專(zhuān)利名稱(chēng)：信號(hào)傳輸膜、控制信號(hào)部分以及包括該膜的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及信號(hào)傳輸膜、控制信號(hào)部分以及包括該信號(hào)傳輸膜的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是一種現(xiàn)今廣泛使用的平面顯示器件。該液晶顯示器包括其上形成有多個(gè)電極的兩個(gè)基底，夾在兩個(gè)基底之間的液晶層，以及用于極化加載到基底的每一個(gè)外表面的光的兩個(gè)極化膜。液晶顯示器控制透光率，因此通過(guò)施加不同電壓到電極來(lái)顯示圖片圖像，同時(shí)形成用于改變液晶層的液晶分子取向的電場(chǎng)。在這樣一種液晶顯示器中，在兩個(gè)基底中的一個(gè)上形成有薄膜晶體管，該基底稱(chēng)作TFT基底，并且可以轉(zhuǎn)換加載到電極上的電壓。
用于顯示圖片圖像的顯示區(qū)域位于TFT基底的中心。多個(gè)信號(hào)線(xiàn)路、多個(gè)門(mén)線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路分別在橫、豎方向形成。門(mén)線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路彼此相交，從而確定多個(gè)象素元素區(qū)域。每一個(gè)象素元素都有象素電極，以使數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)作用于其上。通過(guò)經(jīng)由門(mén)線(xiàn)路傳輸?shù)拈T(mén)信號(hào)，薄膜晶體管將經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)路傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送到象素電極。
連接到門(mén)線(xiàn)路的多個(gè)門(mén)焊點(diǎn)和連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)路的多個(gè)數(shù)據(jù)焊點(diǎn)形成在顯示區(qū)域的外側(cè)。這些焊點(diǎn)被連接到外部驅(qū)動(dòng)集成電路以接收外部集成電路的門(mén)信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)，然后傳輸上述信號(hào)到門(mén)線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路。
用于門(mén)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒搴陀糜跀?shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒迨褂酶飨虍愋詡鲗?dǎo)膜通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程連接到薄膜晶體管基底，從而傳輸門(mén)和數(shù)據(jù)信號(hào)到薄膜晶體管。該薄膜晶體管和用于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒逋ㄟ^(guò)其上安裝有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)信號(hào)，并發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)到數(shù)據(jù)線(xiàn)。而且，該薄膜晶體管和用于門(mén)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒逋ㄟ^(guò)其上安裝有門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路的門(mén)信號(hào)傳輸膜連接。門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成門(mén)信號(hào)，并發(fā)送門(mén)信號(hào)到門(mén)線(xiàn)路。
在此，用于控制門(mén)信號(hào)的門(mén)控制信號(hào)可以從用于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒遢敵觯皇菑挠糜陂T(mén)信號(hào)傳輸?shù)挠∷㈦娐钒遢敵?。并且，上述門(mén)控制信號(hào)可以傳輸?shù)介T(mén)信號(hào)傳輸膜。
門(mén)控制信號(hào)可以是各種各樣的控制信號(hào)，例如在薄膜晶體管中的門(mén)導(dǎo)通電壓、門(mén)截止電壓和用于相對(duì)數(shù)據(jù)電壓差值的基準(zhǔn)電壓的公共電壓。
輸入到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路、同時(shí)驅(qū)動(dòng)液晶顯示器的上述門(mén)控制信號(hào)具有各種各樣的電壓值，并通過(guò)門(mén)控制信號(hào)連接線(xiàn)傳輸。門(mén)控制信號(hào)連接線(xiàn)并列且密接設(shè)置在薄膜晶體管基底上。因此，傳輸高壓如門(mén)導(dǎo)通電壓的高壓信號(hào)線(xiàn)和傳輸?shù)蛪喝玳T(mén)截止電壓的低壓信號(hào)線(xiàn)并列且密接設(shè)置。
在導(dǎo)線(xiàn)的這種配置中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)液晶顯示器時(shí)，在高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間形成電位差。然而，在制造和操作液晶顯示器期間，根據(jù)原電池的原理，這種電位差引起與滲入導(dǎo)線(xiàn)的水分發(fā)生電解反應(yīng)，從而損害了高壓信號(hào)線(xiàn)并產(chǎn)生了劣質(zhì)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種信號(hào)傳輸膜、一種控制信號(hào)部分和一種包括信號(hào)傳輸膜的液晶顯示器，它能夠阻止導(dǎo)線(xiàn)由于電解作用受到損害。
根據(jù)本發(fā)明，該目的是通過(guò)位于控制信號(hào)傳輸膜中薄膜晶體管基底的高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間的厚引線(xiàn)實(shí)現(xiàn)的。換句話(huà)說(shuō)，本發(fā)明通過(guò)在高分子膜上印刷或構(gòu)圖銅線(xiàn)來(lái)提供在信號(hào)傳輸膜上的幾微米到幾十微米厚的引線(xiàn)。這里，引線(xiàn)設(shè)置在控制信號(hào)傳輸膜上，以使其位于幾百到幾千個(gè)信號(hào)線(xiàn)中的高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，信號(hào)傳輸膜包括傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓的第一信號(hào)引線(xiàn)；傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓的第二信號(hào)引線(xiàn)；和在第一信號(hào)引線(xiàn)和第二信號(hào)引線(xiàn)之間形成的引線(xiàn)。
引線(xiàn)可以具有幾微米到幾十微米的厚度，與第一信號(hào)電壓相同的電壓可以加載到引線(xiàn)上，并且該引線(xiàn)可以是虛擬引線(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，控制信號(hào)部分包括由基底以及基底上的第一和第二信號(hào)線(xiàn)構(gòu)成的控制信號(hào)線(xiàn)部分；由對(duì)應(yīng)于基底的膜、膜上的第一和第二信號(hào)引線(xiàn)和膜上的引線(xiàn)構(gòu)成的控制信號(hào)傳輸部分，其中第一和第二信號(hào)引線(xiàn)連接到第一和第二信號(hào)線(xiàn)上，并且該引線(xiàn)位于第一和第二信號(hào)線(xiàn)之間。第一信號(hào)引線(xiàn)傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓，而第二信號(hào)引線(xiàn)傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓。
引線(xiàn)可以有幾微米到幾十微米的厚度。并且每一個(gè)信號(hào)引線(xiàn)可能與相當(dāng)于其本身的信號(hào)線(xiàn)的至少一部分交疊。
與第一信號(hào)電壓相同的電壓可以加載到引線(xiàn)上。該引線(xiàn)至少與導(dǎo)線(xiàn)的一部分重疊。
連接到引線(xiàn)上的導(dǎo)線(xiàn)可以形成在基底上。該導(dǎo)線(xiàn)也可以連接到第一信號(hào)線(xiàn)上或與第一信號(hào)線(xiàn)隔離。
該導(dǎo)線(xiàn)可以由氧化性比第二信號(hào)線(xiàn)低的導(dǎo)電材料形成。并且，該導(dǎo)線(xiàn)可以由ITO或IZO形成。
第一信號(hào)引線(xiàn)可以延伸到引線(xiàn)上，以使其和引線(xiàn)成一體。并且，引線(xiàn)可以是虛擬引線(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，液晶顯示器包括基底上的顯示區(qū)，其中顯示區(qū)包括門(mén)線(xiàn)路、與門(mén)線(xiàn)路交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)路以確定象素元素區(qū)域、連接到象素元素區(qū)域中的門(mén)線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路的薄膜晶體管和電連接到該薄膜晶體管的象素電極；基底上的控制信號(hào)線(xiàn)部分，其中控制信號(hào)部分包括第一和第二信號(hào)線(xiàn)；由對(duì)應(yīng)于基底的膜、膜上的第一和第二信號(hào)引線(xiàn)和膜上的引線(xiàn)構(gòu)成的控制信號(hào)傳輸部分，其中第一和第二信號(hào)引線(xiàn)被連接到第一和第二信號(hào)線(xiàn)上，并且引線(xiàn)位于第一和第二信號(hào)線(xiàn)之間。
第一信號(hào)引線(xiàn)傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓，而第二信號(hào)引線(xiàn)傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓。
上述引線(xiàn)可以有幾微米到幾十微米的厚度。每一個(gè)信號(hào)引線(xiàn)可能與對(duì)應(yīng)于其本身的信號(hào)線(xiàn)的至少一部分交疊。并且與第一信號(hào)電壓相同的電壓可以加載到引線(xiàn)上。
控制信號(hào)傳輸部分可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路或門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路。
第一信號(hào)電壓可以是門(mén)導(dǎo)通電壓或供電電壓。
第二信號(hào)電壓可以是門(mén)截止電壓或接地電壓。
引線(xiàn)是虛擬引線(xiàn)。而且，連接到引線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)可以在基底上形成。
引線(xiàn)可以至少與導(dǎo)線(xiàn)的一部分重疊。
導(dǎo)線(xiàn)可以由氧化性比第二信號(hào)線(xiàn)低的導(dǎo)電材料形成，如ITO或IZO。
同樣的，由導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)線(xiàn)可以用于形成門(mén)線(xiàn)路、數(shù)據(jù)線(xiàn)路或象素電極。
液晶顯示器可以包括在基底上覆蓋導(dǎo)線(xiàn)的絕緣層，露出絕緣層中導(dǎo)線(xiàn)部分的接觸孔和通過(guò)接觸孔連接到導(dǎo)線(xiàn)上的輔助焊點(diǎn)，其中引線(xiàn)連接到導(dǎo)線(xiàn)上以在接觸孔的長(zhǎng)度方向上完全覆蓋接觸孔。在此，在接觸孔的寬度方向上，引線(xiàn)至少覆蓋接觸孔的一側(cè)。而且，引線(xiàn)位于接觸孔的內(nèi)部區(qū)域中，以使接觸孔的兩側(cè)露出。
液晶顯示器可以包括連接到基底的門(mén)信號(hào)傳輸膜，其中導(dǎo)線(xiàn)是通過(guò)將連接到門(mén)信號(hào)傳輸膜的第一導(dǎo)線(xiàn)和連接到控制信號(hào)傳輸部分的第二導(dǎo)線(xiàn)連接起來(lái)形成的。這里，第一和第二導(dǎo)線(xiàn)可以通過(guò)某種方式彼此連接，這種方式是第一導(dǎo)線(xiàn)形成在基底上，覆蓋第一導(dǎo)線(xiàn)的第一絕緣層和露出第一絕緣層中第一導(dǎo)線(xiàn)端部的第一接觸孔還包括在其中，并且第二導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)在第一絕緣層上的第一接觸孔連接到第一導(dǎo)線(xiàn)上。并且，更進(jìn)一步的，覆蓋第二導(dǎo)線(xiàn)的第二絕緣層，露出第二導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的第二接觸孔，以及通過(guò)第二接觸孔和第三接觸孔露出第一下行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)和連接到第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)的第三接觸孔也可以包括在其中。
在液晶顯示器中，第一信號(hào)線(xiàn)包括在基底上具有焊點(diǎn)的下行導(dǎo)線(xiàn)，覆蓋下行導(dǎo)線(xiàn)的第一絕緣層，在第一絕緣層上具有焊點(diǎn)的上行導(dǎo)線(xiàn)，在第一和第二絕緣層中露出下行導(dǎo)線(xiàn)的第一接觸孔，在第二絕緣層中露出上行導(dǎo)線(xiàn)的第二接觸孔，以及同時(shí)連接到下行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)和上行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)。


通過(guò)參照針對(duì)附圖的下述詳細(xì)說(shuō)明，將會(huì)對(duì)本發(fā)明有更充分的理解，而且本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見(jiàn)，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的元件，其中
圖1是包括控制信號(hào)部分的液晶顯示器的示意圖；圖2是示出控制信號(hào)部分的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的平面圖，其中未形成高壓冗余線(xiàn)；圖3是沿圖2中III-III′線(xiàn)截取的控制信號(hào)部分的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的控制信號(hào)部分的平面圖；圖5是沿圖4中V-V′線(xiàn)截取的控制信號(hào)部分的橫截面圖；圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的控制信號(hào)部分的平面圖；圖7是沿圖6中VII-VII′線(xiàn)截取的控制信號(hào)部分的橫截面圖；圖8是本發(fā)明第三實(shí)施例的液晶顯示器的平面圖；圖9是沿圖8中IX-IX′線(xiàn)截取的液晶顯示器的橫截面圖；圖10是本發(fā)明第四實(shí)施例的液晶顯示器的平面圖；圖11是沿圖10中XI-XI′線(xiàn)截取的液晶顯示器的橫截面圖；圖12是信號(hào)引線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的重疊結(jié)構(gòu)的平面圖；圖13是沿圖12中XIII-XIII′線(xiàn)截取的重疊結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖14是信號(hào)引線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的另一種重疊結(jié)構(gòu)的平面圖；圖15是沿圖14中XV-XV′線(xiàn)截取的重疊結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖16是控制信號(hào)部分的信號(hào)線(xiàn)的另一個(gè)模式的平面圖；圖17是沿圖16中XVII-XVII′線(xiàn)截取的信號(hào)線(xiàn)的橫截面圖；圖18是信號(hào)線(xiàn)的焊點(diǎn)的另一個(gè)模式的平面圖；和圖19是沿圖18中XIX-XIX′線(xiàn)截取的焊點(diǎn)的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例將參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是具有薄膜晶體管基底的液晶顯示器的示意圖，其中在基底上形成有門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)。
濾色器基底100與薄膜晶體管基底200結(jié)合。用于輸出數(shù)據(jù)信號(hào)到數(shù)據(jù)線(xiàn)130的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路310和用于輸出門(mén)信號(hào)到門(mén)線(xiàn)路140的門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路410位于薄膜晶體管基底200的外側(cè)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路310安裝在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300上，該數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300電連接到用于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸500的印刷電路板和薄膜晶體管基底200上。并且，門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路410安裝在電連接到薄膜晶體管基底200的門(mén)信號(hào)傳輸膜400上。
通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程，使用各向異性傳導(dǎo)膜(ACF)的上述門(mén)和數(shù)據(jù)傳輸膜300和400電連接到薄膜晶體管基底200上。這里，形成在膜300和400中的引線(xiàn)通過(guò)ACF的導(dǎo)體材料(未示出)以一一對(duì)應(yīng)關(guān)系電連接到形成在薄膜晶體管基底200中的導(dǎo)線(xiàn)上。
用于控制門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路410的驅(qū)動(dòng)的門(mén)控制信號(hào)經(jīng)由門(mén)控制互連線(xiàn)路520傳輸?shù)介T(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路410。在門(mén)控制互連線(xiàn)路520中，用于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸500的印刷電路板的線(xiàn)路、數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的控制信號(hào)引線(xiàn)、薄膜晶體管基底200的控制信號(hào)線(xiàn)路和門(mén)信號(hào)傳輸膜400的控制信號(hào)引線(xiàn)彼此電連接。在門(mén)控制互連線(xiàn)路520上的箭頭表示門(mén)控制信號(hào)的傳輸方向。
門(mén)控制信號(hào)是門(mén)導(dǎo)通電壓(Von)、門(mén)截止電壓(Voff)、用于薄膜晶體管中基準(zhǔn)電壓到數(shù)據(jù)電壓的差值的公共電壓(Vcom)、門(mén)時(shí)鐘(CPV)、起始豎直信號(hào)(STV)、線(xiàn)反向信號(hào)(RVS)、門(mén)啟動(dòng)(OE)、接地電壓(VGND)等等。上述門(mén)控制信號(hào)控制門(mén)驅(qū)動(dòng)電路410的驅(qū)動(dòng)。
在上述門(mén)控制信號(hào)中，每一個(gè)門(mén)導(dǎo)通電壓和功率電壓是10V到20V，同時(shí)，每一個(gè)門(mén)截止電壓和接地電壓在0V以下。
用于傳輸高壓如門(mén)導(dǎo)通電壓的高壓信號(hào)線(xiàn)和用于傳輸?shù)蛪喝玳T(mén)截止電壓的低壓信號(hào)線(xiàn)密接設(shè)置。在這種情況下，當(dāng)液晶顯示器工作時(shí)，這兩種線(xiàn)路之間形成電位差。該電位差等于高壓如門(mén)導(dǎo)通電壓和低壓如門(mén)截止電壓之間的電壓差。
在液晶顯示器的制造和工作過(guò)程中，水分滲入到線(xiàn)路中。特別是，水分滲入到位于連接到薄膜晶體管10的門(mén)和數(shù)據(jù)傳輸膜300和400的線(xiàn)路上，并且集中在線(xiàn)路的步差部分。
水分本身含有離子。通過(guò)高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間的電位差，使用作為電解液的ACF，水分中的陰離子從低壓信號(hào)線(xiàn)移動(dòng)到高壓信號(hào)線(xiàn)。
在電化學(xué)方面，高壓信號(hào)線(xiàn)與陰離子起反應(yīng)，以至于在電解液中熔化。因此，高壓信號(hào)線(xiàn)的開(kāi)口是由于電解作用引起的。
這種線(xiàn)路的開(kāi)口是由于電解作用發(fā)生在線(xiàn)路中，特別是連接到薄膜晶體管10的門(mén)傳輸膜300和數(shù)據(jù)傳輸膜400的位置上，在線(xiàn)路中標(biāo)識(shí)為“A”和“B”。
本發(fā)明通過(guò)阻止在高壓信號(hào)線(xiàn)周?chē)庪x子的移動(dòng)來(lái)防止高壓信號(hào)線(xiàn)的損壞。
這將參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖2是示出數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜的門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)和薄膜晶體管基底的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的平面圖，其中高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)密接設(shè)置。圖3是沿圖2中III-III′線(xiàn)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
使用包括導(dǎo)電材料和粘結(jié)樹(shù)脂的各向異性傳導(dǎo)膜(ACF)，具有門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202、203、204和205的薄膜晶體管基底200連接到具有門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)301、302、303、304和305的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300。這里，通過(guò)ACF的導(dǎo)電材料(未示出)，膜300的引線(xiàn)以一一對(duì)應(yīng)關(guān)系連接到薄膜晶體管基底10的導(dǎo)線(xiàn)。
在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300中，低壓控制引線(xiàn)302位于高壓信號(hào)引線(xiàn)301的一側(cè)，而門(mén)公共電壓信號(hào)引線(xiàn)303位于高壓信號(hào)引線(xiàn)301的另一側(cè)。大約20V的高壓如門(mén)導(dǎo)通電壓加載到高壓控制引線(xiàn)301上，0V以下的低壓如門(mén)截止電壓加載到低壓控制引線(xiàn)302上，并且大約3V的門(mén)公共電壓加載到門(mén)公共電壓引線(xiàn)303上。
與門(mén)導(dǎo)通電壓相比，門(mén)公共電壓可以是低壓。然而，低于門(mén)公共電壓的門(mén)截止電壓將作為在下文描述中低壓的實(shí)例。
并且，以一一對(duì)應(yīng)關(guān)系連接到引線(xiàn)301、302、303、304和305的高壓信號(hào)線(xiàn)201、低壓信號(hào)線(xiàn)202、門(mén)公共電壓信號(hào)線(xiàn)203和其它信號(hào)線(xiàn)204和205在薄膜晶體管基底200上形成。
為了驅(qū)動(dòng)液晶顯示器，門(mén)控制信號(hào)經(jīng)由數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的控制信號(hào)引線(xiàn)301、302、303、304和305、薄膜晶體管基底200的數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)201、202、203、304和205以及門(mén)信號(hào)傳輸膜的引線(xiàn)(未示出)輸入到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)。
在這個(gè)過(guò)程中，門(mén)導(dǎo)通電壓加載到高壓信號(hào)引線(xiàn)301和高壓信號(hào)線(xiàn)201，而門(mén)截止電壓加載到低壓信號(hào)引線(xiàn)302和低壓信號(hào)線(xiàn)302。因此，高壓信號(hào)引線(xiàn)301/高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)引線(xiàn)302/低壓信號(hào)線(xiàn)202之間形成了電位差。該電位差等于門(mén)導(dǎo)通電壓和門(mén)截止電壓之間的電壓差。
當(dāng)液晶顯示器制造或工作時(shí)，水分滲入到線(xiàn)路中。特別是，水分滲入到線(xiàn)路中的連接到薄膜晶體管10的門(mén)和數(shù)據(jù)傳輸膜300和400的位置上，并且集中在線(xiàn)路的步差部分。
水分本身含有離子。通過(guò)高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間的電位差，使用作為電解液的ACF，水分中的陰離子500從低壓信號(hào)線(xiàn)202移動(dòng)到高壓信號(hào)線(xiàn)201。在電化學(xué)方面，高壓信號(hào)線(xiàn)201與陰離子500起反應(yīng)，以至于在電解液中熔化。因此，由于電解作用，高壓信號(hào)線(xiàn)201斷開(kāi)了。
然而，當(dāng)使用具有位于薄膜晶體管基底的高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間的引線(xiàn)的控制信號(hào)傳輸膜時(shí)，功能為墻的引線(xiàn)可以阻止陰離子移動(dòng)進(jìn)入高壓信號(hào)線(xiàn)。在這種情況下，盡管水分滲入到連接到薄膜晶體管基底的控制信號(hào)傳輸膜的控制信號(hào)部分，但是陰離子不能到達(dá)高壓信號(hào)線(xiàn)，以至于不能由于電解作用而熔化高壓信號(hào)線(xiàn)。
這將通過(guò)本發(fā)明下述實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的控制信號(hào)部分的平面圖，圖5是沿圖4中V-V′線(xiàn)截取的控制信號(hào)部分的橫截面圖。
使用由導(dǎo)電材料251和粘結(jié)樹(shù)脂252構(gòu)成的各向異性傳導(dǎo)膜250，具有門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)301、302、303和高壓冗余引線(xiàn)310和320的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300連接到具有門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202、203的薄膜晶體管基底200。這里，通過(guò)各向異性傳導(dǎo)膜250的導(dǎo)電材料251，薄膜晶體管基底200的導(dǎo)線(xiàn)201、202和203以一一對(duì)應(yīng)關(guān)系電連接到數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302和303上。
傳輸門(mén)導(dǎo)通電壓的高壓信號(hào)引線(xiàn)301、傳輸門(mén)截止電壓的低壓信號(hào)引線(xiàn)302、傳輸門(mén)公共電壓的公共電壓信號(hào)引線(xiàn)303在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300中形成。傳輸與高壓信號(hào)引線(xiàn)相同電壓的高壓虛擬(dummy)引線(xiàn)310和320在高壓信號(hào)引線(xiàn)301的兩側(cè)形成。
并且，以一一對(duì)應(yīng)關(guān)系連接到高壓信號(hào)引線(xiàn)301、低壓信號(hào)引線(xiàn)302和公共電壓信號(hào)引線(xiàn)303的高壓信號(hào)線(xiàn)201、低壓信號(hào)線(xiàn)202和公共電壓信號(hào)線(xiàn)203在薄膜基底10上形成。高壓虛擬線(xiàn)310和320在薄膜晶體管10上不具有對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線(xiàn)。
數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302、303、310和320是通過(guò)在用作數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜的高分子膜上印刷和構(gòu)圖幾微米到幾十微米厚的銅線(xiàn)而形成的。數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302、303、310和320遠(yuǎn)厚于薄膜晶體管基底200的導(dǎo)線(xiàn)201、202和203。盡管數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300和薄膜晶體管基底200使用各向異性傳導(dǎo)膜250通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程彼此連接，但粘結(jié)樹(shù)脂252的高壓虛擬引線(xiàn)310和320所在的部分通過(guò)厚引線(xiàn)310和320推進(jìn)，以至于被壓縮。這里，粘結(jié)樹(shù)脂252變得如此致密，以至于在電解液中的陰離子500的移動(dòng)可以被抑制。因此，高壓虛擬引線(xiàn)310和320象墻一樣作用，阻止陰離子圍繞它移動(dòng)。
為了驅(qū)動(dòng)液晶顯示器，門(mén)控制信號(hào)經(jīng)由數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302和303、薄膜顯示器基底200的信號(hào)線(xiàn)201、202和203以及門(mén)信號(hào)傳輸膜上的引線(xiàn)(未示出)輸入到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)。
在這個(gè)過(guò)程中，在高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)線(xiàn)201)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間形成等電位。因?yàn)橄嗤碾妷杭燃虞d到高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)引線(xiàn))上又加載到高壓虛擬引線(xiàn)310和320上。并且，因?yàn)榈蛪喝玳T(mén)截止電壓加載到低壓信號(hào)引線(xiàn)302(或低壓線(xiàn)信號(hào)線(xiàn)202)上，等于門(mén)導(dǎo)通電壓和門(mén)截止電壓之差的電位差在低壓信號(hào)線(xiàn)202(或低壓信號(hào)引線(xiàn)302)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間形成。
水分在門(mén)傳輸膜300和數(shù)據(jù)傳輸膜400連接到薄膜晶體管100的位置滲入到導(dǎo)線(xiàn)中，并且集中在線(xiàn)路的步差部分。水分本身含有離子。通過(guò)高壓虛擬引線(xiàn)310和低壓信號(hào)引線(xiàn)202之間的電位差，使用作為電解液的ACF，水分中的陰離子500從低壓信號(hào)引線(xiàn)202移動(dòng)到高壓虛擬引線(xiàn)310。
這里，通過(guò)與陰離子500的電化學(xué)反應(yīng)，高壓虛擬引線(xiàn)310和320可以熔化在高壓虛擬引線(xiàn)310和320周?chē)碾娊庖褐小Ｈ欢?，高壓虛擬引線(xiàn)310和320是如此的厚，以至于可以提供足夠的陽(yáng)離子給陰離子。因此，腐蝕最小。
移動(dòng)到高壓虛擬引線(xiàn)310和320的陰離子被高壓虛擬引線(xiàn)310和320阻塞，不能進(jìn)一步移動(dòng)。換句話(huà)說(shuō)，高壓虛擬引線(xiàn)310和320阻止?jié)B入的水分的陰離子移動(dòng)到高壓信號(hào)線(xiàn)201，并停留在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間。
并且，由于在高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)線(xiàn)201)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間的等電位，滲入到高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)年庪x子失去它們的移動(dòng)方向，并圍繞高壓信號(hào)線(xiàn)201漂浮。
在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的控制信號(hào)部分中，高壓虛擬引線(xiàn)310和320與數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300上的高壓信號(hào)引線(xiàn)301分離。然而，高壓信號(hào)引線(xiàn)301通過(guò)使它的區(qū)域延伸到高壓虛擬引線(xiàn)310和320，可以與高壓虛擬引線(xiàn)310和320成為一體。在這種情況下，延伸的高壓信號(hào)引線(xiàn)301位于高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)?。這里，盡管陰離子移動(dòng)到高壓信號(hào)引線(xiàn)301并且和高壓信號(hào)引線(xiàn)301起作用，高壓信號(hào)引線(xiàn)301如此大且寬以致于提供足夠的陽(yáng)離子給陰離子，幾乎不產(chǎn)生腐蝕。
與本發(fā)明第一實(shí)施例不同，在圖6和圖7所示的本發(fā)明第二實(shí)施例的控制信號(hào)部分中，對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的高壓虛擬引線(xiàn)310和320的高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)210和220可以在薄膜晶體管基底200上形成。該實(shí)施例有在高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)纬奢^寬等電位區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)。
這里，如圖6所示，高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)210和220與高壓信號(hào)線(xiàn)201分離，或連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201上。當(dāng)高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)210和220連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201時(shí)，高壓虛擬引線(xiàn)210和220變成用于高壓信號(hào)線(xiàn)201的冗余導(dǎo)線(xiàn)。
在薄膜晶體管基底上的高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)可以通過(guò)使用傳統(tǒng)導(dǎo)電材料如用于形成門(mén)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料形成。這里，高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)可以由氧化性比低壓信號(hào)線(xiàn)小的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如銅族之一、銀族之一、鉻族之一、或包括氮化鉻和氮化鉬的鉬族之一。在這種情況下，由于電解作用，高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)可能損害較小。而且，當(dāng)高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)氧化的導(dǎo)電材料如ITO或IZO形成時(shí)，高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)幾乎不與陰離子起反應(yīng)。
由于高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間的電位差，數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的高壓虛擬引線(xiàn)310和320形成，以阻止電解作用。因此，當(dāng)?shù)蛪盒盘?hào)線(xiàn)202僅僅位于高壓信號(hào)線(xiàn)201的一側(cè)時(shí)，在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間可能僅僅形成一根高壓虛擬線(xiàn)。
在上述本發(fā)明的第一實(shí)施例中，傳輸門(mén)導(dǎo)通電壓的導(dǎo)線(xiàn)作為高壓信號(hào)線(xiàn)的一個(gè)例子，傳輸門(mén)截止電壓的導(dǎo)線(xiàn)作為低壓信號(hào)線(xiàn)的一個(gè)例子。然而，高壓信號(hào)線(xiàn)的另一個(gè)例子可以是傳輸供電電壓的導(dǎo)線(xiàn)，而低壓信號(hào)線(xiàn)的另一個(gè)實(shí)例可以是傳輸接地電壓的導(dǎo)線(xiàn)。
在根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的控制信號(hào)部分中，形成在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜上的控制信號(hào)部分作為一個(gè)示例。然而，本發(fā)明可以應(yīng)用于控制信號(hào)部分形成在門(mén)傳輸膜上的這種情況中。
在上述本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例中，僅僅描述了傳輸門(mén)控制信號(hào)的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)。然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于傳輸數(shù)據(jù)控制信號(hào)的數(shù)據(jù)控制信號(hào)線(xiàn)形成在薄膜晶體管基底上的這種情況中。并且，本發(fā)明可以應(yīng)用到打算阻止由于通過(guò)兩根導(dǎo)線(xiàn)之間的電位差所引起的電解作用而產(chǎn)生的導(dǎo)線(xiàn)熔化的所有情況中。
包括上述控制信號(hào)部分的液晶顯示器的說(shuō)明如下。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的液晶顯示器的平面圖，圖9是沿圖8中IX-IX′線(xiàn)截取的液晶顯示器的橫截面圖。
在本發(fā)明第三實(shí)施例的液晶顯示器中，傳輸門(mén)控制信號(hào)的控制信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)由用于形成數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料形成，而對(duì)應(yīng)于高壓虛擬引線(xiàn)的高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)沒(méi)有形成。
由包括連接到門(mén)線(xiàn)路20末端的門(mén)電極22和門(mén)焊點(diǎn)21的門(mén)線(xiàn)路20構(gòu)成的門(mén)導(dǎo)線(xiàn)20、21和22形成在絕緣基底10上。
門(mén)線(xiàn)路20在水平方向延伸并將從門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)輸出的門(mén)信號(hào)傳輸?shù)较笏貐^(qū)域。門(mén)線(xiàn)路20、21和22可以由傳統(tǒng)的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如銅族之一、銀族之一、鉻族之一、或包括氮化鉻和氮化鉬的鉬族之一，并可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
并且，由絕緣材料如氮化硅、氧化硅等構(gòu)成的門(mén)絕緣層30被形成用于覆蓋門(mén)線(xiàn)路20、21和22。
由非晶硅構(gòu)成并對(duì)應(yīng)于門(mén)電極22的半導(dǎo)體層40形成在門(mén)絕緣層30上。
并且，數(shù)據(jù)線(xiàn)路60、61、62和63形成在門(mén)絕緣層40上。數(shù)據(jù)線(xiàn)路包括在垂直方向延伸并且交叉門(mén)線(xiàn)路20以確定象素區(qū)的數(shù)據(jù)線(xiàn)60、連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)60末端的數(shù)據(jù)焊點(diǎn)61、從數(shù)據(jù)線(xiàn)60突出并電連接到半導(dǎo)體層40的源極62、以及對(duì)應(yīng)于源極61并且電連接到半導(dǎo)體層40的漏極63。
并且，門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202、203形成在門(mén)絕緣層40上。門(mén)控信號(hào)線(xiàn)201、202和203是傳輸高壓如門(mén)導(dǎo)通電壓的高壓信號(hào)線(xiàn)201；傳輸?shù)蛪喝玳T(mén)截止電壓的低壓信號(hào)線(xiàn)202；以及傳輸公共信號(hào)電壓的公共電壓信號(hào)線(xiàn)203。
每一個(gè)門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203都包括連接到門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)兩端的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)和門(mén)控制信號(hào)焊點(diǎn)。門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的端部可以連接到位于薄膜晶體管基底200上部的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302和303上，而其它端部可以連接到位于薄膜晶體管基底200左部分的門(mén)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)401、402和403上。
因?yàn)榫€(xiàn)路的上述配置，經(jīng)由數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302和303傳輸?shù)拈T(mén)控制信號(hào)經(jīng)由薄膜晶體管基底200的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203和門(mén)信號(hào)傳輸膜400的引線(xiàn)401、402和403發(fā)送到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)。
數(shù)據(jù)線(xiàn)60、61、62、63和門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202、203可以通過(guò)導(dǎo)電材料例如銅族之一、銀族之一、鉻族之一、或包括氮化鉻和氮化鉬的鉬族之一形成在單層類(lèi)型中或多層類(lèi)型中。
由摻雜有雜質(zhì)的非晶硅構(gòu)成的電阻接觸層51、52分別在半導(dǎo)體層40和源極62之間以及半導(dǎo)體40和漏極63之間形成。
并且，由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的鈍化層70形成在包括數(shù)據(jù)線(xiàn)60、61、62和63、門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203和半導(dǎo)體層40的合成基底上。
露出漏極63的接觸孔71、露出數(shù)據(jù)焊點(diǎn)61的接觸孔73和露出門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)的接觸孔C1、C2和C3分別形成在鈍化層70上。
并且，通過(guò)接觸孔71連接到漏極61并且位于象素區(qū)中的象素電極80、通過(guò)接觸孔72連接到門(mén)焊點(diǎn)21的門(mén)輔助焊點(diǎn)81、通過(guò)接觸孔73連接到數(shù)據(jù)焊點(diǎn)61的數(shù)據(jù)輔助焊點(diǎn)82形成在鈍化層80上。
同樣的，通過(guò)C1、C2和C3連接到門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)83、85和87也形成在鈍化層70上。
具有門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)的門(mén)信號(hào)傳輸膜400和具有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300使用各向異性的傳導(dǎo)膜250連接到上述的薄膜晶體管基底200。
用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)引線(xiàn)350和用于傳輸驅(qū)動(dòng)門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路的門(mén)控制信號(hào)的門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)301、302和303形成在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300上。
數(shù)據(jù)信號(hào)引線(xiàn)350連接到絕緣基底10上的數(shù)據(jù)焊點(diǎn)82，以傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)路20的數(shù)據(jù)焊點(diǎn)82。同樣的，門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)301、302和303電連接于位于絕緣基底10上部的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)上，并傳輸門(mén)控制信號(hào)到門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203。
在數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300中，高壓虛擬引線(xiàn)310和320形成在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202或另外的信號(hào)線(xiàn)203之間。
數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302、303、310和320是通過(guò)在用作數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜的高分子膜上印刷和構(gòu)圖幾微米到幾十微米厚的銅線(xiàn)形成的。數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)301、302、303、310和320遠(yuǎn)厚于薄膜晶體管基底200的導(dǎo)線(xiàn)201、202和203。盡管數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300和薄膜晶體管基底200使用各向異性傳導(dǎo)膜250通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程彼此連接，但粘結(jié)樹(shù)脂252的高壓虛擬引線(xiàn)310和320所在的部分通過(guò)厚引線(xiàn)310和320推進(jìn)，以至于被壓縮。這里，粘結(jié)樹(shù)脂252變得如此致密，以至于在電解液中的陰離子500不能自由地移動(dòng)。因此，高壓虛擬引線(xiàn)310和320象墻一樣作用，阻止陰離子圍繞它移動(dòng)。
并且，與高壓信號(hào)線(xiàn)201相同的電壓加載到高壓虛擬引線(xiàn)301上，以在高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)纬傻入娢弧?br> 在門(mén)信號(hào)傳輸膜400中，形成有門(mén)信號(hào)引線(xiàn)450和門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)401、402和403。門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)401、402和403從門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)201、202和203接收門(mén)控制信號(hào)，并傳輸它們到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)。門(mén)信號(hào)引線(xiàn)450傳輸門(mén)信號(hào)到門(mén)線(xiàn)路20。
門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)401、402和403連接到在基底10左部分的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)，并經(jīng)由門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203接收門(mén)控制信號(hào)。經(jīng)由門(mén)信號(hào)傳輸膜400的門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)401、402和403傳輸?shù)拈T(mén)控制信號(hào)輸入到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)，并控制門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路的驅(qū)動(dòng)。
門(mén)控制信號(hào)引線(xiàn)450電連接到形成在絕緣基底10上的門(mén)焊點(diǎn)82，并傳輸來(lái)自門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路的門(mén)信號(hào)到連接于門(mén)焊點(diǎn)81的門(mén)線(xiàn)路20。
在門(mén)信號(hào)傳輸膜400中，高壓虛擬引線(xiàn)410和420等于數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的高壓虛擬引線(xiàn)310和320。
門(mén)信號(hào)傳輸膜400連接到薄膜晶體管基底200處的控制信號(hào)部分的構(gòu)成和操作與連接到薄膜晶體管基底200的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300相同。因此，在下述說(shuō)明中就不再描述。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)液晶顯示器時(shí)，門(mén)控制信號(hào)經(jīng)由數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300上的信號(hào)引線(xiàn)301、302、303和薄膜晶體管基底200的信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)201、202、203以及門(mén)信號(hào)傳輸膜上的信號(hào)引線(xiàn)401、402、403(未示出)輸入到門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)。
在這個(gè)過(guò)程中，在高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)線(xiàn)201)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間形成等電位。因?yàn)橄嗤碾妷杭燃虞d到高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)線(xiàn)201)上，又加載到高壓虛擬引線(xiàn)310和320上。并且，因?yàn)榈蛪喝玳T(mén)截止電壓加載到低壓信號(hào)引線(xiàn)302(或低壓線(xiàn)信號(hào)線(xiàn)202)，等于門(mén)導(dǎo)通電壓和門(mén)截止電壓之間電壓差的電位差在低壓信號(hào)線(xiàn)202(或低壓信號(hào)引線(xiàn)202)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間形成。
在門(mén)傳輸膜300和數(shù)據(jù)傳輸膜400連接到薄膜晶體管100的位置，水分滲入到導(dǎo)線(xiàn)中，并且集中在線(xiàn)路的步差部分。水分本身含有離子。通過(guò)在高壓虛擬引線(xiàn)310和低壓信號(hào)引線(xiàn)202之間的電位差，使用作為電解液的ACF，水分中的陰離子從低壓信號(hào)線(xiàn)202移動(dòng)到高壓虛擬引線(xiàn)310。
這里，通過(guò)與陰離子的電化學(xué)反應(yīng)，高壓虛擬引線(xiàn)310和320可以熔化在高壓虛擬引線(xiàn)310和320周?chē)碾娊庖褐小Ｈ欢?，高壓虛擬引線(xiàn)310和320是如此的厚，以至于可以提供足夠的陽(yáng)離子給陰離子。因此，腐蝕最小。
移動(dòng)到高壓虛擬引線(xiàn)310和320的陰離子被高壓虛擬引線(xiàn)310和320阻塞，以至于不能進(jìn)一步的移動(dòng)。換句話(huà)說(shuō)，高壓虛擬引線(xiàn)310和320阻止?jié)B入的水分的陰離子移動(dòng)到高壓信號(hào)線(xiàn)201，并停留在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間。
并且，由于在高壓信號(hào)引線(xiàn)301(或高壓信號(hào)線(xiàn)201)和高壓虛擬引線(xiàn)310和320之間的等電位，滲入到高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)年庪x子失去它們的移動(dòng)方向，并圍繞高壓信號(hào)線(xiàn)201漂浮。
因此，當(dāng)液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)最小時(shí)，高壓信號(hào)線(xiàn)幾乎不引起與陰離子的電化學(xué)反應(yīng)和因陰離子導(dǎo)致的損壞。
在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的液晶顯示器中，對(duì)應(yīng)于門(mén)和數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300和400的高壓虛擬引線(xiàn)310、320、410和420的導(dǎo)線(xiàn)沒(méi)有在薄膜晶體管基底200上形成。然而，如根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例在圖10和圖11中所示的液晶顯示器那樣，本發(fā)明可以應(yīng)用到這樣一種情況，其中對(duì)應(yīng)于門(mén)和數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的高壓虛擬引線(xiàn)310和320的高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)210和220在薄膜晶體管基底200上形成。
在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的液晶顯示器中，門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203通過(guò)形成數(shù)據(jù)線(xiàn)60、61、62和63的導(dǎo)電材料形成，而高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)210和220通過(guò)形成象素電極例如ITO或IZO的導(dǎo)電材料形成。
圖10是所選的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)的門(mén)控制線(xiàn)號(hào)線(xiàn)的平面圖，圖11是沿圖10中XI-XI′線(xiàn)截取的橫截面圖。
當(dāng)本發(fā)明的第四實(shí)施例與第三實(shí)施例比較時(shí)，顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)是相同的，但門(mén)控制信號(hào)部分的結(jié)構(gòu)是不同的。因此，將描述除了顯示區(qū)的結(jié)構(gòu)以外的門(mén)控制信號(hào)部分的結(jié)構(gòu)。
門(mén)絕緣層30形成在絕緣層10上，并且由形成數(shù)據(jù)線(xiàn)20、21、22和23的導(dǎo)體材料構(gòu)成的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和202形成在絕緣基底10上。每個(gè)門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203包括門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)和連接到門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)兩側(cè)的門(mén)控制信號(hào)焊點(diǎn)。
而且，覆蓋門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和202的鈍化層70形成在門(mén)絕緣層30上。
在鈍化層70中，形成了露出門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)的接觸孔C1、C2和C3。并且，通過(guò)在鈍化層70上的接觸孔C1、C2和C3，形成了連接到門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203的焊點(diǎn)的門(mén)控制信號(hào)，輔助焊點(diǎn)83、85和87。
而且，在鈍化層70上，高壓冗余線(xiàn)210和220形成在傳輸門(mén)導(dǎo)通電壓的高壓信號(hào)線(xiàn)201的兩側(cè)。高壓冗余線(xiàn)210和220由形成象素電極如ITO或IZO的導(dǎo)體材料形成。
當(dāng)高壓冗余線(xiàn)210和220由ITO或IZO形成時(shí)，如本發(fā)明的第四實(shí)施例那樣，高壓冗余線(xiàn)210和220不僅阻止高壓信號(hào)線(xiàn)201，而且防止由于電解作用而產(chǎn)生的損壞。
當(dāng)高壓虛擬線(xiàn)210和220形成在薄膜晶體管基底上時(shí)，圍繞在高壓信號(hào)線(xiàn)201的等電位差區(qū)域可以更廣泛地形成。這里，如圖所示的高壓虛擬線(xiàn)210和220可以與高壓信號(hào)線(xiàn)201分離。另一方面，高壓虛擬線(xiàn)210和220可以連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201上。當(dāng)高壓虛擬線(xiàn)210和220連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201時(shí)，高壓虛擬線(xiàn)210和220成為用于高壓信號(hào)線(xiàn)201的冗余線(xiàn)。
在薄膜晶體管基底上的高壓虛擬線(xiàn)可以通過(guò)使用傳統(tǒng)的導(dǎo)電材料例如形成門(mén)線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路的導(dǎo)電材料構(gòu)成。這里，高壓虛擬線(xiàn)可以通過(guò)氧化性低于低壓信號(hào)線(xiàn)的導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如銅族之一、銀族之一、鉻族之一、或包括氮化鉻和氮化鉬的鉬族之一。在這種情況下，高壓虛擬線(xiàn)可以減小由于電解作用產(chǎn)生的損壞。并且，當(dāng)高壓虛擬線(xiàn)由氧化的導(dǎo)電材料例如ITO或IZO形成時(shí)，高壓虛擬線(xiàn)可以減小與陰離子的反應(yīng)。
并且，高壓冗余線(xiàn)210和220可以通過(guò)連接兩根導(dǎo)線(xiàn)形成。其中一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)位于將要連接到數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的基底10的上部，而另一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)位于將要連接到門(mén)信號(hào)傳輸膜400的基底的左部分。
數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的高壓虛擬引線(xiàn)310和320被形成，以阻止由在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間的電位差引起的電解作用。因此，當(dāng)?shù)蛪盒盘?hào)線(xiàn)202僅僅位于高壓信號(hào)線(xiàn)201的一側(cè)時(shí)，在高壓信號(hào)線(xiàn)201和低壓信號(hào)線(xiàn)202之間僅僅形成一個(gè)高壓虛擬線(xiàn)是可能的。
在根據(jù)本發(fā)明的第三和第四實(shí)施例的液晶顯示器中，傳輸門(mén)導(dǎo)通電壓的導(dǎo)線(xiàn)作為高壓信號(hào)線(xiàn)的一個(gè)實(shí)例，并且傳輸門(mén)截止電壓的導(dǎo)線(xiàn)作為低壓信號(hào)線(xiàn)的一個(gè)實(shí)例。然而，高壓信號(hào)線(xiàn)的另一個(gè)實(shí)例可以是傳輸供電電壓的導(dǎo)線(xiàn)，并且低壓信號(hào)線(xiàn)的另一個(gè)實(shí)例可以是傳輸接地電壓的導(dǎo)線(xiàn)。
在根據(jù)本發(fā)明的第三和第四實(shí)施例的液晶顯示器中，僅僅描述了門(mén)控制信號(hào)輸入其中的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)。然而，本發(fā)明也可以用在這種情況中，其中輸入有數(shù)據(jù)控制信號(hào)的數(shù)據(jù)控制信號(hào)線(xiàn)在薄膜晶體管基底上形成。并且，本發(fā)明可以應(yīng)用到打算阻止由于通過(guò)兩根導(dǎo)線(xiàn)之間的電位差所引起的電解作用而產(chǎn)生的導(dǎo)線(xiàn)熔化的所有情況中。
在根據(jù)本發(fā)明的第三和第四實(shí)施例的液晶顯示器中，連接到數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300和門(mén)信號(hào)傳輸膜400的門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203由用于形成數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料形成。然而，門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203也可以由用于形成門(mén)線(xiàn)路的導(dǎo)電材料形成。
在本發(fā)明的液晶顯示器中，信號(hào)傳輸膜的引線(xiàn)和薄膜晶體管的導(dǎo)線(xiàn)的交疊結(jié)構(gòu)如下所述。
圖12是信號(hào)引線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的交疊結(jié)構(gòu)平面圖，圖13是沿圖12中XIII-XIII′線(xiàn)截取的橫截面圖。
在薄膜晶體管基底中，第一絕緣層如門(mén)絕緣層30形成在絕緣層10上，并且信號(hào)線(xiàn)201、210、220和高壓信號(hào)線(xiàn)201以及高壓虛擬線(xiàn)210和220形成在門(mén)絕緣層30上。并且，第二絕緣層如鈍化層70形成在信號(hào)線(xiàn)201、210和220上，露出信號(hào)線(xiàn)201、210和220部分的接觸孔C1、C2和C3形成在鈍化層70中。并且，連接到信號(hào)線(xiàn)201、210和220的焊點(diǎn)上的輔助焊點(diǎn)85、86和87通過(guò)在鈍化層70上的接觸孔C1、C2和C3形成。
當(dāng)信號(hào)傳輸膜300連接到上述薄膜晶體管基底時(shí)，高壓信號(hào)引線(xiàn)301連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201上。
覆蓋接觸孔的層具有位于接觸孔處的步差。輔助焊點(diǎn)不能完全交疊步差。因此，滲入到導(dǎo)線(xiàn)中的水分集中到步差上并進(jìn)一步損壞位于接觸孔處的信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)部分。因此，優(yōu)選的是，高壓信號(hào)引線(xiàn)301被形成以完全交疊接觸孔C1，特別是在接觸孔C1的長(zhǎng)度方向上完全交疊接觸孔C1。
然而，高壓信號(hào)引線(xiàn)301在接觸孔寬度的方向上可以不完全覆蓋接觸孔C1。盡管高壓信號(hào)線(xiàn)201沒(méi)有完全與高壓信號(hào)引線(xiàn)301交疊，并且它的側(cè)面部分是暴露的，因?yàn)樵诟邏盒盘?hào)線(xiàn)201周?chē)纬傻牡任徊?，所以陰離子不能到達(dá)高壓信號(hào)線(xiàn)201以及與高壓信號(hào)線(xiàn)201起電化學(xué)反應(yīng)。
引線(xiàn)和導(dǎo)線(xiàn)的交疊結(jié)構(gòu)不是僅僅限制于高壓信號(hào)引線(xiàn)和高壓信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)的交疊的，而是可應(yīng)用到所有引線(xiàn)和所有信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)的交疊。圖12和圖13示出高壓虛擬導(dǎo)線(xiàn)310和320在接觸孔的長(zhǎng)度方向上完全交疊接觸孔C1和C2以及在接觸孔的寬度方向上部分交疊接觸孔C1和C2。
圖14是信號(hào)引線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的重疊結(jié)構(gòu)的另一個(gè)平面圖，圖15是沿圖14中XV-XV′線(xiàn)截取的橫截面圖。
在薄膜晶體管基底中，第一絕緣層如門(mén)絕緣層30形成在絕緣層10上，高壓信號(hào)線(xiàn)201形成在門(mén)絕緣層30上。并且，第二絕緣層如鈍化層70形成在高壓信號(hào)線(xiàn)201上，露出高壓信號(hào)線(xiàn)201的接觸孔C1形成在絕緣層70中。并且，通過(guò)接觸孔C1連接到高壓信號(hào)線(xiàn)201的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)85形成在鈍化層70上。并且，高壓虛擬線(xiàn)210和220形成在輔助焊點(diǎn)85的兩側(cè)。
當(dāng)信號(hào)傳輸膜300連接到上面引用的薄膜晶體管基底200時(shí)，引線(xiàn)可以在接觸孔的長(zhǎng)度方向上完全覆蓋露出信號(hào)線(xiàn)的接觸孔，而在接觸孔的寬度方向上部分覆蓋接觸孔。
在附圖中，高壓信號(hào)引線(xiàn)301位于露出高壓信號(hào)引線(xiàn)301的接觸孔C1的內(nèi)側(cè)區(qū)域中，并因此露出高壓信號(hào)線(xiàn)301的兩側(cè)。
高壓虛擬線(xiàn)210和220由用于形成象素電極的導(dǎo)電材料形成，并在寬度方向上完全暴露和覆蓋高壓虛擬引線(xiàn)310和320。
在本發(fā)明的液晶顯示器中，高壓虛擬引線(xiàn)310和320與數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300上的高壓信號(hào)引線(xiàn)301分離。然而，高壓信號(hào)引線(xiàn)301通過(guò)使它的區(qū)域延伸到高壓虛擬引線(xiàn)310和320從而與高壓虛擬引線(xiàn)310和320成一體。在這種情況下，延伸的高壓信號(hào)引線(xiàn)301位于高壓信號(hào)線(xiàn)201周?chē)目臻g。這里，盡管陰離子移動(dòng)到高壓信號(hào)引線(xiàn)301并且和高壓信號(hào)引線(xiàn)301起反應(yīng)，高壓信號(hào)引線(xiàn)301是如此大且寬以致于提供足夠的陽(yáng)離子給陰離子，因此腐蝕最小。
在本發(fā)明中，門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)201、202和203可以通過(guò)連接兩個(gè)或更多的導(dǎo)線(xiàn)形成。在這種情況下，其中一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)可以通過(guò)形成數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料形成，另一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)可以通過(guò)形成門(mén)導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)電材料形成。這些線(xiàn)路結(jié)構(gòu)可以用于高壓冗余線(xiàn)。這將參照附圖16和圖17進(jìn)行說(shuō)明。
圖16是門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)路的選定的一個(gè)門(mén)控制信號(hào)線(xiàn)路的平面圖，圖17是沿圖16中XVII-XVII′線(xiàn)截取的橫截面圖。
由形成門(mén)導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)電材料組成的第一信號(hào)線(xiàn)208形成在第一方向的絕緣基底10上。形成在第一信號(hào)線(xiàn)208的一端焊點(diǎn)位于將被連接到數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的基底上部。
由氮化硅或氧化硅組成的門(mén)絕緣層30形成在絕緣基底10上以覆蓋第一信號(hào)線(xiàn)208。
在門(mén)絕緣層30中，形成了露出第一信號(hào)線(xiàn)208另一端的不存在焊點(diǎn)的接觸孔32。
并且，由形成數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的第二信號(hào)線(xiàn)209形成在門(mén)絕緣層30的第二方向上。形成在第二信號(hào)線(xiàn)209一端的焊點(diǎn)位于將被連接到門(mén)信號(hào)傳輸膜400的基底左部分上。第二信號(hào)線(xiàn)209通過(guò)接觸孔32連接到第一信號(hào)線(xiàn)208以從數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300傳輸門(mén)控制信號(hào)到門(mén)傳輸膜400。
由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的鈍化層70形成在門(mén)絕緣層30上。鈍化層70覆蓋第二信號(hào)線(xiàn)209。
露出第二信號(hào)線(xiàn)209的焊點(diǎn)的接觸孔C9形成在鈍化層70中，露出第一信號(hào)線(xiàn)208的焊點(diǎn)的另一個(gè)接觸孔C8形成在鈍化層70和門(mén)絕緣層30。
通過(guò)接觸孔C8連接到第一信號(hào)線(xiàn)208的焊點(diǎn)的第一信號(hào)輔助焊點(diǎn)88和通過(guò)接觸孔C9連接到第二信號(hào)線(xiàn)209的焊點(diǎn)的第二信號(hào)輔助焊點(diǎn)89形成在鈍化層70上。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300連接在上述薄膜晶體管基底的控制信號(hào)部分時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)308設(shè)置并連接在對(duì)應(yīng)的第一信號(hào)輔助焊點(diǎn)88上。數(shù)據(jù)傳輸膜300使用各向異性傳導(dǎo)膜250通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程連接在薄膜晶體管基底的控制信號(hào)部分。這里，數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)308通過(guò)各向異性傳導(dǎo)膜250的導(dǎo)電材料251電連接到第一信號(hào)輔助焊點(diǎn)88。并且用同樣的方式，門(mén)信號(hào)傳輸膜400的引線(xiàn)409設(shè)置并連接在對(duì)應(yīng)的第二信號(hào)輔助焊點(diǎn)89上。門(mén)傳輸膜400使用各向異性傳導(dǎo)膜250通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程連接在薄膜晶體管基底的控制信號(hào)部分。這里，門(mén)信號(hào)傳輸膜400的引線(xiàn)409通過(guò)各向異性傳導(dǎo)膜250的導(dǎo)電材料251電連接到第二信號(hào)輔助焊點(diǎn)89。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，連接部分的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)在導(dǎo)線(xiàn)的步差部分具有惰性槽(sluggish slot)以使?jié)B入的水分量最小，其中，數(shù)據(jù)和門(mén)傳輸膜300和400的每一個(gè)引線(xiàn)301、302、303、310、320、401、402、403、410和420都連接到薄膜晶體管基底200的每一個(gè)導(dǎo)線(xiàn)201、202、203、210和220上。這將參照?qǐng)D18和圖19進(jìn)行描述。
圖18是控制信號(hào)線(xiàn)和引線(xiàn)的連接部分的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)平面圖。圖19是沿圖18中XIX-XIX′線(xiàn)截取的橫截面圖。引線(xiàn)通過(guò)兩個(gè)連接部分連接到具有雙層的門(mén)信號(hào)線(xiàn)的每一層。
由形成門(mén)導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的并在其端點(diǎn)具有焊點(diǎn)的第一信號(hào)線(xiàn)29形成在絕緣基底10上。并且，由氮化硅組成并覆蓋第一信號(hào)線(xiàn)29的門(mén)絕緣層30形成在絕緣基底10上以覆蓋第一信號(hào)線(xiàn)29。
由形成數(shù)據(jù)線(xiàn)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的并在其端點(diǎn)具有焊點(diǎn)的第二信號(hào)線(xiàn)69形成在門(mén)絕緣基底30上。第二信號(hào)線(xiàn)69小于第一信號(hào)線(xiàn)29，因此不能到達(dá)第一信號(hào)線(xiàn)29的焊點(diǎn)，并且遵循第一信號(hào)線(xiàn)29的模式以交疊第一信號(hào)線(xiàn)29。并且，由氮化硅或氧化硅組成的鈍化層70形成在門(mén)絕緣層30上以覆蓋第二信號(hào)線(xiàn)69。
露出第二信號(hào)線(xiàn)69的焊點(diǎn)的接觸孔C6形成在鈍化層70中，而露出第一信號(hào)線(xiàn)29的焊點(diǎn)的另一個(gè)接觸孔C7形成在鈍化層70和門(mén)絕緣層30上。
通過(guò)接觸孔C6和C7連接到第一信號(hào)線(xiàn)29和第二信號(hào)線(xiàn)69的控制信號(hào)輔助焊點(diǎn)89形成在鈍化層70上。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300連接在上述控制信號(hào)部分時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)309設(shè)置并連接在對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)輔助焊點(diǎn)89上。數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的附屬物和控制信號(hào)部分使用各向異性傳導(dǎo)膜250通過(guò)加熱和壓縮過(guò)程執(zhí)行。這里，數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸膜300的引線(xiàn)309通過(guò)各向異性傳導(dǎo)膜250中的導(dǎo)電材料251電連接到控制信號(hào)部分的控制信號(hào)輔助焊點(diǎn)89。連接部分的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)可以減小由于導(dǎo)線(xiàn)步差和導(dǎo)線(xiàn)開(kāi)口造成的損壞導(dǎo)線(xiàn)連接的數(shù)量，以及使?jié)B入的水分量最小。
如上所述，在本發(fā)明中，在液晶顯示器的制造和工作期間，通過(guò)在薄膜晶體管基底上的高壓信號(hào)線(xiàn)和低壓信號(hào)線(xiàn)之間定位而在控制信號(hào)傳輸膜上形成厚虛擬引線(xiàn)，由此厚虛擬引線(xiàn)阻止?jié)B入水分的陰離子的移動(dòng)。并且，當(dāng)與高壓信號(hào)線(xiàn)相同的電壓加載到厚虛擬引線(xiàn)以在高壓信號(hào)線(xiàn)周?chē)纬傻入娢粫r(shí)，通過(guò)使陰離子在高壓信號(hào)線(xiàn)的周?chē)?，虛擬引線(xiàn)阻止了陰離子移動(dòng)到高壓信號(hào)線(xiàn)。這里，當(dāng)信號(hào)傳輸膜的引線(xiàn)完全交疊薄膜晶體管基底的導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，就可以阻止水分滲入到導(dǎo)線(xiàn)中。
雖然已經(jīng)針對(duì)優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)所述精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行各種修改和代替。
權(quán)利要求
1.一種信號(hào)傳輸膜，包括傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓的第一引線(xiàn)；傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓的第二引線(xiàn)；和在第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)之間形成的第三引線(xiàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)傳輸膜，其特征在于，第三引線(xiàn)有幾微米到幾十微米的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)傳輸膜，其特征在于，與第一信號(hào)電壓相同的電壓加載到第三引線(xiàn)上。
4.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)傳輸膜，其特征在于，第三引線(xiàn)是虛擬引線(xiàn)。
5.一種控制信號(hào)部分，包括控制信號(hào)線(xiàn)部分，其包括基底、在基底上的第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)；以及控制信號(hào)傳輸部分，其包括對(duì)應(yīng)于具有在膜上的第一引線(xiàn)、第二引線(xiàn)和第三引線(xiàn)的基底的膜，其中第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)分別連接到第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)上，并且第三引線(xiàn)位于第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)之間。
6.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第一引線(xiàn)傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓，而第二引線(xiàn)傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓。
7.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三引線(xiàn)有幾微米到幾十微米的厚度。
8.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)分別至少交疊第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)的一部分。
9.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，與第一信號(hào)電壓相同的電壓加載到第三引線(xiàn)上。
10.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，還包括連接到基底上的第三引線(xiàn)的第三導(dǎo)線(xiàn)。
11.如權(quán)利要求10所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三引線(xiàn)至少交疊第三導(dǎo)線(xiàn)的一部分。
12.如權(quán)利要求10所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)連接到第一信號(hào)線(xiàn)。
13.如權(quán)利要求10所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)獨(dú)立于第一信號(hào)線(xiàn)。
14.如權(quán)利要求10所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)由氧化性比第二信號(hào)線(xiàn)小的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求10所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，導(dǎo)線(xiàn)由ITO或IZO形成。
16.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第一引線(xiàn)延伸到第三引線(xiàn)而與引線(xiàn)成為一體。
17.如權(quán)利要求5所述的控制信號(hào)部分，其特征在于，第三引線(xiàn)是虛擬引線(xiàn)。
18.一種液晶顯示器，包括基底上的顯示區(qū)，其中顯示區(qū)包括門(mén)線(xiàn)路，與門(mén)線(xiàn)路交叉的數(shù)據(jù)線(xiàn)路以確定象素元素區(qū)域，連接到象素元素區(qū)中的數(shù)據(jù)線(xiàn)路和門(mén)線(xiàn)路的薄膜晶體管，和電連接到薄膜晶體管的象素電極；基底上的控制信號(hào)線(xiàn)部分，其中控制信號(hào)部分包括第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)；控制信號(hào)傳輸部分，包括對(duì)應(yīng)于基底的膜，膜上的第一引線(xiàn)、第二引線(xiàn)和第三引線(xiàn)，其中第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)連接到第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)，第三引線(xiàn)位于第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)之間。
19.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第一信號(hào)引線(xiàn)傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓，第二信號(hào)引線(xiàn)傳輸比第一信號(hào)電壓低的第二信號(hào)電壓。
20.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，引線(xiàn)有幾微米到幾十微米的厚度。
21.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)分別至少交疊第一信號(hào)線(xiàn)和第二信號(hào)線(xiàn)的一部分。
22.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第三引線(xiàn)接收與第一信號(hào)電壓相同的電壓。
23.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，控制信號(hào)傳輸部分還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路。
24.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，控制信號(hào)傳輸部分還包括門(mén)驅(qū)動(dòng)集成電路。
25.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第一信號(hào)電壓是門(mén)導(dǎo)通電壓或供電電壓。
26.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第二信號(hào)電壓是門(mén)截止電壓或接地電壓。
27.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，第三引線(xiàn)是虛擬引線(xiàn)。
28.如權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括連接到基底上的第三引線(xiàn)的第三導(dǎo)線(xiàn)。
29.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，第三引線(xiàn)至少交疊第三導(dǎo)線(xiàn)的一部分。
30.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)由氧化性比第二信號(hào)線(xiàn)小的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
31.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)由ITO或IZO形成。
32.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，第三導(dǎo)線(xiàn)由形成門(mén)線(xiàn)路、數(shù)據(jù)線(xiàn)路或象素電極的導(dǎo)電材料構(gòu)成。
33.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括在基底上覆蓋第三導(dǎo)線(xiàn)的絕緣層，在絕緣層中露出第三導(dǎo)線(xiàn)部分的接觸孔和通過(guò)接觸孔連接到第三導(dǎo)線(xiàn)的輔助焊點(diǎn)，其中第三引線(xiàn)連接到第三導(dǎo)線(xiàn)以在接觸孔的長(zhǎng)度方向上完全覆蓋接觸孔。
34.如權(quán)利要求33所述的液晶顯示器，其特征在于，第三引線(xiàn)在接觸孔的寬度方向上至少覆蓋接觸孔的一側(cè)。
35.如權(quán)利要求33所述的液晶顯示器，其特征在于，第三引線(xiàn)位于接觸孔的內(nèi)部區(qū)域，以露出接觸孔的兩側(cè)。
36.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括連接到基底上的門(mén)信號(hào)傳輸膜，其中第三導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)將連接到門(mén)信號(hào)傳輸膜的第一導(dǎo)線(xiàn)和連接到控制信號(hào)傳輸部分的第二導(dǎo)線(xiàn)連接起來(lái)而形成。
37.如權(quán)利要求36所述的液晶顯示器，其特征在于，第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)彼此連接以使第一導(dǎo)線(xiàn)形成在基底上，并還包括覆蓋第一導(dǎo)線(xiàn)的第一絕緣層和露出第一絕緣層中第一導(dǎo)線(xiàn)一端的第一接觸孔，以及第二導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)第一絕緣層上的第一接觸孔連接到第一導(dǎo)線(xiàn)。
38.如權(quán)利要求37所述的液晶顯示器，其特征在于，還包括覆蓋第二導(dǎo)線(xiàn)的第二絕緣層，露出第二導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的第二接觸孔，以及通過(guò)第二接觸孔和第三接觸孔露出第一下行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)和連接到第一導(dǎo)線(xiàn)和第二導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)的第三接觸孔。
39.如權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，其特征在于，其中第一信號(hào)線(xiàn)包括在基底上具有焊點(diǎn)的下行導(dǎo)線(xiàn)，覆蓋下行導(dǎo)線(xiàn)的第一絕緣層，在第一絕緣層上具有焊點(diǎn)的上行導(dǎo)線(xiàn)，在第一和第二絕緣層中露出下行導(dǎo)線(xiàn)的第一接觸孔，在第二絕緣層中露出上行導(dǎo)線(xiàn)的第二接觸孔，以及同時(shí)連接到下行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)和上行導(dǎo)線(xiàn)的焊點(diǎn)的輔助焊點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了信號(hào)傳輸膜、控制信號(hào)部分以及包括信號(hào)傳輸膜的液晶顯示器,其可以阻止電解作用造成的導(dǎo)線(xiàn)損壞。在本發(fā)明中,通過(guò)在高分子膜上印刷或構(gòu)圖銅導(dǎo)線(xiàn),從而在信號(hào)傳輸膜上形成幾微米到幾十微米厚的引線(xiàn)。信號(hào)傳輸膜包括傳輸?shù)谝恍盘?hào)電壓的第一信號(hào)引線(xiàn);傳輸?shù)陀诘谝恍盘?hào)電壓的第二信號(hào)電壓的第二信號(hào)引線(xiàn);和在第一引線(xiàn)和第二引線(xiàn)之間形成的第三引線(xiàn)。引線(xiàn)可以為幾微米到幾十微米的厚度,與第一信號(hào)電壓相同的電壓可以加載到引線(xiàn)上,并且該引線(xiàn)可以是虛擬引線(xiàn)。
文檔編號(hào)G09F9/30GK1342917SQ011412
公開(kāi)日2002年4月3日 申請(qǐng)日期2001年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月8日
發(fā)明者金東奎, 姜信九 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社