專利名稱：電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法及電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法及電子機器，特別涉及規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)的校正處理。
背景技術(shù)：
目前已知可以抑制由干擾因素引起的顯示質(zhì)量下降、具有校正功能的電光學(xué)裝置。例如，在專利文獻1中公開了如下技術(shù)利用設(shè)置于顯示面板內(nèi)的多個溫度傳感器，檢測出隨有機EL元件的發(fā)熱而產(chǎn)生的溫度變動，并與此相應(yīng)進行顯示面板的驅(qū)動校正。
然而，作為對顯示質(zhì)量產(chǎn)生影響的干擾因素，除上述的溫度因素以外還有各種各樣的因素。例如，在使用電光學(xué)裝置時的周圍照度、像素中所含的電光學(xué)元件的經(jīng)時劣化、或者由顯示面板的制造無序偏差等引起的顯示光斑等問題。
專利文獻1特開2002-175046號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于通過與多個干擾因素相對應(yīng)進行校正處理，而謀求實現(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。
另外，本發(fā)明的另一目的在于，謀求實現(xiàn)相關(guān)校正處理的高速化。
為了解決相關(guān)課題，第一發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置，具有灰度特性生成部，其通過參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了至少一個第一校正因素的變換表，由規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)，生成具有將顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)；和像素驅(qū)動部，其采用與灰度特性生成部不同種類的處理，根據(jù)與第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在對變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行校正的基礎(chǔ)上驅(qū)動像素。
在此，優(yōu)選第一發(fā)明中，像素驅(qū)動部以比灰度特性生成部中的顯示數(shù)據(jù)的灰度特性的變形更細微的水平，對變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行校正。
第二發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置，具有灰度特性生成部，其通過參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了至少一個第一校正因素的變換表，生成對規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)的灰度特性進行粗調(diào)整后的變換數(shù)據(jù)；和像素驅(qū)動部，其基于與第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在以比粗調(diào)整更細微的水平對變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行微調(diào)整的基礎(chǔ)上驅(qū)動像素。
在此，優(yōu)選在第一或第二發(fā)明中，灰度特性生成部具有表述內(nèi)容互不相同的多個變換表，并根據(jù)第一校正因素，選擇多個變換表中任一個作為參照對象。
在第一或第二發(fā)明中，像素驅(qū)動部也可以含有灰度校正部，其通過基于第二校正因素對變換數(shù)據(jù)進行校正，生成校正數(shù)據(jù)；和基于校正數(shù)據(jù)向像素供給數(shù)據(jù)信號的信號生成部。在此情況下，優(yōu)選灰度校正部通過變換數(shù)據(jù)和第二校正因素的邏輯運算，生成校正數(shù)據(jù)。而且，作為其他的構(gòu)成，像素驅(qū)動部也可以含有基于變換數(shù)據(jù)生成向像素供給的數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)信號生成部；數(shù)據(jù)信號生成部也可以基于第二校正因素對數(shù)據(jù)信號進行模擬校正。進一步，作為其他的構(gòu)成，像素驅(qū)動部還可以包含基于變換數(shù)據(jù)生成向像素供給的數(shù)據(jù)信號的信號生成部；以及驅(qū)動期間控制部，其基于第二校正因素、可變地控制對像素中包含的電光學(xué)元件的亮度進行設(shè)定的驅(qū)動期間。在這些構(gòu)成中，優(yōu)選在像素含有由自身流動的電流設(shè)定亮度的電光學(xué)元件的情況下，數(shù)據(jù)信號生成部以電流為基礎(chǔ)生成數(shù)據(jù)信號。
在第一或第二發(fā)明中，優(yōu)選第一校正因素含有電光學(xué)裝置的周圍照度變動、以及像素中包含的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動中的至少一個。此情況下，也可以設(shè)置檢測電光學(xué)裝置的周圍照度的照度檢測部，基于由照度檢測部檢測出的周圍照度，算出周圍照度變動。
在第一或第二發(fā)明中，優(yōu)選第二校正因素含有電光學(xué)裝置的周圍溫度變動、像素中包含的電光學(xué)元件的劣化變動、以及像素按矩陣狀排列的顯示部的顯示光斑中的至少一個。此情況下，也可以設(shè)置檢測電光學(xué)裝置的周圍溫度的溫度檢測部，基于由溫度檢測部檢測出的周圍溫度，算出周圍溫度變動。另外，也可以設(shè)置檢測像素中所包含的電光學(xué)元件的劣化程度的劣化程度檢測部，基于由劣化程度檢測部檢測出的劣化程度，算出劣化變動。還有，優(yōu)選在存在多個第二校正因素的情況下，像素驅(qū)動部含有基于多個第二校正因素算出校正值的校正值生成部，同時基于由校正值生成部算出的校正值，對像素進行驅(qū)動。該校正值生成部優(yōu)選根據(jù)多個第二校正因素的邏輯運算來算出校正值。
第三發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置，具有灰度特性生成部，其通過參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了至少一個第一校正因素的變換表，由規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)，生成具有將顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)；和基于變換數(shù)據(jù)來驅(qū)動像素的像素驅(qū)動部。
第四發(fā)明提供一種電子機器，其安裝有與上述第一至三發(fā)明中任一項相關(guān)的電光學(xué)裝置。
第五發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，具有第一步驟，其通過參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了至少一個第一校正因素的變換表，由規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)，生成具有將該顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，在采用與第一步驟不同種類的處理，通過由與第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在對變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行校正的基礎(chǔ)上，驅(qū)動像素。
在此，第五發(fā)明中，優(yōu)選第二步驟中包含以比第一步驟中的顯示數(shù)據(jù)的灰度特性的變形更具細微的水平來校正變換數(shù)據(jù)的灰度特性的步驟。
第六發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，具有第一步驟，其參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了至少一個第一校正因素的變換表，生成對規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)的灰度特性進行粗調(diào)整后的變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，其基于與第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，以比粗調(diào)整更細微的水平，對變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行微調(diào)整的基礎(chǔ)上，驅(qū)動像素。
在此，優(yōu)選第五或第六發(fā)明中，第一步驟包含在表述內(nèi)容互不相同的多個所述變換表中，根據(jù)第一校正因素選擇其中任一個作為參照對象的步驟。
在第五或第六發(fā)明中，優(yōu)選第二步驟包含通過基于第二校正因素校正變換數(shù)據(jù)來生成校正數(shù)據(jù)的步驟，以及基于校正數(shù)據(jù)生成向像素供給的數(shù)據(jù)信號的步驟。這里，生成校正數(shù)據(jù)的步驟也可以是通過變換數(shù)據(jù)和第二校正因素的邏輯運算來生成校正數(shù)據(jù)的步驟。另外，也可以代替該步驟，是基于變換數(shù)據(jù)生成向像素供給的數(shù)據(jù)信號的同時，基于第二校正因素對數(shù)據(jù)信號進行模擬校正的步驟。進一步，也可以代替上述步驟，包括基于變換數(shù)據(jù)生成向像素供給的數(shù)據(jù)信號的步驟，以及基于第二校正因素、可變地控制對包含在像素中的電光學(xué)元件的亮度進行設(shè)定的驅(qū)動期間的步驟。還有，優(yōu)選在像素含有通過自身的電流來設(shè)定亮度的電光學(xué)元件的情況下，生成數(shù)據(jù)信號的步驟是以電流為基礎(chǔ)生成數(shù)據(jù)信號的步驟。
優(yōu)選第五或第六發(fā)明中，第一校正因素含有電光學(xué)裝置的周圍照度變動、以及像素中含有的電子光學(xué)元件自發(fā)熱溫度變動中的至少一個。優(yōu)選在此情況下，周圍照度變動基于照度檢測部檢測出的電光學(xué)裝置的周圍照度而計算出來。
優(yōu)選第五或第六發(fā)明中，第二校正因素含有電光學(xué)裝置的周圍溫度變動、像素中含有的電光學(xué)元件的劣化變動、以及像素呈矩陣狀排列的顯示部中的顯示光斑中的至少一個。在此情況下，周圍溫度變動也可以基于溫度檢測部檢測出的電光學(xué)裝置的周圍溫度而計算出來。另外，劣化變動也可以根據(jù)劣化程度檢測部檢測出的像素中含有的電子光學(xué)元件的劣化程度而計算出來。進一步，優(yōu)選在存在多個的第二校正因素時，第二步驟含有基于多個第二校正因素計算校正值的步驟、和基于校正值進行像素的驅(qū)動的步驟。在此情況下，計算校正值的步驟也可以是根據(jù)多個第二校正因素的邏輯運算來算出校正值的步驟。
第七發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，具有第一步驟，其通過參照表述了輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映了包含在像素中的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動的變換表，根據(jù)規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)，生成具有將顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，其根據(jù)變換數(shù)據(jù)，驅(qū)動像素。


圖1為電光學(xué)裝置的構(gòu)成框圖。
圖2為像素的電路圖。
圖3為像素的驅(qū)動時序圖。
圖4為數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖。
圖5為表示周圍溫度Ta與周圍溫度變動ΔDta的關(guān)系的特性圖。
圖6為表示發(fā)熱溫度T1與自發(fā)熱溫度變動ΔDtl的關(guān)系的特性圖。
圖7為表示周圍照度Lx與周圍照度變動ΔDlx的關(guān)系的特性圖。
圖8為表示劣化程度d與劣化變動ΔDd的關(guān)系的特性圖。
圖9為表示光斑程度mura和顯示光斑ΔDmura的關(guān)系的特性圖。
圖10為灰度特性生成部的結(jié)構(gòu)圖。
圖11為變換表的說明圖。
圖12為變換數(shù)據(jù)的灰度特性圖。
圖13為伴隨有機EL元件發(fā)熱的灰度降低的說明圖。
圖14為與第一實施方式相關(guān)的電流DAC的結(jié)構(gòu)圖。
圖15為表示變換數(shù)據(jù)與校正數(shù)據(jù)的關(guān)系的圖。
圖16為灰度校正部中的數(shù)據(jù)校正的特性圖。
圖17為第一實施方式的概略特征的說明圖。
圖18為與第二實施方式相關(guān)的電流DAC的結(jié)構(gòu)圖。
圖19為第二實施方式的概略特征的說明圖。
圖20為第三實施方式的概略特征的說明圖。
圖21為與第三實施方式相關(guān)的像素的驅(qū)動時序圖。
圖22為與第三實施方式相關(guān)的像素的驅(qū)動時序圖。
圖中1-顯示部，2-像素，3-掃描線驅(qū)動電路，4-數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，5-照度檢測部，6-溫度檢測部，7-劣化程度檢測部，8-運算部，9-灰度特性生成部，10-驅(qū)動期間控制部，40-X移位寄存器，41-電路單元，42、44-開關(guān)組，43-第一鎖存電路，45-第二鎖存電路，46-電流DAC，46a-數(shù)據(jù)信號生成部，46b-校正值生成部，46c-灰度校正部，46d-驅(qū)動電壓校正部，OLED-有機EL元件，T1～T4-晶體管，SW-開關(guān)晶體管，DR、DR2-驅(qū)動晶體管，C-電容器。
具體實施例方式
第一實施方式圖1為本實施方式相關(guān)的電子光學(xué)裝置的構(gòu)成框圖。例如，顯示部1是通過TFT等驅(qū)動元件來驅(qū)動電子光學(xué)元件的有源矩陣型顯示面板。在該顯示部1中，m點×n線的像素2呈矩陣狀(二維平面)排列。另外，在顯示部1中，設(shè)有各自在水平方向上延伸的掃描線組Y1～Yn、和各自在垂直方向上延伸的數(shù)據(jù)線組X1～Xm，對應(yīng)于它們的交叉點配置有像素2。在本實施方式中，雖把一個像素2作為圖像的最小顯示單位，但也可像彩色面板那樣、以RGB三個子像素構(gòu)成一個像素2。另外，圖1中省略了向各個像素2供給規(guī)定的電壓Vdd和Vss的電源線等。
圖2為像素2的電路圖的一例。一個像素2由有機EL元件OLED、4個晶體管T1～T4、以及保持數(shù)據(jù)的電容器C構(gòu)成。被表記為二極管的有機EL元件OLED，是通過自身流動的驅(qū)動電流Ioled來設(shè)定亮度的典型的電流驅(qū)動型元件。在該像素電路中，采用n溝道型的晶體管T1、T2、T4、和p溝道型的晶體管T3，但這只不過是一個例子，也可以用與此不同的組合來設(shè)定溝道型。
晶體管T1的柵極與供給掃描信號SEL的一根掃描線Y相連接，其源極與供給數(shù)據(jù)電流Idata的一根數(shù)據(jù)線X相連接。該晶體管T1的漏極，與晶體管T2的源極、晶體管T3的漏極以及晶體管T4的漏極相共通連接。晶體管T2的柵極，與晶體管T1一樣，與供給掃描信號SEL的掃描線Y連接。晶體管T2的漏極，與電容器C的一方的電極和晶體管T3的柵極相共通連接。
在電容器C的另一方電極和晶體管T3的源極上，施加電源電壓Vdd。在彩色面板的情況下，該電源電壓Vdd大多會被分別對RGB設(shè)定為不同的值。其原因是，由于有機EL元件OLED的材料會隨RGB而不同，以適應(yīng)由此而引起的電特性的不同。
其柵極被供給了驅(qū)動信號GP的晶體管T4，設(shè)置在晶體管T3的漏極與有機EL元件OLED的陽極之間。在該有機EL元件OLED的陰極上施加比電源電壓Vdd更低的基準電壓Vss。另外，除電容器C以外，也可以用能夠記憶多位的數(shù)據(jù)的存儲器(SRAM等)作為保持數(shù)據(jù)的電路要素。
圖3為圖2所示的像素2的驅(qū)動時序圖。通過掃描線Y1～Yn的線順序掃描，假設(shè)某像素2的選擇的開始時刻為t0，假設(shè)該像素2的選擇的下一次開始的時刻為t2。該期間t0～t2分為前半編程期間t0～t1和后半驅(qū)動期間t1～t2。
在編程期間t0～t1，進行對電容器C的數(shù)據(jù)寫入。首先，在時刻t0，掃描信號SEL上升到高電平(以下稱為“H電平”)，作為開關(guān)元件發(fā)揮功能的晶體管T1、T2都接通(導(dǎo)通)。由此，數(shù)據(jù)線X與晶體管T3的漏極電連接的同時，晶體管T3變成自身的柵極與自身的漏極電連接的二極管連接。晶體管T3中，由數(shù)據(jù)線X供給的數(shù)據(jù)電流Idata在自身的溝道流動，與該數(shù)據(jù)電流Idata相對應(yīng)的電壓作為柵極電壓Vg而產(chǎn)生。與晶體管T3的柵極相連接的電容器C中，存儲與產(chǎn)生的柵極電壓Vg相應(yīng)的電荷，與存儲的電荷量相應(yīng)的數(shù)據(jù)被寫入。
在編程期間t0～t1，晶體管T3作為編程晶體管發(fā)揮作用，其根據(jù)在自身溝道流動的數(shù)據(jù)信號對電容器C進行數(shù)據(jù)寫入。而且，由于驅(qū)動信號GP被維持在低電平(以下稱“L電平”)，晶體管T4處于截止(非導(dǎo)通)狀態(tài)。因此，對有機EL元件OLED的驅(qū)動電流Ioled的路徑被晶體管T4截斷，有機EL元件OLED不發(fā)光。
在接著的驅(qū)動期間t1～t2，驅(qū)動電流Ioled在有機EL元件OLED流動，對有機EL元件OLED的亮度進行設(shè)定。首先，在時刻t1，掃描信號SEL下降至L電平，晶體管T1、T2都截止。由此，供給數(shù)據(jù)電流Idata的數(shù)據(jù)線X與晶體管T3的漏極電分離，晶體管T3的柵極與漏極之間也被電分離。在晶體管T3的柵極上持續(xù)施加對應(yīng)于電容器C的存儲電荷的柵極電壓Vg。與時刻t1的掃描信號SEL的下降同步(不限于同一時刻)，之前為L電平的驅(qū)動信號GP上升至H電平。由此形成從電源電壓Vdd到基準電壓Vss，經(jīng)由晶體管T3、T4和有機EL元件OLED的驅(qū)動電流Ioled的路徑。在有機EL元件OLED流動的驅(qū)動電流Ioled，相當于晶體管T3的溝道電流，其電流幅度是通過由電容器C的存儲電荷而引起的柵極電壓Vg來控制。
在驅(qū)動期間t1～t2，晶體管T3作為向有機EL元件OLED供給驅(qū)動電流Ioled的驅(qū)動晶體管發(fā)揮作用，而有機EL元件OLED以與該驅(qū)動電流Ioled相應(yīng)的亮度發(fā)光。
掃描線驅(qū)動電路3和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4，在圖中未示的控制電路的控制下，互相協(xié)作進行顯示部1的顯示控制。掃描線驅(qū)動電路3，以移位寄存器、輸出電路等為主體而構(gòu)成，通過向掃描線Y1～Yn輸出掃描信號SEL，進行以規(guī)定的選擇順序來依次選擇掃描線Y1～Yn的線順序掃描。掃描信號SEL采用H電平或L電平的2值的信號電平，并分別將對應(yīng)于數(shù)據(jù)寫入對象的像素行(1水平行的像素群)的掃描線Y設(shè)定成H電平，而此外的掃描線Y設(shè)定成L電平。然后，在1垂直掃描期間(1F)，按規(guī)定的選擇順序，各個像素行被依次選擇。另外，掃描線驅(qū)動電路3，除掃描信號SEL以外，也輸出如圖2所示的對晶體管T4進行導(dǎo)通控制的驅(qū)動信號GP(或其基極信號)。由該驅(qū)動信號GP，設(shè)定驅(qū)動期間、亦即對像素2中所包含的有機EL元件OLED的亮度進行設(shè)定的期間。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4，與由掃描線驅(qū)動電路3進行的線順序掃描同步，基于電流向各條數(shù)據(jù)線X1～Xm供給信號。圖4為數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4的結(jié)構(gòu)圖。該數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4由m位的X移位寄存器40及以數(shù)據(jù)線單位設(shè)置的m個電路單元41構(gòu)成。X移位寄存器40，將1水平掃描期間(1H)的最初被供給的啟動脈沖ST按照時鐘信號CLX傳送，將鎖存信號S1，S2，S3，…，Sm的電平，依次排他地設(shè)定為H電平。
m個電路單元41，同時進行在某個1H對將寫入數(shù)據(jù)的像素行的基于電流的信號的一起輸出、以及在下一個1H對與將進行寫入的像素行相關(guān)的數(shù)據(jù)的點順序鎖存。單一的電路單元41由開關(guān)組42、44、第一鎖存電路43、第二鎖存電路45以及電流DAC46構(gòu)成，其中開關(guān)組42、44是作為按數(shù)據(jù)Dcvt(D0～D5)的位單位而設(shè)置的6個開關(guān)的集合。與數(shù)據(jù)線X1～Xm對應(yīng)的各個電路單元41的動作，除由鎖存信號S1、S2、S3…Sm導(dǎo)致的數(shù)據(jù)D0～D5的讀入時刻不同的這一點外，其余都相同。即，最前段的開關(guān)組42，由于對應(yīng)的鎖存信號S變成H電平而接通。由此，在鎖存信號S規(guī)定的讀入時刻，6位數(shù)據(jù)D0～D5被讀入第一鎖存電路43。在鎖存脈沖LP變成H電平而開關(guān)組44接通的時刻，第一鎖存電路43中鎖存的數(shù)據(jù)D0～D5被向第二鎖存電路45傳送。與此同時，經(jīng)由開關(guān)組42，下一個1H中的數(shù)據(jù)D0～D5又被新鎖存于第一鎖存電路43中。
電流DAC46，對第二鎖存電路45中鎖存的6位的數(shù)據(jù)D0～D5進行D/A轉(zhuǎn)換，生成模擬信號的數(shù)據(jù)電流Idata，供給與此對應(yīng)的數(shù)據(jù)線X。電流DAC46作為下述的校正類電路一部分的像素驅(qū)動部發(fā)揮功能。為實現(xiàn)該功能還附加有必要的電路，關(guān)于其具體的電路結(jié)構(gòu)將在后面敘述。
還有，從幀存儲器等(圖中未示)直接對數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4按線順序輸入數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)也能應(yīng)用本發(fā)明，在此情況下，作為本發(fā)明的主體部份的動作也是同樣的。在如此結(jié)構(gòu)的情況下，沒有必要在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4中設(shè)置移位寄存器。
在本實施方式中，設(shè)置有由電路要素5～10和電流DAC46的附加電路構(gòu)成的校正類電路，通過此電路來統(tǒng)一進行與多個干擾因素相應(yīng)的校正。成為校正項目的干擾因素有5個，對各個干擾因素進行校正的校正因素為ΔDta、ΔDtl、ΔDlx、ΔDd、和ΔDmura。
周圍溫度變動ΔDta，是對電光學(xué)裝置的使用環(huán)境的溫度，即，對周圍溫度Ta的變動進行校正的校正因素。一般的，周圍溫度Ta一變動，有機EL元件OLED的驅(qū)動電壓和發(fā)光效率等也發(fā)生變動。因此，為在此溫度區(qū)域全體上實現(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化，優(yōu)選進行考慮了作為干擾因素的周圍溫度Ta的影響的校正。圖5是表示作為一個例子的周圍溫度Ta和周圍溫度變動ΔDta的關(guān)系的特性圖。鑒于有機EL元件OLED的溫度-亮度特性因RGB而不同，周圍溫度變動ΔDta按RGB而分別設(shè)置。對于B(藍色)，隨周圍溫度Ta的增加，周圍溫度變動ΔDta呈線性增加；而對于R(紅色)和G(綠色)，隨周圍溫度Ta的增加，周圍溫度變動ΔDta呈線性減少。
根據(jù)周圍溫度變動ΔDta的校正，通過作為電光學(xué)裝置的內(nèi)置傳感器而設(shè)置的溫度檢測部6檢測出顯示部1附近的周圍溫度Ta，而實時進行。運算部8，進行將由溫度檢測部6檢測出的周圍溫度Ta輸入后的運算處理，算出在像素2的灰度設(shè)定時應(yīng)該附加的校正值，將此作為周圍溫度變動ΔDta向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4輸出。該運算處理，認定進行例如參照圖5所示特性所表述的變換表，從輸入值Ta求出輸出值ΔDta的查表處理(Look UpTable處理)，但也可使用其他的處理方法。還有，鑒于周圍溫度Ta的影響是作用于顯示部1全體，該校正的單位是顯示部1全體。
作為溫度檢測部6，也可以如特開2002-98594號公報中公開的那樣，使用裝載溫度傳感器的半導(dǎo)體芯片，也能夠如特開2002-122838號公報中公開的那樣，利用在顯示部1的基板上形成的溫度檢測元件(對于PN接合的溫度的電壓變化進行檢測的元件)。
還有，從確保周圍溫度Ta的檢測精度的觀點來看，顯示部1的周圍溫度沒有偏差為好。因此，優(yōu)選使用冷卻風(fēng)扇、或者如特開平11-95872號公報或特開平11-251777號公報中所公開的高導(dǎo)熱材料等，更有效對從電光學(xué)裝置產(chǎn)生的熱進行散熱，使周圍的溫度均勻化。
自發(fā)熱溫度變動ΔDtl，是對伴隨有機EL元件OLED的發(fā)光的發(fā)熱溫度T1的變動進行校正的校正因素。一般地，有機EL元件OLED的發(fā)光亮度變得越高，有機EL元件OLED的發(fā)熱溫度也變高。因此，為了在此發(fā)熱溫度區(qū)域整體上實現(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化，優(yōu)選進行考慮了干擾因素發(fā)熱溫度T1的影響的校正。圖6是表示作為一個例子的發(fā)熱溫度T1和自發(fā)熱溫度變動ΔDtl的關(guān)系的特性圖。自發(fā)熱溫度變動ΔDtl，按RGB分別進行設(shè)置，其都隨著發(fā)熱溫度T1的升高呈非線性增加。
像素2的灰度與發(fā)熱溫度T1的關(guān)系，通過實驗和模擬等而預(yù)先得知。以此得知為前提，自發(fā)熱溫度變動ΔDtl，作為灰度特性生成部9具有的變換表的設(shè)定值而已被折合。即，變換表的表述內(nèi)容本身，變?yōu)榉从沉死缛鐖D6那樣的特性的內(nèi)容。在此情況下，為了進行根據(jù)自發(fā)熱溫度變動ΔDtl的校正，就沒有必要使用傳感器類了。而且，此校正單位基本上是每個像素，但在認定某像素2的發(fā)熱量也向周圍像素擴散的情況時，也可設(shè)為包含周圍像素的塊單位。
周圍照度變動ΔDlx是對電光學(xué)裝置的使用環(huán)境的明亮度，即對周圍照度Lx的變動進行校正的校正因素。一般地，依照外部光的程度，來改變在進行表觀良好的顯示上最合適的有機EL元件OLED的發(fā)光亮度。例如，在明亮的外部光下使用時，比通常顯示情況的發(fā)光亮度更明亮、高對比度化可使視認性提高。與此相對，在昏暗的室內(nèi)使用時，由于以通常的顯示狀態(tài)會過于明亮，所以稍微使發(fā)光亮度變暗可提高視認性。因此，為了在該照度區(qū)域全體上得到穩(wěn)定的視認性，優(yōu)選進行考慮了干擾因素周圍照度Lx的影響的校正。圖7是表示作為一例的周圍照度Lx和周圍照度變動ΔDlx的關(guān)系的特性圖。關(guān)于周圍照度變動ΔDlx，與其他的校正因素不同，對RGB共同設(shè)置，其隨周圍照度Lx的增加呈非線性增加。
對應(yīng)于周圍照度變動ΔDlx的校正，通過作為電光學(xué)裝置的內(nèi)置傳感器而設(shè)置的照度檢測部5檢測出顯示部1附近的周圍照度Lx，而實時進行。運算部8，進行將由照度檢測部5檢測出的周圍照度Lx輸入后的運算處理，算出在像素2的灰度設(shè)定時應(yīng)該附加的校正值，將此作為周圍照度變動ΔDlx向灰度特性生成部9輸出。該運算處理，認定進行例如參照如圖7所示特性所表述的變換表，從輸入值Lx求出輸出值ΔDlx的LUT處理，但也可使用其他的處理方法。還有，鑒于周圍照度Lx的影響是作用于顯示部1全體，該校正的單位是顯示部1全體。
作為照度檢測部5，也可以如特開2000-66624號公報中公開的那樣，使用檢測外部光的強度的照度傳感器。并且，從確保周圍照度Lx的檢測精度的觀點來看，為了不受顯示部1自發(fā)光的影響，優(yōu)選在顯示部1設(shè)置遮蔽自發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
劣化變動ΔDd，是對由有機EL元件OLED的劣化程度d產(chǎn)生的變動進行校正的校正因素。一般地，隨著有機EL元件OLED的劣化，有機EL元件OLED的驅(qū)動電壓和發(fā)光效率等逐漸降低。因此，為了實現(xiàn)時間軸區(qū)域全體的顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化，優(yōu)選進行考慮了作為干擾要素的劣化程度d的影響的校正。圖8是表示作為一個例子的劣化程度d和劣化變動ΔDd的關(guān)系的特性圖。鑒于劣化程度d因RGB而分別不同，劣化變動ΔDd也按RGB而分別產(chǎn)生，但其都隨劣化程度d的增加而呈線性增加。
根據(jù)劣化變動ΔDd的校正，通過作為電光學(xué)裝置的內(nèi)置傳感器而設(shè)置的劣化程度檢測部7檢測出劣化程度d，而實時進行。運算部8，進行將由劣化程度檢測部7檢測出的劣化程度d輸入后的運算處理，算出在像素2的灰度設(shè)定時應(yīng)該附加的校正值，將此作為劣化變動ΔDd向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4輸出。該運算處理，認定進行例如參照圖8所示特性所表述的變換表、從輸入值d求出輸出值ΔDd的LUT處理，但也可使用其他的處理方法。
作為劣化程度檢測部7，可以使用例如測量電光學(xué)裝置到目前為止的動作的累積時間的計時器、或者測量幀存儲器中目前為止累積的顯示數(shù)據(jù)的累積數(shù)的計數(shù)器等。在此情況下，校正單位是顯示部1全體。而且，也可用有機EL元件OLED的發(fā)光狀態(tài)基準來推定劣化程度d，來代替這種以時間軸基準來推定劣化程度d的方法。譬如，利用CCD傳感器或CMOS傳感器等亮度傳感器，以像素單位檢測出有機EL元件OLED的發(fā)光亮度，從相對于原本的亮度的實際亮度的降低部分來推定劣化程度d。此情況的校正單位是每個像素。
關(guān)于這種亮度傳感器的具體構(gòu)成，除在特開平9-237887號公報和特開平11-345957號公報中公開的之外，還可以在電光學(xué)裝置上設(shè)置能開閉的蓋子，在與顯示部1相向的蓋子內(nèi)面(相對面)上設(shè)置CCD傳感器。
顯示光斑ΔDmura是對由有機EL元件OLED的驅(qū)動電壓、發(fā)光效率、色度等的不同而造成的顯示部1的光斑程度mura進行校正的校正因素。圖9為表示作為一例的光斑程度mura和顯示光斑ΔDmura的關(guān)系的特性圖?？紤]到每個RGB特性的不同，顯示光斑ΔDmura也按RGB而分別設(shè)置，但其都隨光斑程度mura的發(fā)展呈線性增加。
對應(yīng)于顯示光斑ΔDmura的校正，通過由外接于電光學(xué)裝置的檢查裝置(圖中未示)來檢測光斑程度mura，在產(chǎn)品出廠前進行。運算部8，進行將由檢查裝置檢測的光斑程度mura輸入后的運算處理，算出在像素2的灰度設(shè)定時應(yīng)該附加的校正值，將此作為顯示光斑ΔDmura向數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路4輸出。該運算處理，認定進行例如參照如圖9所示特性所表述的變換表、從輸入值mura求出輸出值ΔDmura的LUT處理，但也可使用其他的處理方法。在以像素單位對光斑程度mura進行檢測的情況下，校正單位也是每個像素。
還有，對應(yīng)于顯示光斑ΔDmura的校正，在產(chǎn)品出廠前進行就足夠了，之后沒有必要再進行校正。但是，也能夠用上述亮度傳感器實時檢測光斑程度mura，來實時進行對應(yīng)于顯示光斑ΔDmura的校正。
圖10為說明灰度特性生成部9的結(jié)構(gòu)圖?；叶忍匦陨刹?，通過對輸入的顯示數(shù)據(jù)D的灰度特性進行粗調(diào)整，生成并輸出變換數(shù)據(jù)Dcvt。在此，進行使顯示數(shù)據(jù)D的灰度特性的形式本身變形為其他形式的數(shù)據(jù)變換，認定是伴有不易用邏輯運算等來對應(yīng)的比較大的變形的數(shù)據(jù)變換(粗調(diào)整)。因此，采用容易應(yīng)對如此的粗調(diào)整的LUT處理。顯示數(shù)據(jù)D是規(guī)定像素2的灰度的數(shù)字信號，一般地，是來自圖中未示的上位的幀存儲器的數(shù)據(jù)。該顯示數(shù)據(jù)D對于灰度多為線性值，但灰度特性生成部9具有將顯示數(shù)據(jù)D加工成非線性值的功能。因此，有必要準備比顯示數(shù)據(jù)D具有的位區(qū)域大的位區(qū)域，在本實施例中，對于4位的顯示數(shù)據(jù)D(D0～D3)，生成6位的變換數(shù)據(jù)Dcvt(D0～D5)。
灰度特性生成部9具有表述內(nèi)容相異的多個變換表LUT1～LUT4。圖11為變換表LUT1～LUT4的說明圖。
還有，圖12為由顯示數(shù)據(jù)D的數(shù)據(jù)變換而生成的變換數(shù)據(jù)Dcvt的灰度特性圖，橫軸、縱軸分別表示顯示數(shù)據(jù)D和變換數(shù)據(jù)Dcvt。各個變換表LUT1～LUT4表述了4位的顯示數(shù)據(jù)D(輸入值)和6位的變換數(shù)據(jù)Dcvt(輸出值)的對應(yīng)關(guān)系。與顯示數(shù)據(jù)D的灰度特性不同，變換數(shù)據(jù)Dcvt被設(shè)定為具有把顯示數(shù)據(jù)D的線性變形為非線性后的灰度特性，且隨著顯示數(shù)據(jù)D朝向高灰度方向，變換數(shù)據(jù)Dcvt呈非線性增加。
對應(yīng)于周圍照度變化ΔDlx的校正，是通過從變換表LUT1～LUT4中選擇其中任一項來實現(xiàn)的。在此，比較變換表LUT1～LUT4的特性，按LUT1、LUT2、LUT3、LUT4的順序，變換數(shù)據(jù)Dcvt的增加率也在變大。而且，對于同一顯示數(shù)據(jù)D的變換數(shù)據(jù)Dcvt，存在按此順序向高灰度方向位移的傾向；顯示數(shù)據(jù)D越變成高灰度，該傾向越變得明顯。這些變換表LUT1～LUT4的表述內(nèi)容中，反映了周圍照度變動ΔDlx的影響。
作為一個例子，在昏暗的室內(nèi)的第一使用狀況下，由運算部8指示ΔDlx＝0，選擇變換表LUT1。然后，根據(jù)該變換表LUT1的表述內(nèi)容，輸出與顯示數(shù)據(jù)D相對應(yīng)的變換數(shù)據(jù)Dcvt。例如，顯示數(shù)據(jù)D是“1000”(灰度8)的情況下，輸出“000010”(灰度2)的變換數(shù)據(jù)Dcvt。該數(shù)據(jù)變換，等價于對顯示數(shù)據(jù)D進行把原本的灰度大幅度降低的暗校正。另外，在比第一種使用情況些許明亮的第二種使用情況(例如，在明亮的室內(nèi)使用時)下，被指示ΔDlx＝1，選擇變換表LUT2。接著，輸出根據(jù)該變換表LUT2的表述內(nèi)容的變換數(shù)據(jù)Dcvt。例如，對于“1000”(灰度8)的顯示數(shù)據(jù)D，輸出“000110”(灰度6)的變換數(shù)據(jù)Dcvt。該數(shù)據(jù)變換，等價于對顯示數(shù)據(jù)D進行使灰度些許降低的暗校正。另外，在比第二種使用狀況還明亮的第三種使用狀況(例如，在陰天的室外使用時)下，變?yōu)棣lx＝2，選擇變換表LUT3作為參照對象。例如，對于“1000”(灰度8)的顯示數(shù)據(jù)D，輸出“001110”(灰度14)的變換數(shù)據(jù)Dcvt。該數(shù)據(jù)變換，等價于對顯示數(shù)據(jù)D進行使灰度些許提高的亮校正。另外，在比第三種使用狀況還明亮的第四種使用狀況(例如，在室外明亮的外部光下使用時)下，變?yōu)棣lx＝3，選擇變換表LUT4作為參照對象。例如，對于“1000”(灰度8)的顯示數(shù)據(jù)D，輸出“011000”(灰度24)的變換數(shù)據(jù)Dcvt。該數(shù)據(jù)變換，等價于對顯示數(shù)據(jù)D進行大幅度提高灰度的亮校正。
另一方面，在各個變換表LUT1～LUT4的表述內(nèi)容中，不僅反映周圍照度變動ΔDlx，而且反映自發(fā)熱溫度變動ΔDtl。眾所周知，一般地，發(fā)光的同時，有機EL元件OLED本身發(fā)熱，發(fā)光效率會降低。因此，如圖13所示，以實線表示的實際的灰度(外觀上的灰度特性)比以虛線表示的原本的灰度還低。所以，在預(yù)料到此灰度偏差的基礎(chǔ)上，設(shè)定變換表LUT1～LUT4的表述內(nèi)容。由此，校正了伴隨有機EL元件OLED的發(fā)熱的灰度偏差后的數(shù)據(jù)，作為變換數(shù)據(jù)Dcvt輸出。
圖14為與本實施方式相關(guān)的電流DAC46的結(jié)構(gòu)圖。該電流DAC46，含有以基于電流生成向像素2供給的數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)信號生成部46a作為主體、并追加了校正值生成部46b和灰度校正部46c的結(jié)構(gòu)。校正值生成部46b由進行比較簡單的加減乘除運算的運算電路構(gòu)成，其基于來自運算部8的3個校正因素ΔDta、ΔDd、和ΔDmura，生成校正值K(校正系數(shù)a、b的組合)作為綜合了3個因素的代表值。在該圖的結(jié)構(gòu)中，周圍溫度變動ΔDta的值成為校正系數(shù)a，劣化變動ΔDd與顯示光斑ΔDmura的相加值便成為校正系數(shù)b。另外，校正值K(a、b)的計算，認定為加減乘除的組合程度比較簡單的邏輯運算，但也可通過更復(fù)雜的邏輯運算來進行。
灰度校正部46c，基于校正值K(a、b)，對由灰度特性生成部9輸出的變換數(shù)據(jù)Dcvt進行規(guī)定的運算，輸出校正數(shù)據(jù)Damd。在此，不是使變換數(shù)據(jù)Dcvt的灰度特性大幅度變形，而是對全體灰度統(tǒng)一地進行規(guī)定的校正處理。該校正處理，認定為加減乘除的組合程度比較簡單的邏輯運算，但也可以是更復(fù)雜的邏輯運算。由此，在維持變換數(shù)據(jù)Dcvt的基本的灰度特性的同時，以比灰度特性生成部9中的灰度特性的變形更細微的水平，進行灰度特性校正的微調(diào)整。在本實施方式中，通過Damd＝a·Dcvt+b的線性運算，擴展6位的變換數(shù)據(jù)Dcvt，從而算出8位的校正數(shù)據(jù)Damd。圖15表示，作為一例，在a＝010和b＝110時變換數(shù)據(jù)Dcvt(輸入值)和校正數(shù)據(jù)Damd(輸出值)的關(guān)系。而且，圖16為灰度校正部46c中的數(shù)據(jù)校正的特性圖。
數(shù)據(jù)信號生成部46a設(shè)置于數(shù)據(jù)線X與基準電壓Vss之間，并具有校正數(shù)據(jù)Damd的位數(shù)個(即8個)的互相串聯(lián)的開關(guān)晶體管SW與驅(qū)動晶體管DR的配對。各個驅(qū)動晶體管DR作為溝道中流動根據(jù)各自的增益系數(shù)β的電流的恒流源而發(fā)揮功能，其柵極上被共同施加規(guī)定的驅(qū)動電壓Vbase。對應(yīng)于構(gòu)成校正數(shù)據(jù)Damd的8位的加權(quán)，這些驅(qū)動晶體管DR的增益系數(shù)β的比被設(shè)定成1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128。而且，8個開關(guān)晶體管SW的導(dǎo)通狀態(tài)與8位的校正數(shù)據(jù)Damd(D0～D7)的內(nèi)容相對應(yīng)而被設(shè)定，在對應(yīng)于導(dǎo)通的開關(guān)晶體管的驅(qū)動晶體管DR中，產(chǎn)生根據(jù)增益系數(shù)β的溝道電流。向數(shù)據(jù)線X供給的數(shù)據(jù)電流Idata是在各個驅(qū)動晶體管DR中流動的溝道電流的合計值。
這樣，根據(jù)本實施方式，可以綜合進行對應(yīng)于多個干擾因素的校正。如圖17所示，在本實施方式中，在由顯示數(shù)據(jù)D生成數(shù)據(jù)電流Idata的過程中，進行不同種類的2個校正處理。首先，在灰度特性生成部9，通過LUT處理，進行附加了2個校正因素ΔDlx和ΔDtl的校正，由顯示數(shù)據(jù)D生成變換數(shù)據(jù)Dcvt。通過該基于LUT處理的校正，有效減低周圍照度Lx和發(fā)熱溫度T1這2個干擾因素的影響，并輸出具有使顯示數(shù)據(jù)D的灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)Dcvt。另外，在構(gòu)成像素驅(qū)動部的一部分的灰度校正部46c，通過邏輯運算，進行附加了3個校正因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta的校正，由變換數(shù)據(jù)Dcvt生成校正數(shù)據(jù)Damd。通過該基于邏輯運算的校正，有效減低劣化程度d、光斑程度mura和周圍溫度Ta這3個干擾因素的影響，并輸出校正了變換數(shù)據(jù)的灰度特性的校正數(shù)據(jù)Damd。然后，在構(gòu)成像素驅(qū)動部的一部分的數(shù)據(jù)信號生成部46a，由校正數(shù)據(jù)Damd生成數(shù)據(jù)電流Idata，并基于此進行像素2的驅(qū)動。這樣，由于通過在綜合考慮了5個校正因素ΔDlx、ΔDtl、ΔDd、ΔDmura、和ΔDta的基礎(chǔ)上生成數(shù)據(jù)電流Idata，能有效減低多個干擾因素的影響，所以能夠?qū)崿F(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。
而且，根據(jù)本實施方式，通過并用由LUT處理進行的粗調(diào)整和由邏輯運算進行的微調(diào)整，可以快速進行有關(guān)顯示數(shù)據(jù)D的一系列的校正處理。一般地，LUT處理，其適合于使灰度特性大幅變形的粗調(diào)整，相反也存在隨著輸入數(shù)量的增大而變換表LUT的表述內(nèi)容變得膨大，容易導(dǎo)致處理速度降低的缺點。與此相反，邏輯運算，雖然不適合于粗調(diào)整，相反具有與輸入數(shù)量無關(guān)、能夠進行快速處理的優(yōu)點。因此，在本實施方式中，將應(yīng)對應(yīng)的校正因素分為與使灰度特性本身變形的粗調(diào)整相對應(yīng)的粗調(diào)整因素ΔDlx、ΔDtl，以及與比粗調(diào)整更細微水平的變形相對應(yīng)的微調(diào)整因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta。然后，關(guān)于前者，其與利用LUT處理的粗調(diào)整相對應(yīng)，而關(guān)于后者，其與利用邏輯運算、比粗調(diào)整更細微水平的微調(diào)整相對應(yīng)。由此，與所有的校正因素對應(yīng)于LUT處理的情況相比，能顯著減少變換表LUT的表述內(nèi)容。其結(jié)果，可以實現(xiàn)顯示數(shù)據(jù)D的一系列校正處理的高速化并能夠進行實時對應(yīng)。
還有，在本實施方式中，通過實驗和模擬，預(yù)先得到自發(fā)熱溫度變動ΔDtl的特性，并作成表述內(nèi)容中反映了該內(nèi)容的變換表LUT。然后，通過參照該變換表LUT，由顯示數(shù)據(jù)D生成變換數(shù)據(jù)Dcvt。由此，沒有必要用溫度傳感器等直接檢測有機EL元件OLED發(fā)光時的發(fā)熱溫度。其結(jié)果可以抑制顯示部1的電路規(guī)模的增大，而且也具有消除傳感器的檢測精度問題等的效果。
還有，在本實施方式中，是對于以周圍照度變動ΔDlx和自發(fā)熱溫度變動ΔDtl的雙方作為粗調(diào)整因素的例子進行說明的，但也可將其中至少一方作為粗調(diào)整因素。同樣，對以周圍溫度變動ΔDta、劣化變動ΔDd以及顯示光斑ΔDmura全部作為微調(diào)整因素的例子進行了說明，但也可將其中至少一方作為微調(diào)整因素。還有，本發(fā)明也能廣泛適用于考慮到如例所示的5個校正因素以外的因素的校正處理。
另外，在本實施方式中，設(shè)有校正值生成部46b，其綜合多個微調(diào)整因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta、計算出作為它們的代表值的校正值K。因此在只有一個微調(diào)整因素的情況下，也可不設(shè)置校正值生成部46b。
此外，本發(fā)明能夠適用的象素電路的構(gòu)成并不限于上述實施方式，也能廣泛地適用于包含例如在特表2002-51430號公報中公開的像素電路。另外，本發(fā)明的適用范圍不限于應(yīng)用于電流編程方式的像素電路，也同樣能夠適用于采用基于電壓向數(shù)據(jù)線X輸出數(shù)據(jù)的“電壓編程方式”的像素電路。
上述3種變形例也同樣適用于下述第二和第三實施方式。
第二實施方式圖18表示有關(guān)第二實施方式的電流DAC46的結(jié)構(gòu)圖。該電流DAC46含有以基于電流生成向像素2供給的數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)信號生成部46a作為主體、并追加了校正值生成部46b和驅(qū)動電壓校正部46d的結(jié)構(gòu)。與圖14的構(gòu)成例不同之處在于，數(shù)據(jù)信號生成部46a的結(jié)構(gòu)有些許不同、以及設(shè)有代替灰度校正部46c的驅(qū)動電壓校正部46d。除此以外，都與圖14的電路要素相同，所以標注相同符號并省略在此的說明。
數(shù)據(jù)信號生成部46a設(shè)置于數(shù)據(jù)線X與基準電壓Vss之間，并具有變換數(shù)據(jù)Dcvt的位數(shù)個(即6個)互相串聯(lián)的開關(guān)晶體管SW與驅(qū)動晶體管DR的配對。對應(yīng)于構(gòu)成變換數(shù)據(jù)Dcvt的6位的加權(quán)，6個驅(qū)動晶體管DR的增益系數(shù)β的比被設(shè)定成1∶2∶4∶8∶16∶32，其柵極上被共同施加第一驅(qū)動電壓Vbase1。而且，6個開關(guān)晶體管SW的導(dǎo)通狀態(tài)與由灰度特性生成部9的變換數(shù)據(jù)Dcvt(D0～D5)的內(nèi)容相對應(yīng)而設(shè)定，在對應(yīng)于導(dǎo)通的開關(guān)晶體管的驅(qū)動晶體管DR中，產(chǎn)生根據(jù)增益系數(shù)β的溝道電流。此外，在數(shù)據(jù)線X和基準電壓Vss之間，追加具有k·β(k是自然數(shù))的增益系數(shù)的驅(qū)動晶體管DR2，在該柵極上施加有第二驅(qū)動電壓Vbase2。
在驅(qū)動電壓校正部46d，基于從校正值生成部46b來的校正值K(a，b)，可變地設(shè)定第一驅(qū)動電壓Vbase1和第二驅(qū)動電壓Vbase2。
根據(jù)校正系數(shù)a設(shè)定第一驅(qū)動電壓Vbase1，該電壓隨校正系數(shù)a的增大而增大。根據(jù)校正系數(shù)b設(shè)定第二驅(qū)動電壓Vbase2，而該電壓隨校正系數(shù)b的增大而增大。驅(qū)動晶體管DR、DR2的溝道電流，被通過驅(qū)動電壓Vbase1、Vbase2進行微調(diào)整，由此對數(shù)據(jù)電流Idata進行模擬校正。
圖19為本實施方式的概略特征的說明圖。在本實施方式中，在從顯示數(shù)據(jù)D生成數(shù)據(jù)電流Idata的過程中，進行種類不同的2種校正處理。首先，在灰度特性生成部9，通過LUT處理，進行考慮了2個校正因素ΔDlx和ΔDtl的校正，由顯示數(shù)據(jù)D生成變換數(shù)據(jù)Dcvt。另外，在相當于像素驅(qū)動部的數(shù)據(jù)信號生成部46a，由變換數(shù)據(jù)Dcvt生成數(shù)據(jù)電流Idata。由于驅(qū)動晶體管DR、DR2與3個校正因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta相對應(yīng)而變化，進行對數(shù)據(jù)電流Idata的模擬微調(diào)整。像素2通過這樣被模擬校正的數(shù)據(jù)電流Idata來驅(qū)動。
這樣，通過在綜合考慮了5個校正因素ΔDlx、ΔDtl、ΔDd、ΔDmura、和ΔDta的基礎(chǔ)上生成數(shù)據(jù)電流Idata，可以減低多個干擾因素的影響，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。與此同時，通過并用由LUT處理進行的粗調(diào)整和由模擬處理進行的微調(diào)整，可以快速進行有關(guān)顯示數(shù)據(jù)D的一系列的校正處理。
第三實施方式圖20為第三種實施方式的概略特征的說明圖。在本實施方式中，通過灰度特性生成部9的LUT處理，進行考慮了2個校正因素ΔDlx和ΔDtl的校正，由顯示數(shù)據(jù)D生成變換數(shù)據(jù)Dcvt。構(gòu)成像素驅(qū)動部的一部分數(shù)據(jù)信號生成部46a，不考慮3個校正因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta，由變換數(shù)據(jù)Dcvt直接生成數(shù)據(jù)電流Idata，并將其經(jīng)由數(shù)據(jù)線X供給象素2。
另一方面，構(gòu)成像素驅(qū)動部的一部分的驅(qū)動期間控制部10，在考慮到3個校正因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta的基礎(chǔ)上，對圖2所示的像素2的驅(qū)動期間進行控制。圖21為作為一例的像素2的驅(qū)動時序圖。在掃描信號SEL的下降時刻t1和驅(qū)動信號GP的上升時刻之間，設(shè)定延遲時間Δt，通過校正值K(a、b)可變地控制該延遲時間Δt。由此，特定有機EL元件OLED發(fā)光的導(dǎo)通時間ton，決定有機EL元件OLED的亮度。圖22為作為另一例的像素2的驅(qū)動時序圖。在期間t1～t2中，將驅(qū)動信號GP設(shè)定成脈沖狀，并交替設(shè)定使像素2中所含的有機EL元件OLED發(fā)光的導(dǎo)通期間ton和不發(fā)光的截止期間toff。有機EL元件OLED的發(fā)光亮度是由期間t2～t3占據(jù)的導(dǎo)通期間ton的占空比來決定的。另外，也可以通過時間軸調(diào)制方式之一的子區(qū)段驅(qū)動對驅(qū)動期間進行控制。眾所周知，在子區(qū)段驅(qū)動中，利用通過分割規(guī)定的期間(例如1幀)而被規(guī)定的多個子區(qū)段，來進行像素的灰度顯示。
這樣，在本實施方式中，在考慮了2個校正因素ΔDlx、ΔDtl的基礎(chǔ)上生成數(shù)據(jù)電流Idata，同時在考慮了3個校正因素ΔDd、ΔDmura和ΔDta的基礎(chǔ)上可變地控制像素2的驅(qū)動時間。由此，與上述各實施方式相同，可以減低多個干擾因素的影響，能實現(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。與此同時，通過并用由LUT處理進行的粗調(diào)整和基于驅(qū)動時間進行的微調(diào)整，可以快速進行有關(guān)顯示數(shù)據(jù)D的一系列的校正處理。
還有，在上述各實施方式中，對使用有機EL元件OLED作為電光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)進行了說明。但本發(fā)明不僅限于此，對液晶(LC)、無機LED、數(shù)字微鏡裝置(DMD)、或者在采用由等離子體發(fā)光、電子發(fā)射產(chǎn)生的蛍光等的各種電光學(xué)元件也能夠廣泛適用。
還有，上述各實施方式相關(guān)的電光學(xué)裝置，能夠廣泛安裝于包括例如電視接收機、投影機、觀測儀、移動電話機、便攜式終端、便攜式游戲機、電子圖書、攝象機、數(shù)碼相機、汽車導(dǎo)航、汽車音響，移動式計算機、個人計算機、打印機、掃描儀、POS、錄像播放器、帶顯示功能的傳真裝置、電子向?qū)О?、工作機械或運輸車輛等的駕駛操作面板等的各種電子機器中。若在這些電子機器中安裝上述電光學(xué)裝置，可以進一步提高電子機器的商品價值，并可以實現(xiàn)提高市場中的電子機器的商品競爭力。
依據(jù)本發(fā)明，通過綜合進行與多個干擾因素相對應(yīng)的校正，可以實現(xiàn)電光學(xué)裝置的顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。與此同時，通過并用由LUT處理進行的粗調(diào)整和由與LUT處理不同的處理進行的微調(diào)整，能夠?qū)崿F(xiàn)校正處理的快速化。
權(quán)利要求
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有灰度特性生成部，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映至少一個第一校正因素的變換表，根據(jù)規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)，生成具有將所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的所述變換數(shù)據(jù)；和像素驅(qū)動部，其采用與所述灰度特性生成部不同種類的處理，由與所述第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在對所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行校正的基礎(chǔ)上，驅(qū)動所述像素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述像素驅(qū)動部，以比所述灰度特性生成部中的所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性的變形更細微的程度，校正所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性。
3.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有灰度特性生成部，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映至少一個第一校正因素的變換表，生成對規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性進行粗調(diào)整后的所述變換數(shù)據(jù)；和像素驅(qū)動部，其基于與所述第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在以比所述粗調(diào)整更細微的程度對所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行微調(diào)整的基礎(chǔ)上，驅(qū)動所述像素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述灰度特性生成部，具有在表述內(nèi)容上相互不同的多個所述變換表，根據(jù)所述第一校正因素，選擇所述多個變換表中的任一個作為參照對象。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述像素驅(qū)動部包括灰度校正部，其通過根據(jù)所述第二校正因素校正所述變換數(shù)據(jù)，生成校正數(shù)據(jù)；和數(shù)據(jù)信號生成部，根據(jù)所述校正數(shù)據(jù)，生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述灰度校正部，通過所述變換數(shù)據(jù)和所述第二校正因素之間的邏輯運算，生成所述校正數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述像素驅(qū)動部具有數(shù)據(jù)信號生成部，其根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)，生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號；該數(shù)據(jù)信號生成部根據(jù)所述第二校正因素對所述數(shù)據(jù)信號進行模擬校正。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述像素驅(qū)動部具有數(shù)據(jù)信號生成部，其根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)，生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號；和驅(qū)動期間控制部，其根據(jù)所述第二校正因素、可變控制對包含在所述像素中的電光學(xué)元件的亮度進行設(shè)定的驅(qū)動期間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述像素包含由自身流動的電流設(shè)定亮度的電光學(xué)元件，所述數(shù)據(jù)信號生成部以電流為基礎(chǔ)生成所述數(shù)據(jù)信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述第一校正因素包括所述電光學(xué)裝置的周圍照度變動、以及所述像素中包含的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動中的至少一個。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，進一步具有檢測所述電光學(xué)裝置的周圍照度的照度檢測部；所述周圍照度變動根據(jù)由所述照度檢測部所檢測出的所述周圍照度計算。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述第2校正因素包括所述電光學(xué)裝置的周圍溫度變動、在所述像素中包含的電光學(xué)元件的劣化變動、以及所述像素按矩陣狀排列的顯示部的顯示光斑中的至少一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，進一步具有檢測所述電光學(xué)裝置的周圍溫度的溫度檢測部；所述周圍溫度變動根據(jù)由所述溫度檢測部檢測出的所述周圍溫度計算。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，進一步具有劣化程度檢測部，其檢測在所述像素中所包含的電光學(xué)元件的劣化程度；所述劣化變動根據(jù)由所述劣化程度檢測部檢測出的所述劣化程度計算。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，在所述第二校正因素存在多個時，所述像素驅(qū)動部包含根據(jù)所述多個第二校正因素算出校正值的校正值生成部，同時根據(jù)由該校正值生成部算出的所述校正值，對所述像素進行驅(qū)動。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電光學(xué)裝置，其特征在于，所述校正值生成部，通過所述多個第二校正因素的邏輯運算，計算所述校正值。
17.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具有灰度特性生成部，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映包含在所述像素中的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動的變換表，根據(jù)規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)，生成具有將所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的所述變換數(shù)據(jù)；和像素驅(qū)動部，其根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)，驅(qū)動所述像素。
18.一種電子機器，其特征在于，安裝有權(quán)利要求1至17中任一項所述的電光學(xué)裝置。
19.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，具有第一步驟，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映至少一個第一校正因素的變換表，根據(jù)規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)，生成具有將所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的所述變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，其采用與所述第一步驟不同種類的處理，由與所述第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在對所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行校正的基礎(chǔ)上，驅(qū)動所述像素。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第二步驟包含以比所述第一步驟中的所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性的變形更細微的程度，校正所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性的步驟。
21.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，具有第一步驟，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映至少一個第一校正因素的變換表，生成對規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性進行粗調(diào)整后的所述變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，其基于與所述第一校正因素不同的至少一個第二校正因素，在用比所述粗調(diào)整更細微的程度對所述變換數(shù)據(jù)的灰度特性進行微調(diào)整的基礎(chǔ)上，驅(qū)動所述像素。
22.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一步驟包含從在表述內(nèi)容上相互不同的多個所述變換表中，根據(jù)所述第一校正因素，選擇任一個作為參照對象的步驟。
23.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第二步驟包括通過根據(jù)所述第二校正因素校正所述變換數(shù)據(jù)生成校正數(shù)據(jù)的步驟；和根據(jù)所述校正數(shù)據(jù)生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，在生成所述校正數(shù)據(jù)的步驟中，通過所述變換數(shù)據(jù)和所述第二校正因素之間的邏輯運算，生成所述校正數(shù)據(jù)。
25.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第二步驟包含根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號的步驟；在該步驟中，根據(jù)所述第二校正因素對所述數(shù)據(jù)信號進行模擬校正。
26.根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第二步驟具有根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)生成向所述像素供給的數(shù)據(jù)信號的步驟；和根據(jù)所述第二校正因素、可變控制包含在所述像素中的電光學(xué)元件的亮度進行設(shè)定的驅(qū)動期間的步驟。
27.根據(jù)權(quán)利要求23至26中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述像素包含由自身流動的電流設(shè)定亮度的電光學(xué)元件，生成所述數(shù)據(jù)信號的步驟是基于電流生成所述數(shù)據(jù)信號的步驟。
28.根據(jù)權(quán)利要求19至27中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第一校正因素包括所述電光學(xué)裝置的周圍照度變動、以及所述像素中包含的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動中的至少一個。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述周圍照度變動根據(jù)由照度檢測部檢測出的所述電光學(xué)裝置的周圍照度計算。
30.根據(jù)權(quán)利要求19至29中任一項所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述第2校正因素包括所述電光學(xué)裝置的周圍溫度變動、在所述像素中包含的電光學(xué)元件的劣化變動、以及所述像素按矩陣狀排列的顯示部的顯示光斑中的至少一個。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述周圍溫度變動根據(jù)由溫度檢測部檢測出的所述電光學(xué)裝置的周圍溫度計算。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，所述劣化變動根據(jù)由劣化程度檢測部檢測出的在所述像素中包含的電光學(xué)元件的劣化程度計算。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，在所述第二校正因素存在多個時，所述第二步驟包含根據(jù)所述多個第二校正因素算出校正值的步驟、和根據(jù)所述校正值對所述像素進行驅(qū)動的步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，在計算所述校正值的步驟中，通過所述多個第二校正因素的邏輯運算計算所述校正值。
35.一種電光學(xué)裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，具有第一步驟，其通過參照表述輸入的顯示數(shù)據(jù)和輸出的變換數(shù)據(jù)之間的對應(yīng)關(guān)系并在表述內(nèi)容中反映包含在所述像素中的電光學(xué)元件的自發(fā)熱溫度變動的變換表，根據(jù)規(guī)定像素的灰度的所述顯示數(shù)據(jù)，生成具有將所述顯示數(shù)據(jù)的灰度特性變形后的灰度特性的所述變換數(shù)據(jù)；和第二步驟，其根據(jù)所述變換數(shù)據(jù)，驅(qū)動所述像素。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電光學(xué)裝置，在灰度特性生成部(9)，通過參照在表述內(nèi)容中反映了校正因素(ΔDlx、ΔDtl)的變換表，由規(guī)定像素的灰度的顯示數(shù)據(jù)(D)，生成具有使該灰度特性變形后的灰度特性的變換數(shù)據(jù)(Dcvt)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路(4)采用與灰度特性生成部(9)不同種類的處理，根據(jù)校正因素(ΔDta、ΔDd、和ΔDmura)，在校正變換數(shù)據(jù)(Dcvt)的灰度特性的基礎(chǔ)上驅(qū)動像素(2)。這樣，通過對多個干擾因素進行校正處理，實現(xiàn)顯示質(zhì)量的穩(wěn)定化。
文檔編號G09G3/32GK1573875SQ20041004
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月28日
發(fā)明者河西利幸, 今村陽一 申請人:精工愛普生株式會社