專(zhuān)利名稱(chēng)：電流驅(qū)動(dòng)裝置及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流驅(qū)動(dòng)裝置，特別涉及一種非常適合作有機(jī)電發(fā)光(Electroluminescence)面板等的顯示用驅(qū)動(dòng)器的電流驅(qū)動(dòng)裝置的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，有機(jī)電發(fā)光顯示面板等平面面板顯示器，正不斷地朝著大型化、高精細(xì)化、薄型化、輕量化及低成本化發(fā)展。一般情況下，喜歡用有源矩陣方式來(lái)作大型、高精細(xì)顯示面板的驅(qū)動(dòng)方式。下面，對(duì)現(xiàn)有的有源矩陣型顯示面板的顯示用驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行說(shuō)明。
圖20為一電路圖，示出了顯示面板、接在顯示面板上的顯示用驅(qū)動(dòng)器即現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)。這里，顯示面板為有機(jī)電發(fā)光面板。
如該圖所示，現(xiàn)有的電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括將驅(qū)動(dòng)電流提供給設(shè)在顯示面板上的多個(gè)像素電路1005a1、1005a2、…1005an(以下在不區(qū)分每一個(gè)像素電路的時(shí)候便統(tǒng)稱(chēng)其為像素電路1005a)中的每一個(gè)像素電路的電流供給部1001a1、1001a2、…1001an(以下在不區(qū)分每一個(gè)電流供給部的時(shí)候便統(tǒng)稱(chēng)其為電流供給部1001a)、將基準(zhǔn)電流提供給每一個(gè)電流供給部1001a的基準(zhǔn)電流供給部(偏流電路)1101。需提一下，在該說(shuō)明書(shū)中“基準(zhǔn)電流”除了表示從基準(zhǔn)電流源流出的一定值的電流外，還表示來(lái)自基準(zhǔn)電流源的電流由電流鏡電路傳遞后的電流。
在為電視用顯示裝置等顯示面板的尺寸較大的情況下，多數(shù)電流供給部1001a是分開(kāi)設(shè)在多個(gè)半導(dǎo)體芯片1105上的。這些半導(dǎo)體芯片1105經(jīng)常設(shè)在顯示面板的框上。
像素電路1005a1、1005a2、…1005an中的每一個(gè)像素電路，都包括通過(guò)信號(hào)線(xiàn)接在電流供給部1001a上的P溝道型第一薄膜晶體管(TFTThin Film Transistor)1104、與第一薄膜晶體管1104構(gòu)成電流鏡電路的第二薄膜晶體管1102、以及根據(jù)由第二薄膜晶體管1102提供的電流發(fā)光的有機(jī)電發(fā)光元件1103。
基準(zhǔn)電流供給部1101，包括一端接收電源電壓的P溝道型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1108、接在第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1108上用以產(chǎn)生基準(zhǔn)電流的電阻1107、與第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1108構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1109、接在第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1109上用以將基準(zhǔn)電流傳遞給電流供給部1001a的N溝道型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1110。
在控制m位灰階的情況下，每一個(gè)電流供給部1001a，都擁有并列著布置在接在像素電路1005a中的輸出部的電流源1112-1、1112-2、…、1112-m(m為正整數(shù))、控制電流流過(guò)/不流過(guò)電流源1112-1、1112-2、…、1112-m中的每一個(gè)電流源的開(kāi)關(guān)1115-1、1115-2、…、1115-m。這里，每一個(gè)電流源1112-1、1112-2、…、1112-m由與電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1110構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成。每一個(gè)開(kāi)關(guān)1115-1、1115-2、…、1115-m根據(jù)顯示數(shù)據(jù)獨(dú)立地進(jìn)行開(kāi)、關(guān)操作。
圖23示出了現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置中電流供給部的電路布置及電路結(jié)構(gòu)。這里，示出的是每一個(gè)中設(shè)置6個(gè)電流源、64灰階用電流供給部。電流源1112-1、1112-2、…、1112-6中分別設(shè)置了1個(gè)、2個(gè)、…、32個(gè)尺寸及特性相同的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的平面布置情況，如圖23中的上半部分所示，連接時(shí)保證相鄰的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管接在同一個(gè)輸出部上。
按照上述結(jié)構(gòu)，電流供給部1001a實(shí)質(zhì)上起電流加法型D/A變換器的作用，接收顯示數(shù)據(jù)作數(shù)字信號(hào)，從輸出部吸入其大小對(duì)應(yīng)于那一顯示數(shù)據(jù)的電流作模擬信號(hào)。
眾所周知，有機(jī)電發(fā)光元件與二極管一樣具有整流性，根據(jù)通電的電流量改變其亮度。在像素電路1005a中流過(guò)有機(jī)電發(fā)光元件1103的電流量根據(jù)流過(guò)薄膜晶體管1104的電流量而變化。因此，有機(jī)電發(fā)光元件1103由電流供給部1001a進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)，而改變其亮度。
如上所述，電流驅(qū)動(dòng)裝置根據(jù)顯示數(shù)據(jù)電流驅(qū)動(dòng)顯示面板中的多個(gè)像素電路1005a，而實(shí)現(xiàn)灰階顯示(例如參考特開(kāi)平11-88072號(hào)公報(bào)，特開(kāi)平11-340765號(hào)公報(bào))。
日本國(guó)公開(kāi)特許公報(bào)特開(kāi)2000-276108然而，在具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置中，在圖像的顯示過(guò)程中會(huì)看到顯示不一致性(nonuniformity)等圖像顯示失真。其原因如下所述。
首先，認(rèn)為出現(xiàn)了所謂的交叉串?dāng)_現(xiàn)象，即由于來(lái)自顯示面板的電荷注入、瞬時(shí)的偏壓變動(dòng)等引起的顯示失真。下面對(duì)它加以說(shuō)明。
圖21(a)為顯示面板上的黑白顯示之例的圖；圖21(b)為顯示布置在圖21(a)所示的顯示面板的XXIb-XXIb線(xiàn)上的像素電路、接在該像素電路上的現(xiàn)有電流供給部的電路圖；圖21(c)為示出了黑顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖；圖21(d)為示出了白顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。而且，圖22(a)和圖21(a)一樣，圖22(a)為顯示面板上的黑白顯示之例的圖；圖22(b)為顯示布置在顯示面板的XXIIb-XXIIb線(xiàn)上的像素電路、接在該像素電路上的現(xiàn)有電流供給部的電路圖；圖21(c)為示出了從黑顯示切換到白顯示的情況下的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖；圖21(d)為示出了連續(xù)進(jìn)行白顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。
如圖21(b)所示，在現(xiàn)有的顯示裝置進(jìn)行黑顯示的情況下，電流供給部1001a內(nèi)的開(kāi)關(guān)1115-1、1115-2、…、1115-m全都斷開(kāi)，而進(jìn)行白顯示時(shí)，電流供給部1001a內(nèi)的開(kāi)關(guān)1115-1、1115-2、…、1115-m則全都閉合。
此時(shí)，在進(jìn)行黑顯示的像素電路1005a1、接在該像素電路1005a1上的信號(hào)線(xiàn)等上產(chǎn)生的寄生電容1220a1由電源充電，第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1104及第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1102的柵極電壓例如上升到4V左右。如圖21(c)所示，這時(shí)的第一薄膜晶體管1104及第二薄膜晶體管1102的工作點(diǎn)成為電流供給部1001a的IV特性曲線(xiàn)及薄膜晶體管的IV特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)。
另一方面，在進(jìn)行白顯示時(shí)，因?yàn)殡姾杀浑娏鞴┙o部1001a吸走了，故由在像素電路1005an、接在該像素電路1005a上的信號(hào)線(xiàn)等上所產(chǎn)生的寄生電容1220an所保持的電荷比黑顯示時(shí)的少。因此，第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1104和第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1102的柵極電壓例如達(dá)到2V左右，如圖21(d)所示，第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1104和第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1102的工作點(diǎn)比進(jìn)行黑顯示時(shí)更靠近低電壓一側(cè)。這些薄膜晶體管的工作點(diǎn)電壓隨著薄膜晶體管的通態(tài)電阻、電流供給部1001a所吸入的電流的大小而變化。
而且，在圖22(b)中，示出了在從黑顯示切換到白顯示時(shí)的像素電路和電流供給部、以及繼續(xù)進(jìn)行白顯示時(shí)的像素電路和電流供給部。若從黑顯示切換到白顯示，則電流供給部1001a1的開(kāi)關(guān)1115-1、1115-2、…、1115-6便全部閉合，最大量的電流從面板一側(cè)流入。這樣一來(lái)，像素電路1005a1中的有機(jī)電發(fā)光元件1103便發(fā)出最大亮度的光。
此時(shí)，累積在寄生電容1220a1中的電荷便通過(guò)信號(hào)線(xiàn)注入電流供給部1001a1中。
當(dāng)所注入的電荷量較少時(shí)，電荷便通過(guò)電流源1112-1、1112-2、…、1112-6溜到地面。但是，因?yàn)橄袼仉娐?005a1在這之前為黑顯示，所以寄生電容1220a1被充電到接近電源電壓。因此，電流供給部1001a1和像素電路1005a1電氣連接的瞬間，電流源1112-1、1112-2、…、1112-6的各個(gè)漏極上就加上了接近電源電壓的電壓，通過(guò)存在于柵極-漏極間的寄生電容Cgd，偏壓線(xiàn)1050的電位一時(shí)得以提高。圖22(b)所示的波形1051示出了產(chǎn)生在偏壓線(xiàn)1050上的電壓變動(dòng)。
因?yàn)槠渌碾娏鞴┙o部1001a內(nèi)的電流源的柵極也接在偏壓線(xiàn)1050上，所以若偏壓線(xiàn)1050上產(chǎn)生如波形1051那樣的電壓變化，流過(guò)電流供給部1001a的電流量便一時(shí)地變多。結(jié)果是，如圖22(d)中的虛線(xiàn)所示，電流供給部1001an一時(shí)成為過(guò)剩驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。
若偏壓線(xiàn)1050的電壓集中在顯示數(shù)據(jù)的寫(xiě)入期間內(nèi)發(fā)生變化，則電流供給部1001a便回到規(guī)定的驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，進(jìn)行正常的顯示。但在偏壓線(xiàn)1050的電壓不集中在顯示數(shù)據(jù)的寫(xiě)入期間內(nèi)變動(dòng)的情況下，到下一個(gè)幀為止電流供給部1001a持續(xù)著過(guò)剩驅(qū)動(dòng)狀態(tài)，所以像素電路1005a便產(chǎn)生人眼看到亮線(xiàn)這樣的交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
與上述相反，在從白顯示切換到黑顯示時(shí)的偏壓線(xiàn)1050中，出現(xiàn)一時(shí)的電壓陷落。由此而產(chǎn)生了人眼識(shí)別出了亮度已減弱的暗線(xiàn)這樣的交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
然而，當(dāng)為用于手提電話(huà)的小型面板的情況下，寄生電容1220a為幾pF～幾十pF；若為大型面板，則有寄生電容1220a成為100pF以上的時(shí)候。因此，若顯示面板大型化，交叉串?dāng)_顯示就更加明顯。特別是，用于有機(jī)電發(fā)光面板的電流驅(qū)動(dòng)裝置，是在幾十nA左右的極其微小的電流下驅(qū)動(dòng)像素電路，所以容易產(chǎn)生交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
需提一下，引起圖像顯示失真的并不僅是所述交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
近年來(lái)，顯示面板的大畫(huà)面化又向前邁了一步，伴隨著它而出現(xiàn)了顯示裝置用驅(qū)動(dòng)LSI的長(zhǎng)度(長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度)達(dá)到10mm～20mm的時(shí)候。在這一情況下，在設(shè)有現(xiàn)有的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片中，在不靠在一起的輸出端子之間出現(xiàn)了輸出電壓的偏差，這恐怕會(huì)導(dǎo)致在顯示圖像中出現(xiàn)了明暗部等而引起圖像質(zhì)量的下降。
本案發(fā)明人對(duì)在顯示裝置用驅(qū)動(dòng)LSI(半導(dǎo)體芯片)的輸出端子之間輸出電壓出現(xiàn)偏差的原因進(jìn)行了調(diào)查，得知分配給構(gòu)成半導(dǎo)體芯片上的電流源1112(參考圖20)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流出現(xiàn)了偏差。從一開(kāi)始，電流鏡電路就是在以構(gòu)成它的晶體管的擴(kuò)散條件相同、從統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)上看閾值電壓Vt、載流子遷移率也沒(méi)有差別為前提的。除此以外，是根據(jù)晶體管的尺寸比來(lái)分配電流的。然而，可以這樣認(rèn)為若顯示裝置用驅(qū)動(dòng)LSI的芯片的長(zhǎng)度從10mm加長(zhǎng)到20mm，含在晶體管中的雜質(zhì)的擴(kuò)散就變得難以均勻了。另外，若晶體管的位置不同，就會(huì)出現(xiàn)蝕刻偏差等由于制造工序帶來(lái)的顯示上的偏差。結(jié)果是，成為電流鏡電路的晶體管的閾值也有了偏差。若晶體管的閾值有了偏差，則在施加同一個(gè)柵極電壓的情況下，就會(huì)在輸出電流中產(chǎn)生誤差。通常情況下，擴(kuò)散的變動(dòng)是針對(duì)晶片面逐漸地傾斜的。因此，在由一定的顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行均勻顯示的情況下，也會(huì)在顯示面板上出現(xiàn)從明到暗的濃淡差(gradation)。
在具有如上所述的大畫(huà)面顯示面板的顯示裝置中，使用了多個(gè)設(shè)有包括電流供給部的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片。在這一情況下，從不同的半導(dǎo)體芯片上的電流驅(qū)動(dòng)裝置輸出的電流值有偏差。在顯示裝置中，相鄰布置著的半導(dǎo)體芯片的擴(kuò)散條件等制造條件不同的時(shí)候很多。因此，構(gòu)成電流供給部1001a1的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性就出現(xiàn)很大的偏差，人眼便很容易辨別出每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的顯示不一致性。
這樣一來(lái)，電流供給部1001a的每一個(gè)輸出部的偏差、半導(dǎo)體芯片的特性偏差，也和交叉串?dāng)_現(xiàn)象一樣使圖像顯示失真。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于通過(guò)設(shè)法解決上述各種不良現(xiàn)象，而提供一種能夠抑制圖像顯示失真的電流驅(qū)動(dòng)裝置。
本發(fā)明的第一電流驅(qū)動(dòng)裝置，其為一設(shè)在半導(dǎo)體芯片上的電流驅(qū)動(dòng)裝置。其包括自讓基準(zhǔn)電流流動(dòng)的基準(zhǔn)電流源傳遞所述基準(zhǔn)電流的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路而讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；接在所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的第二導(dǎo)電型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、和用以輸出對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部；與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上，用以輸出從所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳來(lái)的電流的基準(zhǔn)電流輸出端子。
這樣一來(lái)，在排列著多個(gè)本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片驅(qū)動(dòng)大畫(huà)面顯示面板的情況下，因?yàn)檎`差很小的電流就作為基準(zhǔn)電流傳遞給下一級(jí)半導(dǎo)體芯片，所以與現(xiàn)有的電流驅(qū)動(dòng)電流相比，能夠減少每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流的偏差。結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示不一致性、顯示失真得以控制的大畫(huà)面或者高精細(xì)的顯示裝置。
因?yàn)槿羲龌鶞?zhǔn)電流輸出端子設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在100μm以?xún)?nèi)的區(qū)域上，就能夠進(jìn)一步減少傳遞給下一級(jí)的半導(dǎo)體芯片的電流的誤差。所以這是很理想的。
所述基準(zhǔn)電流源在所述半導(dǎo)體芯片的外部；在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上，還設(shè)有接在所述基準(zhǔn)電流源上、用以將電流傳遞給所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一基準(zhǔn)電流輸入端子。這樣一來(lái)，在將半導(dǎo)體芯片級(jí)連起來(lái)的情況下，就能在誤差很小的狀態(tài)下將從前一級(jí)半導(dǎo)體芯片輸出的基準(zhǔn)電流傳遞給電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。結(jié)果是，在用于顯示裝置的情況下，便能降低每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中所產(chǎn)生的顯示不一致性。
通過(guò)進(jìn)一步包括接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極上、設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上的第一基準(zhǔn)電流輸入端子；接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極上、由第二導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的輸入一側(cè)電流鏡電路；接在所述輸入一側(cè)電流鏡電路上、設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上的第二基準(zhǔn)電流輸入端子；以及設(shè)在從所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管到所述基準(zhǔn)電流輸出端子的電流傳遞通路上、由第一導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的輸出一側(cè)電流鏡電路，便能排列著一種半導(dǎo)體芯片來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示面板上的像素電路，所以與使用多種半導(dǎo)體芯片的情況相比，能夠減少顯示裝置的制造成本。
針對(duì)一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片，設(shè)置多組由所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的對(duì)。在這種情況下，因?yàn)榕c現(xiàn)有技術(shù)相比能夠接在一個(gè)電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的個(gè)數(shù)，所以能迅速地將電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變化集中起來(lái)。結(jié)果是，若用本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置，就能抑制每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的顯示不一致性，同時(shí)還能抑制交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
在所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間，還設(shè)置了進(jìn)行切換而做到在給定的每一個(gè)期間將所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管連接到不同的所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的連接切換元件。在這一情況下，能將電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差平均化，所以能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)一步抑制了顯示不一致性的顯示裝置。
在所述半導(dǎo)體芯片上，一列一列地排列著所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集合起來(lái)而設(shè)在其上的多個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部，都具有布置在至少兩個(gè)所述MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這樣做以后，就能將電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差平均化，故能夠?qū)崿F(xiàn)人眼難以識(shí)別的顯示不一致性、顯示質(zhì)量又高的顯示裝置。
所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極接在共同的偏壓線(xiàn)上；還在所述偏壓線(xiàn)上、相鄰的所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極之間設(shè)了電阻元件。這樣做一來(lái)，就能夠根據(jù)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值特性的偏差來(lái)讓加在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的柵極電壓傾斜，所以能夠減少分配給每一個(gè)電流供給部的基準(zhǔn)電流的偏差。
本發(fā)明的第二電流驅(qū)動(dòng)裝置，其包括驅(qū)動(dòng)時(shí)基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路并用以讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、其漏極上連接著所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、以及每一個(gè)電流供給部都具有與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上并用以使根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、連接在所述開(kāi)關(guān)上并將對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的電流輸出到顯示面板的輸出端子的多個(gè)電流供給部，其設(shè)在半導(dǎo)體芯片上。給一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置多組由所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的對(duì)；還包括連接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極及所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極上的共同的偏壓線(xiàn)。
這樣一來(lái)，因?yàn)榕c現(xiàn)有技術(shù)相比能夠減少接在一個(gè)電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的個(gè)數(shù)，所以能夠迅速地將電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變化集中起來(lái)。結(jié)果是，若用本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置，就能抑制交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。從而能夠?qū)崿F(xiàn)大畫(huà)面或者具有高精細(xì)的顯示面板的顯示裝置。
所述多個(gè)電流供給部?jī)?nèi)的所有的所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與所有的所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極相互連接起來(lái)。在這種情況下，就能夠根據(jù)閾值特性的偏差來(lái)讓加在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的柵極電壓傾斜，所以能夠抑制每一個(gè)輸出端子的輸出電流的偏差。
所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部設(shè)在所述開(kāi)關(guān)和所述輸出端子之間；每一個(gè)電流供給部具有驅(qū)動(dòng)時(shí)小于等于所述顯示面板的電源電壓的電壓加在柵極上而成為導(dǎo)通狀態(tài)的第二導(dǎo)電型第一漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這樣一來(lái)，在將本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用到顯示裝置的情況下，若第一漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N溝道型，就能防止顯示切換時(shí)從顯示面板將高電壓加在電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上。結(jié)果是，能夠抑制交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
所述開(kāi)關(guān)，為與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成漏極連接，根據(jù)給定的電壓是否加在驅(qū)動(dòng)時(shí)的柵極上而被控制為導(dǎo)通或者截止的第二漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這時(shí)若為輸出端子接在顯示面板的情況，也能限制從顯示面板加在第二漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的高壓，所以能夠抑制交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。特別是，若使開(kāi)關(guān)為電壓限制用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，就能使電路面積比另外設(shè)置電壓限制用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)的小。
在所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間，還設(shè)置了進(jìn)行切換而做到在給定的每一個(gè)期間將所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管連接在不同的所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的連接切換元件。這樣一來(lái)，由電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分配的基準(zhǔn)電流就被切換并被輸出，故能夠?qū)㈦娏鞣峙溆肕IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差平均化。
特別是，最好是，所述連接切換元件，包括第一偏流切換開(kāi)關(guān)和第二偏流切換開(kāi)關(guān)。
在所述半導(dǎo)體芯片上，進(jìn)一步設(shè)有驅(qū)動(dòng)時(shí)一時(shí)地接在所述第一偏流切換開(kāi)關(guān)上的第一端子和驅(qū)動(dòng)時(shí)一時(shí)地接在所述第二偏流切換開(kāi)關(guān)上的第二端子。這樣一來(lái)，可以通過(guò)切換，做到在設(shè)置多個(gè)半導(dǎo)體芯片驅(qū)動(dòng)顯示面板的情況下，從相鄰半導(dǎo)體芯片的輸出端子通過(guò)第一端子和第二端子將由電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分配的電流輸出。結(jié)果是，不僅能夠?qū)雽?dǎo)體芯片內(nèi)的電流驅(qū)動(dòng)裝置的輸出電流的偏差平均化，還能將設(shè)在相鄰的半導(dǎo)體芯片上的電流驅(qū)動(dòng)裝置的輸出電流的偏差平均化。
本發(fā)明的第三電流驅(qū)動(dòng)裝置，進(jìn)一步包括與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及用以將所述虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管暫時(shí)連接起來(lái)的虛設(shè)連接切換元件。這樣一來(lái)，能夠通過(guò)控制而依次切換例如在相鄰的電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間連接的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，故能夠很容易地將來(lái)自輸出端子的輸出電流均勻化。
在所述半導(dǎo)體芯片上，一列一列地排列著所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集合起來(lái)而設(shè)在其上的多個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部，都具有布置在至少兩個(gè)所述MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這樣一來(lái)，因?yàn)槟軌驅(qū)㈦娏鞣峙溆肕IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差平均化，所以能夠減少輸出端子間的輸出電流的誤差。特別是，因?yàn)椴挥迷O(shè)置新的元件，只要任意改變布線(xiàn)結(jié)構(gòu)就行了，所以能夠抑制電路面積的增加。
還在所述偏壓線(xiàn)上、相鄰的所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極之間設(shè)了電阻元件。這樣一來(lái)，就能夠根據(jù)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值的偏差來(lái)讓加在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的柵極電壓傾斜。
本發(fā)明的第四電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)第一基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；驅(qū)動(dòng)時(shí)第二基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都包括與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)上并進(jìn)行切換而讓根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、分別設(shè)在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述開(kāi)關(guān)之間并與所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、以及接在所述開(kāi)關(guān)上用以輸出對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部。該電流供給部設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片上。
這樣一來(lái)，因?yàn)閬?lái)自輸出端子的輸出電流為應(yīng)該流過(guò)電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流和應(yīng)該流過(guò)漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的平均值，所以能夠抵消電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差和漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差。結(jié)果是，能夠減少來(lái)自輸出端子的輸出電流的偏差。
本發(fā)明的第五電流驅(qū)動(dòng)裝置，其為一種設(shè)在半導(dǎo)體芯片上的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其包括用以輸入第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸入端子；傳遞在第一期間流過(guò)所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子的電流的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有在所述第一期間與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、和輸出對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部；在所述第一期間與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；傳遞在所述第一期間流過(guò)所述第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子；用以輸入第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子；傳遞在第二期間流過(guò)所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子的電流、且與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述第二期間內(nèi)與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；傳遞在所述第二期間流過(guò)所述第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子；設(shè)在所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路上的第一開(kāi)關(guān)；設(shè)在所述第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路上的第二開(kāi)關(guān)；設(shè)在所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路上的第三開(kāi)關(guān)；以及設(shè)在所述第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路上的第四開(kāi)關(guān)。
這樣一來(lái)，在第一期間，讓第一、第二開(kāi)關(guān)同時(shí)閉合；在第二期間讓第三、第四開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。這樣一來(lái)，就能將用第一基準(zhǔn)電流驅(qū)動(dòng)的情況和用第二基準(zhǔn)電流驅(qū)動(dòng)的情況進(jìn)行切換。結(jié)果是，能夠抑制來(lái)自電流供給部的輸出電流的偏差，而實(shí)現(xiàn)均勻的顯示。
本發(fā)明的第一顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和設(shè)在一列一列地布置著的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中并將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置。所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片，都擁有設(shè)在其邊上并用以輸入基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流輸入端子和設(shè)在其邊上用以輸出下一級(jí)半導(dǎo)體芯片用基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流輸出端子；所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中相鄰半導(dǎo)體芯片中的上述基準(zhǔn)電流輸入端子和所述基準(zhǔn)電流輸出端子被設(shè)置成相互對(duì)峙的樣子。
這樣一來(lái)，就能夠使設(shè)置了電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片之間基準(zhǔn)電流的傳遞通路最短。所以每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流的偏差就比現(xiàn)有技術(shù)下的低。
本發(fā)明的第二顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中都設(shè)置了用以將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片。所述電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路并讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的多個(gè)第一導(dǎo)電型電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)的漏極都連接著所述多個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的多個(gè)第二導(dǎo)電型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和將對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流輸出給所述像素電路的輸出端子的多個(gè)電流供給部。
這樣一來(lái)，就能夠迅速地將電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變動(dòng)集中起來(lái)，所以能夠防止交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生而實(shí)現(xiàn)均勻的顯示。
本發(fā)明的第三顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中都設(shè)置了用以將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片。所述電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)第一基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；驅(qū)動(dòng)時(shí)第二基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)上并進(jìn)行切換而讓根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、分別設(shè)在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述開(kāi)關(guān)之間并與所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及接在所述開(kāi)關(guān)上用以將對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流輸出給所述像素電路的輸出端子的多個(gè)電流供給部。
這樣一來(lái)，因?yàn)閬?lái)自輸出端子的輸出電流為應(yīng)該流過(guò)電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流和應(yīng)該流過(guò)漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的平均值，所以電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差和漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差相互抵消。結(jié)果是，能夠減少來(lái)自輸出端子的輸出電流的偏差。
在所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的邊上，還設(shè)置了用以輸入所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子、用以輸入所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子；所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子接在相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子上；所述第二基準(zhǔn)電流輸出端子接在相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子上。這樣一來(lái)，來(lái)自同一個(gè)半導(dǎo)體芯片內(nèi)的端子的輸出電流的偏差就減少，同時(shí)半導(dǎo)體芯片間的輸出電流的偏差也減少。所以能夠在整個(gè)顯示面板上進(jìn)行均勻的顯示。
-發(fā)明的效果-根據(jù)本發(fā)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置，通過(guò)給每一個(gè)半導(dǎo)體芯片設(shè)置多個(gè)將用以分配基準(zhǔn)電流的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，就能相對(duì)地減小構(gòu)成電流供給部的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極中的輸出阻抗，所以在將它應(yīng)用到顯示裝置的情況下，能夠抑制由于來(lái)自顯示面板一側(cè)的電流引起的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變動(dòng)。結(jié)果是，可抑制顯示裝置中的交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。


圖1為一電路圖，示出設(shè)置了本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的兩個(gè)芯片的連接部分。
圖2為一電路圖，示出設(shè)置了本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置之例的兩個(gè)芯片的連接部分。
圖3為一電路圖，示出設(shè)置了本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的兩個(gè)芯片的連接部分。
圖4為顯示本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖5為一顯示將基準(zhǔn)電流的輸入端子及輸出端子設(shè)在芯片的邊上的情況下，第二個(gè)實(shí)施例所涉及的半導(dǎo)體芯片的圖。
圖6為顯示第二個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的一個(gè)變形例的電路圖。
圖7為顯示本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖8(a)、圖8(b)為將第三個(gè)實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置中的一個(gè)電流供給單元51的結(jié)構(gòu)放大后而示出的電路圖。
圖9為顯示本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖10(a)～圖10(c)為電路圖，示出了在第四個(gè)實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中輸出電流的切換方式的一例。
圖11(a)～圖11(c)為一電路圖，示出了在第四個(gè)實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中輸出電流的另外一個(gè)切換方式。
圖12為一電路圖，示出了本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置及半導(dǎo)體芯片。
圖13為一顯示本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第一個(gè)具體例中電流供給部的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14為一顯示本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第二個(gè)具體例中電流供給部的結(jié)構(gòu)的圖。
圖15為一顯示本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖16為一顯示本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖17為一顯示第七個(gè)實(shí)施例的第一個(gè)變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖18為一顯示第七個(gè)實(shí)施例的第二個(gè)變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
圖19為一電路圖，示出了形成有本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片。
圖20為一電路圖，示出了顯示面板、接在顯示面板上的顯示用驅(qū)動(dòng)器即現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)。
圖21(a)為顯示面板上的黑白顯示之例的圖；圖21(b)為顯示布置在圖21(a)所示的顯示面板的XXIb-XXIb線(xiàn)上的像素電路和接在該像素電路上的現(xiàn)有電流供給部的電路圖；圖21(c)為一示出了黑顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖；圖21(d)為一示出了白顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。
圖22(a)為顯示面板上的黑白顯示之例的圖；圖22(b)為顯示布置在顯示面板的XXIIb-XXIIb線(xiàn)上的像素電路、接在該像素電路上的現(xiàn)有電流供給部的電路圖；圖21(c)為一示出了從黑顯示切換到白顯示的情況下的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖；圖21(d)為一示出了連續(xù)進(jìn)行白顯示時(shí)的薄膜晶體管的工作點(diǎn)的曲線(xiàn)圖。
圖23為一顯示現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置中電流供給部的電路布置及電路結(jié)構(gòu)的圖。
符號(hào)說(shuō)明1，53-第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；2-第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；3-電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；4、58-基準(zhǔn)電流源；5、5-1～m、25、25-1～m、60-電流源；7-第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；9-基準(zhǔn)電流輸出端子；10-第三電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；11-基準(zhǔn)電流輸入端子；11a-第一基準(zhǔn)電流輸入端子；11b-第二基準(zhǔn)電流輸入端子；12-第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；13-第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；15-第四MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；16-電阻；17-第五MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；19-第六MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；20-第一半導(dǎo)體芯片；22-第二半導(dǎo)體芯片；23-第七M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；27-第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；33、33a-第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；35、35a-第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；37、37a-第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；39、39a-第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；40、41、59、59-1～n-電流供給部；43-第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；51、51-1～n-電流供給單元；55、55-1～n-電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；56-偏壓線(xiàn)；57、57-1～n-電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；61、66、79、81-電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；62-電阻；64-開(kāi)關(guān)；68-輸出端子；70-第一半導(dǎo)體芯片；71-第十三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；72-第二半導(dǎo)體芯片；73-第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；75-第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；76-MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；76-1-第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；76-2-第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；76-3-第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；77、77-1～m、80-漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；91-第一偏流切換開(kāi)關(guān)；92-第二偏流切換開(kāi)關(guān)；95、95a、95b、99-虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；96、96a、96b-虛設(shè)偏流切換開(kāi)關(guān)；97、97a、97b、100、101-虛設(shè)偏流切換開(kāi)關(guān)；105-第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
具體實(shí)施例方式
(第一個(gè)實(shí)施例)圖1為一電路圖，示出設(shè)置了本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的兩個(gè)芯片的連接部分。
該實(shí)施例的顯示裝置，包括設(shè)置了具有有機(jī)電發(fā)光元件的像素電路(未示)的顯示面板、通過(guò)信號(hào)線(xiàn)將驅(qū)動(dòng)電流提供給像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置。電流驅(qū)動(dòng)裝置和圖20所示的電流驅(qū)動(dòng)裝置一樣，被用作有機(jī)電發(fā)光顯示裝置等電流驅(qū)動(dòng)型顯示裝置的源極驅(qū)動(dòng)電路。在該實(shí)施例中的顯示裝置中，多個(gè)已集成化的設(shè)了電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片排列在顯示面板的框上。圖1中，相互連接的兩個(gè)半導(dǎo)體芯片分別用第一半導(dǎo)體芯片20和第二半導(dǎo)體芯片22來(lái)表示。
在該實(shí)施例的顯示裝置中，第一半導(dǎo)體芯片20中，設(shè)置了用以將驅(qū)動(dòng)電流提供給設(shè)在顯示面板上的多個(gè)像素電路(未示)中的每一個(gè)像素電路的電流供給部40、用以將基準(zhǔn)電流提供給電流供給部40的基準(zhǔn)電流供給部、N溝道型第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、接在第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的基準(zhǔn)電流輸出端子9。基準(zhǔn)電流輸出端子9設(shè)置在第一半導(dǎo)體芯片20中與第二半導(dǎo)體芯片22面對(duì)面的位置上。實(shí)際上設(shè)置了多個(gè)(例如528個(gè))電流供給部40，圖1中僅示出了其中之一。
基準(zhǔn)電流供給部，具有一端接收電源電壓的P溝道型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1、接在第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1上用以產(chǎn)生基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源4、與第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)2、接在MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2上用以將基準(zhǔn)電流傳遞給電流供給部40的N溝道型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3。
而且，電流供給部40，具有電流源5-1、5-2、…5-m(m為正整數(shù))、用以讓流過(guò)各個(gè)電流源的電流流過(guò)或者不流過(guò)的開(kāi)關(guān)。電流源5-1、5-2、…5-m中的每一個(gè)電流源，包括與電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3及第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成，例如，電流源5-1由一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成；電流源5-2由兩個(gè)相互并聯(lián)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成；電流源5-m由2m-1個(gè)相互并聯(lián)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成。電流供給部40為所謂的電流加法型D/A變換器，每一個(gè)開(kāi)關(guān)根據(jù)顯示數(shù)據(jù)而閉合或者斷開(kāi)，便可能實(shí)現(xiàn)2m灰階的顯示。
第二半導(dǎo)體芯片22，具有接在基準(zhǔn)電流輸出端子9上的基準(zhǔn)電流輸入端子11；接在基準(zhǔn)電流輸入端子11的P溝道型第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管13；其漏極接在第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管13的源極上、柵極接在基準(zhǔn)電流輸入端子11上的P溝道型第四MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管15；與第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管13構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第五MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管17；其漏極接在第五MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管17的源極上與第四MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管15構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第六MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管19；接收流過(guò)第六MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管19的基準(zhǔn)電流的N溝道型第七M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管23(相當(dāng)于第一半導(dǎo)體芯片20中的電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)；將驅(qū)動(dòng)電流提供給設(shè)在顯示面板上的多個(gè)像素電路(未示)中的每一個(gè)像素電路的電流供給部41；用以將基準(zhǔn)電流傳遞給下一級(jí)的半導(dǎo)體芯片的N溝道型第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管27。在第二半導(dǎo)體芯片22上還設(shè)了接在第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管27上的基準(zhǔn)電流輸出端子(未示)。
基準(zhǔn)電流輸入端子11設(shè)在第二半導(dǎo)體芯片22中與第一半導(dǎo)體芯片對(duì)峙的位置附近，而且將其設(shè)置在靠近基準(zhǔn)電流輸出端子9的位置。
第二半導(dǎo)體芯片22中，第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管13、第四MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管15、第五MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管17、第六MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管19及第七IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管23，起用以將從第一半導(dǎo)體芯片20通過(guò)基準(zhǔn)電流輸出端子9傳遞的基準(zhǔn)電流傳遞給電流供給部40的基準(zhǔn)電流供給部的作用。
電流供給部41，具有電流源25-1、25-2、…25-m；和用以讓流過(guò)各個(gè)電流源的電流流過(guò)或者不流過(guò)的開(kāi)關(guān)。電流源25-1、25-2、…25-m中的每一個(gè)電流源都和電流源5-1、5-2、…5-m一樣，由與第七M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管23及第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管27構(gòu)成電流鏡電路的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
圖1中僅示出了兩個(gè)半導(dǎo)體芯片，不僅如此，可根據(jù)顯示面板的尺寸再設(shè)置一結(jié)構(gòu)與第二半導(dǎo)體芯片22一樣的芯片。在一般的顯示裝置中，經(jīng)常將設(shè)置了電流供給部的半導(dǎo)體芯片布置在一列上，在這種情況下，基準(zhǔn)電流從設(shè)置在每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的各個(gè)邊附近的基準(zhǔn)電流輸出端子9連續(xù)地傳遞給基準(zhǔn)電流輸入端子11。
具有上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的特征，在于若第二半導(dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流供給部布置在基準(zhǔn)電流輸入端子11附近，則第一半導(dǎo)體芯片20的電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管便布置在基準(zhǔn)電流輸出端子9附近。這里，只要包括第七M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管23的基準(zhǔn)電流供給部與基準(zhǔn)電流輸入端子11之間的距離以及電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管與基準(zhǔn)電流輸出端子9之間的距離為由于雜質(zhì)的擴(kuò)散等而引起的電氣特性的偏差不造成什么問(wèn)題那么大就行了。該距離隨著制造條件、工序的不同而不同，若在200μm以下便是能夠允許的，一般在100μm以下最理想。
這樣一來(lái)，因?yàn)槟軌驅(qū)⑾噜彴雽?dǎo)體芯片的電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出電流作為第二半導(dǎo)體芯片22用的基準(zhǔn)電流來(lái)分配，所以每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流(像素電路的驅(qū)動(dòng)電流)的偏差就比現(xiàn)有技術(shù)下的小。結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)行更均勻的顯示的顯示裝置。
而且，在該實(shí)施例的顯示裝置中，半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電流供給部及基準(zhǔn)電流輸入端子11，是設(shè)置在半導(dǎo)體芯片中與前一級(jí)半導(dǎo)體芯片對(duì)峙的位置附近的，電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和基準(zhǔn)電流輸出端子9設(shè)置在半導(dǎo)體芯片中與下一級(jí)半導(dǎo)體芯片對(duì)峙的位置附近。
這樣一來(lái)，因?yàn)榛鶞?zhǔn)電流輸出端子9和基準(zhǔn)電流輸入端子11之間的距離變短，所以能夠進(jìn)一步抑制從電流供給部輸出的電流在每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的偏差。只不過(guò)是，因?yàn)榕c將基準(zhǔn)電流的輸出入端子設(shè)在傳遞基準(zhǔn)電流的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管附近而能獲得的效果相比，抑制每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的偏差的效果比較小，所以不將基準(zhǔn)電流輸出端子9和基準(zhǔn)電流輸入端子11設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的邊上也是可以的。
需提一下，一個(gè)半導(dǎo)體芯片內(nèi)，由于電流供給部的位置不同而帶來(lái)的特性偏差而言，是將基準(zhǔn)電流供給部(或者M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)設(shè)置在芯片的中央部分比象該實(shí)施例這樣將基準(zhǔn)電流供給部(或者M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)布置在芯片的邊上為小。因此，在將基準(zhǔn)電流供給部設(shè)置在芯片的中央部分這一方式下，也最好是靠近基準(zhǔn)電流供給部來(lái)設(shè)置基準(zhǔn)電流輸出端子9及基準(zhǔn)電流輸入端子11。
如上所述，因?yàn)槿羰褂迷搶?shí)施例的半導(dǎo)體芯片，就能抑制半導(dǎo)體芯片間的特性偏差，所以能夠?qū)崿F(xiàn)顯示不一致性等得以減少的顯示裝置。
需提一下，可在第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和基準(zhǔn)電流輸出端子9之間設(shè)置由P溝道型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的電流鏡電路。
圖2為一電路圖，示出設(shè)置了第一個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置之一例的兩個(gè)芯片的連接部分。
在該圖所示的例子中，在第一半導(dǎo)體芯片20中，在第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及基準(zhǔn)電流輸出端子9之間設(shè)置了連接在第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的P溝道型第三電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管10和與第三電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管10構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管12。
在第二半導(dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流供給部，是將構(gòu)成圖1的基準(zhǔn)電流供給部的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電型都換成相反的導(dǎo)電型以后而構(gòu)成的。換句話(huà)說(shuō)，第二半導(dǎo)體芯片22中，具有接在基準(zhǔn)電流輸入端子11的N溝道型第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33；其漏極與第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33的源極相連，柵極接在基準(zhǔn)電流輸入端子11的N溝道型第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35；與第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37；其漏極與第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37的源極相連、與第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管39；接收流過(guò)第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37的基準(zhǔn)電流的P溝道型第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43。在這樣的結(jié)構(gòu)下，第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第三電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管10及第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管12中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管與第一半導(dǎo)體芯片20的基準(zhǔn)電流輸出端子9之間的距離都在200μm以下，第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第三電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管10及第四MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管12這三個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的距離也分別在200μm以下。而且，第二半導(dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流輸入端子11與第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33、第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35、第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37、第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管39及第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43之間的距離分別在200μm以下，每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的距離也在200μm以下。除此以外，因?yàn)閷⒌诙雽?dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流輸入端子11和第一半導(dǎo)體芯片20的基準(zhǔn)電流輸出端子9布置得接近一些這件事，是沒(méi)有什么變化的，所以能夠控制每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流的偏差，使其很小。
圖1及圖2所示的第一半導(dǎo)體芯片20及第二半導(dǎo)體芯片22中的基準(zhǔn)電流供給部的結(jié)構(gòu)有點(diǎn)不同。與此相對(duì)，在用于顯示裝置的半導(dǎo)體芯片中，也可使基準(zhǔn)電流供給部的結(jié)構(gòu)為相同的結(jié)構(gòu)。
圖3為一電路圖，示出設(shè)置了第一個(gè)實(shí)施例的變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的兩個(gè)芯片的連接部分。在該圖所示的第一個(gè)實(shí)施例的變形例中，第一半導(dǎo)體芯片20的邊附近，設(shè)置了第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a1及第二基準(zhǔn)電流輸入端子11b1。而且，基準(zhǔn)電流供給部的結(jié)構(gòu)和圖2所示的第二半導(dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流供給部的結(jié)構(gòu)相同，但接在第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a1及第二基準(zhǔn)電流輸入端子11b1上的地方卻不同。
換句話(huà)說(shuō)，該變形例的第一半導(dǎo)體芯片20中，設(shè)置了接在第二基準(zhǔn)電流輸入端子11b1的N溝道型第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33a1；其漏極接在第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33a1的源極上、柵極接在第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a1上的N溝道型第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35a1；與第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33a1構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37a1；其漏極接在第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37a1的源極上、與第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35a1構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管39a1；接收流過(guò)第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37a1的基準(zhǔn)電流的P溝道型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1。而且，第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1及第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2的柵極、第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的漏極、第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37a1的漏極，都接在第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a1上。
在該變形例中，第一半導(dǎo)體芯片20和第二半導(dǎo)體芯片22的結(jié)構(gòu)一樣。只不過(guò)是，在第一半導(dǎo)體芯片20中，第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a1接在接地的電阻16(或者基準(zhǔn)電流源)上，第二基準(zhǔn)電流輸入端子11b1接地，而在第二半導(dǎo)體芯片22中，第一基準(zhǔn)電流輸入端子11a2成為開(kāi)放狀態(tài)，第二基準(zhǔn)電流輸入端子11b2接在第一半導(dǎo)體芯片20的基準(zhǔn)電流輸出端子9上。
若利用該變形例的半導(dǎo)體芯片，則僅用一種芯片就能驅(qū)動(dòng)顯示面板，所以能夠降低顯示裝置的制造成本。
需提一下，在以上所說(shuō)明的半導(dǎo)體芯片或者電流驅(qū)動(dòng)裝置的例子中，構(gòu)成電流源5-1、5-2、…、5-m的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N溝道型，不僅如此，即使用P溝道型來(lái)代替該MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管也能使其同樣地工作。在這種情況下，只要將構(gòu)成基準(zhǔn)電流供給部的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電型換過(guò)來(lái)就行了。
需提一下，在將多個(gè)該變形例中的半導(dǎo)體芯片級(jí)串起來(lái)(cascade)的時(shí)候，可在成為最后一級(jí)的半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電流輸出端子上接上電阻值與電阻16一樣大的電阻。
而且，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，從第一半導(dǎo)體芯片20的基準(zhǔn)電流輸出端子9輸出的電流值并非一定要和流過(guò)基準(zhǔn)電流源4的基準(zhǔn)電流值相等。從基準(zhǔn)電流輸出端子9輸出的電流成為第二半導(dǎo)體芯片22的基準(zhǔn)電流(稱(chēng)其為第二基準(zhǔn)電流)，若在基準(zhǔn)電流輸入端子11和第七M(jìn)IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管23之間設(shè)一磁鏡比(mirrorrate)較合適的電流鏡電路，就能向構(gòu)成電流供給部40的電流源中的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和構(gòu)成電流供給部41的電流源中的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管提供相等的電流。
(第二個(gè)實(shí)施例)圖4為顯示本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的特征，在于在圖21所示的現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置中，又增加了用以將基準(zhǔn)電流傳遞給每一個(gè)電流供給部59的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57。這里，假設(shè)“電流供給部59”意味著圖4所示的電流供給部59-1～m中的每一個(gè)；“電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55”意味著電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1～m中的每一個(gè)；“電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57”意味著電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57一1～m中的每一個(gè)。
如圖4所示，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，具有P溝道型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53、接在第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53上用以產(chǎn)生基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流源58、與第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53構(gòu)成電流鏡電路用以分配基準(zhǔn)電流的P溝道型電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1、55-2、…、55-n；分別接在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1、55-2、…、55-n上的N溝道型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57-1、57-2、…、57-n；從電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57-1、57-2、…、57-n經(jīng)過(guò)電流鏡電路傳來(lái)了基準(zhǔn)電流，并將驅(qū)動(dòng)電流提供給像素電路(未示)的電流供給部59-1、59-2、…、59-n。這里，n為每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出數(shù)。第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53的柵極、電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1、55-2、…、55-n的每一個(gè)柵極接在共同的偏壓線(xiàn)56上。
而且，電流供給部59-1、59-2、…、59-n中的每一個(gè)電流供給部的結(jié)構(gòu)基本上和第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的電流供給部40(參考圖1)的結(jié)構(gòu)一樣。例如，電流供給部59-1具有由與電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57-1構(gòu)成電流鏡電路的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的m個(gè)電流源、用以讓流過(guò)該電流源的電流流過(guò)或者將它截?cái)嗟拈_(kāi)關(guān)(未示)。只不過(guò)是，構(gòu)成電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中接在不同的輸出端子上的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和柵極的連接方法不象圖4所示的那樣亦可，而是后述的相互連接方式。
在該電流供給部59擁有m個(gè)電流源的情況下，便能夠進(jìn)行2m灰階顯示。在圖4所示的例子中，圖示省略了，但電流供給部59中的每一個(gè)電流供給部，都具有6位的電流源，相互由尺寸相等的63個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成。需提一下，在圖4中，由電流供給部59和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的組顯示為電流供給單元51。這里，“電流供給單元51”意味著電流供給單元51-1～m中的每一個(gè)電流供給單元。
在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，因?yàn)樵O(shè)置了用以將基準(zhǔn)電流分配給每一個(gè)電流供給部59的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57，所以在顯示裝置從黑顯示切換到白顯示時(shí)，即使電流從面板一側(cè)流進(jìn)來(lái)，電流供給部59中的電流源的工作也不容易受到影響。換句話(huà)說(shuō)，在該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，給每一個(gè)電流供給部設(shè)置了電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57，所以接在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57這一組上的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極數(shù)量就比現(xiàn)有技術(shù)下的少。正因?yàn)檫B接電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的柵極和構(gòu)成電流供給部59的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的偏壓布線(xiàn)的電容減少，所以就容易吸收構(gòu)成電流供給部59中的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位變動(dòng)。結(jié)果是，抑制了電流供給部59的輸出變動(dòng)。
出于同樣的理由，在從白顯示切換到黑顯示時(shí)，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55不受什么影響，而總是能將一定的電流分配給電流供給部59。
因此，根據(jù)該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，電流供給部59的電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變動(dòng)迅速地集中在顯示數(shù)據(jù)的寫(xiě)入期間內(nèi)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，顯示失真也少了的電流驅(qū)動(dòng)型顯示裝置。
而且，通過(guò)在設(shè)有該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片中設(shè)置第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的基準(zhǔn)電流的輸入端子、輸出端子，就能實(shí)現(xiàn)顯示的失真、顯示不一致性得到進(jìn)一步抑制的顯示裝置。
圖5為一顯示將基準(zhǔn)電流的輸入端子及輸出端子設(shè)在芯片的邊上的情況下，該實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片的圖。
在圖5所示的第一半導(dǎo)體芯片70及第二半導(dǎo)體芯片72中，都設(shè)置了在這之前說(shuō)明的該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置。而且，在第一半導(dǎo)體芯片70中，設(shè)有與電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管61、及接在電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管61上的基準(zhǔn)電流輸出端子9。
另一方面，在第二半導(dǎo)體芯片72中，設(shè)有接在基準(zhǔn)電流輸出端子9上的基準(zhǔn)電流輸入端子11；接在基準(zhǔn)電流輸入端子11上的N溝道型第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33；其漏極接在第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33的源極上、其柵極接在基準(zhǔn)電流輸入端子11上的N溝道型第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35；與第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37；其漏極接在第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37的源極上、與第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管39；接收流過(guò)第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37的基準(zhǔn)電流的P溝道型第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43；以及基準(zhǔn)電流輸出端子9(未示)。需提一下，這里與圖2所示的第一個(gè)實(shí)施例一樣的部件所用的部件名稱(chēng)和表示符號(hào)都一樣。
基準(zhǔn)電流輸出端子9，例如設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片70及第二半導(dǎo)體芯片72的邊附近。而且，基準(zhǔn)電流輸出端子9和電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管61之間的距離約在100μm以下。基準(zhǔn)電流輸入端子11例如設(shè)在第二半導(dǎo)體芯片72的邊附近，與第一半導(dǎo)體芯片70中的基準(zhǔn)電流輸出端子9對(duì)峙?；鶞?zhǔn)電流輸入端子11與第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43等構(gòu)成基準(zhǔn)電流供給部的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的距離分別約在100μm以下。
在基準(zhǔn)電流源58和第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53之間所產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流，通過(guò)電流鏡電路傳遞給電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管61，再?gòu)幕鶞?zhǔn)電流輸出端子9輸出。接著，基準(zhǔn)電流輸入到基準(zhǔn)電流輸入端子11，通過(guò)第八MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管33、第九MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管35、第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管37及第十一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管39輸入到第十二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43中。而且，基準(zhǔn)電流被傳遞到設(shè)在第二半導(dǎo)體芯片72上、與第十MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管43構(gòu)成電流鏡電路的電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(未示)中。傳遞給電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基準(zhǔn)電流通過(guò)基準(zhǔn)電流輸出端子9(未示)再傳遞到下一級(jí)半導(dǎo)體芯片中。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，因?yàn)檎`差較小的基準(zhǔn)電流從基準(zhǔn)電流輸出端子9傳遞到靠近它的基準(zhǔn)電流輸入端子11中，所以在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片內(nèi)，既能控制交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生，又能抑制設(shè)置了電流驅(qū)動(dòng)裝置的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流的偏差，使它很小。
因此，通過(guò)采用上述的基準(zhǔn)電流的輸出入結(jié)構(gòu)，便能實(shí)現(xiàn)不一致性更小了的圖像顯示，而可實(shí)現(xiàn)大畫(huà)面且高精細(xì)的有機(jī)電發(fā)光顯示面板、LED顯示面板等。
雖然未示，若使基準(zhǔn)電流供給部的結(jié)構(gòu)和圖3所示的例子中的結(jié)構(gòu)一樣，則用于顯示裝置的半導(dǎo)體芯片僅為一種即可，而可降低制造成本。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，圖4示出了給每一個(gè)電流供給部59設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的例子，不僅如此，給兩個(gè)以上的電流供給部59設(shè)置一組電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57也是可以的。這時(shí)，每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中只要設(shè)置兩組以上的由電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57構(gòu)成的組就可以了。雖然是電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55越多，交叉串?dāng)_現(xiàn)象的控制效果就越大，但實(shí)際上設(shè)計(jì)電路時(shí)，最好是綜合考慮電路面積和功能這兩個(gè)方面。
圖6為顯示該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置的一個(gè)變形例的電路圖。半導(dǎo)體芯片中，出于雜質(zhì)濃度的梯度(gradient)等原因，設(shè)置在從基準(zhǔn)電流輸入端子到基準(zhǔn)電流輸出端子那一方向上(芯片的長(zhǎng)邊方向)上的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓Vt，也呈現(xiàn)了例如在靠近輸入端子的那一側(cè)較高；而在靠近輸出端子的那一側(cè)較低這樣的梯度。
如圖6所示，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，構(gòu)成電流供給部59-1～n內(nèi)的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，接在不同的輸出端子上的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與柵極、電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的柵極與柵極可以相互連接在一起。因?yàn)榇藭r(shí)能夠根據(jù)每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值的梯度向每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極施加加上了梯度的電壓，所以能夠減少?gòu)碾娏鞴┙o部59輸出的電流的偏差。需提一下，在該變形例中，設(shè)置了與電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57和電流供給部59內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管66、及接在電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管66上的基準(zhǔn)電流輸出端子9，接在下一級(jí)半導(dǎo)體芯片上。此時(shí)，如圖3所示，若將電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管66及基準(zhǔn)電流輸出端子9設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的邊附近，便能減少每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流的偏差。
(第三個(gè)實(shí)施例)圖7為顯示本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。圖8(a)、圖8(b)為將該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置中的一個(gè)電流供給單元51的結(jié)構(gòu)放大后而示出的電路圖。
如圖7所示，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，和第二個(gè)實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置一樣，具有多個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。只不過(guò)是，以下幾點(diǎn)為與第二個(gè)實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置不同的該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的特征。
首先，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第一個(gè)特征，在于電流供給部59中設(shè)置了其漏極接在成為電流源的N溝道型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極的N溝道型漏極連接(cascode)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7。這里，圖7中簡(jiǎn)略地示出了電流供給部59的結(jié)構(gòu)，而實(shí)際上它的結(jié)構(gòu)是如圖8(a)或者圖8(b)所示。
在圖8(a)所示的例子中，隔著開(kāi)關(guān)64-1、64-2、…64-m給m位的電流源60-1、60-2、…60-m設(shè)置一個(gè)漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7。而且，將漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7的柵極電壓Vclp設(shè)定在比顯示面板的電源電壓(例如3V左右)還低的值上。漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7的閾值電壓在柵極電壓Vclp以下，漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7在驅(qū)動(dòng)過(guò)程中處于導(dǎo)通狀態(tài)。
這樣一來(lái)，漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7便起鉗位電路的作用，開(kāi)關(guān)64-1、64-2、…64-m從斷開(kāi)狀態(tài)一齊切換為閉合狀態(tài)之時(shí)，便能由漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7限制從顯示面板一側(cè)流入的電流。特別是，若將柵極電壓Vclp設(shè)定在比顯示面板的電源電壓還低的值上的話(huà)，就是在從顯示面板一側(cè)瞬時(shí)地將高電壓施加在輸出端子68上的情況下，也能使加在構(gòu)成電流源60-1、60-2、…60-m的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極上的電壓在柵極電壓Vclp以下。這樣一來(lái)，構(gòu)成電流源60-1、60-2、…60-m的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位不易受到從顯示面板流入的電流的影響而變動(dòng)，所以在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，交叉串?dāng)_現(xiàn)象得到了抑制，而實(shí)現(xiàn)了均勻的顯示。
需提一下，可設(shè)多晶硅電阻、擴(kuò)散電阻、阱電阻等電阻元件來(lái)代替漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7作電流控制元件。在半導(dǎo)體集成電路中，通常是布置用以防止來(lái)自外部的電荷流入的電流限制用電阻，保護(hù)內(nèi)部電路免遭靜電破壞。這里，該電阻的作用是，對(duì)從顯示面板流入的電荷施加限制，除去高頻成分。而且，高頻成分除去以后，就能減少為電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極-漏極間的寄生電容，從而能抑制由于從顯示面板流入的電荷造成的柵極電位的變動(dòng)。
另外，該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中的電流供給部可以采用如圖8(b)所示的結(jié)構(gòu)。在該例中，設(shè)置了漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7-1、77-2、…77-m來(lái)代替用以控制流入電流供給部59的電流量的開(kāi)關(guān)(相當(dāng)于圖8(a)中的開(kāi)關(guān)64-1～m)。而且，漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7-1、77-2、…77-m中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上都施加了比顯示面板的電源電壓還低的柵極電壓Vclp而成為閉合狀態(tài)。需提一下，因?yàn)樵搶?shí)施例中的漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7-1、77-2、…77-m還兼作電流供給部59的輸出控制開(kāi)關(guān)用，所以可根據(jù)顯示數(shù)據(jù)來(lái)控制它的閉合或者斷開(kāi)。
這樣一來(lái)，在從黑顯示切換到白顯示時(shí)等，漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7-1、77-2、…77-m便能起到防止大電流急劇地流入電流供給部59的電流源中那樣的作用。而且，因?yàn)榭墒惯@一結(jié)構(gòu)下的電路面積比圖8(a)所示的實(shí)施例的小，所以該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置非常適合在要求驅(qū)動(dòng)LSI的面積要小的顯示裝置中使用。
其次，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第二個(gè)特征，在于P溝道型電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57之間，設(shè)置了其漏極接在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的源極上、其導(dǎo)電型和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55相同的第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3。正因?yàn)槿绱?，本?shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，具有設(shè)在第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53的漏極和基準(zhǔn)電流源58之間的P溝道型第十三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1；其漏極接在電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管61的源極上、與第十三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1構(gòu)成電流鏡電路的P溝道型第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管5。而且，第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3的各個(gè)柵極接在共同的偏壓線(xiàn)上，由第十三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1和第四電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管5構(gòu)成電流鏡電路。這里，“第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3”為不區(qū)分第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3-1～m中的每一個(gè)的情況下所用的表現(xiàn)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置能夠抑制通過(guò)電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57傳遞給電流供給部59的電流源60-1～m的基準(zhǔn)電流的變動(dòng)而使其穩(wěn)定。因此，若利用該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，就能進(jìn)一步提高電流驅(qū)動(dòng)型顯示裝置的顯示質(zhì)量。
其次，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第三個(gè)特征，在于象在第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的那樣，基準(zhǔn)電流輸出端子9設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片70的邊附近，基準(zhǔn)電流輸入端子11設(shè)在第二半導(dǎo)體芯片72的邊附近；相互構(gòu)成電流鏡電路的N溝道型電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管9、81也設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片70的邊附近。而且，在圖7所示的例子中，在基準(zhǔn)電流源58設(shè)在第一半導(dǎo)體芯片70的外部、基準(zhǔn)電流輸入端子設(shè)在基準(zhǔn)電流源58和第十三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管1的漏極之間的情況下，可使第一半導(dǎo)體芯片70和第二半導(dǎo)體芯片72的結(jié)構(gòu)一樣。
這樣一來(lái)，就能抑制半導(dǎo)體芯片間的輸出電流的偏差，同時(shí)還能用一種半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成顯示裝置的驅(qū)動(dòng)器。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，說(shuō)明的是具有上述三個(gè)特征的例子，不僅如此，在僅僅具有其中之一個(gè)特征的情況下或者是具有其中之兩個(gè)特征的情況下，都能實(shí)現(xiàn)和現(xiàn)有技術(shù)相比更均勻的顯示。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，可設(shè)含在電流供給部59中的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電型為P溝道型，將電流供給部59一側(cè)的電位設(shè)定得比顯示面板一側(cè)的電位高。此時(shí)，只要將構(gòu)成電流驅(qū)動(dòng)裝置的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電型全都換過(guò)來(lái)即可，這對(duì)以下實(shí)施例而言也是一樣的。
(第四個(gè)實(shí)施例)圖9為顯示本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
如該圖所示，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的特征，在于在第二個(gè)實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，任意切換(shuffle)由電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55構(gòu)成的電流鏡電路分配的基準(zhǔn)電流，并將其從電流供給部59的輸出端子輸出。因此，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，電流供給單元51-1～n內(nèi)部的電路結(jié)構(gòu)和第二個(gè)實(shí)施例的一樣。
在圖9所示的該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置的例子中，給每一個(gè)電流供給部59設(shè)置電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55，且在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的漏極和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的漏極之間設(shè)置第一偏流切換開(kāi)關(guān)91和第二偏流切換開(kāi)關(guān)92。例如，在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57-1之間設(shè)置第一偏流切換開(kāi)關(guān)91-1和第二偏流切換開(kāi)關(guān)92-1；在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-2和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57-2之間設(shè)置第一偏流切換開(kāi)關(guān)91-2和第二偏流切換開(kāi)關(guān)92-2。
在這一結(jié)構(gòu)下，能夠讓由電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1～n中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分配的基準(zhǔn)電流從在每一個(gè)任意期間內(nèi)都不同的電流供給部59的輸出端子輸出。第一偏流切換開(kāi)關(guān)91及第二偏流切換開(kāi)關(guān)92的連接關(guān)系的切換時(shí)刻，例如可以每n個(gè)行(n為正整數(shù))或者每一個(gè)幀等為單位任意設(shè)定。
圖10(a)～圖10(c)為電路圖，示出了在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中輸出電流的切換方式的一例。圖11(a)～圖11(c)為電路圖，示出了在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中輸出電流的切換方式的另一例。
圖10(a)～圖10(c)中，示出了當(dāng)我們來(lái)看一個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的時(shí)候，是如何切換電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流供給單元51間的連接關(guān)系的方法。這里，在切換相鄰的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的連接關(guān)系的時(shí)候，在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1的鄰居和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-n的鄰居夾著電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1～n分別設(shè)置虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管95、99。此時(shí)，也可設(shè)置虛設(shè)偏流切換開(kāi)關(guān)96、97、100、101。
以電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1為例說(shuō)明該方式。這里，示出的是在每一個(gè)水平掃描期間改變連接關(guān)系的例子。
首先，在第一個(gè)水平掃描期間，如圖10(a)所示的普通情況那樣，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在電流供給單元51-1上。
在下一個(gè)水平掃描期間，如圖10(b)所示，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在電流供給單元51-2上。
在更下一個(gè)水平掃描期間，如圖10(c)所示，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在虛設(shè)布線(xiàn)上。需提一下，這里，僅說(shuō)明了電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1，但其它電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的連接也同樣可以切換。
如上所述，因?yàn)榭蛇M(jìn)行切換而使電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和輸出電流之間的關(guān)系成為3種，所以能夠抵消電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的特性偏差。因此，利用該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示的偏差得以抑制的電流驅(qū)動(dòng)型顯示裝置。需提一下，在圖10所示的例子中，示出的是(a)～(c)中所示的經(jīng)過(guò)切換后的這三種連接方式。不僅如此，連接方式的種類(lèi)比它多也行，僅為(b)、(c)所示的兩種也可。
而且，該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，可采用圖11(a)～圖11(c)所示的切換方式。
換句話(huà)說(shuō)，在一開(kāi)始的水平掃描期間，如圖11(a)所示，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在電流供給單元51-3上。
在下一個(gè)水平掃描期間，如圖11(b)所示，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在電流供給單元51-2上。
在下一個(gè)水平掃描期間，如圖11(c)所示，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1接在虛設(shè)偏流切換開(kāi)關(guān)97b上。使用這樣的切換方法也能從外觀(guān)上抵消來(lái)自電流供給部59的輸出電流的誤差。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的連接切換方法并不限于所述方法，可任意切換接著電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1～n中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流供給單元51。只不過(guò)是，因?yàn)楸M量地將電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55設(shè)在位于其附近的第二偏流切換開(kāi)關(guān)92上的話(huà)，不僅能縮短布線(xiàn)還能使其簡(jiǎn)單化，所以更理想。因此，更好的情況是，在相鄰的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55之間切換它們的連接關(guān)系。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57之間設(shè)置了用以對(duì)輸出端子之間的連接關(guān)系進(jìn)行切換的偏流切換開(kāi)關(guān)91、92，不僅如此，構(gòu)成電流供給部59-1的N溝道型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和開(kāi)關(guān)64(參考圖8)之間分別設(shè)置了第一及第二偏流切換開(kāi)關(guān)91、92。
而且，在圖9～圖11所示的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，是用開(kāi)關(guān)(或者是切換用端子)來(lái)作切換電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的連接關(guān)系的元件的，不僅如此，還可設(shè)置這以外的其它切換元件。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，在電路面積有一定限制的情況下，可對(duì)多個(gè)電流供給部59設(shè)置一個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55及電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57。
-第四個(gè)實(shí)施例的變形例-圖12為一電路圖，示出了本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的變形例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置及半導(dǎo)體芯片。
該變形例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，采用了基本上和圖9所示的電流驅(qū)動(dòng)裝置一樣的結(jié)構(gòu)。只不過(guò)是，和第四個(gè)實(shí)施例不同的地方在于在該變形例中，第一半導(dǎo)體芯片70中，設(shè)置了接在第一偏流切換開(kāi)關(guān)91-n上的第一端子160和接在第二偏流切換開(kāi)關(guān)92-n上的第二端子162。另外，在第二半導(dǎo)體芯片72中，不僅設(shè)置了第一端子160、第二端子162，還設(shè)置了接在第一偏流切換開(kāi)關(guān)91-1上的第三端子164及接在第二偏流切換開(kāi)關(guān)92-1上的第四端子166。
這樣一來(lái)，在布置了多個(gè)設(shè)置了該變形例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片的情況下，不僅可以在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片內(nèi)切換連接關(guān)系，還可在相鄰的半導(dǎo)體芯片上所設(shè)的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間切換連接關(guān)系。需提一下，在圖12所示的例子中，第一端子160接在第一偏流切換開(kāi)關(guān)91-n上；第二端子162接在第二偏流切換開(kāi)關(guān)92-n上。不僅如此，也可這樣來(lái)設(shè)計(jì)，而做到第一端子160和第二端子162分別接在位于較遠(yuǎn)處的第一偏流切換開(kāi)關(guān)91和第二偏流切換開(kāi)關(guān)92上。
通過(guò)按上述來(lái)驅(qū)動(dòng)該變形例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，就不僅能降低來(lái)自半導(dǎo)體芯片內(nèi)的輸出端子的輸出電流的偏差，還能減少來(lái)自半導(dǎo)體芯片之間的輸出電流的偏差。
(第五個(gè)實(shí)施例)圖13為示出了在本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第一具體例中電流供給部的結(jié)構(gòu)的圖。
在本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例到第四個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，構(gòu)成電流供給部59-1、59-2、…59-3的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，如圖13上面所示的平面布置方式所示，經(jīng)常是一起布置在每一個(gè)電流供給部中。在以下的說(shuō)明中，稱(chēng)設(shè)置了這些MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)域中，設(shè)置了構(gòu)成電流供給部59-1的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)域?yàn)榈谝籑IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76-1、稱(chēng)設(shè)置了構(gòu)成電流供給部59-2的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)域?yàn)榈诙﨧IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76-2、稱(chēng)設(shè)置了構(gòu)成電流供給部59-3的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)域?yàn)榈谌齅IS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76-3。需提一下，不區(qū)分著稱(chēng)呼第一到第三MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域的時(shí)候，統(tǒng)稱(chēng)其為MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76。需提一下，雖然在圖14中省略了對(duì)它的圖示，但在MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6內(nèi)又分別設(shè)置了16個(gè)、32個(gè)尺寸相等的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
該具體例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的特征是在這樣的電路布置的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，一個(gè)電流供給部59由設(shè)在不同的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成。
看到了構(gòu)成電流供給部59的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管因?yàn)槠湓诎雽?dǎo)體芯片內(nèi)的位置的不同、制造工藝的不同等而出現(xiàn)了特性偏差。特別是，不同的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差比較大。因此，在該具體例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，因?yàn)橥ㄟ^(guò)在相鄰的輸出端子之間、或者是相互分開(kāi)的輸出端子之間交換輸出電流，而可將構(gòu)成電流供給部59的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性偏差平均化，所以可抑制每一個(gè)輸出端子的輸出電流的偏差。正因?yàn)槿绱?，若將該具體例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用到顯示裝置中，便能抑制顯示不一致性而提高顯示圖像的質(zhì)量。
需提一下，在該具體例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，可以組合半導(dǎo)體芯片內(nèi)的任意MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管而構(gòu)成一個(gè)電流供給部59，但若象圖13所示的那樣，將相鄰的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組合起來(lái)，就容易布線(xiàn)，所以這樣做更加理想。只不過(guò)是，為了將輸出電流更均勻化，有必要將相互分離的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組合起來(lái)，所以實(shí)際工作中要綜合考慮布線(xiàn)的難易程度、偏差減少效果等進(jìn)行設(shè)計(jì)。不管在哪一種情況下，設(shè)計(jì)電路時(shí)，只要利用隨機(jī)數(shù)等來(lái)決定將哪一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管接到哪一個(gè)電流供給部59的輸出端子上即可。
圖14為一示出了第五個(gè)實(shí)施例所設(shè)計(jì)的電流驅(qū)動(dòng)裝置的第二個(gè)具體例中的電流供給部的結(jié)構(gòu)的圖。
在第一個(gè)具體例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，在每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6內(nèi)成為根據(jù)位的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的布置情況(參看圖13)已經(jīng)固定好了。
與此相對(duì)，該具體例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，如圖14上側(cè)的平面布置圖所示那樣，將設(shè)在MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76內(nèi)的任意MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極和柵極連接起來(lái)而構(gòu)成電流供給部59。換句話(huà)說(shuō)，在該具體例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，對(duì)每一個(gè)輸出端子隨機(jī)地改變對(duì)構(gòu)成電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選擇。
因?yàn)槲覀兛吹接捎谖恢玫牟煌?，即使是設(shè)在同一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域76內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管也有特性偏差。所以象該具體例那樣，通過(guò)用從設(shè)在每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管6內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中隨機(jī)地選擇出來(lái)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流供給部59，對(duì)輸出電流的偏差的均勻化就比第一具體例還要好，而能控制它。這樣一來(lái)，若將該具體例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用到顯示裝置中，便能抑制顯示不一致性而提高顯示圖像的質(zhì)量。而且，不用設(shè)置開(kāi)關(guān)所占用的面積了，所以和第四個(gè)實(shí)施例相比，可使電路面積小一些。
需提一下，該實(shí)施例的第一及第二具體例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路布置及布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，并不限于第一到第四個(gè)實(shí)施例，即使使用圖20所示的現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置，也能獲得同樣的效果。另外，若將該實(shí)施例中的布線(xiàn)結(jié)構(gòu)應(yīng)用到第四個(gè)實(shí)施例中，由于輸出端子而造成的電流的誤差會(huì)顯著地減少。
(第六個(gè)實(shí)施例)圖15為一顯示本發(fā)明的第六個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
如該圖所示，該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置的特征，在于在圖4所示的第二電流驅(qū)動(dòng)裝置中，在偏壓線(xiàn)56上相鄰的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的柵極之間設(shè)置了電阻62。這里，“電阻”為不區(qū)分圖15中的電阻62-1、62-2、…62-(n-1)時(shí)的稱(chēng)呼方法。需提一下，用以構(gòu)成電位梯度的電流源或者布線(xiàn)(未示)接在圖15所示的偏壓線(xiàn)56的基準(zhǔn)電流輸出端子一側(cè)。
在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，通過(guò)設(shè)置電阻62，就能減少輸出端子間的輸出電流的誤差。下面，對(duì)它進(jìn)行說(shuō)明。
電流鏡電路是在以構(gòu)成它的晶體管的擴(kuò)散條件相同、從統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)上看閾值電壓Vt、載流子遷移率沒(méi)有什么差別為前提的。然而，若顯示裝置用驅(qū)動(dòng)LSI的芯片的長(zhǎng)度從10mm加長(zhǎng)到20mm，就難以均勻地進(jìn)行含在晶體管中的雜質(zhì)的擴(kuò)散了。結(jié)果是，成為電流鏡電路的晶體管的閾值也有了偏差。更有甚者，是輸出電壓出現(xiàn)偏差。通常情況下，擴(kuò)散的變動(dòng)是針對(duì)晶片面逐漸地傾斜。因此，例如電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的閾值電壓Vt，便從電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1朝著電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-n這樣的方向逐漸地下降。
在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，因?yàn)樵谄珘壕€(xiàn)56上設(shè)置了電阻62，所以便能使加在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55-1～n上的柵極電壓隨著閾值電壓Vt的梯度而傾斜。結(jié)果是，能夠使流入電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55的電流值基本一定。
因此，根據(jù)該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，能夠抑制來(lái)自半導(dǎo)體芯片內(nèi)的電流供給部59的輸出電流的偏差，而使顯示裝置的圖像質(zhì)量提高。
需提一下，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，還可將在第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的基準(zhǔn)電流的輸出入端子的結(jié)構(gòu)、在第四個(gè)實(shí)施例及第五個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)結(jié)合起來(lái)使用。
(第七個(gè)實(shí)施例)圖16為一顯示本發(fā)明的第七個(gè)實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置的電路圖。
如該圖所示，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，除設(shè)置了圖20所示的現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置以外，還給構(gòu)成電流供給部59的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置了導(dǎo)電型和該MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣且其漏極接在該MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極上的漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80?？瓷先?，圖16所示的電流供給部59的結(jié)構(gòu)和圖7所示的電流供給部59的結(jié)構(gòu)很象，實(shí)際上，以下幾個(gè)方面不同。在圖16所示的電流供給部59中，對(duì)每一個(gè)構(gòu)成電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)置漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80；在漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80和輸出端子(未示)之間設(shè)置用以進(jìn)行輸出電流的灰階控制的開(kāi)關(guān)64；每一個(gè)漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80的柵極和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105的柵極共同接在一起。另外，第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105的漏極和柵極相互連接而讓基準(zhǔn)電流流過(guò)。由漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105構(gòu)成電流鏡電路。在該第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105的漏極上接著例如用以分配基準(zhǔn)電流的第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(未示)。
因此，在該實(shí)施例中所說(shuō)明的電流供給部59的每一個(gè)中，都從電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57一側(cè)、第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105一側(cè)這兩個(gè)方向接收偏壓。
在這一結(jié)構(gòu)下，電流供給部59的輸出電流，是應(yīng)該流過(guò)構(gòu)成不連接漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80時(shí)的電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的電流和單獨(dú)設(shè)置漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80時(shí)應(yīng)該流過(guò)的電流的平均值。盡管在所有電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上施加了相等的柵極電壓，且所有的漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80上也施加了相等的柵極電壓，但是電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80的閾值的梯度便隨著它們?cè)诎雽?dǎo)體芯片上的位置的不同而逆向變化，即一個(gè)從圖16所示的右方朝著左方變化，而另一個(gè)則從左方朝著右方變化。正因?yàn)槿绱?，通過(guò)將應(yīng)該流過(guò)電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流和應(yīng)該流過(guò)漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管80的電流平均化，每一個(gè)輸出端子的輸出電流的偏差便被平均化而得以均勻化。因此，利用該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置，便能實(shí)現(xiàn)抑制了顯示不一致性的高精細(xì)顯示裝置。
需提一下，在圖16中，示出了的是給一個(gè)半導(dǎo)體芯片分別設(shè)置一組由電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)55構(gòu)成的組、由第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105和第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的組這一情況。不僅如此，也可將在第二個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的電流驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)組合起來(lái)使用。
圖17為一電路圖，示出了將該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置和第二個(gè)實(shí)施例中組合起來(lái)后的電流驅(qū)動(dòng)裝置。在該電流驅(qū)動(dòng)裝置中，設(shè)置了多組由電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55組成的組。
在這一情況下，給每一個(gè)半導(dǎo)體芯片設(shè)置了多組由第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105和第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55b組成的組。特別是，若使由電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57和電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55組成的組數(shù)和由第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105和第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55b組成的組數(shù)相等，便可更有效地減少每一個(gè)端子的輸出電流的偏差，所以這樣做是很理想的。需提一下，第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55b的柵極接在共用的偏壓線(xiàn)56b上。有了這樣的結(jié)構(gòu)以后，在將該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置應(yīng)用到顯示裝置的情況下，便能夠抑制交叉串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
需提一下，在采用這一結(jié)構(gòu)的情況下，可與第四個(gè)實(shí)施例及第五個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)組合起來(lái)使用。例如，圖17所示的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，進(jìn)一步包括設(shè)在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55和電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57之間的連接切換用元件130a、設(shè)在第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55b和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105之間的連接切換用元件130b。連接切換用元件130a在每一個(gè)任意設(shè)定的期間將電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55接在不同的電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57上。同樣，連接切換用元件130b在每一個(gè)任意設(shè)定的期間將第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55b接在不同的第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105上。這樣一來(lái)，就能將來(lái)自電流供給部59的輸出電流進(jìn)一步均勻化。
而且，可將該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)和第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)組合起來(lái)使用。
圖18為一電路圖，示出了在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中具有在第一個(gè)實(shí)施例中所說(shuō)明的端子結(jié)構(gòu)時(shí)的電流驅(qū)動(dòng)裝置。如該圖所示，在該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，可以在半導(dǎo)體芯片中離電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57的距離在200μm以下，最好是100μm以下的范圍內(nèi)設(shè)置第一基準(zhǔn)電流輸入端子124及第一基準(zhǔn)電流輸出端子126；在離第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管105的距離在200μm以下，最好是100μm以下的范圍內(nèi)設(shè)置第二基準(zhǔn)電流輸入端子128及第二基準(zhǔn)電流輸出端子130。另外，在在顯示面板的框上排列著多個(gè)設(shè)置了電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片的情況下，可以將第一基準(zhǔn)電流輸出端子126和下一級(jí)的第二半導(dǎo)體芯片122的第一基準(zhǔn)電流輸入端子124連接起來(lái)，將第二基準(zhǔn)電流輸出端子130和第二半導(dǎo)體芯片122的第二基準(zhǔn)電流輸入端子128連接起來(lái)。這樣一來(lái)，也能抑制半導(dǎo)體芯片間的輸出電流的偏差。
(第八個(gè)實(shí)施例)圖19為一電路圖，示出了形成有本發(fā)明的第八個(gè)實(shí)施例所涉及的電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片。在該圖所示的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，因?yàn)殡娏鞴┙o部40的結(jié)構(gòu)和圖2所示的電流供給部40的結(jié)構(gòu)一樣，所以下面僅對(duì)除此以外的結(jié)構(gòu)加以說(shuō)明。
該實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的特征，在于在顯示面板的周?chē)糠峙帕兄O(shè)置一列半導(dǎo)體芯片的情況下，在每一個(gè)任意的時(shí)間間隔內(nèi)對(duì)基準(zhǔn)電流流動(dòng)的方向進(jìn)行切換。
如圖19所示，該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，設(shè)有接在用以讓第一基準(zhǔn)電流流過(guò)的基準(zhǔn)電流源151上的第一基準(zhǔn)電流輸入端子146；與構(gòu)成電流源的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路，柵極和漏極相互連接，傳遞第一基準(zhǔn)電流的第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a；與構(gòu)成電流源5的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a構(gòu)成電流鏡電路的第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b；傳遞來(lái)自第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b的輸出電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子150；用以輸入從第二基準(zhǔn)電流源153或者下一級(jí)半導(dǎo)體芯片輸出的第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子148；與構(gòu)成電流源5的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路，柵極和漏極連接著的第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b；與第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及構(gòu)成電流源5的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a；傳遞來(lái)自第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a的輸出電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子144；接在第二基準(zhǔn)電流輸出端子144上的開(kāi)關(guān)SW1；接在第一基準(zhǔn)電流輸入端子146上的開(kāi)關(guān)SW2；接在第二基準(zhǔn)電流輸入端子148上的開(kāi)關(guān)SW3；接在第一基準(zhǔn)電流輸出端子150上的開(kāi)關(guān)SW4。另外，在第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a間的電流傳遞通路上、及在第二基準(zhǔn)電流輸出端子144和第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a之間的電流傳遞通路上，設(shè)置了基準(zhǔn)電流切換開(kāi)關(guān)154；在第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b間的電流傳遞通路上、及在第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b之間的電流傳遞通路上，設(shè)置了基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)156。
另外，第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a的距離，最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b的距離最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。同樣，第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b之間的距離，最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。第二基準(zhǔn)電流輸出端子144和第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a的距離最好在200μm以下，在100μm以下就更理想了。
這樣一來(lái)，在將該實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片一級(jí)一級(jí)地連接起來(lái)的情況下，就能減少每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的輸出電流(像素電路的驅(qū)動(dòng)電流)的偏差。
而且，在顯示裝置中，在相鄰著設(shè)置第一半導(dǎo)體芯片140和第二半導(dǎo)體芯片142的情況下，第一半導(dǎo)體芯片140的第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第二半導(dǎo)體芯片142的第一基準(zhǔn)電流輸入端子146相互連接在一起；第一半導(dǎo)體芯片140的第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二半導(dǎo)體芯片142的第二基準(zhǔn)電流輸出端子144相互連接在一起。
在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，開(kāi)關(guān)SW1和開(kāi)關(guān)SW2相互同步工作，開(kāi)關(guān)SW3和開(kāi)關(guān)SW4相互同步工作。不僅如此，將開(kāi)關(guān)SW1、SW3的工作和開(kāi)關(guān)SW2和開(kāi)關(guān)SW4的工作控制成斷開(kāi)、閉合互逆的狀態(tài)。如下面所說(shuō)明的那樣，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置工作的時(shí)候，第一基準(zhǔn)電流傳遞給多個(gè)半導(dǎo)體芯片的第一期間、第二基準(zhǔn)電流傳遞給多個(gè)半導(dǎo)體芯片的第二期間交替地重復(fù)出現(xiàn)。
首先，在第一期間，如圖19所示，開(kāi)關(guān)SW2、SW4閉合，開(kāi)關(guān)SW1、SW3斷開(kāi)，同時(shí)由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)154讓第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a之間的電流傳遞通路導(dǎo)通，由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)154將第二基準(zhǔn)電流輸出端子144和第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a之間的電流傳遞通路切斷。與此同時(shí)，基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)156讓第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b之間的電流傳遞通路導(dǎo)通，由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)156將第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b之間的電流傳遞通路切斷。通過(guò)這樣的控制，第一基準(zhǔn)電流便通過(guò)第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一基準(zhǔn)電流輸出端子150傳遞到多個(gè)半導(dǎo)體芯片中。
接著，在第二期間，開(kāi)關(guān)SW2、SW4斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)SW1、SW3閉合，同時(shí)由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)154將第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a之間的電流傳遞通路切斷，由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)154使第二基準(zhǔn)電流輸出端子144和第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7a之間的電流傳遞通路導(dǎo)通。與此同時(shí)，由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)156將第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b之間的電流傳遞通路切斷，由基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)156讓第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b之間的電流傳遞通路導(dǎo)通。通過(guò)這樣的控制，從第二基準(zhǔn)電流源153供來(lái)的第二基準(zhǔn)電流便通過(guò)第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二基準(zhǔn)電流輸出端子144傳遞到多個(gè)半導(dǎo)體芯片中。
在驅(qū)動(dòng)大畫(huà)面顯示面板之際，有必要排列上多個(gè)設(shè)置了電流驅(qū)動(dòng)裝置的半導(dǎo)體芯片，但在僅從一個(gè)方向提供基準(zhǔn)電流的現(xiàn)有電流驅(qū)動(dòng)裝置中，供向第一級(jí)半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電流和傳遞到最終一級(jí)半導(dǎo)體芯片的基準(zhǔn)電流之間容易產(chǎn)生誤差。與其相比，在該實(shí)施例的電流驅(qū)動(dòng)裝置中，因?yàn)榭稍诿恳粋€(gè)任意期間交替著傳遞來(lái)自?xún)煞N基準(zhǔn)電流源的基準(zhǔn)電流，所以來(lái)自輸出端子的輸出電流的偏差得以平均化。結(jié)果是，通過(guò)使用該實(shí)施例中的電流驅(qū)動(dòng)裝置，即使在顯示面板的尺寸較大的情況下也能實(shí)現(xiàn)顯示得以均勻化了的顯示裝置。
需提一下，在圖19中，讓電流供給部40的結(jié)構(gòu)和第一個(gè)實(shí)施例的一樣了，不僅如此，只要為一能夠切換基準(zhǔn)電流的流動(dòng)方向的結(jié)構(gòu)，使其和其它實(shí)施例中的電流供給部的結(jié)構(gòu)一樣也是可以的。
而且，第一基準(zhǔn)電流輸入端子146和第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3a之間的電流傳遞通路、第二基準(zhǔn)電流輸出端子144和第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b之間的電流傳遞通路有一部分是共用的，不僅如此，所述電流傳遞通路可以是完全分開(kāi)著的。此時(shí)，基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)就不需要了。與此相同，第一基準(zhǔn)電流輸出端子150和第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管7b之間的電流傳遞通路、第二基準(zhǔn)電流輸入端子148和第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管3b之間的電流傳遞通路也可以是分開(kāi)著的。
權(quán)利要求
1.一種電流驅(qū)動(dòng)裝置，其設(shè)在半導(dǎo)體芯片上，其特征在于包括自讓基準(zhǔn)電流流動(dòng)的基準(zhǔn)電流源傳遞所述基準(zhǔn)電流的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路而讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型的電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；接在所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的第二導(dǎo)電型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、和用以輸出對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部；與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管及所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型的電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上，用以輸出從所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳來(lái)的電流的基準(zhǔn)電流輸出端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述基準(zhǔn)電流輸出端子，設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在100μm以?xún)?nèi)的區(qū)域上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述基準(zhǔn)電流源在所述半導(dǎo)體芯片的外部；在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上，還設(shè)有接在所述基準(zhǔn)電流源上、用以將電流傳遞給所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第一基準(zhǔn)電流輸入端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述基準(zhǔn)電流輸入端子，設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在100μm以?xún)?nèi)的區(qū)域上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在將所述基準(zhǔn)電流從所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳遞到所述基準(zhǔn)電流輸出端子的傳遞通路上，還設(shè)有由第一導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的電流鏡電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在將所述基準(zhǔn)電流從所述基準(zhǔn)電流源傳遞到所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的傳遞通路上，還設(shè)有由第二導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的電流鏡電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于還包括接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極上、設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上的第一基準(zhǔn)電流輸入端子；接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極上、由第二導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的輸入一側(cè)電流鏡電路；接在所述輸入一側(cè)電流鏡電路上、設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片中離所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的距離在200μm以下的區(qū)域上的第二基準(zhǔn)電流輸入端子；以及設(shè)在從所述電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管到所述基準(zhǔn)電流輸出端子的電流傳遞通路上、由第一導(dǎo)電型MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的輸出一側(cè)電流鏡電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于針對(duì)一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片，設(shè)置多組由所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的對(duì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間，還設(shè)置了進(jìn)行切換而做到在給定的每一個(gè)期間將所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管連接到不同的所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的連接切換元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中之任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片上，一列一列地排列著所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集合起來(lái)而設(shè)在其上的多個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部，都具有布置在至少兩個(gè)所述MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極接在共同的偏壓線(xiàn)上；還在所述偏壓線(xiàn)上、相鄰的所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極之間設(shè)了電阻元件。
12.一種電流驅(qū)動(dòng)裝置，其設(shè)在半導(dǎo)體芯片上，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路并用以讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、其漏極上連接著所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、以及每一個(gè)電流供給部都具有與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上并用以使根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、連接在所述開(kāi)關(guān)上并將對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的電流輸出到顯示面板的輸出端子的多個(gè)電流供給部，其特征在于給一個(gè)所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置多組由所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的對(duì)；還包括連接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極及所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極上的共同的偏壓線(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述多個(gè)電流供給部?jī)?nèi)的所有的所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與所有的所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極相互連接起來(lái)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部設(shè)在所述開(kāi)關(guān)和所述輸出端子之間；每一個(gè)電流供給部具有驅(qū)動(dòng)時(shí)小于等于所述顯示面板的電源電壓的電壓加在柵極上而成為導(dǎo)通狀態(tài)的第二導(dǎo)電型第一漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述開(kāi)關(guān)，為與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成漏極連接，根據(jù)給定的電壓是否加在驅(qū)動(dòng)時(shí)的柵極上而被控制為導(dǎo)通或者截止的第二漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于還包括接在所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上，驅(qū)動(dòng)時(shí)所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及設(shè)在所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間，柵極和柵極共同接在所述第二MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極上的第一導(dǎo)電型第二電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求12～16中的任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間，還設(shè)置了進(jìn)行切換而做到在給定的每一個(gè)期間將所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管連接在不同的所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的連接切換元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述連接切換元件，包括第一偏流切換開(kāi)關(guān)和第二偏流切換開(kāi)關(guān)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于進(jìn)一步包括與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及用以將所述虛設(shè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管暫時(shí)連接起來(lái)的虛設(shè)連接切換元件。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片上，進(jìn)一步設(shè)有驅(qū)動(dòng)時(shí)一時(shí)地接在所述第一偏流切換開(kāi)關(guān)上的第一端子和驅(qū)動(dòng)時(shí)一時(shí)地接在所述第二偏流切換開(kāi)關(guān)上的第二端子。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片上，一列一列地排列著所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集合起來(lái)而設(shè)在其上的多個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域；所述多個(gè)電流供給部中的每一個(gè)電流供給部，都具有布置在至少兩個(gè)所述MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管區(qū)域內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于還在所述偏壓線(xiàn)上、相鄰的所述電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極之間設(shè)了電阻元件。
23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于還包括驅(qū)動(dòng)時(shí)用以傳遞所述基準(zhǔn)電流的多個(gè)第一導(dǎo)電型第三電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；其漏極及柵極接在所述多個(gè)第三電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上的多個(gè)第二導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及與所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路且設(shè)在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述開(kāi)關(guān)之間的第二導(dǎo)電型第三漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
24.一種電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片上，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)第一基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；驅(qū)動(dòng)時(shí)第二基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都包括與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)上并進(jìn)行切換而讓根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、分別設(shè)在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述開(kāi)關(guān)之間并與所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、以及接在所述開(kāi)關(guān)上用以輸出對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述半導(dǎo)體芯片上，還設(shè)有用以輸入所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子、用以輸入所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子；所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子設(shè)在所述多個(gè)電流供給部的兩側(cè)即夾著所述多個(gè)電流供給部而設(shè)。
26.一種電流驅(qū)動(dòng)裝置，其設(shè)在半導(dǎo)體芯片上，其特征在于包括用以輸入第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸入端子；傳遞在第一期間流過(guò)所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子的電流的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有在所述第一期間與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、和輸出對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的電流的輸出端子的多個(gè)電流供給部；在所述第一期間與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；傳遞在所述第一期間流過(guò)所述第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子；用以輸入第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子；傳遞在第二期間流過(guò)所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子的電流、且與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；在所述第二期間內(nèi)與所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；傳遞在所述第二期間流過(guò)所述第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子；設(shè)在所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路上的第一開(kāi)關(guān)；設(shè)在所述第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路上的第二開(kāi)關(guān)；設(shè)在所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路上的第三開(kāi)關(guān)；以及設(shè)在所述第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第二基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路上的第四開(kāi)關(guān)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路、所述第二電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第二基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路，擁有第一共用布線(xiàn)；所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子和所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的電流傳遞通路、所述第一電流傳遞用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子之間的電流傳遞通路，具有第二共用布線(xiàn)；所述第一共用布線(xiàn)上，具有在所述第一期間讓所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出電流流過(guò)、在所述第二期間讓所述第二電流輸出用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出電流流過(guò)的第一基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)；所述第二共用布線(xiàn)上，具有在所述第一期間讓所述第一電流輸出用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出電流流過(guò)、在所述第二期間讓所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出電流流過(guò)的第二基準(zhǔn)電流用開(kāi)關(guān)。
28.一種顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和設(shè)在一列一列地布置著的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中并將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片，都擁有設(shè)在其邊上并用以輸入基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流輸入端子和設(shè)在其邊上用以輸出下一級(jí)半導(dǎo)體芯片用基準(zhǔn)電流的基準(zhǔn)電流輸出端子；所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中相鄰半導(dǎo)體芯片中的上述基準(zhǔn)電流輸入端子和所述基準(zhǔn)電流輸出端子被設(shè)置成相互對(duì)峙的樣子。
29.一種顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中都設(shè)置了用以將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其特征在于所述電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；與所述第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路并讓所述基準(zhǔn)電流流動(dòng)的多個(gè)第一導(dǎo)電型電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)的漏極都連接著所述多個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的多個(gè)第二導(dǎo)電型電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第二導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和將對(duì)應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流輸出給所述像素電路的輸出端子的多個(gè)電流供給部。
30.一種顯示裝置，其包括設(shè)置了具有其亮度根據(jù)供來(lái)的電流量而變化的發(fā)光元件的像素電路的顯示面板、和每一個(gè)半導(dǎo)體芯片中都設(shè)置了用以將驅(qū)動(dòng)電流提供給所述像素電路的電流驅(qū)動(dòng)裝置的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，其特征在于所述電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括驅(qū)動(dòng)時(shí)第一基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；驅(qū)動(dòng)時(shí)第二基準(zhǔn)電流流動(dòng)的第一導(dǎo)電型第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；每一個(gè)電流供給部都具有與所述第一電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管、連接在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)上并進(jìn)行切換而讓根據(jù)顯示數(shù)據(jù)流過(guò)所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流流過(guò)或者將其截止的開(kāi)關(guān)、分別設(shè)在所述電流源用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述開(kāi)關(guān)之間并與所述第二電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成電流鏡電路的第一導(dǎo)電型漏極連接MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及接在所述開(kāi)關(guān)上用以將對(duì)應(yīng)于所述顯示數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)電流輸出給所述像素電路的輸出端子的多個(gè)電流供給部。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電流驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于在所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的邊上，還設(shè)置了用以輸入所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第一基準(zhǔn)電流的第一基準(zhǔn)電流輸出端子、用以輸入所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸入端子、用以輸出所述第二基準(zhǔn)電流的第二基準(zhǔn)電流輸出端子；所述第一基準(zhǔn)電流輸出端子接在相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的所述第一基準(zhǔn)電流輸入端子上；所述第二基準(zhǔn)電流輸出端子接在相鄰的所述半導(dǎo)體芯片的所述第二基準(zhǔn)電流輸入端子上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電流驅(qū)動(dòng)裝置及顯示裝置，其目的在于提供一種在將它用于顯示裝置的情況下，能夠抑制顯示不一致性等圖像顯示失真的電流驅(qū)動(dòng)裝置。電流驅(qū)動(dòng)裝置，包括基準(zhǔn)電流源58、接在基準(zhǔn)電流源58上的第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53、與第一MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管53構(gòu)成電流鏡電路并用以分配基準(zhǔn)電流的多個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55、接在電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55上的電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57、具有與電流輸入用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管57構(gòu)成電流鏡電路的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管并用以提供像素電路的驅(qū)動(dòng)電流的多個(gè)電流供給部59。具有了多個(gè)電流分配用MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管55以后，便能抑制電流供給部53內(nèi)的MIS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電位的變動(dòng)，從而能夠抑制在顯示裝置中產(chǎn)生交叉串?dāng)_現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1551080SQ2004100421
公開(kāi)日2004年12月1日 申請(qǐng)日期2004年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月12日
發(fā)明者伊達(dá)義人, 大森哲郎, 水木誠(chéng), 道正志郎, 郎 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社