電壓中選擇期望的灰階電壓的第一數(shù)據(jù)DATA1的位數(shù)。可通過伽瑪電壓單元300產(chǎn)生多個灰階電壓。解碼器2401至240j利用二進制權(quán)值將與灰階電壓對應的k位第一數(shù)據(jù)DATA1轉(zhuǎn)換為各自的p位第二數(shù)據(jù)DATA2-1至DATA2-j。例如，解碼器2401至240j可利用八位第一數(shù)據(jù)DATA1產(chǎn)生五位第二數(shù)據(jù)DATA2。
在本發(fā)明的實施例中，可設置至少一個解碼單元240。如圖6中所示，解碼單元240可連接到采樣鎖存單元220。在這樣的實施例中，當從時序控制器150順序地提供第一數(shù)據(jù)DATA1時，解碼單元240可接收第一數(shù)據(jù)DATA1，并向采樣鎖存單元220提供例如k位第一數(shù)據(jù)DATA1和轉(zhuǎn)換而來的例如p位第二數(shù)據(jù)DATA2。在本發(fā)明的實施例中，當從時序控制器150同時輸入與例如紅色、綠色和藍色對應的第一數(shù)據(jù)DATA1時，可設置三個解碼單元240，并且這些解碼單元240可連接到采樣鎖存單元220。
采樣鎖存單元220響應由移位寄存單元210順序提供的采樣信號，可順序地存儲各自的第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2。采樣鎖存單元220可包括j個采樣鎖存器2201至220j，用來分別存儲j個第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j和j個第二數(shù)據(jù)DATA2-1至DATA2-j。采樣鎖存器2201至220j中的每個的大小可對應于第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2的總位數(shù)。例如，如圖7中所示，在本發(fā)明的實施例中，其中，第一數(shù)據(jù)DATA1具有k位，第二數(shù)據(jù)具有p位，采樣鎖存器2201至220j中的每個的大小為(k+p)位，從而采樣鎖存器2201至220j可分別存儲j個第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j和j個第二數(shù)據(jù)DATA2-1至DATA2-j中的每個，共(k+p)位。
當向保持鎖存單元230輸入源輸出使能SOE信號時，保持鎖存單元230可從采樣鎖存單元220接收第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2，以存儲第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2。當輸入SOE信號時，保持鎖存單元230可將其內(nèi)存儲的第一數(shù)據(jù)DATA1和/或第二數(shù)據(jù)DATA2提供給DAC單元250和/或電壓控制單元260。保持鎖存單元230可包括j個保持鎖存器2301至230j，以存儲j個第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j和j個第二數(shù)據(jù)DATA2-1至DATA2-j。保持鎖存器2301至230j中的每個的大小可對應于第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2的總位數(shù)。例如，如圖7中所示，保持鎖存器2301至230j中的每個的大小可為(k+p)位，使得可分別存儲k位的j個第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j中的每個和p位的j個第二數(shù)據(jù)DATA2-1至DATA2-j中的每個。
電流提供單元280可從通過掃描信號SS1至SSn之一選擇的各自的像素140吸收預定電流PC。在每個水平周期的第一時間段期間，電流提供單元280可通過各自的數(shù)據(jù)線D1至Dj中的一條接收吸收電流。
在本發(fā)明的實施例中，電流提供單元280可吸收與由各自的發(fā)光器(例如，OLED)發(fā)射最大亮度的光使用的電流的最小量對應的電流量。然后，電流提供單元280可向電壓控制單元260提供預定的補償電壓。在吸收各自的預定電流PC的同時可產(chǎn)生補償電壓。在圖6中示出的示例性實施例中，電流提供單元280包括j個電流吸收單元2801至280j。
伽瑪電壓單元300可產(chǎn)生預定的與k位第一數(shù)據(jù)DATA1對應的灰階電壓。如圖9中所示，伽瑪電壓單元300可包括多個分布電阻器或電壓劃分電阻器R1至Rl，并且可產(chǎn)生2k個灰階電壓。由伽瑪電壓單元300產(chǎn)生的灰階電壓可提供給DAC單元250。
DAC單元250可包括j個DAC2501至250j。由伽瑪電壓單元300產(chǎn)生的灰階電壓可提供給j個DAC 2501至250j中的每個?；谟筛髯缘谋３宙i存單元2301至230j提供的各自的第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j，DAC 2501至250j可選擇可由伽瑪電壓單元300提供的灰階電壓中的一個作為數(shù)據(jù)信號DS。例如，基于各自的第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j的位數(shù)，DAC 2501至250j可分別選擇可由伽瑪電壓單元300提供的灰階電壓中的一個作為數(shù)據(jù)信號DS。
電壓控制單元260可包括j個電壓控制器2601至260j。
電壓控制器2601至260j可分別接收補償電壓或第二數(shù)據(jù)DATA2和第三電源電壓VSS′信號，補償電壓例如為由各自的電流吸收單元2801至280j提供的電壓。在本發(fā)明的實施例中，可采用相同的電源或不同的電源，用于提供第二電壓VSS信號和第三電源電壓VSS′信號。第三電源電壓VSS′信號可被提供給伽瑪電壓單元300的端子?？山邮昭a償電壓和/或第二數(shù)據(jù)DATA2和第三電源電壓VSS′信號的電壓控制器2601至260j可控制所選擇的數(shù)據(jù)信號DS的電壓值，從而可補償像素140中的變化，例如補償由于包括在各自的像素140中的晶體管的電子遷移、閾值電壓等引起的變化。
第一緩沖單元270可向選擇器290提供各自的數(shù)據(jù)信號DS。如上面所討論的，通過電壓控制單元260可控制各自的數(shù)據(jù)信號的電壓。在本發(fā)明的實施例中，第一緩沖單元270可包括j個第一緩沖器2701至270j。
選擇器290可控制數(shù)據(jù)線D1至Dj和第一緩沖器2701至270j之間的電連接。在一個水平周期1H的第二時間段期間，選擇器290可使數(shù)據(jù)線D1至Dj和第一緩沖器2701至270j相互電連接。在本發(fā)明的實施例中，選擇器290僅在第二時間段期間可使數(shù)據(jù)線D1至Dj和第一緩沖器2701至270j相互電連接。在除了第二時間段之外的時間段期間，選擇器290可保持數(shù)據(jù)線D1至Dj和第一緩沖器2701至270j相互電斷開。
選擇器290可包括j個開關(guān)單元2901至290j。所產(chǎn)生的各自的數(shù)據(jù)信號DS1至DSj可通過開關(guān)單元2901至290j分別從第一緩沖器2701至270j提供給數(shù)據(jù)線D1至Dj。在本發(fā)明的實施例中，選擇單元290可采用其它類型的開關(guān)單元。圖11示出了可用于選擇器290的開關(guān)單元290j′的另一示例性實施例。
如圖8中所示，在第二示例性實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可包括與保持鎖存單元230連接的電平移位單元310。電平移位單元310可包括電平移位器3101至310j，且可升高由保持鎖存單元230提供的第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2的電壓電平，并且可向DAC單元250和電壓控制器260提供第一數(shù)據(jù)DATA1和第二數(shù)據(jù)DATA2。當由外部系統(tǒng)提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)(未示出)具有高電壓電平時，通常應當設置具有耐高壓性能的電路組件，因而，增加了制造成本。在本發(fā)明的實施例中，由外部系統(tǒng)提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)可具有低電壓電平，并且可由電平移位器310將低電壓電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妷弘娖?。在本發(fā)明的實施例中，第一數(shù)據(jù)DATA1可以對應于外部提供的數(shù)據(jù)。
圖9示出了連接圖6中示出的伽瑪電壓單元300、DAC 250j、電壓控制器260j、開關(guān)單元290j和電流吸收單元280j與像素140nj的連接方案的第一實施例。為了簡單起見，圖9僅示出了一個通道，即第j個通道，并且根據(jù)圖3中示出的像素140nm的示例性實施例，假設數(shù)據(jù)線Dj與第nj個像素140nj連接。
如圖9中所示，伽瑪電壓單元300可包括多個分布電阻器R1至Rl。分布電阻器R1至Rl可設置在參考電源電壓Vref和第三電源電壓VSS′之間。分布電阻器R1至Rl可分配或劃分提供給其的電壓。例如，分布電阻器R1至Rl可分配或劃分參考電源電壓Vref和第三電源電壓VSS′之間的電壓，并可產(chǎn)生多個灰階電壓V0至V2k-1。分布電阻器R1至Rl可將產(chǎn)生的灰階電壓V0至V2k-1提供給DAC 250j。伽瑪電壓單元300可通過第三緩沖器301向電壓控制器260j提供第三電源電壓VSS′。
DAC單元250可包括j個DAC 2501至250j。由伽瑪電壓單元300產(chǎn)生的灰階電壓可被提供給j個DAC 2501至250j中的每個?；诟髯缘牡谝粩?shù)據(jù)DATA1，DAC 2501至250j中的每個可選擇可由伽瑪電壓300提供的灰階電壓V0至V2k-1中的一個作為數(shù)據(jù)信號DS。基于第一數(shù)據(jù)DATA1-1至DATA1-j的位值，DAC 250j可選擇灰階電壓V0至V2k-1中的一個作為數(shù)據(jù)信號DS。DAC 250j可將所選擇的灰階電壓提供給第一緩沖器270j。
響應第一數(shù)據(jù)DATA1的位值，DAC 250j可選擇灰階電壓V0至V2k-1中的一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號DS，以將數(shù)據(jù)信號DS提供給第一緩沖器270j。第四十一晶體管M41j可設置在DAC 250j和第一緩沖器270j之間。第四十一晶體管M41j的第一電極可連接到DAC 250j。第四十一晶體管M41j的第二電極可連接到第一緩沖器270j。如圖9和圖10中所示，可通過提供給第四十一晶體管M41j的柵電極的第三控制信號CS3來控制第四十一晶體管M41j。如圖10中所示，在一個水平周期的第一時間段的部分期間，可導通第四十一晶體管M41j，從而通過第四十一晶體管M41j將由DAC 250j提供的數(shù)據(jù)信號DS提供給第一緩沖器270j。如圖10中所示，在第二控制信號CS2的電壓改變(例如，升高)之后，第三控制信號CS3的電壓可改變(例如，升高)，在第二控制信號CS2的電壓又改變(例如，降低)的同時，第三控制信號CS3的電壓又可改變(例如，降低)。
電流吸收單元280j可包括第十二晶體管M12j、第十三晶體管M13j、電流源Imaxj、第三電容器C3j、第三節(jié)點N3j、地電壓源GND和第二緩沖器281j?？赏ㄟ^第二控制信號CS2來控制第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j。電流源Imaxj可連接到第十三晶體管M13j的第一電極。第三電容器C3j可連接在第三節(jié)點N3j和地電壓源GND之間。第二緩沖器281j可連接在第三節(jié)點N3j和電壓控制器260j之間。
第十二晶體管M12j的柵電極可連接到第十三晶體管M13j的柵電極。第十二晶體管M12j的第二電極可連接到第十三晶體管M13j的第二電極和數(shù)據(jù)線Dj。第十二晶體管M12j的第一電極可連接到第二緩沖器281j。在每個水平周期1H的第一時間段期間，可導通第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j。在水平周期1H的第二時間段期間，可截止第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j。第二控制信號CS2可控制第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j的導通/截止狀態(tài)。
在一個水平周期1H的第一時間段期間，電流源Imaxj可從像素140nj接收可被提供給發(fā)光器(例如，OLEDnj)的至少使像素140nj發(fā)射最大亮度的光的最小量的電流。如上面所討論的，在一個水平周期1H的第一時間段期間，第二控制信號CS2可控制將被導通的第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j，從而允許預定電流PC從像素140nj流到電流吸收單元280j。當在一個水平周期的第一時間段期間第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j導通時，電流吸收單元280j的電流源Imaxj可接收與可被提供給OLEDnj的使像素140nj發(fā)射最大亮度的光的電流的最小量對應的電流量。當向發(fā)光器件提供至少一個與多個灰階電壓V0至V2k-1中的最高的一個對應的電壓時，各自的發(fā)光器件，例如，OLEDnj，可發(fā)射最大亮度的光。
當來自像素140nj的電流吸收到電流源Imaxj時，第三電容器C3j可存儲可施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓。在一個水平周期1H的第一時間段期間，第三電容器C3j可存儲施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓，即使當?shù)谑w管M12j和第十三晶體管M13j截止時，第三電容器C3j也可使第三節(jié)點N3j處的補償電壓保持穩(wěn)定。
第二緩沖器281j可將施加到第三節(jié)點N3j的補償電壓傳輸?shù)诫妷嚎刂破?60j。
電壓控制器260j可接收補償電壓、第二數(shù)據(jù)DATA2和/或第三電源電壓VSS′的電壓，以控制數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值。在示例性實施例的描述中，標號“p”將等于五，但是，“p”可以是任一正整數(shù)。
為了控制數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值，電壓控制器260j可包括p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj、第一組p個PMOS晶體管M31j、M32j、M33j、M34j和M35j、第一組p個NMOS晶體管M21j、M22j、M23j、M24j和M25j。電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj可與連接第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j的電路連接。第一組p個PMOS晶體管M31j、M32j、M33j、M34j和M35j的第一電極可連接到第三緩沖器301j，第一組p個PMOS晶體管M31j、M32j、M33j、M34j和M35j的第二電極可分別與p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極連接。p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第二電極可連接到第四十一晶體管M41j的第二電極和第一緩沖器270j。第一組p個NMOS晶體管M21j、M22j、M23j、M24j和M25j的第一電極可連接到第二緩沖器281j，第一組p個NMOS晶體管M21j、M22j、M23j、M24j和M25j的第二電極可分別與p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極連接。第一組p個NMOS晶體管M21j、M22j、M23j、M24j和M25j的柵電極可分別與第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j的柵電極連接。
p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的電容值可以以這樣一種方式彼此相關(guān)，即，p個電容器的電容可分別按20、21、22、23和24的順序增大。例如，p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的電容可根據(jù)第二數(shù)據(jù)DATA2具有各自的二進制權(quán)值。
如圖9中所示，電壓控制器260j可包括第二組例如p個NMOS晶體管M51j、M52j、M53j、M54j和M55j、第二組例如p個PMOS晶體管M61j、M62j、M63j、M64j和M65j。第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j的第一電極可連接到地電壓源GND。第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j的第一電極可連接到例如保持鎖存單元230j或電平移位器310j，并可接收第二數(shù)據(jù)DATA2。第二組p個NMOS晶體管M51j、M52j、M53j、M54j和M55j的第二電極可分別與第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j的柵電極和第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j的柵電極連接。第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j的柵電極可分別與第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j的柵電極連接。
如圖10中所示，第四控制信號CS4可控制第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j。在一個水平周期1H的第一時間段期間，第四控制信號CS4可導通第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j，在該水平周期的第二時間段期間，第四控制信號CS4可截止第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j。
在第一時間段期間，可通過第四控制信號CS4使第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j導通。當?shù)诙Mp個NMOS晶體管導通時，來自地電壓源GND的電壓可被提供給第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j的柵電極。因而，在一個水平周期1H的第一時間段期間，可導通第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j。當?shù)谝唤Mp個PMOS晶體管M31j至M35j導通時，可通過第三緩沖器301j將來自第三源電壓VSS′的電壓提供給第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj中的每個的第一電極。
在本發(fā)明的實施例中，第一組p個PMOS晶體管由PMOS晶體管形成，第二組p個NMOS晶體管由NMOS晶體管形成，然而，本發(fā)明的實施例不局限于這些器件。在本發(fā)明的實施例中，第一組p個PMOS晶體管的導電類型，例如P型或N型，可與第二組p個NMOS晶體管的導電類型相反。
第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j可將第二數(shù)據(jù)DATA2提供給第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j的柵電極和第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j的柵電極。在本發(fā)明的實施例中，第二組p個PMOS晶體管的第六十一晶體管M61j可接收第二數(shù)據(jù)DATA2中的具有最低權(quán)值的位，并將最低權(quán)值的位提供給第一組p個NMOS晶體管的第二十五晶體管M25j。根據(jù)具有最低權(quán)值的位的值，可導通或截止第二十五晶體管M25j。在本發(fā)明的實施例中，當具有最低權(quán)值的位為1時，可導通第一組p個NMOS晶體管的第二十五晶體管M25j，當具有最低權(quán)值的位為0時，可截止第一組p個NMOS晶體管的第二十五晶體管M25j。
第二組p個PMOS晶體管的第六十二晶體管M62j可接收第二數(shù)據(jù)DATA2中的具有第二最低權(quán)值的位，并將具有第二最低權(quán)值的位提供給第一組p個NMOS晶體管的第二十四晶體管M24j。第二組p個PMOS晶體管的第六十三晶體管M63j可接收第二數(shù)據(jù)DATA2中的具有第三最低權(quán)值的位，并將第三最低權(quán)值的位提供給第一組p個NMOS晶體管的第二十三晶體管M23j。第二組p個PMOS晶體管的第六十四晶體管M64j可接收第二數(shù)據(jù)DATA2中的具有第四最低權(quán)值的位，并將第四最低權(quán)值的位提供給第一組p個NMOS晶體管的第二十二晶體管M22j。第二組p個PMOS晶體管的第六十五晶體管M65j可接收第二數(shù)據(jù)DATA2中的具有最高權(quán)值的位，并將最高權(quán)值的位提供給第一組p個NMOS晶體管的第二十一晶體管M21j。第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j可由PMOS晶體管形成，并且其通過第四控制信號CS4來控制的方式為如圖10中所示，在一個水平周期1H的第一時間段期間，可截止第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j；在一個水平周期1H的第二時間段期間，可導通第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j。
當從第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j分別將例如具有值為1的第二數(shù)據(jù)DATA2的各自的位提供給各自的柵電極時，可導通第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j。當?shù)谝唤Mp個NMOS晶體管M21j至M25j導通時，對應的補償電壓可分別被提供給第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj。
當補償電壓施加到第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極中的至少一個時，施加到第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的線的數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值升高或降低。數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值基于補償電壓的值而升高或降低。因而，通過由當前被驅(qū)動的像素140nj產(chǎn)生的各自的補償電壓來控制數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值，控制數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值而使得可補償包括在像素140nj中的晶體管的特性例如電子遷移率的差異。在本發(fā)明的實施例中，至少因為可通過由各自的被驅(qū)動的像素1401j至140nj確定的各自的補償電壓來控制提供給各像素1401j至140nj的各自的數(shù)據(jù)信號DSj的電壓值，從而可補償例如電子遷移率等特性的差異，所以像素單元130可顯示亮度均勻的圖像。
第一緩沖器270j可將施加到第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的線的數(shù)據(jù)信號DSj傳輸?shù)介_關(guān)單元290j。
開關(guān)單元290j可包括第十一晶體管M11j。如圖9和圖10中所示，可通過第一控制信號CS1來控制第十一晶體管M11j。在本發(fā)明的實施例中，在用于驅(qū)動第j通道中的n個像素中的每個的各水平周期1H的第二時間段期間，可導通第十一晶體管M11j。在這樣的實施例中，在用于驅(qū)動第j通道中的n個像素中的每個的各水平周期1H的第一時間段期間，可截止第十一晶體管M11j。因而，在水平周期1H的第二時間段期間，數(shù)據(jù)信號DSj可被提供給數(shù)據(jù)線Dj，在單個水平周期1H的其它時間段例如第一時間段期間，不提供數(shù)據(jù)信號DSj。在本發(fā)明的實施例中，僅在單個的水平周期1H的第二時間段期間可提供數(shù)據(jù)信號DSj。在本發(fā)明的實施例中，從未在單個的水平周期1H的第一時間段期間可提供數(shù)據(jù)信號DSj。
圖10示出了提供給圖9中示出的開關(guān)單元、電流吸收單元、第四十一晶體管和電壓控制器260j的驅(qū)動波形。
圖1O示出了可適用于驅(qū)動圖9中示出的像素、開關(guān)單元和電流吸收單元的示例性波形。將參照圖9和圖10來詳細描述用于控制分別提供給像素140的數(shù)據(jù)信號DS的電壓的示例性方法。在圖9中示出的示例性實施例中，設置了根據(jù)圖3中示出的示例性實施例的像素140j和像素電路142nj。在下面的描述中，將采用上面在圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中采用的相同標號來描述在圖9中示出的第nj個像素140nj的示例性實施例中的相同部件。
首先，向第n-1條掃描線Sn-1提供掃描信號SSn-1。當掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，第三晶體管M3nj和第五晶體管M5nj可被導通。然后，可向第二節(jié)點N2nj施加由第一電源ELVDD的電壓減去第四晶體管M4nj的閾值電壓所獲得的電壓值，可向第一節(jié)點N1nj施加參考電源ELVref的電壓。然后，與第一電源ELVDD的電壓降和第四晶體管M4nj的閾值電壓對應的電壓可被充在第二電容器C2nj中。在下面的描述中，將假設VSS等于VSS′。
可用等式1和等式2來表示施加到第一節(jié)點N1nj的電壓和施加到第二節(jié)點N2nj的電壓。
VN1＝Vref VN2＝ELVDD-|VthM4|在等式1和等式2中，VN1、VN2和VthM4分別表示施加到第一節(jié)點N1nj的電壓、施加到第二節(jié)點N2nj的電壓和第四晶體管M4nj的閾值電壓。
從掃描信號SSn-1被提供給第(n-1)條掃描線Sn-1的時刻(例如，從低電壓信號變?yōu)楦唠妷盒盘?，到掃描信號SSn被提供給第n條掃描線Snj的時刻(例如，從高電壓信號變?yōu)榈碗妷盒盘?，第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj可浮置。因此，在那個時間期間，充在第二電容器C2nj中的電壓值可不改變。
然后，第n個掃描信號SSn可被提供給第n條掃描線Sn，從而第一晶體管M1nj和第二晶體管M2nj可被導通。當掃描信號SSn正被提供給第n條掃描線時，在正驅(qū)動第n條掃描線Sn的這個水平周期1H的第一時間段期間，第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可被導通。當?shù)谑w管M12j和第十三晶體管M13j導通時，可吸收可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj、第二晶體管M2nj、數(shù)據(jù)線Dj和第十三晶體管M13j流經(jīng)電流源Imaxj的電流。
當電流通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj和第二晶體管M2nj流經(jīng)電流源Imaxj時，可應用等式3。
Imax=12μpCoxWL(ELVDD-VN2-|VthM4|)2]]>在等式3中，μ、Cox、W和L分別表示電子遷移率、氧化層的電容、溝道的寬度和溝道的長度。
可用等式4來表示當由等式3得到的電流流經(jīng)第四晶體管M4nj時施加到第二節(jié)點N2nj的電壓。
VN2=ELVDD-2ImaxμpCoxLW-|VthM4|]]>可通過第二電容器C2nj的耦合用等式5來表示施加到第一節(jié)點N1nj的電壓。
VN1=Vref-2ImaxμpCoxLW=VN3]]>
在等式5中，電壓VN1可與施加到第一節(jié)點N1nj的電壓對應，電壓VN3可與施加到第三節(jié)點N3j的電壓對應。在本發(fā)明的實施例中，當通過電流源Imaxj吸收電流時，可向第三節(jié)點N3j施加滿足等式5的電壓。
如等式5中所見，施加到第三節(jié)點N3j的電壓可受包括在像素140nj中的晶體管的電子遷移率的影響，像素140nj將電流提供給電流源Imaxj。因此，例如，當各像素140中的電子遷移率變化時，在各像素140中，電流被提供給電流源Imaxj時施加到第三節(jié)點N3j的電壓值可變化。
在用于驅(qū)動各像素140的水平周期1H的第一時間段期間，DAC 250j可基于用于各自的像素的第一數(shù)據(jù)DATA1選擇f個灰階電壓中的第h個，其中，h和f為自然數(shù)。例如，DAC 250j可選擇f個灰階電壓中的與用于第nj個像素140nj的第一數(shù)據(jù)DATA1對應的第h個。然后，當?shù)谒氖痪w管M41j導通時，DAC 250j與電壓控制器260j一起可選擇性地將f個灰階電壓中的所選擇的第h個作為數(shù)據(jù)信號DSj施加到第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的電連接。可用等式6表示施加到第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的電連接的電壓。
VL=Vref-hf(Vref-VSS)]]>在本發(fā)明的包括第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j的實施例中，在一個水平周期的第一時間段期間，可通過第四控制信號CS4來導通第二組p個NMOS晶體管M51j至M55j，從而，地電壓源GND的電壓可被提供給第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j的各自的柵電極。然后，可導通第一組p個PMOS晶體管M31j至M35j，從而，第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極可被設置成具有第三電源電壓VSS的電壓值。在本發(fā)明的實施例中，可將第三電源電壓VSS的電壓值設置成小于參考源電壓Vref的電壓值。在本發(fā)明的實施例中，可將第三電源電壓VSS設置成由包括在像素單元130中的像素140產(chǎn)生的補償電壓的平均電壓。
在將第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極設置成具有第三電源電壓VSS的電壓值之后，第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j在一個水平周期的第二時間段期間可被導通。當?shù)诙Mp個PMOS晶體管M61j至M65j導通時，第二數(shù)據(jù)DATA2的位可被分別提供給第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j的這p個NMOS晶體管M21j至M25j。例如，當p位第二數(shù)據(jù)DATA2被設置成00011時，第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j的第二十四晶體管M24j和第二十五晶體管M25j在第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j導通時的這個水平周期的第二時間段期間被導通。然后，各自的補償電壓可被施加到第四電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj的第一電極。在具有值為00011的第二數(shù)據(jù)DATA2的示例中，因為補償電壓被施加到第一電容器Cj和第二電容器2Cj的各自的第一電極，所以可得到等式7。
C+2CC+2C+4C+8C+16C=hf]]>更具體地講，如上面所討論的，因為可通過改變第一數(shù)據(jù)DATA1的權(quán)值來產(chǎn)生第二數(shù)據(jù)DATA2，所以滿足等式7的值近似于h/f的值。
同時，如果補償電壓被施加到p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj中的至少一個，則可用等式8表示第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的電連接的電壓。
VL=Vref-hf(Vref-VSS)+Vboost,Vboost=hf(VN3-VSS)]]>=Vref-hf(Vref-VN3)]]>=Vref-hf2ImaxμpCOXLW]]>可通過第一緩沖器270j將滿足等式8的電壓提供給第十一晶體管M11j。在一個水平周期1H的第二時間段期間，因為第十一晶體管M11j可被導通，所以可通過第十一晶體管M11j、數(shù)據(jù)線Dj和第一晶體管M1nj將提供給第一緩沖器270j的電壓提供給第一節(jié)點N1nj。滿足等式8的電壓可被提供給第一節(jié)點N1nj?？捎玫仁?表示通過第二電容器C2nj的耦合施加到第二節(jié)點N2nj的電壓。
VN2=ELVDD-hf2ImaxμpCOXLW-|VthM4|]]>
這里，可用等式10表示流經(jīng)第四晶體管M4nj的電流。
IN4=12μpCOXWL(ELVDD-VN2-|VthM4|)2]]>=12μpCOXWL(ELVDD-(ELVDD-hf2ImaxμpCOXLW-|VthM4|)-VthM4)2]]>=(hf)2Imax]]>參照等式10，在本發(fā)明的實施例中，流經(jīng)第四晶體管M4nj的電流可取決于提供給各像素140的各自的數(shù)據(jù)信號DS，更具體地講，取決于由電壓控制器260j產(chǎn)生的灰階電壓。因此，在本發(fā)明的實施例中，通過提供基于由從各自的像素140nj吸收的電流產(chǎn)生的補償電壓的電流，不管各自的像素的晶體管(例如，M4nj)的閾值電壓、電子遷移率等為何，可選擇期望的電流，并將該期望的電流作為各自的數(shù)據(jù)信號DS來提供。因而，不管像素單元130的像素140之內(nèi)和之間的電子遷移率和閾值電壓的變化，本發(fā)明的實施例能夠顯示均勻的圖像。
在本發(fā)明的實施例中，如上面所討論的，可采用不同的開關(guān)單元。圖11示出了采用開關(guān)單元290j′的另一實施例的圖9中示出的連接方案。除了開關(guān)單元290j′的示例性實施例之外，圖11中示出的示例性連接方案與圖9中示出的示例性連接方案基本相同。在下面的描述中，將采用上面所用的相同標號來描述圖11中示出的示例性實施例中相同的部件。
如圖11中所示，另一示例性開關(guān)單元290j′可包括可以以傳輸門的形式相互連接的第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j?？梢允荘MOS型晶體管的第十四晶體管M14j可接收第二控制信號CS2?？梢允荖MOS型晶體管的第十一晶體管M11j可接收第一控制信號CS1。在這樣的實施例中，當?shù)谝豢刂菩盘朇S1的極性與第二控制信號CS2的極性相反時，可同時導通或截止第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j。
在本發(fā)明的實施例中，第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j可以以傳輸門的形式相互連接。在這樣的實施例中，電流-電壓特性曲線可以為直線的形式，并且可使開關(guān)誤差最小化。
圖12示出了連接圖6中示出的伽瑪電壓單元300、數(shù)模轉(zhuǎn)換單元250j、開關(guān)單元290j、電壓控制單元260j和電流吸收單元280j及圖5中示出的像素140nj′的連接方案的第二實施例的示意圖。為了簡單起見，圖12僅示出了一個通道，即第j個通道，并根據(jù)圖5中示出的像素140nm′的示例性實施例，假設數(shù)據(jù)線Dj連接到第nj個像素140nj′。
將參照圖10和圖12來詳細描述驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素140的方法。首先，當掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，滿足等式1和等式2的電壓可分別施加到第一節(jié)點N1nj′和第二節(jié)點N2nj′。
第n個掃描信號可施加到第n條掃描線Sn。在用于驅(qū)動第nj個像素140nj′的水平周期1H的第一時間段期間，當可導通第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j時，流經(jīng)第四晶體管M4j的電流可滿足等式3，施加到第二節(jié)點N2nj′的電壓可滿足等式4。在下面的描述中，將采用在上面圖9中示出的示例性實施例的描述中使用的相同標號來描述在圖12中示出的連接方案的示例性實施例中的相同部件。
可用等式11表示通過第二電容器C2nj的耦合施加到第一節(jié)點N1nj′的電壓。
VN1=Vref-(C1+C2C2)2ImaxμpCoxLW=VN3]]>同時，在用于驅(qū)動第nj個像素140nj′的水平周期的第一時間段期間，DAC250j可根據(jù)第一數(shù)據(jù)DATA1來選擇f個灰階電壓中的第h個，其中，h和f為自然數(shù)。DAC 250j還可提供滿足等式6的灰階電壓。當?shù)谒氖痪w管M41j導通時，可將所選擇的f個灰階電壓中的第h個提供給第一緩沖器270j。通過數(shù)據(jù)線Dj可將所選擇的f個灰階電壓中的第h個作為各自的數(shù)據(jù)信號DS提供給像素140nj′。
在用于驅(qū)動像素140nj′的水平周期1H的第一時間段期間，解碼器240j可將起始信號提供給第三十一晶體管M31j、第三十二晶體管M32j、第三十三晶體管M33j、第三十四晶體管M34j和第三十五晶體管M35j，從而解碼器240j可導通p個晶體管MM31j、M32j、M33j、M34j和M35j中的每個。因而，在一個水平周期1H的第一時間段期間，p個電容器Cj、2Cj、4Cj、8Cj和16Cj中的每個的端子的電壓可以是第三電源電壓VSS。
如上面所討論的，在一個水平周期的第二時間段期間，可導通第二組p個PMOS晶體管M61j至M65j。當?shù)诙Mp個PMOS晶體管M61j至M65j導通時，第一組p個NMOS晶體管的第二十一晶體管M21j、第二十二晶體管M22j、第二十三晶體管M23j、第二十四晶體管M24j和第二十五晶體管M25j可基于各自的第二數(shù)據(jù)DATA2的位值而導通或截止。第一組p個NMOS晶體管M21j至M25j可被導通和截止以獲得與等式7中的h/f值近似的值。
此時，可用等式12表示在第四十一晶體管M41j和第一緩沖器270j之間的電連接的電壓VL。
VL=Vref-hf(Vref-VSS)+Vboost,Vboost=hf(VN3-VSS)]]>=Vref-hf(Vref-VN3)]]>=Vref-hf(C1+C2C2)2ImaxμpCOXLW]]>可通過第一緩沖器270j向第十一晶體管M11j提供滿足等式12的電壓。在用于驅(qū)動像素140nj′的水平周期1H的第二時間段期間，因為可導通第十一晶體管M11j，所以提供給第一緩沖器270j的電壓可通過第十一晶體管M11j、數(shù)據(jù)線Dj和第一晶體管M1j被提供給第一節(jié)點N1nj′。在本發(fā)明的實施例中，可向第一節(jié)點N1nj′提供滿足等式12的電壓。
可用等式9表示通過第二電容器C2nj的耦合施加到第二節(jié)點N2nj′的電壓。因此，可用等式10表示流經(jīng)第四晶體管M4nj的電流。在本發(fā)明的實施例中，不管第四晶體管M4nj的閾值電壓和電子遷移率為何，與通過DAC 250j選擇的灰階電壓對應的電流可流到第四晶體管M4nj。如上面所討論的，本發(fā)明的實施例能夠顯示亮度均勻的圖像。
在本發(fā)明的一些實施例中，例如，在采用圖12中示出的像素140nj′的實施例中，雖然第一節(jié)點N1nj′的電壓可快速改變，即以(C1+C2)/C2來改變，但第二節(jié)點N2nj′的電壓可逐漸地改變。當采用圖12中示出的像素140nj′時，為伽瑪電壓單元300設置的電壓范圍大于當采用圖9中示出的像素140nj時為伽瑪電壓單元300設置的電壓范圍。如上面所討論的，當伽瑪電壓單元300的電壓范圍設置得較大時，能夠減少第十一晶體管M11j和第一晶體管M1nj的開關(guān)誤差的影響。
因此，與圖3中示出的像素140nj的結(jié)構(gòu)相比，圖5中示出的像素140nj′的結(jié)構(gòu)可擴大伽瑪電壓單元300的可利用的電壓范圍。照這樣，通過擴大伽瑪電壓單元300的可利用的電壓范圍，能夠減少第十一晶體管M11j、第一晶體管M1nj等的開關(guān)誤差的影響。
如上所述，在采用本發(fā)明的一個或多個方面的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、數(shù)據(jù)驅(qū)動方法和發(fā)光顯示器中，因為利用從各自的像素吸收電流時產(chǎn)生的補償電壓來重置數(shù)據(jù)信號的電壓，所以不管晶體管的電子遷移率、閾值電壓等為何而可顯示均勻的圖像。
在這里已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實施例，雖然采用了特定的術(shù)語，但是并非出于限制的目的，而是在一般描述的意義上來使用和解釋這些術(shù)語。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員要明白，在不脫離如權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神的范圍的情況下，可在形式和細節(jié)上進行各種改變。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，包括解碼器，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)來產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存器，用于存儲所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)；伽瑪電壓單元，用于產(chǎn)生多個灰階電壓；數(shù)模轉(zhuǎn)換器，基于所述第一數(shù)據(jù)在所述多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流吸收單元，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所述選擇的灰階電壓接收來自所述像素的預定電流；電壓控制器，根據(jù)基于所述預定電流產(chǎn)生的補償電壓和所述第二數(shù)據(jù)來控制所述數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在所述一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素，所述第二部分時間段不同于所述第一部分時間段，并且所述第二部分時間段在所述第一部分時間段之后消逝。
2.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述解碼器將所述第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為二進制權(quán)值，以產(chǎn)生所述第二數(shù)據(jù)。
3.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括第一晶體管，位于所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器和所述開關(guān)單元之間，在所述第一部分時間段的預定時間期間所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器被導通，以將所述數(shù)據(jù)信號與所控制的電壓值傳輸給所述開關(guān)單元；第一緩沖器，連接在所述第一晶體管和所述開關(guān)單元之間。
4.如權(quán)利要求3中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述伽瑪電壓單元包括多個分布電阻器，產(chǎn)生所述灰階電壓并分配參考電源電壓和第一電源電壓；第二緩沖器，將所述第一電源電壓提供給所述電壓控制器。
5.如權(quán)利要求4中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電壓控制器包括p個電容器，具有與所述第一晶體管和所述第一緩沖器之間的電路連接的第一端；第二晶體管，分別連接在所述p個電容器中的每個的第二端和所述第二緩沖器之間；第三晶體管，分別連接在所述p個電容器的所述第二端和所述電流吸收單元之間，并具有與所述第二晶體管的導電類型不同的導電類型；第四晶體管，連接在所述第二晶體管和預定的電壓源之間，并具有與所述第二晶體管的導電類型相同的導電類型；第五晶體管，具有與所述第三晶體管的導電類型相同的導電類型，所述第五晶體管將所述第二數(shù)據(jù)提供給所述第二晶體管。
6.如權(quán)利要求5中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述第四晶體管在所述第一時間段期間導通，從而，導通所述第二晶體管以將所述預定電壓源的電壓提供給所述第二晶體管的柵電極。
7.如權(quán)利要求6中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述預定電壓源是地電壓源。
8.如權(quán)利要求5中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述第三晶體管在所述第一部分時間段期間選擇性地導通，從而所述電容器的所述第二端被設置成具有所述預定電壓源的電壓。
9.如權(quán)利要求5中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述第五晶體管由p個晶體管組成，對應于所述第二數(shù)據(jù)的位數(shù)，其中，所述第五晶體管分別將所述p位第二數(shù)據(jù)的不同位提供給所述第二晶體管。
10.如權(quán)利要求5中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述第三晶體管中的接收值為1的位的每個被導通，以將各自的補償電壓提供給所述各自的p個電容器的所述第二端。
11.如權(quán)利要求5中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述p個電容器的電容被設置成二進制權(quán)值。
12.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電流吸收單元包括電流源，提供所述預定的電流；第一晶體管，設置在與所述像素連接的數(shù)據(jù)線和所述電壓控制器之間，所述第一晶體管在所述第一部分時間段期間被導通；第二晶體管，設置在所述數(shù)據(jù)線和所述電流源之間，所述第二晶體管在所述第一部分時間段內(nèi)被導通；電容器，用于充所述補償電壓；緩沖器，設置在所述第一晶體管和所述電壓控制器之間，以選擇性地將所述補償電壓傳輸?shù)剿鲭妷嚎刂破鳌?br> 13.如權(quán)利要求12中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述預定的電流等于所述像素發(fā)射最大亮度的光時流經(jīng)所述像素的最小電流的電流值，最大亮度對應于所述多個重置的灰階電壓中的最高的一個施加到所述像素時所述像素的亮度。
14.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括至少一個在所述第二部分時間段期間導通的晶體管。
15.如權(quán)利要求14中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括至少兩個相連接以形成傳輸門的晶體管。
16.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括移位寄存單元，所述移位寄存單元包括至少一個移位寄存器，以順序地產(chǎn)生采樣脈沖并將所述采樣脈沖提供給所述鎖存單元。
17.如權(quán)利要求1中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述鎖存單元包括采樣鎖存單元，包括至少一個采樣鎖存器，用于響應所述采樣脈沖來接收所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)；保持鎖存單元，包括至少一個保持鎖存器，用于接收存儲在所述采樣鎖存單元內(nèi)的所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，以將其內(nèi)存儲的所述第一數(shù)據(jù)提供給所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器，并將所述第二數(shù)據(jù)提供給所述電壓控制器。
18.如權(quán)利要求17中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述采樣鎖存器和所述保持鎖存器中的每個具有k+p位的大小。
19.如權(quán)利要求17中所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括電平移位單元，用來升高存儲在所述保持鎖存器內(nèi)的所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)的電壓電平，以分別將所述存儲的第一數(shù)據(jù)的所述調(diào)整后的電壓電平提供給所述數(shù)模轉(zhuǎn)換器并將所述存儲的第二數(shù)據(jù)的所述調(diào)整后的電壓電平提供給所述電壓控制器。
20.一種發(fā)光顯示器，包括像素單元，包括與n條掃描線、多條數(shù)據(jù)線和多條發(fā)射控制線連接的多個像素；掃描驅(qū)動器，在各掃描周期期間分別順序地將n個掃描信號提供給所述n條掃描線，并順序地將發(fā)射控制信號提供給所述多條發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動器，具有至少一個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，用于分別將數(shù)據(jù)信號提供給所述數(shù)據(jù)線，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括解碼器，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)來產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存器，用于存儲所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)；伽瑪電壓單元，用于產(chǎn)生多個灰階電壓；數(shù)模轉(zhuǎn)換器，基于所述第一數(shù)據(jù)在所述多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流吸收單元，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所述選擇的灰階電壓接收來自所述像素的預定電流；電壓控制器，根據(jù)基于所述預定電流產(chǎn)生的補償電壓和所述第二數(shù)據(jù)來控制所述數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在所述一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素，所述第二部分時間段不同于所述第一部分時間段，并且所述第二部分時間段在所述第一部分時間段之后消逝。
21.如權(quán)利要求20中所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個與所述n條掃描線中的兩條連接，在每個所述掃描周期期間，在所述兩條掃描線中的第二掃描線接收所述n個掃描信號中的對應的一個信號之前，所述兩條掃描線中的第一掃描線接收所述n個掃描信號中的對應的一個，所述像素中的每個包括第一電源；發(fā)光器，接收來自所述第一電源的電流；第一晶體管和第二晶體管，均具有連接到所述數(shù)據(jù)線的與所述像素相關(guān)聯(lián)的各自的一條數(shù)據(jù)線的第一電極，當提供所述兩個掃描信號中的所述第一掃描信號時，所述第一晶體管和所述第二晶體管被導通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與所述第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當提供所述兩個掃描信號中的所述第一掃描信號時，所述第三晶體管被導通；第四晶體管，控制施加到所述發(fā)光器的電流量，所述第四晶體管的第一端與所述第一電源連接；第五晶體管，具有與所述第四晶體管的柵電極連接的第一電極、與所述第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當提供所述兩個掃描信號中的所述第一掃描信號時，所述第五晶體管被導通，從而所述第四晶體管作為二極管來操作。
22.如權(quán)利要求21中所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個包括第一電容器，具有與所述第一晶體管的第二電極或所述第四晶體管的柵電極中的一個連接的第一電極、與所述第一電源連接的第二電極；第二電容器，具有與所述第一晶體管的所述第二電極連接的第一電極和與所述第四晶體管的所述柵電極連接的第二電極。
23.如權(quán)利要求21中所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個還包括第六晶體管，所述第六晶體管具有與所述第四晶體管的所述第二電極連接的第一端和與所述發(fā)光器連接的第二端，當提供所述各自的發(fā)射控制信號時，所述第六晶體管被截止，其中，在一個完整的用于驅(qū)動所述像素的時間段的第一部分時間段期間，所述電流吸收單元接收來自所述像素的所述預定電流，所述用于驅(qū)動所述像素的完整的周期的第一部分時間段發(fā)生在其第二部分時間段之前，在用于驅(qū)動所述像素的所述完整的周期的所述第二部分時間段期間，所述第六晶體管被導通。
24.一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，包括轉(zhuǎn)換工具，利用外部提供的具有k位的第一數(shù)據(jù)產(chǎn)生具有p位的第二數(shù)據(jù)；鎖存工具，用于存儲所述第一數(shù)據(jù)和所述第二數(shù)據(jù)，所述鎖存工具具有k+p位的大??；選擇工具，基于所述第一數(shù)據(jù)在所述多個灰階電壓中選擇一個灰階電壓作為數(shù)據(jù)信號；電流接收工具，在完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段期間，基于所選擇的灰階電壓接收來自所述像素的預定電流；控制工具，根據(jù)基于所述預定電流產(chǎn)生的補償電壓和所述第二數(shù)據(jù)來控制所述數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)工具，在所述一個完整的周期的第二部分時間段期間，將所控制的數(shù)據(jù)信號提供給所述像素，所述第二部分時間段不同于所述第一部分時間段，并且所述第二部分時間段在所述第一部分時間段之后消逝。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動顯示器的像素以顯示亮度均勻的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括伽瑪電壓單元，產(chǎn)生灰階電壓；數(shù)模轉(zhuǎn)換器，利用第一數(shù)據(jù)選擇灰階電壓中的一個作為數(shù)據(jù)信號；解碼器，利用第一數(shù)據(jù)產(chǎn)生第二數(shù)據(jù)；鎖存器，存儲第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)；電流吸收器，在完整的用于驅(qū)動像素的時間段的第一部分時間段期間，基于所選擇的灰階電壓接收來自像素的預定電流；電壓控制器，利用第二數(shù)據(jù)和基于預定電流產(chǎn)生的補償電壓來控制數(shù)據(jù)信號的電壓值；開關(guān)單元，在完整的周期的在第一部分時間段之后消逝的任何部分時間段期間，將數(shù)據(jù)信號提供給像素。
文檔編號G09G3/20GK1909047SQ200610107899
公開日2007年2月7日 申請日期2006年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月1日
發(fā)明者鄭寶容, 柳道亨, 權(quán)五敬 申請人:三星Sdi株式會社, 漢陽大學校產(chǎn)業(yè)協(xié)力團