專利名稱：等離子體顯示器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示器裝置，涉及防止從面板向面板驅(qū)動部流入的反向電流，減少數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的發(fā)熱，從而提高驅(qū)動可靠性的等離子體顯示器裝置。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器裝置是利用He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Ne等惰性混合氣體放電時產(chǎn)生的紫外線使熒光體激勵發(fā)光來顯示圖像。這樣的等離子體顯示器裝置不僅容易薄膜化和大型化，而且由于最近的技術(shù)開發(fā)，畫質(zhì)也提高了。
圖1是圖示在等離子體顯示器裝置中表現(xiàn)灰度等級的方法的圖，等離子體顯示器裝置為了實現(xiàn)圖像的灰度等級，把1幀分成發(fā)光次數(shù)不同的多個子幀進行分時驅(qū)動。
各子幀分成用于使全畫面進行初始化的復(fù)位期間；用于選擇掃描線，用被選擇了的掃描線來選擇放電單元的地址期間；以及通過放電次數(shù)來實現(xiàn)灰度等級的維持期間。
例如，在打算以256灰度等級來顯示圖像的場合，如圖1所示，作為1/60秒的幀期間(16.67ms)要分成8個子幀(SF1至SF8)。
8個子幀(SF1至SF8)各自如上所述，要分成復(fù)位期間、地址期間和維持期間。
各子幀的復(fù)位期間和地址期間對于各子幀的每一個都相同，而維持期間及其被分配的維持脈沖的數(shù)對于各子幀則按2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比例增加。
這樣，等離子體顯示器裝置就使各子幀的亮度積累起來表示希望的灰度等級。
圖2概略地表示現(xiàn)有3電極交流面放電型等離子體顯示器裝置的電極配置。
參照圖2，現(xiàn)有3電極交流面放電型等離子體顯示器裝置具有在上部基板上形成的掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)；以及與掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)正交地在下部基板上形成的地址電極(X1至Xm)。
放電單元1以矩陣方式配置在掃描電極(Y1至Yn)、維持電極(Z)和地址電極(X1至Xm)的交叉部。
在形成了掃描電極(Y1至Yn)和維持電極(Z)的上部基板上層積了未圖示的電介質(zhì)層和MgO保護層。
在形成了地址電極(X1至Xm)的下部基板上，在鄰接的放電單元1間形成了防止光學(xué)、電干擾的間壁。
在下部基板和間壁的表面上形成了由紫外線激勵而放出可見光的熒光體。
在這樣的等離子體顯示器裝置的上部基板和下部基板之間的放電空間中注入了He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Ne等惰性混合氣體。
圖3表示圖2所示的等離子體顯示器裝置被施加的驅(qū)動波形。
參照圖3，各個子幀(SFn-1，SFn)包含用于對全畫面的放電單元1進行初始化的復(fù)位期間(RP)；用于選擇放電單元的地址期間(AP)；用于維持被選擇了的放電單元1的放電的維持期間(SP)；以及用于消去放電單元1內(nèi)的壁電荷的消去期間(EP)。
在第n-1個子幀(SFn-1)的消去期間(EP)向維持電極(Z)施加消去燈波形(ERR)。在該消去期間(EP)間向掃描電極(Y)和地址電極(X)施加0V。消去燈波形(ERR)是電壓從0V逐漸上升到正極性的維持電壓(Vs)的正的燈波形。根據(jù)該消去燈波形(ERR)，在產(chǎn)生了維持放電的接通單元(On-cells)內(nèi)，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生消去放電。
在第n個子幀(SFn)開始的復(fù)位期間(RP)的置位上升(セツトァツプ)期間(SU)，向所有掃描電極(Y)施加正的燈波形(PR)，向維持電極(Z)和地址電極(X)施加0[V]。
根據(jù)置位上升期間(UP)的正的燈波形(PR)，掃描電極(Y)上的電壓從正極性的維持電壓(Vs)逐漸上升到比其高的復(fù)位電壓(Vr)。
根據(jù)該正的燈波形(PR)，在全畫面的放電單元內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間產(chǎn)生幾乎不產(chǎn)生光的暗放電(Dark discharge)，并且在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間也產(chǎn)生暗放電。
由于這樣的暗放電的結(jié)果，緊接置位上升期間(SU)之后在地址電極(X)和維持電極(Z)上正極性的壁電荷就會殘留，在掃描電極(Y)上負(fù)極性的壁電荷就會殘留。
在置位上升期間(SU)，在暗放電產(chǎn)生的過程中，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓(Gap voltage，Vg)和在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓被初始化為與能引起放電的放電開始電壓(Firing Voltage，Vf)接近的電壓。
接著置位上升期間(SU)，在復(fù)位期間(RP)的置位下降(セツトダウン)期間(SD)，向掃描電極(Y)施加負(fù)的燈波形(NR)。
與此同時，向維持電極(Z)施加正極性的維持電壓(Vs)，向地址電極(X)施加0[V]。
根據(jù)負(fù)的燈波形(NR)，掃描電極(Y)上的電壓從正極性的維持電壓(Vs)逐漸降低到負(fù)極性的消去電壓(Ve)。
根據(jù)該負(fù)的燈波形(NR)，在全畫面的放電單元內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間暗放電產(chǎn)生的話，幾乎同時，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間也會產(chǎn)生暗放電。
由于該置位下降期間(SD)的暗放電的結(jié)果，各放電單元1內(nèi)的壁電荷分布就會成為可尋址的條件。
這時，在各放電單元1內(nèi)，在掃描電極(Y)和地址電極(X)上消去對地址放電無用的過度壁電荷，會殘留一定量的壁電荷。并且，隨著維持電極(Z)上的壁電荷由從掃描電極(Y)移動的負(fù)極性壁電荷堆積起來，其極性就從正極性反轉(zhuǎn)到負(fù)極性。在復(fù)位期間(RP)的置位下降期間(SD)，在暗放電產(chǎn)生的過程中，在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓和在掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓就會接近放電開始電壓(Vf)。
在地址期間(AP)，依次向掃描電極(Y)施加負(fù)極性的掃描脈沖(-SCNP)，并且與該掃描脈沖(-SCNP)同步而向地址電極(X)施加正極性的數(shù)據(jù)脈沖(DP)。掃描脈沖(-SCNP)的電壓是0V或從與其接近的負(fù)極性掃描偏置電壓(Vyb)降低到負(fù)極性的掃描電壓(-Vy)的掃描電壓(Vsc)。數(shù)據(jù)脈沖(DP)的電壓是正極性數(shù)據(jù)電壓(Va)。
在該地址期間(AP)，向維持電極(Z)提供比正極性維持電壓(Vs)低的正極性Z偏置電壓(Vzb)。在緊接復(fù)位期間(RP)之后，在與放電點火電壓(Vf)接近的狀態(tài)下調(diào)整了間隙電壓的狀態(tài)下，在被施加掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)的接通單元(On-cells)內(nèi)，隨著掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的間隙電壓超過放電點火電壓(Vf)，在該電極(Y，X)間就會產(chǎn)生1次地址放電。
此處，掃描電極(Y)和地址電極(X)的1次地址放電在離掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙遠的邊緣附近產(chǎn)生。掃描電極(Y)和地址電極(X)之間的1次地址放電使放電單元內(nèi)的啟動荷電粒子產(chǎn)生，誘導(dǎo)掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的2次放電。
另一方面，不產(chǎn)生地址放電的關(guān)斷單元(Off-cells)內(nèi)的壁電荷分布實質(zhì)上與緊接置位下降之后的壁電荷分布相同。
在維持期間(SP)，向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交替施加正極性維持電壓(Vs)的維持脈沖(SUSP)。于是，通過地址放電而被選擇了的接通單元按每個維持脈沖(SUSP)在掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間產(chǎn)生維持放電。
與此相反，關(guān)斷單元在維持期間不產(chǎn)生放電。這是因為，關(guān)斷單元的壁電荷分布實質(zhì)上與緊接置位下降之后的壁電荷分布相同，因而在向掃描電極(Y)施加最初的正極性維持電壓(Vs)時，掃描電極(Y)和維持電極(Z)之間的間隙電壓不會超過放電點火電壓(Vf)。
然而，在現(xiàn)有等離子體顯示器裝置中，用于向地址電極提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(Data Driving Integrated Circuit)的發(fā)熱量大，常出現(xiàn)故障(Fail)，這是存在問題。這樣的現(xiàn)狀是，從地址電極(X)向數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路流入的高電流作為最大的原因而起作用。結(jié)合圖4對其詳細(xì)進行說明。
圖4是等價地表示現(xiàn)有數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路和與其連接的等離子體顯示器面板的電路圖。
參照圖4，數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路40具有與數(shù)據(jù)電壓源(Va)連接的第1開關(guān)元件(S1)和與基底電壓源(GND)連接的第2開關(guān)元件(S2)。還有，數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路40包括通過RC串聯(lián)電路使地址電極(X)充電，從地址電極(X)回收對放電不做貢獻的無效電功率的能量回收電路(Energy Recovery Circuit，未圖示)。這樣的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路40一般與以在膜芯片(Chip On Film，COF)方式在等離子體顯示器裝置上形成的多個地址電極(X)連接。
在圖4中，附圖標(biāo)號“Rp”是在數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路和面板電容(Cp)之間形成的地址電極(X)的寄生電阻，面板電容(Cp)是地址電極(X)和掃描電極(Y)之間的寄生電容及地址電極(X)和維持電極(Z)之間的寄生電容。
第1開關(guān)元件(S1)在地址期間數(shù)據(jù)為高(high)邏輯值時，在定時控制器的控制下接通，向地址電極(X)提供大致80V及以上的數(shù)據(jù)電壓(Va)，而在數(shù)據(jù)為低(low)邏輯值時，在定時控制器的控制下關(guān)斷。并且，第1開關(guān)元件(S1)在地址期間的以外的期間維持關(guān)斷狀態(tài)。
第2開關(guān)元件(S2)在地址期間數(shù)據(jù)為低邏輯值時，在定時控制器的控制下接通，向地址電極(X)提供基底電壓(GND)，而在數(shù)據(jù)為高邏輯值時，在定時控制器的控制下關(guān)斷。并且，第2開關(guān)元件(S2)在地址期間的以外的期間維持接通狀態(tài)。
這樣的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路40由于從面板電容(Cp)經(jīng)由寄生電阻(Rp)流入的反向電流而發(fā)熱，甚至由于反向電流，引起半導(dǎo)體開關(guān)元件所實現(xiàn)的開關(guān)元件的絕緣擊穿等，從而造成損傷，這是存在的問題。這樣的反向電流在數(shù)據(jù)量大時或數(shù)據(jù)電壓(Va)高時就會更大，并且隨面板的電介質(zhì)的特性而不同。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種防止從面板向面板驅(qū)動部流入的反向電流，減少數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的發(fā)熱，從而提高驅(qū)動可靠性的等離子體顯示器裝置。
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的，其特征在于，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部和聯(lián)結(jié)在上述地址電極和上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，電阻值與上述地址電極不同的聯(lián)結(jié)部而構(gòu)成。
此處，上述聯(lián)結(jié)部構(gòu)成為，具有比上述地址電極的電阻值大的電阻值。
還有，上述聯(lián)結(jié)部構(gòu)成為，至少包含1個及以上的電阻元件。
還有，上述電阻元件構(gòu)成為，與上述多個地址電極分別聯(lián)結(jié)。
此處，上述聯(lián)結(jié)部可以構(gòu)成為，具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
特別是，上述聯(lián)結(jié)部可以構(gòu)成為，具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。
還有，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部和聯(lián)結(jié)在上述地址電極和上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，防止從面板電容向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部流入電流的反向電流防止部而構(gòu)成，上述反向電流防止部在安裝驅(qū)動集成電路的柔性電路基板上形成。
還有，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部和聯(lián)結(jié)在上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部和上述地址電極之間的多個鏈接部而構(gòu)成，上述鏈接部具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置具有減少上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部的集成電路的發(fā)熱量，防止誤動作和破損，使驅(qū)動可靠性提高的效果。


圖1是表示在等離子體顯示器裝置中表現(xiàn)灰度等級的方法的圖。
圖2是表示現(xiàn)有3電極交流面放電型等離子體顯示器裝置的電極配置的圖。
圖3是表示一般的等離子體顯示器裝置的驅(qū)動波形的圖。
圖4是等價地表示現(xiàn)有數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路和與其連接的等離子體顯示器面板的電路圖。
圖5是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的整體構(gòu)成的框圖。
圖6是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第1實施方式的圖。
圖7是表示采用了本發(fā)明的第2實施方式的COF的構(gòu)造的圖。
圖8是表示采用了本發(fā)明的第2實施方式的TCP的構(gòu)造的圖。
圖9是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第3實施方式的圖。
圖10是表示本發(fā)明的第3實施方式的鏈接部被變形了的方式的圖。
具體實方式以下，參照附圖來說明本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的實施方式。
此處，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的實施方式有多種，因而不受本說明書記載的實施方式限定。
圖5是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的整體構(gòu)成的框圖。對于圖5的等離子體顯示裝置，結(jié)合圖3的波形圖進行說明。
參照圖5，本發(fā)明的實施方式所涉及的等離子體顯示裝置具有面板100；用于向面板100的地址電極(X1至Xm)提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部102；用于驅(qū)動面板100的掃描電極(Y1至Yn)的掃描驅(qū)動部103；用于驅(qū)動面板100的維持電極(Z)的維持驅(qū)動部104；用于控制上述各驅(qū)動部102、103、104的定時控制器101；以及用于產(chǎn)生上述各驅(qū)動部102、103、104所需要的驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓產(chǎn)生部105。
向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部102提供由未圖示的反伽馬校正電路、誤差擴散電路等進行反伽馬校正和誤差擴散之后，由子幀映射電路映射為預(yù)先設(shè)定的子幀圖形的數(shù)據(jù)。
上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部102包含圖6那樣的多個數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60，如圖3所示，在復(fù)位期間(RP)和維持期間(SP)向上述地址電極(X1至Xm)施加0V或基底電壓。
還有，上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部102在上述定時控制器201的控制下對各子幀的地址期間(AP)數(shù)據(jù)進行取樣、鎖存后，向上述地址電極(X1至Xm)提供數(shù)據(jù)電壓(Va)。
上述掃描驅(qū)動部103在定時控制器101的控制下，如圖3所示，為了在復(fù)位期間(RP)對全放電單元進行初始化而向掃描電極(Y1至Yn)提供燈波形(PR，NR)之后，為了選擇被提供地址期間(AP)數(shù)據(jù)的掃描線而依次向掃描電極(Y1至Yn)提供掃描脈沖(SCNP)。
并且，上述掃描驅(qū)動部103為了使得在維持期間(SP)被選擇了的接通單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電而向掃描電極(Y1至Yn)提供維持脈沖(SUSP)。
上述維持驅(qū)動部104在上述定時控制器101的控制下，在復(fù)位期間(RP)的置位下降期間(SD)，如圖3所示，向維持電極(Z)提供維持電壓(Vs)之后，在地址期間(AP)向維持電極(Z)提供比維持電壓(Vs)低的Z偏置電壓(Vzb)。并且，上述維持驅(qū)動部104在維持期間(SP)與上述掃描驅(qū)動部103交替動作，向維持電極(Z)提供維持脈沖(SUSP)。
上述定時控制器101輸入接受垂直/水平同步信號和時鐘信號，產(chǎn)生各驅(qū)動部102、103、104所需要的定時控制信號(CTRX，CTRY，CTRZ)，向上述該驅(qū)動部102、103、104提供該定時控制信號(CTRX，CTRY，CTRZ)，從而控制上述各驅(qū)動部102、103、104。
提供給上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部102的定時控制信號(CTRX)中包含用于對數(shù)據(jù)進行取樣的取樣時鐘、鎖存控制信號、用于控制能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。
施加于上述掃描驅(qū)動部103的定時控制信號(CTRY)中包含用于控制上述掃描驅(qū)動部103內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。
并且，施加于上述維持驅(qū)動部104的定時控制信號(CTRZ)中包含用于控制上述維持驅(qū)動部104內(nèi)的能量回收電路和驅(qū)動開關(guān)元件的接通/關(guān)斷時間的開關(guān)控制信號。
上述驅(qū)動電壓產(chǎn)生部105產(chǎn)生向面板100提供的驅(qū)動電壓，即圖3圖示了的Vr、Vs、-Ve、-Vy、Va、Vyb、Vzb等電壓。這樣的驅(qū)動電壓可以根據(jù)隨面板100的分辯率、模式等改變的放電特性、放電氣體組成而改變。
圖6是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第1實施方式的圖。參照圖6，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示裝置具有在數(shù)據(jù)驅(qū)動部和地址電極之間形成的聯(lián)結(jié)部(Rx)。
上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部包含數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60而構(gòu)成。上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部和驅(qū)動集成電路60生成根據(jù)定時控制器的控制信號向地址電極施加的地址波形。
上述聯(lián)結(jié)部具有與上述地址電極的電阻值不同的電阻值。特別優(yōu)選的是，具有比上述地址電極的電阻值大的電阻值。
上述聯(lián)結(jié)部可以至少包含一個及以上的電阻元件而構(gòu)成。上述聯(lián)結(jié)部由電阻元件構(gòu)成，能防止從面板流入的反向電流。上述聯(lián)結(jié)部可以由一個電阻元件構(gòu)成，也可以構(gòu)成為通過多個電阻元件的結(jié)合而具有特定電阻值。
上述電阻元件要與上述多個地址電極分別聯(lián)結(jié)。即，聯(lián)結(jié)在各地址電極和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60之間，以防止/減少從上述各地址電極向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流入的電流。
此處，上述聯(lián)結(jié)部(Rx)為了能阻斷過度的反向電流，由具有100Ω至10kΩ間的電阻值的電阻元件構(gòu)成。
在上述電阻值為100Ω以下的場合，電阻值小，不能防止從面板流入的電流，在為10kΩ以上的場合，從上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流向地址電極的電流減少，為了向地址電極施加合理電流，要求更高的電壓，電功率消耗就會變大。
特別是，上述聯(lián)結(jié)部(Rx)，考慮到數(shù)據(jù)電壓的電壓降和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的耐電流特性時，優(yōu)選的是具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。在上述范圍內(nèi)的電阻值的場合，能有效地防止從面板向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流入的反向電流，而且也能維持由上述聯(lián)結(jié)部(Rx)浪費的消耗電功率不大于現(xiàn)有的。
上述面板電容(Cp)是上述地址電極和掃描電極之間的寄生電容和上述地址電極和維持電極之間的寄生電容。即，是面板具有的全部電容值。
參照圖7和圖8，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第2實施方式，其特征在于，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部和聯(lián)結(jié)在上述地址電極和上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，防止從面板電容向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部流入電流的反向電流防止部而構(gòu)成，上述反向電流防止部(Rx)在安裝驅(qū)動集成電路的柔性電路基板上形成。
上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部包含數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60而構(gòu)成。上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部和驅(qū)動集成電路60生成根據(jù)定時控制器的控制信號向地址電極施加的地址波形。
上述反向電流防止部(Rx)的構(gòu)成和作用與上述第1實施方式中說明了的聯(lián)結(jié)部實質(zhì)上相同。但其特征在于，上述反向電流防止部在柔性電路基板(FPCB；Flexible Printed Circuits Board)上形成。
本發(fā)明所涉及的第2實施方式以COF(Chip On Film)或TCP(TapeCarrier Package)方式來實現(xiàn)。
圖7是表示采用了本發(fā)明的第2實施方式的COF的構(gòu)造的圖。參照圖7進行說明，上述COF50一般是在柔性電路基板(FPCB)上安裝多個接收元件(電阻，電容等)52和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60而構(gòu)成。
上述柔性電路基板(FPCB)由合成樹脂成分的薄膜、在上述薄膜的一端形成而與地址電極結(jié)合的電極連接焊盤51、在上述薄膜的另一端形成而與地址驅(qū)動電路結(jié)合的板連接部53、在上述薄膜上形成的銅布線54構(gòu)成。
上述反向電流防止部(Rx)如圖7的擴大了的部分所示，在上述銅布線54的一端形成。
優(yōu)選的是，上述反向電流防止部(Rx)具有比上述地址電極的電阻值大的電阻值。
上述反向電流防止部(Rx)可以至少包含一個及以上的電阻元件而構(gòu)成。上述反向電流防止部(Rx)由電阻元件構(gòu)成，能防止從面板流入的反向電流。上述反向電流防止部(Rx)可以由一個電阻元件構(gòu)成，也可以構(gòu)成為通過多個電阻元件的結(jié)合而具有特定電阻值。
上述電阻元件要與上述多個地址電極分別聯(lián)結(jié)。即，聯(lián)結(jié)在各地址電極和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60之間，以防止/減少從上述各地址電極向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流入的電流。
此處，上述聯(lián)結(jié)部(Rx)為了能阻斷過度的反向電流，由具有100Ω至10kΩ間的電阻值的電阻元件構(gòu)成。
在上述電阻值為100Ω以下的場合，電阻值小，不能防止從面板流入的電流，在為10kΩ以上的場合，從上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流向地址電極的電流減少，為了向地址電極施加合理電流，要求更高的電壓，電功率消耗就會變大。
特別是，上述反向電流防止部(Rx)，考慮到數(shù)據(jù)電壓的電壓降和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的耐電流特性時，優(yōu)選的是具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。在上述范圍內(nèi)的電阻值的場合，能有效地防止從面板向上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60流入的反向電流，而且也能維持由上述反向電流防止部(Rx)浪費的消耗電功率不大于現(xiàn)有的。
圖8是表示采用了本發(fā)明的第2實施方式的TCP的構(gòu)造的圖。參照圖8進行說明，上述TCP70也是包含在柔性電路基板上安裝了的數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60而構(gòu)成。
上述柔性電路基板包含合成樹脂成分的基礎(chǔ)薄膜71、在上述基礎(chǔ)薄膜71的上部形成而成為在地址電極或地址驅(qū)動電路中信號的移動路徑的銅布線72而構(gòu)成。
還有，上述TCP70包含防止上述銅布線72的擦傷的阻焊劑(ソルダレジスト)73、固定/聯(lián)結(jié)上述銅布線72和數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60的管腳部分的突起74、覆蓋上述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路60和突起74部分的密封樹脂(Sealing Resin)而構(gòu)成。
上述反向電流防止部(Rx)在上述銅布線72的一端形成，如圖8所示。
同樣，上述反向電流防止部(Rx)的構(gòu)成和作用與上述提到的第1實施方式的聯(lián)結(jié)部或在上述COF上形成的反向電流防止部(Rx)的構(gòu)成和作用實質(zhì)上相同。
圖9是表示本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第3實施方式的圖。參照圖9，本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置的第3實施方式，其特征在于，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部80和聯(lián)結(jié)在上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部80和上述地址電極(X)之間的多個鏈接部(Rx)而構(gòu)成，上述鏈接部(Rx)具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
從圖9可以看出，位于面板的有效畫面的地址電極布線部分82稱為地址電極(X)，為了補償上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部80和上述地址電極(X)之間的間距，從上述數(shù)據(jù)驅(qū)動部80的輸出端子聯(lián)結(jié)到上述有效畫面的地址電極(X)的部分81的布線稱為鏈接部(Rx)。
上述地址電極(X)以銀(Ag)為主要成分，其電阻值低至大致20Ω的程度，因而會從面板流入反向電流。
為了防止這一點，本發(fā)明的第3實施方式構(gòu)成為，作為聯(lián)結(jié)在上述地址電極(X)和數(shù)據(jù)驅(qū)動部80之間的布線的鏈接部(Rx)具有100Ω至10kΩ間的電阻值，以阻斷從上述地址電極(X)反向流入的電流。
優(yōu)選的是，上述鏈接部(Rx)具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。
上述鏈接部(Rx)的電阻值按上述情況來設(shè)定的理由與上述第1實施方式和第2實施方式提到的情況實質(zhì)上相同，因而省略說明。
為了使上述鏈接部(Rx)的電阻值高于上述地址電極(X)的電阻值，上述鏈接部降低了銀(Ag)的含有量，含有比電阻比較高的金屬物質(zhì)而構(gòu)成。
此處，如圖8所示，按Z字形圖形(zig-zag pattern)方式等來彎曲而使布線形成圖形，加長其長度，就能提高上述鏈接部(Rx)的電阻值。
還有，另一應(yīng)用例是使上述鏈接部(Rx)的厚度小于上述地址電極的厚度來提高上述鏈接部(Rx)的電阻值。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)以上說明了的內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)進行變更，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于說明書的詳細(xì)說明中記載了的內(nèi)容，而是應(yīng)該根據(jù)權(quán)利要求來決定。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含以下部分而構(gòu)成用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部；以及聯(lián)結(jié)在所述地址電極和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，電阻值與所述地址電極不同的聯(lián)結(jié)部。
2.權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述聯(lián)結(jié)部具有比所述地址電極的電阻值大的電阻值。
3.權(quán)利要求2所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述聯(lián)結(jié)部至少包含1個及以上的電阻元件。
4.權(quán)利要求3所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述電阻元件與所述多個地址電極分別聯(lián)結(jié)而形成。
5.權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述聯(lián)結(jié)部具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
6.權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述聯(lián)結(jié)部具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。
7.一種等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含以下部分而構(gòu)成用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部；以及聯(lián)結(jié)在所述地址電極和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，防止從面板電容向所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部流入電流的反向電流防止部，所述反向電流防止部在安裝驅(qū)動集成電路的柔性電路基板上形成。
8.權(quán)利要求7所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述反向電流防止部具有比所述地址電極的電阻值大的電阻值。
9.權(quán)利要求8所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述反向電流防止部至少包含1個及以上的電阻元件。
10.權(quán)利要求9所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述電阻元件與所述多個地址電極分別聯(lián)結(jié)而形成。
11.權(quán)利要求7所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述反向電流防止部具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
12.權(quán)利要求7所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述反向電流防止部具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。
13.一種等離子體顯示器裝置，其特征在于，包含以下部分而構(gòu)成用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部；以及聯(lián)結(jié)在所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部和所述地址電極之間的多個鏈接部，所述鏈接部具有100Ω至10kΩ間的電阻值。
14.權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述鏈接部包含比電阻高的金屬物質(zhì)。
15.權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述鏈接部以彎曲的方式形成。
16.權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述鏈接部與所述地址電極相比，厚度小。
17.權(quán)利要求13所述的等離子體顯示器裝置，其特征在于，所述鏈接部具有500Ω至1.5kΩ間的電阻值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防止從面板向面板驅(qū)動部流入的反向電流，減少數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路的發(fā)熱，從而提高驅(qū)動可靠性的等離子體顯示器裝置。本發(fā)明所涉及的等離子體顯示器裝置，包含用于向多個地址電極施加數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動部和聯(lián)結(jié)在所述地址電極和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部之間，電阻值與所述地址電極不同的聯(lián)結(jié)部而構(gòu)成，使所述聯(lián)結(jié)部的電阻值高于所述地址電極的電阻值，以阻斷/減少從面板向所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部流入的過度的反向電流，減少所述數(shù)據(jù)驅(qū)動部的集成電路的發(fā)熱量，防止誤動作和破損，使驅(qū)動可靠性提高。
文檔編號G09G3/288GK1794325SQ2005101358
公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者韓正觀, 姜成昊 申請人:Lg電子株式會社