熱轉(zhuǎn)印膜及使用其制備的電致發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本文公開了熱轉(zhuǎn)印膜及使用該熱轉(zhuǎn)印膜制備的有機(jī)電致發(fā)光裝置，該熱轉(zhuǎn)印膜包含基底層及形成于基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層，此光熱轉(zhuǎn)化層包含碳黑及鎢氧化物，其中，熱轉(zhuǎn)印膜具有4％或更少的以方程式1表示的OD值偏差：[方程式1]OD值偏差＝[(|測量OD值-目標(biāo)OD值|)/目標(biāo)OD值]Ⅹ100其中，測量OD值為分別在850的波長及1100nm的波長下測量的OD值。
【專利說明】
熱轉(zhuǎn)印膜及使用其制備的電致發(fā)光裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及熱轉(zhuǎn)印膜及使用其制備的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 熱轉(zhuǎn)印膜具有基底層及形成于此基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層。含有諸如發(fā)光材料、電 子傳輸化合物、空穴傳輸化合物等的轉(zhuǎn)印材料的轉(zhuǎn)印層可在光熱轉(zhuǎn)化層上形成。當(dāng)光熱轉(zhuǎn) 化層用在吸收波長下的激光照射時(shí)，轉(zhuǎn)印層可通過光熱轉(zhuǎn)化層轉(zhuǎn)化的熱轉(zhuǎn)印至受體。
[0003] 光熱轉(zhuǎn)化化THC)層包含光熱轉(zhuǎn)化材料，其吸收在期望波長下的光，且使至少一部 分的入射光轉(zhuǎn)化成熱。
[0004] 傳統(tǒng)熱轉(zhuǎn)印膜具有因?yàn)樵诮t外線范圍的波長下的吸收率差異及根據(jù)照射的激 光波長而定的光學(xué)密度(0D)差異發(fā)生，而在轉(zhuǎn)印處理期間的激光照射功率及處理速率需被 調(diào)整的問題。就此點(diǎn)而言，KR專利早期公開公告第2010-0028652號(hào)案公開了一種熱轉(zhuǎn)印膜 其包含含有碳黑的光熱轉(zhuǎn)化層。

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引【技術(shù)問題】
[0006] 本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種熱轉(zhuǎn)印膜，其無論激光波長而具有均勻光學(xué)密度 (0D)。
[0007] 本發(fā)明的另一目的是提供一種熱轉(zhuǎn)印膜，其通過相同方法且無需調(diào)整激光的照射 波長及另外方法而具有高熱轉(zhuǎn)印效率。
[000引【技術(shù)方案】
[0009] 依據(jù)本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜可包含基底層，及形成于基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層，此光熱 轉(zhuǎn)化層包含碳黑及鶴氧化物，且可具有4%或更少的W方程式1表示的0D值偏差：
[0010] [方程式1]
[0011] 0D值偏差=[(I測量0D值-目標(biāo)0D值I)/目標(biāo)0D值]X 100
[001^ 其中，現(xiàn)慢0D值為分另化850nm波長下及l(fā)lOOnm波長下測量的0D值。
[0013] 依據(jù)本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜可包含基底層，及形成于基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層，此光熱 轉(zhuǎn)化層包含碳黑及鶴氧化物，且可具有0.05或更少的W方程式2表示的分別在850nm波長下 ii量的0D與在1 lOOnm波長下測量的0D值之間的0D值差異(ΔΟΟ):
[0014] [方程式2]
[001引 Δ00= I在850nm下測量的0D值-在llOOnm下測量的0D值
[0016] 依據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可使用上述熱轉(zhuǎn)印膜作為用于激光誘發(fā)熱成像 的供體膜。
[0017] 【有利功效】
[0018] 本發(fā)明提供一種熱轉(zhuǎn)印膜，其無論激光波長而具有均勻0D值。此外，本發(fā)明能使熱 轉(zhuǎn)印膜無需調(diào)整激光功率及處理速率而實(shí)施具有相同轉(zhuǎn)印功效的熱轉(zhuǎn)印，即使改變激光的 照射波長也獲得改善的加工性。
【附圖說明】
[0019] 圖1為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜的截面圖。
[0020] 圖2為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜的截面圖。
[0021 ]圖3為根據(jù)實(shí)施例2、比較例及比較例5的0D值對(duì)波長的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 【最佳方式】
[0023] 本發(fā)明的實(shí)施例將參考附圖詳細(xì)說明使本領(lǐng)域技術(shù)人員輕易實(shí)施。需了解本發(fā)明 可W不同方式實(shí)施，且不限于下列各方面。在附圖中，為了清楚起見，與說明無關(guān)的部分會(huì) 被省略。在說明書通篇中，相同組件會(huì)W相同附圖標(biāo)記表示。
[0024] W下，將參考圖1描述依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜。圖1為依據(jù)本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜的截面圖。
[0025] 參考圖1，依據(jù)本發(fā)明一方面的熱轉(zhuǎn)印膜100可包含基底層110,及形成于基底層 110上的光熱轉(zhuǎn)化層115。熱轉(zhuǎn)印膜100可具有4%或更少的W方程式1表示的0D值偏差。
[0026] 巧程式U
[0027] 0D值偏差=[(I測量0D值-目標(biāo)0D值I)/目標(biāo)0D值]X100
[002引其中，測量0D值為分別在850nm的波長下及l(fā)lOOnm的波長下測量的0D值。
[0029] 在此偏差范圍內(nèi)，熱轉(zhuǎn)印膜可達(dá)成均勻轉(zhuǎn)印結(jié)果，即使激光波長在此轉(zhuǎn)印方法中 改變?；讓硬粫?huì)影響熱轉(zhuǎn)印膜的0D值。再者，如下且在圖2中所述的中間層也不會(huì)影響熱 轉(zhuǎn)印膜的0D值。
[0030] 于實(shí)施例中，在850nm的波長下的0D值及在llOOnm的波長下的0D值的偏差可分別 為0%至4% ,0.001 %至4% ,0.001 %至3.5%，或0.001 %至2.5%。若測量0D值對(duì)目標(biāo)0D值 的偏差多于4%，則熱轉(zhuǎn)印膜會(huì)具有有機(jī)發(fā)光材料不會(huì)被轉(zhuǎn)印的問題。此外，若測量0D值對(duì) 目標(biāo)0D值的偏差多于4%，則當(dāng)激光照射波長改變時(shí)，由于降低的熱轉(zhuǎn)印效率，熱轉(zhuǎn)印膜會(huì) 不展現(xiàn)均勻0D值，且因此，高的熱轉(zhuǎn)印效率會(huì)直到諸如改變激光照射波長的另外方法被實(shí) 行為止才能被達(dá)成。
[0031] 如在本文使用的，術(shù)語"0D值偏差"意指W在850nm的波長下測量的0D值與目標(biāo)0D 值之間的差異或在1150nm波長下測量的0D值與目標(biāo)0D值之間的差異的絕對(duì)值除W目標(biāo)0D 的百分率計(jì)算的值。
[0032] 如在本文使用的，術(shù)語"目標(biāo)0D值"意指待使用的熱轉(zhuǎn)印膜在每一測量波長下具有 期望的光學(xué)性質(zhì)時(shí)的光學(xué)密度(0D)，且會(huì)由本領(lǐng)域技術(shù)人員在使用熱轉(zhuǎn)印膜時(shí)判定。
[0033] 此外，在850皿及1100皿各自的波長下的目標(biāo)0D值可相同。850nm及l(fā)lOOnm的波長 可基于用于有機(jī)發(fā)光材料的轉(zhuǎn)印方法的激光的波長而選擇。通過此，無論在化抓有機(jī)發(fā)光 材料的熱轉(zhuǎn)印方法中照射的激光的波長，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜可達(dá)成相同 0D。術(shù)語"相同0D值"意指完全相同的0D，W及在誤差范圍內(nèi)的實(shí)質(zhì)上相同的0D值。
[0034] 熱轉(zhuǎn)印膜在850皿及1 lOOnm的波長下的目標(biāo)0D值可分別為，例如，0.1至2.9，0.5至 2.0,或1.0至1.5。
[0035] 在850nm及l(fā)lOOnm的波長下的OD使用UV/VIS光譜儀化ambdal050，PE服IN ELMER) 測量。特別地，此裝置用于測量包含作為基底層的100皿厚的聚對(duì)苯二甲酸乙二醋膜和光熱 轉(zhuǎn)化層(膜厚度:3μπ〇的熱轉(zhuǎn)印膜在每一波長下的0D值。
[0036] 此外，熱轉(zhuǎn)印膜100可具有0.3或更少的W方程式2表示的在850皿的波長下測量的 0D值與在1 lOOnm的波長下測量的0D值之間的0D值差異(ΔΟΟ):
[0037] [方程式2]
[003引 Δ00= I在850nm下測量的0D值-在llOOnm下測量的0D值
[0039] 依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，光熱轉(zhuǎn)化層可具有0.05或更少(例如，0.01至0.05)的在 850nm下測量的0D值與在llOOnm的波長下測量的0D之間的0A值差異(ΔΟΟ)。在此范圍內(nèi)，可 獲得優(yōu)異轉(zhuǎn)印效率及外觀。
[0040] 依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜100可包含基底層110,及形成于基底層 110上的光熱轉(zhuǎn)化層115,且熱轉(zhuǎn)印膜100可具有0.05或更少的W方程式2表示的在850nm波 長下測量的0D值與在11 OOnm的波長下測量的0D之間的0D值差異（Δ00)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 方式，光熱轉(zhuǎn)化層可具有，例如，0至0.05，或0至0.01的在850nm的波長下測量的0D值與在 1 lOOnm的波長下測量的0D值之間的0D值差異(ΔΟΟ)。在此范圍內(nèi)，可獲得優(yōu)異的轉(zhuǎn)印效率 及外觀。
[0041] 光熱轉(zhuǎn)化層可使用用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物制備。用于光熱轉(zhuǎn)化層的此組合物可 包含光熱轉(zhuǎn)化材料、粘結(jié)劑及引發(fā)劑。
[0042] 光熱轉(zhuǎn)化材料可包含碳黑及鶴氧化物。碳黑及鶴氧化物可Wlwt %至75wt%， lOwt%至60wt%，15wt%至55wt%，或20wt%至30wt%的量存在于光熱轉(zhuǎn)化層中。在此范圍 內(nèi)，可能獲得光熱轉(zhuǎn)化層的優(yōu)異熱轉(zhuǎn)印效率。
[0043] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，W碳黑及鶴氧化物總計(jì)，碳黑可W25wt%至55wt%的量 存在，且鶴氧化物可W45wt%至75wt%的量存在。更特別地，W碳黑及鶴氧化物總計(jì)，碳黑 可W30wt%至50wt%的量存在，且鶴氧化物可W50wt%至70wt%的量存在。在此范圍內(nèi)，光 熱轉(zhuǎn)化層可具有4%或更少的在850皿的波長下測量的00值及在110011111的波長下測量的00 值相對(duì)于目標(biāo)0D值的偏差。光熱轉(zhuǎn)化層中的碳黑及鶴氧化物彼此不會(huì)吸附。此外，在此范圍 內(nèi)，由于與顆粒相比的適合粘結(jié)劑含量，用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物可被容易地制造，且由于 高硬化速率及非粘結(jié)性質(zhì)，制備的光熱轉(zhuǎn)化層可被用作適合的光熱轉(zhuǎn)化層。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，碳黑及鶴氧化物可為具有特定尺寸的固相顆粒，且在特 定激光波長下具有不同吸收。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，碳黑及鶴氧化物可具有1:1至1: 2，例如，1:1至1:1.2，或1:1至1:1.1，的碳黑平均粒徑與鶴氧化物平均粒徑之比。在此粒徑 比率內(nèi)，因?yàn)榫哂邢鄬?duì)較小平均粒徑的碳黑可被插入具有相對(duì)較大平均粒徑的鶴氧化物 內(nèi)，可確保制備用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物的均勻性及穩(wěn)定性，及4%或更少的測量0D值與目 標(biāo)0D值的偏差。
[0045] 依據(jù)ASTM D2414,碳黑可具有50cc/100g至 120cc/100g，例如，65cc/100g至 120cc/ lOOg的吸油值(0AN)。此外，依據(jù)ASTM D3849，碳黑可具有40nm至200nm，例如，58nm至lOOnm 的平均粒徑。在此范圍內(nèi)，碳黑在熱轉(zhuǎn)印方法中可展現(xiàn)有效的熱性質(zhì)。W固體含量，碳黑可 Wlwt%至30wt%，例如，Iwt%至20wt%，5wt%至20wt%，或5wt%至lOwt%的量存在于光 熱轉(zhuǎn)化層中。在此含量范圍內(nèi)，可能有利地控制于特定波長的0D值。
[0046] 鶴氧化物可具有500皿或更少，特別是400皿或更少，10皿至200皿，或20皿至200皿 的平均粒徑。在此范圍內(nèi)，鶴氧化物會(huì)在熱轉(zhuǎn)印方法中展現(xiàn)有效的熱性質(zhì)，且可通過調(diào)整鶴 氧化物的含量控制在特定波長下的0D值。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，鶴氧化物可W通式 Wy0z表示(其中，W為鶴原子;0為氧原子;且z與y之比（z/y)為2.2或更多，或3.0或更少。鶴氧 化物的實(shí)例可包含WO3、Wl8O49、W20O58、W4Oll等。若z/y為2.2或更多，可完全避免WO2的結(jié)晶相 發(fā)生，且獲得光熱轉(zhuǎn)化材料的化學(xué)穩(wěn)定性。若鶴氧化物中的Z/V為3.0或更少，可獲得足夠量 的自由電子，因而增加效率。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，若Z/V為2.45或更多及3.0或更少 (即，2.45《z/y《3.0)，鶴氧化物會(huì)具有馬格涅利相(Magneliphase)，因而提供優(yōu)異耐久 性。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，鶴氧化物可包含含有鶴W外的元素的復(fù)合鶴氧化物。復(fù) 合鶴氧化物可W通式MxWyOz表示(其中，Μ為Η、化、堿金屬、堿±金屬、稀±元素、面素、Zr、化、 Mn、Fe、Ru、Co、Rh、I;r、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、Ιη、Τ1、Si、Ge、Sn、饑、Sb、B、P、S、 86、了6、11、抓、￥、1〇、化、1^、冊(cè)、〇3及81中的至少一種;胖為鶴原子;且0為氧原子）。在此化學(xué) 式中，X與y之比（x/y)為0.001或更多及1.1或更少，且z與y之比（z/y)為2.2或更多及3.0或 更少。在此化學(xué)式中，堿金屬可包含Li、Na、K、Rb、Cs或化。在此化學(xué)式中，堿±金屬可包含 86、]\%、化、51'、133或1?3。在此化學(xué)式中，稀±金屬可包含5(3、￥、1^3、〔6、？1'、炯、化、5111、611、6(1、 化、〇7、化、化、怖、化或111。在此化學(xué)式中，面素可包含。、(：1、化或1。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施 方式，W通式MxWyOz表示的復(fù)合鶴氧化物的顆?？删哂羞x自六角形、四角形，或立方體結(jié)晶 結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)，從而提供耐久性。例如，當(dāng)復(fù)合鶴氧化物的顆粒具有六角形結(jié)晶結(jié) 構(gòu)，Μ可為Cs、肺、1(、11、111、8曰、^、〔曰、5'、。6，及511中的至少一種元素。在一個(gè)實(shí)施方式中，]\1 元素的添加量，X可被確定，使得X/V為0.001或更多及1.1或更少，例如，0.33 ±0.3 (0.03至 0.63)。運(yùn)是因?yàn)榱切谓Y(jié)晶結(jié)構(gòu)的理論X/V為0.33。在Μ元素的此添加量內(nèi)，可提供光熱轉(zhuǎn) 化層優(yōu)異光學(xué)性質(zhì)。氧原子的量，Ζ可被確定，使得Z/V為2.2或更多及3.0或更少。例如，W MxWyOz表示的復(fù)合鶴氧化物可為Cso. 33W03、肺0. 33W03、Κο. 33W03、Bao. 33W03等。當(dāng)X、y及Ζ落在此范 圍內(nèi)時(shí)，可提供有用的近紅外線吸收特性。W光熱轉(zhuǎn)化層的固體含量計(jì)，鶴氧化物可W Iwt%至45wt%，特別是Iwt%至35wt%，5wt%至25wt%，或5wt%至21wt%的量存在。在此 范圍內(nèi)，可獲得光熱轉(zhuǎn)化層的優(yōu)異熱轉(zhuǎn)印效率，因?yàn)楣鉄徂D(zhuǎn)化層可充分地進(jìn)行光熱轉(zhuǎn)化。此 夕h在此范圍內(nèi)，由于與顆粒相比的適合粘結(jié)劑含量，可使光熱轉(zhuǎn)化層的組合物容易地制 造，且由于其高硬化速率及非粘結(jié)性質(zhì)，制備的光熱轉(zhuǎn)化層被用作適合光熱轉(zhuǎn)化層。
[0047] 粘結(jié)劑可使碳黑及鶴氧化物嵌入形成光熱轉(zhuǎn)化層的結(jié)構(gòu)。粘結(jié)劑可包含紫外線可 固化樹脂、多官能單體或它們的混合物。UV可固化樹脂可不受限地包含（甲基）丙締酸醋樹 脂類、酪樹脂類、聚乙締縮下醒樹脂類、聚乙酸乙締醋、聚乙締縮醒、聚二氯亞乙締類、纖維 素酸、纖維素醋、硝基纖維素、聚碳酸醋、聚（甲基)丙締酸燒醋類、環(huán)氧（甲基)丙締酸醋類、 環(huán)氧樹脂類、胺甲酸醋樹脂類、醇酸樹脂類、螺縮醒樹脂類，及聚下二締樹脂類中的至少一 種。W用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物的固體含量計(jì)，紫外線可固化樹脂可WlOwt%至75wt%，特 別是15wt%至75wt%，或20wt%至60wt%的量存在。在此范圍內(nèi)，可形成穩(wěn)定的光熱轉(zhuǎn)化層 的基質(zhì)。多官能單體可使光熱轉(zhuǎn)化層具有特定硬度。更具本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，多官能單 體可為具有一個(gè)或多個(gè)，特別是二個(gè)至六個(gè)（甲基)丙締酸醋基團(tuán)的單體。特別地，多官能單 體可包含多官能（甲基)丙締酸醋單體及氣改性的多官能（甲基)丙締酸醋單體中的至少一 種。多官能（甲基)丙締酸醋單體可包含，例如，Ξ徑甲基丙烷二（甲基炳締酸醋、立徑甲基 丙烷Ξ(甲基)丙締酸醋、季戊四醇二（甲基)丙締酸醋、季戊四醇Ξ(甲基)丙締酸醋、季戊四 醇四（甲基）丙締酸醋、二季戊四醇五（甲基）丙締酸醋、二季戊四醇六（甲基）丙締酸醋、二 (Ξ徑甲基丙烷）四（甲基）丙締酸醋、立(2-徑基乙基）異氯酸醋Ξ(甲基）丙締酸醋、己二醇 二（甲基)丙締酸醋，及環(huán)癸燒二甲醇二（甲基)丙締酸醋中的至少一種。氣改性的多官能（甲 基)丙締酸醋可通過，例如，多官能（甲基)丙締酸醋單體的氣改性而制備。W用于光熱轉(zhuǎn)化 層的組合物的固體含量計(jì)，多官能單體可W5wt %至70wt %，特別是5wt %至20wt %，或 5wt%至20wt%的量存在。在此范圍內(nèi)，可形成適合光熱轉(zhuǎn)化層的基質(zhì)。
[004引 W用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物的固體計(jì)，粘結(jié)劑可W35wt%至80wt%，特別是 35wt %至75wt %的量存在。在此范圍內(nèi)，可形成穩(wěn)定的光熱轉(zhuǎn)化層的基質(zhì)。
[0049] 用W固化粘結(jié)劑的引發(fā)劑可為，例如，在本領(lǐng)域中通常使用的光聚合引發(fā)劑。例 如，引發(fā)劑可不受限地包含α-徑基酬類，諸如，1-徑基環(huán)己基苯基酬。W用于光熱轉(zhuǎn)化層的 組合物的固體含量計(jì)，引發(fā)劑可W〇. Iwt%至lOwt%，特別是Iwt%至4wt%的量存在。在此 范圍內(nèi)，可充分地形成光熱轉(zhuǎn)化層，且引發(fā)劑不會(huì)保持未反應(yīng)，從而避免0D值惡化。
[0050] 用于制備光熱轉(zhuǎn)化層的組合物可包含碳黑、鶴氧化物、粘結(jié)劑及引發(fā)劑，且可進(jìn)一 步包含分散劑。
[0051] 能使碳黑核鶴氧化物分散及穩(wěn)定的表面活性劑，或能使光熱轉(zhuǎn)化材料分散的聚合 物分散劑，例如，通過吸附于光熱轉(zhuǎn)化材料表面的分散劑的位阻，可用作分散劑。例如，經(jīng)氣 化的化合物可用作分散劑。通過使用該經(jīng)氣化的化合物可獲得組合物的改善的分散穩(wěn)定 性。經(jīng)氣化的化合物可W化學(xué)式1表示：
[0化2] <化學(xué)式1〉
[0053 ] (C出=CRi-C (= 0) -0-) nRf
[0054] 其中，η為1或更大的整數(shù)，Ri為氨或甲基，且Rf為C2至C加氣烷基、C2至C日ο全氣烷基、 C2至C50氣伸烷基或C2至C50全氣伸烷基。特別地，η為2至5的整數(shù)，且Rf為C2至Ci5氣烷基、C2至 Cl5全氣烷基、C連打5氣伸烷基或C2至Cl5全氣伸烷基基團(tuán)。例如，經(jīng)氣化的化合物可不受限地 包含 1H, 1H, 10H, 10H-全氣-1,10-癸二醇二丙締酸醋化xfluor Research Co巧oration)。W 總計(jì)100重量份的碳黑及鶴氧化物計(jì)，經(jīng)氣化的化合物可重量份至5重量份，特別是1重 量份至3重量份的量存在。在此范圍內(nèi)，光熱轉(zhuǎn)化層可具有4%或更少的在850nm的波長下測 量的0D值及在llOOnm的波長下測量的0D值與目標(biāo)0D值的偏差，因此，無論激光波長，都提供 均勻的0D值。
[0055] 丙締系聚合物分散劑或丙締酸醋聚合物分散劑可作為聚合物分散劑。丙締系聚合 物分散劑可包含作為主鏈的丙締酸醋，諸如，丙締酸乙醋及丙締酸下醋，或其共聚物，且可 進(jìn)一步包含用于使分散劑吸附于鶴氧化物顆?；驈?fù)合鶴氧化物顆粒的官能性基團(tuán)。丙締系 或丙締酸醋聚合物分散劑可具有Omg KOH/g至23mg KOH/g的酸醋，及30至50mg KOH/g的胺 值。在此范圍內(nèi)，聚合物分散劑可使光熱轉(zhuǎn)化材料有效分散。任何適合分散劑可進(jìn)一步作為 分散劑。進(jìn)一步使用的分散劑的實(shí)例可不受限地包含選自聚苯胺、聚嚷吩、聚化咯及它們的 衍生物中的導(dǎo)電聚合物;選自聚伸苯基、聚(伸苯基伸乙基）、聚巧、聚(3,4-二取代的嚷吩）、 聚苯并嚷吩、聚異嚷糞、聚化咯、聚巧喃、聚化晚、聚-1,3,4-惡二挫、聚奧、聚砸吩、聚苯并巧 喃、聚嗎I噪、聚化嗦、聚巧、聚芳基胺及它們的衍生物中的至少一種半導(dǎo)電聚合物;及聚乙酸 乙締醋及它們的共聚物等。
[0056] W用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物的固體含量計(jì)，分散劑可WO. Iwt%至30wt%，特別是 0.1 wt%至lOwt%，或0.1 wt%至5wt%的量存在。在此范圍內(nèi)，可能改善光熱轉(zhuǎn)化材料的分 散性及熱轉(zhuǎn)印效率。
[0057] 雖然分散劑可于組合物的制備中與光熱轉(zhuǎn)化材料分開地添加，但分散劑普遍可W 包含分散劑及光熱轉(zhuǎn)化材料的分散液的形式添加至組合物。分散液可包含，例如，碳黑、鶴 氧化物、分散劑和溶劑。不干擾鶴氧化物或碳黑的分散的溶劑可作為適合溶劑。為此，溶劑 可包含，例如，選自酬類、醋類、控類及酸類中的至少一種。特別地，溶劑可包含酬類，諸如， 甲乙酬、甲異下酬等;醋類，諸如，乙酸乙醋、乙酸丙醋、乙酸異丙醋、乙酸下醋、乙酸異下醋、 丙二醇單甲酸乙酸醋、丙二醇單乙酸乙酸醋等;控類，諸如，甲苯、二甲苯等;酸類，諸如，乙 酸、丙酸等。當(dāng)此溶劑被使用時(shí)，可改善光熱轉(zhuǎn)化材料的分散性。
[005引根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，分散液可包含20wt %至60wt %的碳黑，24wt %至 72wt %的鶴氧化物，0.1 wt %至lOwt %的分散劑，及余量的溶劑。如在本文使用的，術(shù)語"余 量"意指分散液中除了碳黑、鶴氧化物及分散劑外的任何材料的量。
[0059] 基底層可為對(duì)光熱轉(zhuǎn)化層具有優(yōu)異粘附性且能控制光熱轉(zhuǎn)化層與其它層間的溫 度傳遞的透明樹脂膜。特別地，基底層可不受限地包含聚締控類，諸如，聚醋、聚丙締、聚環(huán) 氧、聚乙締、聚丙締等，及聚苯乙締類中的至少一種樹脂膜。更特別地，諸如聚對(duì)苯二甲酸乙 二醋膜或聚糞酸乙二醋膜的聚醋膜可作為基底層?；讓涌删哂笑│苔笑芍?00μπι，特別是40μπι 至lOOwii的厚度。在此范圍內(nèi)，基底層可支撐熱轉(zhuǎn)印膜且可用于熱轉(zhuǎn)印膜。
[0060] 光熱轉(zhuǎn)化層可具有200nm或更少，特別是Inm至lOOnm的表面粗糖度。在此范圍內(nèi)， 成品可避免因壓縮熱轉(zhuǎn)印膜而造成的轉(zhuǎn)印失效。
[0061] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，光熱轉(zhuǎn)化層可通過使含有碳黑、鶴氧化物、粘結(jié)劑、 引發(fā)劑、分散劑等的組合物涂覆在基底膜上，及干燥此組合物而制備。經(jīng)干燥的組合物可W 1 OOmJ/cm2至500mJ/cm2固化。干燥可在50 °C至100 °C下進(jìn)行，特別是在80 °C下。
[0062] 光熱轉(zhuǎn)化層可具有大于0皿且小于等于μηι，特別是0.5皿至扣m，更特別是0.5μηι至3 皿的厚度。在此范圍內(nèi)，光熱轉(zhuǎn)化層可有效地進(jìn)行熱轉(zhuǎn)印。
[0063] W下，將參考圖2描述依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜。圖2為依據(jù)本發(fā) 明另一個(gè)實(shí)施方式的熱轉(zhuǎn)印膜的截面圖。
[0064] 參考圖2,依據(jù)本發(fā)明另一方面的熱轉(zhuǎn)印膜200可包含基底層110、形成于基底層 110上的光熱轉(zhuǎn)化層115,及形成于光熱轉(zhuǎn)化層115上的中間層120。除了圖2所示的熱轉(zhuǎn)印膜 進(jìn)一步含有中間層外，圖2顯示的熱轉(zhuǎn)印膜與圖1所示的熱轉(zhuǎn)印膜相同。
[0065] 中間層可如下所述般用于使熱轉(zhuǎn)印層的轉(zhuǎn)印材料的損害及污染最小化，及降低熱 轉(zhuǎn)印層的轉(zhuǎn)印材料變形。此外，中間層可控制熱轉(zhuǎn)印層與受體的圖案區(qū)及此受體的無圖案 區(qū)的粘附。
[0066] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，中間層可包含聚合物膜、金屬層、無機(jī)層(例如，通過 無機(jī)氧化物(例如，二氧化娃、氧化鐵或其它金屬氧化物)的溶膠-凝膠沉淀或蒸氣沉積而形 成的層)或有機(jī)/無機(jī)絡(luò)合層。熱固性或熱塑性材料可作為有機(jī)絡(luò)合層的有機(jī)材料。
[0067] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，中間層可由包含紫外線可固化樹脂、多官能單體， 及引發(fā)劑的組合物形成。特別地，中間層可為包含40wt%至95wt%的紫外線可固化樹脂、 Iwt %至50wt %的多官能單體，及Iwt %至1 Owt %的引發(fā)劑的組合物的固化產(chǎn)物。中間層可 進(jìn)一步包含紫外線可固化的氣化合物及紫外線可固化的硅氧烷化合物的至少一種。紫外線 可固化的氣化合物可包含，例如，氣改性的多官能（甲基)丙締酸醋，諸如，1H，1H，10H，10H- 全氣-1,10-癸二醇二（甲基)丙締酸醋。紫外線可固化的硅氧烷化合物可不受限地包含具有 (甲基)丙締基的經(jīng)聚酸改性的二烷基聚硅氧烷。
[006引中間層可具有Ιμηι至ΙΟμηι，特別是2μηι至5]im的厚度。在此范圍內(nèi)，中間層可具有適 于熱轉(zhuǎn)印膜的有利物理性質(zhì)。
[0069] 本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜可進(jìn)一步包含轉(zhuǎn)印層。轉(zhuǎn)印層可，例如，如上所述般形成在光熱 轉(zhuǎn)化層的上表面上，或在中間層的上表面上。
[0070] 轉(zhuǎn)印層可包含轉(zhuǎn)印材料，且轉(zhuǎn)印材料可包含，例如，有機(jī)電致發(fā)光材料等。當(dāng)具有 特定波長的激光照射至與具有特定圖案的受體的表面接觸的轉(zhuǎn)印層，光熱轉(zhuǎn)化層吸收光能 且通過產(chǎn)生的熱膨脹，且轉(zhuǎn)印層的轉(zhuǎn)印材料被熱轉(zhuǎn)印至受體，W便相對(duì)應(yīng)于圖案。轉(zhuǎn)印層可 包含至少用于使轉(zhuǎn)印材料轉(zhuǎn)印至受體的層。運(yùn)些層可由有機(jī)、無機(jī)、有機(jī)金屬材料或其它材 料形成，包含電致發(fā)光材料或電活性材料。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)印層可通過蒸 發(fā)、噴瓣或溶劑涂覆而均勻涂覆。另外，轉(zhuǎn)印層可通過數(shù)字印刷、平板印刷或噴瓣通過掩模 從而在預(yù)定圖案中涂覆。
[0071] 依據(jù)本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜可不受限地作為用于OLm)的供體膜、用于激光誘發(fā)熱成像 的供體膜等。
[0072] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，依據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置(包含有機(jī)發(fā)光二 極管(0LED))可使用依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的熱轉(zhuǎn)印膜作為供體膜而制備。特別地，供體膜可被 置于上面形成透明電極層的基材上。如上所述，供體膜可為，例如，其中基底層、光熱轉(zhuǎn)化層 及轉(zhuǎn)印層W此順序堆疊的膜。然后，供體膜可用能量源照射。自曝光裝置發(fā)射的能源可通過 基底層活化光熱轉(zhuǎn)化層，且經(jīng)活化的光熱轉(zhuǎn)化層可通過熱分解發(fā)射熱。然后，供體膜的光熱 轉(zhuǎn)化層可通過產(chǎn)生的熱膨脹，使轉(zhuǎn)印層與供體膜分離，使得由轉(zhuǎn)印材料形成的發(fā)光層轉(zhuǎn)印 至有機(jī)電致發(fā)光裝置的基材上通過像素限定層界定的像素區(qū)域上，W期望圖案達(dá)到期望厚 度。
[0073] W下，將參考一些優(yōu)選實(shí)施例作更詳細(xì)描述本發(fā)明。需了解提供運(yùn)些實(shí)施例僅用 于作為例示說明，且不W任何方式作為限制本發(fā)明而闡釋。
[0074] 實(shí)施例及比較例中使用的組分的細(xì)節(jié)如下。
[0075] (A)光熱轉(zhuǎn)化材料:鶴氧化物及碳黑
[0076] *鶴氧化物W鶴氧化物顆粒分散液(T-sol ,ΑΜΤΕ Co.，Ltd.)的形式提供。鶴氧化物 顆粒分散液包含30wt%的鶴氧化物顆粒，12wt%的丙締系聚合物分散劑，及58wt%的甲乙 酬，且鶴氧化物顆粒作為W〇3顆粒具有70nm的平均粒徑。
[0077] *碳黑為研磨基料(Raven 450, Columbia),其包含30wt %的作為分散液的碳黑顆 粒(具有依據(jù)ASTM D3849測量時(shí)為65nm的平均粒徑，及依據(jù)ASTM D2414測量時(shí)為65cc/100g 的吸油值），4.5wt%的作為分散劑的聚乙酸乙締醋，及65.5wt%的作為溶劑的甲乙酬。
[0078] (B)粘結(jié)劑:作為紫外線可固化樹脂的聚甲基丙締酸甲醋樹脂及環(huán)氧丙締酸醋樹 月旨，及作為多官能單體的Ξ官能性丙締酸醋單體(Sartomer的SR351)
[0079] (C)引發(fā)劑：bga州re 184(CIBA)
[0080] (D)基底層:聚對(duì)苯二甲酸乙二醋膜(PET，Toyok)的A4100，厚度:75皿）
[0081 ] 實(shí)施例1
[0082] 向100重量份的作為溶劑的甲乙酬，添加25重量份的聚甲基丙締酸甲醋，30重量份 的環(huán)氧丙締酸醋樹脂，8重量的Ξ官能性丙締酸醋單體，及2重量份的引發(fā)劑。然后，混合組 合物。向獲得的混合物，添加60重量份的碳黑分散液及鶴氧化物分散液的混合物(50wt%: 50wt%的碳黑分散液與鶴氧化物分散液的比率）。然后，混合物被攬拌30分鐘。為了鶴氧化 物及碳黑的分散穩(wěn)定性，添加0.5重量份的經(jīng)氣化的化合物（Exfluor Research Corporation的IH，IH，lOH，lOH-全氣-1，10-癸基二丙締酸醋）制備用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合 物。制得才用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物使用8號(hào)線棒而棒涂于PET膜上，使用器具在8(TC下干 燥2分鐘，并在紫外線下W300mJ/cm2固化，獲得包含基底層及光熱轉(zhuǎn)化層的熱轉(zhuǎn)印膜(膜厚 度:姐?)。
[0083] 實(shí)施例2至3
[0084] 除了實(shí)施例1中的鶴氧化物分散液及碳黑分散液的混合物中的鶴氧化物及碳黑的 含量(wt % )如表1中所示改變外，熱轉(zhuǎn)印膜W與實(shí)施例1相同的方式制備。
[0085] 實(shí)施例4
[0086] 向100重量份的作為溶劑的甲乙酬，添加25重量份的聚甲基丙締酸甲醋，30重量份 的環(huán)氧丙締酸醋樹脂，8重量份的Ξ官能性丙締酸醋單體，及2重量份的引發(fā)劑。然后，混合 組合物。向獲得的混合物，添加60重量份的碳黑分散液及鶴氧化物分散液的混合物 (50wt%:50wt%的碳黑分散液與鶴氧化物分散液的比率）。然后，混合物被攬拌30分鐘。為 了鶴氧化物及碳黑的分散穩(wěn)定性，添加0.5重量份的經(jīng)氣化的化合物化xfluor Research Corporation的IH，IH，lOH，lOH-全氣-1，10-癸基二丙締酸醋）制備用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合 物。向47.15克的甲乙酬(MEK)及26.05克的丙二醇單甲酸乙酸醋的混合物，添加17.99克的 作為紫外線可固化樹脂的六官能性胺甲酸醋丙締酸醋寡聚物(Sartomer的CN9006)，7.44克 的作為多官能單體的Ξ官能性丙締酸醋單體(Sartomer的SR351)，及0.62克的作為紫外線 可固化氣化合物的1H, 1H, 10H, 10H-全氣-1,10-癸二醇二丙締酸醋化xfuluor Research Co巧ortation)。然后，混合物被攬拌30分鐘。其后，添加0.75克的作為引發(fā)劑的Irgacure 184(Basf)，且最后攬拌30分鐘制備用于中間層的組合物。制得的用于光熱轉(zhuǎn)化層的組合物 使用8號(hào)線棒而棒涂于PET膜上，使用器具在80°C下干燥2分鐘。然后，用于中間層的組合物 使用8號(hào)線棒而棒涂，使用器具在8(TC下干燥2分鐘，并在紫外線下W300mJ/cm2固化，獲得 包含基底層、光熱轉(zhuǎn)化層中間層的熱轉(zhuǎn)印膜(膜厚度:3μπ〇。
[0087] 比較例1至5
[008引除了在35重量份的實(shí)施例1的鶴氧化物與碳黑的混合物中的鶴氧化物與碳黑的比 率(wt%)如表1中所示改變外，熱轉(zhuǎn)印膜W與實(shí)施例1相同的方式制備。
[0089] 物理性質(zhì)的評(píng)價(jià)
[0090] 評(píng)價(jià)實(shí)施例及比較例的熱轉(zhuǎn)印膜系的下列性質(zhì)，且結(jié)果顯示于表1中。
[0091] (l)〇D值:使用化rkin Elmer Lambda 1050UV/VIS光譜儀于850nm及l(fā)lOOnm的波長 下在熱轉(zhuǎn)印膜上測量0D值。
[0092] (2)0D值偏差:使用如下方程式對(duì)于850nm及l(fā)lOOnm的波長下測量的各0D值計(jì)算0D 值偏差：
[0093] 0D值偏差=[(I測量0D值-目標(biāo)0D值I)/目標(biāo)0D值]X100。
[0094] 此處，實(shí)施例1至4及比較例1至5的目標(biāo)OD值在850nm的波長及1 lOOnm的波長下同 樣地設(shè)為1.20。
[0095] (3)外觀：由肉眼通過反射鏡或W透射方式檢查光熱轉(zhuǎn)化層。在涂層均勻分布的情 況下，外觀評(píng)估為'良好'，而在觀察到污潰或污點(diǎn)的情況下為'差'。
[0096] (4)轉(zhuǎn)印效率:發(fā)光材料沉積于制備的熱轉(zhuǎn)印膜上，且具有1cm X 1cm尺寸的樣本 暴露于激光。通過顯微鏡，在80%或更多的經(jīng)沉積的發(fā)光材料被轉(zhuǎn)印的情況下，經(jīng)激光曝光 的部分被評(píng)估為'良好'，而在少于80%的經(jīng)沉積的發(fā)光材料被轉(zhuǎn)印的情況下為'差'。
[0097] 表 1 [009引
[0099] 如表1和圖3所示，本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜具有4%或更少的在850nm的波長下測量的0D 值及在llOOnm的波長下測量的0D值相對(duì)于目標(biāo)0D值的偏差，且在85化m至llOOnm的波長下 測量的0D值實(shí)質(zhì)上均一。此外，本發(fā)明的熱轉(zhuǎn)印膜具有優(yōu)異的轉(zhuǎn)印效率及外觀。
[0100] 另一方面，在比較例1和5中，其中，碳黑或鶴氧化物被單獨(dú)使用，如表1和圖3所示， 證實(shí)熱轉(zhuǎn)印膜具有多于4%的0D值偏差及在整個(gè)波長下不均一的0D值。此外，當(dāng)碳黑及鶴氧 化物的含量大量使用時(shí)，用850nm及l(fā)lOOnm的波長的激光照射，熱轉(zhuǎn)印膜具有差的轉(zhuǎn)印效率 及外觀。而且，在比較例2至4中，其中，碳黑及鶴氧化物被使用，但它們的含量不在本發(fā)明的 范圍內(nèi)，熱轉(zhuǎn)印膜也具有差的轉(zhuǎn)印效率及外觀。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種熱轉(zhuǎn)印膜，包含： 基底層，和 形成于所述基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層，所述光熱轉(zhuǎn)化層包含碳黑及鎢氧化物， 其中，所述熱轉(zhuǎn)印膜具有4%或更少的以方程式1表示的光學(xué)密度值偏差： [方程式1] 0D值偏差=[(|測量0D值-目標(biāo)0D值| )/目標(biāo)0D值]X 100 其中，測量OD值為分別在850nm的波長和llOOnm的波長下測量的OD值。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，基于所述碳黑和所述鎢氧化物的總量，所述 碳黑以約25wt %至約55wt %的量存在，且所述鎢氧化物以約45wt %至約75wt %的量存在。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑和所述鎢氧化物具有約1:1至約1:2 的平均粒徑比。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑具有約40nm至約200nm的平均粒徑， 且所述媽氧化物具有約20nm至約200nm的平均粒徑。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑和所述鎢氧化物以約15wt%至約 55wt %的量存在于所述光熱轉(zhuǎn)化層中。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，依據(jù)ASTM D2414,所述碳黑具有約50cc/100g 至約120cc/100g的吸油值(0AN)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，進(jìn)一步包含在所述光熱轉(zhuǎn)化層上的中間層。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述熱轉(zhuǎn)印膜具有0.3或更少的以方程式2表 示的在850nm的波長下測量的0D值與在llOOnm的波長下測量的0D值之間的0D值差異（Λ 0D)： [方程式2] A0D= |在850nm下測量的0D值-在llOOnm下測量的0D值|。9. 一種熱轉(zhuǎn)印膜，包含： 基底層，及 形成于所述基底層上的光熱轉(zhuǎn)化層，所述光熱轉(zhuǎn)化層包含碳黑及鎢氧化物， 其中，所述熱轉(zhuǎn)印膜具有0.05或更少的以方程式2表示的在850nm的波長下測量的0D值 與在llOOnm的波長下測量的0D值之間的0D值差異(A0D): [方程式2] A0D= |在850nm下測量的0D值-在llOOnm下測量的0D值|。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，基于所述碳黑和所述鎢氧化物的總量，所述 碳黑以約25wt %至約55wt %的量存在，且所述鎢氧化物以約45wt %至約75wt %的量存在。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑和所述鎢氧化物具有約1:1至約1: 2的平均粒徑比。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑具有約40nm至約200nm的平均粒 徑，且所述媽氧化物具有約20nm至約200nm的平均粒徑。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，所述碳黑和所述鎢氧化物以約15wt%至約 55wt %的量存在于所述光熱轉(zhuǎn)化層中。14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，其中，依據(jù)ASTM D2414,所述碳黑具有約50cc/ lOOg至約 120cc/100g的吸油值(OAN)。15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱轉(zhuǎn)印膜，進(jìn)一步包含在所述光熱轉(zhuǎn)化層上的中間層。16. -種有機(jī)電致發(fā)光裝置，使用根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的熱轉(zhuǎn)印膜作為供 體膜而制備。
【文檔編號(hào)】B41M5/40GK105980161SQ201480065094
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2014年11月27日
【發(fā)明人】趙成昕, 姜炅求, 金旻惠, 樸時(shí)均, 金成漢, 李恩受, 李正孝, 崔晉喜
【申請(qǐng)人】三星Sdi株式會(huì)社