專利名稱：等離子體顯示板及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板(PDP)及其驅(qū)動方法。更特別地，本發(fā)明涉及用于PDP的復(fù)位波形驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器，例如，液晶顯示器(LCD)、場致發(fā)射平板顯示器(FED)、PDP等正在積極地發(fā)展著。和其它平板顯示器相比，PDP一般來說有較高的亮度、較高的發(fā)光效率和較寬的視角。因此，例如與常用的陰極射線管(CRT)相比，PDP更利于制造40英寸或更大型的顯示器。
PDP是利用氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示字符或圖像的一種平板顯示器，根據(jù)其尺寸，它包括以矩陣模式排列的幾十到幾百萬的像素。根據(jù)PDP的放電單元結(jié)構(gòu)和施加的驅(qū)動電壓的波形，可將PDP分為直流(DC)型和交流(AC)型。
DC型PDP的電極暴露于放電空間，當(dāng)施加電壓時，直流電流(DC)可以流過放電空間，因此，DC型PDP一般需要一個電阻來限制所述電流。相反地，AC型PDP具有覆蓋有電介質(zhì)層的電極，所述介質(zhì)層形成一個電容元件來限制電流并保護電極在放電期間不受離子的碰撞。因此，和DC型PDP相比，AC型PDP有較長的壽命。
圖1是一個AC型PDP的局部透視圖。圖1示出了第一玻璃基板1，平行的掃描電極4和維持電極5，電介質(zhì)層2和保護層3。在第二玻璃基板6上，設(shè)有數(shù)個為一絕緣層7所覆蓋的尋址電極8。障壁條(barrier rib)9形成在絕緣層7上并與尋址電極8平行，且插入尋址電極8之間。絕緣層7的表面和障壁條9的兩邊形成有熒光材料10。第一和第二玻璃基板1和2相對放置，在二者之間形成放電空間11，以使得掃描電極4和維持電極5的方向與尋址電極8正交。在尋址電極8和一對掃描電極4和維持電極5之間的交叉處的放電空間形成放電單元12。
圖2表示PDP中的電極分布。
參考圖2，PDP有一個由m×n個放電單元組成的像素矩陣。在該PDP中，尋址電極A1-Am排列為列，掃描電極(Y電極)Y1-Yn和維持電極X1-Xn交替地排成n行。圖2中所示的放電單元12與圖1中的放電單元12相對應(yīng)。
根據(jù)一般的PDP驅(qū)動方法，一個幀被分為許多子場，每個子場由一個復(fù)位間隔、一個尋址間隔和一個維持間隔構(gòu)成。
在復(fù)位(初始)間隔，來自于上一個維持間隔的壁電荷的狀態(tài)被擦除，并為穩(wěn)定地執(zhí)行下一次尋址放電壁電荷被設(shè)置。一般來說，復(fù)位間隔是為其后的尋址間隔期間的尋址操作準(zhǔn)備壁電荷的最佳狀態(tài)。
尋址間隔選擇接通單元和關(guān)斷單元并在接通單元(即尋址單元)累積壁電荷。維持間隔執(zhí)行放電從而在尋址單元顯示一個圖像。
常用驅(qū)動方法的復(fù)位間隔包括施加一個斜坡波形(ramp waveform)，如US5,745,086中公開的。在常用的驅(qū)動方法中，一個緩慢上升或下降的斜坡波形被施加在Y電極，以控制復(fù)位間隔期間每一個電極的壁電荷。然而，壁電荷的精確控制極大地依賴于所施加的斜坡波形的斜坡坡度。因此，為了精確地控制壁電荷，一般來說，需要長時間用于初始化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可在短時間內(nèi)實施初始化的等離子體顯示板及其驅(qū)動方法。
本發(fā)明單獨地提供了一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間，通過施加一個電壓至第一電極來使第一空間放電，并且在第一空間放電后，浮動第一電極。
本發(fā)明單獨地提出一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及施加一個上升的電壓至第一電極來使第一空間放電，在第一空間放電后浮動第一電極，施加一個下降的電壓至第一電極來使第一空間放電，和在第一空間放電后浮動第一電極。
本發(fā)明單獨地提供一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及在第一空間執(zhí)行第一放電，以至少在第一電極和第二電極之一上形成的電介質(zhì)上積累壁電荷，淬滅(quench)第一放電，在第一空間執(zhí)行第二放電，以在形成于至少第一電極和第二電極之一上的電介質(zhì)上積累壁電荷，淬滅第二放電。
本發(fā)明單獨地提出一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，該等離子體顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間。在復(fù)位間隔期間，該方法涉及在第一空間執(zhí)行第一放電，以減少在至少第一電極和第二電極之一上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷，淬滅第一放電，在第一空間執(zhí)行第二放電，以減少在第一電極和第二電極上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷，淬滅第二放電。
本發(fā)明單獨地提供一種等離子體顯示板，包括第一電極和第二電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動電路，用于在復(fù)位間隔期間發(fā)送一驅(qū)動信號至第一電極和第二電極。該驅(qū)動電路施加一個電壓至第一電極以使第一空間放電，之后浮動第一電極。
本發(fā)明單獨地提供一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；以及驅(qū)動電路，用于在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔期間，將驅(qū)動信號發(fā)送給第一電極、第二電極和尋址電極。在復(fù)位間隔期間，驅(qū)動電路施加一個上升電壓至第一電極以使第一空間放電，然后浮動第一電極。
本發(fā)明單獨地提供一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動電路，用于在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔期間，將驅(qū)動信號發(fā)送給第一電極、第二電極和尋址電極。在復(fù)位間隔期間，驅(qū)動電路施加一個下降電壓至第一電極以使第一空間放電，然后浮動第一電極。


在此引入并構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本發(fā)明的實施例，并且與所述說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是一個AC型PDP的局部透視圖。
圖2示出了PDP中電極的排列。
圖3A顯示了一個等離子顯示單元的模型，其用于描述根據(jù)本發(fā)明一個圖3B是與圖3A的等價電路圖。
圖4、5和6顯示了圖3A所示的等離子體顯示單元的圖形，其示出了放電空間中的電荷、壁電荷和電壓。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的PDP的圖形。
圖8A和圖8B是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的驅(qū)動方法的復(fù)位波形的圖形。
圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的驅(qū)動方法的電極電壓、壁電壓和放電電流。
圖10是根據(jù)本發(fā)明第二實施例實施驅(qū)動方法的概念圖。
圖11是依照本發(fā)明第二實施例的驅(qū)動方法的波形圖。
圖12A、12B和12C是圖11的復(fù)位波形的詳細的圖形。
圖13A和圖13B顯示根據(jù)第二實施例的驅(qū)動方法的電極電壓、壁電壓和放電電流的圖形。
具體實施例方式
在接下來的詳細描述中，僅僅描述和說明了本發(fā)明的示例性實施例。將了解到，在不背離本發(fā)明的情況下，可對本發(fā)明作出多種顯而易見的修改。相應(yīng)地，附圖和描述實質(zhì)上是對發(fā)明作出舉例說明，而不是加以限制。
根據(jù)本發(fā)明實施例的驅(qū)動等離子體顯示板的方法包括在復(fù)位間隔期間足夠快地增加或減少施加的電壓以產(chǎn)生劇烈的放電，然后在放電期間降低施加于放電空間內(nèi)的電壓從而導(dǎo)致放電的自淬滅(self-quenching)，由此控制壁電荷。依照本發(fā)明的實施例，利用電極的浮動狀態(tài)，可以完成放電的自淬滅。
一個稱作“放電延遲”的預(yù)定時間周期是施加電壓后至放電空間放電的這個時間段。這個以施加電壓開始以放電結(jié)束的過程將在下面給以描述。
當(dāng)表現(xiàn)為電容負載的兩個電極(兩個X和Y電極和尋址電極)的至少一個耦合至一電源時，兩電極被充電并且給放電空間(即兩個電極之間)施加一電壓。當(dāng)電壓施加至放電空間時，放電通過α和γ過程發(fā)生并且壁電荷積累在兩電極的介質(zhì)層上。積累的壁電荷降低施加到放電空間內(nèi)部的電壓。因為相當(dāng)大數(shù)量的壁電荷積累了，隨著壁電荷逐漸地使該放電淬滅，施加到放電空間的電壓逐步減少。
在這一步驟中，可能發(fā)生下面的情形。
在第一種情形中，和現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)位方法相同，在基本上整個放電期間等離子體顯示板的電極耦合到電源上。
隨著放電的發(fā)生，壁電荷積累在形成于電極上的介質(zhì)層上。然而，因為電源連續(xù)地提供電荷，電極電壓基本維持在一個恒定的施加電壓。從電源提供給電極的電荷數(shù)量幾乎與通過放電積累的壁電荷數(shù)量相等，因此由壁電荷引起的放電空間的內(nèi)部電壓降是非常無關(guān)緊要的。因此，需要相當(dāng)大數(shù)量的積累壁電荷來使放電淬滅。
在第二種情形中，在施加電壓后電極被浮動并且電極與電源是電絕緣的，如本發(fā)明實施例所述。
隨著放電的發(fā)生和壁電荷的積累，因為不存在從電源提供給電極的電荷，電極電壓根據(jù)積累的壁電荷的數(shù)量而改變。積累的壁電荷的數(shù)量降低了放電空間的間隔電壓，因此當(dāng)只有少量的壁電荷時，放電淬滅。當(dāng)一個預(yù)定的電壓施加到電極上并且電源和板被置于一個開路(高阻抗)狀態(tài)以浮動電極時，電極之間的電壓由于壁電荷的積累導(dǎo)致的放電空間內(nèi)部電壓的減少而降低，從而少量的壁電荷使放電淬滅。相應(yīng)地，與給電極施加電壓相比，浮動電極能夠更精確地控制壁電荷。
現(xiàn)在，參考圖3A、3B、4、5和6，對于根據(jù)本發(fā)明實施例的驅(qū)動方法的原理給予更詳細地描述。
圖3A顯示了PDP單元的一維模型，用于解釋依照本發(fā)明實施例的驅(qū)動方法，圖3B是圖3A的等價電路圖。
參考圖3A，第一電極(如Y電極)15通過開關(guān)S1耦合到電壓Vin，并且第二電極(例如X電極)16耦合到地電壓。電介質(zhì)20和30各自形成在第一和第二電極15、16上。在電介質(zhì)20和30之間注入有放電氣體(未示出)，并且電介質(zhì)20和30之間的區(qū)域定義為放電空間40。
第一電極15和第二電極16，電介質(zhì)20和30，和放電空間40在圖3B示出的等價電路圖中表現(xiàn)為一個板電容Cp。
在圖3A中，兩個電介質(zhì)20和30有相同的厚度d1，互相之間以一個預(yù)定的距離(放電距離)d2分隔開。兩個電介質(zhì)20和30的介電常數(shù)是εγ，施加至放電空間40的電壓是Vg。
接下來，將參考圖4來計算在沒有積累壁電荷的情況下，當(dāng)電壓Vin施加至電極上時施加至放電空間的電壓Vg。
參考圖4，根據(jù)下述等式1表示的麥克斯韋等式通過高斯面來選擇區(qū)域A和B。對區(qū)域A和B應(yīng)用高斯定理可導(dǎo)出等式2和3，等式2和3分別決定電介質(zhì)中的電場E1和放電空間中的電場E2。
等式1·D＝·(εE)＝σ等式2E1=σtϵγϵ0]]>其中σ1是施加到電極上的電荷。
等式3E2=σtϵ0]]>圖4中的外部施加電壓Vin可用來導(dǎo)出如下所示的等式4和5。
等式42d1E1+d2E2＝Vin等式5Vg＝d2E2如下所示的等式6和7可從等式1-5導(dǎo)出。
等式6σt=Vind2ϵ0+2d1ϵγϵ0]]>等式7Vg=d2E2=d2σtϵ0=d2d2+2d1ϵγVin=ϵγd2ϵγd2+2d1Vin=αVin]]>其中d2比d1大得多，所以α約等于1。
從等式7可以看出，幾乎所有的外部施加電壓Vin都施加到了放電空間。
下面，將參考圖5來計算當(dāng)利用施加的電壓Vin形成壁電荷σw時放電空間的內(nèi)部電壓Vg’。在圖5中，因為在壁電荷的形成過程中電源向電極提供電荷以維持電極電勢基本上恒定，所以加到電極的電荷增加到σ1’。
參考圖5，通過高斯面選擇區(qū)域A和B。對區(qū)域A和B運用高斯定理導(dǎo)出等式8和9，如下所示，等式8和9分別決定介質(zhì)20和30中的電場E1和放電空間中的電場E2。
等式8E1=σt′ϵγϵ0]]>等式9E2=(σt′-σw)ϵ0]]>因為2d1E1+d2E2＝Vin和Vg’＝d2E2，如下所示，可從等式8和9導(dǎo)出等式10和11。
等式10σt′=Vm+d2ϵ0σwd2ϵ0+2d1ϵγϵ0=Vind2ϵ0+2d1ϵγϵ0+ασw=ϵ0d2Vg+ασw]]>等式11Vg′=d2E2=d2σt′-σwϵ0=Vg+d2ϵ0ασw-d2ϵ0σw=Vg-d2ϵ0σw(1-α)]]>從等式11可以看出，當(dāng)施加電壓Vin時，α約等于1，并且產(chǎn)生一個可忽略的電壓降。
接下來參考圖6來計算施加電壓Vin后壁電荷σw形成且電極浮動時放電空間的內(nèi)部電壓Vg’。在圖6中，因為在壁電荷的形成期間，沒有電荷從電源Vin加到電極上，施加到電極上的電荷變?yōu)棣襱。
參考圖6，通過高斯面選擇區(qū)域A和B。對區(qū)域A和B運用高斯定理來導(dǎo)出等式2和12，如下所示，等式2和12分別決定電介質(zhì)中的電場E1和放電空間的電場E2。
等式12E2=(σt-σw)ϵ0]]>因為Vg’＝d2E2，等式12可寫為下面等式13所示的形式.
等式13Vg′=d2E2=d2σt-σwϵ0=Vg-d2ϵ0σw]]>從等式13可以看出，當(dāng)不施加電壓Vin時(即當(dāng)電極處于浮動狀態(tài)時)，由于壁電荷的影響，產(chǎn)生了一個高的電壓降。也就是說，等式11和等式13表明，當(dāng)電極浮動時壁電荷引起的電壓降要比對電極施加電壓Vin時的電壓降大1/(1-α)倍。相應(yīng)地，當(dāng)電極處于浮動狀態(tài)時附加地積累到電介質(zhì)上的少量壁電荷迅速地降低放電空間的內(nèi)部電壓并且以迅速放電淬滅機制起作用。
這一淬滅機制在本發(fā)明的實施例中用來精確地控制壁電荷。
接下來對依照本發(fā)明的第一個實施例的一種驅(qū)動PDP的方法作出描述。
圖7是本發(fā)明一個實施例的PDP的示意圖。
本發(fā)明實施例中的PDP包括等離子體板100，控制器200，地址驅(qū)動器300，X電極驅(qū)動器400，和Y電極驅(qū)動器500。
等離子體板100包括多個縱向排列的尋址電極A1到Am，和許多交替橫向排列的維持電極X1到Xn和掃描電極Y1到Y(jié)n。
控制器200接收外部的圖像信號并輸出地址驅(qū)動控制信號210、X電極驅(qū)動控制信號220和Y電極驅(qū)動控制信號230。
尋址驅(qū)動器300接收來自控制器200的地址驅(qū)動控制信號210并對各個尋址電極施加一個用來選擇將顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號。
X電極驅(qū)動器400接收來自控制器200的X電極驅(qū)動控制信號220并對X電極施加一個驅(qū)動電壓。Y電極驅(qū)動器500接收來自控制器200的Y電極驅(qū)動控制信號230并對Y電極施加一個驅(qū)動電壓。在復(fù)位間隔X電極驅(qū)動器400或Y電極驅(qū)動器500對X電極或Y電極施加一個預(yù)定的電壓來產(chǎn)生放電，然后浮動各個電極。在維持間隔，X電極驅(qū)動器400或Y電極驅(qū)動器500也對X電極或Y電極施加一個維持電壓。
圖8A和8B是依照本發(fā)明第一個實施例的驅(qū)動方法的復(fù)位波形圖。
如圖8A所示，依照本發(fā)明第一個實施例的復(fù)位波形，對Y電極施加電壓Vset，同時使X電極保持在地電壓來產(chǎn)生放電，然后浮動Y電極。將施加電壓和浮動電極的操作重復(fù)執(zhí)行一個預(yù)定的次數(shù)來驅(qū)動Y電極。在這里，如圖8B所示，施加電壓的間隔ta比浮動電極的間隔tf要短。
圖9示出了X電極和Y電極之間的電壓差Va、兩個電極的電介質(zhì)層上積累的壁電荷所引起的壁電壓Vw和如圖8A和8B所示當(dāng)重復(fù)施加電壓和浮動電極的操作以驅(qū)動Y電極時的放電電流Id。在接下來的描述中，因為在本發(fā)明的第一實施例中，X電極電壓為地電壓，電壓Va將認為是Y電極電壓。
參考圖9，當(dāng)大于放電激活電壓(discharge firing voltage)Vf的電壓Vset施加到Y(jié)電極來激發(fā)一次放電然后浮動Y電極時，如先前所述，便積累了特定數(shù)量的壁電荷并且在放電空間中發(fā)生劇烈的放電淬滅。隨著放電空間放電的淬滅，Y電極電壓Va降低。接下來，給Y電極施加電壓Vset來產(chǎn)生第二次放電，然后浮動Y電極，積累特定數(shù)量的壁電荷并且在放電空間發(fā)生劇烈的放電淬滅。將施加電壓和浮動電極的操作重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)。
從圖9可以看出，放電空間中的放電量(即放電電流的大小)慢慢地降低。這是因為在放電空間流動的放電電流Id是與Y電極電壓Va和壁電壓Vw的差值成正比的。如圖9所示，隨著用來驅(qū)動Y電極的施加電壓和浮動電極步驟的重復(fù)執(zhí)行，兩電極的電介質(zhì)層上所積累的壁電荷引起的壁電壓Vw增加，于是Y電極電壓Va和壁電壓Vw的差值下降，因此放電電流Id下降。同時，壁電荷仍在積累直到施加到放電空間的電壓(即Va和Vw之間的電壓差)達到放電激活電壓Vf。
如上所述，本發(fā)明的第一個實施例當(dāng)中，通過給Y電極施加一個預(yù)定的電壓Vset然后浮動Y電極來驅(qū)動Y電極，在少量的壁電荷的情況下可迅速地淬滅放電。以這種方式，壁電荷能夠得到精確的控制。根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，為了控制壁電荷，施加電壓的時間ta不應(yīng)該長到導(dǎo)致過分劇烈地放電。
此外，因為第一次放電是最劇烈的，本發(fā)明的第一個實施例能夠通過第二次放電穩(wěn)定地控制壁電荷。在本發(fā)明的實施例中，利用設(shè)置的電壓施加時間(即點亮?xí)r間)和浮動時間(即熄滅時間)可以驅(qū)動Y電極從而產(chǎn)生至少兩個放電時間。
接下來，對本發(fā)明第二個實施例的驅(qū)動方法給予描述。
圖10是本發(fā)明第二個實施例實施復(fù)位方法的電路的示意圖。
參考圖10，可產(chǎn)生恒定電流的電流源I通過開關(guān)S1連接至一個板電容Cp。板電容Cp與兩個Y電極、X電極和尋址電極是等效的。當(dāng)開關(guān)閉合時施加到板電容Cp的一個電極上的電壓通過下面的等式給出等式14V＝±(I/Cx)·t其中Cx代表板電容Cp的電容量；符號(+)和(-)根據(jù)電流源提供的電流的方向決定。
從等式14可以看出，在本發(fā)明的第二個實施例中，提供給板電容Cp的是一個以斜率I/Cx上升的斜坡波形。
本發(fā)明第二實施例中的復(fù)位方法包括在一個預(yù)定時間期間給板電容的一個電極施加一個迅速上升和迅速下降的斜坡波形，從而在板電容間(即在兩個電極之間的放電空間)產(chǎn)生放電，然后浮動板電容的一個電極來淬滅放電空間中的放電。
在圖10的等價電路中，與電流源I和開關(guān)S1相對應(yīng)的電路元件可以是圖7所示等離子體顯示板中的X電極驅(qū)動器400、Y電極驅(qū)動器500和尋址驅(qū)動器300中的至少一個。圖10的等價電路中的電流I和開關(guān)S1的詳細電路對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是公知的，因而不再給以描述。
圖11是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的驅(qū)動波形圖。參考圖11，復(fù)位間隔包括一個擦除間隔，一個Y上升斜坡/浮動間隔，和一個Y下降斜坡/浮動間隔。在下面對每個間隔給以簡要描述。
(1) 擦除間隔在維持間隔完成以后，正(+)和負(-)電荷各自積累在X電極和Y電極的電介質(zhì)層上。在維持間隔后，將Y電極維持在一個預(yù)定的電壓(如地電壓)的同時，給X電極施加一個從0(V)上升到Ve(V)的斜坡電壓。于是積累在X電極和Y電極上的電介質(zhì)上的壁電荷被慢慢地擦除。
(2) Y上升斜坡/浮動間隔在將尋址電極和X電極維持在0V時，用于重復(fù)執(zhí)行使斜坡從Vs上升到Vset然后浮動Y電極的過程的一個上升斜坡/浮動電壓被施加到Y(jié)電極。當(dāng)將迅速上升的斜坡電壓施加到Y(jié)電極時，在所有的放電單元發(fā)生復(fù)位放電來積累壁電荷，當(dāng)浮動Y電極時，放電空間的放電迅速淬滅。
(3) Y下降斜坡/浮動間隔將X電極維持在一個恒定電壓Ve，對Y電極施加一個用于重復(fù)執(zhí)行使斜坡從Vs下降到V0然后浮動Y電極的過程的一個下降斜坡/浮動電壓。
圖12A是圖11中復(fù)位間隔的區(qū)域II放大后的圖形，例如Y上升斜坡/浮動間隔和Y下降斜坡/浮動間隔；圖12B和圖12C分別是圖12A中的區(qū)域b和c放大后的圖形。
在圖12B和12C中，給Y電極施加上升的斜坡電壓的時間tr_a和給Y電極施加下降的斜坡電壓的時間tf_a最好分別少于Y電極的浮動時間tr_f和tf_f。當(dāng)隨時間變化的電壓提供給Y電極(即板電容)時，在放電空間中提供電荷，從而更少地使存儲的壁電荷淬滅。因此，比較理想的是將具有陡的斜坡的隨著時間變化的電壓施加到電極上。
在第二個實施例中，隨時間而變化的電壓的斜率大于10V/μsec.c。
圖13A示出了本發(fā)明第二實施例的X和Y電極之間的電壓差Va、兩個電極的電介質(zhì)層上積累的壁電荷引起的壁電壓Vw、和在Y上升斜坡/浮動間隔的放電電流Id。在接下來的描述中，為了示例的目的，電壓Va將認為是本發(fā)明的第二實施例中的Y電極的電壓，因為在Y上升斜坡/浮動期間，X電極電壓是地電壓。
如圖13A所示，當(dāng)一個超過放電激活電壓Vf的斜坡電壓施加到Y(jié)電極上以產(chǎn)生一次放電然后浮動Y電極時，就會如前所述積累特定數(shù)量的壁電荷并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。隨著放電空間放電的淬滅，Y電極電壓Va下降。接下來，斜坡電壓第二次施加到Y(jié)電極，然后浮動Y電極，就會積累特定數(shù)量的壁電荷并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。將施加電壓和浮動電極的操作重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)。
從圖13A可以看出，第二實施例中放電空間的放電量(即放電電流的大小)要比第一實施例中的穩(wěn)定。這是因為施加到Y(jié)電極上的電壓Va和積累在形成于兩個電極的電介質(zhì)上的壁電荷引起的壁電壓Vw隨著施加電壓和浮動電極步驟的重復(fù)而增加，因而使Y電極電壓Va和壁電壓Vw之間的差值和第一實施例的相比更穩(wěn)定。
相應(yīng)地，本發(fā)明第二實施例的復(fù)位方法與本發(fā)明第一實施例相比能更精確地控制壁電荷。
圖13B示出了本發(fā)明第二實施例中的X電極電壓Vx、Y電極電壓Vy、積累在兩個電極的電介質(zhì)層的壁電荷所引起的壁電壓Vw、和在Y下降斜坡/浮動間隔的放電電流Id。在Y下降斜坡/浮動間隔，一個高于Y電極電壓的偏壓Vx被施加到X電極。
如圖13B所示，一個迅速下降的斜坡電壓被施加到Y(jié)電極以產(chǎn)生一次放電，以致X電極電壓Vx和Y電極電壓Vy的差值超過放電激活電壓Vf，然后浮動Y電極來減少先前積累的壁電荷，并在放電空間導(dǎo)致劇烈放電的淬滅。Y電極電壓Vy隨著放電空間放電的淬滅而增加。接下來，一個下降的斜坡電壓被施加到Y(jié)電極以產(chǎn)生一次放電，然后浮動Y電極，使壁電荷進一步減少，并在放電空間導(dǎo)致一次劇烈放電的淬滅。隨著施加電壓和浮動電極步驟被重復(fù)執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)，如圖13B所示，將在形成于X和Y電極的電介質(zhì)層上積累預(yù)定數(shù)量的壁電荷。
相應(yīng)地，和本發(fā)明第二實施例相同，通過重復(fù)地執(zhí)行施加電壓和浮動電極步驟，能夠?qū)呻姌O上形成的電介質(zhì)層上所積累的壁電荷控制在一個期望的狀態(tài)。
如上所述，本發(fā)明實施例的復(fù)位方法通過施加電壓然后浮動該電極來控制積累在電極的電介質(zhì)層上的壁電荷。下面將描述本發(fā)明有代表性的優(yōu)點。
常用的復(fù)位方法是一種反饋方法，其主要是施加一電壓來產(chǎn)生放電從而積累壁電荷，并且當(dāng)壁電荷積累得足夠的時候降低內(nèi)部電壓，淬滅放電。相對照地，本發(fā)明實施例中的使用電極浮動狀態(tài)的復(fù)位方法是一個更為有效的反饋方法，其利用通過浮動電極積累的少量壁電荷來迅速降低內(nèi)部電壓，從而使放電淬滅。也就是說，與常用的方法相比，本發(fā)明使用少得多的積累壁電荷來使放電淬滅，從而能夠?qū)Ρ陔姾蛇M行精確的控制。
常用的施加一斜坡電壓的復(fù)位方法以穩(wěn)定的電壓變化緩慢地增加施加到放電空間的電壓，來阻止劇烈的放電并控制壁電荷。這一使用斜坡電壓的常規(guī)方法通過斜坡電壓的斜率來控制放電的強度，而且需要一個斜坡電壓斜率的限制條件來控制壁電荷，從而在復(fù)位操作上花費太多的時間。相對照地，本發(fā)明實施例中使用浮動狀態(tài)的復(fù)位方法通過采用基于壁電荷的電壓降來控制放電強度，從而減少了需要的時間。
本發(fā)明已經(jīng)描述的內(nèi)容被認為是最實用的和最優(yōu)的實施例，可以理解的是本發(fā)明不限于公開的實施例，而是正相反，它將覆蓋包括在權(quán)利要求的構(gòu)思和范圍之內(nèi)的各種修改和等價的變換。
例如，盡管在本發(fā)明的實施例中通過浮動Y電極來使放電淬滅，也可浮動任何其它的電極。此外，在本發(fā)明的實施例中使用的是上升/下降斜坡波形，但也可使用任何其它的上升/下降波形。
如上所述，本發(fā)明能夠精確地控制壁電荷并縮短復(fù)位間隔所需要的時間。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在第一電極和第二電極間施加一電壓以使第一空間放電，和在施加第一電壓之后浮動第一電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括當(dāng)?shù)谝浑姌O處于浮動狀態(tài)時或者維持施加到第二電極上的電壓或者浮動第二電極。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中驅(qū)動方法在復(fù)位間隔執(zhí)行。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一電極是一個掃描電極，第二電極是一個維持電極。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中加壓步驟和浮動步驟中的每一個都包括將維持電極偏壓到一個預(yù)定的電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中浮動第一電極的間隔比給第一電極施加電壓的間隔長。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括將施壓步驟和浮動步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中電壓為一預(yù)定電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中電壓是一個隨時間變化的電壓。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，隨時間而變化的電壓的斜率大于10V/μsec。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中電壓是上升的斜坡電壓。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中電壓是下降的斜坡電壓。
13.如權(quán)利要求7所述的方法，其中第n次施加電壓時在第一空間流動的放電電流比第n+1次施加電壓時在第一空間流動的放電電流大。
14.一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，給第一電極施加一個上升電壓使第一空間放電；在給第一電極施加上升電壓后，浮動第一電極；給第一電極施加一個下降電壓使第一空間放電；和在給第一電極施加下降電壓后，浮動第一電極。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括當(dāng)浮動第一電極時或者維持施加到第二電極上的電壓或者浮動第二電極。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中第一電極是一個掃描電極，第二電極是一個維持電極。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括將上升電壓施加步驟和浮動步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括將下降電壓施加步驟和浮動步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
19.一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極所限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，在第一空間執(zhí)行第一放電以在形成于第一電極和第二電極中的至少一個上的電介質(zhì)上積累壁電荷；使第一放電淬滅；在第一空間執(zhí)行第二放電以在形成于第一電極和第二電極中的至少一個上的電介質(zhì)上積累壁電荷；使第二放電淬滅。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中第一次放電的放電量比第二次放電的放電量大。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，進一步包括重復(fù)第二放電步驟和第二淬滅步驟直到壁電壓達到第一壁電壓為止，所述壁電壓基于積累在形成于第一電極和第二電極中的至少一個上的電介質(zhì)上的壁電荷。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中第一壁電壓小于或等于第一電極電壓與第二電極電壓的電壓之間的差電壓減去放電激活電壓。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在第一放電淬滅步驟和第二放電淬滅步驟中沒有積累壁電荷。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在第一放電淬滅步驟和第二放電淬滅步驟中浮動第一電極。
25.一種驅(qū)動等離子體顯示板的方法，所述顯示板包括由第一電極和第二電極限定的第一空間，所述方法包括在復(fù)位間隔，在第一空間執(zhí)行第一放電以減少在第一電極和第二電極中的至少一個上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷；使第一放電淬滅；在第一空間執(zhí)行第二放電以減少在第一電極和第二電極中的至少一個上形成的電介質(zhì)上積累的壁電荷；使第二放電淬滅。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，進一步包括將第二放電步驟和使第二放電淬滅的步驟重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中使第一放電淬滅的步驟和使第二放電淬滅的步驟都包括浮動第一電極。
28.一種等離子體顯示板，包括第一電極和第二電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和在復(fù)位間隔發(fā)送一個驅(qū)動信號給第一電極和第二電極的一個驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路給第一電極施加一個電壓來使第一空間放電，然后浮動第一電極。
29.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中第一電極是一個掃描電極，第二電極是一個維持電極。
30.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中所述驅(qū)動電路驅(qū)動第一電極使第一電極浮動的間隔比給第一電極施加電壓的間隔長。
31.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路驅(qū)動第一電極，從而使施加電壓和浮動第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
32.如權(quán)利要求31所述的等離子體顯示板，其中第n次施加電壓時在第一空間流動的放電電流比第n+1次施加電壓時在第一空間流動的放電電流大。
33.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路包括一供電電壓；和連接在供電電壓和第一電極之間的開關(guān)。
34.如權(quán)利要求28所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路包括一電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
35.一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動電路，其在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔發(fā)送驅(qū)動信號給第一電極、第二電極和尋址電極，在復(fù)位間隔，所述驅(qū)動電路為第一電極提供電壓來使第一空間放電，然后浮動第一電極。
36.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路驅(qū)動第一電極，從而使施加上升電壓和浮動第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
37.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路附加地給第一電極施加一個下降電壓以使第一空間放電然后浮動第一電極。
38.如權(quán)利要求37所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路驅(qū)動第一電極，從而使施加下降電壓和浮動第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
39.如權(quán)利要求35所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路包括一個電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
40.一種等離子體顯示板，包括第一基板和第二基板；平行地形成在第一基板上的第一電極和第二電極；形成在第二基板上的尋址電極；由第一電極和第二電極限定的第一空間；和驅(qū)動電路，其在復(fù)位間隔、尋址間隔和維持間隔給第一電極、第二電極和尋址電極發(fā)送驅(qū)動信號，在復(fù)位間隔，所述驅(qū)動電路為第一電極提供下降電壓來使第一空間放電，然后浮動第一電極。
41.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路驅(qū)動第一電極，從而使施加下降電壓和浮動第一電極重復(fù)預(yù)定的次數(shù)。
42.如權(quán)利要求40所述的等離子體顯示板，其中驅(qū)動電路包括一電流源；和連接在電流源和第一電極之間的開關(guān)。
全文摘要
公開的是一個等離子體顯示板的復(fù)位波形。在復(fù)位間隔，快速地施加一個上升或下降的電壓來產(chǎn)生一個劇烈的放電。然后浮動電極來降低放電期間施加在放電空間的電壓，使放電自發(fā)地淬滅，從而精確地控制壁電荷。
文檔編號G09G3/296GK1591544SQ200410079429
公開日2005年3月9日 申請日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月14日
發(fā)明者鄭宇埈, 金鎮(zhèn)成, 姜京湖, 蔡升勛 申請人:三星Sdi株式會社