1.一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是包括如下步驟:
1）用AutoCAD或設(shè)備自帶軟件對激光標刻的內(nèi)容進行編輯和儲存；
2）依據(jù)基材的類型選擇合適的激光器，完成開機、設(shè)備校準、工裝夾具和耗材的準備；
3）設(shè)置工藝參數(shù)；
4）用激光器所發(fā)射激光在基材上切割出步驟1）中所編輯的內(nèi)容；
5）鍍覆形成中間防護性鍍層；
7）將基材進行組裝，形成外殼；
8）在外殼上鍍覆功能性鍍層，形成成品；
9）進行成品的性能指標檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是所述激光標刻的內(nèi)容為圖形和/或字符和/或條碼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是所述的基材可以是氧化鈹、氮化鋁、銅、鉬、鎢、鋼、可伐合金、銅鎢合金、銅鉬合金、陶瓷中的一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是所述的激光器是光纖激光器、半導(dǎo)體激光器、CO2激光器中的一種；所述激光器的輸出功率為0.5 W～1000W，激光器所發(fā)射激光的中心波長為100nm～2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是
所述的工藝參數(shù)包括額定輸出功率、切割圈數(shù)、切割速度 、延時；其中額定輸出功率為0.5 W～1000W、切割圈數(shù)為1～100、切割速度為10 mm～1000mm/s、延時為10～1000μs。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是所述成品上圖形和/或字符和/或條碼的深度為0.1μm～100μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微電子封裝外殼的激光標刻方法，其特征是所述中間防護性鍍層是銀層、銅層、錫層、鎳層、鉻層、金層中的一種，鍍層厚度為0.1μm～20μm,功能性鍍層是銀層、銅層、錫層、鎳層、鉻層、金層中的一種，鍍層厚度為0.1μm～20μm。